CN101373692B - 一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明的荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置，在完成前基板(1)、后基板(2)的制作后，蒸镀MgO保护膜，将对准好的前后基板和荫罩(3)放入封排一体化系统的荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室(16)中，完成排气、充气、封接工艺。本发明采用真空封排一体化的装置完成了真空封接、排气、充气的一体化过程，简化了荫罩式等离子体显示屏的制造。本发明制作的荫罩式等离子体显示屏没有排气孔，具有内部真空度高、封接工艺步骤精简、消耗时间短和稳定性好的优点。

Description

一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置

技术领域

本发明涉及一种荫罩式等离子体显示屏，尤其是一种集封接、排气、充气于一体的荫罩式等离子显示屏的封接方法及其装置，具体地说是一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置。

技术背景

目前，在等离子体显示屏PDP前、后基板的封接过程中，通常采用低熔点玻璃粉进行封接。低熔点玻璃粉材料有两种，结晶型低熔点玻璃粉和非结晶型低熔点玻璃粉。结晶型低熔点玻璃粉封接温度高，但只能一次烧结；非结晶型低熔点玻璃粉可进行多次加热封接。因此，在等离子体显示屏PDP制造中采用非结晶型低熔点玻璃粉。制作工艺中先对封接框进行预烧彻底除气，增加机械强度。在最后封屏过程中，一般有两种封接方式：一种是封接过程始终在大气环境中进行。封接完毕，通过预留的排气孔对其进行排气、充气。这种工艺比较成熟，在等离子体显示屏PDP封接中应用比较广泛。但是，显示屏内部特别是中心区域的真空度不够高，显示屏的质量不高；另一种封接过程中先是在大气气氛下进行，待温度升至接近低熔点玻璃粉软化时，对封接炉抽真空，然后进行排气、充气工艺，最后升高温度完成封接。但是，它的工艺步骤多，消耗时间长，还需要较长时间的老练性能才能稳定。总的来说，现有的荫罩式等离子体显示屏的封接方法存在以下几个问题：(1)等离子体显示屏的屏内部特别是中心区域的真空度不够高；(2)封接工艺步骤多，消耗时间长；(3)现有的封接方法制作的显示屏需要较长时间的老练性能才能稳定。因此，现有的荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置不能满足显示屏内部真空度高、封接工艺步骤精简、消耗时间短、稳定性好的要求，不能达到现有生产的需要。

发明内容

本发明的目的是针对现有的荫罩式等离子体显示屏的封接的制作工序复杂，制屏效率低、稳定性差的问题，提出一种改善荫罩式等离子体显示屏的性能指标、简化荫罩式等离子体显示屏的制作工艺、提高制屏效率的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置。

本发明的技术方案是：

1、一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是它包括以下步骤：

a.制作荫罩式等离子体显示屏的前基板和后基板，在前基板的介质层和后基板的介质层的内表面分别蒸镀保护膜和保护膜；

b.将荧光粉均匀喷涂在位于前基板和后基板之间的荫罩的网格孔内，在前基板和后基板的四周或者在荫罩的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框，然后对封接框进行预烧；

c.将前基板、后基板和荫罩进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室内；

d.首先对真空室抽真空，真空室的真空度达到10-3帕开始对真空室加热，加热至380-400℃，对真空室保温并持续抽真空，直到真空室的真空度达到10-5帕，向真空室中充入工作气体，充气后在20分钟内真空室升温至400-500℃，然后保温15-30分钟，真空室开始降温，当真空室的温度低于70℃时，封接完成，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。

2、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的工作气体压强为1.2个标准大气压，真空室从室温加热至380-400℃的升温速率为4-6℃/min，真空室从380-400℃到400-500℃的升温速率为9-11℃/min，真空室从400-500℃到70-90℃的降温速率为1-2℃/min。

3、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的保护膜为MgO保护膜。

4、本发明所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的封接框为含碳量低的材料，封接框在封接时后基板的四周放置相当厚度的金属条支撑物。

5、一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置，其特征是它包括由真空腔体和加热板构成的真空室，由充气阀门、流量计、气瓶开关和气瓶构成的充气系统，由抽气阀门、电离规管、分子泵、机械泵、分子泵开关和机械泵开关构成的抽气系统，排气阀门，电离规、气压表和加热开关，加热板装在真空室内，加热板与加热开关相连，真空室通过管路与分子泵连接，管路上装有抽气阀门，抽气阀门与分子泵连接的管路上装有电离规管，分子泵连有分子泵开关，分子泵与机械泵连接，机械泵连有机械泵开关，真空室通过管路与电离规连接，真空室上装有排气阀门和气压阀，真空室通过管路与气瓶连接，管路上装有充气阀门，充气阀门与气瓶之间的管路上装有流量计，气瓶上装有气瓶开关。

本发明的有益效果：

1、本发明采用真空、封排一体化的荫罩式等离子体显示屏封接装置完成等离子体显示屏的真空封接、排气、充气的一体化过程，提高了荫罩式等离子体显示屏内部特别是中心区域的真空度，降低了着火电压和维持电压。

2、本发明采用无排气管封口技术，直接在荫罩式等离子体显示屏封接装置中通过控制充气、排气的升温、降温时间和温度，简化了荫罩式等离子体显示屏的制作工艺，缩短了制作时间，降低了荫罩式等离子体显示屏的制作成本，大大提高了显示屏的稳定性和制屏成品率。

附图说明

图1是本发明的荫罩式等离子体显示屏封接装置的结构图。

图2是本发明的荫罩式等离子体显示屏的结构图。

图3是本发明的荫罩式等离子体显示屏封接过程的温度曲线图。

图4是本发明的荫罩式等离子体显示屏封接结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，它包括以下步骤：

a.制作荫罩式等离子体显示屏的前基板1和后基板2，在前基板1的介质层6和后基板2的介质层10的内表面分别蒸镀保护膜7和保护膜11，保护膜7和保护膜11可为MgO保护膜；

b.将荧光粉均匀喷涂在位于前基板1和后基板2之间的荫罩3的网格孔12内，在前基板1和后基板2的四周或者在荫罩3的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框15，封接框15为含碳量低的材料，封接框15在封接时后基板2的四周放置相当厚度的金属条支撑物，然后对封接框15进行预烧；

c.将前基板1、后基板2和荫罩3进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室16内；

d.首先对真空室16抽真空，真空室16的真空度达到10-3帕开始对真空室16加热，加热至380-400℃，升温速率为4-6℃/min，对真空室16保温并持续抽真空，直到真空室16的真空度达到10-5帕，向真空室16中充入工作气体，工作气体压强为1.2个标准大气压，充气后在20分钟内真空室16升温至400-500℃，真空室16从380-400℃到400-500℃的升温速率为9-11℃/min，然后保温15-30分钟，真空室16开始降温，真空室16从400-500℃到70-90℃的降温速率为1-2℃/min，当真空室16的温度低于70℃时，封接完成，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。

一种荫罩式等离子体显示屏的封接装置，其基本结构如图1所示：它包括由真空腔体和加热板构成的真空室16，由充气阀门19、流量计30、气瓶开关24和气瓶25构成的充气系统，由抽气阀门17、电离规管20、分子泵21、机械泵23、分子泵开关27和机械泵开关28构成的抽气系统，排气阀门18，电离规22、气压阀29和加热开关26，加热板装在真空室16内，加热板与加热开关26相连，真空室16通过管路与分子泵21连接，管路上装有抽气阀门17，抽气阀门17与分子泵21连接的管路上装有电离规管20，分子泵21连有分子泵开关27，分子泵21与机械泵23连接，机械泵23连有机械泵开关28，真空室16通过管路与电离规22连接，真空室16上装有排气阀门18和气压阀29，真空室16通过管路与气瓶25连接，管路上装有充气阀门19，充气阀门19与气瓶25之间的管路上装有流量计30，气瓶25上装有气瓶开关24。

本发明的荫罩式等离子体显示屏的结构，如图2所示：它包括前基板1、后基板2和夹在它们之间的荫罩3，所述的前基板1包括前衬底玻璃基板4、在前衬底玻璃基板4的下表面上形成的第一电极5、介质层6和在介质层6上形成的保护膜7；所述的后基板2包括后衬底玻璃基板8、在后衬底玻璃基板8上形成的第二电极9、介质层10和在介质层10上形成的保护膜11；所述的荫罩3是一块密布有网格孔12阵列的导电板，荫罩3中的网格孔12与前基板1接触的上开口13的面积是其与后基板2接触的下开口14面积的1.5～10倍；每一网格孔12与第一电极5和第二电极9垂直相交，荫罩3、覆盖介质层6的第一电极5和覆盖介质层10的第二电极9形成交流介质阻挡放电的一个基本单元。

具体实施时：

实施例一：

一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，它包括以下步骤：

在荫罩式等离子体显示屏的前基板1、后基板2制作完成、在前基板1的介质层6和后基板2的介质层10的内表面分别蒸镀MgO保护膜和MgO保护膜11蒸镀完毕后，将荧光粉均匀的喷涂于荫罩3的孔内，然后采用低熔点玻璃粉进行封接。在前基板1或后基板2四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框15，封接框15经过预烧，目的是彻底除气，粘合剂软化、与玻璃浸润，增加机械强度。封接时可在后基板2四周放置相当厚度的金属条作为支撑，前基板1、后基板2和荫罩3对准后，用夹具夹好，注意要使各处受力均匀，然后放入封排一体化系统的荫罩式等离子体显示屏的封接装置进行封接，排气，充气。首先对荫罩式等离子体显示屏的封接装置真空室16抽真空，真空室16的真空度达到10-3帕开始对真空室16加热，加热至380-400℃，升温速率为4-6℃/min，对真空室16保温并持续抽真空，直到真空室16的真空度达到10-5帕，向真空室16中充入工作气体，工作气体压强为1.2个标准大气压，充气后在20分钟内真空室16升温至400-500℃，真空室16从380-400℃到400-500℃的升温速率为9-11℃/min，然后保温15-30分钟，真空室16开始降温，真空室16从400-500℃到70-90℃的降温速率为1-2℃/min，当真空室16的温度低于70℃时，封接完成，如图3所示，是本发明的荫罩式等离子体显示屏封接过程的温度曲线图，最后，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。

实施例二：

在实施例一中，若将在前基板1或后基板2四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框改为将低熔点玻璃粉涂覆在荫罩3的四周制作封接框15，再与前基板1、后基板2对接封接，就构成了本发明的第二实施例。

本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

Claims (4)

1.一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是它包括以下步骤：

a.制作荫罩式等离子体显示屏的前基板(1)和后基板(2)，在前基板(1)的介质层(6)和后基板(2)的介质层(10)的内表面分别蒸镀第一保护膜(7)和第二保护膜(11)；

b.将荧光粉均匀喷涂在位于前基板(1)和后基板(2)之间的荫罩(3)的网格孔(12)内，在前基板(1)和后基板(2)的四周或者在荫罩(3)的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框(15)，然后对封接框进行预烧；

c.将前基板(1)、后基板(2)和荫罩(3)进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室(16)内；

d.首先对真空室(16)抽真空，真空室(16)的真空度达到10^-3帕开始对真空室(16)加热，加热至380-400℃，对真空室(16)保温并持续抽真空，直到真空室(16)的真空度达到10^-5帕，向真空室(16)中充入工作气体，充气后在20分钟内真空室(16)升温至400-500℃，然后保温15-30分钟，真空室(16)开始降温，当真空室(16)的温度低于70℃时，封接完成，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。

2.根据权利要求1所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的工作气体压强为1.2个标准大气压，真空室(16)从室温加热至380-400℃的升温速率为4-6℃/min，真空室(16)从380-400℃到400-500℃的升温速率为9-11℃/min，真空室(16)从400-500℃到70-90℃的降温速率为1-2℃/min。

3.根据权利要求1所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的第一保护膜(7)和第二保护膜(11)为MgO保护膜。

4.根据权利要求1所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所述的封接框为含碳量低的材料，封接框在封接时后基板(2)的四周放置相当厚度的金属条支撑物。

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