CN1963642B - 液晶显示面板和用于制造该液晶显示面板的掩模 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有改进的显示性能的液晶显示(LCD)面板，该液晶显示面板包括：第一显示板和第二显示板，彼此面对，液晶层位于第一显示板和第二显示板之间；密封剂，将第一显示板和第二显示板结合，以防止液晶层的泄漏；杂质阻挡和液晶流动结构，位于密封剂的外周内部，以在提供使液晶流入密封剂的流动通道的同时防止杂质从密封剂流入第一显示板和第二显示板中的有源区。

Description

液晶显示面板和用于制造该液晶显示面板的掩模
技术领域
本发明总体上涉及一种具有改进的显示性能的液晶显示(LCD)面板和用于制造该液晶显示面板的掩模，更具体地讲，本发明涉及一种具有改进的密封以防止杂质从密封流入LCD面板的显示图像的有源区中。
背景技术
LCD是这样一种显示装置，该显示装置具有通过将两个显示板结合并且将液晶设置在这两个显示板之间形成的LCD面板。LCD利用在LCD面板中形成的电场来改变液晶的阵列，以调节透光率，从而显示图像。
排列两个显示板并且用密封剂将它们结合。密封剂防止液晶泄漏并且保护液晶单元(liquid crystal cell)免受外部条件和外部环境的影响。然而，密封剂由热固性树脂或者紫外线固化树脂制成，由于制造或者材料问题导致该密封剂不能令人满意地硬化。不能令人满意地硬化的密封剂引起与液晶的接触反应，从而形成杂质颗粒。当该杂质颗粒流入显示图像的有源区时，液晶的透光率被改变，降低了LCD面板的显示性能。
发明内容
本发明提供了一种具有改进的显示性能的液晶显示(LCD)面板和用于制造该液晶显示面板的掩模。
根据本发明的示例性实施例，LCD面板包括：第一显示板和第二显示板，彼此相对，液晶层位于第一显示板和第二显示板之间；密封剂，将第一显示板和第二显示板结合，以防止液晶层的泄漏；杂质阻挡和液晶流动结构，位于密封剂的外周内部，以防止杂质从密封剂流入第一显示板和第二显示板中的有源区，并提供使液晶层的液晶流到密封剂的通道。
根据本发明的另一示例性实施例，用于制造滤色器阵列的掩模包括柱分隔件图案以及杂质阻挡和液晶流动结构图案。
根据本发明的又一示例性实施例，用于制造滤色器阵列的掩模包括用于控制液晶的取向的突出部分图案以及杂质阻挡和液晶流动结构图案。
根据本发明的又一示例性实施例，用于制造薄膜晶体管的掩模包括暴露薄膜晶体管的漏电极的接触孔图案以及杂质阻挡和液晶流动结构图案。
附图说明
通过参照附图进行的对本发明示例性实施例的详细描述，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加清楚，其中：
图1是根据本发明的液晶显示(LCD)面板的示例性实施例的平面图；
图2是沿着图1中示出的线II-II′截取的LCD面板的放大的剖视图；
图3A至图5C示意性地示出了根据本发明的杂质阻挡和液晶流动结构(impurity blocking and liquid crystal flowing structure)的各种示例性实施例；
图6是根据本发明的与扭曲向列(TN)模式LCD面板中的第二显示板对应的滤色器阵列板的示例性实施例的剖视图；
图7A示出了用于制造图6中示出的滤色器阵列板的掩模的平面图布局；
图7B是示出利用图7A中示出的掩模的曝光工艺的剖视图；
图8A和图8B分别是示出根据本发明示例性实施例的与形成TN模式LCD面板的第一显示板以及图6中示出的第二显示板对应的薄膜晶体管(TFT)阵列板的剖视图和平面图布局；
图9A和图9B分别是示出根据本发明另一示例性实施例的与形成TN模式LCD面板的第一显示板以及图6中示出的第二显示板对应的薄膜晶体管(TFT)阵列板的剖视图和平面图布局；
图10A是根据本发明示例性实施例的在图案化的垂直取向(PVA)/超PVA(SPVA)模式LCD面板中与第二显示板对应的滤色器阵列板的剖视图，图10B是根据本发明示例性实施例的在图案化的垂直取向(PVA)/超PVA(SPVA)模式LCD面板中的共电极的平面图布局；
图11A至图11C是根据本发明示例性实施例的与形成垂直取向(VA)模式LCD面板的第一显示面板以及图10A和图10B中示出的第二显示板对应的TFT阵列板的平面图布局；
图12A至图12C是根据本发明示例性实施例的与多畴VA(MVA)模式LCD面板中的第二显示板对应的滤色器阵列板的剖视图；
图13A是用于制造图12C中示出的第二显示板的掩模的平面图布局；
图13B是示出利用图13A中示出的掩模的曝光工艺的剖视图；
图14是根据本发明示例性实施例的与共面开关(IPS)模式LCD面板中的第二显示板对应的滤色器阵列板的剖视图；
图15是示出根据本发明示例性实施例的与形成IPS模式LCD面板的第一显示板以及图14中示出的第二显示板对应的TFT阵列板的平面图布局；
图16A和图16B是根据本发明示例性实施例的具有杂质阻挡和液晶流动结构的TFT阵列板的剖视图，其中，所述TFT阵列板作为LCD面板中的第一显示板；
图17是根据本发明示例性实施例的第一显示板和第二显示板中都具有杂质阻挡和液晶流动结构的LCD面板的剖视图。
具体实施方式
通过参照示例性实施例进行的下面的详细描述以及附图，本发明的优点和特征以及实现本发明的优点和特征的方法可以更容易地理解。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，而不应理解为限于这里提到的示例性实施例。
提供这些示例性实施例以使本公开充分和完全并将本发明的构思充分传达给本领域的技术人员。整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。
将理解，当元件被表示为“在另一个元件上”时，该元件可以直接位于所述另一个元件上或者这两个元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被表示为“直接在另一个元件上”时，不存在中间元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关列出项的一个或多个中的任何一个以及所有组合。
将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与其它元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被定义为第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的技术术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图成为本发明的限制。如这里所使用的，除非上下文明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解，当术语“包含”或“包括”用在本说明书中时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，而不排除存在或者附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
为了描述方便，这里可以使用空间关系术语，例如“在...下面”、“下方”、“下面”、“上方”、“上面”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描述的方位以外，空间关系术语意图包含装置在使用或操作中的不同的方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为“在其它元件或特征下面”或“在其它元件或特征下方”的元件将随后被定位为“在其它元件或特征上面”。因此，示例性术语“下面”可以包括上下两个方位。装置可以为其它方位(旋转90度或者在其它方位)，因此描述这里使用的空间关系描述符。
除非另有限定，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解，除非这里清楚地定义，否则术语例如在通常使用的字典中定义的术语应该被解释为具有与在相关领域的上下文中和本公开中的它们的意思一致的意思，而不应理想地或过于正式地解释这些术语。
这里参照作为本发明理想实施例的示意图的剖视图来描述本发明的实施例。这样，由例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变形是意料之中的。因此，本发明的实施例不应该被理解为限于这里示出的区域的特定形状，而是包括由例如制造引起的形状的变形。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性的特征。另外，示出的锐角可以被倒圆。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，区域的形状不意图示出区域的精确形状并且不意图限制本发明的范围。
下面，将描述包括杂质阻挡和液晶流动结构的液晶显示(LCD)面板。杂质阻挡和液晶流动结构阻挡杂质流入与实际图像显示区对应的有源区，从而防止由于杂质导致的显示性能的劣化，并且杂质阻挡和液晶流动结构提供使液晶自由流动的液晶流动通道，从而在整个液晶边缘区，有源区中的液晶均匀地扩散。将描述用于制造LCD面板的掩模。
图1是根据本发明的LCD面板1的示例性实施例的平面图。图2是沿着图1中示出的线II-II′截取的LCD面板的剖视图。
参照图1和图2，LCD面板1被分为显示部分A和非显示部分B。
通过比第二显示板20大的第一显示板10来形成非显示部分B。与传输用于在显示部分A上显示图像的信号的驱动电路连接的栅极焊盘(未示出)和数据焊盘(未示出)形成在非显示部分B中。
显示部分A由第一显示板10和第二显示板20形成，第一显示板10和第二显示板20彼此面对地排列并且彼此结合。图像在显示部分A中显示。显示部分A被分为有源区A1和液晶边缘区A2。
有源区A1包括利用有源矩阵驱动器驱动的多个像素，从而根据在每个像素中形成的电场来显示图像。
液晶边缘区A2形成在有源区A1的边缘，使得液晶聚集在有源区A1中或注入到有源区A1中，从而在整个显示部分A中均匀地扩散并且防止液晶由于重力而倾向于一个方向。
在普通的LCD面板中，液晶边缘区A2由黑色矩阵区a1和密封剂区a2(图2)组成。黑色矩阵区a1用模制框等覆盖并且包括黑色矩阵22，以阻挡来自外部的多余的光。黑色矩阵区a1被称作框架区。
在图1和图2中，黑色矩阵区a1和密封剂区a2彼此不叠置，但是它们可以叠置为密封剂40形成在黑色矩阵22上。尽管在图1和图2中黑色矩阵22形成在第二显示板20上，但是黑色矩阵22可以形成在LCD面板中具有阵列上薄膜晶体管(TFT)(TOA)或者TFT上滤色器(COT)结构的第一显示板10上。
利用沿着与第二显示板20的边缘对应的密封剂区a2形成的密封剂40，第一显示板10和第二显示板20彼此结合。密封剂40防止位于第一显示板10和第二显示板20之间的液晶层50泄漏到外面并且防止外部的水蒸气和空气流入液晶层50。
此时，杂质阻挡和液晶流动结构30安装在密封剂40内。杂质阻挡和液晶流动结构30阻挡杂质40a流入有源区A1并且同时提供允许液晶50a流入密封剂40的流动通道，其中，所述杂质40a是由没有硬化的密封剂40和液晶50a之间的反应产生的。为了最初阻挡杂质40a流入有源区A1并且防止杂质40a妨碍图像显示，杂质阻挡和液晶流动结构30可以形成在液晶边缘区A2中。另外，杂质阻挡和液晶流动结构30可以有助于保持第一显示板10和第二显示板20之间的单元间隙。
将参照图3A至图5C来描述杂质阻挡和液晶流动结构30的各种结构。
参照图3A至图3D，杂质阻挡和液晶流动结构30阻挡杂质40a流入有源区A1并且同时对液晶50a提供通道70。因此，杂质阻挡和液晶流动结构30可以为具有流动通道空间S的不连续的结构。具体地，杂质阻挡和液晶流动结构30可以包括通过流动通道空间S彼此分开的图案30a或30b。通常，由于当液晶50a与没有硬化的密封剂40反应时产生杂质40a，所以杂质40a会大于液晶50a。因此，当流动通道空间S大于液晶50a的尺寸并且小于杂质40a的尺寸时，可以实现选择性地流动。
同时，如图3B中所示，当图案30b具有至少一个捕捉沟槽G时，甚至可以更有效地阻挡杂质40a流入。为了有效地捕捉杂质40a，捕捉沟槽G的凹表面可以形成为面向密封剂40。
另外，如图3C和图3D中所示，当图案30a或30b交错地布置为至少两行或两排时，可以更有效地捕捉杂质40a。在这种结构中，即使当杂质40a没有被第一行或第一排的图案30a或30b捕捉到而穿过流动通道70，杂质40a也可以被第二行或第二排的图案30a或30b捕捉到。这里，第二行中的每个图案30a或30b的两端可以分别与第一行中的相邻的两个图案30a或30b部分叠置(例如，图案30a和30b在列方向上不对齐)，以保证完美地捕捉。
图4示出了包含在杂质阻挡和液晶流动结构30中的图案的各种示例。如图4中所示，具有至少一个捕捉沟槽G的图案可以比具有单个捕捉沟槽G的图案更有效。
同时，如示出图1中示出的LCD面板1的四分之一部分的图5A至图5C中所示，杂质阻挡和液晶流动结构30可以具有各种图案阵列。
参照图5A，多个图案线性布置在LCD面板1的行方向和列方向上。
参照图5B，除了在LCD面板1的拐角处的图案线性布置在与LCD面板1的对角线垂直的方向上之外，图5B中的图案的布置与图5A中示出的图案的布置相同。采用图5B中示出的布置，液晶更有效地扩散到位于LCD面板1的拐角处的液晶边缘区A2中。
参照图5C，多个图案沿着曲线c1和c2布置，所述曲线c1和c2具有适于提供相对于LCD面板1的每个区域中的液晶的扩散方向的最佳流通通道的预定曲率。
可以以根据用于在第一显示板10和第二显示板20的有源区A1中显示图像的液晶的主轴的初始取向、形成电场以显示图像的方法以及用于形成电场的单元的布置的各种实施例来实现相对于图1至图5C描述的LCD面板1。下面，将参照图6至图17来描述根据本发明的各种示例性实施例的不同的LCD面板和用于制造LCD面板的掩模。
图6至图9B是示出根据本发明示例性实施例的扭曲向列(TN)模式LCD面板的示图，在该LCD面板中，当没有施加电场时，液晶的主轴的方向与限定第一显示板10和第二显示板20的主平面表面平行。
图6是与TN模式LCD面板中的第二显示板20对应的滤色器阵列板的剖视图。参照图6，黑色矩阵110形成在透明基底100上。黑色矩阵110包括在覆盖第一显示板10的有源区A1中形成的TFT、栅极布线和数据布线的区域中形成的部分102以及在液晶边缘区A2中形成的部分22。滤色器120形成在具有黑色矩阵110的透明基底100上。保护层130形成在滤色器120上，来平坦化由滤色器120形成的阶梯。然而，可以去除保护层130。遍及有源区A1，单一共电极140形成在保护层130上。柱分隔件150形成在共电极140上，以保持第一显示板10和第二显示板20之间的单元间隙。杂质阻挡和液晶流动结构30形成在液晶边缘区A2中的黑色矩阵110的部分22上。在制造的简化方面，利用相同的材料在单一工艺中形成柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30是有利的。
下面，将参照图7A和图7B来描述根据本发明示例性实施例的制造图6中示出的第二显示板20的方法。
图7A示出了用于制造柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30的掩模300的布局。
参照图7A，掩模300包括形成在有源区A1中的多个柱分隔件图案350和形成在液晶边缘区A2中的杂质阻挡和液晶流动结构图案330。当曝光的目标是正的感光有机绝缘膜时，图案350和330可为形成在透明基底上的遮光图案。当曝光的目标是负的感光有机绝缘膜时，图案350和330可为透光图案。同时，当杂质阻挡和液晶流动结构300高于柱分隔件150时，柱分隔件图案350可以形成为缝状图案、格栅图案或半透光图案。这里，位于缝之间的图案或者位于图案之间的间隔的临界尺寸(CD)，例如，缝的宽度可小于曝光装置的分辨率。当使用半透光图案时，可使用具有不同透光率或不同厚度的薄膜来调节掩模30的制造过程中的透光率。标号282表示形成在第一显示板10上的像素电极的轮廓线。
图7B是示出形成柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30的曝光工艺的剖视图。
参照图7B，利用图7A中示出的掩模300对基底100执行曝光工艺，在该基底100上已经顺序形成了黑色矩阵110、滤色器120、保护层130、共电极140和感光有机绝缘层150a。可以利用本发明所属领域的技术人员公知的制造工艺来形成黑色矩阵110(例如，22和102)、滤色器120、保护层130、共电极140和感光有机绝缘层150a，因此，为了使本发明清晰，将示意性地描述它们的形成。
在图7B中示出的曝光工艺中，利用负的感光有机绝缘材料形成感光有机绝缘层150a。如图7B中所示，在曝光过程中，感光有机绝缘层150a交联(cross-link)，因此，在后续的显影过程中，仅剩余感光有机绝缘层150a的曝光的部分，从而形成在图6中示出的柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30。
图8A和图8B分别是示出根据本发明示例性实施例的与形成TN模式LCD面板的第一显示板10以及图6中示出的第二显示板20对应的TFT阵列板的剖视图和平面图布局。
参照图8A和图8B，传输栅极信号的多条栅极布线220形成在绝缘基底200上。每条栅极布线220包括在水平方向上延伸的栅极线222、与栅极线222的端部连接以向栅极线222传输外部栅极信号的栅极焊盘224以及突出形状的从栅极线222延伸的TFT的栅电极226。同时，存储电极227布置为与栅极线222平行。相邻的存储电极227通过存储电极线228彼此连接。在图8A和图8B中示出的本发明的示例性实施例中，单独形成存储电极227，但是前栅极线222可以作为存储电极。每个存储电极227与连接到像素电极282的漏电极扩展部分267叠置，从而形成增强像素的电荷存储能力的存储电容器，将在后面描述像素电极282。
覆盖层229形成在栅极布线220上，以防止由于后续的高温热处理导致出现小丘(hillock)。栅极绝缘层230形成在覆盖层229上。利用半导体例如氢化非晶硅或者多晶硅制成的半导体图案240形成在栅极绝缘层230上。欧姆接触图案255和256形成在半导体图案240上。其中具有沟道区的半导体图案240的外部轮廓与欧姆接触图案255和256的外部轮廓基本相同。
数据布线260形成在欧姆接触图案255、256和栅极绝缘层230上。数据布线260包括：数据线262，在垂直方向上延伸，以与栅极线222交叉，从而限定像素；源电极265，从数据线262延伸到欧姆接触图案255的顶部；数据焊盘268，与数据线262的端部连接，以接收外部图像信号；漏电极266，与源电极265分开，并且形成在关于TFT的栅电极226或沟道区与源电极265相对的欧姆接触图案256上；漏电极扩展部分267从漏电极266延伸为具有大的区域并且与存储电极227叠置。
源电极265与半导体图案240的至少一部分叠置。漏电极266关于栅电极226面向源电极265并且与半导体图案240的至少一部分叠置。欧姆接触图案255和256位于下面的半导体图案240和上面的源电极265、漏电极266之间，并且用来减小元件之间的接触电阻。
漏电极扩展部分267与存储电极227叠置，从而与存储电极227以及其间的栅极绝缘层230一起形成存储电容器。当没有形成存储电极227时，也去除漏电极扩展部分267。
钝化层270形成在数据布线260和没有被数据布线260覆盖的半导体图案240上。当钝化层270利用有机材料形成时，为了防止钝化层270的有机材料接触在源电极265和漏电极266之间暴露的半导体图案240，可以利用硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiO2)在钝化层270下面另外地形成绝缘层(未示出)。
暴露漏电极扩展部分267的接触孔277和暴露数据焊盘268的接触孔278形成在钝化层270中。暴露栅极焊盘224的接触孔274形成在钝化层270和栅极绝缘层230中。像素电极282形成在钝化层270上的像素的位置，以通过接触孔277与漏电极266电连接。当施加数据电压时，像素电极282与图6中示出的第二显示板20的共电极140一起形成电场，从而确定位于像素电极282和共电极140之间的液晶层中的液晶分子的取向，从而显示期望的图像。
另外，通过接触孔274与栅极焊盘224连接的辅助栅极焊盘284和通过接触孔278与数据焊盘268连接的辅助数据焊盘288形成在钝化层270上。
图9A和图9B分别是示出根据本发明另一示例性实施例的与形成TN模式LCD面板的第一显示板10以及参照图6至图7B描述的第二显示板20对应的TFT阵列板的剖视图和平面图布局。将省略或简化与图8A和图8B中示出的构件基本相同的构件的描述。
当在图8A和图8B中示出的第一显示板10的制造中使用五个掩模时，在图9A和图9B中示出的第一显示板10的制造中使用四个掩模。
具体地，当形成数据布线260时，欧姆接触层252和半导体层242被同时图案化。结果，与栅极线222交叉来限定像素的数据线262具有欧姆接触层252和半导体图案242，欧姆接触层252和半导体图案242具有与数据线262的轮廓相同的轮廓。与数据线262的端部连接以接收外部图像信号的数据焊盘268也具有欧姆接触层(未示出)和半导体图案(未示出)，所述欧姆接触层和半导体焊盘具有与数据焊盘268的轮廓基本相同的轮廓。从漏电极266延伸以与存储电极227叠置的漏电极扩展部分267也具有欧姆接触层(未示出)和半导体图案(未示出)，所述欧姆接触层和半导体图案具有与漏电极扩展部分267的轮廓基本相同的轮廓。
包括形成TFT的沟道区的半导体图案244的外部轮廓以及欧姆接触图案255、256的外部轮廓与源电极265、漏电极266的外部轮廓基本相同。具体地，像源电极265和漏电极266在TFT的沟道区分开一样，源电极265下面的欧姆接触图案255与漏电极266下面的欧姆接触图案256在沟道区分开。然而，TFT的半导体图案244在沟道区不间断，从而形成TFT的沟道。
图10A至图13B是用于解释根据本发明示例性实施例的垂直取向(VA)模式的LCD面板的示图，其中，当不施加电场时，液晶的主轴的方向与限定第一显示板10和第二显示板20的主表面平面垂直。VA模式可以被分为图案化的VA(PVA)模式或超PVA(SPVA)模式以及多畴VA(MVA)模式，其中，在PVA模式或SPVA模式中，与用于形成电场的单元对应的像素电极以及共电极被图案化，在MVA模式中，突出部分形成在共电极上，或者突出部分形成在共电极和像素电极上。
图10A是根据本发明示例性实施例的在PVA/SPVA模式LCD面板中与第二显示板20对应的滤色器阵列板的剖视图，图10B是根据本发明示例性实施例的在PVA/SPVA模式LCD面板中的共电极140的平面图布局。
参照图10A和图10B，黑色矩阵110形成在透明基底100上。黑色矩阵110包括在覆盖在第一显示板10的有源区A1中形成的TFT、栅极布线和数据布线的区域中形成的部分102以及在液晶边缘区A2中形成的部分22。滤色器120形成在具有黑色矩阵110的透明基底100上。保护层130形成在滤色器120上。对于每个像素，共电极140具有相对于图11A中示出的栅极线222倾斜大约45度或大约-45度角的多个切口142。
柱分隔件150形成在具有切口142的共电极140上，以保持第一显示板10和第二显示板20之间的单元间隙。利用与柱分隔件150相同的材料并且利用与形成柱分隔件150相同的工艺，杂质阻挡和液晶流动结构30形成在液晶边缘区A2中的黑色矩阵110的部分22上。
图10A中示出的柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30可以利用参照图7A和图7B描述的掩模和方法来形成。因此，将省略对它们的描述。
图11A至图11C是根据本发明示例性实施例的与形成VA模式LCD面板的第一显示面板10以及图10A和图10B中示出的第二显示板20对应的TFT阵列板的平面图布局。
图11A是根据PVA模式的TFT阵列板的平面图布局。图11B是利用耦合电容的根据SPVA模式的TFT阵列板的平面图布局。图11C是利用两个晶体管的根据SPVA模式的TFT阵列板的平面图布局。
在图11A至图11C中，与图8B和图9B中示出的标号相同的标号以及与其它符号相同的标号表示与图8B和图9B中示出的构件相同的构件。因此，为了本发明清晰的目的，将省略相同构件的详细描述。
与图8B中示出的像素电极282不同，图11A中示出的像素电极282包括多个切口283。像素电极282的切口283的布置方式为，共电极140的切口142位于切口283之间，以将每个像素的显示区分为多畴。在这种情况下，使液晶分子在多畴中在不同的方向上倾斜，从而增加标准视角来提高侧面可视性。
与图11A中示出的像素电极282不同，图11B中示出的像素电极282被分为第一子像素电极282a和第二子像素电极282b。第一子像素电极282a和第二子像素电极282b将像素区分为两部分，即，上部和下部并且关于与栅极线222平行的线对称。形成在第一子像素电极282a和第二子像素电极282b中的每个中的切口283以及第一子像素电极282a和第二子像素电极282b之间的间隙284与共电极140一起将像素分为多畴。当第一子像素电极282a通过TFT的漏电极266直接接收图像信号电压时，由于与漏电极扩展部分267结合的电容器使得第二子像素电极282b具有可变电压。换而言之，第二子像素电极282b的电压总是具有低于第一子像素电极282a的电压的绝对值。当具有不同电压的两个子像素电极位于单个像素区中时，两个子像素电极互相补偿，从而减小伽马曲线的失真。
与图11B中示出的TFT阵列板不同，在图11C中示出的TFT阵列板中，第一子像素电极282a和第二子像素电极282b分别通过包含在不同TFT中的漏电极266a和266b分别单独地接收图像信号电压。因此，一个以上TFT对称地形成在像素的边缘。由于对第一子像素电极282a和第二子像素电极282b分别施加单独的像素信号电压，所以侧面可视性增加，同时比图11B中示出的TFT阵列板更有效地减小了伽马曲线的失真。
图12A至图12C是根据本发明示例性实施例的与MVA模式LCD面板中的第二显示板20对应的滤色器阵列板的剖视图。
参照图12A至图12C，黑色矩阵110形成在透明基底100上。黑色矩阵110包括在覆盖在第一显示板10的有源区A1中形成的TFT、栅极布线和数据布线的区域中形成的部分102以及在液晶边缘区A2中形成的部分22。滤色器120形成在具有黑色矩阵110的透明基底100上。保护层130形成在滤色器120上。遍及有源区A1，单个共电极140形成在保护层130上。多个突出部分145形成在共电极140上，以将像素分为多畴，从而控制液晶的取向。参照图12A，利用与突出部分145的材料相同的材料和与形成突出部分145的工艺相同的工艺，杂质阻挡和液晶流动结构30形成在液晶边缘区A2中。在这种情况下，柱分隔件(未示出)可利用散射或者利用与突出部分145以及杂质阻挡和液晶流动结构30分开的图案化工艺来形成。
参照图12B，利用相同的材料同时形成突出部分145、柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30。
与图12B中示出的滤色器阵列板相同，在图12C中示出的滤色器阵列板中，利用相同的材料同时形成突出部分145、柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30，另外，RGB滤色器图案的叠层形成在柱分隔件150下面。
图13A和图13B是示出制造图12C中示出的第二显示板20的方法的示图。
参照图13A，掩模400包括：杂质阻挡和液晶流动结构图案430，形成在液晶边缘区A2中；突出部分图案445和柱分隔件图案450，形成在有源区A1中。当曝光的目标是正的感光有机绝缘膜时，图案430、445和450可为形成在透明基底上的遮光图案。当曝光的目标是负的感光有机绝缘膜时，图案430、445和450可为透光图案。当杂质阻挡和液晶流动结构430高于突出部分145和柱分隔件150时，突出部分图案445和柱分隔件图案450可以形成为缝状图案、格栅图案或者半透光图案。这里，位于缝之间的图案或者图案之间的间隔的临界尺寸(CD)，例如，缝的宽度可以小于曝光装置的分辨率。在掩模400的制造过程中，当使用半透光图案时，可以使用具有不同透射率或不同厚度的薄膜来调节透光率。
图13B是示出用于形成柱分隔件150、突出部分145以及杂质阻挡和液晶流动结构30的曝光工艺的剖视图。
参照图13B，利用图13A中示出的掩模400，对基底100执行曝光工艺，在该基底100上已经顺序形成了黑色矩阵110、滤色器120、保护层130、共电极140和感光有机绝缘层150a。RGB颜色图案120R、120G和120B层叠在将要形成各柱分隔件150的区域中。黑色矩阵110、滤色器120、保护层130、共电极140和感光有机绝缘膜150a可以利用本发明领域的技术人员公知的制造工艺来形成，因此，为了本发明清晰的目的，将示意性地描述它们的形成。
在图13B中示出的曝光工艺中，利用负的感光有机绝缘材料来形成感光有机绝缘层150a。
如图13B中所示，感光有机绝缘层150a在曝光过程中交联，因此，在后续的显影工艺中，仅剩余感光有机绝缘层150a的曝光部分，从而形成图12C中示出的柱分隔件150、突出部分145以及杂质阻挡和液晶流动结构30。
尽管未示出，但是图12A中示出的第二显示板20也可以利用从其中去除柱分隔件图案450的图13A中的掩模400来形成。图12B中示出的第二显示板20可以形成为具有这样的柱分隔件150，通过调节与图13A中示出的柱分隔件图案450对应的缝、格栅或半透光图案，使得该柱分隔件150与杂质阻挡和液晶流动结构30水平或高于杂质阻挡和液晶流动结构30。
将图12A至图12C中示出的第二显示板20与参照图8A至图9B和图11A至图11C描述的第一显示板10结合，从而形成LCD面板。在相对于图11A至图11C描述的第一显示板10中，在像素电极中不形成切口，但是具有与切口相同图案的突出部分可以形成在像素电极上。
图14是示出共面开关(IPS)模式的LCD面板的示图，其中，当不施加电场时，液晶的主轴方向与限定第一显示板10和第二显示板20的主表面平面平行；图15是示出共面开关(IPS)模式的LCD面板的示图，其中，当在水平方向上形成电场时，液晶的主轴方向与限定第一显示板10和第二显示板20的主表面平面平行。
图14是根据本发明示例性实施例的与IPS模式LCD面板中的第二显示板20对应的滤色器阵列板的剖视图。
除了没有形成共电极之外，图14中示出的滤色器阵列板与图6中示出的滤色器阵列板基本相同。杂质阻挡和液晶流动结构30形成在黑色矩阵110的部分22上，所述杂质阻挡和液晶流动结构30利用与柱分隔件150相同的材料形成在液晶边缘区A2中。柱分隔件150以及杂质阻挡和液晶流动结构30可以利用图7A中示出的掩模来形成。因此，将省略对它们的描述。
图15是示出根据本发明示例性实施例的与形成IPS模式LCD面板的第一显示板10以及图14中示出的第二显示板20对应的TFT阵列板的平面图布局。
参照图15，与参照图7A和图7B描述的第一显示板10不同，像素包括像素电极282和与像素电极282一起形成水平电场的共电极289。共电极289通过接触孔279与公共线228连接并接收共电压，公共线228在形成栅极线222的工艺中利用与栅极线222相同的材料与栅极线222平行地形成。在图7A、图7B和图15中，相同的标号表示相同的构件，因此，将省略对它们的描述。
尽管未示出，但是形成LCD面板的第一显示板10以及图14中示出的第二显示板20可以完成根据DFS或PLS模式的TFT阵列板。
参照图7A至图15，杂质阻挡和液晶流动结构30形成在第二显示板20上。具体地，利用与柱分隔件150和/或突出部分145的材料相同的材料在形成柱分隔件150和/或突出部分145相同的工艺中形成杂质阻挡和液晶流动结构30。然而，杂质阻挡和液晶流动结构30可以在与柱分隔件150和/或突出部分145不同的工艺中形成。在这种情况下，柱分隔件150可以利用散射而不是利用图案化形成为分布在第二显示板20上。
同时，杂质阻挡和液晶流动结构30可以形成在与第一显示板10或者与第一显示板10和第二显示板20对应的TFT阵列板上。
图16A和图16B示出了杂质阻挡和液晶流动结构30形成在第一显示板10上的示例。这里，第一显示板10可适合于TN、VA和IPS模式中的任何一种模式。因此，为了描述简便，下部TFT以盒子的形状示出并且省略像素电极。
参照图16A和图16B，根据本发明的上面描述的示例性实施例，可以利用具有暴露漏电极扩展部分267(见图8、图9和图11)的接触孔277的钝化层270来在第一显示板10中形成杂质阻挡和液晶流动结构30。这里，可利用有机层来形成钝化层270。
如图16A中所示，可同时形成杂质阻挡和液晶流动结构30以及接触孔277。可选地，如图16B中所示，可同时形成杂质阻挡和液晶流动结构30、接触孔277以及柱分隔件272。
图17示出了根据本发明示例性实施例的杂质阻挡和液晶流动结构30形成在第一显示板10和第二显示板20上的示例。这里，第一显示板10和第二显示板20可适于TN、VA和IPS模式中的任何一种模式。因此，为了描述简便，许多构件都是示意性地示出并且省略了像素电极和共电极。
参照图17，具有单元间隙的一部分高度的第一结构31a形成在第一显示板10上，具有单元间隙的剩余高度的第二结构31b形成在第二显示板20上。结果，当第一显示板10和第二显示板20彼此结合时，完成杂质阻挡和液晶流动结构30。
如图17中所示，与第一结构31a和第二结构31b相同，具有单元间隙的部分高度的第一柱分隔件272a形成在第一显示板10上，具有单元间隙的剩余高度的第二柱分隔件272b形成在第二显示板20上，从而当第一显示板10和第二显示板20彼此结合时完成柱分隔件CS。
根据本发明，有效地阻挡当未硬化的密封剂接触液晶时产生的杂质流入有源区，同时，对液晶提供流动通道，从而液晶被有效地扩散。
尽管已经相对于特定的优选实施例或者示例性实施例示出和描述了本发明，但是清楚的是，根据对本说明书和附图的阅读和理解，对本领域技术人员来说，可以进行等效的替换和修改。另外，尽管已经相对于示出的示例性实施例中的一个或多个描述了本发明的具体特征，但是如所期望的以及对于任意给出或特定应用的优点，这种特征可以与其它示例性实施例中的一个或多个其它特征结合。

Claims (4)

1.一种液晶显示面板，包括：
第一显示板和第二显示板，彼此面对，液晶层位于所述第一显示板和所述第二显示板之间；
密封剂，将所述第一显示板和所述第二显示板结合，以防止所述液晶层泄漏；
杂质阻挡和液晶流动结构，位于所述密封剂的外周内部并且位于密封剂和有源区之间的黑色矩阵框架区内，以防止杂质从所述密封剂流入所述第一显示板和所述第二显示板中的有源区并提供使液晶流入所述密封剂的流动通道，
其中，所述杂质阻挡和液晶流动结构包括通过与所述流动通道对应的空间而彼此分开的图案，
每个所述图案具有至少一个面对所述密封剂的捕捉沟槽，
所述捕捉沟槽通过至少一个凹表面和与面对所述密封剂的至少一个凹表面相对的凸表面限定。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述杂质阻挡和液晶流动结构由于所述流动通道是不连续的。
3.如权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述图案布置为至少两行，第一行中的图案与第二行中的图案交错。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其中，所述第二行中的每个图案的两端分别与所述第一行中两个相邻的图案部分叠置。
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