CN1979176A - 可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，包含有以下步骤：取一非金属材料的薄板；于该薄板上布设一具备预定态样及数量开孔的遮蔽层；以非等向性干蚀刻将对应该开孔位置的薄板蚀刻出预定深度的盲孔；利用背面薄化技术研磨薄板，使其盲孔成为贯通的微孔；去除该遮蔽层；即可得微孔导板。
Description
技术领域
本发明是垂直式探针卡微孔导板的有关，更详而言的是指一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法。
背景技术
一般用以测试电子组件电性的垂直式探针卡1(如图1)所示，具有若干微孔导板2，该微孔导板2内具有若干个微孔3，可分别用以供若干的垂直式探针4分别穿置，以通过由该微孔3导板限制该垂直式探针4的侧向空间移动，并提供该垂直式探针4能于各该微孔3内以其深度方向移动，而达测试电子组件5电性的目的。
然，现有制造垂直式探针卡微孔导板2的方法众多：其一，如美国专利6,417,684号专利案，是利用传统精密加工钻孔的方式形成微孔，即在一陶瓷、工程塑料、玻璃或半导体材料上，以逐一钻孔的方式形成微孔；但，此种方法不仅其微孔的定位精度及各微孔间的间隔均有其极限的限制存在定位精度的误差将大于15μm，而微孔间的间隔(pitch)将大于25μm，且其制造成本亦将随着微孔的数量而相对增加，早已不符现今科技的需求。其二，如美国第6,297,657B1号专利案，是利用金属加上介电材料或绝缘材料作为导板的材料，而其微孔则是通过由激光加工的方式在导板上形成，但然其定位精度可较传统钻孔方式来得精确，但以激光逐一加工的方式亦导致加工费用及加工时程会随着微孔孔数而相对增加。其三，如美国专利第6,404,211号专利案，其是利用若干金属层堆栈的方式加以形成导板，并且通过由蚀刻技术(Etching technology)在各金属层上形成出若干微孔；但，由于蚀刻金属时因其蚀刻特性而无法制作出高深度比的微孔，因此必须通过由堆栈若干金属层方能满足导板微孔的功能；如此一来，不仅将使得制造程序过于繁琐、浪费过多的时间在于堆栈金属层上，且堆栈金属层的平面度亦不容易控制。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的是提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其可批次制造以节省制程所需的时间及程序，以降低制造成本。
本发明的另一目的是提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其微孔的加工精度较佳。
本发明的另一目的乃在提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其微孔的孔径可更缩小。
本发明的又一目的乃在提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其各微孔间的间距可更缩小。
本发明的再一目的乃在提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，是可制造大面积的微孔导板。
本发明的再一目的乃在提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，是可制造具有温度补偿效益的微孔导板。
缘是，为达上述目的，本发明所提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，包含有以下步骤：取一非金属材料的薄板；于该薄板上沉积一蚀刻阻挡层；于该蚀刻阻挡层上，布设一具备预定态样开口的遮蔽层；利用反应性离子蚀刻蚀去位在对应该遮蔽层开口位置的蚀刻阻挡层，使该蚀刻阻挡层形成出若干对应于该开口的开孔；去除遮蔽层；利用非等向性湿蚀刻将对应该开孔位置的薄板加以蚀去，而形成出若干的微孔；去除蚀刻阻挡层；即可得微孔导板。
为使贵审查委员，能对本发明的特征及目的有更进一步的了解与认同，兹列举以下较佳的实施例，并配合图式说明于后：
附图说明
图1是一般垂直探针卡的示意图；
图2A至图2J是本发明第一较佳实施例的制造流程示意图；
图3A至图3H是本发明第二较佳实施例的制造流程示意图；
图4A至图4I是本发明第三较佳实施例的制造流程示意图；
图5A至图5L是本发明第四较佳实施例的制造流程示意图；
图6A至图6K是本发明第五较佳实施例的制造流程示意图。
【主要组件符号说明】
「第一较佳实施例」
薄板11 第一面111
第二面112 微孔113
第一蚀刻阻挡层121 开孔123
第二蚀刻阻挡层122 遮蔽层13
开口131 垂直式探针卡微孔导板10
座体14
「第二较佳实施例」
薄板21 第一面211
第二面212 盲孔213
微孔214 遮蔽层22
开孔221 垂直式探针卡微孔导板20
座体23
「第三较佳实施例」
薄板31 第一面311
第二面312 微孔313
第一氧化物层321 通孔323
第二氧化物层322 遮蔽层33
开口331 垂直式探针卡微孔导板30
「第四较佳实施例」
薄板41 第一面411
第二面412 第一氧化物层421
第二氧化物层422 第一遮蔽层43
开口431 氮化物层44
第二遮蔽层45 穿孔451
盲孔46 微孔47
垂直式探针卡微孔导板40
「第五较佳实施例」
薄板51 第一面511
第二面512 凹陷区513
第一氧化物层521 第二氧化物层522
通孔523 沉孔524
第一氮化物层531 第二氮化物层532
第一遮蔽层54 开口541
第二遮蔽层55 穿孔551
第三遮蔽层56 盲孔57
垂直式探针卡微孔导板50
微孔58
具体实施方式
请参阅图2A至图2J，是本发明一较佳实施例一种微孔导板是提供垂直探针于侧向空间限制，使垂直探针于微孔深度方向移动，以达探测特定位置的电子组件测试点的电性目的；本发明可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其步骤包含有：
步骤A：如图2A所示，取一由非金属材料所制成的薄板11。其中该薄板11可为硅(Si)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、铟化磷(InP)或其它适用于以非等向性蚀刻(Anisotropic etching)技术制作的半导体材料；该薄板11亦可为玻璃(Glass)、陶瓷(Ceramics)或其它适用于以非等向性蚀刻技术制作的非导体材料。于本实施例中该薄板11是由硅(Si)材料所制成，该薄板11可界定出一第一面111及一与该第一面111相背的第二面112。
步骤B：如图2B所示，以低压化学气相沉积(Low PressureChemical Vapor Deposition，LPCVD)的方式，于该薄板11的第一面111及第二面112上分别沉积一第一蚀刻阻挡层121及一第二蚀刻阻挡层122。
步骤C：如图2C所示，于该第一蚀刻阻挡层121上，以黄光微影(Lithography)技术布设一具备预定态样开口131的遮蔽层13(该遮蔽层一般为光阻(Photo Resist，PR))。由于黄光微影技术为现有技术，容不此多加赘述。
步骤D：如图2D所示，利用反应性离子蚀刻(Reactive IonEtching，RIE)加以蚀去位在对应该遮蔽层13开口131位置的第一蚀刻阻挡层121，使该第一蚀刻阻挡层121形成出若干对应于该开口131的开孔123。
步骤E：如图2E所示，去除遮蔽层13。
步骤F：如图2F所示，利用非等向性湿蚀刻(Anisotropic)的方式，加以将对应该开孔123位置的薄板11加以蚀去直至接触该第二蚀刻阻挡层122为止，使该薄板11受非等向性湿蚀刻的位置，此时形成出若干的微孔113。其中该非等向性湿蚀刻(Anisotropic)所采用的蚀刻液可为氢氧化钾(KOH)、乙二胺邻苯二酚(EthylenediaminePyrocatechol，EDP、四甲基氢氧化铵Tetramethyl ammoniumhydroxide，TMAH)、联胺(Hydrazine)等其一。
步骤G：如图2G所示，去除第一蚀刻阻挡层121及第二蚀刻阻挡层122。如此一来，即可在该薄板11上形成出若干的微孔113，以构成本发明的微孔导板10。
通过由上述的制造流程，即可以批次制造同一制造程序中的方式非多次堆栈方式形成出具有精密定位与微孔间距微小的微孔导板，而由于微孔数量并不会造成制造程序的增加即无论微孔数量多寡，各微孔皆是于同一步骤中所形成请参阅步骤F，将可使得制造成本大幅降低，更可用以制造出大面积的微孔导板。接着，由于本较佳实施例的微孔导板是采用硅材料所制成，与用以待测试物的材料相同，因此更具有温度补偿的效用。
另外，如上列步骤中所制造的微孔导板为较大的面积时，则可再增加下列的步骤，以使该微孔导板能被切割成若干的小型微孔导板，而加以使用：
步骤H：如图2H及图2I所示，将步骤G所形成的微孔导板10利用切割的方式，分割成若干预定大小的块状该图2I为图2H的顶视图。
步骤J：如图2J所示，将已进行切割后的微孔导板10连结于一座体14上。
另外，亦可在该微孔导板上披覆绝缘材料如二氧化硅(Si)O2、氧化铝Al2O3、氧化钛TiO2或其它适合的介电材料，使该微孔导板增加其绝缘性。
再者，亦可于该微孔导板上披覆高分子材料如聚酸亚胺polyimide或其它适合的高分子材料，使该微孔导板的结构韧性增强，或增进微孔内的润滑性。
请参阅图3A至图3H，是本发明第二较佳实施例所提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其步骤包含有：
步骤A：如图3A所示，取一由非金属材料所制成的薄板21，于本实施例中该薄板21是由硅(Si)材料所制成，该薄板21可界定出一第一面211及一与该第一面211相背的第二面212。
步骤B：如图3B所示，于该薄板21的第一面211上布设一遮蔽层22。
步骤C：如图3C所示，利用黄光微影技术于该遮蔽层22上，形成出若干呈预定态样并与该薄板21相通的开孔221。
步骤D：如图3D所示，利用非等向性干蚀刻(Anisotropic dryetching)的方式，对相对应于该开孔221位置的薄板21蚀刻出呈预定深度的盲孔213。其中非等向性干蚀刻(Anisotropic dry etching)可通过由诱导耦合电浆(Inductively Coupled Plasma，ICP)蚀刻(etching)、电浆蚀刻(Plasma etching)、离子式蚀刻(Ion beametching)、深反应性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦离子束蚀刻(Focus Ion Beam etching)等其一方式所达成。
步骤E：如图3E所示，利用背面薄化(back side thinning)技术，研磨薄板21的第二面212至与该盲孔相通，使该盲孔成为贯通该第一面211及该第二面212的微孔214。
步骤F：如图3F所示，去除该遮蔽层22，如此一来便完成微孔导板20的制程。
当然，如上述的制程所制出是为大面积的微孔导板，则可再利用下列的步骤将大面积的微孔导板切割成小面积的微孔导板：
步骤G：如图3G所示，将步骤F所形成的微孔导板20利用切割的方式，分割成若干预定大小的块状。
步骤H：如图3H所示，将已进行切割后的微孔导板20连结于一座体23上。
另外，亦可在该微孔导板上披覆绝缘材料如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)或其它适合的介电材料，使该微孔导板增加其绝缘性。
再者，亦可于该微孔导板上披覆高分子材料如聚酸亚胺(polyimide)或其它适合的高分子材料，使该微孔导板的结构韧性增强，或增进微孔内的润滑性。
请参阅图4A至图4I所示，是本发明第三较佳实施例所提供的一种可批次制造微孔导板的方法，其步骤包含有：
步骤A：如图4A所示，取一由非金属材料所制成的薄板31，于本实施例中该薄板31是由硅(Si)材料所制成，该薄板31可界定出一第一面311及一与该第一面311相背的第二面312。
步骤B：如图4B所示，以电浆辅助化学气相沉积(PECVD)的方式于该薄板31的第一面311及第二面312上分别沉积一第一氧化物层321(oxide，OX)及一第二氧化物层322(oxide，OX)(于本实施例中其氧化物是采用二氧化硅(SiO2))。
步骤C：如图4C所示，于该第一氧化物层321上布设一遮蔽层33该遮蔽层为一光阻。
步骤D：如图4D所示，利用黄光微影技术，于该遮蔽层33上形成出若干呈预定态样的开口331。
步骤E：如图4E所示，以反应性离子蚀刻RIE将位于该开口331对应位置的第一氧化物层321蚀去，使该第一氧化物层321形成出若干与该开口331相对的通孔323。
步骤F：如图4F所示，以诱导耦合电浆蚀刻的方式将位在对应该通孔323位置的薄板31被蚀刻去除直至该第二氧化物层322，使该薄板31形成出若干微孔313。
步骤G：如图4G所示，去除遮蔽层33。
步骤H：如图4H所示，去除第一氧化物层321及第二氧化物层322。即可得由薄板及微孔所构成的微孔导板30
如需将该步骤H所形成的微孔导板30加以切割至预定的大小以利使用时，则可通过由一切割程序加以完成，如图4I所示。
另外，亦可在该微孔导板上披覆绝缘材料如二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)或其它适合的介电材料，使该微孔导板增加其绝缘性。
再者，亦可于该微孔导板上披覆高分子材料如聚酸亚胺(polyimide)或其它适合的高分子材料，使该微孔导板的结构韧性增强，或增进微孔内的润滑性。
请参阅图5A至图5L，是本发明第四较佳实施例所提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其步骤包含有：
步骤A：如图5A所示，取一由非金属材料所制成的薄板41，于本实施例中该薄板41是由硅(Si)材料所制成，该薄板41可界定出一第一面411及一与该第一面411相背的第二面412。
步骤B：如图5B所示，于该薄板41的第一面411及第二面412上，分别布设一第一氧化物层421及一第二氧化物层422。其中该氧化物为二氧化硅(SiO2)。
步骤C：如图5C所示，于该第一氧化物层421上布设一第一遮蔽层43。其中该第一遮蔽层43为由光阻材料(Photo Resist，PR)所构成。
步骤D：如图5D所示，利用黄光微影技术于该第一遮蔽层43上形成出若干呈预定态样的开口431，且该开口431是连通该第一遮蔽层43的顶面及第一氧化物层421。
步骤E：如图5E所示，利用蚀刻制程将位于该开口431内的第一氧化物层421部分加以蚀去。
步骤F：如图5F所示，利用诱导耦合电浆(Inductively CoupledPlasma，ICP)蚀刻(etching)或其它非等向性干蚀刻技术(Anisotropicdry etching)(如：电浆蚀刻Plasma etching)、离子式蚀刻(Ion beametching)、深反应性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦离子束蚀刻(Focus Ion Beam etching)等加以将对应于该开口431位置的薄板41蚀刻出小于总预定深度的深、宽度的盲孔46。
步骤G：如图5G所示，以低压化学气相沉积(LPVCD)的方式，于该第一遮蔽层43的顶面及该开口43内的底面及壁面上沉积一氮化物层(Nitride)44。
步骤H：如图5H所示，于该第一遮蔽层43的上方布设一第二遮蔽层45，且该第二遮蔽层45并利用黄光微影的技术，于对应该第一遮蔽层43开口431的位置形成出若干的穿孔451。
步骤I：如图5I所示，利用反应性离子蚀刻(RIE)技术，将位于该开口431底部的氮化物层44蚀去；即，使得位在该开口431内的薄板41位置直接与外界连通。
步骤J：如图5J所示，利用诱导耦合电浆(ICP)蚀刻技术，将位在该开口431底部的薄板41盲孔46加深其深度直至与第二氧化物层422上。
步骤K：如图5K所示，去除第一遮蔽层43及第二遮蔽层45。
步骤L：如图5L所示，去除第一氧化物层421、第二氧化物层422及该氮化物层44。如此一来，即可得本发明具有若干微孔47的微孔导板40。
另外，亦可在该微孔导板上披覆绝缘材料如二氧化硅(SiO2、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)或其它适合的介电材料，使该微孔导板增加其绝缘性。
再者，亦可于该微孔导板上披覆高分子材料(如聚酸亚胺(polyimide))或其它适合的高分子材料，使该微孔导板的结构韧性增强，或增进微孔内的润滑性。
请参阅图6A至图6K，是本发明第五较佳实施例所提供一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其步骤包含有：
步骤a：如图6A所示，取一由非金属材料所制成的薄板51，于本实施例中该薄板51是由硅(Si)材料所制成，该薄板51可界定出一第一面511及一与该第一面511相背的第二面512。
步骤B：如图6B所示，于该薄板51的第一面511及第二面512上，分别布设一第一氧化物层521及一第二氧化物层522，并于该第一氧化物层521及该第二氧化物层522上，分别以低压化学气相沉积(LPVCD)的方式布设一第一氮化物层531及一第二氮化物层532。
步骤C：如图6C所示，于该第二氮化物层532上布设一第一遮蔽层54，并通过由黄光微影技术于该第一遮蔽层54形成出一预定范围及位置的开口541，再利用反应性离子蚀刻RIE蚀去位在该开口541内的第二氮化物层532及位在该开口541内的第二氧化物层522，使位在该开口541内的薄板51位置与外界连通。
步骤D：如图6D所示，利用氢氧化钾(KOH)蚀刻液或其它非等向性湿蚀刻(Anisotropic)所采用的蚀刻液，对位在该开口541内的薄板51进行预定深度及宽度的蚀刻去除，使该薄板51由其第二面512形成出一凹陷区513；接着，去除该第一遮蔽层54及该第一、二氮化物层531、532。
步骤E：如图6E所示，利用黄光微影的制程以反应性离子蚀刻(RIE)蚀去部分位置的第一氧化物层521，使该第一氧化物层521形成出若干呈预定态样的通孔523，且该通孔523并与该薄板51的第一面512连通，且该第一氧化物层521的两外侧处并分别形成出一较大孔径的贯孔524。
步骤F：如图6F所示，于该第一氧化物层521上布设一第二遮蔽层55，并于该第二遮蔽层55上形成出若干与该通孔523及沉孔524连通的穿孔551，并于该沉孔524的侧壁上同时布设有预定厚度的第三遮蔽层56，但该第三遮蔽层56并未完全阻隔该薄板51的第一面512与沉孔524相通。
步骤G：如图6G所示，对于该通孔523及沉孔524内的薄板51，以诱导耦合电浆(Inductively Coupled Plasma，ICP)蚀刻(etching)或其它非等向性干蚀刻技术(Anisotropic dry etching)如：电浆蚀刻(Plasma etching)、离子式蚀刻(Ion beam etching)、深反应性离子蚀刻(Deep Reactive Ion Etching，DRIE)、聚焦离子束蚀刻(Focus Ion Beametching)等将对应于该通孔523及沉孔524位置的薄板51蚀刻出预定的深、宽度的盲孔57。
步骤H：如图6H所示，去除第二遮蔽层55及第三遮蔽层56。
步骤I：如图6I所示，利用诱导耦合电浆(ICP)蚀刻或其它非等向性干蚀刻技术，蚀刻位在该通孔523及沉孔524内的薄板51，使其盲孔加深其深度至形成微孔58。
步骤J：如图6J所示，去除第一氧化物层521及第二氧化物层522。使可得本发明的垂直式探针卡微孔导板50，且本实例是将于后制作业中的基座亦一体形成于微孔导板50上，且形成有较大孔径的连接孔58可供与一外物连接的用。其中图6K是图6J的顶视图。
综上所陈，上述本发明的五个较佳实施例，其共同的技术，是提供一种非等向性蚀刻技术，于垂直式探针卡微孔导板上成型出微孔，可批次制造以节省制程所需的时间及程序，以降低制造成本；同时微孔的加工精度较佳，可使微孔的孔径及间距可更缩小，亦适合制造大面积的微孔导板及可制造具有温度补偿效益的微孔导板，使得本发明达到最大的经济附加价值。
Claims (39)
1.一种可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，包含有以下步骤：
步骤1：取一非金属材料的薄板；
步骤2：于该非金属薄板上布设一具备预定态样及数量开口的遮蔽层；
步骤3：以非等向性蚀刻方法，于非金属材料的薄板上成型出多数个微孔。
该微孔导板是提供垂直探针于侧向空间限制，使垂直探针于微孔深度方向移动，以达探测特定位置的电子组件测试点的电性目的。
2.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板是由硅、氮化镓、砷化镓或铟化磷其中之一材料所制成。
3.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板是由适用于以非等向性蚀刻技术制作的半导体材料所制成。
4.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板为由玻璃或陶瓷材料所制成。
5.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板是由适用于以非等向性蚀刻技术制作的非导体材料所制成。
6.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该遮蔽层是由光阻材料所制成。
7.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该遮蔽层是通过由黄光微影技术而形成开口。
8.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，于步骤3后，披覆绝缘材料于该微孔导板上。
9.依据权利要求6所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该绝缘材料为二氧化硅、氧化铝、氧化钛其中之一种。
10.依据权利要求1所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，于步骤3后，披覆高分子材料于该微孔导板上。
11.依据权利要求8所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述高分子材料为聚酸亚胺。
12.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该微孔导板可再进行切割成适用的大小。
13.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤2更包含有以下步骤：
于该薄板上沉积一蚀刻阻挡层；
于该蚀刻阻挡层上，布设一具备预定态样开口的遮蔽层；
利用反应性离子蚀刻蚀去位在对应该遮蔽层开口位置的蚀刻阻挡层，使该蚀刻阻挡层形成出若干对应于该开口的开孔；
去除遮蔽层；
其中，步骤3更包含有以下步骤：
利用非等向性湿蚀刻将对应该开孔位置的薄板加以蚀去，而形成出若干的微孔；
去除蚀刻阻挡层；即可得微孔导板。
14.依据权利要求13所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背的第二面；该薄板的第一面及第二面上分别沉积有一第一蚀刻阻挡层及一第二蚀刻阻挡层；该遮蔽层是布设于该第一蚀刻阻挡层上，该开孔是形成于该第一蚀刻阻挡层上。
15.依据权利要求13所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该非等向性湿蚀刻是采用氢氧化钾、乙二胺邻苯二酚、四甲基氢氧化铵或联胺蚀刻液。
16.依据权利要求13所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该蚀刻阻挡层是氮化硅，该氮化硅层是以低压化学气相沉积的方式所沉积而成。
17.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤3更包含有以下步骤：
利用非等向性干蚀刻将对应该开孔位置的薄板加以蚀去，而形成出若干的微孔；
即可得微孔导板。
18.依据权利要求17所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤3更包含有以下步骤：
以非等向性干蚀刻将对应该开孔位置的薄板蚀刻出预定深度的盲孔；
利用背面薄化技术研磨薄板，使其盲孔成为贯通的微孔；
即可得微孔导板。
19.依据权利要求17所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述非等向性干蚀刻为诱导耦合电浆蚀刻、电浆蚀刻、离子式蚀刻、深反应性离子蚀刻或聚焦离子束蚀刻。
20.依据权利要求17所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背的第二面；该遮蔽层是布设于该第一面上。
21.依据权利要求17所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤2更包含有以下步骤：
于该薄板上沉积一氧化物层；
于该氧化物层上布设一具有若干呈预定态样开口的遮蔽层；
以反应性离子蚀刻将位于该开口对应位置的氧化物层蚀去，使该氧化物层形成出若干与该开口相对的通孔。
22.依据权利要求21所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该氧化物层是由二氧化硅材料所制成。
23.依据权利要求17所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤3更包含有以下步骤：
利用非等向性干蚀刻将对应于该开口位置的薄板蚀刻出预定深、宽度的盲孔；
于该第一遮蔽层的顶面及该开口内面上沉积一氮化物层；
于该第一遮蔽层上方布设一第二遮蔽层，且该第二遮蔽层对应该第一遮蔽层开口的位置形成有穿孔；
利用反应性离子蚀刻技术，将位于该开口底部的氮化物层蚀去；
利用非等向性干蚀刻技术将位在该开口底部的薄板盲孔加深其深度；
去除第一遮蔽层及第二遮蔽层；
去除该氮化物层；即可得微孔导板。
24.依据权利要求23所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背的第二面；该薄板的第一面及第二面上分别沉积有一第一氧化物层及一第二氧化物层；该第一遮蔽层是布设于该第一氧化物层上。
25.依据权利要求24所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述该氮化物层是以低压化学气相沉积的方式沉积而成。
26.依据权利要求1所述可批次制造垂直式探针卡微孔导板的方法，其特征在于，所述步骤2及步骤3更包含有以下步骤：
该薄板可界定出一第一面及一与该第一面相背的第二面；
于该薄板的第一面及第二面上分别布设一第一氧化物层及一第二氧化物层，并于该第一氧化物层及该第二氧化物层上布设一第一氮化物层及一第二氮化物层；
于该第二氮化物层上布设一具有一开口的第一遮蔽层，再利用反应性离子蚀刻蚀去位在该开口内的第二氮化物层及位在该开口内的第二氧化物层；
以非等向性湿蚀刻对位在该开口内的薄板进行预定深度及宽度的蚀刻去除，而形成出一凹陷区；
去除该第一遮蔽层及该第一、二氮化物层；
以反应性离子蚀刻蚀去部分位置的第一氧化物层，使该第一氧化物层形成出若干呈预定态样的通孔及沉孔；
于该第一氧化物层上布设一第二遮蔽层，且该第二遮蔽层形成有若干与该通孔及沉孔连通的穿孔；
以非等向性干蚀刻将该通孔及沉孔内的薄板，蚀刻出具有预定的深、宽度的盲孔；
去除第二遮蔽层；
以非等向性干蚀刻蚀刻位在该通孔及沉孔内的薄板，使其盲孔加深深度。
去除第一氧化物层及第二氧化物层；即可得含有连结座体的微孔导板。
27.一种可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，是应用于垂直式探针卡，用以提供探针侧向的空间限制，并提供探针于微孔深度方向移动者，其特征在于，包含有：
一非金属薄板，是利用非等向性蚀刻技术于该薄板上形成若干贯穿的微孔。
28.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该薄板是由硅、氮化镓、砷化镓或铟化磷其一材料所制成。
29.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该薄板是由适用于以非等向性蚀刻技术制作的半导体材料所制成。
30.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该薄板为由玻璃或陶瓷其一材料所制成。
31.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该薄板是由适用于以非等向性蚀刻技术制作的非导体材料所制成。
32.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该非等向性蚀刻为非等向性湿蚀刻。
33.依据权利要求32所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该非等向性湿蚀刻是采用氢氧化钾、乙二胺邻苯二酚、四甲基氢氧化铵或联胺其中一蚀刻液。
34.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该非等向性蚀刻为非等向性干蚀刻。
35.依据权利要求34所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该非等向性干蚀刻为诱导耦合电浆蚀刻、电浆蚀刻、离子式蚀刻、深反应性离子蚀刻或聚焦离子束蚀刻其中一种。
36.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该微孔导板上披覆有绝缘材料。
37.依据权利要求36所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该绝缘材料为二氧化硅、氧化铝或氧化钛其中一种。
38.依据权利要求27所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述该微孔导板上披覆有高分子材料。
39.依据权利要求38所述可批次制造的垂直式探针卡微孔导板，其特征在于，所述高分子材料为聚酸亚胺。
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