CN1943250A - 成像装置校准方法和成像装置校准仪表 - Google Patents
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Abstract
描述了成像装置校准方法、成像装置校准仪表、成像装置。按照一个实施例,成像装置校准方法包括:发射用于校准成像装置(14)的光;提供所述光的发射特性;利用成像装置(14)的图像传感器(46)检测所述光;产生表示利用图像传感器(46)的检测结果的传感器数据;以及利用所述产生的传感器数据和用于校准成像装置(14)的发射特性确定成像装置(14)的至少一种光学特性,其中所述至少一种光学特性对应于用来检测所述光的成像装置(14)。
Description
技术领域
本公开的各个方面涉及成像装置的校准方法、成像装置校准仪表、成像装置和制品。
背景技术
不同设计的成像系统已经广泛用来产生图像。示范性成像系统包括复印机、扫描仪,摄像机和最近的数字摄像机以及能够产生图像的其他装置。彩色成像系统也已经经历了重大的改进,并日益普及。对彩色成像系统可以进行校准,以便提高不同图象处理算法(例如,亮度估计、颜色校正等)的精确度,还提高最后再现的精确度颜色精确度。
例如,由于产品允差或设计方差缘故,即使配置相同的成像系统也可能彼此不同。参见图1,其中表示对应于同一产品的两百台数字摄像机的相对响应度与波长的关系的图形表示。图1图解说明分别用带条4、6和8表示的采样摄像机的蓝、绿和红传感器响应度的波动。图中示出的带条的宽度说明相应的摄像机之间波动的大小,尽管这些摄像机在结构上包括相同的部件。
一种色彩校准技术使用反射图。反射图可以用来迅速地校准摄像机,而且它们是相对地廉价的。但是,利用反射图实现的校准用于摄像机可能不够精确。另一方面,单色仪可以产生彩色成像系统,包括摄像机非常精确的校准。但是,采用单色仪的校准程序可能要花费相对较长的时间来完成,而且所述装置昂贵。
本公开的至少某些方面涉及改善了的校准系统和方法。
概要
按照某些方面,描述了示范性成像装置的校准方法、成像装置校准仪表、成像装置和制品。
按照一个实施例,成像装置校准方法包括:发射用于成像装置校准的光;提供所述光的发射特性;利用所述成像装置的图像传感器检测所述光;产生表示利用所述图像传感器的检测结果的传感器数据;以及利用所述产生的传感器数据和用于校准所述成像装置的发射特性确定所述成像装置的至少一种光学特性,其中所述至少一种光学特性对应于用来检测所述光的成像装置。
按照另一个实施例,成像装置校准仪表包括:配置成发射具有多个不同光谱功率分布的光的光源;配置成利用成像装置校准仪表向待校准的成像装置提供光的光学接口;以及处理电路,它配置成自动控制所述光源的光发射,以便能够校准所述成像装置。
描述其它一些实施例,如从以下讨论看到的。
附图说明
图1是成像系统的采样响应度的图形表示。
图2是按照示范性实施例的示范性校准仪表和成像装置的说明性表示。
图3是按照一个实施例的校准仪表的电路的功能框图。
图4是按照一个实施例的成像装置的电路的功能框图。
图5是按照一个实施例的校准仪表的光学接口的说明性表示。
图6是按照一个实施例的从所述光学接口发射的光的辐射度与波长的关系的图形表示。
图7是表示按照一个实施例的示范性成像装置校准方法的流程图。
图8a是表示按照一个实施例的示范性数据采集的流程图。
图8b是表示按照另一个实施例的示范性数据采集的流程图。
图9是表示按照一个实施例的示范性数据处理的流程图。
图10是比较几种示范性校准技术的图形表示。
图11是利用麦克贝斯(Macbeth)图表校准技术比较估计的和实测的相对响应度的图形表示。
图12是利用MacbethDC图表校准技术比较估计的和实测的相对响应度的图形表示。
图13是按照一个实施例的利用辐射校准仪表比较估计的和实测的相对响应度的图形表示。
详细说明
本公开的至少某些方面提供允许快速和精确地校准成像装置的设备和方法。在一个实施例中,可以测量成像装置的光学特性,诸如响应度函数和/或转导函数,以便确定关联的成像装置是如何响应输入光信号的。所述确定的光学特性可以用来校准相应的成像装置。按照示范性实现方案,采用辐射光源而不是反射装置来确定光学特性,而且它使实时快速的和相对廉价的校准成像装置(例如,在一条装配线上)成为可能。
参见图2,图中示出按照一个实施例的成像系统10。所描绘的成像系统10包括示范性成像装置校准仪表12和成像装置14。仪表12至少在一个实施例中可以称作辐射校准仪表,其中仪表12的一个或多个光源发射光,所述光用于实现校准数据的确定和装置14的校准。
在至少一个实施例中,校准仪表12用来提供可以用来校准成像装置14的校准数据。在这里描述的至少某些实施例中,校准仪表12可以与成像装置14协力工作,以便提供校准数据。在示范性实施例中,校准数据包括相应的成像装置14的光学特性,诸如响应度和/或转导函数。校准数据可以用来校准用来获得校准数据的单独的相应的装置14。例如,可以定制成像装置14的图象处理算法,以便改善其成像操作,包括成像装置14产生所捕获的景色的悦目的和忠实的图像的能力。
在图解说明的系统中,成像装置14包括彩色数字摄像机。成像装置14的配置成响应所接收的图像而产生图像数据的其它各种配置(例如,扫描仪、彩色复印机、彩色多功能外围设备等)也是可能的。
再次参见校准仪表12,所描绘的示范性实施例包括光源20、光随机性发生器22和光漫射器24。为了便于讨论,以分解视图的形式示出示范性部件20、22、24。在校准仪表12的典型实现方案中,部件20、22、24是彼此相对密封的,以防止周围的光线进入仪表12。还可以设置校准仪表12的处理电路来控制校准操作,如下面就图3的示范性电路讨论的。
光源20可以以不同的配置的形式被包括在校准仪表12的不同的实施例中。另外,在不同的实施例中,还可以这样控制光源20,以便同时和/或顺序地发射不同的光。不同的光包括不同的发射特性,诸如不同的波长、强度或光谱功率分布的光。
例如,所描绘的光源20的配置包括多个区域26,它们逐一地配置成发射具有不同于其它区域26的波长和/或强度的光。因此,在图2校准仪表12的实施例中,各区域26中的至少一些区域的光可以既在空间上又在光谱上与其它区域26的光分开。在某些实施例中,可以同时发射具有不同波长和/或强度的光。在其他实施例中(下面将描述其中的一些实施例),可以顺序地发射具有不同波长和/或强度的光。
各区域26中一些单独的区域可以包括一个或多个发光器件(未示出)。示范性发光器件包括窄带器件,与宽带反射斑点相比,所述窄带器件提供提高的精确度。在示范性实施例中,区域26的发光器件包括发光二极管(LED)和激光器。可以利用区域26的发光器件的其它配置。在一个示例中,各单独的区域26包括各发光器件的3×3正方形,这些发光器件配置成发射同样波长和强度的光。
在所描绘的示范性实施例中,光随机性发生器22包括与光源20的各区域26中相应的一些区域对应的多个空心管。在所描述的配置中,光随机性发生器22配置成对于各区域26中相对于漫射器24的单独的一些区域呈现基本上均匀的光。光随机性发生器的这些管子的内表面可以具有相对明亮的白色无光泽表面。光随机性发生器22的其它配置也是可能的。例如,在下面描述的具有单一光发射区域的仪表12的至少一个其它实施例中,光随机性发生器22可以包括单个空心管。
光漫射器24包括光学接口27,光学接口27配置成对于区域26的相对于用于校准操作的成像装置14的一些单独的区域(以及下面讨论的光学接口27的一些相应的区域28)呈现基本上均匀的光。除所图解说明的光漫射器24之外,光学接口27的其它配置可以用来向成像装置14输出光。示范性光漫射器24包括半透明的聚丙烯构件。所图解说明的示范性光漫射器24配置成输出与光源20所发射的光对应的光。例如,所描绘的示范性光学接口27包括与光源20的相应的各区域26对应的多个区域28。在其他实施例中,可以设置或多或少的区域28,与所设置的光源20的区域26的数目对应。在至少一个实施例中,光学随机化器22和漫射器24提供与各区域28中相应的一些区域对应的并用于各区域28中单独的一些区域不同的光,在相应的区域28的整个面积上所述相应的光基本上是均匀的。在其它可能的实现方案中,可以在光源20和光随机性发生器22中间或在光随机性发生器22内实现另一种光漫射器。
在一个实施例中,光随机性发生器22包括基本上呈正方形的多个铝管,与光源20的各区域26对应。这些管可以各自具有在光源20和接口27之间的2.5英寸的长度和1英寸乘1英寸的正方形尺寸。这些管的内表面可以涂有白色涂层,诸如具有零件号ODM01-F01可从Gigahertz-Optik(公司)获得的材料OP DI.MA。漫射器24可以包括多片白色半透明的聚丙烯材料,可从Cyro Industries(公司)获得,零件号为020-4,尺寸为1英寸乘1英寸,包括各区域28中单独的一些区域并且各自都具有1/8英寸的厚度。其它配置或实施例也是可能的。
参见图3,图中示出校准仪表12的示范性电路30。所描绘的电路30包括通信接口32、处理电路34、存储电路36、光源20和光传感器38。在其他实施例中,可以设置较多、较少或替代的电路部件。
通信接口32配置成建立校准仪表12与外部装置的通信。通信接口32的示范性配置包括USB端口、串行或并行连接、IR接口、无线接口或能够进行单向或双向通信的任何其它配置。任何适当的数据都可以利用通信接口32传送。例如,如下面描述的,通信接口32可以用来发送光源20的一种或多种发射特性和/或待校准的相应的成像装置14的一个或多个所确定的光学特性。
在一个实施例中,处理电路34可以包括配置成实现所需的程序的电路。例如,可以以处理器或配置成执行可执行指令(包括例如软件和/或固件指令)的其它结构的形式来实现处理电路34。处理电路的其它示范性实施例包括硬件逻辑、PGA、FPGA、专用IC、状态机和/或其它结构。处理电路34的这些示例是为了图解说明而提出的,而其他配置是可能的。
处理电路34可以用来控制校准仪表12的操作。在一个实施例中,处理电路34配置成自动控制从仪表12发射光的定时(例如,控制所述定时,以便同时和/或顺序地从仪表12发射具有不同波长和/或强度的光)。在一个实施例中,处理电路34可以自动控制所述光的定时和发射,无需用户干预。
存储电路36配置成存储电子数据和/或程序,诸如可执行指令(例如,软件和/或固件)、校准数据或其它数字信息,并可以包括处理器可用介质。除上述校准数据以外,附加的示范性校准数据可以包括利用校准仪表12的光学接口27发射的光的一种或多种发射特性。如以下讨论的,示范性发射特性包括按照一个实施例的光学接口27发射的光的光谱功率分布(SPD)。光谱功率分布包括发射特性,包括所发射的光的波长和对应于相应的光波长的相关联的光强度。
在示范性实施例中,处理器可用介质包括任何制品,所述制品可以包含、存储或维持由包括处理电路的指令执行系统使用或与之相联系的程序、数据和/或数字信息。例如,示范性处理器可用介质可以包括任何一种物理介质,诸如电子、磁、光学、电磁的,红外线或半导体的介质。处理器可用介质中某些介质更具体的示例包括(但不限于)便携式计算机软磁盘,诸如软磁盘、zip disk、硬盘驱动器、随机访问存储器、只读存储器、闪存存储器、高速缓存存储器和/或能够存储程序、数据或其它数字信息的其它配置。
光源20可以配置成示范性装置,如上面所描述的。例如,在一个实施例中,光源20可以配置成发射不同波长和/或强度的光。不同波长和/或强度可以由多个区域26限定,如上面所描述的。在另一个实施例中,光源20配置成发射基本上恒定波长和/或强度的光,而在空间上隔开的设置在光源20下游并与区域26对应的多个滤光器可以用来提供任何不同的所需的波长和/或强度的光。在下面描述的另一个实施例中,光源20可以配置成利用单一区域顺序地发射不同的光。其它装置是可能的。
光传感器38与光源20光耦合并配置成接收从光源20发射的光。在一个示例中,以光电二极管的形式实现光传感器38,尽管其它配置也是可能的。在某些实施例中,可以在光随机性发生器24内设置一个或多个光传感器38(例如,在这里描述的一个示范性配置中,可以以单一空心管的形式在光随机性发生器22内设置一个光传感器38)。在具有多个区域26的其它配置中,光传感器38可以用学方法通过适当的光管(未示出),或其它配置与区域26光耦合并对应于所发射的具有不同波长和/或强度的光。
在一种配置中,光传感器38配置成监视用于校准仪表12的校准目的的所发射的光。例如,光源20的至少某些配置可以提供波长和/或强度随时间漂移的光。光传感器38可以用来监视所述光并向用户指示所述仪表12尚未校准和需要服务。例如,若不同波长的光的强度彼此相对改变,则校准仪表12可以被认为尚未校准。校准仪表12的示范性重新校准可以包括重新确定从光学接口27发射的光的发射特性(例如,光谱功率分布)。
参见图4,在示范性配置中以数字摄像机的形式图解说明成像装置14。如以前所指出的,成像装置14可以以其它配置实施,以便从景色产生图像或接收光。在所述图解说明的配置中,成像装置包括处理电路40、存储电路42、闪光管44、图像传感器46、滤光器48、光学部件50和通信接口52。
在一个实施例中,处理电路40可以类似于上述处理电路34那样实现,并包括配置成实现所需的程序的电路。处理电路的其它示范性实施例包括不同的和/或替换的硬件,以便控制成像装置14的操作(例如,控制闪光管44、光学部件50、数据采集和存储、图像数据的处理、与外部装置的通信和所需的任何其它操作)。处理电路40的这些示例是为了图解说明而提出的,而其他配置也是可能的。
在至少一个实施例中,存储电路42配置成存储电子数据(例如,图像数据)和/或程序,诸如可执行指令(例如,软件和/或固件),或其它数字信息,并可以包括类似于上面描述的存储电路36的处理器可用介质。
闪光管44包括配置成提供用于成像操作的光的光源。在所描述的实施例中,处理电路40控制闪光管44的操作。可以禁止闪光管44、单独使用闪光管44或者与其它外部光源(未示出)结合使用闪光管44。
图像传感器46配置成提供多个原始图像的图像数据。原始图像数据包括与由图像传感器46形成的原始图像的多个像素对应的数字数据。例如,在示范性RGB应用中,原始图像包括与各个像素处红、绿和蓝颜色对应的字节。其它实施例可以利用或提供其它颜色的信息。图像传感器46可以包括与像素对应的并配置成提供可用于产生图像的原始数字数据的多个光敏元件,诸如光电二极管。例如,在一个可能的配置中,图像传感器46可以包括排列成1600列乘1280行光敏元件(又称像素元件)的光栅。其它光栅配置是可能的。在示范性配置中,光敏元件可以逐一地包括电荷耦合装置(CCD)或CMOS器件。在一个具体示例中,图像传感器46可以在可从Foveon,Inc.(公司)获得的传感器配置中利用X3技术。
在图像传感器46的上游设置滤光器48,以便在由图像传感器46检测之前实现对由成像装置14接收的光的任何所需的滤光。例如,在一个实施例中,滤光器48可以除去由成像装置14接收的红外光。
光学部件50包括配置成聚焦并引导接收的光以便利用图像传感器46建立图像的适当的透镜和光圈。在一个实施例中,可以由处理电路40控制适当的电动机(未示出),以便实现所需的光学部件50的操纵。
通信接口52配置成建立成像装置14与外部装置(例如,校准仪表12)的通信。通信接口52的示范性配置包括USB端口、串行或并行连接、IR接口、无线接口或能够进行单向或双向通信的任何其它配置。通信接口52可以配置成与任何适当的数据耦合并与校准仪表12或其它外部装置的通信接口32交换数据。例如,可以利用通信接口52来接收光源20的一种或多种发射特性和/或相应的成像装置14的一个或多个已测定的光学特性。另外,接口52可以输出由图像传感器46产生的传感器数据和可以用来实现图象处理操作的数据,包括测定成像装置14的光学特性,如下面描述的。
参见图5,图中示出光学接口27的示范性配置。所描绘的光学接口27对应于图2中所示的校准仪表12的实施例并包括具有不同波长和/或强度的不同的光的多个区域28。
在图解说明的配置中,光学接口27包括彩色区域的多行60和白色区域的单行62。另外,在光学接口27的其他实施例中,可以提供其它波长和/或强度的区域。
各彩色区域行60提供具有不同波长的光的多个区域28。例如,在所描绘的实施例中,行60包括从紫外光(375nm)起到红外光(725nm)波长以25nm增量顺序地增大的各区域28,提供在空间上和光谱上隔开的光。在图解说明的示例中,行62包括具有同样相对光谱功率分布,而在强度上增大的多个区域W1-W5。对于区域W1-W5中各相应的区域,白色斑点的相对强度可以是0.01、0.03、0.10、0.30和1。
按照图5的示范性实施例,发光器件的数目和/或所述发光器件的驱动电流可以在各区域28之间改变,以便提供发射光的所需的光谱功率分布。在其他实施例中,其它配置是可能的。
在一个实施例中,图5的区域28的编号从左到右顺序地为1至15,从顶行开始每一行持续至底行。示范性发光器件可以包括LED,可从Roither Lasertechnik(公司)获得的,并且对于各区域28具有以下零件号:(1)380D30,5)HUBG-5102L,(13)ELD-670,(14)ELD-700-534和(15)ELD-720-534。剩余的示范性发光器件可以包括可从American Opto(公司)获得的LED,而且对于各区域28具有以下零件号:(2)L513SUV,(3)L513SBC-430NM,(4)L513NBC,(6)L513NBGC,(7)L513NPGC,(8)L513UGC,(9)L513NYC-E,(10)L513UOC,(11)L513NEC,(12)L513TURC,和(W1-W5)L513NWC。
在所述示例中,对于行60的所有区域28驱动电流可以是常数(例如,18-20mA),而每区域28发光器件的数目按照以下改变:(1)4,(2)1,(3)14,(4)2,(5)4,(6)3,(7)1,(8)27,(9)3,(10)2,(11)1,(12)2,(13)2,(14)2,和(15)1。行62的各个区域28的发光器件的数目可以是一样的(例如,四个),并可以使用于下示范性驱动电流:对于各个区域28W1-W5为0.2,0.6,2,6和20mA。上述示例是为了图解说明而提出的,而其他配置或变动也是可能的。
如下面进一步描述的,图5所示的包括变化的波长和/或强度的各区域28的光学接口27的使用使同时确定成像装置14的响应度和转导函数成为可能,例如,通过使装置14单次曝光在利用成像装置14从光学接口27发射的光之下。光学接口27的其它配置是可能的,如这里所讨论的,(例如,设置光学接口,其中只有波长或强度是在区域26之间改变的;提供只带有单个发射区域的光学接口,用于顺序地发射同样波长和/或强度的光;等等)。
由校准仪表12提供不同的波长的光可以用来确定成像装置14的响应度函数。在图5图解说明的光学接口27的实施例中,由于行60的空间上和光谱上隔开的各区域26的缘故,行60的多个区域可以同时发射光,以便通过借助于成像装置14单次曝光在所述光之下来确定响应度函数。
参见图6,可以将通过光学接口27的光发射(亦即,由成像装置14接收的)最佳化,以方便确定正在校准的成像装置14的响应度函数。图6的图形表示图解说明光源20所发射的并且在光学接口27的区域28处提供的光的光谱功率分布,所述光谱功率分布方便成像装置14的响应度分析。所述光谱功率分布包括图5中描绘的光学接口27的区域28的示范性辐射度值,沿着x-轴从左到右增大波长。
如上所述,对于各个区域26光源20的发光器件的数目可以是改变的,以提供不同的强度。在另一个实施例中,对于各个区域26发光器件的数目可以是相同的,而各个区域26的发光器件的驱动电流可以是改变的,以便提供所需的强度。其它装置可以用来提供所需的光谱功率分布。在一个实施例中,在仪表12本身的校准过程中,可以这样选择强度,以便逼近图6中描绘的示范性光谱功率分布。一旦确定了各区域26的发光器件的适当的驱动电流(或其它配置参数),便可以校准仪表12,以便利用所确定的驱动电流或参数驱动这些发光器件。在一个实施例中,可以利用相同的驱动电流驱动各区域26的发光器件,而同时,用于驱动不同区域26的光发射装置的驱动电流可以是不同的。除了改变发光器件的数目和/或各个区域26的驱动电流之外,如上所述,在其他实施例中可以使用其它配置。
另外,可以在校准仪表12之后确定利用驱动电流在光学接口27发射的光的光谱功率分布。在一个示例中,可以利用光谱辐射计测量光学接口27发射的光的光谱功率分布。可以利用存储电路36或其它适当的电路把校准仪表12的实测光谱功率分布作为校准仪表12的发射特性存储,并随后在一个或多个成像装置14的校准操作过程中加以利用。可以在仪表12的重新校准过程中确定新的驱动电流和/或光谱功率分布。
也可以提供发射特性并将其针对行62各个区域28加以存储。如以前所指出的,至少一些区域28可以配置成在给定光波长的情况下改变光的强度(例如,行62的这些区域)。可以把与对应于区域28的光强度有关的数据作为发射特性存储,以便随后在一个或多个成像装置14的校准中使用。所述强度数据也可以从来自行62内区域28的光的光谱功率分布提取。
参见图7,图中示出利用校准仪表12实现成像装置14校准的示范性方法。包括较多、较少或替代步骤的其它方法也是可能的。
在步骤S1,提供具有光源的校准仪表12的实施例,连同从光源发射的光的至少一种发射特性。
在步骤S2,把待校准的成像装置14与校准仪表12对准。
在步骤S3,使成像装置14的图像传感器46曝光在光源所发射的光之下。
在步骤S4,图像传感器46检测所述光,并产生表示由所述图像传感器46进行的检测的传感器数据。
在步骤S5,适当的处理电路利用所述发射特性和所述传感器数据确定成像装置14的光学特性。所述光学特性可以用来校准成像装置14。对于其它成像装置14可以重复图7的示范性方法。
参见图8a,流程图图解说明在校准相关的成像装置14过程中,利用参照图2描述的校准仪表12进行的数据采集的示范性方法。
在步骤S10,将待校准的成像装置对齐,以便接收从校准仪表12的光学接口发射的光。一旦对齐,便控制校准仪表12的光源20,以便在光学接口27的区域28发射光。成像装置14配置成使光学接口27处于焦点位置,并将图像传感器46曝光在来自校准仪表12的光之下(例如,拍摄像片)以便接收从光学接口27发射的光。
在步骤S12,图像传感器46响应在步骤S10中进行的曝光而产生传感器数据。在一个实施例中,图像传感器46的各个像素配置成提供包括RGB值的传感器数据。图像传感器46的像素位置可以对应于光学接口27的区域28。因此,可以识别对应于各区域28中一些单独的区域的图像传感器46的多个像素。在一个实施例中,可以利用处理电路34,40或其它所需的电路求来自对应于各个单独的区域28的一些单独的像素的RGB值的平均值,以便提供每一个区域28的单一的平均的RGB值。按照一个实施例,包括平均的RGB值的传感器数据可以用来校准成像装置14,如下面描述的。
下面就校准仪表12的另一个实施例描述数据采集操作。按照刚才描述的另一个实施例的校准仪表12包括光学接口,所述光学接口具有单个区域(未示出),所处单个区域用于输出校准成像装置14的光。例如,与上面所描述的按照区域26排列不同波长和/或强度的发光器件的情况相反,可以在所述光学接口的区域的整个面积的各处分布具有不同波长或强度的光源的发光器件。
在一个实施例中,对于所述光学接口的区域的整个面积,所述光源的发光器件要求提供基本上均匀的光分布。在一个可能的实现方案中,可以把所述各发光器件中包括20种不同波长或强度的一些单独的发光器件按照行和列顺序地设置成彼此相邻,以便在光学接口的整个面积上对于一些单独的波长在强度上提供基本上均匀的光发射。发光器件的其它分布模式也是可能的。
在一个运行实施例中,可以仅仅控制具有公共波长或强度的各发光器件,以便在任何给定瞬间按时发射光。按照本实施例,可以控制第一光波长的光的发光器件以便在所述区域的整个面积上发射基本上均匀的相应的光。此后,顺序地逐一地控制剩余波长的发光器件,以便顺序地发射各自波长的光,提供所发射的光的在时间上和光谱上的隔离。此后,若有的话,可以将给定波长的具有不同强度的发光器件逐一地配置成顺序地发射光,以便使下面进一步描述的转导校准操作成为可能。因此,在一个实施例中,可以将各自波长或强度的发光器件顺序地配置成发射各自的光。更具体地说,可以顺序地控制具有公用波长的发光器件,以便从375nm开始进展至725nm逐一地发射光,接着从以下的发光器件光发射的:所述发光器件配置成提供公用波长和从W1至W5改变的强度的光。在一个实施例中,对于光的波长375nm-725nm和光强度W1-W5中的每一个,成像装置14可以检测发射的光。然后由成像装置14提供每一个波长和强度的光的传感器数据。
参见图8b,描述按照上面描述的第二实施例的示范性数据采集操作,所述实施例具有光学接口27,光学接口27带有提供顺序地发射的不同光的单一区域。
在步骤S20,控制校准仪表以便发射具有单一波长的光。将待校准的成像装置的图像传感器相对于所述发射的光曝光。
在步骤S22,可以利用处理电路34、40或其它所需的电路从所述图像传感器的像素传感器数据确定各自波长的平均RGB值。
此后,处理可以返回步骤S20,此时所述仪表控制下一个波长的光的发射,以便能够利用成像装置14产生各自波长的传感器数据。可以重复图8b的处理,以便在所描述的实施例中提供许多利用所述校准仪表发射的光的不同波长或强度的平均RGB值。
提供上面描述的实施例,是为了图解说明实现成像装置校准操作的示范性数据采集技术。在其他实施例中,可以使用其它数据采集方法和/或设备。
参见图9,继采集之后加工所采集的数据,以确定所述成像装置14的校准数据。按照一个实施例,示范性处理包括确定校准数据,包括关于相应的成像装置14的光学特性(例如,响应度和/或转导函数)。如上所述,处理电路34、40和/或其它适当的处理电路可以执行数据采集操作。类似地,处理电路34、40和/或其它适当的处理电路可以用来处理所采集的数据,例如,如图9所示。另外,数据采集和处理可以由同一或不同的处理电路完成。
在图9的图解说明示范性处理中,确定光学特性,包括成像装置14的响应度和转导函数。在其他实施例中,只确定成像装置14的响应度或转导函数中的一个,和/或可供选择的特性。另外,可以确定成像装置14校准用的附加光学特性或其它信息。例如,可以由适当的处理电路34、40或其它处理电路(未示出)进一步加工响应度和/或转导函数。例如,可以从所述响应度和转导函数推算颜色校正矩阵、亮度估计矩阵和/或其它信息。
步骤S30-S34图解说明用于确定成像装置14的响应度函数的示范性处理。
步骤S40-S44图解说明用于确定成像装置14的转导函数的示范性处理。可以按照其它配置(未示出)利用其它处理。
在步骤S30,在所描述的实施例中,从图像传感器46获得的包括行60的各个区域28的上述平均RGB值的传感器数据,可以定义矩阵r。
在步骤S32,包括这些区域28的光谱功率分布(SPD)的发射特性,在所描述的实施例中可以定义矩阵S。
在所描述的示例中,在步骤S34可以利用矩阵r、S和方程式R=pinv(ST)rT确定响应度函数R。
在所述图解说明的示例中,可以与响应度函数的确定平行地确定转导函数。
参见步骤S40,在所描述的实施例中,来自图像传感器46的包括行62各个区域28的平均RGB值的传感器数据可以定义矩阵rw。
在步骤S42,所述发射特性包括这些区域28的光谱功率分布,在所描述的实施例中可以定义矩阵Sw。
在步骤S44,在所描述的示例中可以利用矩阵rw、Sw求解转导函数g(x)->g(1TSw)=rw。
上面图9描述的方法可以用来确定相应的成像装置14中相应的单独的一些成像装置的一种或多种光学特性,所述相应的单独的一些成像装置提供表示相应的成像装置14的电路的传感器数据,并且相应地,可以针对待校准成像装置14中一些单独的成像装置执行上面描述的过程,以便确定相应的装置14的适当的一种或多种光学特性。在其他实施例中,上面图9描述的方法是示范性的,可以使用其他处理或方法来确定成像装置14的响应度和/或转导函数或其它光学特性。
一旦确定,所述光学特性便可以用来校准相应的成像装置14。例如,光学特性包括转导函数,可以用来提高相应的成像装置14的图象处理算法的精确度(例如,亮度估计和颜色校正),还提高最后的颜色再现精确度。
如这里在一个实施例中描述的,所述示范性设备和/或方法可以用来确定成像装置14的部件是否有缺陷(例如,传感器46、滤光器48等)。例如,也可以利用上面讨论的并配置成发射红外线或其它光的校准仪表12监测相应的成像装置14除去红外线或其它光的能力。例如,若由相应的成像装置14响应从校准仪表12的光学接口27发射的光产生的传感器数据(和包括红外线或其它所需的光)表示所接收的光包括所发射的红外线或没有被滤光器48除去的其他光,则可以把成像装置14的配置成除去某些光(例如,红外线)的滤光器识别为有缺陷。
在一个实施例中,若所述光学特性是利用校准仪表12的处理电路34(或成像装置14以外的其它处理电路)确定的,则可以把所确定的光学特性传送到实现适当的校准的相应的成像装置14。或者,成像装置14的处理电路40可以确定相应的装置14的光学特性。在另一个实施例中,所述校准可以在成像装置14以外利用所确定的光学特性进行,而且随后可以把所校准的图象处理算法提供给相应的成像装置14。在又一个实施例中,成像装置14的处理电路40可以配置成利用(例如,内部或外部)所确定的光学特性来在所述成像装置14内部实现校准。总而言之,任何适当的处理电路都可以配置成产生相应的成像装置14用的一种或多种光学特性,而同一或其它处理电路可以利用所述一种或多种光学特性来实现所述校准。
参见图10,图中示出不同校准方法的奇异值分解的图形表示,包括这里描述的示范性辐射方面,与反射斑点(Macbeth和Macbeth DC)和单色仪的使用相比。
利用图2和这里描述的示范性辐射校准仪表12进行的相对较高的和恒定的奇异值分解,类似于用单色仪达到的结果,并大大地超过用Macbeth和Macbeth DC反射斑点所达到的结果,其中所述各曲线不是常数并具有相对较快地减小的斜率。所述校准方法的精确度取决于所述反射斑点或所述发光器件在光谱上如何彼此相关。较强相关的斑点或发光器件产生精确度较低的校准。情况是这样,因为校准技术反转图像形成方程式,来计算所述摄像机的响应度函数。当反转在光谱上相关的斑点或发光器件时,得出摄像机响应度函数的噪音估计。斑点的反射率函数的奇异值或发光器件的光谱功率分布表示给定方法的精确度。大于0.01(小于此值可以看作是噪音)的奇异值越多,所述方法越精确(例如,见图10)。基本上,奇异值的数目表示斑点颜色的数目或对所得校准有所贡献的发光器件的数目。
另外,关于图11-13,图中相对于利用单色仪实测的曲线,逐一地示出利用Macbeth反射斑点(图11)、Macbeth DC反射斑点(图12)和图2的示范性辐射校准仪表12(图13),确定可从Nikon(公司)获得的D1数字摄像机的示范性相对响应度。从图11-13的比较中可以清楚看出,与使用反射斑点(例如,Macbeth和MacbethDC)相比,图2给定的校准仪表12所确定的相对响应度的精确度较高。
表1把利用反射图、图2的校准仪表12和单色仪的各种校准程序进行比较。对于给定的成像装置14,图2的校准仪表12提供最短的校准时间(亦即,略短于反射图),而且不要求像反射图一样的外部光源的均匀性,比单色仪短几小时(亦即,在图2的配置中,颜色可以是在空间上测量,而不是像单色仪一样在时间上测量)。在所比较的装置中,校准仪表12具有最短的校准时间,因为不要求外部光源均匀(例如,示范性仪表12本身发射所需的光)。
表1
反射图 | 校准仪表 | 单色仪 |
1.利用周围光源均匀地照射所述图表。2.拍摄图表的像片3.运行软件进行校准。 | 1.接通所述装置2.拍摄所述装置的像片。3.运行软件进行校准 | 1.把单色仪设定到指定的波长和频带宽度。2.拍摄从单色仪发出的光的像片。3.测量离开所述单色仪的光的功率电平。4.对可见光谱的每一个波长重复步骤1-35.运行软件进行标校准。 |
表2比较配置成实现上面描述的3种标校准方法的装置的近似成本。
表2
反射图 | 校准仪表 | 单色仪 |
$50-$350(零售) | $200-$400(估计零售) | $5,000-$20,000(零售) |
表3比较3种方法和装置(包括图12的校准仪表)的奇异值的数目。校准仪表12的其它实施例,根据需要,可以包括或多或少的光的波长和/或强度。例如,上述仪表12的实施例包括20种类型的不同的光。在其他实施例中,在多个区域上,或按照其它适当的方案,可以顺序地使用任何适当的数目的不同类型的光(波长和/或强度)。
表3
反射图 | 校准仪表 | 单色仪 |
大约4 | 15-20(取决于辐射光源的数目) | >50 |
反射图因为它们具有宽带高度相关的斑点颜色,所以只贡献大约4个可以用于校准的测量值。这对于校准包括摄像机的成像装置14一般是不合适的。另一方面,单色仪产生超过50个校准测量值,因为它一般使用窄带光源。因而,单色仪产生提高了精确度的校准结果,但是校准时间相对较长,而且成本相对高昂。图2的示范性校准仪表12具有相关联的15-20个测量值,例如,对于典型成像装置14(例如,数字摄像机)产生更适当的校准结果,但是它没有单色仪的成本和校准时间长的问题,或像反射斑点那样利用外部照明配合使用。
因此,本公开的至少某些方面为快速、精确和相对廉价地确定和校准成像装置14的响应度和转导函数作好准备,并且可以在至少一个实现方案中用来在生产线上校准成像装置。如上面讨论的,由于传感器和/或颜色滤光片制造上的波动,同一型号的或利用同一部件类型的成像装置14可以有不同的响应度和转导函数。这里描述的校准仪表12可以用来确定装置14的光学特性,并在成像装置14发运至用户或商人以前校准装置14。相对快速的和精确的校准可以在总体上改善逐一地校准的成像装置14的彩色再现质量。
在这里讨论的校准仪表12或方法也可以由专业或产销(prosumer)摄影师用来校准高端成像装置14。相信这样的校准会在总体上改善由这样校准过的成像装置14产生所得的图像的彩色再现质量。至少某些这样的校准方面可以把注意力集中在更专业的市场,因为某些校准方面采用来自成像装置14的原始图像数据,而且一般原始图像数据是由为这些市场开发的成像装置14提供的。
要寻求保护的不限于所公开的实施例,它们只是以举例方式给出的,而代之以,它们只受后附权利要求书的范围的限制。
Claims (10)
1.一种成像装置校准方法包括:
发射用于校准成像装置(14)的光;
提供所述光的发射特性;
利用所述成像装置(14)的图像传感器(46)检测所述光;
产生表示利用所述图像传感器(46)的检测结果的传感器数据;以及
利用所述产生的传感器数据和所述发射特性确定用于校准所述成像装置(14)的所述成像装置(14)的至少一种光学特性;并且其中所述至少一种光学特性对应于用来检测所述光的所述成像装置(14)。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述至少一种发射特性包括所述光的光谱功率分布。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中发射所述光的所述步骤包括:利用多个发光器件同时发射不同的光;以及所述确定步骤包括利用所述同时发射的光确定包括响应度和转导的所述至少一种光学特性。
4.如权利要求1、2或3所述的方法,其中所述确定步骤是在所述成像装置(14)的外部进行的并且还包括把所述至少一种光学特性传送到所述成像装置(14)。
5.如权利要求1、2或3所述的方法,其中所述确定步骤包括利用所述成像装置(14)进行确定。
6.一种成像装置校准仪表(12)包括:
光源(20),它配置成发射具有多个不同光谱功率分布的光;
光学接口(27),它配置成利用所述成像装置校准仪表(12)向待校准的成像装置(14)提供所述光;以及
处理电路(34),它配置成自动控制从所述光源(20)的所述光发射,以便能够校准所述成像装置(14)。
7.如权利要求6所述的仪表,其中所述处理电路(34)配置成自动控制所述发射而无需用户干预。
8.如权利要求6或7所述的仪表,其中所述处理电路(34)配置成自动控制从所述光源(20)的所述光发射的定时。
9.如权利要求6、7或8所述的仪表,其中所述光学接口(27)包括多个区域28,所述多个区域28包括不同波长的光。
10.如权利要求6、7、8或9所述的仪表,其中所述光学接口(27)包括多个区域28,所述多个区域28包括相同波长而不同强度的光。
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