CN1941100A - 动态写入策略修正方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种动态写入策略修正方法和装置。该方法包括：根据多个预设写入策略将数据写入至一盘片上，每一预设写入策略对应一型样组合；暂停写入，并测量已写数据所对应的型样组合的一品质指标；根据该品质指标，调整该型样组合的预设写入策略，以产生多个修正写入策略；及以修正的写入策略写入对应的型样组合。通过本发明，根据短型样组合(至少大于3T，当应用于蓝光技术时可至2T)的一测量结果来修正型样相关参数、以及与型样无关的参数(如写入功率)，因此能充分提高数据的写入品质。

Description

动态写入策略修正方法及装置
技术领域
本发明涉及写入策略修正，且特别涉及动态写入策略修正方法及装置。
背景技术
写入策略的好坏将是影响光驱的数据写入品质的重要因素。光驱中通常具有一写入策略表，以储存多组写入策略。在将数据写入光盘的前，光驱将根据光盘识别码(Manufacture ID，MID)，从写入策略表中选出一特定写入策略。然而，在写入数据期间，光盘识别码对应的特定写入策略并非持续为最佳的写入策略。主要原因有：(a)光盘的内圈及外圈的材料特性不同；(b)不同盘片制造商或不同种类的光盘片却使用相同光盘识别码；(c)机构倾斜或光学读取头的发光效率在光盘内圈和外圈是不一样的；(d)由环境温度造成的写入策略变异；以及(e)来自于光驱驱动IC及光盘读写头的变异。由于以上种种原因，将造成制式的写入策略将不符合动态的写入环境需求，因此在写入期间，需要一动态写入策略修正方法以修正制式的写入策略。某些用以提升数据写入品质的动态写入策略修正方法已被揭示，例如：于写入过程期间，光驱停写入，并确认写入品质，然后根据该写入品质修正写入策略。然而，如何根据该写入品质以修正写入策略则从未被提及。
发明内容
本发明提供一种动态写入策略修正方法，包括：
根据多个预设写入策略将数据写入至一光盘上，每一预设写入策略对应一型样组合(pattern combination)；
停止写入及测量已写数据所对应的型样组合的一品质指标；
根据该品质指标，调整所述型样组合的预设写入策略，以产生多个修正写入策略；以修正的写入策略写入数据。
根据该方法，所述品质指标从包括一平均长度误差值、一平均上升边缘误差值、一平均下降边缘误差值、一内部校验码错误率(PI error rate)、及一时基误差值(jitter value)的群组中选出。
根据该方法，所述预设写入策略及修正写入策略间的一上升时间差Tdiff，对应于所述平均上升边缘误差值ofs_top，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_top+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
根据该方法，所述预设写入策略及修正写入策略间的一下降时间差Tdiff，对应于所述平均下降边缘误差值ofs_last，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_last+Y，
其中X及Y为可调的变量。
根据该方法，所述型样组合为一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)组合，而且为一短型样组合，其中该短型样的长度包含3T、4T和5T；其中，T为一个时脉周期。
根据该方法，根据多个预设写入策略将数据写入光盘之后，还包括：
选择该写入策略的一选择参数；
决定该选择参数的多个值；
根据该选择参数的所述值所对应的写入策略来写入数据。
根据该方法，所述修正写入策略通过选择一最佳品质指标所对应的选择参数的一最佳值而产生。
根据该方法，还包括：
根据所述选择参数的所述值所对应的写入策略而将数据写入光盘，每笔不同值的写入策略的写入，交错一预设写入策略的写入。
根据该方法，所述写入策略的选择参数包括：一上升时间、一下降时间、一写入功率、一增强功率比、一粗略延迟、及一缓和时间。
本发明还提供一种用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，该系统具有一读写头以将数据写入光盘，该装置包括一写入激光控制单元、一测量单元以及一写入策略发展单元；其中，
所述写入激光控制单元，用以根据多个预设写入策略控制所述读写头以将数据写入，其中各预设写入策略对应至一型样组合(pattern combination)；及停止写入，并控制该读写头以读取数据。
测量单元，用以测量已写数据所对应的型样组合的一品质指标。
写入策略发展单元，用以根据该品质指标调整所述型样组合的预设写入策略，以产生多个修正写入策略。其中，所述写入激光控制单元并根据修正的写入策略写入数据。
根据该装置，所述品质指标从包括一平均长度误差值、一平均上升边缘误差值、一平均下降边缘误差值、一内部校验码错误率(PI error rate)、及一时基误差值(jitter value)的群组中选出。
根据该装置，所述预设写入策略及修正写入策略间的一上升时间差Tdiff，对应于所述平均上升边缘误差值ofs_top，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_top+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
根据该装置，所述预设写入策略及修正写入策略间的一下降时间差Tdiff，对应于所述平均下降边缘误差值ofs_last，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_last+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
根据该装置，所述型样组合为一「平面，凹洞」(Land，Pit)或「凹洞，平面」(Pit，Land)组合，而且为一短型样组合，其中短型样包含3T、4T及5T的型样；其中，T为一个时脉周期。
根据该装置，所述写入激光控制单元还包括：
选择所述写入策略的一选择参数；
决定该选择参数的多值；
根据该选择参数的所述值所对应的写入策略来写入数据。
根据该装置，所述修正写入策略通过所述写入策略发展单元选择一最佳品质指标所对应的选择参数的一最佳值而产生。
根据该装置，所述写入激光控制单元还包括：
根据所述选择参数的所述值所对应的写入策略而将数据写入光盘，每笔不同值的写入，交错一预设写入策略的写入。
根据该装置，所述写入策略的选择参数包括：一上升时间、一下降时间、一写入功率、一增强功率比、一粗略延迟、及一缓和时间。
本发明的动态写入策略修正方法，根据短型样组合(至少大于3T，当应用于蓝光技术时可至2T)的一测量结果来修正型样相关参数、以及与型样无关的参数(如写入功率)，因此能充分提高数据的写入品质。
附图说明
图1为显示本发明一实施例的一光盘写入系统方框图；
图2为显示理想RF信号、处理后的RF信号、及该写入策略的波形图；
图3为显示依据本发明第一实施例的动态写入策略修正方法流程图；
图4为将一写入数据依据本发明第二实施例的动态写入策略修改方法而写入至光盘的示意图；
图5为显示依据本发明第二实施例的动态写入策略修正方法流程图；
图6为将一写入数据依据本发明第三实施例的动态写入策略修改方法而写入至光盘的示意图；
图7为显示依据本发明第三实施例的动态写入策略修正方法流程图。
主要组件符号说明：
110：数据段；               120：另一数据段；
800：光盘写入系统；         810：盘片；
820：读写头；               830：测量单元；
840：写入策略发展单元；     850：写入激光控制单元。
具体实施方式
本发明详细叙述提供如下。
将数据写入至一盘片上的写入策略包括了多参数。一些是与型样(pattern)相关，一些则与型样无关。与型样相关参数包括：上升及下降时间；与型样无关参数包括：写入功率、增强功率比(OverDrive power ratio，ODpower ration)、粗略延迟、及缓和时间(cooling time)。于写入期间，这些参数并非总是最佳参数而需要被修正。详细叙述提供如下。
请参考图1，为显示依据本发明第一实施例的一光盘写入系统800方框图。光盘写入系统800包括：一盘片810、一读写头(PUH)820、一测量单元830、一写入策略发展单元840、及一写入激光控制单元850。盘片810为一可写的记录媒介，例如：DVD+-RW/DVD+-R。于写入期间，测量单元830根据读写头820的回馈信号测量写入数据的品质而产生一品质指标。写入策略发展单元840根据该品质指标选择一最佳参数，并且修正一预设写入策略WXR_I(图中未标示)，以产生一修正的写入策略WXR_II(图中未标示)。写入激光控制单元850，根据所述修正写入策略而控制读写头PUH 820，以将数据写入盘片810。于该光盘写入系统800中，将重复上述的写入策略修正程序直到完成所有数据写入为止。
本实施例的写入策略修正方法，修正了用以在光盘片810上写入各种平面/凹洞(Land/Pit)型样组合的写入控制脉冲中的部分型样相关参数(例如：上升及下降时间)。该光盘写入系统800，根据一写入策略WXR_I，将一数据段110(例如：正常数据或测试型样)写入至该盘片810。并于一既定位置P1暂停写入，接着移动读取头以读取该数据段110而获得一处理后的RF信号RF_I(Sliced RF signal或称EFMI)。分析此RF信号可获得一品质指标，可据以修正该写入策略WXR_I(例如：上升及下降时间)。最后根据一修正的写入策略WXR_II，从之前中断写入点，即既定位置P1，继续将另一段数据120写入至该盘片810。于是由该数据120所读回的片段RF信号RF_II相似于一理想RF信号RF_IDEAL。接下来将详细描述写入策略修正程序。
请参考图2。图2是显示一特定型样组合(m平面，n凹洞)的该理想RF信号RF_IDEAL、处理后的RF信号RF_I和RF_II、以及该写入策略WXR_I和WXR_II的波形图，其中变量m及n均为正整数。该型样组合可为(m凹洞，n平面)或(m平面，n凹洞)。请注意各型样组合包括至少大于3T的型样，而3T～5T的型样一般较常见。当应用于蓝光技术方面时，2T型样也应该被包括。换句话说，并非需要测量所有型样组合的误差，不过，至少需要测量短型样的组合(如3T～5T)。其中，T为一个时脉周期，当光驱中读写头读取光盘上一个平面或凹洞所代表的数据信号时，会经过不定长度的时脉周期，在红光技术每一个平面或凹洞为3T到14T，一般将3T到5T的平面或凹洞称为短T，蓝光技术的则可短至2T。比较该理想RF信号RF_IDEAL与处理后的RF信号RF_I，于一上升边缘具有一边缘误差Ofs_top_I，而于一下降边缘具有另一边缘误差Ofs_last_I。为了补偿这些差异，将利用修正后的写入策略WXR_II以取代该写入策略WXR_I。修正之后，比较该理想信号RF_IDEAL与根据修正后的写入策略WXR_II写入数据而读回的处理后的RF信号RF_II，该上升边缘差Ofs_top_II以及下降边缘差Ofs_last_II均为0。换言之，该片段RF信号RF_II几乎等于理想信号RF_IDEAL。
以上升边缘的补偿为例，一上升时间Ttop_I被修正为另一上升时间Ttop_II。该上升时间Ttop_II被决定如下：
Ttop_II-Ttop_I＝Tdiff＝X*ofs_top+Y，
其中，X及Y为可调的变量。为了提高实验准确性，请注意须重复测量该边缘误差以得到一平均边缘误差。值得注意的是，除了该平均边缘误差之外，本发明也可使用一平均长度误差、于上升及下降边缘的边缘误差、内部校验码(PI)错误率、或DC(Data-to-Clock；数据对时脉)/DD(Data-to-Data；实际数据对理想数据)时基误差(jitter)作为该品质指标以修正该写入策略。
请同时参考图1、图2及图3。图3为显示依据本发明第一实施例的动态写入策略修正方法流程图。详细描述提供如下。
步骤302：开始将数据写入光盘。
步骤304：于位置P1暂停写入。
步骤306：测量一特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型样组合对应的一品质指标，例如：平均长度误差、上升及下降边缘的边缘误差、PI错误、或DC/DD时基误差，作为特定(平面，凹洞)或(凹洞，平面)的型样组合。
步骤308：若该品质指标超过一临界值，进行步骤310；不然则进入步骤312；
步骤310：修正所述型样组合所对应的写入策略。
步骤312：用修正的写入策略于P1恢复写入后续数据。
请参考图4。图4为将一写入数据400依据本发明第二实施例的动态写入策略修改方法而写入至光盘810的示意图。本实施例的写入策略修正方法是用以修正一些与型样无关的参数，例如：写入功率、增强功率(OverDrive Power，OD Power)、粗略延迟以及缓和时间等。首先一光盘写入系统800根据一写入策略WXR_I，将数据段410(例如：正常数据或测试型样)写入至盘片810。并于一既定位置P2暂停写入，接着移动读取头以读取该数据段110而获得一处理后的RF信号RF_I。分析此RF信号可获得一品质指标，可据以修正该写入策略WXR_I。再根据一修正后的写入策略WXR_II，从P2继续将另一段数据420写入至盘片810。接下来将详细描述上述写入策略修正程序。
以该增强功率(OD)为例，当将数据410写入时，首先该光盘写入系统利用一预设OD功率比OD_DEFAULT将该数据410写入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分别将多个短数据412、413、414、415、416写入。将所述短数据(412～416)写入后，该光盘写入系统于P2暂停写入并从所述短数据(412～416)读回时基误差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后从这些时基误差(J_1～J_5)中找出最小值。举例来说，若该时基误差J_3为最小，接着该光盘写入系统决定使用相对应的OD功率比OD_3来取代预设OD功率比OD_DEFAULT。换句话说，该光盘写入系统利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P2继续将该数据420写入。值得注意的是，除了该时基误差之外，本发明也使用一些其它品质指标，例如：平均边缘误差、平均长度误差、上升及下降边缘的边缘误差、PI错误、或DC/DD时基误差等，以修正该写入策略。
请同时参考图4及图5。图5为显示依据本发明第二实施例的动态写入策略修正方法流程图。详细描述提供如下。
步骤502：开始将数据写入光盘。
步骤504：利用一预设策略WXR_I将数据写入光盘。
步骤506：准备一选择参数的多个值(例如：OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步骤508：利用该选择参数的不同值(OD_1～OD_5)分别将多笔短数据(412～416)写入。
步骤510：暂停并移动读写头以分别测量写入所述短数据(412～416)的一品质指标(例如：时基误差)。
步骤512：选择对应于该最佳品质指标(例如：一最小时基误差)的一最佳参数值。
步骤514：根据该最佳参数以修正该预设策略WXR_I，并且利用该修正写入策略WXR_II继续写入数据。
步骤516：若写入完成，进行步骤518；不然则进入步骤506。
步骤518：停止写入。
请参考图6。图6为将一写入数据600依据本发明第三实施例的动态写入策略修改方法而写入至光盘810的示意图。类似于第二实施例，第三实施例的写入策略修正方法修正一些与型样无关的参数(例如：写入功率、增强功率、粗略延迟、缓和时间)。首先光盘写入系统800根据一写入策略WXR_I，将多个数据610～650写入至该盘片。在位置P7将数据650写入之后，该系统暂停写入，并且由所述数据610～650读回多个RF信号，以修正该写入策略WXR_I，然后根据一新写入策略WXR_II，从P7继续将另一段数据660写入该盘片，其中WXR_II为WXR_I的修正写入策略。写入策略修正的详细描述提供如下。
以修正增强功率(OD)此一参数为例，当依序将所述数据610～650写入时，该光盘写入系统利用一预设OD功率比OD_DEFAULT将数据611、621、631、641、及651写入，并且利用不同OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5，分别将多个短数据612、622、632、642、652写入。将数据650写入后，该光盘写入系统于P7暂停写入，以从所述短数据(612、622、632、642、652)读回该时基误差J_1、J_2、J_3、J_4、J_5，然后从这些时基误差(J_1～J_5)中找出最小值。举例来说，若该时基误差J_3为最小，接着该光盘写入系统决定使用相对应的OD功率比OD_3来取代预设OD功率比OD_DEFAULT。换句话说，该光盘写入系统利用修正的OD功率比，即相等于OD_3，于P7继续将该数据660写入。值得注意的是，除了该时基误差之外，本发明也使用一些其它品质指标，例如：平均边缘误差、平均长度误差、上升及下降边缘的边缘误差、PI错误、或DC/DD时基误差等，以修正该写入策略。
请同时参考图6及图7。图7为显示依据本发明第三实施例的动态写入策略修正方法流程图。详细描述提供如下。
步骤702：开始将数据写入光盘。
步骤704：利用一预设策略WXR_I将数据写入光盘。
步骤706：准备一选择参数的多个值(例如：OD功率比OD_1、OD_2、OD_3、OD_4、OD_5)。
步骤708：通过选择一之前未被利用的选择参数以将一短数据写入。
步骤710：暂停并移动读写头以分别测量该短数据的一品质指标(例如：时基误差)。
步骤712：该选择参数的全部值是否被选择用来将各自分散的多笔短数据写入？若是，进入步骤718；不然则进入步骤714。
步骤714：将一标准数据写入。
步骤716：等待一既定时间或一既定写入长度。
步骤718：根据该最佳品质指标(例如：一最小时基误差)而选择该选择参数的一最佳值。
步骤720：根据该选择参数的最佳值来修正该预设策略，并且于P7利用该修正写入策略继续写入。
步骤722：若写入完成，进行步骤724；不然则进入步骤706。
步骤724：停止写入。
本发明的动态写入策略修正方法根据短型样组合(至少大于3T，当应用于蓝光技术时可至2T)的一测量结果来修正型样相关参数，以及与型样无关的参数(如写入功率)，因此能充分提高数据的写入品质。
上述实施例仅用于说明本发明，而非用于限定本发明。

Claims (18)

1.一种动态写入策略修正方法，其特征在于，包括：
根据多个预设写入策略将数据写入至一盘片上，每一预设写入策略对应一型样组合；
暂停写入，并测量已写数据所对应的型样组合的一品质指标；
根据该品质指标，调整该型样组合的预设写入策略，以产生多个修正写入策略；及
以修正的写入策略写入对应的型样组合。
2.如权利要求1所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述品质指标从包括一平均长度误差值、一平均上升边缘误差值、一平均下降边缘误差值、一内部校验码错误率、及一时基误差值的群组中选出。
3.如权利要求2所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述预设写入策略及修正写入策略间的一上升时间差Tdiff，对应于所述平均上升边缘误差值ofs_top，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_top+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
4.如权利要求2所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述预设写入策略及修正写入策略间的一下降时间差Tdiff，对应于所述平均下降边缘误差值ofs_last，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_last+Y，
其中X及Y为可调的变量。
5.如权利要求1所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述型样组合为一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」组合，而且为一短型样组合，其中该短型样的长度包含3T、4T和5T；其中，T为一个时脉周期。
6.如权利要求1所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，根据多个预设写入策略将数据写入光盘之后，还包括：
选择该写入策略的一选择参数；
决定该选择参数的多个值；
根据该选择参数的所述值所对应的写入策略来写入数据。
7.如权利要求6所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述修正写入策略通过选择一最佳品质指标所对应的选择参数的一最佳值而产生。
8.如权利要求6所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，还包括：
根据所述选择参数的所述值所对应的写入策略而将数据写入光盘，每笔不同值的写入策略的写入，交错一预设写入策略的写入。
9.如权利要求1所述的动态写入策略修正方法，其特征在于，所述写入策略的选择参数包括：一上升时间、一下降时间、一写入功率、一增强功率比、一粗略延迟、及一缓和时间。
10.一种用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，该系统具有一读写头以将数据写入光盘，该装置包括：
一写入激光控制单元，用以根据多个预设写入策略控制所述读写头以将数据写入，其中各预设写入策略对应至一型样组合；及
暂停写入，并控制该读写头以读取数据；
一测量单元，用以测量已写数据所对应的型样组合的一品质指标；及
一写入策略发展单元，根据该品质指标调整所述型样组合的预设写入策略，以产生多个修正写入策略；
其中，该写入激光控制单元并根据修正的写入策略写入数据。
11.如权利要求10所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述品质指标从包括一平均长度误差值、一平均上升边缘误差值、一平均下降边缘误差值、一内部校验码错误率、及一时基误差值的群组中选出。
12.如权利要求11所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述预设写入策略及修正写入策略间的一上升时间差Tdiff，对应于所述平均上升边缘误差值ofs_top，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_top+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
13.如权利要求11所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述预设写入策略及修正写入策略间的一下降时间差Tdiff，对应于所述平均下降边缘误差值ofs_last，被表示如下：
Tdiff＝X*ofs_last+Y，
其中，X及Y为可调的变量。
14.如权利要求10所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述型样组合为一「平面，凹洞」或「凹洞，平面」组合，而且为一短型样组合，其中短型样包含3T、4T及5T的型样；其中，T为一个时脉周期。
15.如权利要求10所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述写入激光控制单元还包括：
选择所述写入策略的一选择参数；
决定该选择参数的多值；
根据该选择参数的所述值所对应的写入策略来写入数据。
16.如权利要求15所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述修正写入策略通过所述写入策略发展单元选择一最佳品质指标所对应的选择参数的一最佳值而产生。
17.如权利要求15所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述写入激光控制单元还包括：
根据所述选择参数的所述值所对应的写入策略而将数据写入光盘，每笔不同值的写入，交错一预设写入策略的写入。
18.如权利要求10所述的用于光盘写入系统的动态写入策略修正装置，其特征在于，所述写入策略的选择参数包括：一上升时间、一下降时间、一写入功率、一增强功率比、一粗略延迟、及一缓和时间。
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