CN103896206B - 基于硅片刻穿的体硅加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。本发明能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度。
Description
技术领域
本发明属于微电子器件加工技术领域，更具体地，涉及一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。
背景技术
微电子机械系统（MEMS）是近几十年发展起来的高新技术领域，以微电子工艺为基础的MEMS技术发展尤为迅速。从开始的表面加工工艺到体加工工艺，随着小型化集成化发展的需要，深硅刻蚀工艺已经成为微电子器件制造技术中的关键工艺。深硅刻蚀的基本思想是反应离子刻蚀和表面钝化的交替过程，通过采用交替通入刻蚀气体与钝化气体达到各向异性刻蚀的目的。采用该技术可获得大深宽比，并且侧壁陡直的刻蚀结果。深硅刻蚀工艺的引入，使一系列新型传感器和执行器结构在微电子领域得以实现。
为了适用于惯性传感器，需要在敏感质量上镀上较厚的金属层以得到尽可能大的敏感质量。如果能够将硅片刻穿，获得极大深宽比体硅结构的微电子器件，在进行体加工工艺的同时增大敏感质量，就能有效地减小机械噪声，简化工艺步骤。同时，器件厚度的增加也能减小非敏感轴方向的交叉耦合，抑制非敏感轴方向的运动，获得尽可能大的器件分辨率。因此，基于硅片刻穿的体硅加工工艺对于加工高分辨率、高精度惯性测量器件具有重大意义。然而，现阶段受到工艺条件的限制，体加工的刻蚀深度一般停留在相对硅片的厚度而言较浅的阶段，深度较大时加工困难，且很难获得好的侧壁粗糙度与垂直度。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，能有效提高光刻胶的选择比，刻蚀深度以及刻蚀槽侧壁的垂直度，光刻胶的选择比大于1:100，刻蚀深度至少可达200μm，刻蚀深宽比为5～10:1，刻蚀槽侧壁的垂直度为90°±0.1°。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）在硅片背面镀金属膜；（3）用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微结构；感应耦合等离子体干法深硅刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；（5）去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。
优选地，所述步骤（4）包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段；
第一刻蚀阶段的刻蚀深度为120～180μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mtorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，时间0.375～0.40s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率50～75W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.6～0.85s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s；
第二刻蚀阶段的刻蚀深度为100～150μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率100W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～0.9s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
优选地，所述步骤（4）还包括第三刻蚀阶段；
第三刻蚀阶段的刻蚀深度为90～110μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
优选地，所述步骤（4）还包括第四刻蚀阶段；
第四刻蚀阶段的刻蚀深度为40～60μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150～200W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.8～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
优选地，所述步骤（1）中，图形化的光刻胶掩膜采用等刻蚀槽宽设计，以控制不同位置的刻蚀速度，保证刻蚀均匀性。
优选地，每个刻蚀阶段中，单个钝化、轰击和刻蚀循环的时间不大于3s。
优选地，所述步骤（1）中，光刻胶掩膜的厚度为5～8μm。
优选地，所述步骤（2）中，金属膜的厚度为0.5～1.5μm。
优选地，所述步骤（3）中，氧化层的厚度为3～6μm。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
（1）将传统Bosch工艺的刻蚀、钝化两步循环分解为钝化、轰击和刻蚀三步循环，在高离子浓度的刻蚀步骤偏压为0，在较低离子浓度的轰击步骤施加偏压去除钝化层，实现对钝化层的物理轰击和对硅的化学腐蚀的分离，减小光刻胶所受的物理轰击，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，使光刻胶的选择比大于1:100。
（2）包括多个刻蚀阶段，不同深度的刻蚀采用不同的加工工艺参数，随着刻蚀深度的增加，增大轰击强度，以平衡钝化过程随深度增加的增强，有效解决了工艺环境随刻蚀深度改变会对刻蚀侧壁垂直度带来不利影响的问题，提高了刻蚀深度及刻蚀槽侧壁的垂直度，刻蚀深度至少可达200μm，刻蚀深宽比为5～10:1，刻蚀槽侧壁的垂直度为90°±0.1°。
（3）采用等刻蚀槽宽设计，人为地加入一些附加结构使得刻蚀槽宽为一个固定值，而这些附加结构会在刻穿释放后脱离。便于控制器件不同位置的刻蚀速度，消除负载效应影响，保证整个器件的刻蚀均匀性。
（4）一次性干法刻穿硅片并释放，能得到具有最大厚度的结构，增大敏感质量，简化工艺步骤。
（5）采用硅片背面制备金属膜作为截止层，有利于热量与电荷传导，避免光刻胶高温变性和槽底部的根切现象。
（6）用真空油将样品粘在托片上放入反应腔，装夹方便，且能使得样品与托片充分接触，防止光刻胶温度过高而变性。
附图说明
图1是本发明实施例的基于硅片刻穿的体硅加工工艺的方法流程图；
图2是本发明实施例的基于硅片刻穿的体硅加工工艺的工艺流程示意图；
图3是本发明实施例的刻蚀器件图形的等线宽设计示意图；
图4是本发明实施例的加工释放后的器件的金像显微镜图；
图5是对本发明实施例的加工释放后的器件的固有频率和Q值进行测算时振动的SEM图。
在所有附图中，相同的附图标记用来表示相同的元件或结构，其中：1-硅片，2-光刻胶掩膜，3-金属膜，4-真空油，5-托片，6-体硅微结构，7-需保留的器件结构，8-为制造等线宽附加的结构，9-待刻蚀的槽。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1、图2、图3所示，本发明实施例的基于硅片刻穿的体硅加工工艺包括如下步骤：
（1）对待加工器件掩膜图形进行等刻蚀槽宽设计，在绘制所加工弹簧-振子结构7的基础上设计附加结构8，使得刻蚀时未被光刻胶覆盖的刻蚀区域9是一个基本恒定宽度的槽。在硅片1的表面制备图形化的光刻胶掩膜2，其厚度随刻蚀厚度可选5～8μm。
（2）在硅片1的背面镀金属膜3，金属膜3的厚度为0.5～1.5μm。
（3）用真空油4将金属膜3粘在托片5上。托片5为表面有氧化层的硅片，氧化层厚3～6μm。氧化层太薄，容易被完全腐蚀，托片暴露大面积硅所产生的负载效应会导致硅刻蚀效果发生巨大变化，严重影响硅刻蚀速率；氧化层太厚，由于二氧化硅的导热性差，会导致光刻胶在工艺过程中被烧坏，同时，太厚的氧化层更难获得，也会导致硅片翘曲度增大，增加了导热不均匀性及托片碎裂的风险。
（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片1，得到体硅微结构6。
采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强，即当前刻蚀阶段轰击步骤的轰击强度始终高于前一刻蚀阶段轰击步骤的轰击强度。
随着刻蚀深度的增加，刻蚀反应位置与托片的距离变小，由于样品依靠托片背面的氦流传热，通过冷水冷却的样品台对外散热，因而反应温度相应降低，由于钝化层在低温下更容易沉积，因而相同工艺条件下钝化效果得到增强。同时，刻蚀槽深度的增大也使得反应粒子进入槽底部进行反应的难度增大，导致轰击和刻蚀效果有所减弱。因此，如果使用相同的刻蚀参数，随着刻蚀深度的增加，刻蚀槽宽会越来越小，直至刻蚀深度不再随工艺时间的延长增加。本发明采用分阶段刻蚀工艺，随着刻蚀深度的增加适当增大轰击强度来平衡钝化，能有效提高刻蚀深度和刻蚀槽侧壁的垂直度。下电极功率越高，轰击强度越大；轰击步骤的工艺时间越长，轰击强度越大。
每个刻蚀阶段中，单个钝化、轰击和刻蚀循环的时间不大于3s，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤的快速切换，减小刻蚀槽侧壁的粗糙度。
（5）去除光刻胶掩膜2和金属膜3，释放体硅微结构6。
用丙酮去除光刻胶掩膜2，用质量分数为4%的氢氧化钠溶液或质量分数为10%的盐酸作为腐蚀液腐蚀金属膜3，释放体硅微结构6。
为使本领域技术人员更好地理解本发明，下面结合具体实施例，对本发明的基于硅片刻穿的体硅加工工艺进行详细说明。
实施例1
硅片厚度：500μm，等线宽设计槽宽100μm。
基于硅片刻穿的体硅加工工艺包括如下步骤：
（1）对对待加工器件掩膜图形进行等刻蚀槽宽设计，在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜。进一步包括如下步骤：
（1-1）对硅片进行有机洗及酸洗。
（1-2）热板上烘干水分后匀Az9260光刻胶，转速为1500r/min，光刻胶厚度8μm。
（1-3）120℃下前烘3min。
（1-4）用激光直写式光刻机进行光刻，等刻蚀槽宽，如图3所示，剂量为3000mj/cm2，离焦量为-0.006mm。
（1-5）用体积比为1:4的Az400k显影液与水的混合液显影8分钟，得到图形化的光刻胶掩膜。
（2）采用直流磁控溅射在硅片背面镀铝膜。直流源功率为600W，工作气压为0.3Pa，镀膜速度为0.5nm/s，膜厚为0.5μm。
（3）用真空油将铝膜粘在表面有氧化层的硅片上。
（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微结构。
具体地，采用英国Oxford公司生产的PlasmaProICP感应耦合等离子体硅刻蚀系统，包括四个刻蚀阶段。
（4-1）第一刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为180μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率0W，腔体气压90mtorr，C4F8流量250sccm，SF6流量20sccm，时间0.40s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率75W，腔体气压30mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量250sccm，刻蚀时间0.85s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率4000W，下电极功率0W，腔体气压140mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量1200sccm，刻蚀时间1.5s。
（4-2）第二刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为150μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率0W，腔体气压90mTorr，C4F8流量250sccm，SF6流量20sccm，刻蚀时间0.5s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率100W，腔体气压30mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量250sccm，刻蚀时间0.9s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率4000W，下电极功率0W，腔体气压140mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量1200sccm，刻蚀时间1.5s。
（4-3）第三刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为110μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率0W，腔体气压90mTorr，C4F8流量250sccm，SF6流量20sccm，刻蚀时间0.5s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率150W，腔体气压30mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量250sccm，刻蚀时间1s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率4000W，下电极功率0W，腔体气压140mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量1200sccm，刻蚀时间1.5s。
（4-4）第四刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为60μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率0W，腔体气压90mTorr，C4F8流量250sccm，SF6流量20sccm，刻蚀时间0.5s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率200W，腔体气压30mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量250sccm，刻蚀时间1s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率4000W，下电极功率0W，腔体气压140mTorr，C4F8流量20sccm，SF6流量1200sccm，刻蚀时间1.5s。
（5）去除光刻胶和金属膜，释放体硅微结构。
实施例2
硅片厚度：350μm，等线宽设计槽宽：50μm。
基于硅片刻穿的体硅加工工艺包括如下步骤：
（1）对对待加工器件掩膜图形进行等刻蚀槽宽设计，在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜。进一步包括如下步骤：
（1-1）对硅片进行有机洗及酸洗。
（1-2）热板上烘干水分后匀Az9260光刻胶，转速为2500r/min，光刻胶厚度5μm。
（1-3）120℃下前烘3min。
（1-4）用激光直写式光刻机进行光刻，等刻蚀槽宽，如图3所示，剂量为2300mj/cm2，离焦量为-0.006mm。
（1-5）用体积比为1:4的Az400k显影液与水的混合液显影8分钟，得到图形化的光刻胶掩膜。
（2）采用直流磁控溅射在硅片背面镀铝膜。直流源功率为600W，工作气压为0.3Pa，镀膜速度为0.5nm/s，膜厚为1.5μm。
（3）用真空油将铝膜粘在表面有氧化层的硅片上。
（4）用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微结构。
具体地，采用英国Oxford公司生产的PlasmaProICP感应耦合等离子体硅刻蚀系统，包括四个刻蚀阶段。
（4-1）第一刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为120μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率1500W，下电极功率0W，腔体气压50mTorr，C4F8流量150sccm，SF6流量0sccm，刻蚀时间0.375s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率50W，腔体气压15mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量100sccm，刻蚀时间0.6s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率0W，腔体气压80mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量700sccm，刻蚀时间1s。
（4-2）第二刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为100μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率1500W，下电极功率0W，腔体气压50mTorr，C4F8流量150sccm，SF6流量0sccm，刻蚀时间0.4s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率100W，腔体气压15mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量100sccm，刻蚀时间0.65s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率0W，腔体气压80mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量700sccm，刻蚀时间1s。
（4-3）第三刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为90μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率1500W，下电极功率0W，腔体气压50mTorr，C4F8流量150sccm，SF6流量0sccm，刻蚀时间0.4s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率150W，腔体气压15mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量100sccm，刻蚀时间0.65s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率0W，腔体气压80mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量700sccm，刻蚀时间1s。
（4-4）第四刻蚀阶段：采用钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工400次，刻蚀深度为40μm。
其中，钝化步骤的工艺参数为：离子源功率1500W，下电极功率0W，腔体气压50mTorr，C4F8流量150sccm，SF6流量0sccm，刻蚀时间0.4s。
轰击步骤的工艺参数为：离子源功率2000W，下电极功率150W，腔体气压15mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量100sccm，刻蚀时间0.8s。
刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率3000W，下电极功率0W，腔体气压80mTorr，C4F8流量0sccm，SF6流量700sccm，刻蚀时间1s。
（5）去除光刻胶和金属膜，释放体硅微结构。
采用实施例2的工艺参数对一种弹簧-振子结构进行加工，释放后得到完整的可正常运动的弹簧-振子结构，其金像显微镜图如图4所示，刻蚀结构完整，刻蚀槽边缘光滑。图5的SEM图显示加工释放后的器件能自由振动，测得弹簧-振子结构的共振频率为280Hz，Q值为10000，代入几何参数，根据材料属性可算出其机械噪声为10ng/√Hz，远高于目前市场主流微机械加速度计的精度水平。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；
(2)在硅片背面镀金属膜；
(3)用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；
(4)用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结构；
感应耦合等离子体干法刻蚀采用分阶段刻蚀的方法，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成；钝化步骤的工艺参数为：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mtorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.375～0.5s；轰击步骤的工艺参数为：离子源功率2000～3000W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.6～1s；刻蚀步骤的工艺参数为：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s；随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强；
(5)去除光刻胶掩膜和金属膜，释放体硅微结构。
2.如权利要求1所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(4)包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段；
第一刻蚀阶段的刻蚀深度为120～180μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mtorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，时间0.375～0.40s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率50～75W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.6～0.85s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s；
第二刻蚀阶段的刻蚀深度为100～150μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率100W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～0.9s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
3.如权利要求2所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(4)还包括第三刻蚀阶段；
第三刻蚀阶段的刻蚀深度为90～110μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.65～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
4.如权利要求3所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(4)还包括第四刻蚀阶段；
第四刻蚀阶段的刻蚀深度为40～60μm，其中，钝化步骤：离子源功率1500～2000W，下电极功率0W，腔体气压50～90mTorr，C4F8流量150～250sccm，SF6流量0～20sccm，刻蚀时间0.4～0.5s；轰击步骤：离子源功率2000～3000W，下电极功率150～200W，腔体气压15～30mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量100～250sccm，刻蚀时间0.8～1s；刻蚀步骤：离子源功率3000～4000W，下电极功率0W，腔体气压80～140mTorr，C4F8流量0～20sccm，SF6流量700～1200sccm，刻蚀时间1～1.5s。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(1)中，图形化的光刻胶掩膜采用等刻蚀槽宽设计，以控制不同位置的刻蚀速度，保证刻蚀均匀性。
6.如权利要求1至4中任一项所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，每个刻蚀阶段中，单个钝化、轰击和刻蚀循环的时间不大于3s。
7.如权利要求1至4中任一项所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(1)中，光刻胶掩膜的厚度为5～8μm。
8.如权利要求1至4中任一项所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(2)中，金属膜的厚度为0.5～1.5μm。
9.如权利要求1至4中任一项所述的基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其特征在于，所述步骤(3)中，氧化层的厚度为3～6μm。
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