CN1940127A - 防止被溅镀物品变形的方法 - Google Patents
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Abstract
一种防止被溅镀物品变形的方法,其中,该被溅镀物品包括一易变形区域及一不易变形区域,且于易变形区域外遮覆有一防护装置,且该被溅镀物品于一反应室内加以溅镀,该反应室呈中空状,惰性气体从反应室外以某一流量进入反应室内,且该反应室内的顶部固定一靶材,而该方法包括以下步骤:加速惰性气体,令其朝着靶材的方向撞击;当惰性气体撞击靶材表面后,并伴随产生靶材原子及二次电子;靶材原子接触被溅镀物品的表面后便形成一镀膜层;二次电子接触被溅物品的不易变形区域及防护装置的表面后发生热效应,仅有少量二次电子穿过防护装置并到达被溅镀物品的易变形区域。如此便可减少二次电子对易变形区域的热效应作用,从而防止被溅镀物品的变形。
Description
【技术领域】
本发明是一种防止被溅镀物品变形的方法,特别是一种通过减少二次电子热效应以防止被溅镀物品变形的方法。
【背景技术】
请参阅图1所示,为利用现有溅镀设备进行溅镀处理的使用状态图。该溅镀设备包括一反应室10’,该反应室10’呈中空状,惰性气体从反应室10’外以某一流量进入反应室10’内,且该反应室10’内的顶部固定一靶材20’,当惰性气体在电磁场作用下作加速运动并撞击到该靶材20’时,会伴随产生靶材原子及二次电子,而该反应室10’的底部设有一传送装置(图未示),该传送装置用以传送一被溅镀物品30’,其中,该被溅镀物品30’通过一溅镀治具40’加以固定与遮护。
请参阅图2所示,为利用现有溅镀设备进行溅镀处理的流程图。首先,将被溅镀物品30’固定于溅镀治具40’中(步骤101);然后,将装载有被溅镀物品30’的溅镀治具40’由传送装置的一端送入反应室10’内(步骤102);传送装置不断移动,该被溅镀物品30’也会随着传送装置于反应室10’内不断移动,溅镀处理开始(步骤103),溅镀处理时,可令靶材20’上所产生的靶材原子吸附于被溅镀物品30’上的需溅镀区域,而令靶材20’上所产生的靶材原子遮挡于被溅镀物品30’上的不需溅镀区域;溅镀处理后,被溅镀物品30’由传送装置移出反应室10’外(步骤104);最后,从溅镀治具40’内取出被溅镀物品30’(步骤105)。
由于靶材20’产生的二次电子会产生热效应,当被溅镀物品30’具不规则形状(例如,其部分区域材质较厚,而部分区域材质较薄),较厚区域在吸收一定的二次电子后不易变形,而较薄区域在吸收同等的二次电子后则容易变形,利用现有溅镀设备对不规则形状的被溅镀物品30’进行溅镀处理时,会导致被溅镀物品30’的变形。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种通过减少二次电子热效应以防止被溅镀物品变形的方法。
为达上述目的,本发明提供一种防止被溅镀物品变形的方法,其中,该被溅镀物品包括一易变形区域及一不易变形区域,且于易变形区域外遮覆有一防护装置,且该被溅镀物品于一反应室内加以溅镀,该反应室呈中空状,惰性气体从反应室外以某一流量进入反应室内,且该反应室内的顶部固定一靶材,而该方法包括以下步骤:在电磁场作用下加速惰性气体,令其朝着靶材的方向撞击;当惰性气体撞击靶材表面后,并伴随产生靶材原子及二次电子,且靶材原子及二次电子会朝着被溅镀物品的方向飞射;靶材原子接触被溅镀物品的表面后便形成一镀膜层;二次电子接触被溅物品的不易变形区域及防护装置的表面后发生热效应,仅有少量二次电子穿过防护装置并到达被溅镀物品的易变形区域。
相较于现有技术,本发明在被溅镀物品的易变形区域加入了防护装置进行遮覆,令原本入射至易变形区域的大量二次电子被防护装置所吸收,减少了二次电子对易变形区域的热效应作用,从而防止被溅镀物品的变形。
【附图说明】
图1为利用现有溅镀设备进行溅镀处理的使用状态图。
图2为利用现有溅镀设备进行溅镀处理的流程图。
图3为本发明利用溅镀设备进行溅镀处理的使用状态图。
图4为本发明防止被溅镀物品变形的方法的流程图。
图5为图4中溅镀处理的具体流程图。
【具体实施方式】
请参阅图3所示,为本发明利用溅镀设备进行溅镀处理的使用状态图。该溅镀设备包括一反应室10,该反应室10呈中空状,惰性气体从反应室10外以某一流量进入反应室10内,且该反应室10内的顶部固定一靶材20,当该靶材20被加速运动的惰性气体撞击时,会产生靶材原子及二次电子,而该反应室10的底部设有一传送装置(图未示),该传送装置用以传送一被溅镀物品30,且该被溅镀物品30包括一易变形区域301及不易变形区域302,于本实施例中,该易变形区域301为较薄的区域。且该被溅镀物品30通过一溅镀治具40加以固定与遮护,而该溅镀治具40上设有一防护装置50,且该防护装置50可吸收二次电子,于本实施例中,该防护装置50设于该溅镀治具40的侧缘。
请参阅图4所示,为本发明防止被溅镀物品变形的方法的流程图。首先,将被溅镀物品30固定于溅镀治具40中(步骤201);然后,将防护装置50固定于溅镀治具40上,且该防护装置50遮覆于该易变形区域301(步骤202);接着,将装载有被溅镀物品30的溅镀治具40由传送装置的一端送入反应室10内(步骤203);传送装置不断移动,该被溅镀物品30也会随着传送装置于反应室10内不断移动,即可在反应室10内进行溅镀处理(步骤204);溅镀处理后,被溅镀物品30由传送装置移出反应室10外(步骤205);最后,从溅镀治具40内取出被溅镀物品30(步骤206)。
请参阅图5所示,溅镀处理开始后,在电磁场作用下加速反应室10内的惰性气体(于本实施例中,惰性气体作螺旋状加速运动)(步骤301),令其朝着靶材20的方向撞击;当惰性气体撞击靶材20表面后,并伴随产生靶材原子及二次电子(步骤302),且靶材原子及二次电子会朝着被溅镀物品30的方向飞射;其中,靶材原子接触被溅镀物品30的表面后便形成一镀膜层(步骤303);二次电子接触被溅物品30的不易变形区域302及防护装置50的表面后发生热效应(即被吸收),仅有少量二次电子穿过防护装置50并到达被溅镀物品30的易变形区域301(步骤304),其中,可根据实际需要设置防护装置50的形状与结构,以调整防护装置50所吸收的二次电子与自防护装置50穿过的二次电子的比例,总之,在不影响溅镀质量的前提下,尽可能减少自防护装置50穿过的二次电子,以确保被溅镀物品30的易变形区域301不会因二次电子的热效应而发生变形。
Claims (6)
1.一种防止被溅镀物品变形的方法,其中,该被溅镀物品包括一易变形区域及一不易变形区域,且于易变形区域外遮覆有一防护装置,且该被溅镀物品于一反应室内加以溅镀,该反应室呈中空状,惰性气体从反应室外以某一流量进入反应室内,且该反应室内的顶部固定一靶材,其特征在于,该方法包括以下步骤:
在电磁场作用下加速惰性气体,令其朝着靶材的方向撞击;
当惰性气体撞击靶材表面后,并伴随产生靶材原子及二次电子,且靶材原子及二次电子会朝着被溅镀物品的方向飞射;
靶材原子接触被溅镀物品的表面后便形成一镀膜层;
二次电子接触被溅物品的不易变形区域及防护装置的表面后发生热效应,仅有少量二次电子穿过防护装置并到达被溅镀物品的易变形区域。
2.根据权利要求1所述的防止被溅镀物品变形的方法,其特征在于:被溅镀物品被送入一反应室前,还包括以下步骤,将被溅镀物品固定于一溅镀治具中;然后,将防护装置固定于该溅镀治具上,且该防护装置遮覆于该易变形区域。
3.根据权利要求2所述的防止被溅镀物品变形的方法,其特征在于:该防护装置设于该溅镀治具的侧缘。
4.根据权利要求2所述的防止被溅镀物品变形的方法,其特征在于:该反应室的底部设有一传送装置,装载有被溅镀物品的溅镀治具由传送装置的一端送入反应室内。
5.根据权利要求4所述的防止被溅镀物品变形的方法,其特征在于:溅镀处理后,还包括以下步骤,被溅镀物品由传送装置移出反应室外;再从溅镀治具内取出被溅镀物品。
6.根据权利要求1所述的防止被溅镀物品变形的方法,其特征在于:惰性气体作螺旋状加速运动。
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CN 200510094710 CN1940127A (zh) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 防止被溅镀物品变形的方法 |
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CN103572244A (zh) * | 2012-07-19 | 2014-02-12 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 |
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2005
- 2005-09-30 CN CN 200510094710 patent/CN1940127A/zh active Pending
Cited By (2)
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CN103572244A (zh) * | 2012-07-19 | 2014-02-12 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 |
CN103572244B (zh) * | 2012-07-19 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 |
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