CN1992129A - 等离子体显示面板 - Google Patents

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CN1992129A
CN1992129A CNA200610169473XA CN200610169473A CN1992129A CN 1992129 A CN1992129 A CN 1992129A CN A200610169473X A CNA200610169473X A CN A200610169473XA CN 200610169473 A CN200610169473 A CN 200610169473A CN 1992129 A CN1992129 A CN 1992129A
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Abstract

本发明提供了一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板具有在放电室之间的屏蔽墙，以防止相邻放电室之间的发光串扰。该等离子体显示面板具有彼此面对的第一基底和第二基底。障肋设置在第一基底和第二基底之间限定多个放电室。成对的维持电极在第一基底上沿着一个方向延伸，并横穿放电室。寻址电极与成对的维持电极交叉。第一介电层覆盖成对的维持电极。第二介电层覆盖寻址电极。荧光体层形成在所述放电室中。屏蔽墙设置在第一基底和第二基底之间以环绕每个放电室。

Description

等离子体显示面板
本申请要求于2005年12月30日在韩国知识产权局提交的第10-2005-0135862号韩国专利申请的优先权和利益，其全部内容通过引用公开于此。
                          技术领域
本发明涉及一种等离子体显示面板(PDP)，更具体地讲，涉及一种防止相邻的放电室之间的发光干扰的PDP。
                          背景技术
已经取代传统的阴极射线管(CRT)显示装置的PDP利用可见光线来显示期望的图像，其中，通过密封放电气体，在其上形成有多个电极的两个基底之间施加放电电压以产生真空紫外线，并用真空紫外线激发以预定图案形成的荧光体来产生可见光线。
图1是传统PDP的分解透视图。
参照图1，典型的交流(AC)型PDP 10包括：上板50，在其上显示图像；下板60，与上板50平行地连接。在上板50的前基底11上形成成对的维持电极12(各对包括X电极31和Y电极32)。与前基底11的X电极31和Y电极32交叉的寻址电极22设置在的下板60的后基底21上，其中，后基底21面对前基底11的设置有成对的维持电极12的表面。
掩埋成对的维持电极12的第一介电层15和掩埋寻址电极22的第二介电层25分别形成在前基底11和后基底21上。通常由MgO形成的保护层16位于第一介电层15的后表面上。障肋30能够保持放电距离并防止放电室之间的光电串扰，并形成在第二介电层25的前表面上。
将红色、绿色和蓝色荧光体层26涂覆在障肋30的两侧上和第二介电层25的没有形成障肋30的前表面上。
X电极31包括透明电极31a和汇流电极31b，Y电极32包括透明电极32a和汇流电极32b。由一对X电极31、Y电极32和寻址电极22形成的空间是形成放电单元的单元放电室70，其中，寻址电极22与X电极31、Y电极32交叉。透明电极31a、32a由透明导电材料制成，这种透明导电材料可产生放电并不干扰从荧光体层26向着前基底11发出的光。透明材料可以是氧化铟锡(ITO)。
各放电室70中产生的放电和由荧光体层26发出的光会影响相邻放电室70的发光，这会造成相邻放电室70之间的发光干扰。在发光室内产生的放电会影响非发光室。
此外，相邻放电室70之间的发光干扰会使通过各放电室70产生的放电显示的图像的清晰度下降。
                          发明内容
本发明的一个实施例提供了一种在放电室间形成屏蔽膜，以防止相邻放电室之间的发光干扰的PDP。
根据本发明的一方面，PDP包括彼此面对的第一基底和第二基底。障肋设置在第一基底和第二基底之间限定多个放电室。成对的维持电极在第一基底上沿着一个方向延伸，并横穿放电室。寻址电极与成对的维持电极交叉。第一介电层覆盖成对的维持电极。第二介电层覆盖寻址电极。荧光体层形成在所述放电室中。最后，屏蔽墙设置在第一基底和第二基底之间，以环绕每个放电室。
根据本发明的另一方面，PDP包括彼此面对的第一基底和第二基底。障肋设置在第一基底和第二基底之间限定多个放电室。成对的维持电极在第一基底上沿着一个方向延伸，并横穿放电室。寻址电极与成对的维持电极交叉。第一介电层覆盖成对的维持电极。第二介电层覆盖寻址电极。荧光体层形成在所述放电室中以提供像素，每个像素具有彼此相邻的红色放电室、绿色放电室和蓝色放电室。最后，屏蔽墙设置在第一基底和第二基底之间以环绕各像素。
在一个实施例中，屏蔽墙可以设置在第一基底和障肋之间。
在另一个实施例中，屏蔽墙可与第一介电层形成在相同层上。
在另一个实施例中，PDP还可包括覆盖第一介电层表面的保护层，以用面对第二基底的保护层来保护第一介电层。此外，屏蔽墙形成在包括第一介电层和保护层的层中。
在另一实施例中，屏蔽墙可以是黑色的。
在另一实施例中，可以通过添加黑色颜料的第一介电层材料来形成屏蔽墙。
在另一实施例中，屏蔽墙可具有小于60％的反射率。
                          附图说明
图1是传统PDP的局部分解透视图。
图2是根据本发明实施例的PDP的局部分解透视图。
图3是沿图2中的线III-III截取的图2中的PDP的剖视图。
图4是示出了位于图2中的PDP的第二基底上的一对维持电极和屏蔽墙的俯视图。
图5是根据更改的图3中的实施例的PDP的剖视图。
图6是示出了根据本发明另一实施例的PDP的局部分解透视图。
图7是沿着图6中的线VI-VI截取的图6中的PDP的剖视图。
图8是示出了位于图6中的PDP中的第二基底上的一对维持电极和屏蔽墙的俯视图。
图9是根据更改的图7中的实施例的PDP的剖视图。
                          具体实施方式
现在将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。
图2是示出根据本发明实施例的PDP 100的局部分解透视图。图3是沿图2中的线III-III截取的图2中的PDP的剖视图。图4是示出了位于图2中的PDP的第二基底121上的一对维持电极131、132和屏蔽墙180的俯视图。
参照图2至图4，交流型PDP 100包括第一基底111、第二基底121、一对维持电极131、132、寻址电极122、障肋130(包括障肋构件130a、130b)、保护层116、荧光体层123、第一介电层115、第二介电层125、放电气体(未示出)和屏蔽墙180。荧光体层123包括荧光体层123R、123G、123B。
第一基底111和第二基底121彼此分隔预定间隙，并限定了在第一基底111和第二基底121之间产生放电的放电室。第一基底111和第二基底121可以由对可见光线有优良透射性的玻璃制成。然而，为了提高明室对比度，可以将第一基底111和/或第二基底121着色。
障肋130位于第一基底111和第二基底121之间。根据传统的制造工艺，障肋130可以设置在第二介电层125上。障肋130将放电空间划分为包括红色放电室170R、绿色放电室170G和蓝色放电室170B的多个放电室170，并防止放电室170R、170G、170B之间的光电串扰。参照图2，障肋130限定了以矩阵形状排列、截面为矩形的放电室170R、170G、170B，但是本发明不限于此。即，障肋130可以限定截面为多边形(比如截面为三角形、五边形、圆形、椭圆形)或者开放式(比如带形等)的放电室170R、170G、170B。此外，障肋130可以以网格形或三角形来限定放电室170R、170G、170B。
成对的维持电极131、132设置在面对第二基底121的第一基底111上。成对的维持电极131、132的各对是形成在第一基底111的后表面上的用于产生维持放电的一对维持电极131、132。成对的维持电极131、132以预定的距离彼此平行地布置在第一基底111上。
在维持电极131、132的对中，X电极131用作共电极，Y电极用作扫描电极。在本实施例中，维持电极131、132的对位于第一基底111上，但是本发明不限于此。例如，维持电极131、132的对可以在从第一基底111到第二基底121的方向上彼此分隔预定间隙。
维持电极131包括透明电极131a和汇流电极131b，维持电极132包括透明电极132a和汇流嗲你132b。透明电极131a、132a由透明且导电的材料形成，这种材料可产生放电并不中断从荧光体层123(123R、123G、123B)向着第一基底111发射的光。透明且导电的材料是ITO。
然而，由ITO形成的透明电极131a、132a的电阻大，并且由于在长度方向的压降大导致透明电极131a、132a的响应速度满且驱动功耗的量大。为了解决这些问题，在透明电极131a、132a上设置由金属材料形成且宽度窄的汇流电极131b、132b。汇流电极131b、132b可具有单层结构(比如Ag、Al或Cu)，或具有多层结构(比如Cr/Al/Cr等)。可利用比如光蚀刻、光刻等技术来形成透明电极131a、132a和汇流电极131b、132b。
至于维持电极131、132的形状和布置，汇流电极131b、132b在放电室170R、170G、170B中以预定间隙彼此分隔，并延伸成与放电室170R、170G、170B交叉。如上所述，透明电极131a、132a与各自的汇流电极131b、132b电连接。在放电室170R、170G、170B的每个中，四边形的透明电极131a、132a不连续地布置。透明电极131a、132a的一对端部与汇流电极131b、132b连接，透明电极131a、132a的另一对端部被设置成面对各放电室170R、170G、170B中的中心。
第一介电层115形成在第一基底111上，以掩埋成对的维持电极131、132。第一介电层115防止相邻的维持电极131、132之间的直接导电，并防止由于放电粒子或电子与维持电极131、132直接碰撞而造成的维持电极131、132的损坏。此外，第一介电层115感应电荷。第一介电层115可以由PbO、B2O3、SiO2等形成。
此外，PDP 100还可包括覆盖第一介电层115的保护层116。保护层116防止在放电期间由于放电粒子或电子与第一介电层115直接碰撞而导致第一介电层115损坏。
此外，保护层116在放电期间发射大量的二次电子，从而有利于等离子体放电。保护层116由二次电子发射系数高且对可见光线的透射率高的材料形成。在形成了第一介电层115之后，利用比如溅射、电子束沉积等技术来形成保护层116。
寻址电极122位于面对第一基底111的第二基底121上。寻址电极122横穿放电室170R、170G、170B延伸以与维持电极131、132交叉。
寻址电极122产生寻址放电，寻址放电有助于维持电极131、132之间的维持放电。更具体地讲，寻址电极122使用于产生维持放电的电压降低。寻址放电在Y电极132和寻址电极122之间产生。当寻址放电完成时，在维持电极131、132上积累壁电荷，这有助于X电极131和Y电极132之间的维持放电。
由一对维持电极131、132和与维持电极131、132交叉的寻址电极形成的空间形成了单元放电室170R、170G、170B。
在第二基底121上形成第二介电层125以掩埋寻址电极122。第二介电层125由介电物质形成，该介电物质能够防止带电粒子或电子与寻址电极122碰撞而导致寻址电极122损坏并能够感应电荷。该介电物质可以由比如PbO、B2O3、SiO2等材料形成。
在形成在第二介电层125上的障肋130的两侧和第二介电层125的没有形成障肋130的整个表面上设置荧光体层123R、123G、123B。荧光体层123R、123G、123B具有用紫外线产生可见光的组分。即，形成在红色发光放电室170R中的荧光体层具有比如Y(V，P)O4:Eu的荧光体，形成在绿色发光放电室170G中的荧光体层具有比如Zn2SiO4:Mn的荧光体，形成在蓝色发光放电室170B中的荧光体层具有比如BAM:Eu的荧光体。
混合有Ne气和Xe气的放电气体填充在放电室170R、170G、170B中。当填充放电气体时，第一基底111和第二基底121利用密封构件彼此连接，其中，密封构件比如形成在第一基底111和第二基底121的边缘上的玻璃料(frit glass)。
由维持放电激发的放电气体的能级降低，从而发出紫外线。紫外线激发涂覆在放电室170R、170G、170B中的荧光体层123，使得受激发的荧光体层123的能级降低以发出可见光，可见光透射过第一介电层115和第一基底111，从而形成用户识别的图像。
为了防止相邻的放电室170R、170G、170B之间的发光干扰，屏蔽墙180设置在第一基底111和第二基底121之间，以环绕放电室170R、170G、170B中的每个。屏蔽墙180可以设置在第一基底111和障肋130之间，可与第一介电层115形成在同一层上。
虽然没有在图2中示出，但是屏蔽墙180可以形成在与由第一介电层115和保护层116形成的层相同的层上，从而更有效地防止相邻放电室170R、170G、170B之间的发光干扰。
屏蔽墙180有效地防止相邻的放电室170R、170G、170B之间的发光干扰，并且为了提高明室对比度屏蔽墙180可以是黑色的，。就此，可通过将黑色颜料添加到与第一介电层115相同的材料来形成屏蔽墙180。在这种情况下，屏蔽墙180可具有小于60％的反射率。
在本发明的另一实施例中，屏蔽墙180有效地防止相邻的放电室170R、170G、170B之间的发光干扰，并为了提高明室对比度，屏蔽墙180可具有亮色，。就此，屏蔽墙180可以由反射率高的材料形成。
具有屏蔽墙180的PDP 100划分发光室和非发光室，以防止发光室和非发光室之间的干扰，并漫射发光室的可见光以防止可见光移向相邻的室。就此，屏蔽墙180可以屏蔽发光室周围。
参照图2至图4，将放电室170R、170G、170B设置成彼此相邻，以形成利用荧光体层123R、123G、123B中的每个发射的可见光的像素。将屏蔽墙180按像素设置成环绕放电室170R、170G、170B中的每个。
即，按像素来划分发光像素和非发光像素，以防止发光像素和非发光像素之间的干扰，将发光像素的可见光线漫射以防止可见光线移向相邻的非发光像素。就此，屏蔽墙180可以屏蔽一起形成像素的放电室170R、170G、170B的周围。
环绕各像素来形成屏蔽墙180。各像素包括放电室170R、170G、170B。因此，屏蔽墙180环绕各组放电室170R、170G、170B。将屏蔽墙180形成为环绕各像素而不是环绕各放电室，这样减少了所需的屏蔽墙180的数目。
图5是根据更改图3的实施例的PDP的剖视图。如图5中所示，屏蔽墙180′可以形成在包括第一介电层115和保护层116的层中。
图6是示出了根据本发明又一实施例的PDP 200的局部分解透视图。图7是沿着图6中的线VI-VI截取的图6中的PDP的剖视图。图8是示出了位于图6中的PDP中的第二基底上的一对维持电极231、232和屏蔽墙280的俯视图。
参照图6至图8，交流型PDP 200包括第一基底211、第二基底221、成对的维持电机231、232、寻址电极222、包括障肋构件230a和230b的障肋230、保护层216、荧光体层223、第一介电层215、第二介电层225、放电气体(未示出)和屏蔽墙280。障肋230将放电空间划分为多个放电室(270R、270G、270B)，并防止放电室270R、270G、270B之间的光电串扰。维持电极231包括透明电极231a和汇流电极231b，维持电极232包括透明电极232a和汇流电极232b。荧光体层223包括荧光体层223R、223G、223B。
在实施例中，按图2至图4中示出的PDP 100中的放电室的每个来形成屏蔽墙180。在另一实施例中，按图5中示出的PDP中的放电室的每个来形成屏蔽墙180′。图6至图9中的相似的标号用于与图2至图5中的元件执行相同功能的相同元件，并且省略对其的详细描述。
参照图6至图8，环绕根据本实施例的PDP 200中的每个放电室来设置屏蔽墙280，从而更有效地防止相邻放电室之间的发光干扰。
图9是根据更改图7中的实施例的PDP的剖视图。如图9中所示，屏蔽墙280′可以形成在包括第一介电层215和保护层216的层中。
根据本发明实施例的PDP包括各放电室之间的屏蔽墙，从而防止相邻放电室之间的发光干扰。
PDP还清楚地划分发光室和非发光室，从而提高了显示图像的清晰度。
虽然已经参照本发明的示例性实施例示出和描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行各种形式和细节的改变。

Claims (20)

1、一种等离子体显示面板，包括：
第一基底和第二基底，彼此面对；
障肋，设置在所述第一基底和所述第二基底之间，所述障肋限定多个放电室；
成对的维持电极，在所述第一基底上沿着一个方向延伸并横穿所述放电室；
寻址电极，与所述成对的维持电极交叉；
第一介电层，覆盖所述成对的维持电极；
第二介电层，覆盖所述寻址电极；
荧光体层，形成在所述放电室中；
屏蔽墙，设置在所述第一基底和所述第二基底之间，所述屏蔽墙环绕每个所述放电室。
2、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙设置在所述第一基底和所述障肋之间。
3、如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙与所述第一介电层形成在相同层上。
4、如权利要求1所述的等离子体显示面板，还包括保护层，所述保护层覆盖所述第一介电层以保护所述第一介电层，所述保护层面对所述第二基底，其中，所述屏蔽墙形成在包括所述第一介电层和所述保护层的层中。
5、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙是黑色的。
6、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述第一介电层由第一介电层材料形成，所述屏蔽墙由添加了黑色颜料的第一介电层材料形成。
7、如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙具有小于60％的反射率。
8、一种等离子体显示面板，包括：
第一基底和第二基底，彼此面对；
障肋，在所述第一基底和所述第二基底之间，所述障肋限定多个放电室；
成对的维持电极，在所述第一基底上沿着一个方向延伸，并横穿所述放电室；
寻址电极，与所述成对的维持电极交叉；
第一介电层，覆盖所述成对的维持电极；
第二介电层，覆盖所述寻址电极；
荧光体层，形成在所述放电室中以提供像素，每个所述像素具有彼此相邻的红色放电室、绿色放电室和蓝色放电室；
屏蔽墙，设置在所述第一基底和所述第二基底之间，以环绕每个所述像素。
9、如权利要求8所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙设置在所述第一基底和所述障肋之间。
10、如权利要求9所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙与所述第一介电层形成在相同层上。
11、如权利要求8所述的等离子体显示面板，还包括保护层，所述保护层覆盖所述第一介电层的表面以保护所述第一介电层，所述保护层面对所述第二基底，其中，所述屏蔽墙形成在包括所述第一介电层和所述保护层的层中。
12、如权利要求8所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙是黑色的。
13、如权利要求8所述的等离子体显示面板，其中，所述第一介电层由第一介电层材料形成，所述屏蔽墙由添加了黑色颜料的第一介电层材料形成。
14、如权利要求8所述的等离子体显示面板，其中，所述屏蔽墙具有小于60％的反射率。
15、一种防止等离子体显示面板中发光干扰的方法，所述等离子体显示面板具有：第一基底和第二基底，彼此面对；障肋，在所述第一基底和所述第二基底之间，所述障肋限定多个放电室；成对的维持电极，在所述第一基底上沿着一个方向延伸，并横穿所述放电室；寻址电极，与所述成对的维持电极交叉；第一介电层，覆盖所述成对的维持电极；第二介电层，覆盖所述寻址电极；荧光体层，形成在所述放电室中，所述方法包括：
在所述第一基底和所述第二基底之间形成屏蔽墙来环绕一个或多个放电室，以防止被所述屏蔽墙环绕的所述一个或多个放电室中产生的光造成与所述屏蔽墙外部的放电室的发光干扰。
16、如权利要求15所述的方法，其中，所述屏蔽墙形成在所述第一基底和所述障肋之间。
17、如权利要求16所述的方法，其中，所述屏蔽墙与所述第一介电层形成在相同层上。
18、如权利要求16所述的方法，所述方法还包括：形成覆盖所述第一介电层表面的保护层以保护所述第一介电层，所述保护层面对所述第二基底，其中，所述屏蔽墙形成在包括所述第一介电层和所述保护层的层中。
19、如权利要求17所述的方法，其中，所述屏蔽墙环绕每个所述放电室，以防止每个所述放电室中产生的光造成与相邻的放电室的发光干扰。
20、如权利要求17所述的方法，其中，所述屏蔽墙是黑色的。
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