CN1964003A - 一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 - Google Patents
一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1964003A CN1964003A CN 200510110122 CN200510110122A CN1964003A CN 1964003 A CN1964003 A CN 1964003A CN 200510110122 CN200510110122 CN 200510110122 CN 200510110122 A CN200510110122 A CN 200510110122A CN 1964003 A CN1964003 A CN 1964003A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- barrier layer
- etching
- autoregistration
- silicon compound
- insoluble metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它可以有效保护自对准难溶金属硅化合物阻挡层。它至少依次包括以下步骤：NMOS，PMOS源漏注入；自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；涂胶；自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；湿法刻蚀；干法去胶；湿法去胶；源漏扩散退火。因为本发明将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前，利用源、漏扩散退火对自对准难溶金属硅化合物阻挡层的致密化作用，大大减轻了Salicide形成前的HF刻蚀对Salicide block的刻蚀作用，从而起到了保护Salicide block的作用；另外，由原工艺的干法刻蚀更新为更为简单的湿法刻蚀，大大缩短了硅片的生产周期。
Description
技术领域
本发明涉及一种Salicide block(自对准难溶金属硅化合物阻挡层)的刻蚀方法，尤其涉及一种能够有效保护自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法。
背景技术
随着集成电路工艺的日益发展，多晶硅线宽及其之间线宽间距正变得越来越窄，为了满足设计的需要，这就要求Salicide block这层膜要能够做到尽量的薄。但是Salicide block变薄后，产生了两种负作用，一是由于Salicide block会产生数量更多的针孔，从而直接影响到salicide block性能；二是Salicide(自对准难溶金属硅化合物)形成前的HF(氢氟酸)刻蚀作用会对比较薄的Salicide block产生致命的影响，甚至将Salicide block全部洗去。
图1是现在常用的Salicide block的刻蚀工艺及Salicide形成前的HF刻蚀流程。在该流程中由于受到化学气相沉积(CVD)方法生长的自对准难溶金属硅化物阻挡层本身特性的影响，经过后续的HF刻蚀很容易破坏到很薄的自对准难溶金属硅化物阻挡层。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它可以有效保护Salicide block。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种自对准硅化合物阻挡层的刻蚀方法，它至少包括以下步骤：第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法生长；第三步，涂胶；第四步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法掩膜版光罩；第五步，刻蚀；第六步，干法去胶；第七步，湿法去胶；第八步，源、漏扩散退火。
第五步所述的刻蚀为湿法刻蚀。
因为本发明将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前，利用源、漏的扩散退火对自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法的致密化作用，大大减轻了Salicide形成前的HF刻蚀对Salicide block的刻蚀作用，从而起到了保护Salicide block的作用；另外，由原工艺的干法刻蚀更新为更为简单的湿法刻蚀，大大缩短了硅片的生产周期。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式，对本发明做进一步阐述。
图1是现有Salicide block的刻蚀工艺及Salicide形成前的HF刻蚀流程示意图；
图2是本发明Salicide block刻蚀工艺及Salicide形成前的HF刻蚀流程示意图；
图3是采用本发明工艺方法与现有工艺方法下的salicide block在N型单晶硅上的方块电阻测试结果对比示意图。
具体实施方式
如图2所示，它是本发明Salicide block刻蚀工艺及硅化合物(Salicide)形成前的HF刻蚀流程示意图，它包括以下步骤：第一步，NMOS，PMOS源漏注入；第二步，Salicide block的刻蚀方法生长；第三步，涂胶；第四步，Salicide block的刻蚀方法掩膜版光罩；第五步，湿法刻蚀；第六步，干法去胶；第七步，湿法去胶；第八步，源、漏扩散退火。结合图1来看，本发明工艺流程将源、漏扩散退火这一步骤直接放置到salicide生长前的HF处理之前的一步，它利用源、漏扩散退火对Salicide block的致密化作用，大大减轻了Salicide形成前的HF刻蚀对Salicide block的刻蚀作用，数据证明经过源、漏的扩散退火的等离子体化学气相沉积的二氧化硅对1∶100氢氟酸的刻蚀速率是未经源漏扩散退火的等离子体化学气相沉积的二氧化硅的二分之一左右，所以，经过源、漏的扩散退火的salicide block更能够经得起salicide生长前的HF刻蚀，从而起到了保护Salicide block的作用。
此外，由于经过源、漏扩散退火的salicide block更为致密，针孔的更少，所以为了满足集成电路的工艺的不断的发展需要，本发明工艺将Salicide block的厚度减薄为现有的二分之一到三分之二。比如在某一用等离子体化学气相沉积的二氧化硅产品的作为salicideblock，在现有工艺状况下，至少需要400～500埃的二氧化硅才能实现Salicide block的性能，但是在相同条件下，采用本发明工艺方法时，只需200～300埃就可以实现Salicide block的性能。随着Salicideblock的厚度的减薄，新工艺简化了salicide block的刻蚀工艺，由原工艺的干法刻蚀更新为更为简单的湿法刻蚀，大大缩短了硅片的生产周期。其根本的原因是随salicide block厚度的减薄，具备各向同性特性的湿法刻蚀对salicide block侧面的刻蚀量已经相当小，基本可以忽略。
如图3所示，它是同一批次的硅片，在其他工艺条件完全相同的情况下，采用本发明工艺方法与现有工艺方法下的salicide block在N型单晶硅上的方块电阻测试结果对比示意图。其中，曲线1表示现有工艺方法下的方块电阻，曲线2表示是本发明工艺方法下的方块电阻。由曲线1、2可见，用本发明工艺方法的salicide block与现有工艺方法的salicide block的方块电阻的大小完全相同，但是本发明工艺方法的salicide block的厚度仅为现有工艺方法的salicide block的二分之一到三分之二。显然，将源、漏扩散退火这一过程放置到salicide生长前的HF处理之前可以有效地保护Salicide block，并简化salicideblock的刻蚀工艺。
Claims (3)
1、一种自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，它至少包括以下步骤：第一步，NMOS、PMOS源漏注入；第二步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长；第三步，涂胶；第四步，自对准难溶金属硅化合物阻挡层掩膜版光罩；第五步，刻蚀；第六步，干法去胶；第七步，湿法去胶；第八步，源、漏扩散退火。
2、如权利要求1所述的自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，第五步所述的刻蚀为湿法刻蚀。
3、如权利要求1所述的自对准难溶金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，第二步所述自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长的厚度为现有自对准难溶金属硅化合物阻挡层生长的厚度的二分之一到三分之二之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101101227A CN100452324C (zh) | 2005-11-08 | 2005-11-08 | 一种自对准难熔金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005101101227A CN100452324C (zh) | 2005-11-08 | 2005-11-08 | 一种自对准难熔金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1964003A true CN1964003A (zh) | 2007-05-16 |
| CN100452324C CN100452324C (zh) | 2009-01-14 |
Family
ID=38082999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101101227A Active CN100452324C (zh) | 2005-11-08 | 2005-11-08 | 一种自对准难熔金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100452324C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403190A (zh) * | 2010-09-08 | 2012-04-04 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 圆片清洗方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6530380B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-03-11 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for selective oxide etching in pre-metal deposition |
| CN1144272C (zh) * | 2000-09-04 | 2004-03-31 | 中国科学院半导体研究所 | 采用teos源pecvd生长氧化硅厚膜的方法 |
| CN100338758C (zh) * | 2002-02-01 | 2007-09-19 | 旺宏电子股份有限公司 | 选择性局部自对准硅化物的制作方法 |
| CN1270362C (zh) * | 2002-09-18 | 2006-08-16 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 形成自行对准金属硅化物的方法 |
| CN1306595C (zh) * | 2003-08-28 | 2007-03-21 | 力晶半导体股份有限公司 | 自动对准金属硅化物制造方法 |
| CN1591860A (zh) * | 2003-09-01 | 2005-03-09 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 深次微米制程的静电放电保护装置的制造方法 |
-
2005
- 2005-11-08 CN CNB2005101101227A patent/CN100452324C/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102403190A (zh) * | 2010-09-08 | 2012-04-04 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 圆片清洗方法 |
| CN102403190B (zh) * | 2010-09-08 | 2014-04-23 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 圆片清洗方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100452324C (zh) | 2009-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2008042732A3 (en) | Recessed sti for wide transistors | |
| US8450167B2 (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| TW200709333A (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| TW200737346A (en) | Sequential oxide removal using fluorine and hydrogen | |
| CN102956492A (zh) | 半导体结构及其制作方法、mos晶体管及其制作方法 | |
| CN100452324C (zh) | 一种自对准难熔金属硅化合物阻挡层的刻蚀方法 | |
| WO2007021403A3 (en) | Low-temperature oxide removal using fluorine | |
| CN100394583C (zh) | 应变cmos的集成制作方法 | |
| US9601528B2 (en) | Manufacturing method of array substrate | |
| US7666762B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| CN103681501A (zh) | 一种半导体器件的制造方法 | |
| US8569137B1 (en) | Method of improving PMOS performance in a contact etch stop layer process | |
| CN102931072A (zh) | 双应力薄膜的制造方法以及半导体器件 | |
| CN100479118C (zh) | 光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法 | |
| CN103346124B (zh) | 改善半导体器件良率的方法 | |
| CN102468239A (zh) | 半导体器件的制作方法 | |
| CN101937879A (zh) | 锗硅Bi-CMOS器件制备工艺 | |
| KR20090025425A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| CN102623334B (zh) | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法 | |
| US20070048906A1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| CN102779748B (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
| CN102054686A (zh) | 形成cmos器件应力膜的方法 | |
| CN100369237C (zh) | 一种cmos图像传感器的前道制程工艺方法 | |
| CN102623408A (zh) | 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法 | |
| CN106504993A (zh) | 处理带esd的沟槽型mosfet加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20140108 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20140108 Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399 Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd. |