CN1984757A - 坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1984757A
CN1984757A CNA2005800237092A CN200580023709A CN1984757A CN 1984757 A CN1984757 A CN 1984757A CN A2005800237092 A CNA2005800237092 A CN A2005800237092A CN 200580023709 A CN200580023709 A CN 200580023709A CN 1984757 A CN1984757 A CN 1984757A
Authority
CN
China
Prior art keywords
base sheet
compression
base
density
solvent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005800237092A
Other languages
English (en)
Inventor
小林央始
佐藤茂树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN1984757A publication Critical patent/CN1984757A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
    • B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
    • B28B3/02—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor wherein a ram exerts pressure on the material in a moulding space; Ram heads of special form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62625—Wet mixtures
    • C04B35/6264—Mixing media, e.g. organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/62655—Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63404—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/6342—Polyvinylacetals, e.g. polyvinylbutyral [PVB]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/634—Polymers
    • C04B35/63448—Polymers obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C04B35/63488—Polyethers, e.g. alkylphenol polyglycolether, polyethylene glycol [PEG], polyethylene oxide [PEO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/638—Removal thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3427—Silicates other than clay, e.g. water glass
    • C04B2235/3436—Alkaline earth metal silicates, e.g. barium silicate
    • C04B2235/3454—Calcium silicates, e.g. wollastonite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/608—Green bodies or pre-forms with well-defined density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565—Cooling rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
    • C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6588—Water vapor containing atmospheres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/661—Multi-step sintering
    • C04B2235/662—Annealing after sintering
    • C04B2235/663—Oxidative annealing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明涉及一种包括制备含有陶瓷粉和粘合剂树脂的压缩前坯片的工序和将上述压缩前坯片压缩而得到压缩后坯片的工序的坯片制造方法，其特征在于：将上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和上述压缩后坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2－ρg1，该差(Δρg)对上述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)设为1％以上。

Description

坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及坯片的切断性(可切断强度)优、坯片的通气性好、加工性佳、尤其是具有高粘接性(剥离强度)的坯片及其制造方法，以及采用这种坯片的电子器件的制造方法。
背景技术
[0002]为了进行CR内置型基板、层叠陶瓷电容等的陶瓷电子器件的制造，通常，首先制备由陶瓷粉、粘合剂(丙烯酸类树脂、醇缩丁醛类树脂等)、可塑剂及有机溶剂(甲苯、MEK)组成的陶瓷涂料。接着，将该陶瓷涂料用刮刀法等涂敷在PET制薄膜上，加热干燥后将PET制薄膜剥离而获得陶瓷坯片。接着，在该陶瓷坯片上印制内部电极并加以干燥，再将作了这些层叠处理的坯片切割成芯片状，得到半成品芯片，将这些半成品芯片烧固后，形成端子电极，从而制成层叠陶瓷电容等的电子器件。
[0003]制造层叠陶瓷电容时，基于作为电容所需要的静电电容，形成内部电极的坯片的层间厚度设定在约1μm～100μm程度的范围。另外，层叠陶瓷电容中，在电容芯片的层叠方向上的外侧部分形成无内部电极形成的部分。
[0004]对应于该无内部电极形成的部分的外侧电介质层的厚度，为了保护内部结构而需设置成数十μm～数百μm的较厚的程度。因此，该部分通过将未印刷内部电极的较厚的陶瓷坯片多片层叠而形成。因而，若将该外侧部分用薄层的坯片形成，则层叠数多，制造工时增加，制造成本增大。
[0005]但是，单个芯片的电容内的电介质层数越多电容越大，而另一方面由于受到芯片尺寸的限定，必须将电介质层减薄。电介质层是将粒径为亚微米级的电介质颗粒用树脂(粘合剂)包裹而形成为坯片状，再将其层叠并烧固而获得，薄坯片的制作关系到电介质层的薄层化。
[0006]这样，层叠芯片电容中采用的陶瓷部，除了获得电容所需的介质层(内层)以外，还设有保护芯片的外侧的盖部(外层)。与内层如上所述要设法形成为薄层相反，外层需要具有可保护内部结构的厚度。
[0007]因而，内层和外层具有各自不同的性能，例如，存在的倾向是：内层要求致密性和平滑性等，但外层则要求通气性和切断性等。另一方面，基于制造上的理由及可靠性的考虑，内层和外层都要求改善高粘接性等的加工性能。
[0008]因而，例如，下述的专利文献1中，在外层用坯片中添加粘接附加剂来提高外层用坯片的粘接性。但是，专利文献1的方法中，由于粘接附加剂的添加，外层用坯片的粘合剂树脂组分成为与内层用坯片的组分不同。这可能造成如下的情况：半成品芯片的通过加热的脱粘合剂工序中，内层及外层在相异的定时产生脱粘合剂反应，因此会使芯片的强度受到损害，并会导致裂纹等的破损。
专利文献1：特开2000-133547号公报
发明内容
发明要解决的课题
[0009]本发明鉴于上述的现状构思而成，其目的在于提供坯片的切断性(可切断强度)优、坯片的通气性好、加工性佳、尤其是具有高粘接性(剥离强度)的坯片及其制造方法，以及采用这种坯片的电子器件的制造方法。
解决课题的手段
[0010]为了达成上述目的，本发明的坯片制造方法包括制备含有陶瓷粉和粘合剂树脂的压缩前坯片的工序和将上述压缩前坯片压缩而得到压缩后坯片的工序，其特征在于：
若上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和上述压缩后坯片压缩后的坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2-ρg1，则该差值(Δρg)对上述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)设定为1％以上。
[0011]本发明中，坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上，优选1.2％以上，通过压缩上述压缩前坯片，能够提高压缩后的坯片的诸项特性，尤其是粘接性(剥离强度)。通过这样提高坯片的粘接性，例如，能够实现烧固前的半成品芯片和烧固后的层叠体的物理强度，尤其能够减少裂纹。上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)越大，本发明的作用与效果就越显著，因此，采用压缩的方法中，通常最好以35％左右为上限。
[0012]最好，压缩上述压缩前坯片的工序中的压缩力是1～200MPa，优选2～200MPa。压缩力若太小则会使上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)降低，存在不能获得本发明的效果的倾向。相反地，压缩力过大，则存在会使坯片破坏的倾向。
[0013]上述压缩工序中的压缩时间优选5秒～60分，压缩温度优选50～100℃。压缩时间过短，上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)会变得过低，存在不能取得本发明的效果的倾向。相反地，压缩时间过长，存在生产效率降低、坯片损坏的倾向。另外，压缩温度过低，上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)就会变得过低，存在不能取得本发明的效果的倾向。相反地，压缩温度过高，坯片中的粘合剂就会被加热而软化，存在难以保持坯片形状的倾向。
[0014]上述压缩前坯片的厚度优选1～30μm，更优选2～25μm。压缩前坯片的厚度过薄，则存在难以提高通过压缩达到的坯片压缩率(Δρg/ρg1)的倾向，过厚，则存在坯片难以成形而不能获得良好坯片特性的倾向。
[0015]上述陶瓷粉的平均粒径(D50径)优选0.1～1.0μm，更优选0.2～0.8μm。本发明中，平均粒径(D50径)是说陶瓷粉的总体积的50％中的平均粒径，例如JISR1629等中所规定的。另外，上述陶瓷粉的平均粒径(D50径)是说上述坯片实际含有的状态中的平均粒径，例如，将原料颗粒粉碎时，将粉碎后的平均粒径设在上述范围内。
[0016]上述陶瓷粉的平均粒径(D50径)过小时，存在难以提高通过压缩达到的坯片压缩率(Δρg/ρg1)的倾向，过大时则存在坯片的表面状态劣化的倾向。
[0017]相对于上述陶瓷粉100的质量份，上述压缩前坯片中的上述粘合剂树脂的含有量优选4～6.5质量份，更优选4～6质量份。上述压缩前坯片中的粘合剂树脂的添加量过少时，在坯片成形加工方面存在不能得到充分的粘接强度的倾向，过多时则存在坯片的强度过高的倾向。
[0018]最好，
设有制备含有上述陶瓷粉、上述粘合剂树脂、溶剂的坯片用涂料的工序和用上述坯片用涂料来形成上述压缩前坯片的工序，
上述粘合剂树脂是以醇缩丁醛类树脂为主要组分的树脂，
上述溶剂含有将上述粘合剂树脂良好溶解的良溶媒和比上述良溶媒对上述粘合剂树脂的溶解性低的贫溶媒，且
相对于溶剂全体在20～60质量％的范围内含有上述贫溶媒。
[0019]本发明中，贫溶媒定义为不使粘合剂树脂全部溶解的溶媒，或微量溶解而几乎不溶解的溶媒，或不使之溶解而使之膨润的溶媒。相对地，良溶媒是贫溶媒以外的使粘合剂树脂良好溶解的溶媒。
[0020]本发明中，作为上述溶剂，除了良溶媒以外还含有上述规定量的贫溶媒，从而能够改善坯片的切断性和坯片的通气性，并使加工性进一步提高，尤其能够使粘接强度得到提高。
[0021]而且，本发明中，通过使上述溶剂含有上述规定量的贫溶媒，能够将上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)低密度化。通过将这样低密度化的压缩前坯片压缩而成为压缩后坯片，能够加大压缩前后的坯片密度之差(Δρg)，提高坯片压缩率(Δρg/ρg1)。再有，本发明中，坯片的低密度化是指使得例如用相同密度的陶瓷粉时成形后的坯片的坯片密度变低。坯片的低密度化的程度并无特别限定，例如，上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)对上述陶瓷粉的密度(ρ0)之比(ρg1/ρ0)可设为0.5～0.65左右。
[0022]上述贫溶媒最好包含具有高于上述良溶媒的高沸点的溶媒，尤其是甲苯、二甲苯、矿物油精、醋酸苄酯、溶剂粗汽油、工业用汽油、煤油、环己酮、庚酮、乙苯等中的至少一种。
[0023]另外，含有贫溶媒的矿物油精(MSP)时，最好相对于溶剂总体在7％～15％范围内单独含有矿物油精。MSP的添加量过少时，存在通气性劣化的倾向，而添加量过多时，存在坯片的表面平滑性降低的倾向。
[0024]上述良溶媒最好是醇，作为这样的醇，例如有甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等。
[0025]本发明中，贫溶媒相对于溶剂总体全体的含量优选20～60质量％，更优选20～50质量％，最优选30～50质量％的范围之内。该贫溶媒的质量％过低时，存在溶剂中添加了贫溶媒的效果低的倾向，过高时，存在坯片用涂料的过滤特性劣化的倾向。
[0026]最好，上述醇缩丁醛类树脂是聚乙烯醇缩丁醛树脂，上述聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度为1000以上、1700以下，树脂的丁缩醛化度为64％～78％，残留乙酰基量小于6％。
[0027]聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度过小时，存在难以得到充分的机械强度的倾向，聚合度过大时，存在坯片化后的表面粗糙度劣化的倾向。另外，聚乙烯醇缩丁醛树脂的丁缩醛化度过低时，存在对涂料的溶解性劣化的倾向，过高时，存在坯片表面粗糙度劣化的倾向。而且，残留乙酰基量过多时，存在坯片表面粗糙度劣化的倾向。
[0028]本发明的坯片用上述任一种方法制造。
[0029]本发明的电子器件的制造方法含有，
将内部电极层、坯片层叠而得到半成品芯片的工序；以及将上述半成品芯片烧固的工序，
用上述本发明的坯片作为上述坯片中至少一部分。
[0030]本发明的电子器件的制造方法中，由于使用上述的本发明的坯片作为坯片中至少一部分，能够实现烧固前的半成品芯片的粘接强度，减少烧固后的层叠体的裂纹，并改善加工性。
[0031]本发明的电子器件的制造方法中，上述坯片中，可构成外侧介质层的外侧坯片的至少一部分，最好采用本发明的坯片。特别是，通过用本发明的坯片作为外侧坯片，能够提高烧固后的外侧电介质层(盖部)的致密性，减少烧固前的半成品芯片及烧固后的层叠体的裂纹，并改善加工特性。
[0032]或者，本发明的电子器件的制造方法的特征在于，
含有将内部电极层、坯片层叠而得到半成品芯片的工序；
将上述半成品芯片烧固的工序，
压缩前的上述坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后的上述坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2-ρg1，在上述坯片施加压缩力时，该差值(Δρg)对上述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)成为1％以上。
[0033]本发明的电子器件的制造方法中，上述坯片可在烧固前的半成品芯片中已含有的状态被压缩成为上述规定范围的坯片压缩率(Δρg/ρg1)。因而，例如，上述坯片层叠时，可以将坯片每次1片地压缩，另外也可以在层叠后的内侧层叠体及外侧层叠体，或烧固前的半成品芯片的状态，一次压缩多片。
[0034]本发明的电子器件的制造方法中，上述外侧坯片中施加的压缩力，最好在上述坯片中构成外侧介质层的外侧坯片的坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上。特别是，通过对外侧坯片施加压缩力使坯片压缩率(Δρg/ρg1)成为1％以上，能够使烧固后的外侧电介质层(盖部)的致密性提高，减少烧固前的半成品芯片和烧固后的层叠体的破裂，改善加工特性。
[0035]作为按本发明制造的电子器件，并无特别限定，例如可以是层叠陶瓷电容、压电元件、晶片电感，其他表面安装(SMD)晶片型电子元件。
发明的效果
[0036]依据本发明，通过将上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)控制在规定范围，能够提供坯片的切断性(可切断强度)优、坯片的通气性佳且加工性好，尤其是具有高粘接性(剥离强度)的坯片。而且，依据本发明，能够提供采用这种坯片的电子器件的制造方法。
附图说明
[0037]
图1是本发明一实施例的层叠陶瓷电容的概略截面图。
图2是图1所示的电容的制造工序中使用的坯片的要部截面图。
图3是图1所示的电容的制造工序中使用的坯片层叠体的要部截面图。
图4是表示坯片压缩率(Δρg/ρg1)和剥离强度的关系的图。
具体实施方式
[0038]以下，根据附图所示的实施例就本发明进行说明。
首先，作为用本发明的坯片制造的电子器件的一实施例，说明层叠陶瓷电容的总体结构。
[0039]如图1所示，该层叠陶瓷电容1具有由内侧电介质层2和内部电极层3交互地层叠而构成的电容元件本体10。在该电容元件本体10的两侧端部，形成各与在元件本体10的内部交互地配置的内部电极层3导通的一对端子电极4。电容元件本体10的形状并无特别限制，但通常为长方体形。另外，其尺寸也无特别限制，可以根据用途设定适当的尺寸，但通常大致为纵(0.6～5.6mm，优选0.6～3.2mm)×横(0.3～5.0mm，优选0.3～1.6mmn)×厚(0.1～1.9mm，优选0.3～1.6mm)。
[0040]内部电极层3以各侧端面在电容元件本体10的对向的2端部的表面交互露出的方式层叠。在电容元件本体10的两端部形成一对端子电极4，与交互配置的内部电极层3的露出端面连接，从而构成电容器电路。
[0041]电容元件本体10中，在内部电极层3和内侧电介质层2的层叠方向的两外侧端部设有外侧电介质层20，保护元件本体10的内部。
[0042] 介质层2及20
内侧电介质层2及外侧电介质层20的组分，本发明中并无特别限定，例如可为含有钛酸钙、钛酸锶及/或钛酸钡等的电介质材料的电介质瓷器组分构成。
[0043]另外，图1所示的内侧电介质层2的层叠数和厚度等的诸项条件可以根据目的和用途加以适当确定，但是，本实施例中，内侧电介质层2的厚度薄层化为1μm～50μm左右，优选5μm以下，更优选3μm以下。另外，外侧电介质层20的厚度是例如100μm～数百μm左右。
[0044] 内部电极层3
内部电极层3中包含的导电材料并无特别限定，但是为了内侧电介质层2的构成材料具有耐还原性，可以采用贱金属。作为导电材料使用的贱金属，优选Ni、Cu、Ni合金或Cu合金。内部电极层3的主要组分采用Ni时，为了不使电介质还原，采用在低氧气分压(还原气氛)下烧固的方法。为了不使电介质还原，采用将其组分比从化学计量组分偏离等的方法。
内部电极层3的厚度可根据用途等适当确定，但通常为0.5～5μm左右。
[0045] 端子电极4
对端子电极4中包含的导电材料并无特别限定，但是通常采用Cu和Cu合金或者Ni和Ni合金等。再有，也可采用Ag和Ag-Pd合金等。另外，本实施例中，可采用低价的Ni、Cu和它们的合金。
端子电极的厚度可根据用途等适当确定，但是，通常优选10～50μm左右。
[0046] 层叠陶瓷电容器的制造方法
以下，就本发明一实施例的层叠陶瓷电容的制造方法进行说明。
本实施例的制造方法中，首先，在烧固后制造应构成图1所示的内侧电介质层2和内部电极层3的内侧层叠体100。然后，在内侧层叠体100的层叠方向的外侧两端部，设置构成图1所示的外侧电介质层20的外侧层叠200，从而形成图3所示的坯片层叠体300，然后将该层叠体按规定的尺寸切断而形成半成品芯片后，进行脱粘合剂处理及烧固。
[0047] 坯片用涂料的制作
首先，制作用以制造形成内侧电介质层2及外侧电介质层20的各坯片(内侧坯片及外侧坯片)的坯片用涂料。
坯片用涂料由将电介质原料(陶瓷粉)和有机赋形剂混匀而得到的有机溶剂系涂料构成。
[0048]作为电介质原料，可采用构成为复合氧化物或氧化物的各种化合物，例如从碳酸盐、硝酸盐、氢氧化物、有机金属化合物等中适当选择并混合后使用。
[0049]作为坯片用涂料的电介质原料(陶瓷粉)，优选平均粒径(D50径)为0.1～1.0μm，更优选0.2～0.8μm。本实施例中，平均粒径(D50径)是说陶瓷粉的总体积的50％中的平均粒径，例如JISR1629等中定义的那样。陶瓷粉的平均粒径(D50径)过小时，存在难以提高通过压缩达到的坯片压缩率(Δρg/ρg1)的倾向，过大时，存在坯片的表面状态劣化的倾向。
[0050]有机赋形剂就是将粘合剂树脂在有机溶剂中溶解后得到的产物。作为用于有机赋形剂的粘合剂树脂，本实施例中，采用聚乙烯醇缩丁醛树脂。聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度是1000以上1700以下，优选1400～1700。另外，树脂的丁缩醛化度为64％～78％，优选64％～70％，其残留乙酰基量小于6％，优选3％以下。
[0051]聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度，例如可用作为原料的聚乙烯醇缩醛树脂的聚合度来测定。另外，丁缩醛化度例如可依据JISK6728进行测定。而且，残留乙酰基量可依据JISK6728进行测定。
[0052]聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度过小时，例如，坯片薄层化为5μm以下、优选3μm以下时，存在难以得到充分的机械强度的倾向。另外，聚合度过大时，存在坯片化的场合表面粗糙度劣化的倾向。另外，聚乙烯醇缩丁醛树脂的丁缩醛化度过低时，存在对涂料的溶解性劣化的倾向，过高时则存在坯片表面粗糙度劣化的倾向。而且，残留乙酰基量过多时，存在坯片表面粗糙度劣化的倾向。
[0053]坯片用涂料的有机赋形剂中采用的有机溶剂，最好包含将粘合剂树脂良好地溶解的良溶媒和对粘合剂树脂的溶解性比良溶媒低的贫溶媒，贫溶媒相对于溶剂总体的含量在20～60质量％的范围内。而且，贫溶媒包含沸点比良溶媒高的溶媒。
[0054]良溶媒例如是醇，贫溶媒包含甲苯、二甲苯、矿物油精、醋酸苄酯、溶剂粗汽油、工业用汽油、煤油、庚酮、乙苯中的至少一种。作为良溶媒的醇，例如有甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等。
[0055]再有，贫溶媒包含矿物油精(MSP)的场合，相对于溶剂总体矿物油精单独的含量优选在7％～15％的范围内。MSP的添加量过少时，存在通气性劣化的倾向，添加量过多时，存在坯片的表面平滑性降低且难以厚膜化的倾向。
[0056]相对于溶剂总体，贫溶媒的含量优选20～60质量％，更优选20～50质量％，最优选30～50质量％的范围内。该贫溶媒的质量％过低时，存在通气性劣化的倾向，过高时则存在过滤特性劣化以及在坯片成型上不能得到适合的涂料的倾向。
[0057]本实施例中，通过将坯片用涂料所包含的贫溶媒的含有量设定为20～60质量％，能够将压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)低密度化。而且，通过这样将低密度化的压缩前坯片压缩而制成压缩后坯片，能够改善压缩前后的坯片密度之差(Δρg)及后文详述的坯片压缩率(Δρg/ρg1)，进一步提高本发明的作用与效果。
[0058]本实施例中，坯片用涂料中，可与粘合剂树脂一起添加二甲苯系树脂作为粘接附加剂。相对于陶瓷粉100质量份，二甲苯系树脂的添加量为1.0质量％以下，优选0.1％以上1.0质量％以下，更优选为大于0.1到1.0质量％以下的范围。二甲苯系树脂的添加量过少时，存在粘接性降低的倾向。另外，该添加量过多时则存在这样的倾向：粘接性改善但坯片的表面粗糙度增大，难以形成多个层叠，坯片的拉伸强度降低，坯片的加工性变差。
[0059]坯片用涂料中，根据需要可含有从各种分散剂、可塑剂、除静电剂、电介质、玻璃料、绝缘体等中选择的添加物。
[0060]本实施例中，对于分散剂并无特别限定，但最好采用聚乙烯乙二醇系的非离子性分散剂，其亲水性/亲油性均衡(HLB)值为5～6。相对于陶瓷粉100质量份，分散剂的添加量优选0.5质量份以上、1.5质量份以下，更优选0.5质量份以上、1.0质量份以下。
[0061]HLB在上述的范围以外时，存在涂料粘度增大且坯片表面粗糙度增大的倾向。另外，聚乙烯乙二醇系的不是非离子性分散剂的分散剂中，涂料粘度增大，坯片表面粗糙度增大，坯片延伸度降低，因此不理想。分散剂的添加量过少时，存在坯片表面粗糙度增大的倾向，过多时则存在坯片拉伸强度及层叠性降低的倾向
[0062]本实施例中，作为可塑剂最好采用邻苯二甲酸二辛酯，其相对于粘合剂树脂100质量份的含量，优选40质量份以上、70质量份以下，更优选40～60质量份。与其他可塑剂比较，邻苯二甲酸二辛酯在坯片强度和坯片拉伸这两方面令人满意，尤其理想的是从支持体的剥离强度小，因此容易剥离。另外，该可塑剂的含有量过少时，存在坯片延伸小、可挠性小的倾向。另外，含有量过多时，存在可塑剂从坯片渗出、容易发生对坯片的可塑剂偏析、坯片的分散性降低的倾向。
[0063]另外，本实施例中，相对于电介质粉的100质量份，坯片用涂料中含水1质量份以上、6质量份以下，优选1～3质量份。水的含有量过少时，存在吸湿造成的涂料特性的经时变化大和涂料粘度增大的倾向，并存在涂料的过滤特性劣化的倾向。另外，水的含有量过多时，存在发生涂料的分离和沉积、分散性劣化及坯片的表面粗糙度劣化的倾向。
[0064]而且，本实施例中，相对于电介质粉100质量份，烃系溶剂、工业用汽油、煤油、溶剂粗汽油中的至少任一种的添加量优选3质量份以上、15质量份以下，更优选5～10质量份。通过加入这些添加物，能够提高坯片强度并改善坯片表面粗糙度。这些添加物的添加量过少时，添加的效果减少，添加量过多时则存在坯片强度及坯片表面粗糙度劣化的倾向。
[0065]相对于陶瓷粉100质量份，粘合剂树脂的含量优选4～6.5质量份，更优选4～6质量份。该粘合剂树脂的添加量过少时，存在在坯片成型和加工上不能取得充分的强度和粘接性的倾向，过多时，存在坯片的强度过高的倾向。
[0066]另外，设陶瓷粉、粘合剂树脂、可塑剂的合计体积为100体积％，电介质粉占有的体积比例优选62.42％以上、72.69％以下，更优选63.93％以上、72.69％以下。该体积比例过小时，存在粘合剂容易发生偏析、分散性劣化的倾向和表面粗糙度劣化的倾向。另外，体积比例过大时，存在坯片强度降低且层叠时的粘接性劣化的倾向。
[0067]而且，本实施例中，坯片用涂料中最好含有除静电剂，该除静电剂优选间二氮杂环戊烯系除静电剂。除静电剂为间二氮杂环戊烯系除静电剂以外时，存在除静电效果弱且坯片强度、坯片伸度或粘接性差的倾向。
[0068]相对于陶瓷粘体100质量份，除静电剂的含量优选0.1质量份以上、0.75质量份以下，更优选0.25～0.5质量份。除静电剂的添加量过少时，存在除静电效果差的倾向，过多时，存在坯片的表面粗糙度劣化、坯片强度劣化的倾向。除静电效果弱，在陶瓷坯片从支持体即承载片剥离时等场合容易产生静电，坯片上容易发生皱纹等不良情况。
[0069]为了调整坯片用涂料，首先，用球磨机等使陶瓷粉在料浆中分散(颜料分散工序)。该颜料分散工序同时也是陶瓷粉(颜料)的粉碎工序，在工序进行时能够获知陶瓷粉的平均粒径的变化等情况。
[0070]接着，在包含该陶瓷粉的料浆中添加分散剂及其他添加物并使之分散，从而得到分散涂料(分散剂添加及分散工序)。最后，在该分散涂料中添加粘合剂树脂并使之混匀(树脂混匀工序)，从而制成本实施例的坯片用涂料。
然后，用如上述得到的坯片用涂料制造图3所示的内侧层叠体100及外侧层叠体200。
[0071] 内侧层叠体100的制造
图3所示的内侧层叠体100，是通过将压缩后的内侧坯片2b及内部电极层3交互地层叠而制造的半成品状态的层叠体。
本实施例中，构成内侧层叠体100的压缩后内侧坯片2b是通过将压缩前内侧坯片2a压缩而制造的坯片。
以下，就内侧层叠100的制造方法进行说明。
[0072]首先，用如上得到的坯片用涂料通过刮刀法等如图2所示在支持体即承载片30上形成内侧坯片2a，其厚度优选0.5～30μm，更优选0.5～10μm左右的厚度。内侧坯片2a在承载片30上形成后进行干燥。
[0073]内侧坯片的干燥温度优选50～100℃，干燥时间优选1～20分。与干燥前相比，干燥后的内侧坯片的厚度收缩到5～25％的厚度。干燥后的压缩前内侧坯片2a的厚度优选3μm以下。
[0074]接着，在压缩前内侧坯片2a的一侧表面上形成图1所示的内部电极层3。作为内部电极层3的形成方法，并无特别限定，例如可采用印刷法、薄膜法、转印法等。
[0075]之后，如图3所示，将形成了内部电极层3的压缩前内侧坯片2a交互地层叠，形成内侧层叠体100。
[0076]本实施例中，在将压缩前内侧坯片2a层叠时，用预定的压缩力压缩坯片，形成压缩后内侧坯片2b。也就是，如图3所示，内侧层叠体100通过将内部电极层3和压缩后内侧坯片2b交互地层叠而形成。另外，本实施例中，压缩前内侧坯片2a的压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后内侧坯片2b的压缩后坯片密度(ρg2)最好具有以下的关系。
[0077]即，本实施例中，将压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg∶Δρg＝ρg2-ρg1)除以压缩前坯片密度(ρg1)而得到的坯片压缩率(Δρg/ρg1)设为1％以上，优选1.2％以上，更优选1.3％以上。通过将坯片压缩率(Δρg/ρg1)设定在上述范围，能够改善压缩后内侧坯片2b的加工性能，特别是粘接性(剥离强度)。因此，能够使由内侧坯片2b和内部电极层3构成的内侧层叠体100和坯片层叠体300的加工性等得到改善。
[0078]压缩坯片时的压缩力优选1～200Pa，更优选2～200Pa。压缩力过小时，存在上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)会变得过低而不能取得本发明的效果的倾向。相反地，压缩力过大时，存在坯片被破坏的倾向。
[0079]作为其他压缩条件，压缩时间优选5秒～120分，更优选5秒～60分，压缩温度优选50～100℃，更优选60～100℃。压缩时间过短时，存在上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)会过低而不能取得本发明效果的倾向。相反地，压缩时间过长时，存在生产效率降低的倾向。压缩温度过低时，存在上述坯片压缩率(Δρg/ρg1)变得过低而不能取得本发明效果的倾向。相反地，压缩温度过高时，存在坯片中的粘合剂因加热软化而难以保持坯片形状的倾向。
[0080]本实施例中，对于压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后坯片密度(ρg2)并无特别限定，只要坯片压缩率(Δρg/ρg1)在上述规定范围内即可，压缩前坯片密度(ρg1)最好设为低密度。通过将压缩前坯片密度(ρg1)低密度化，能够加大压缩前后的坯片密度之差(Δρg)，实现坯片压缩率(Δρg/ρg1)的提高。另外，本实施例中，所谓坯片的低密度化是说例如使用相同密度的陶瓷粉时使成形后的坯片的坯片密度低。作为坯片的低密度化的程度，并无特别限定，例如，上述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)对上述陶瓷粉的密度(ρ0)之比(ρg1/ρ0)设定为0.5～0.65左右。
[0081] 外侧层叠体200的制造
然后，制造图3所示的外侧层叠体200。
如图3所示，外侧层叠体200是由多片压缩后外侧坯片20b构成的半成品状态的层叠体。
本实施例中，构成外侧层叠体200的多片压缩后外侧坯片20b是通过将压缩前外侧坯片20a压缩而制造的坯片。
以下，就外侧层叠体200的制造方法进行说明。
[0082]首先，用如上述得到的坯片用涂料通过刮刀法等如图2所示在支持体即承载片30上形成压缩前外侧坯片20a，其厚度优选1～30μm，更优选2～25μm左右。外侧坯片20a在承载片30上形成后进行干燥，然后剥离。承载片30用例如PET薄膜等构成。
[0083]外侧坯片20a的干燥温度优选50～100℃，干燥时间优选1～20分。干燥后的外侧坯片的厚度与干燥前相比，收缩到5～25％的厚度。干燥后的压缩前外侧坯片20a的厚度优选10μm以上。
[0084]然后，将得到的压缩前外侧坯片20a层叠，制成图3所示的外侧层叠体200。
本实施例中，将压缩前外侧坯片20a层叠时，将坯片用规定的压缩力压缩，形成压缩后外侧坯片20b。即如图3所示，外侧层叠体200设置成由多片压缩后外侧坯片20b形成的层叠体。再有，本实施例中，压缩前外侧坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后外侧坯片的压缩后坯片密度(ρg2)设置成具有以下的关系。
[0085]也就是，本实施例中，将压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg∶Δρg＝ρg2-ρg1)除以压缩前坯片密度(ρg1)而求出的坯片压缩率(Δρg/ρg1)设为1％以上，优选1.2％以上，更优选1.3％以上。通过将坯片压缩率(Δρg/ρg1)设置在上述范围，能够改善压缩后外侧坯片20b的加工性能，特别是粘接性(剥离强度)。因此，能够使由外侧坯片20b构成的外侧层叠体200和坯片层叠体300的加工性等得到提高。特别是，由于用较大膜厚的外侧坯片制造而得到高粘接性(剥离强度)等优良的加工性能，外侧电介质层20很有效。
[0086]再有，将外侧坯片压缩时的压缩力、压缩时间及压缩温度等条件，设置成与内侧坯片相同即可。
另外，压缩前外侧坯片20a的压缩前坯片密度(ρg1)与内侧坯片一样，最好设置成低密度。
[0087]然后，如图3所示，在如上述制造的内侧层叠体100的层叠方向的外侧两端部，将如上述制造的外侧层叠体200层叠，从而得到坯片层叠体300。
[0088]然后，将这样得到的坯片层叠体300切割成规定的层叠体尺寸而制成半成品芯片，接着进行脱粘合剂处理与烧固。然后进行热处理，以将电介质层2与20再氧化。
[0089]脱粘合剂处理可在通常的条件下进行，但使用Ni和Ni合金等的贱金属作为内部电极层的导电体材料时，优选在下述的条件下进行。
[0090]
升温速度：5～300℃/小时，特别是10～50℃/小时；
保持温度：200～400℃，特别是250～350℃；
保持时间：0.5～20小时，特别是1～10小时；
气氛：加湿的N2和H2的混合气。
[0091]
烧固条件优选下述的条件。
升温速度：50～500℃/小时，特别是200～300℃/小时；
保持温度：1100～1300℃，特别是1150～1250℃；
保持时间：0.5～8小时，特别是1～3小时；
冷却速度：50～500℃/小时，特别是200～300℃/小时；
气氛：加湿的N2和H2的混合气等。
[0092]但是，烧固时的空气气氛中的氧气分压最好为10-2Pa以下，特别是10-2～10-8Pa。超出上述范围时，存在内部电极层氧化的倾向，另外，氧气分压过低时，存在内部电极层的电极材料发生异常烧结而间断的倾向。
[0093]作了这样的烧固后的热处理时的保持温度或最高温度，优选1000℃以上，更优选1000～1100℃。热处理时的保持温度或最高温度不到上述范围时，存在由于电介质材料的氧化不充分而绝缘电阻寿命缩短的倾向，超出上述范围时，存在内部电极的Ni氧化、电容降低且与电介质基底反应而寿命缩短的倾向。热处理时的氧气分压是比烧固时的还原气氛高的氧气分压，优选10-3Pa～1Pa，更优选10-2Pa～1Pa。不到上述范围时，存在电介质层2难以再氧化的倾向，超过上述范围时，存在内部电极层3氧化的倾向。其余的热处理条件优选下述的条件。
[0094]保持时间：0～6小时，特别是2～5小时；
冷却速度：50～500℃/小时，特别是100～300℃/小时；
气氛用气体：加湿的N2气等。
[0095]再有，为了将N2气和混合气等加湿，可以使用例如湿润剂等。此时，水温最好为0～75℃左右。并且，脱粘合剂处理、烧固及热处理可以分别连续地进行，也可独立地进行。连续进行时最好这样：在脱粘合剂处理后，不经冷却地改换气氛，接着升温至烧固时的保持温度进行烧固，然后冷却，在到达热处理的保持温度时变更气氛，再进行热处理。另一方面，独立进行时最好这样：在烧固时在N2气或加湿的N2气氛下升温至脱粘合剂处理时的保持温度后，变更气氛并继续升温，冷却到热处理时的保持温度后最好这样：再次变更到N2气氛或加湿的N2气氛后继续冷却。另外，热处理时，也可在N2气氛下升温至保持温度后变更气氛，也可将热处理的全过程设置成加湿的N2气氛。
[0096]这样得到的烧结体(元件本体10)中，用例如滚磨、喷砂等进行端面研磨，并将端子电极用涂料烧结来形成端子电极4。端子电极用涂料的烧固条件，例如最好是在加湿的N2和H2的混合气中600～800℃下进行10分～1小时左右。而且，根据需要在端子电极上进行电镀等来形成焊盘层。再有，端子电极用涂料可与上述电极涂料同样地调制。
这样制造的本发明的层叠陶瓷电容，通过敷上焊锡等安装在印制基板上，用于各种电子设备等。
[0097]再有，本发明不限定于上述的实施例，可在本发明的范围内进行各种改变。
例如，本发明的方法并不限于层叠陶瓷电容的制造方法，也可作为其他层叠型电子器件的制造方法加以应用。
[0098]另外，上述的实施例中，将内侧坯片及外侧坯片在各自的层叠时压缩，但是这些各坯片的压缩也可在内侧层叠体100和外侧层叠体200形成后，或坯片层叠体300形成后进行。
[0099]另外，上述的实施例中，作为内侧坯片及外侧坯片采用坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上的坯片，但是在取得本发明的作用效果的范围内，也可为内侧坯片或外侧坯片中任一方或各坯片中的至少一部分采用坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上的坯片的方式。
实施例
[0100]以下，基于实施例就本发明作更详细的说明，但是本发明并不受这些实施例限定。
[0101] 实施例1a
厚膜坯片用涂料的制作
陶瓷粉的出发原料采用BaTiO3粉(BT-05B/堺化学工业(株))。制备陶瓷粉副成分添加物，相对于该BaTiO3粉100质量份作如下配制：(Ba0.6Ca0.4)SiO3：1.48质量份，Y2O3：1.01质量份，MgCO3：0.72质量份，Cr2O3：0.13质量份，以及V2O5：0.045质量份。
[0102]最初，只将副成分添加物用球磨机混合而成为料浆。即，将副成分添加物(合计量8.8g)、乙醇：6g、n-丙醇：6g、二甲苯：2g、分散剂(0.1g)用球磨机进行20小时的预备粉碎。
[0103]作为粘合剂，采用BH6(聚乙烯醇缩丁醛树脂/PVB)的15％天然漆(将积水化学社制BH6以乙醇/n-丙醇＝1∶1溶解而成)。另外，作为分散剂，采用聚乙烯乙二醇系的非离子性分散剂(HLB＝5～6)。
[0104]接着，对BaTiO3：191.2g作为固体成分添加6质量％(作为天然漆添加量为80g)的如下成分：作为副成分添加物的预备粉碎料浆、乙醇：37g、n-丙醇：37g、二甲苯+甲苯：50g、矿物油精(MSP)：15g、可塑剂成分即DOP(邻苯二甲酸二辛酯)：6g、分散剂即聚乙烯乙二醇系的非离子性分散剂(HLB＝5～6)：1.4g、BH6(聚乙烯醇缩丁醛树脂/PVB)的15％天然漆(将積水化学社制BH6以乙醇/n-丙醇＝1∶1溶解而成)。之后，将该分散涂料用球磨机进行20小时的混合而形成陶瓷涂料(厚膜坯片用涂料)。本实施例中，分散于涂料后的陶瓷粉的平均粒径(D50径)为0.767μm。所谓D50径是指陶瓷粉的总体积的50％中的平均粒径，例如JISR1629等中所定义的。该粒径用日機装株式会社制的仪器マイクロトラツクHRA测定。
[0105]该陶瓷涂料所包含的粘合剂树脂即聚乙烯醇缩丁醛树脂的聚合度为1400，其丁缩醛化度为69％±3％，残留乙酰基量为3±2％。该粘合剂树脂相对于陶瓷粉(含陶瓷粉副成分添加物)100质量份以6质量份包含在陶瓷涂料中。
[0106]另外，作为可塑剂的DOP，相对于粘合剂树脂100质量份以50质量份包含在陶瓷涂料中。作为分散剂的聚乙烯乙二醇系的非离子性分散剂，相对于陶瓷粉100质量份包含0.7质量份。
[0107]另外，如表1所示，涂料中，相对于溶剂总体，包含60.4质量％的作为良溶媒的乙醇及n  丙醇，包含9.1质量％的作为贫溶媒的一部分的MSP，作为贫溶媒的一部分包含高沸点溶媒即二甲苯和甲苯，合计包含30.5质量％。也就是，MSP+二甲苯+甲苯而组成的贫溶媒相对于溶剂总体的含量为39.6质量％。
[0108][表1]
溶媒数据 颜料物性
贫溶媒量[wt％] MSP添加量[wt％] MSP以外的贫溶媒 二甲苯·甲苯量[wt％] 母材原料 涂料颜料D50[μm]
实施例1a 39.6 9.1 二甲苯+甲苯 30.5 BT-05B 0.763
实施例1b 30.3 9.1 二甲苯+甲苯 21.2 BT-05B 0.769
实施例1c 21.0 9.1 二甲苯 11.9 BT-05B 0.767
实施例1d 39.1 9.1 二甲苯+甲苯 30.0 BT-035 0.547
实施例1e 29.7 9.1 二甲苯+甲苯 20.6 BT-035 0.552
实施例1f 20.3 9.1 二甲苯 11.2 BT-035 0.548
实施例1g 38.6 9.1 二甲苯+甲苯 29.5  BT-02 0.441
比较例1a 29.2 9.1 二甲苯+甲苯 20.1 BT-02 0.438
比较例1b 19.7 9.1 二甲苯 10.6 BT-02 0.444
[0109][表2]
溶剂中的贫溶媒量[wt％] 涂料颜料D50[μm] ρg1[g/cm3]  ρg2(压缩力4MPa)[g/cm3] Δρg[g/cm3] 坯片压缩率ρg/ρ g1[％] 剥离强度[N/cm2]
实施例1a 39.6 0.763 3.36 3.51 0.15 4.46 28.3
实施例1b 30.3 0.769 3.43 3.56 0.13 3.79 30.5
实施例1c 21.0 0.767 3.47 3.58 0.11 3.17 28.8
实施例1d 39.1 0.547 3.28 3.34 0.06 1.83 26.7
实施例1e 29.7 0.552 3.33 3.39 0.06 1.80 23.6
实施例1f 20.3 0.548 3.38 3.45 0.07 2.07 21.2
实施例1g 38.6 0.441 3.07 3.11 0.04 1.30 15.1
比较例1a 29.2 0.438 3.15 3.16 0.01 0.32 8.7
比较例1b 19.7 0.444 3.1 9 3.20 0.01 0.31 1.5
[0110] 压缩前坯片的制作
用刮刀将如上述得到的涂料涂敷在支持膜即PET薄膜(承载片)上，并使之干燥，从而制成压缩前坯片。再有，本实施例中，压缩前坯片的厚度设为10μm。
[0111] 坯片的压缩
将2片如上述得到的压缩前坯片用作为压缩用装置的四柱式油压成型机在压缩力为4MPa、压缩时间为1分、压缩温度为70℃的条件下压缩，获得由2片压缩后坯片构成的压缩后坯片层叠体试料。
[0112] 压缩前及压缩后坯片的坯片密度
测定如上述制作的压缩前坯片与压缩后坯片层叠体试料的密度，并求出压缩前坯片密度(ρg1)及压缩后坯片密度(ρg2)。另外，各坯片密度(单位是g/cm3)根据坯片的质量和体积的测定值算出。
[0113] 粘接性的剥离强度测定
对粘接性的剥离强度(单位为N/cm2)如下作了评价。首先，制备如上述制作的压缩后坯片层叠体试料。然后，在压缩后坯片层叠体试料的表面粘贴双面胶，用インストロン 5543的拉伸试验机将各组坯片在剥离方向拉伸，并测定了撕剥时的剥离强度。剥离强度越高，粘接性就越好。
[0114] 实施例1b、1c
除了使溶剂中的贫溶媒的一部分种类(二甲苯+甲苯或仅二甲苯)和添加剂如表1所示变化以外，以与实施例1a相同的方式制作陶瓷涂料。接着，用得到的涂料以与实施例1a相同的方式制作压缩前坯片和压缩后坯片层叠体试料，并测定各坯片密度和剥离强度。测定结果在表1和表2中给出。再有，实施例1b和实施例1c中，分散在涂料中的陶瓷粉的的平均粒径(D50径)分别是0.769μm、0.767μm。
[0115] 实施例1d～1f
用实施例1a中使用的与BaTiO3粉的粒径不同的BaTiO3粉(BT-035/堺化学工业(株))，除了使溶剂中的贫溶媒的一部分的种类(二甲苯+甲苯或仅二甲苯)和添加量如表1所示那样变化之外，以与实施例1a同样的方式制作陶瓷涂料。接着，使用得到的陶瓷涂料，以与实施例1a同样的方式制作压缩前坯片和压缩后坯片层叠体试料，并测定各坯片密度和剥离强度。其结果在表1和表2中给出。再有，实施例1d、实施例1e和实施例1f中，分散在涂料中后的陶瓷粉的平均粒径(D50径)分别是0.547μm、0.552μm、0.548μm。
[0116] 实施例1g、比较例1a、1b
用实施例1a中使用的与BaTiO3粉的粒径不同的BaTiO3粉(BT-02/堺化学工业(株))，除了使溶剂中的贫溶媒的一部分的种类(二甲苯+甲苯或仅二甲苯)和添加量如表1所示那样变化之外，以与实施例1a同样的方式制作陶瓷涂料。接着，使用得到的陶瓷涂料，以与实施例1a同样的方式制作压缩前坯片和压缩后坯片层叠体试料，并测定各坯片密度和剥离强度。其结果在表1和表2中给出。再有，实施例1g、比较例1a和比较例1b中，分散在涂料中后的陶瓷粉的平均粒径(D50径)分别是0.441μm、0.438μm、0.444μm。
[0117] 评价1
如表1及表2所示，坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上的实施例1a～实施例1g，剥离强度均成为10N/cm2以上，取得了良好的结果。再有，本实施例中坯片压缩率(Δρg/ρg1)是压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg∶Δρg＝ρg2-ρg1)与压缩前坯片密度(ρg1)之比。
[0118]另一方面，坯片压缩率(Δρg/ρg1)小于1％的比较例1a和比较例1b的剥离强度均不到10N/cm2，得到粘接强度差的结果。
[0119]另外，本实施例中，根据表2及图4，坯片压缩率(Δρg/ρg1)为5％左右以下，能够确认坯片压缩率高的一方剥离强度就高的倾向。
[0120]根据该结果可确认，通过以坯片压缩率(Δρg/ρg1)为1％以上、优选1.2％以上进行坯片的压缩，能够改善坯片的粘接性(剥离强度)。
[0121另外，作为BaTiO3粉，通过分别比较使用相同原料的实施例1d～1f及实施例1g以及比较例1a、1b可确认，通过将溶剂中的贫溶媒的添加量设为20～60质量％，特别是30质量％以上，能够使压缩前坯片密度(ρg1)低密度化，特别是，能够提高本发明的作用和效果。
[0122]也就是，贫溶媒的添加量为39.1质量％的实施例1d中，与贫溶媒的添加量不到30质量％的实施例1e、1f相比，能够将压缩前坯片密度(ρg1)设置得较低，尽管坯片压缩率是与实施例1e、1f相同程度或是稍低，也能得到提高剥离强度的结果。
另外，贫溶媒的添加量为38.6质量％的实施例1g中，与贫溶媒的添加量不到30质量％的比较例1a及不到20质量％的比较例1b相比，可将压缩前坯片密度(ρg1)设置得较低，得到坯片压缩率超过1％、剥离强度也超过10N/cm2的结果。另一方面，对于贫溶媒的添加量设为特别是不到20质量％的试料，会有坯片压缩率到不了1％，剥离强度也不到10N/cm2的结果。
[0123] 实施例1a-2、实施例1b-2
除了将压缩前坯片压缩时的压缩力设为2MPa以外，以与实施例1 a和1b相同的方式制作压缩后坯片层叠体试料，并测定了各坯片密度和剥离强度。结果如表3所示。再有，表3中一并示出了将压缩力设为4Mpa的实施例1a及1b的结果。
[0124][表3]
压缩力[MPa] ρg1[g/cm3] ρg2[g/cm3] Δρg[g/cm3] 坯片压缩率[％] 剥离强度[N/cm2]
  实施例1a 4 3.36 3.51 0.15 4.46 28.3
  实施例1a-2 2 3.36 3.49 0.13 3.87 23.9
  实施例1b 4 3.43 3.56 0.13 3.79 30.5
  实施例1b-2 2 3.43 3.53 0.10 2.92 21.6
[0125] 评价2
根据表3，压缩力设为2MPa的实施例1a-2、1b-2中，与压缩力设为4MPa的实施例1a、1b一样，坯片压缩率(Δρg/ρg1)超过坯片压缩率为1％，剥离强度也超过10N/cm2的结果。

Claims (11)

1.坯片制造方法，其中包括制备含有陶瓷粉和粘合剂树脂的压缩前坯片的工序以及将所述压缩前坯片压缩而得到压缩后坯片的工序，其特征在于：
所述压缩前坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和所述压缩后坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2-ρg1，
将该差值(Δρg)对所述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)设为1％以上。
2.如权利要求1所述的坯片制造方法，其中，以1～200MPa压缩所述压缩前坯片。
3.权利要求1或2所述的坯片制造方法，其中，所述压缩前坯片的厚度设为1～30μm。
4.权利要求1～3中任一项所述的坯片制造方法，其中，所述陶瓷粉的平均粒径(D50径)为0.1～1.0μm。
5.权利要求1～4中任一项所述的坯片制造方法，其中，相对于所述陶瓷粉100质量份，所述压缩前坯片中的所述粘合剂树脂的含有量设为4～6.5质量份。
6.权利要求1～5中任一项所述的坯片制造方法，其中，
还包括：制备含有所述陶瓷粉、所述粘合剂树脂、溶剂的坯片用涂料的工序；以及
用所述坯片用涂料形成所述压缩前坯片的工序，
所述粘合剂树脂是以醇缩丁醛类树脂作为主要组分的树脂，
所述溶剂包含使所述粘合剂树脂良好地溶解的良溶媒以及与所述良溶媒相比对所述粘合剂树脂的溶解性低的贫溶媒，且
在相对于溶剂总体的20～60质量％的范围内含有所述贫溶媒。
7.用权利要求1～6中任一项所述的方法制造的坯片。
8.一种电子器件的制造方法，其中，
包括：将内部电极层和坯片层叠而得到半成品芯片的工序；以及将所述半成品芯片烧固的工序，
所述坯片中至少一部分采用权利要求7所述的坯片。
9.电子器件的制造方法，作为所述外侧坯片中至少一部分采用权利要求7所述的坯片，其中
包括：隔着内部电极层层叠内侧坯片而得到内侧层叠体的工序；
在所述内侧层叠体的层叠方向的两端面层叠外侧坯片而得到半成品芯片的工序；以及
将所述半成品芯片烧固的工序。
10.电子器件的制造方法，其特征在于，
包括：将内部电极层和坯片层叠而得到半成品芯片的工序；以及将所述半成品芯片烧固的工序，
压缩前的所述坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后的所述坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2-ρg1，
对所述坯片施加压缩力，使得该差值(Δρg)对所述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)成为1％以上。
11.电子器件的制造方法，其特征在于，
包括：将内侧坯片隔着内部电极层层叠而得到内侧层叠体的工序；
在所述内侧层叠体的层叠方向的两端面层叠外侧坯片而得到半成品芯片的工序；以及
将所述半成品芯片烧固的工序，
压缩前的所述外侧坯片的压缩前坯片密度(ρg1)和压缩后的所述外侧坯片的压缩后坯片密度(ρg2)之差(Δρg)表示为Δρg＝ρg2-ρg1，
对所述外侧坯片施加压缩力，使该差值(Δρg)对所述压缩前坯片密度(ρg1)之比即坯片压缩率(Δρg/ρg1)成为1％以上。
CNA2005800237092A 2004-05-20 2005-05-18 坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法 Pending CN1984757A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004150504 2004-05-20
JP150504/2004 2004-05-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1984757A true CN1984757A (zh) 2007-06-20

Family

ID=35428302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005800237092A Pending CN1984757A (zh) 2004-05-20 2005-05-18 坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070218592A1 (zh)
JP (1) JP4506755B2 (zh)
KR (1) KR100819981B1 (zh)
CN (1) CN1984757A (zh)
TW (1) TW200613129A (zh)
WO (1) WO2005113208A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102148081A (zh) * 2010-11-11 2011-08-10 深圳顺络电子股份有限公司 一种叠层片式陶瓷电子元器件的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4586831B2 (ja) 2007-08-08 2010-11-24 Ｔｄｋ株式会社 セラミックグリーンシート構造、及び、積層セラミック電子部品の製造方法
KR20230078335A (ko) 2021-11-26 2023-06-02 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60231460A (ja) * 1984-04-14 1985-11-18 日石三菱株式会社 セラミツクス製品の製造方法
US4808315A (en) * 1986-04-28 1989-02-28 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Porous hollow fiber membrane and a method for the removal of a virus by using the same
US5252655A (en) * 1992-03-16 1993-10-12 Aluminum Company Of America Densified ceramic green sheet and stack having conductors therein
JPH11168024A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミック電子部品の製造方法
GB2355947B (en) * 1999-07-23 2002-02-20 Murata Manufacturing Co Method of producing ceramic slurry, ceramic slurry composition, ceramic green sheet and multilayer ceramic electronic part
US6692598B1 (en) * 1999-10-18 2004-02-17 Murata Manufacturing Co. Ltd Method of producing ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic part
JP2003176179A (ja) * 2001-12-11 2003-06-24 Kyocera Corp セラミックグリーンシートの製法および積層型電子部品の製法
US7632369B2 (en) * 2003-01-29 2009-12-15 Tdk Corporation Green sheet slurry, green sheet, production method of green sheet slurry, production method of green sheet, and production method of electronic device
CN100564317C (zh) * 2003-03-31 2009-12-02 Tdk株式会社 生片用涂料、生片及其制造方法、及电子部件的制造方法
JP3756885B2 (ja) * 2003-03-31 2006-03-15 Ｔｄｋ株式会社 厚膜グリーンシート用塗料、厚膜グリーンシート用塗料の製造方法、厚膜グリーンシートの製造方法、厚膜グリーンシートおよび電子部品の製造方法
US7867349B2 (en) * 2004-08-04 2011-01-11 Tdk Corporation Thick film green sheet slurry, production method of thick film green sheet slurry, production method of thick film green sheet and production methods of thick film green sheet and electronic device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102148081A (zh) * 2010-11-11 2011-08-10 深圳顺络电子股份有限公司 一种叠层片式陶瓷电子元器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070218592A1 (en) 2007-09-20
TW200613129A (en) 2006-05-01
KR100819981B1 (ko) 2008-04-08
JP4506755B2 (ja) 2010-07-21
KR20070026511A (ko) 2007-03-08
WO2005113208A1 (ja) 2005-12-01
TWI310343B (zh) 2009-06-01
JPWO2005113208A1 (ja) 2008-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100776462B1 (ko) 내부전극용 페이스트 및 전자부품의 제조방법
CN108695072B (zh) 多层陶瓷电容器及多层陶瓷电容器的制造方法
WO2005117041A1 (ja) 電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP3831748B2 (ja) グリーンシート用塗料、グリーンシート、グリーンシート用塗料の製造方法、グリーンシートの製造方法および電子部品の製造方法
TW201923797A (zh) 積層陶瓷電容器及其製造方法
KR100887488B1 (ko) 적층형 세라믹 전자 부품의 제조 방법
CN100538937C (zh) 叠层型电子部件的制造方法
JP4788434B2 (ja) 積層型セラミック電子部品の製造方法
CN1849679B (zh) 多层陶瓷部件及其制造方法
CN1984757A (zh) 坯片、坯片制造方法及电子器件的制造方法
JP2004319435A (ja) 導電性粒子、導電性ペースト、電子部品、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP4152841B2 (ja) セラミックスラリーの製造方法、グリーンシートおよび積層セラミック部品
JP7477080B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JP4424306B2 (ja) グリーンシート用塗料、グリーンシート、グリーンシートの製造方法および電子部品の製造方法
CN100519481C (zh) 厚膜生片用涂料、厚膜生片用涂料的制造方法、厚膜生片的制造方法、厚膜生片以及电子部件的制造方法
JP4268967B2 (ja) グリーンシート用塗料、グリーンシート、グリーンシートの製造方法および電子部品の製造方法
JP4720245B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
CN100408513C (zh) 生片材用涂料、生片材、生片材的制备方法及电子部件的制备方法
JP3756885B2 (ja) 厚膜グリーンシート用塗料、厚膜グリーンシート用塗料の製造方法、厚膜グリーンシートの製造方法、厚膜グリーンシートおよび電子部品の製造方法
JP2007294886A (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP4626455B2 (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP2004296708A (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP2008186933A (ja) 積層型電子部品の製造方法
JP3289835B2 (ja) 積層セラミックコンデンサの製造方法
KR100881260B1 (ko) 후막 그린 시트용 도료, 그 제조 방법 및 그 도료를 이용한전자 부품의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20070620