CN1971777A - 线圈部件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件的线圈部件。线圈部件(1)具备由磁性材料构成的磁芯(2)、以及由导电性材料构成的端子电极部(3b)和线圈部(3a)，其特征在于：以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，当将所述磁芯(2)所具有的绝缘电阻设为R_M (Ω)、将所述线圈部件(3a)所具有的峰值阻抗设为Z₀ (Ω)时，构成为R_M≥20Z₀的关系。

Description

线圈部件

技术领域

本发明涉及所有的线圈部件，主要涉及电源电路中使用的线圈部件。

背景技术

近年来，特别是对安装在电源系统电路中的线圈部件来说，为了谋求直流重叠特性的改善而强烈要求高性能化，为了响应该情况，公知有：使用最大饱和磁通密度Bm较高的材料来作为磁芯材料的方案。

作为最大饱和磁通密度Bm较高的材料，可举出锰类的铁素体磁性材料和金属类的磁性材料。但是，对于这些材料来说，由于其材料固有的绝缘电阻值较低，所以在使用这些材料制造线圈部件时，例如，如专利文献1所示，公知有：使用表面具有绝缘性覆盖膜的导体的方案。

此外，如专利文献2所示，还公知有：利用绝缘性涂料等对线圈部件中使用的磁芯进行涂覆的方案。

[专利文献1]日本专利公开特开2002-324714号公报

[专利文献2]日本专利公开特开平06-120050号公报

但是，专利文献1记载的线圈部件在制造线圈部的导体时，需要在导体上形成绝缘性覆盖膜，产生了制造步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。

此外，由于必须除去遍及导体表面的整个区域形成的绝缘性覆盖膜中位于成为端子电极部的部位或位于与端子电极连接的部位的绝缘性覆盖膜，所以也产生了由此引起的制造步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。

此外，虽然专利文献2记载的线圈部件为了确保磁芯与线圈部的绝缘性而对磁芯的表面进行绝缘性树脂的涂覆，但是却产生了涂覆步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。

进而，在专利文献2记载的线圈部件中，因在涂覆步骤时产生的涂敷或绝缘性覆盖膜的厚度不均匀，还产生了线圈部件的绝缘不良等问题。

发明内容

本发明的目的在于：考虑到上述问题，提供一种无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件的线圈部件。

这样的目的由下述(1)、(2)的本发明来达成。

(1)一种线圈部件，具备由磁性材料构成的磁芯、以及由导电性材料构成的端子电极部和线圈部，其特征在于：

以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，

当将所述磁芯所具有的绝缘电阻设为R_M(Ω)、将所述线圈部件所具有的峰值阻抗设为Z₀(Ω)时，是R_M≥20Z₀的关系。

(2)如上述(1)记载的线圈部件，其特征在于：

所述线圈部用平板状的构件构成。

按照本发明，由于无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件，所以可以去掉导体或磁芯中的绝缘部的形成步骤，减少了线圈部件的制造成本。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的线圈部件的等效电路的图。

图2是本发明第1实施方式的线圈部件的图。

图3以图表显示了由测定所得的表1示出的线圈部件的阻抗Z的频率特性。

图4是本发明第2实施方式的线圈部件的图。

图5以图表显示了由测定所得的表2示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。

图6是本发明第3实施方式的线圈部件的图。

图7以图表显示了由测定所得的表3示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。

图8是本发明第4实施方式的线圈部件的图。

图9以图表显示了由测定所得的表4示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。

具体实施方式

下面，参照附图对用于实施本发明的线圈部件的优选方式进行说明，但本发明并不限于以下的方式。

图1是示意性地表示本发明的线圈部件的等效电路的图。

当使用图1所示的等效电路来考虑线圈部件的结构时，本发明的线圈部件的阻抗Z可看作是

Z1：电感L与线圈部件的直流电阻R_C的串联阻抗

Z2：浮置电容C

Z3：磁芯的绝缘电阻R_M的并联阻抗。

此外，根据以下的公式1所示的(1)式至(4)式，可得到线圈部件的阻抗Z的频率特性。

(公式1)

Z1＝X_L+R1＝[2πf·L]+R_C......  (1)

$Z2=X_C=\frac{1}{\[2\mathrm{\πf}\·C\]}\·\·\·\·\·\·\left(2\right)$

Z3＝R_M......  (3)

$Z=\frac{1}{\[\frac{1}{Z1}+\frac{1}{Z2}+\frac{1}{Z3}\]}\·\·\·\·\·\·\left(4\right)$

公式1的各式中使用的线圈部件的直流电阻R_C的含义是R-Coil，磁芯的绝缘电阻R_M的含义是R-Magnetic。此外，后述的谐振频率f₀下的阻抗Z作为峰值阻抗Z₀进行处理。

例如，公式1的(3)式中的Z3即磁芯的绝缘电阻R_M越小，(4)式中的1/Z3的值就越大，其结果是，该线圈部件的阻抗Z有降低倾向，谐振频率f₀下的峰值阻抗Z₀也降低。也就是说，成为容易对磁芯通上电流的状态。因此，在此种情况下，就需要线圈部件中使用的导体和磁芯之间的绝缘处理。

相反，在磁芯的绝缘电阻R_M例如具有与一般的镍类铁素体的绝缘电阻(例如从材料固有的电阻系数ρ＞10⁷Ω·cm求出的绝缘电阻)相同或者其以上的值的情况下，(4)式中的1/Z3的值变小。其结果是，由于磁芯的绝缘电阻R_M几乎不对线圈部件的阻抗Z和峰值阻抗Z₀施加影响，所以就不会对磁芯通上电流。因此，此种情况下，就无需线圈部件中使用的导体和磁芯之间的绝缘处理。

这样，若磁芯的绝缘电阻R_M在不对由公式1所示的(1)式至(4)式求出的线圈部件的阻抗Z和阻抗Z₀产生影响的范围内，则理论上即使不在导体和磁芯之间实施绝缘处理，流过线圈部件的电流也只会通过导体而不会对磁芯进行通电，因此可以确保线圈部件的所希望的电气特性。

<第1实施方式>

首先，对本发明的线圈部件的第1实施方式进行说明。

图2是本发明第1实施方式的线圈部件的图。图2(a)是立体图，图2(b)是俯视图，图2(c)是侧视图，图2(d)是仰视图。

如图2所示，本实施方式的线圈部件1包括：筒状方形的由铁素体类芯体构成的磁芯2、以及带状的导体3。

在本实施方式中，导体3向形成在磁芯2的大致中央部的孔部21插通，在磁芯2的内部，形成有平板状的线圈部3a。此外，向磁芯2的外部露出的导体3被进行弯曲加工，由此，形成了端子电极部3b。

导体3用导电性材料构成。在本实施方式中，由于导体3上未形成绝缘性皮膜等绝缘部，所以导体3的导电性材料成为直接与磁芯2的磁性材料相接触的结构。

此外，在线圈部3a与磁芯2的表面之间形成有磁气间隙g。

表1中示出了使电感L(μH)、线圈部件的直流电阻R_C(Ω)、浮置电容C(pF)的值恒定而只使磁芯的绝缘电阻R_M(Ω)的值变化地对本实施方式的线圈部件1进行测定的情况下的峰值阻抗Z₀(Ω)的测定结果。

表1

项目	单位	基准值	发明品A	发明品B	发明品C	比较例a	比较例b
								L	μH	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1
RC	mΩ	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
								C	pF	0.005	0.05	0.005	0.005	0.005	0.005
RM	Ω	1.0×1010	997926	227821	43919	22572	15000
								Z0	Ω	2236	2231	2214	2132	2052	1945
对基准值[％]			-0.2	-1.0	-4.6	-8.2	-13.0
								对基准值[倍]			447.3	102.9	20.6	11.0	7.7

此处，定义磁芯的绝缘电阻R_M不对线圈部件的峰值阻抗Z₀产生影响的范围。该范围是指下述这样的范围：将在绝缘电阻R_M为10¹⁰Ω(作为现实的磁芯的绝缘电阻值假设充分高的值)时得到的线圈部件的峰值阻抗Z₀作为基准值，具有从该值开始的-5％以内的峰值阻抗Z₀。

另外，规定为基准值的-5％以内的范围的根据是因为一般认为：实际上导体自身所具有的直流电阻或磁芯的磁气特性的不均匀存在于5％左右的范围内，这会使峰值阻抗Z₀的值变动5％左右。

因此，在本实施方式的线圈部件的测定中，即使因磁芯的绝缘电阻R_M的值而使峰值阻抗Z₀在从基准值开始的5％内变动，作为线圈部件的性能也会判断为是在允许范围内。

由表1的结果(对基准值％)可知，本实施方式的发明品A至C的线圈部件中的磁芯的绝缘电阻值R_M分别是线圈部件的峰值阻抗Z₀的447倍、103倍、21倍的值，无论哪种情况下R_M≥20Z₀的关系都成立。

此外，如表1的结果所示，发明品A至发明品C的峰值阻抗Z₀在基准值的-5％的范围内，均在上述的允许范围内。

由此，一般认为：在发明品A至发明品C的线圈部件中，发明品A至发明品C的绝缘电阻值R_M对线圈部件的峰值阻抗Z₀施加的影响(Z₀减少率)较小。因此，在该线圈部件中，可判断为无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

与此相对，磁芯的绝缘电阻值R_M分别是线圈部件的峰值阻抗Z₀的11倍、8倍的比较例a和比较例b的线圈部件，如表1的结果所示，其峰值阻抗Z₀比基准值的-5％的范围大。

这是因为一般认为：在比较例a和比较例b的线圈部件的情况下，磁芯的绝缘电阻R_M对峰值阻抗Z₀施加的影响变大。因此，比较例a和比较例b的线圈部件的情况下，可判断为需要在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

其结果是，在第1实施方式的线圈部件中，若是筒状方形芯所具有的绝缘电阻R_M为线圈部件所具有的阻抗Z₀的20倍以上(R_M≥20Z₀)的关系，则可判断为无需在该线圈部件的导体与磁芯之间实施绝缘处理。

此外，图3以图表显示了由测定所得的表1示出的线圈部件的阻抗Z的频率特性。另外，图表中示出的与横轴平行的实线表示基准线，虚线表示从基准线开始的-5％的范围。

此处，由图3的图表可知，发明品A和B的线圈部件的阻抗Z的频率特性与基准值的频率特性大致重叠。由此，可以说发明品A和发明品B的线圈部件接近于理想值(基准值)。

即，若是筒状方形芯所具有的绝缘电阻R_M为线圈部件所具有的峰值阻抗Z₀的100倍以上(R_M≥100Z₀)的关系，则展示出与绝缘电阻假定为实用上充分高时的阻抗特性大致相同的频率特性，可判断为是特别优选的条件。

<第2实施方式>

接着，对本发明的线圈部件的第2实施方式进行说明。

图4是本发明第2实施方式的线圈部件的图。图4(a)是立体图，图4(b)是俯视图，图4(c)是侧视图，图4(d)是仰视图。

如图4所示，本实施方式的线圈部件1包括：上表面与下表面为大致正方形的立体型磁芯2、以及带状的导体3。

磁芯2通过混合作为磁性材料的金属类粉末与绝缘性树脂粘结剂并进行压粉化而形成。此外，导体3用导电性材料构成。

平板状的线圈部3a通过在磁芯2的大致中央部配置带状的导体3而形成。此外，端子电极部3b通过对向磁芯2的外部露出的导体3进行弯曲加工而形成。

在本实施方式的线圈部件1中，不在导体3上形成绝缘性皮膜等绝缘部，因此，线圈部3的导电性材料以直接与磁芯2的磁性材料相接触的方式来构成。

表2中示出了使电感L、线圈部件的直流电阻R_C、浮置电容C的值恒定而只使磁芯的绝缘电阻R_M的值变化地对本实施方式的线圈部件1进行测定的情况下的线圈部件的峰值阻抗Z₀的测定结果。

表2

项目	单位	基准值	发明品D	发明品E	发明品F	比较例c	比较例d
								L	μH	0.07	0.07	0.07	0.07	0.07	0.07
RC	mΩ	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
								C	pF	0.001	0.001	0.001	0.001	0.001	0.001
RM	Ω	1.0×1010	992138	415769	79998	41288	20143
								Z0	Ω	4178	4161	4137	3980	3823	2616
对基准值[％]			-0.4	-1.0	-4.7	-8.5	-11.6
								对基准值[倍]			239.3	100.5	20.1	10.8	7.7

此时，磁芯2的绝缘电阻R_M不对线圈部件1的峰值阻抗Z₀带来影响的范围的定义及其根据与第1实施方式的情况相同。

由表2的结果可知，本实施方式中发明品D至F的线圈部件中的磁芯的绝缘电阻值R_M是各线圈部件的峰值阻抗Z₀的239倍、100倍、20倍的值，无论哪种情况下R_M≥20Z₀的关系都成立。

此外，如表2的结果(对基准值％)所示，发明品D至发明品F的峰值阻抗Z₀在基准值的-5％的范围内。

由此，一般认为：在发明品D至发明品F的线圈部件中，其绝缘电阻值R_M对线圈部件的峰值阻抗Z₀施加的影响(Z₀减少率)较少。因此，在发明品D至F的线圈部件中，可判断为无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

与此相对，磁芯的绝缘电阻值R_M分别是线圈部件的峰值阻抗Z₀的11倍、8倍的比较例c和比较例d的线圈部件的情况下，如表2的结果所示，各峰值阻抗Z₀的值比基准值的-5％的范围大。

这是因为一般认为：在比较例c和比较例d的线圈部件中，其磁芯的绝缘电阻R_M对峰值阻抗Z₀施加的影响较大。因此，在比较例c、比较例d的线圈部件中，可判断为需要在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

其结果是，在第2实施方式的线圈部件中，若是混合金属类粉末和绝缘性树脂粘结剂并进行压粉化后的磁芯2所具有的绝缘电阻R_M为线圈部件1所具有的峰值阻抗Z₀的20倍以上(R_M≥20Z₀)的关系，则可以无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

图5以图表显示了由测定所得的表2示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。

此处，由图5的图表可知，发明品D和E的线圈部件的阻抗Z的频率特性与基准值的频率特性大致重叠。因此，可以说发明品D和发明品E的线圈部件接近于理想值(基准值)。

由此，若压粉磁芯2所具有的绝缘电阻R_M是线圈部件所具有的峰值阻抗Z₀的100倍以上(R_M≥100Z₀)，则展示出与绝缘电阻假定为实用上充分高时的阻抗特性大致相同的频率特性，由此，可说是进一步优选的条件。

<第3实施方式>

接着，对本发明的线圈部件的第3实施方式进行说明。

图6是本发明第3实施方式的线圈部件的图。图6(a)是立体图，图6(b)是俯视图，图6(c)是侧视图，图6(d)是仰视图。此外，图6(e)是线圈部件的局剖图。

如图6所示，本实施方式的线圈部件1包括：上表面与下表面为大致正方形的立体型磁芯2、埋设于磁芯2中的线圈部3a、以及连接于该线圈部3a上的带状的端子构件3b。

磁芯2通过混合作为磁性材料的金属类粉末与绝缘性树脂粘结剂并进行压粉化而形成。此外，线圈部3a和端子构件3b用导电性材料构成。

线圈部3a以螺旋状且间隔地空芯缠绕导体的方式来形成。此外，端子电极部3b通过沿磁芯2的外壁对导体进行弯曲加工而形成。

在本实施方式的线圈部件1中，不在作为导体的线圈部3a和端子电极部3b上形成绝缘性皮膜，因此，线圈部3a和端子电极部3b的导电性材料以直接与磁芯2的磁性材料相接触的方式来构成。

表3中示出了使电感L、线圈部件的直流电阻R_C、浮置电容C的值恒定而只使磁芯的绝缘电阻R_M的值变化地对本实施方式的线圈部件1进行测定的情况下的线圈部件的峰值阻抗Z₀的测定结果。

另外，由于本实施方式的线圈部3a以螺旋状且间隔地空芯缠绕不具有绝缘性皮膜的导体的方式来构成，所以在图6(e)所示的导体间部位3c处，通电的可能性变高，因此，在本实施方式的情况下，磁芯2的绝缘电阻R_M作为位于间隔地相互邻接的导体间部位3c的磁芯的绝缘电阻R_M进行处理。

表3

项目	单位	基准值	发明品G	发明品H	发明品I	比较例e	比较例f
								L	μH	0.36	0.36	0.36	0.36	0.36	0.36
RC	mΩ	1.2	1.2	1.2	1.2	1.2	1.2
								C	pF	0.004	0.004	0.004	0.004	0.004	0.004
RM	Ω	1.0×1010	995548	475300	90711	43551	19252
								Z0	Ω	4738	4716	4692	4513	4312	3929
对基准值[％]			-0.5	-1.0	-4.8	-9.0	-17.1
								对基准值[倍]			211.1	101.3	20.1	10.1	4.9

此时，磁芯2的绝缘电阻R_M不对线圈部件1的峰值阻抗Z₀带来影响的范围的定义及其根据与第1实施方式的情况相同。

由表3的结果可知，本实施方式中的发明品G至I的线圈部件中的磁芯的绝缘电阻值R_M分别是峰值阻抗Z₀的211倍、101倍、20倍的值。

此外，如表3的结果(对基准值％)所示，发明品G至发明品I的峰值阻抗Z₀在基准值的-5％的范围内。

由此，一般认为：在发明品G至发明品I的线圈部件中，其绝缘电阻值R_M对线圈部件的峰值阻抗Z₀施加的影响(Z₀减少率)较少。因此，在发明品G至I的线圈部件中，可判断为无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

与此相对，磁芯的绝缘电阻值R_M分别是线圈部件的峰值阻抗Z₀的10倍、5倍的比较例e和比较例f的线圈部件的情况下，如表3的结果所示，各峰值阻抗Z₀的值比基准值的-5％的范围大。

这是因为一般认为：在比较例e和比较例f的线圈部件中，其磁芯的绝缘电阻R_M对峰值阻抗Z₀施加的影响较大。因此，在比较例e、比较例f的线圈部件中，可判断为需要在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

其结果是，在第3实施方式的线圈部件中，若是混合金属类粉末和绝缘性树脂粘结剂并进行压粉化后的磁芯2所具有的绝缘电阻R_M为线圈部件1所具有的峰值阻抗Z₀的20倍以上(R_M≥20Z₀)的关系，则可判断为无需在该线圈部件的导体与磁芯之间实施绝缘处理。

图7以图表显示了由测定所得的表3示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。

此处，由图7的图表可知，发明品G和H的线圈部件的阻抗Z的频率特性与基准值的频率特性大致重叠。因此，可以说发明品G和发明品H的线圈部件的条件接近于理想值(基准值)。

由此，若压粉磁芯2所具有的绝缘电阻R_M是线圈部件所具有的峰值阻抗Z₀的100倍以上(R_M≥100Z₀)，则展示出与绝缘电阻假定为实用上充分高时的阻抗特性大致相同的频率特性，由此，可判断为是进一步优选的条件。

<第4实施方式>

接着，对本发明的线圈部件的第4实施方式进行说明。

图8是本发明第4实施方式的线圈部件的图。图8(a)是立体图，图8(b)是俯视图，图8(c)是侧视图，图8(d)是仰视图。此外，图8(e)是线圈部件的剖视图。

如图8所示，本实施方式的线圈部件1包括：磁芯2、线圈部3a、以及连接于该线圈部3a上的端子构件3b。

磁芯2通过组合由铁素体类的材料构成鼓状芯2a和环状芯2b而构成。

线圈部3a是沿着形成在鼓状芯2a的卷轴外表面上的绕线槽以螺旋状且间隔地缠绕金属丝状导体而形成的。

以具有平面部的方式形成端子构件3b。此外，端子构件3b的一部分连接于线圈部3a的金属丝端部上，端子构件3b的平面部以沿着环状芯2b的外壁的方式设置。

在本实施方式的线圈部件1中，由于不在作为导体的线圈部3a和端子电极部3b上形成绝缘性皮膜等绝缘部，所以线圈部3a和端子电极部3b的导电性材料以直接与鼓状芯2a或环状芯2b的磁性材料相接触的方式来构成。

表4中示出了使电感L、线圈部件的直流电阻R_C、浮置电容C的值恒定而只使磁芯的绝缘电阻R_M的值变化地对本实施方式的线圈部件1进行测定的情况下的线圈部件的峰值阻抗Z₀的测定结果。

另外，本实施方式的线圈部3a沿着形成在鼓状芯2a的卷轴外表面上的绕线槽以螺旋状且间隔地缠绕不具有绝缘性皮膜的导体，由于在图8(e)所示的导体间部位3c处，通电的可能性变高，所以本实施方式的磁芯的绝缘电阻R_M作为位于间隔地相互邻接的导体间部位3c的磁芯的绝缘电阻R_M进行处理。

表4

项目	单位	基准值	发明品J	发明品K	发明品L	比较例g	比较例h
								L	μH	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0	1.0
RC	mΩ	5.0	5.0	5.0	5.0	5.0	5.0
								C	pF	0.015	0.015	0.015	0.015	0.015	0.015
RM	Ω	1.0×1010	990911	475066	93304	42461	18894
								Z0	Ω	4872	4849	4823	4642	4423	4020
对基准值[％]			-0.5	-1.0	-4.7	-9.2	-17.5
								对基准值[倍]			205.2	98.5	20.1	9.6	4.7

此时，磁芯2的绝缘电阻R_M不对线圈部件1的峰值阻抗Z₀带来影响的范围的定义及其根据与第1实施方式的情况相同。

由表4的结果可知，本实施方式中的发明品J至L的线圈部件的磁芯的绝缘电阻值R_M是各线圈部件的峰值阻抗Z₀的205倍、99倍、20倍的值，无论哪种情况下R_M≥20Z₀的关系都成立。

此外，如表4的结果(对基准值％)所示，发明品J至发明品L的峰值阻抗Z₀在基准值的-5％的范围内。

由此，一般认为：在发明品J至发明品L的线圈部件中，其绝缘电阻值R_M对线圈部件的峰值阻抗Z₀施加的影响(Z₀减少率)较少。因此，在发明品J至L的线圈部件中，可判断为无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

与此相对，磁芯的绝缘电阻值R_M分别是线圈部件的峰值阻抗Z₀的10倍、5倍的比较例g和比较例h的线圈部件的情况下，如表4的结果所示，各峰值阻抗Z₀的值比基准值的-5％的范围大。

这是因为一般认为：在比较例g和比较例h的线圈部件中，其磁芯的绝缘电阻R_M对峰值阻抗Z₀施加的影响变大。因此，在比较例g、比较例h的线圈部件中，可判断为需要在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

其结果是，在第4实施方式的线圈部件中，若是在铁素体类的鼓状芯2a中位于间隔地相互邻接的导体间部位的磁芯的绝缘电阻R_M为线圈部件1所具有的峰值阻抗Z₀的20倍以上(R_M≥20Z₀)的关系，则判断为无需在导体与磁芯之间实施绝缘处理。

图9以图表显示了由测定所得的表4示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。另外，图表中示出的与横轴平行的实线表示基准线，虚线表示从基准线开始的-5％的范围。

此处，由图9的图表可知，发明品J和发明品K的线圈部件的阻抗Z的频率特性与基准值的频率特性大致重叠。因此，可判断为发明品J和发明品K的线圈部件的条件接近于理想值(基准值)。

由此，若磁芯2所具有的绝缘电阻R_M是线圈部件所具有的峰值阻抗Z₀的100倍以上(R_M≥100Z₀)，则展示出与绝缘电阻假定为实用上充分高时的阻抗特性大致相同的频率特性，由此，可判断为是进一步优选的条件。

按照本发明的线圈部件，由于无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件，所以可删除对导体或磁芯形成绝缘覆盖膜等绝缘部的步骤，因此可减少线圈部件的制造成本。

此外，按照本发明的线圈部件，由于在磁芯的绝缘电阻R_M不对线圈部件的峰值阻抗Z₀带来影响的范围内使用线圈部件，所以即使不在线圈部件中使用的导体和磁芯之间实施绝缘处理，也可使流经线圈部件的电流只通过导体，因此可确保线圈部件的所希望的电气特性。

此外，按照本发明的线圈部件，能够抑制：因需要在制造导体时形成绝缘性覆盖膜而引起的步骤数的增加以及与其相关的成本的增加；和/或除去遍及导体表面的整个区域形成的绝缘性覆盖膜中位于成为端子电极部的部位或位于与端子电极连接的部位的绝缘性覆盖膜的步骤必要性、由此引起的步骤和成本的增加。

此外，按照本发明的线圈部件，无需为了确保磁芯与线圈部之间的绝缘性而对磁芯的表面进行绝缘性树脂的涂覆，可以消除与此相伴的涂覆步骤以及与之相关的成本的增加或由绝缘性覆盖膜的厚度不均匀引起的绝缘不良等问题。

另外，本发明的线圈部件并不限于上述的各实施方式，当然还可以在其他材料、结构等中在不脱离本发明结构的范围内进行各种变形、变更。

Claims (2)

1.一种线圈部件，具备由磁性材料构成的磁芯、以及由导电性材料构成的端子电极部和线圈部，其特征在于：

以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，

当将所述磁芯所具有的绝缘电阻设为R_M(Ω)、将所述线圈部件所具有的峰值阻抗设为Z₀(Ω)时，是R_M≥20Z₀的关系。

2.如权利要求1记载的线圈部件，其特征在于：

所述线圈部用平板状的构件构成。

Images