CN1985356A - 照明装置、曝光装置及微元件的制造方法 - Google Patents

照明装置、曝光装置及微元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种照明装置，是以光源(2)所射出的照明光来照明被照射面，具备：反射型复眼光学系统(12、14)，配置于光源(2)与被照射面(M)间，且由用以将光源(2)的光束进行波面分割后叠合于被照射面(M)上的复数个部分反射型光学系统所构成；以及反射型光学系统(10)，配置于光源(2)与反射型复眼光学系统(12、14)间，用以将照明光往反射型复眼光学系统(12、14)导引；反射型光学系统(10)，该光学系统的反射面至少一部分是由扩散面所构成。

Description

照明装置、曝光装置及微元件的制造方法
技术领域
本发明关于以光刻步骤制造半导体元件、液晶显示元件及薄膜磁头等微元件所使用的照明装置、具备该照明装置的曝光装置及使用该曝光装置的微元件的制造方法。
背景技术
近年，正朝着使用波长约5～40nm区域的远紫外(EUV)光作为曝光用光，以将掩膜图案投影曝光于感光性基板上的投影曝光装置的实用化发展。EUVL(远紫外光刻)用曝光装置，由于受限于对短波长光具有高透射率的玻璃材，因此，使用反射型光学系统(例如，参照日本特开平11-312638号公报)。
依日本特开平11-312638号公报所揭示的投影曝光装置，如图6所示，将从非EUV激光光源201射出并以聚光反射镜202所聚光的激光，照射于喷嘴203所供应的目标物质的点204，据此，该目标物质受到强烈能量而等离子体化，并产生EUV光。所产生的EUV光，被聚光反射镜205聚光，并被导引光学系统206反射后，射入多数凹面镜并排而成的入射侧复眼反射镜207。被入射侧复眼反射镜207所反射的光束，透过开口光圈208，被多数凹面镜并排而成的射出侧复眼反射镜209反射后，并再度透过开口光圈208，入射光学系统210。被光学系统210所反射的光束，通过光学系统211聚光后，照射于掩膜212。被照射的掩膜212的图案像，透过投影光学系统213投影曝光于芯片(感光性基板)214。
发明内容
于构成日本特开平11-312638号公报所揭示的投影曝光装置的照明装置中，虽然将射入入射侧复眼反射镜207的照明光进行波面分割后叠合于掩膜上，据此来谋求照明光照度的均匀化，但为确保高照度均匀性，需极力使射入入射侧复眼反射镜207的照明光的照度分布，不含有高频的照度分布变化。也即，使图3B所示的光束(具有不含高频照度分布变化的光强度分布)射入入射侧复眼反射镜207，比图3A所示的光束(具有含大量高频照度分布变化的光强度分布)射入入射侧复眼反射镜207为佳。
因此，为实现能确保照明光的高照度均匀性的照明装置，需能抑制照明光光量损失，且可从射入入射侧复眼反射镜207的光束的光强度分布去除高频成分的光强度分布。
本发明的课题在于提供：能抑制照明光的光量损失、且可提高照明光的照度均匀性的照明装置、具备该照明装置的曝光装置及使用该曝光装置的微元件的制造方法。
本发明的照明装置，是以光源所射出的照明光来照明被照射面，其特征在于，具备：反射型复眼光学系统，配置于该光源与该被照射面间，且由用以将光源的光束波面分割后叠合于被照射面上的复数个部分反射型光学系统所构成；及反射型光学系统，配置于该光源与反射型复眼光学系统间，用以将该照明光往该反射型复眼光学系统导引；该反射型光学系统，该光学系统的反射面至少一部分是由扩散面所构成。
依本发明的照明装置，由于配置于反射型复眼光学系统上游的反射型光学系统的反射面至少一部分是由扩散面所构成，因此，能从射入反射型复眼光学系统的照明光的光强度分布，将高频成分的光强度分布去除，并提高照明光的照度分布均匀性。因此，将该照明装置使用于曝光装置时，由于照明光能均匀照明掩膜面(或感光性基板面)上，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并能将形成于掩膜的微细图案良好曝光于感光性基板上。此外，配置于反射型复眼光学系统上游的反射型光学系统，可为一反射镜，也可由复数个反射镜来构成。又，使用复数个反射镜时，扩散面可仅形成于一反射镜，也可形成于复数个反射镜。
又，本发明的照明装置，其特征在于：扩散面的扩散角，是通过该扩散面从扩散面的1点所扩散的光束到达该反射型复眼光学系统入射面的范围的半值宽度，对该复眼光学系统的入射径D为D/2～D/100的角度。
通过扩散面所扩散的光束在复眼面上若比D/2为过广，则会造成光量损失，较不理想。又，所扩散的光束若比D/100小，则由于扩散的效果较少，也不理想。因此，通过扩散面所扩散的光束的角度，较佳是于复眼面的光束扩散为D/2～D/100范围内的角度。
又，本发明的照明装置，其特征在于：表示与扩散面形状PSD(功率谱密度)值高频区域对应的扩散面的表面粗糙度的RMS值，比照明光的波长的1/14小。
扩散面PSD值与高频区域对应的区域中，若离理想的面形状的偏差太大，则可能会产生光量损失等而造成问题。在本发明中，由于表示与高频区域对应的扩散面的表面粗糙度的RMS值，是比照明光的波长的1/14小，因此能减少光量损失等问题。
又，本发明的照明装置，其特征在于：扩散面形状的PSD值与碎形曲线的PSD值的差值，是于高频区域中比高频区域低的其它频率区域为小。
理想上经研磨的面形状的PSD值与以PSD＝K/fn(f为频率，K、n为常数)函数所表现的碎形曲线的PSD值非常接近，在经验上可知。换言之，若所测定的面形状的PSD曲线接近碎形曲线的PSD曲线，则可以说其测定面形状与理想的面形状接近。本发明的扩散面的PSD值的高频区域，是接近碎形曲线的PSD值。也即，本发明的扩散面的PSD，是于高频区域接近理想的研磨面的PSD，被抑制成非常小。图2，是表示理想的研磨面(以下，称之为理想面)PSD(虚线)及本发明的扩散面的PSD(实线)的曲线图。如图2所示，在本发明中提出，将比高频区域低的频率区域的扩散面变粗糙。在图2例中，虽在低频区域中也接近理想的研磨面的PSD，但也可使该区域不接近。该差值，例如可比较高频区域的平均差值与其它频率的平均差值，也可比较RMS值或最大值。
又，本发明的照明装置，其特征在于：若将该反射型复眼光学系统的入射面直径设为D，从该反射光学系统至该反射型复眼光学系统的入射面的距离设为L，并将该照明光波长设为λ，则该高频区域与比该高频区域低的其它频率区域的边界值，是比D/2λL低。
光的扩散角，是随着扩散面的面粗糙度的间距频率变高而变大。因此，扩散面的面粗糙度的间距小时，由于照明光的扩散角变得非常大，照明光会往无法射入反射型复眼光学系统的方向扩散，而减少照明光的光量。
在此，将高频区域与比该高频区域频率低的中间频率区域的边界值，设定成比D/2λL低的理由，可由以下的考察来求得。将扩散至能射入反射型复眼光学系统范围外的值假设为D/2(m)。若将扩散面的起伏间距(周期)设为P(m)，照明光的波长设为λ(m)，则扩散角为λ/P(rad)。若以扩散角λ/P(rad)仅增加L(m)，则扩散所产生的扩大为Lλ/P(m)。因此，Lλ/P(m)＝D/2时，则P＝2λL/D，对应的频率为D/2λL。
在此，若间距P变得比2λL/D小，则扩散角会过度变大并造成光量损失。在本发明中，由于与扩散角过度变大可能造成光量损失的高频区域对应的面形状是接近理想的面形状，因此，可减少光量损失，且能去除照明强度的高频成分。
又，本发明的照明装置，其特征在于：若将反射型复眼光学系统的入射面直径设为D，从该反射光学系统至该反射型复眼光学系统的入射面的距离设为L，并将该照明光的波长设为λ，则该高频区域与比该高频区域低的其它频率区域的边界值，是比D/100λL高。
在此，将高频区域与比该高频区域频率低的中间频率区域的边界值，设定成比D/100λL高的理由如下。若将扩散至能射入反射型复眼光学系统范围外的值假设为D/100(m)，则以与上述相同的方式，成为P＝100λL/D，对应的频率成为D/100λL。
在此，若间距P变得比100λL/D大，则扩散的效果会过小，造成去除光照明强度分布的高频成分的本来功能也变小。因此，在本发明中，为使其具有去除光照明强度分布的高频成分的功能，通过将边界值设成比D/100λL为高，能使光束扩散的功能提高，并更有效将光照明强度分布的高频成分去除。
依该照明装置，由于扩散面的PSD于高频区域中，相对于碎形曲线所表现的形状的差值小，因此在可射入反射型复眼光学系统的范围内，能使光束扩散。因此，可抑制射入反射型复眼光学系统的照明光的光量损失，且可从射入反射型复眼光学系统的照明光光强度分布去除高频成分的光强度分布，并使照明光的照度分布均匀性提高。
又，本发明的照明装置，其特征在于：扩散面的面粗糙度比1mm间距细的间距的粗糙度为0.5～3nmRMS。
依本发明的照明装置，由于比扩散面1mm间距细的间距的粗糙度为0.5～3nmRMS，因此能维持照明光对扩散面的高反射率，并防止照明光的光量损失。因此，可抑制照明光的光量损失，且可从射入反射型复眼光学系统的照明光的光强度分布去除高频成分的光强度分布，并使照明光照度分布均匀性提高。又，为使光能扩散，在光的光束径内，面至少需起伏数次。在通常的曝光装置中，由于最细的光的光束径约20～30mm，因此间距在1mm以下时，能在光束径内形成足够次数的面起伏。
又，本发明的照明装置，其特征在于：照射于被照射面的光束，是波长为5～40nm的EUV光。
使用5～40nm的EUV光作为照明光时，也能良好地使照明均匀性提高。
又，本发明的曝光装置，用以将掩膜图案转印至感光性基板上，其特征在于具备：用以照明该掩膜的本发明的照明装置。
依本发明的曝光装置，由于具备可抑制照明光的光量损失、并将照明光照度的均匀性提高的照明装置，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并将形成于掩膜的微细图案以高产能来曝光于感光性基板上。
又，本发明的微元件的制造方法，其特征在于包含：曝光步骤，使用本发明的曝光装置，将掩膜图案曝光于感光性基板上；及显影步骤，将该曝光步骤所曝光的该感光性基板显影。
依本发明的微元件的制造方法，由于使用可抑制照明光的光量损失、并可使照明光的照度均匀性提高的曝光装置来进行曝光，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并以高产能来进行具有微细电路图案的微元件的制造。
依本发明的照明装置，由于反射型光学系统的反射面至少一部分是由扩散面所构成，因此，能抑制照明光的光量损失，且可从射入反射型复眼光学系统的照明光的光强度分布去除高频成分的光强度分布，并使照明光的照度分布均匀性提高。因此，将该照明装置使用于曝光装置时，由于照明光能均匀照明掩膜面(或感光性基板面)上，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并以高产能将形成于掩膜的微细图案曝光于感光性基板上。
又，依本发明的曝光装置，由于具备能抑制照明光的光量损失、并使照明光照度的均匀性提高的照明装置，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并以高产能将形成于掩膜的微细图案曝光于感光性基板上。
又，依本发明的微元件的制造方法，由于使用能抑制照明光的光量损失、并使照明光的照度均匀性提高的曝光装置来进行曝光，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，并以高产能来进行具有微细电路图案的微元件制造。
附图说明
图1为表示本实施形态的投影曝光装置的概略构成图。
图2为表示反射面理想上经研磨的面的粗糙度及本实施形态的收集反射镜的扩散面的粗糙度。
图3A为射入本实施形态的收集反射镜之前的照明光的光强度分布。
图3B为表示本实施形态的收集反射镜所反射后的照明光的光强度分布。
图4为表示半导体元件(本发明的实施形态的微元件)的制造方法的流程图。
图5为表示液晶显示元件(本发明的实施形态的微元件)的制造方法的流程图。
图6为表示现有的投影曝光装置的概略构成图。
具体实施方式
以下，参照图式来说明本发明的实施形态的投影曝光装置。图1是表示该实施形态的投影曝光装置的概略构成图。
该投影曝光装置为步进扫描曝光方式的曝光装置，其是使用由高输出激光光源2、聚光透镜4、等离子体光源5、喷嘴6、聚光反射镜8、收集反射镜10、反射型复眼光学系统12、14以及聚光反射镜18、20等构成的照明装置所射出的曝光用光(照明光)，也即波长约5～40nm的EUV(extreme ultra violet：远紫外)光，使掩膜M及芯片W对投影光学系统PL相对移动，以将掩膜(被照射面)M的图案像转印至涂有感光性材料(光致抗蚀剂)的芯片W(感光性基板)上。
又，于该投影曝光装置中，由于曝光用光的EUV光对大气的透射率低，因此，EUV光通过的光路径被未图示的真空室覆盖着。利用半导体激光激发的YAG激光光源或准分子激光光源等高输出激光光源2所射出的激光，是以聚光透镜4聚光于等离子体光源5的一点(聚光点)。于该聚光点，从喷嘴6喷出作为等离子体光源的目标的氙气(Xe)或氪气(Kr)等。该目标被高输出激光光源2所射出的激光的能量激发成等离子体状态，并在迁移至低电位状态时放出EUV光、波长100nm以上的紫外光、可见光及其它波长的光。
从等离子体光源5所放出的EUV光等射入聚光反射镜8。聚光反射镜8，配置于聚光反射镜8的第1焦点位置或其附近与等离子体光源5的聚光点一致的位置。聚光反射镜8内面形成有EUV光反射膜，例如，钼(Mo)与硅(Si)所交互形成的多层膜。因此，射入聚光反射镜8的EUV光等，当中仅波长约13nm的EUV光被聚光反射镜8所反射，并聚光于聚光反射镜8的第2焦点位置。此外，以波长约11nm的EUV光进行曝光时，使用仅反射波长约11nmEUV光的EUV光反射膜，例如，由钼(Mo)及铍(Be)所构成的多层膜即可。
由聚光反射镜8所反射的EUV光，聚光于聚光反射镜8的第2焦点位置或其附近作为曝光用光(照明光)，并被收集反射镜(反射型收集光学系统)10反射。收集反射镜10，为使EUV光的反射率提高，乃由基板(由玻璃、陶瓷及金属等构成)以及多层膜(由形成于其基板上的钼(Mo)及硅(Si)构成)所构成。又，收集反射镜10的反射面，是由利用化学腐蚀将皱折面的散乱变小而成为如柠檬表皮状的扩散面所构成。或者，将收集反射镜10的基板反射面进行蚀刻处理、压印加工或浮雕加工，据此，也能形成具有柠檬表皮状凹凸的反射面。也即，并非由具有规则性小焦点距离的凸面镜集合所构成的反射面，而是由具有不同焦点距离的凸面镜或凹面镜集合而成的没有周期性的不规则反射面。
又，收集反射镜10的扩散面，是以使扩散面形状PSD(Power SpectralDensity)于高频区域中相对于碎形曲线PSD的差值小的方式来构成。此外，高频区域与比高频区域低的其它频率区域的边界值，若将后述的入射侧复眼反射镜(配置于光学上大致与被照射面呈共轭的位置)12的入射面的直径设为D，从收集反射镜10至入射侧复眼反射镜12的入射面的距离设为L，并将EUV光的波长设为λ，则如上述，较佳将其设为比D/2λL低，又，较佳设为比D/100λL高。
图2是表示反射面经研磨后的面(以下称为理想面)的粗糙度(虚线)及收集反射镜10的扩散面的粗糙度(实线)的曲线图。虚线所示的理想面的表面形状是碎形状态，也即，即使将反射面扩大来观察时，也可观察到相似宏观构造形状的状态。又，此碎形状态的PSD(功率谱密度)能以K/fn来表示。在此，f是表示频率，K、n是表示常数。若将此碎形状态的PSD表示于两对数表记的曲线图，则成为图2的曲线图的虚线。图2的曲线图的虚线所表示的曲线，是表示理想面的粗糙度。
实线所示的收集反射镜10的扩散面的粗糙度，是以使照明光(曝光用光)能在射入入射侧复眼反射镜12的范围内扩散的方式来构成。也即，于图2所示的既定频率区域A(以下，称为中间频率区域)，被扩散的照明光在能射入入射侧复眼反射镜12的范围内扩散。也即，收集反射镜10的扩散面的粗糙度，变大为使照明光在能射入入射侧复眼反射镜12的范围内扩散的程度。又，比中间频率区域高的频率区域，也即于高频区域中，由于照明光(曝光用光)对于扩散面的扩散角与其扩散面的粗糙度的间距成反比，因此会变大，由于被扩散的照明光扩散至能射入入射侧复眼反射镜12的范围外，因此，以对虚线所示的曲线所表现的形状差值变小的方式来构成。此差值，若对应此高频区域的扩散面的表面粗糙度(RMS值)比照明光的波长的1/14为小，由于能将高频区域的扩散效果变小，因此，能减少射入入射侧复眼反射镜12的光量损失。
为使光量损失少并提高扩散效果，较佳是以扩散面从扩散面的1点所扩散的光束在入射侧复眼反射镜12的入射面扩大且到达的范围的半值宽度，对入射侧复眼反射镜12的入射径D为D/2～D/100。
因此，例如射入收集反射镜10前的EUV光的光强度分布，即使为图3A所示的光强度分布，以收集反射镜10的反射面(扩散面)反射后的EUV光的光强度会成为图3B所示的光强度分布。也即，通过使射入收集反射镜10的EUV光扩散，能从EUV光光强度分布去除高频成分的光强度分布，能维持EUV光的光量，且使EUV光的照度分布均匀性提高。
又，收集反射镜10的扩散面的粗糙度，是比1mm间距为细的间距的粗糙度为0.5～3nmRMS(Root-Mean-Square)。在此，RMS是指均方根，用以表示收集反射镜10的粗糙度的不均匀度的标准偏差。因此，能防止EUV光对收集反射镜10的扩散面的反射率减少，能防止EUV光的光量减少。又，为使光扩散，光于光束径内虽然面至少需起伏数次，但于此实施形态的投影曝光装置中，最细的EUV光的光束径约20～30mm，且由于间距为1mm以下，因此在EUV光的光束径内，能形成充分次数的面起伏。
通过收集反射镜10的反射而具有更高照度均匀性的EUV光，是被朝反射型复眼光学系统12、14(光学积分器)导引，且射入构成反射型复眼光学系统12、14的一入射侧复眼反射镜12。入射侧复眼反射镜12，是由并排而成的复数个凹面镜、也即要件反射镜(部分反射型光学系统)所构成，并被配置于与掩膜M面或芯片W面的光学共轭位置或其附近。构成入射侧复眼反射镜12的各要件反射镜的反射面，为使EUV光的反射率提高，乃由基板(由玻璃、陶瓷及金属等构成)以及多层膜(由形成于其基板上的钼(Mo)及硅(Si)构成)所构成。
通过射入入射侧复眼反射镜12而被波面分割的EUV光，是被入射侧复眼反射镜12反射，透过开口光圈16，射入构成反射型复眼光学系统12、14的另一射出侧复眼反射镜14。射出侧复眼反射镜14，是由分别与构成入射侧复眼反射镜12的复数个要件反射镜对应、且并排而成的复数个凹面镜，也即要件反射镜(部分反射型光学系统)所构成，并被配置于与后述投影光学系统PL的光瞳面呈光学共轭的位置。又，构成射出侧复眼反射镜14的各要件反射镜的反射面，为使EUV光的反射率提高，乃由基板(由玻璃、陶瓷及金属等构成)以及多层膜(由形成于其基板上的钼(Mo)及硅(Si)构成)所构成。
被入射侧复眼反射镜12波面分割并反射的多数EUV光，射入构成射出侧复眼反射镜14的各要件反射镜，而于射出侧复眼反射镜14的射出面或其附近形成多数光源像所构成的二次光源。被射出侧复眼反射镜14反射的二次光源的EUV光，透过开口光圈16射入聚光反射镜18。此外，开口光圈16，用以决定照明光的数值孔径。又，聚光反射镜18的反射面，为使EUV光的反射率提高，乃由基板(由玻璃、陶瓷及金属等构成)以及多层膜(由形成于其基板上的钼(Mo)及硅(Si)构成)所构成。
射入聚光反射镜18的EUV光，被聚光反射镜18反射后，射入聚光反射镜20，且被聚光反射镜20反射后，在掩膜M上聚光。被聚光反射镜18反射的EUV光，叠合且均匀照明于形成有既定电路图案的反射型掩膜M上。被反射型掩膜M反射的EUV光，是于反射型投影光学系统PL的瞳形成二次光源像，在涂布有光致抗蚀剂的芯片W(感光性基板)上，投影曝光形成于掩膜M的图案像。
依本实施形态的投影曝光装置，由于收集反射镜的反射面是由扩散面所构成，因此，能从射入入射型复眼反射镜的EUV光的光强度分布去除高频成分的光强度分布。又，由于扩散面的PSD于高频区域对以碎形曲线所表现的形状的差值小，因此，能使以收集反射镜所扩散的EUV光，在能射入入射侧复眼反射镜范围内扩散。又，由于以收集反射镜所扩散的EUV光，不会扩散至可射入入射侧复眼反射镜的范围外，因此，能抑制射入入射侧复眼反射镜的EUV光的光量，且可从射入入射型复眼反射镜的EUV光的光强度分布去除高频成分的光强度分布，能使EUV光照度分布均匀性提高。因此，由于EUV光可均匀照明于掩膜面(或芯片面)上，因此，能防止芯片面上的分辨率或对比等的降低，能以高产能将形成于掩膜的微细图案曝光于芯片面上。
此外，于该实施形态的投影曝光装置中，虽使用EUV光作为曝光用光，但也可使用KrF准分子激光、ArF准分子激光或F2激光作为曝光用光。
又，于本实施形态的投影曝光装置中，收集反射镜的反射面整体虽由扩散面所构成，但也可仅使收集反射镜的反射面的一部分由扩散面来构成。又，反射镜的数量不限于一个，也可使用复数个。此外，于复数个反射镜形成扩散面时，使上述面形状粗糙的频带，能以各反射镜来决定。
在上述实施形态的曝光装置中，能以照明装置来照明标线(掩膜)，并使用投影光学系统将形成于掩膜的转印用图案曝光于感光性基板(芯片)，据此可制造微元件(半导体元件、摄像元件、液晶显示元件及薄膜磁头等)。以下，参照图4的流程图来说明，通过使用上述实施形态的曝光装置，于芯片(感光性基板)等形成既定电路图案，以获得半导体元件(微元件)时的方法的一例。
首先，于图4的步骤S301，金属膜蒸镀于1批量的芯片上。在下一个步骤S302，于其1批量芯片上的金属膜上涂布光致抗蚀剂。其后，于步骤S303，使用上述实施形态的曝光装置，将掩膜上的图案像透过投影光学系统，依序曝光转印于其1批量芯片上的各照射区域。其后，于步骤S304，其1批量芯片上的光致抗蚀剂进行显影后，于步骤S305，在该1批量芯片上将光致抗蚀剂图案作为掩膜来进行蚀刻，据此，于各芯片上的各照射区域形成与掩膜上的图案对应的电路图案。
其后，进一步进行上层的电路图案形成等，据此来制造半导体元件等元件。依上述微元件的制造方法，由于使用上述实施形态的曝光装置来进行曝光，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，能以高产能来获得具有微细电路图案的微元件。此外，在步骤S301～步骤S305，虽进行下列各步骤，也即：于芯片上蒸镀金属、于其金属膜上涂布光致抗蚀剂，然后曝光、显影、蚀刻等，但在此等步骤之前，当然也可于芯片上形成硅的氧化膜后，于该硅的氧化膜上涂布光致抗蚀剂，然后进行曝光、显影、蚀刻等各步骤。
又，在上述实施形态的曝光装置中，于板(玻璃基板)上形成既定图案(电路图案、电极图案等)，据此也能获得作为微元件的液晶显示元件。以下，参照图5的流程图来说明此时的方法的一例。于图5，在图案形成步骤S401中，使用上述实施形态的曝光装置，将掩膜图案转印曝光于感光性基板(涂布有光致抗蚀剂的玻璃基板等)，也即实施光刻步骤。通过此光刻步骤，于感光性基板上形成含有多数电极等的既定图案。其后，曝光后的基板，经由显影步骤、蚀刻步骤、光致抗蚀剂剥离步骤等各步骤，据此于基板上形成既定图案，再移至下一个彩色滤光片形成步骤S402。
其次，在彩色滤光片形成步骤S402中，与R(红)、G(绿)、B(蓝)对应的3点组合被多数排列成矩阵状，或将R、G、B3条带状滤光片组排列成复数水平扫描线方向来形成彩色滤光片。接着，在彩色滤光片形成步骤S402之后，执行单元组装步骤S403。在单元组装步骤S403中，将于图案形成步骤S401所获得的具有既定图案的基板，以及使用在彩色滤光片形成步骤S402所获得的彩色滤光片等，来组装液晶面板(液晶单元)。在单元组装步骤S403中，例如，在图案形成步骤S401所获得的具有既定图案的基板、与于彩色滤光片形成步骤S402所获得的彩色滤光片间，注入液晶来制造液晶面板(液晶单元)。
其后，于模块组装步骤S404，安装用以使所组装的液晶面板(液晶单元)进行显示动作的电路及背光等各零件来完成液晶显示元件。依上述液晶显示元件的制造方法，由于使用上述实施形态的曝光装置来进行曝光，因此，能防止感光性基板上的分辨率或对比等的降低，能以高产能来获得具有微细电路图案的半导体元件。
如上所述，本发明的照明装置、曝光装置及微元件的制造方法，适合使用于制造高性能的半导体元件、液晶显示元件、薄膜磁头等微元件。

Claims (10)

1.一种照明装置，是以光源所射出的照明光来照明被照射面，其特征在于，具备：
反射型复眼光学系统，配置于该光源与被照射面间，且由用以将光源的光束波面分割后叠合于被照射面上的复数个部分反射型光学系统所构成；及反射型光学系统，配置于该光源与反射型复眼光学系统间，用以将该照明光往该反射型复眼光学系统导引；
该反射型光学系统，该光学系统的反射面至少一部分是由扩散面所构成。
2.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于，该扩散面的扩散角，是通过该扩散面从扩散面的1点所扩散的光束到达该反射型复眼光学系统入射面的范围的半值宽度，对该复眼光学系统的入射径D为D/2～D/100的角度。
3.如权利要求2所述的照明装置，其特征在于，表示与该扩散面形状的PSD(功率谱密度)值高频区域对应的扩散面的表面粗糙度的RMS值，比照明光的波长的1/14小。
4.如权利要求1至3中任一项所述的照明装置，其特征在于，该扩散面形状的PSD值与碎形曲线的PSD值的差值，是于高频区域中比高频区域低的其它频率区域为小。
5.如权利要求3或4所述的照明装置，其特征在于，若将该反射型复眼光学系统的入射面的直径设为D，从该反射光学系统至该反射型复眼光学系统的入射面的距离设为L，并将该照明光波长设为λ，则该高频区域与比该高频区域低的其它频率区域的边界值，比D/2λL低。
6.如权利要求3至5中任一项所述的照明装置，其特征在于，若将反射型复眼光学系统的入射面的直径设为D，从该反射光学系统至该反射型复眼光学系统的入射面的距离设为L，并将该照明光的波长设为λ，则该高频区域与中间频率区域的边界值，比D/100λL高。
7.如权利要求1至6中任一项所述的照明装置，其特征在于，该扩散面的粗糙度，是比1mm间距为细的间距的粗糙度为0.5～3nmRMS。
8.如权利要求1至7中任一项所述的照明装置，其特征在于，该照射于被照射面的光束是波长为5～40nm的EUV光。
9.一种曝光装置，用以将掩膜图案转印至感光性基板上，其特征在于，具备：用以照明该掩膜的权利要求1至8项中任一项的照明装置。
10.一种微元件的制造方法，其特征在于，包含：
曝光步骤，使用权利要求9的曝光装置，将掩膜图案曝光于感光性基板上；及
显影步骤，将该曝光步骤所曝光的该感光性基板显影。
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