CN1918642A - 用于从多层光盘再现信号的设备 - Google Patents

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Abstract

一种光拾取设备，用于将光照射在具有两个记录层的光盘上，并且检测来自光盘的反射光，包括：光源；光学系统，位于从光盘返回的光束的路径上，该光束包含由光盘的第一记录层反射的光、以及由光盘的第二记录层反射的光，该光学系统包括聚光光学单元，用于将返回光束变成会聚光束，并且包括光束调节单元，用于从会聚光束提取与会聚光束的横截面的一部分相对应的部分光束；以及一个或多个光电检测器，位于包含在部分光束中的由第一记录层反射的光所会聚的位置、与包含在部分光束中的由第二记录层反射的光所会聚的位置之间，所述一个或多个光电检测器具有检测由第一记录层反射的光的第一光电检测区、以及检测由第二记录层反射的光的第二光电检测区。

Description

用于从多层光盘再现信号的设备
技术领域
本发明一般涉及光拾取设备和光盘设备。本发明特别涉及一种光拾取设备，其将光束照射在具有两个记录层的光盘上，以从光盘接收反射光，并涉及一种光盘设备，在信息的记录、再现和擦除之中，其至少执行从具有两个记录层的光盘的信息再现。
背景技术
随着最近数字技术的发展和数据压缩技术的改进，作为用于记录诸如音乐、电影、照片、计算机软件等(以下也被称为“内容”)的信息的记录介质，诸如DVD(数字通用盘)的光盘已经引起关注。随着光盘价格下降，使用光盘作为信息记录介质的光盘设备已经在市场上普及。
内容信息的大小趋向于逐年增加，这导致期望进一步增加光盘的记录容量。作为增加光盘记录容量的手段，可以将记录层制成多层结构。关于具有多个记录层的光盘(以下也被称为多层盘)、以及关于用于访问这样的多层盘的光盘设备，正在进行广泛的开发。
在多层盘中，由于球面像差的影响，记录层之间的宽间隙可能导致从所选记录层再现的信号恶化。因此，存在使记录层之间的间隙变窄的倾向。然而，随着记录层之间的间隙变窄，发生层间串扰，以致从多层盘返回的光束最终不仅包括来自所选记录层的反射光(以下被称为信号光)，而且还包括来自不同于所选记录层的其它记录层的大量反射光(以下被称为异常光)。因此，再现信号的信噪比可能恶化。
有鉴于此，已经开发了这样的装置，其用于减小在从多层盘再现时的层间串扰(例如，专利文献1到专利文献3)。
然而，在专利文献1到专利文献3中公开的设备允许信号光和异常光在到达光电检测装置的光电检测表面之前相互干扰。这导致相对于各个光电检测装置的接收光量的波动，这可能导致再现信号的信噪比的下降。
[专利文献1]日本专利脎申请公布No.2001-273640
[专利文献2]日本专利申请公布No.10-11786
[专利文献3]国际专利申请公布No.WO96/20473
因此，需要这样的光拾取设备，即，当反射光分量来自光盘的两个记录层时，其可以以足够的精度将反射光分量相互分离。
另外需要这样的光盘设备，即，当从具有两个记录层的光盘获得信息时，其可以以足够的精度再现信息。
发明内容
本发明的一般目的是提供一种光拾取设备和光盘设备，其基本上避免由于相关技术的局限性和缺点而引起的一个或多个问题。
本发明的特征和优点将在下面描述中加以介绍，并且部分地从本描述和附图中将会变得清楚，或者可以根据在本描述中提供的教导、通过本发明的实施来了解。通过在说明书中具体指出的光拾取设备和光盘设备，将会实现和获得本发明的目的以及其它特征和优点，其中本说明书如此完整、清楚、简明和准确，以致本领域的普通技术人员能够实施本发明。
为了实现根据本发明目的的这些以及其它优点，本发明提供了一种光拾取设备，用于将光照射在具有两个记录层的光盘上，并且用于检测来自光盘的反射光。该光盘设备包括：光源；光学系统，位于从光盘返回的光束的路径上，该光束包含由光盘的第一记录层反射的光、以及由光盘的第二记录层反射的光，该光学系统包括聚光光学单元，用于将返回光束变成会聚光束，以及光束调节单元，用于从会聚光束提取与会聚光束的横截面(cross section)的一部分相对应的部分光束；以及一个或多个光电检测器，位于包含在部分光束中的由第一记录层反射的光所会聚的位置、与包含在部分光束中的由第二记录层反射的光所会聚的位置之间，该一个或多个光电检测器具有用于检测由第一记录层反射的光的第一光电检测区、以及用于检测由第二记录层反射的光的第二光电检测区。
根据至少一个实施例，将从光源发射的光束照射在具有两个记录层(第一记录层和第二记录层)的光盘上，并且包含由第一记录层反射的光和由第二记录层反射的光的返回光束进入聚光单元。聚光单元将返回光变成会聚光束。然后，由一个或多个光电检测器检测作为会聚光束的一部分的部分光束。该一个或多个光电检测器位于包含在部分光束中的由第一记录层反射的光的聚光点、与包含在部分光束中的由第二记录层反射的光的聚光位置之间，并且具有第一光电检测区，用于检测由第一记录层反射的光，以及第二光电检测区，用于检测由第二记录层反射的光。在这种条件下，彼此分开地获得由第一记录层反射的光和由第二记录层反射的光，而没有相互干扰。这实现了从光盘的两个记录层传播的反射光束的高精度分离。
根据本发明的另一方面，该光束调节单元是分光单元，其被配置成将会聚光束分裂成多个光束，该部分光束对应于该多个光束中的至少一个。
根据本发明的另一方面，该多个光束包括第一光束和第二光束，并且该一个或多个光电检测器包括：第一光电检测器，其具有用于检测包含在第一光束中的由第一记录层反射的光的光电检测区、以及用于检测包含在第一光束中的由第二记录层反射的光的光电检测区；以及第二光电检测器，具有用于检测包含在第二光束中的由第一记录层反射的光的光电检测区、以及用于检测包含在第二光束中的由第二记录层反射的光的光电检测区。
根据本发明的另一方面，该分光单元是分光棱镜。
根据本发明的另一方面，该分光单元是具有第一全息区域和第二全息区域的全息单元(hologram)，该第一光束是由第一全息区域产生的衍射，并且该第二光束是由第二全息区域产生的衍射。
根据本发明的另一方面，所述第一光束和第二光束是不同级(order)的衍射。
根据本发明的另一方面，所述第一全息区域和第二全息区域具有各自不同的透镜功能。
根据本发明的另一方面，所述第一光束和第二光束是相同级的衍射。
根据本发明的另一方面，光源、分光单元、以及所述一个或多个光电检测器被放置在单个外壳中，并且被配置成单个封装。
根据本发明的另一方面，还提供了驱动单元，其被配置成在聚光单元的光轴方向上驱动聚光单元。
根据本发明的另一方面，还提供了驱动单元，其被配置成在关于该一个或多个光电检测器的光电检测表面的光轴方向上，驱动该一个或多个光电检测器。
根据本发明的另一方面，还提供了光电装置，其具有响应于外加电压而改变的折射率，该光电装置位于从聚光单元传播的会聚光束的路径上。
根据本发明的另一方面，一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备，包括：如上所述的光拾取设备；信号获得单元，被配置成响应于光拾取设备的输出信号，而从光盘的两个记录层中的所选一个获得信号；以及再现单元，被配置成基于由信号获得单元获得的信号而再现信息。
该光盘设备装备有如上所述的光拾取设备，使得信号获得单元可以容易地从两个记录层中所选的一个获得信号，因而使再现单元以足够的精度再现记录在两个记录层中的所选一个内的信息。也就是，以令人满意的精度成功地执行从具有两个记录层的光盘的信息再现。
根据本发明的另一方面，该信号获得单元被配置成在光拾取设备的输出信号之中选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号。
根据本发明的另一方面，该信号获得单元被配置成从光拾取设备的输出信号减去与两个记录层中的另一个相对应的信号分量。
根据本发明的另一方面，一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备包括：如上所述的具有驱动单元的光拾取设备；驱动控制单元，被配置成响应于表示选择两个记录层中的哪个以便再现的信号，控制驱动单元；信号选择单元，被配置成在光拾取设备的输出信号之中，选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号；以及再现单元，被配置成基于由信号选择单元获得的信号而再现信息。
上述光盘设备装备有具有驱动单元的光拾取设备，并且该驱动控制单元根据选择两个记录层中的哪个以便再现来控制该驱动单元。这使得信号选择单元能够在光拾取设备的输出信号之中容易地选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号。结果，再现单元可以以足够的精度再现记录在两个记录层中的所选一个内的信息。也就是，以令人满意的精度成功地执行从具有两个记录层的光盘的信息再现。
根据本发明的另一方面，一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备包括：具有光电装置的光拾取设备；切换单元，被配置成响应于表示选择两个记录层中的哪个以便再现的信号，而控制光电装置的折射率；信号选择单元，被配置成在光拾取设备的输出信号之中，选择仅仅包括来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号；以及再现单元，被配置成基于由信号选择单元选择的信号而再现信息。
上述光盘设备装备有具有光电装置的光拾取设备，并且该切换单元根据选择两个记录层中的哪个以便再现来控制光电装置的折射率。这使得信号选择单元能够在光拾取设备的输出信号之中容易地选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号。结果，再现单元可以以足够的精度再现记录在两个记录层中的所选一个内的信息。也就是，以令人满意的精度成功地执行从具有两个记录层的光盘的信息再现。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的光盘设备的示意性配置的图。
图2是示出光盘结构的示例的图。
图3A是示出光拾取设备的构造的示例的图。
图3B是示出光电检测器的光电检测表面的示例的图。
图4是示出PU控制电路的构造的示例的图。
图5A和5B分别是用于说明信号光和异常光的说明图。
图6A到6C分别是用于说明当所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图7A到7C分别是用于说明当所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图8是示出RF信号检测电路的构造的示例的图。
图9A到9C分别是用于说明当响应于所选记录层从记录层M0改变到记录层M1而不控制聚光透镜的位置时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图10是用于说明RF信号的CN比与中间层的厚度之间的关系的图。
图11是示出根据本发明的第二实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图12是示出供图11的光拾取设备使用的PU控制电路的构造的示例的框图。
图13A到13C分别是用于说明当相对于图11的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图14A到14C分别是用于说明当相对于图11的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图15是示出根据本发明的第三实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图16是示出供图15的光拾取设备使用的PU控制电路的构造的示例的框图。
图17A和17B分别是用于说明当相对于图15的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、以及由每个光电检测区域检测的信号光和异常光的说明图。
图18A和18B分别是用于说明当相对于图15的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、以及由每个光电检测区域检测的信号光和异常光的说明图。
图19A是示出根据本发明的第四实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图19B是用于说明图19A所示的光电检测器的图。
图20A到20C分别是用于说明当相对于图19A的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图21A到21C分别是用于说明当相对于图19A的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图22是示出供图19A的光拾取设备使用的RF信号检测电路的构造的示例的框图。
图23A到23C分别是用于说明当相对于图19A的光拾取设备、响应于所选记录层从记录层M0改变到记录层M1而不控制聚光透镜的位置时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图24是示出图19A所示的光拾取设备的变体的示例的图。
图25是示出根据本发明的第五实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图26是示出供图25的光拾取设备使用的PU控制电路的构造的示例的框图。
图27A到27C分别是用于说明当相对于图25的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图28A到28C分别是用于说明当相对于图25的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图29是示出供图25的光拾取设备使用的RF信号检测电路的构造的示例的框图。
图30是示出图29的RF信号检测电路的变体的图。
图31A是示出根据本发明的第六实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图31B是用于说明图31A所示的全息单元的图。
图32A到32C分别是用于说明当相对于图31A的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图33A到33C是用于说明当相对于图31A的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图34是示出供图31A的光拾取设备使用的RF信号检测电路的构造的示例的框图。
图35A到35C分别是用于说明当相对于图19A的光拾取设备、响应于所选记录层从记录层M0改变到记录层M1而不控制聚光透镜的位置时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图36A是示出根据本发明的第七实施例的光拾取设备的构造的示例的图。
图36B是用于说明图36A所示的全息单元的图。
图37A到37C分别是用于说明当相对于图36A的光拾取设备、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图38A到38C分别是用于说明当相对于图36A的光拾取设备、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、由每个光电检测区域检测的信号光和异常光、以及从各个光电检测区域输出的信号的说明图。
图39是示出供图36A的光拾取设备使用的RF信号检测电路的构造的示例的框图。
图40A和40B分别是用于说明当相对于图36A的光拾取设备的变体、所选记录层是记录层M0时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、以及由每个光电检测区域检测的信号光和异常光的说明图。
图41A和41B分别是用于说明当相对于图36A的光拾取设备的变体、所选记录层是记录层M1时，光电检测器的位置与信号光和异常光的聚光点之间的关系、以及由每个光电检测区域检测的信号光和异常光的说明图。
具体实施方式
在下面，将参考附图描述本发明的实施例。
[第一实施例]
将参考图1到图10描述本发明的第一实施例。图1是示出根据第一实施例的光盘设备20的示意性配置的图。
图1所示的光盘设备20包括用于旋转光盘15的主轴电机22、光拾取设备23、用于在滑架(sledge)方向上驱动光拾取设备23的寻道电机21、激光控制电路24、编码器25、伺服控制电路26、再现信号处理电路28、缓冲器RAM34、缓冲器管理器37、接口38、闪存39、CPU 40、以及RAM 41。图1所示的箭头仅仅示出了主要信号和信息项的流程，而不意欲表示块间的所有连接。
根据第一实施例，例如，光盘设备20被设计成与具有两个记录层的光盘相配。也就是，光盘15是双层盘。
图2是示出光盘15的结构的示例的图。如图2所示，光盘15从面对光拾取设备23的一面开始按照指定(named)顺序包括衬底L0、记录层M0(第一记录层)、中间层ML、记录层M1(第二记录层)、以及衬底L1。在每个记录层中，以螺旋形式形成轨道，并且沿着轨道记录信息。由硅、银、铝等制成的半透明薄膜MB0位于记录层M0和中间层ML之间。此外，由银、铝等制成的金属反射薄膜MB1被提供在记录层M1和衬底L1之间。作为示例，光盘15是双层可记录盘，并且被设计成适于具有波长660nm的光，如市场上可买到的DVD。
光拾取设备23将激光聚焦在从光盘15的两个记录层之中选择的记录层(以下被称为“所选记录层”)上，并且接收作为来自光盘15的反射光的光束。图3A是示出光拾取设备23的构造的示例的图。如图3A所示，光拾取设备23包括光源单元51、耦合透镜52、分束器54、物镜60、用作光学聚光装置的聚光透镜58、挡光片59、用作光检测器的光电检测器PD、用作在光轴方向上驱动聚光透镜58的装置的聚光透镜致动器AC1、以及用于驱动物镜60的物镜驱动系统(即，聚焦致动器AC2和跟踪致动器(未示出))。
通过使用这样的半导体激光器LD来实现光源单元51，其中半导体激光器LD用作发射具有660nm波长的激光的光源。根据第一实施例，从光源单元51发射的激光在+X方向具有最大强度。耦合透镜52位于光源单元51的+X侧，其中耦合透镜52将从光源单元51发射的光束变成平行光。
分束器54位于耦合透镜52的+X侧。分束器54让来自耦合透镜52的光束通过，并且分裂由光盘15反射的光束(返回光束)，以将其定向在-Z方向上。物镜60位于分束器54的+X侧，其中物镜60将通过分束器54的光束会聚到所选记录层上。
聚光透镜58被提供在分束器54的-Z侧，并且将由分束器54定向在-Z方向上的返回光束变成会聚光束。
挡光片59在聚光透镜58的光轴的+X侧，阻挡来自聚光透镜58的会聚光束。在聚光透镜58的光轴的-X侧的会聚光束作为检测用光束(会聚光束的一部分)，朝向光电检测器PD的光电检测表面传播。
图3B是示出光电检测器PD的光电检测表面的示例的图。如图3B所示，通过在与垂直于轨道切线的方向(即跟踪方向)相对应的方向上延伸的分界线BL，将光电检测器PD的光电检测表面划分成光电检测区域DA和光电检测区域DB。通过垂直于分界线BL的两条分界线，将光电检测区域DA进一步划分成三个光电检测子区域Da、Db和Dc。同样，通过垂直于分界线BL的两条分界线，将光电检测区域DB进一步划分成三个光电检测子区域Dd、De和Df。每个光电检测子区域响应于所接收的光量而生成光电(optoelectronic)转换信号。将所生成的光电转换信号提供给再现信号处理电路28。
聚焦致动器AC2用来在与物镜60的光轴相对应的聚焦方向上以微小节距驱动物镜60。跟踪致动器(未示出)用来在跟踪方向上以微小节距驱动物镜60。
再次参考图1，再现信号处理电路28包括I/V放大器28a、伺服信号检测电路28b、摆动信号检测电路28c、RF信号检测电路28d、以及解码器28e。
I/V放大器28a将来自光电检测器PD的光电转换信号转换成电压信号，并且以预定增益放大这些信号。在该示例中，将与来自光电检测子区域Da的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Va，将与来自光电检测子区域Db的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Vb，并且将与来自光电检测子区域Dc的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Vc。此外，将与来自光电检测子区域Dd的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Vd，将与来自光电检测子区域De的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Ve，并且将与来自光电检测子区域Df的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号表示成Vf。
如下面示出的方程式(1)所示，通过将信号Va、Vb和Vc相加而产生的信号(表示成VA)是与光电检测区域DA相对应的I/V放大器28a的输出信号。如下面示出的方程式(2)所示，通过将信号Vd、Ve和Vf相加而产生的信号(表示成VB)是与光电检测区域DB相对应的I/V放大器28a的输出信号。
VA＝Va+Vb+Vc    (1)
VB＝Vd+Ve+Vf    (2)
伺服信号检测电路28b基于I/V放大器28a的输出信号，而检测诸如聚焦误差信号和跟踪误差信号的伺服信号。将以这样的方式检测的伺服信号提供给伺服控制电路。
摆动信号检测电路28c基于I/V放大器28a的输出信号而检测摆动信号。RF信号检测电路28d基于I/V放大器28a的输出信号而检测RF信号。解码器28e从摆动信号提取地址信息和同步信号。将所提取的地址信息提供给CPU 40，并且将所提取的同步信号提供给编码器25。此外，解码器28e执行关于RF信号的解码处理和误差检测处理。一旦发现误差，解码器28e就执行纠错处理，并且通过缓冲器管理器37将再现数据存储在缓冲器RAM 34中。
伺服控制电路26包括PU控制电路26a、寻道电机控制电路26b、以及SP电机控制电路26c。
图4是示出PU控制电路26a的构造的示例的图。如图4所示，PU控制电路26a包括：聚焦ACT控制电路261，用于生成驱动聚焦致动器AC2的信号(为方便起见，以下被称为第一驱动信号)；跟踪ACT控制电路263，用于生成驱动跟踪致动器(未示出)的信号(为方便起见，以下被称为第二驱动信号)；以及聚光透镜ACT控制电路265，用于生成驱动聚光透镜致动器AC1的信号(为方便起见，以下被称为第三驱动信号)。
聚焦ACT控制电路261基于表示从CPU 40提供的所选记录层的记录层信号，生成第一驱动信号，以便将在聚焦方向上的物镜60的位置设置成与记录层M0相对应的位置(以下被称为第一透镜位置)、或与记录层M1相对应的位置(以下被称为第二透镜位置)。这用来将通过分束器54的光束会聚在所选记录层上。应当注意，当物镜60位于第二透镜位置时，物镜60和光盘15之间的间隙比在它位于第一透镜位置时更小(参见图5A和图5B)。
聚焦ACT控制电路261响应于聚焦误差信号而调整第一驱动信号，以便校正聚焦误差。这实现聚焦控制。
跟踪ACT控制电路263基于跟踪误差信号而生成第二驱动信号，以校正跟踪误差。这实现跟踪控制。
聚光透镜ACT控制电路265基于来自CPU 40的记录层信号而生成第三驱动信号，以将在聚光透镜58的光轴方向上的、聚光透镜58的位置设置成与记录层M0相对应的位置(以下被称为第一对应位置)、或与记录层M1相对应的位置(以下被称为第二对应位置)。后面将进一步给出第一对应位置和第二对应位置的描述。
参考图1，寻道电机控制电路26b响应于来自CPU 40的指令而生成用于驱动寻道电机21的信号。将以这样的方式生成的驱动信号提供给寻道电机21。
SP电机控制电路26c响应于来自CPU 40的指令而生成用于驱动主轴电机22的信号。将以这样的方式生成的驱动信号提供给主轴电机22。SP电机控制电路26c还调整用于驱动主轴电机22的信号，以便在再现或记录操作期间，主轴电机22的线速度(或角速度)保持为规定速度。
缓冲器RAM 34临时存储要被记录在光盘15上的数据(记录数据)、从光盘15再现的数据(再现数据)等。由缓冲器管理器37管理向/从缓冲器RAM 34的数据输入/输出。
编码器25响应于来自CPU 40的指令而检索通过缓冲器管理器37存储在缓冲器RAM 34中的记录数据。编码器25调制数据，添加纠错码等，从而生成要被提供给光盘15的写信号。将以这样的方式生成的写信号提供给激光控制电路24
激光控制电路24控制从半导体激光器LD发射的激光的功率。例如，在记录的时候，激光控制电路24基于用于记录写信号的条件、半导体激光器LD的发光特性等，生成用于驱动半导体激光器LD的信号。
接口38是与高级设备90(例如，个人计算机)通信的双向通信接口，并且遵循接口标准如ATAPI(AT附连分组接口)和SCSI(小型计算机系统接口)。在再现的时候，经由接口38将存储在缓冲器RAM 34中的再现数据逐扇区地提供给高级设备90。在记录的时候，经由接口38从高级设备90提供记录数据，以便通过缓冲器管理器37存储在缓冲器RAM 34中。
闪存39被构造成包括程序区域和数据区域。闪存39的程序区域存储有以可由CPU 40解码的代码编写的程序。闪存39的数据区域存储有重编码条件、半导体激光器LD的发光特性等。
CPU 40根据存储在闪存39的程序区域内的程序，而控制如上所述的各个部件的操作。CPU 40还将对于控制等所需的数据存储在RAM 41和缓冲器RAM 34中。
在下面，将给出从光盘15返回的光束的描述。
当所选记录层是记录层M0时，如用作非限制性示例的图5A所示，物镜60位于第一透镜位置。使用这个定位，由物镜60将从半导体激光器LD发射的光束会聚在记录层M0上。由半透明薄膜MB0反射的光束作为信号光进入物镜60。通过半透明薄膜MB0的光束由金属反射薄膜MB1反射，以作为异常光进入物镜60。
当所选记录层是记录层M1时，如用作非限制性示例的图5B所示，物镜60位于第二透镜位置。使用这个定位，由物镜60将从半导体激光器LD发射的光束会聚在记录层M1上。由金属反射薄膜MB1反射的光束作为信号光进入物镜60。由半透明薄膜MB0反射的光束作为异常光进入物镜60。
也就是，返回光束总是包括由半透明薄膜MB0反射的光束(以下也被称为第一反射光束)、以及由金属反射薄膜MB1反射的光束(以下也被称为第二反射光束)，而与记录层中的哪个是所选记录层无关。当所选记录层是记录层M0时，第一反射光束是信号光，并且第二反射光束是异常光。另一方面，当所选记录层是记录层M1时，第二反射光束是信号光，并且第一反射光束是异常光。因此，检测用光束还包括信号光分量和异常光分量。当再现信号处理电路28检测各种信号时，异常光分量导致信噪比下降，从而需要将包括在检测用光束内的信号光分量与异常光分量相分离。
半透明薄膜MB0和金属反射薄膜MB1在聚焦方向上间隔分开。因此，第一反射光束会聚的点(F1)与第二反射光束会聚的点(F2)不一致。也就是，这些点将在聚光透镜58的光轴方向上彼此间隔分开。在聚光点(F1)和聚光点(F2)之间，检测用光束在聚光透镜58的光轴的+X侧仅仅包括第二反射光束，并且在-X侧仅仅包括第一反射光束。
有鉴于此，将光电检测器PD以这样的位置(以下也被称为分离光电检测位置)布置在聚光点F1和聚光点F2之间，即，光电检测区域DA覆盖聚光透镜58的光轴的+X侧，并且光电检测区域DB覆盖-X侧。这使得有可能彼此分开地检测第一反射光束和第二反射光束。
然而，如图5A和5B所示，在所选记录层是记录层M0时和所选记录层是记录层M1时，物镜60和光盘15之间的距离不同。因此，聚光点F1和聚光点F2根据选定记录层是记录层M0还是记录层M1而改变。为了将光电检测器PD放置在分离光电检测位置，而不考虑记录层中的哪个是所选记录层，聚光透镜ACT控制电路265控制聚光透镜58的位置。如用作非限制性示例的图6A所示，聚光透镜58位于第一对应位置，使得当所选记录层是记录层M0时，将光电检测器PD定位在分离光电检测位置。如用作非限制性示例的图7A所示，聚光透镜58位于第二对应位置，使得当所选记录层是记录层M1时，将光电检测器PD定位在分离光电检测位置。
因此，当所选记录层是记录层M0时，光电检测器PD的光电检测区域DA检测异常光分量，并且光电检测区域DB检测信号光分量，如作为非限制性示例的图6B所示。也就是，信号VA是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量，并且信号VB是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量(参见图6C)。在图6C中，FE代表聚焦误差信号。
另一方面，当所选记录层是记录层M1时，光电检测器PD的光电检测区域DA检测信号光分量，并且光电检测区域DB检测异常光分量，如用作非限制性示例的图7B所示。也就是，信号VA是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VB是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图7C)。
图8是示出RF信号检测电路28d的构造的示例的图。如图8所示，RF信号检测电路28d包括转换开关281，其响应于从CPU 40提供的记录层信号Lsel而选择信号VB或信号VA，并且还包括操作电路282，其基于转换开关281的输出信号而获得RF信号。转换开关281在所选记录层是记录层M0时选择信号VB，并且在所选记录层是记录层M1时选择信号VA。在这种条件下，有可能以足够的精度获得RF信号。
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b基于I/V放大器28a的信号Vd和信号Vf之差而检测跟踪误差信号。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b基于I/V放大器28a的信号Va和信号Vc之差而检测跟踪误差信号。
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VB的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VA的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。
如果当所选记录层从记录层M0改变到记录层M1时、聚光透镜58的位置没有改变，则F1和F2最终被定位在光电检测器PD后面(其-Z侧)，如用作非限制性示例的图9A所示。在这种情况下，如用作非限制性示例的图9B所示，光电检测区域DB检测与异常光分量相混合的信号光分量。不能将异常光分量与信号光分量彼此分离(参见图9C)。
从上面描述可以理解，根据第一实施例的光盘设备20使用RF信号检测电路28d作为信号选择装置，并且使用解码器28e作为再现装置。此外，聚光透镜ACT控制电路265用作驱动控制装置。
根据如上所述的第一实施例的光拾取设备23，从半导体激光器LD(光源)发射的光束会聚在具有两个记录层的光盘15的所选记录层上，并且由聚光透镜58(光学聚光装置)将返回光束变成会聚光束，其中返回光束包含由记录层M0(第一记录层)反射的光和由记录层M1(第二记录层)反射的光。挡光片59阻挡大约一半会聚光束，并且剩余一半会聚光束通过挡光片59。通过挡光片59的会聚光束(会聚光束的一部分)包括会聚在F1的记录层M0所反射的光、以及会聚在F2的记录层M1所反射的光。光电检测器PD(光检测器)位于F1和F2之间，使得光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。结果，可以相互分离由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
此外，提供了用于驱动聚光透镜58的聚光透镜致动器AC1。这使得能够将光电检测器PD定位在F1和F2之间，而与选择了记录层中的哪个无关。
根据第一实施例的光盘设备，RF信号检测电路28d在光拾取设备23的输出信号之中，选择与所选记录层相对应的信号，以便检测RF信号。由于光拾取设备23以足够的精度输出与来自两个记录层中的所选一个的反射光相对应的光电转换信号，因此可以改善关于由RF信号检测电路28d检测的RF信号的信噪比。结果，解码器28e可以以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘的信息再现。
如用作非限制性示例的图10所示，与相关技术配置相比较，即使中间层ML的厚度减小，也可以减小再现信号中的CN比(即，载波噪声比)的下降。图10是示出通过再现5T连续标记而获得的再现信号中的CN比的测量的图。
通过提供聚光透镜ACT控制电路265，而控制聚光透镜58的位置，使得光电检测器PD位于F1和F2之间，而与选择了记录层中的哪个无关。因此，无论选择了哪个记录层，都以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。
[第二实施例]
在下面，将参考图1到图14C给出本发明的第二实施例的描述。
第二实施例是第一实施例的变体。第二实施例与第一实施例的区别在于，如用作非限制性示例的图11所示，驱动光电检测器PD而不是驱动光拾取设备23中的聚光透镜58。也就是，代替聚光透镜致动器AC1，提供了光电检测器致动器AC3，作为在光电检测表面的光轴方向上驱动光电检测器PD的装置。因此，如用作非限制性示例的图12所示，PU控制电路26a包括PDACT控制电路267，用于生成用于驱动光电检测器致动器AC3的信号(为方便起见，以下被称为第四驱动信号)。提供了PDACT控制电路267来代替聚光透镜ACT控制电路265。该构造的大多数其它方面与第一实施例中相同。在下面，将通过注重于第一实施例和第二实施例之间的区别而给出描述。与第一实施例相同或基本上相同的元件以相同标号表示，并且将简化或省略其描述。
PDACT控制电路267响应于从CPU 40提供的记录层信号而生成第四驱动信号，以便将光电检测器PD定位在分离光电检测位置。当所选记录层是记录层M0时，如用作非限制性示例的图13A所示，在+Z方向上驱动光电检测器PD。当所选记录层是记录层M1时，如用作非限制性示例的图14A所示，在-Z方向上驱动光电检测器PD。
结果，当所选记录层是记录层M0时，以与第一实施例相同的方式，光电检测器PD的光电检测区域DA检测异常光分量，并且光电检测区域DB检测信号光分量，如用作非限制性示例的图13B所示。也就是，信号VA是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量，并且信号VB是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量(参见图13C)。
另一方面，当所选记录层是记录层M1时，以与第一实施例相同的方式，光电检测器PD的光电检测区域DA检测信号光分量，并且光电检测区域DB检测异常光分量，如用作非限制性示例的图14B所示。也就是，信号VA是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VB是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图14C)。
RF信号检测电路28d在所选记录层是记录层M0时，如同在第一实施例中一样选择信号VB以检测RF信号，并且在所选记录层是记录层M1时选择信号VA以检测RF信号。因此，如同在第一实施例中一样，以足够的精度成功地获得RF信号。
以与第一实施例相同的方式，伺服信号检测电路28b检测跟踪误差信号和聚焦误差信号FE。
根据如上所述的光拾取设备的第二实施例，光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。结果，可以将由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光彼此分离，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
此外，用于驱动光电检测器PD的光电检测器致动器AC3的提供实现了在F 1和F2之间的光电检测器PD的正确定位，而与选择了哪个记录层无关。
此外，根据第二实施例的光盘设备，以与第一实施例相同的方式，光拾取设备23以足够的精度输出与来自两个记录层中的所选一个的反射光相对应的光电转换信号，这使得有可能以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘的信息再现。
此外，PDACT控制电路267的提供使得有可能将光电检测器PD的位置控制在F1和F2之间的适当位置，而与选择了哪个记录层无关。因此，无论选择了哪个记录层，都有可能以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。
[第三实施例]
在下面，将参考图15到图18B给出第三实施例的描述。
第三实施例是第一实施例的变体。第三实施例与第一实施例的区别在于：如用作非限制性示例的图15所示，在光拾取设备23中的挡光片59和光电检测器PD之间提供了用作光电装置的液晶装置pp，其折射率响应于外加电压而改变；以及没有提供聚光透镜致动器AC1。因此，如用作非限制性示例的图16所示，PU控制电路26a包括用作切换装置的PP折射率切换电路269，其用于生成施加到液晶装置PP的电压信号。提供了PP折射率切换电路269来代替聚光透镜ACT控制电路265。该构造的大多数其它方面与第一实施例中相同。在下面，将通过注重于第一实施例和第三实施例之间的区别而给出描述。与第一实施例相同或基本上相同的元件以相同的标号表示，并且将简化或省略其描述。
PP折射率切换电路269响应于从CPU 40提供的记录层信号而生成电压信号。生成电压信号，使得将液晶装置PP的折射率设置成与记录层M0相对应的折射率(以下被称为第一折射率)或与记录层M1相对应的折射率(以下被称为第二折射率)。
如用作非限制性示例的图17A所示，在所选记录层是记录层M0的情况下，当光电检测器PD位于分离光电检测位置时，折射率等于第一折射率。如用作非限制性示例的图18A所示，在所选记录层是记录层M1的情况下，当光电检测器PD位于分离光电检测位置时，折射率等于第二折射率。
因此，当所选记录层是记录层M0时，如用作非限制性示例的图17B所示，以与第一实施例相同的方式，光电检测区域DA接收异常光分量，并且光电检测区域DB接收信号光分量。
此外，当所选记录层是记录层M1时，如用作非限制性示例的图18B所示，以与第一实施例相同的方式，光电检测区域DA接收信号光分量，并且光电检测区域DB接收异常光分量。
RF信号检测电路28d在所选记录层是记录层M0时，如同在第一实施例中一样选择信号VB以检测RF信号，并且在所选记录层是记录层M1时选择信号VA以检测RF信号。因此，如同在第一实施例中一样，以足够的精度成功地获得RF信号。
以与第一实施例相同的方式，伺服信号检测电路28b检测跟踪误差信号和聚焦误差信号FE。
根据如上所述的光拾取设备的第三实施例，以与第一实施例相同的方式，光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。结果，可以将由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光彼此分离，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
此外，响应于外加电压而改变其折射率的液晶装置PP的提供实现了在F1和F2之间的光电检测器PD的适当定位，而与选择了哪个记录层无关。
此外，根据第三实施例的光盘设备，以与第一实施例相同的方式，光拾取设备23以足够的精度输出与来自两个记录层中的所选一个的反射光相对应的光电转换信号，这使得有可能以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘中的信息再现。
此外，PP折射率切换电路269的提供使得有可能切换液晶装置PP的折射率，从而将光电检测器PD适当地定位在F1和F2之间，而与选择了哪个记录层无关。因此，无论选择了哪个记录层，都有可能以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。
已经参考液晶装置用作光电装置的情况描述了上面的实施例。本发明不限于该示例，并且例如，可以使用基于其折射率响应于外加电压而改变的光电晶体的光学装置。
[第四实施例]
在下面，将参考图19A到图23C给出本发明的第四实施例的描述。
第四实施例是第一实施例的变体。如用作非限制性示例的图19A所示，第四实施例与第一实施例的区别在于，使用用作分光装置的分光棱镜61来代替挡光片59，并且使用两个光电检测器PD1和PD2来代替光拾取设备23中的光电检测器PD。该构造的大多数其它方面与第一实施例中相同。在下面，将通过注重于第一实施例和第四实施例之间的区别而给出描述。与第一实施例相同或基本上相同的元件以相同的标号表示，并且将简化或省略其描述。
分光棱镜61将来自聚光透镜58的会聚光束分裂成聚光透镜58的光轴的+X侧的光束、以及聚光透镜58的光轴的-X侧的光束。在聚光透镜58的光轴的-X侧的会聚光束作为第一检测用光束(第一光束)，而朝向光电检测器PD1(第一光电检测器)的光电检测表面传播。在聚光透镜58的光轴的+X侧的光束作为第二检测用光束(第二光束)，而朝向光电检测器P2(第二光电检测器)的光电检测表面传播。光电检测器PD1位于聚光透镜58的光轴的+X侧，并且光电检测器PD2位于聚光透镜58的光轴的-X侧。就Z轴方向上的距离而言，每个光电检测器位于与分光棱镜61基本上相同的距离之处。
如用作非限制性示例的图19B所示，通过在与轨道的切线方向相对应的方向上延伸的分界线BL1，将光电检测器PD1的光电检测表面划分成光电检测区域DA和光电检测区域DB。通过垂直于分界线BL1的两条分界线，将光电检测区域DA进一步划分成三个光电检测子区域Da、Db和Dc。同样，通过垂直于分界线BL1的两条分界线，将光电检测区域DB进一步划分成三个光电检测子区域Dd、De和Df。每个光电检测子区域响应于所接收的光量而生成光电转换信号。将所生成的光电转换信号提供给再现信号处理电路28。
如用作非限制性示例的图19B所示，通过在与轨道的切线方向相对应的方向上延伸的分界线BL2，将光电检测器PD2的光电检测表面划分成光电检测区域DC和光电检测区域DD。通过垂直于分界线BL2的两条分界线，将光电检测区域DC进一步划分成三个光电检测子区域Dg、Dh和Di。同样，通过垂直于分界线BL2的两条分界线，将光电检测区域DD进一步划分成三个光电检测子区域Dj、Dk和Dl。每个光电检测子区域响应于所接收的光量而生成光电转换信号。将所生成的光电转换信号提供给再现信号处理电路28。
I/V放大器28a将来自光电检测器PD1的光电转换信号、以及来自光电检测器PD2的光电转换信号转换成电压信号，并且以预定增益放大这些信号。
将与来自光电检测器PD1的光电检测子区域Da、Db、Dc、Dd、De和Df的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号分别表示成Va、Vb、Vc、Vd、Ve和Vf。同样，将与来自光电检测器PD2的光电检测子区域Dg、Dh、Di、Dj、Dk和Dl的光电转换信号相对应的I/V放大器28a的输出信号分别表示成Vg、Vh、Vi、Vj、Vk和Vl。
如下面示出的方程式(3)所示，通过将信号Vg、Vh和Vi相加而产生的信号(表示成VC)是与光电检测区域DC相对应的I/V放大器28a的输出信号。如下面示出的方程式(4)所示，通过将信号Vj、Vk和Vl相加而产生的信号(表示成VD)是与光电检测区域DD相对应的I/V放大器28a的输出信号。应当注意，以与第一实施例中的方程式(1)和(2)相同的方式表示信号VA和VB。
VC＝Vg+Vh+Vi    (3)
VD＝Vj+Vk+Vl    (4)
在包含在第一检测用光束中的第一反射光束的聚光位置(表示成F11)与第二反射光束的聚光位置(表示成F21)之间，将第一检测用光束划分成第一反射光束和第二反射光束。光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21之间的这样的位置(以下被称为“第一分离光电检测位置”)，以致光电检测区域DA接收第二反射光束，并且光电检测区域DB接收第一反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第一检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。
在包含在第二检测用光束中的第一反射光束的聚光位置(表示成F12)与第二反射光束的聚光位置(表示成F22)之间，将第二检测用光束划分成第二反射光束和第一反射光束。光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22之间的这样的位置(以下被称为“第二分离光电检测位置”)，以致光电检测区域DC接收第一反射光束，并且光电检测区域DD接收第二反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第二检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。
如用作非限制性示例的图20A所示，聚光透镜58位于第一对应位置，使得当所选记录层是记录层M0时，将光电检测器PD1定位在第一分离光电检测位置，并且将光电检测器PD2定位在第二分离光电检测位置。如用作非限制性示例的图21A所示，聚光透镜58位于第二对应位置，使得当所选记录层是记录层M1时，将光电检测器PD1定位在第一分离光电检测位置，并且将光电检测器PD2定位在第二分离光电检测位置。
如用作非限制性示例的图20B所示，当所选记录层是记录层M0时，光电检测区域DB和DC接收信号光分量，并且光电检测区域DA和DD接收异常光分量。也就是，信号VB和VC是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VA和VD是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图20C)。
另一方面，如用作非限制性示例的图21B所示，当所选记录层是记录层M1时，光电检测区域DA和DD接收信号光分量，并且光电检测区域DB和DC接收异常光分量。也就是，信号VA和VD是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VB和VC是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图21C)。
图22是示出RF信号检测电路28d的构造的示例的图。如图22所示，RF信号检测电路28d包括：加法器283，用于相加来自I/V放大器28a的信号VB和信号VC；加法器284，用于相加来自I/V放大器28a的信号VA和信号VD；转换开关281，用于响应于从CPU 40提供的记录层信号Lsel而选择加法器283的输出信号或加法器284的输出信号；以及操作电路282，用于基于转换开关281的输出信号而获得RF信号。转换开关281在所选记录层是记录层M0时选择加法器283的输出信号，并且在所选记录层是记录层M1时选择加法器284的输出信号。也就是，当所选记录层是记录层M0时，基于由下面方程式(5)表达的信号Vrf而检测RF信号，并且当所选记录层是记录层M1时，基于由下面方程式(6)表达的信号Vrf而检测RF信号。在这种条件下，以足够的精度成功地获得RF信号。
Vrf＝Vd+Ve+Vf+Vg+Vh+Vi    (5)
Vrf＝Va+Vb+Vc+Vj+Vk+Vl    (6)
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b基于由下面方程式(7)表达的信号Vte而检测跟踪误差信号，并且当所选记录层是记录层M1时，基于由下面方程式(8)表达的信号Vte而检测跟踪误差信号。
Vte＝(Vd-Vf)+(Vg-Vi)    (7)
Vte＝(Va-Vc)+(Vj-Vl)    (8)
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b基于由下面方程式(9)表达的信号Vfe而检测聚焦误差信号FE，并且当所选记录层是记录层M1时，基于由下面方程式(10)表达的信号Vfe而检测聚焦误差信号FE。也就是，为了检测聚焦误差信号FE的目的，采用所谓的W光束大小方法。
Vfe＝(Vd+Vf-Ve)-(Vg+Vi-Vh)    (9)
Vfe＝(Va+Vc-Vb)-(Vj+Vl-Vk)    (10)
如果当所选记录层从记录层M0改变到记录层M1时、聚光透镜58的位置没有改变，则聚光位置F11和F21最终位于光电检测器PD1后面，并且聚光位置F12和F22最终位于光电检测器PD2后面，如用作非限制性示例的图23A所示。在这种情况下，如用作非限制性示例的图23B所示，光电检测区域DB和DC检测与异常光分量相混合的信号光分量。如用作非限制性示例的图23C所示，不能将异常光分量和信号光分量彼此分离。
根据如上所述的第四实施例的光拾取设备23，由聚光透镜58将来自光盘15的返回光束变成会聚光束，然后由分光棱镜61将其划分成第一检测用光束(第一光束)和第二检测用光束(第二光束)。第一检测用光束包括会聚在F11的由记录层M0反射的光、以及会聚在F21的由记录层M1反射的光。第二检测用光束包括会聚在F12的由记录层M0反射的光、以及会聚在F22的由记录层M1反射的光。光电检测器PD1(第一光电检测器)位于F11和F21之间，使得光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。光电检测器PD2(第二光电检测器)位于F12和F22之间，使得光电检测区域DC检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DD检测由记录层M1反射的光。结果，可以将由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光彼此分离，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
此外，提供了用于驱动聚光透镜58的聚光透镜致动器AC1。这使得能够将每个光电检测器定位在由记录层M0反射的光的聚光位置与由记录层M1反射的光的聚光位置之间。
此外，根据第四实施例的光盘设备，光拾取设备23以足够的精度输出与来自两个记录层中的所选一个的反射光相对应的光电转换信号，从而可以以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘的信息再现。
此外，通过聚光透镜ACT控制电路265的提供，控制聚光透镜58的位置，使得每个光电检测器位于由记录层M0反射的光的聚光位置与由记录层M1反射的光的聚光位置之间，而与选择了记录层中的哪个无关。因此，无论选择了哪个记录层，都以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。
根据第四实施例的光盘设备在再现信号处理电路28中使用包含在第一检测用光束中的信号光分量、以及包含在第二检测用光束中的信号光分量。与第一到第三实施例相比较，这样的配置改善了使用光的效率。
如果在第四实施例中包含在返回光束中的信号光分量大，则再现信号处理电路28可以仅仅使用第一检测用光束和第二检测用光束中的一个，以检测相关信号。
在上述第四实施例中，当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VB或信号VC的较低频率分量，而检测聚焦误差信号FE。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VA或信号VD的较低频率分量，而检测聚焦误差信号FE。
图24是示出第四实施例的变体的示例的图。如图24所示，可以使用分光棱镜61′来代替分光棱镜61。分光棱镜61′被配置成使得在聚光透镜58的光轴的+X侧的光束作为第一检测用光束、而朝向光电检测器PD1的光电检测表面传播，并且在聚光透镜58的光轴的-X侧的光束作为第二检测用光束、而朝向光电检测器PD2的光电检测表面传播。
[第五实施例]
在下面，将参考图25到图29给出第五实施例的描述。
第五实施例涉及第四实施例的光拾取设备的第一变体。在第五实施例中，如用作非限制性示例的图25所示，不同地设置分光棱镜61与光电检测器PD1之间的Z方向距离以及分光棱镜61与光电检测器PD2之间的Z方向距离，从而消除对聚光透镜致动器AC1的需要。
图26是示出PU控制电路26a的构造的示例的图。如图26所示，PU控制电路26a仅仅包括聚焦ACT控制电路261和跟踪ACT控制电路263。也就是，聚光透镜ACT控制电路265不是必要的。
如用作非限制性示例的图27A所示，当所选记录层是记录层M0时，将光电检测器PD1定位在聚光位置F11和聚光位置F21之间。如用作非限制性示例的图28A所示，当所选记录层是记录层M1时，将光电检测器PD2定位在聚光位置F12和聚光位置F22之间。
因此，如用作非限制性示例的图27B所示，当所选记录层是记录层M0时，光电检测区域DA接收异常光分量，并且光电检测区域DB接收信号光分量。也就是，信号VA是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量，并且信号VB是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量(参见图27C)。此时，光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22后面，光电检测区域DD检测与异常光分量相混合的信号光分量。
另一方面，如用作非限制性示例的图28B所示，当所选记录层是记录层M1时，光电检测区域DC接收异常光分量，并且光电检测区域DD接收信号光分量。也就是，信号VC是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量，并且信号VD是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量(参见图28C)。此时，光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21后面，光电检测区域DB检测与异常光分量相混合的信号光分量。
图29是示出RF信号检测电路28d的构造的示例的图。如图29所示，RF信号检测电路28d包括转换开关281，用于响应于从CPU 40提供的记录层信号Lsel而选择来自I/V放大器28a的信号VB或信号VD，并且还包括操作电路282，用于基于转换开关281的输出信号而获得RF信号。转换开关281在所选记录层是记录层M0时选择信号VB，并且在所选记录层是记录层M1时选择信号VD。在这种条件下，以足够的精度成功地获得RF信号。
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b基于来自I/V放大器28a的信号Vd和信号Vf之差而检测跟踪误差信号。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b基于来自I/V放大器28a的信号Vi和信号Vl之差而检测跟踪误差信号。
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VB的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b还通过提取信号VD的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。
根据如上所述的光拾取设备的第五实施例，当所选记录层是记录层M0时，光电检测器PD1(第一光电检测器)位于F11和F21之间，使得光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。当所选记录层是记录层M1时，光电检测器PD2(第二光电检测器)位于F12和F22之间，使得光电检测区域DC检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DD检测由记录层M1反射的光。结果，可以将由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光彼此分离，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
根据第五实施例的光盘设备，光拾取设备23以足够的精度输出来自两个记录层中的所选一个的信号，从而可以以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘的信息再现。
在上述第五实施例中，通过使用从I/V放大器28a提供的信号VB和信号VD来检测RF信号。可选地，可以使用来自I/V放大器28a的信号VA、VB、VC和VD，以检测RF信号。在这种情况下，如用作非限制性示例的图30所示，RF信号检测电路28d包括：加法器283，用于相加来自I/V放大器28a的信号VB和信号VD；加法器284，用于相加来自I/V放大器28a的信号VA和信号VC；减法单元285，用于从加法器283的输出信号减去加法器284的输出信号；以及操作电路282，用于基于减法单元285的输出信号而获得RF信号。这提高了光的使用效率。在这种情况下，RF信号检测电路28d用作信号获得单元。
[第六实施例]
在下面，将参考图31A到图35C给出第六实施例的描述。
第六实施例涉及第四实施例的光拾取设备的第二变体。如用作非限制性示例的图31A所示，第六实施例与第四实施例的区别在于使用全息单元62来代替分光棱镜61。
如作为非限制性示例的图31B所示，通过在Y轴方向上延伸的分界线来二分全息单元62。在分界线的+X侧的划分部分是全息区域62a(第一全息区域)，并且在分界线的-X侧的划分部分是全息区域62b(第二全息区域)。当会聚光束从聚光透镜58到达时，全息区域62a将会聚光束衍射在聚光透镜58的光轴的+X侧，并且全息区域62b将会聚光束衍射在聚光透镜58的光轴的-X侧。
来自全息区域62a的+1级衍射的光作为第一检测用光束(第一光束)，而朝向光电检测器PD1(第一光电检测器)的光电检测表面传播。来自全息区域62b的-1级衍射的光作为第二检测用光束(第二光束)，而朝向光电检测器P2(第二光电检测器)的光电检测表面传播。以这样的方式，第一检测用光束和第二检测用光束是不同衍射级的光束。
以与第四实施例相同的方式，光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21之间的这样的位置(第一分离光电检测位置)，以致光电检测区域DA接收第二反射光束，并且光电检测区域DB接收第一反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第一检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。此外，以与第四实施例中的相同的方式，光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22之间的这样的位置(第二分离光电检测位置)，以致光电检测区域DC接收第一反射光束，并且光电检测区域DD接收第二反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第二检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。
如用作非限制性示例的图32A所示，聚光透镜58位于第一对应位置，使得当所选记录层是记录层M0时，将光电检测器PD1定位在第一分离光电检测位置，并且将光电检测器PD2定位在第二分离光电检测位置。如用作非限制性示例的图33A所示，聚光透镜58位于第二对应位置，使得当所选记录层是记录层M1时，将光电检测器PD1定位在第一分离光电检测位置，并且将光电检测器PD2定位在第二分离光电检测位置。
如用作非限制性示例的图32B所示，当所选记录层是记录层M0时，光电检测区域DA和DD接收信号光分量，并且光电检测区域DB和DC接收异常光分量。也就是，信号VA和VD是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VB和VC是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图32C)。
另一方面，如用作非限制性示例的图33B所示，当所选记录层是记录层M1时，光电检测区域DB和DC接收信号光分量，并且光电检测区域DA和DD接收异常光分量。也就是，信号VB和VC是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎没有异常光分量，并且信号VA和VD是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图33C)。
图34是示出RF信号检测电路28d的构造的示例的图。如图34所示，RF信号检测电路28d包括：加法器283，用于相加来自I/V放大器28a的信号VA和信号VD；加法器284，用于相加来自I/V放大器28a的信号VB和信号VC；转换开关281，用于响应于从CPU 40提供的记录层信号Lsel而选择加法器283的输出信号或加法器284的输出信号；以及操作电路282，用于基于转换开关281的输出信号而获得RF信号。转换开关281在所选记录层是记录层M0时选择加法器283的输出信号，并且在所选记录层是记录层M1时选择加法器284的输出信号。也就是，当所选记录层是记录层M0时，基于由上述方程式(6)表达的信号Vrf而检测RF信号，并且当所选记录层是记录层M1时，基于由上述方程式(5)表达的信号Vrf而检测RF信号。在这种条件下，以足够的精度成功地获得RF信号。
伺服信号检测电路28b在所选记录层是记录层M0时，基于由上述方程式(8)表达的信号Vte而检测跟踪误差信号，并且在所选记录层是记录层M1时，基于由上述方程式(7)表达的信号Vte而检测跟踪误差信号。
伺服信号检测电路28b在所选记录层是记录层M0时，基于由上述方程式(10)表达的信号Vfe而检测聚焦误差信号FE，并且当所选记录层是记录层M1时，基于由上述方程式(9)表达的信号Vfe而检测聚焦误差信号FE。
如用作非限制性示例的图35A所示，如果当所选记录层从记录层M0改变到记录层M1时、聚光透镜58的位置没有改变，则聚光位置F11和F21最终位于光电检测器PD1后面，并且聚光位置F12和F22最终位于光电检测器PD2后面。在这种情况下，如用作非限制性示例的图35B所示，光电检测区域DA和DD检测与异常光分量相混合的信号光分量。如用作非限制性示例的图35C所示，不能彼此分离异常光分量和信号光分量。
根据如上所述的第六实施例的光拾取设备，由聚光透镜58将来自光盘15的返回光束变成会聚光束，然后由全息单元62将其变成第一检测用光束(第一光束)和第二检测用光束(第二光束)。第一检测用光束包括会聚在F11的由记录层M0反射的光、以及会聚在F21的由记录层M1反射的光。第二检测用光束包括会聚在F12的由记录层M0反射的光、以及会聚在F22的由记录层M1反射的光。光电检测器PD1(第一光电检测器)位于F11和F21之间，使得光电检测区域DB检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DA检测由记录层M1反射的光。光电检测器PD2(第二光电检测器)位于F12和F22之间，使得光电检测区域DC检测由记录层M0反射的光，并且光电检测区域DD检测由记录层M1反射的光。结果，可以将由记录层M0反射的光和由记录层M1反射的光彼此分离，而没有相互干扰。这使得有可能以足够的精度分离来自光盘的两个记录层的反射光分量。
根据第六实施例的光盘设备，光拾取设备23以足够的精度输出来自两个记录层中的所选一个的信号，从而可以以足够的精度再现记录在所选记录层中的信息。也就是，可以以令人满意的精度实现从具有两个记录层的光盘的信息再现。
在如上所述的第六实施例中，光电检测器PD1接收来自全息区域62a的+1级衍射的光，并且光电检测器PD2接收来自全息区域62b的-1级衍射的光。本实施例不局限于该示例。光电检测器PD1可以接收来自全息区域62a的-1级衍射，并且光电检测器PD2可以接收来自全息区域62b的+1级衍射的光。
已经参考这样的情况描述了第六实施例，其中彼此分开地布置半导体激光器LD、全息单元62、以及每个光电检测器。不局限于该示例，可以将半导体激光器LD、全息单元62、以及每个光电检测器全部放置在同一外壳中，并且作为单个封装而提供。
在上述第六实施例中，当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VA或信号VD的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VB或信号VC的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。
[第七实施例]
在下面，将参考图36A到图39给出第七实施例的描述。
第七实施例涉及第六实施例的光拾取设备的变体。如用作非限制性示例的图36A所示，第七实施例使用包括具有不同透镜功能的两个区域的全息单元63来替换全息单元62，从而消除对聚光透镜致动器AC1的需要。
如作为非限制性示例的图36B所示，通过在Y轴方向上延伸的分界线而二分全息单元63。在分界线的+X侧的划分部分是全息区域63a(第一全息区域)，并且在分界线的-X侧的划分部分是全息区域63b(第二全息区域)。当会聚光束从聚光透镜58到达时，全息区域63a将会聚光束衍射在聚光透镜58的光轴的+X侧，并且全息区域63b将会聚光束衍射在聚光透镜58的光轴的-X侧。
来自全息区域63a的+1衍射级的光作为第一检测用光束(第一光束)，而朝向光电检测器PD1(第一光电检测器)的光电检测表面传播。来自全息区域63b的+1衍射级的光作为第二检测用光束(第二光束)，而朝向光电检测器PD2(第二光电检测器)的光电检测表面传播。以这样的方式，第一检测用光束和第二检测用光束是相同衍射级的光束。
以与第四实施例相同的方式，光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21之间的这样的位置(第一分离光电检测位置)，以致光电检测区域DA接收第二反射光束，并且光电检测区域DB接收第一反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第一检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。此外，以与第四实施例相同的方式，光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22之间的这样的位置(第二分离光电检测位置)，以致光电检测区域DC接收第一反射光束，并且光电检测区域DD接收第二反射光束。这使得有可能彼此分开地检测包含在第二检测用光束中的第一反射光束和第二反射光束。
如用作非限制性示例的图37A所示，当所选记录层是记录层M0时，全息区域63b的透镜功能被配置成使得光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22之间的这样的位置，以致光电检测区域DD检测第一反射光束，并且光电检测区域DC检测第二反射光束。
如用作非限制性示例的图38A所示，当所选记录层是记录层M 1时，全息区域63a的透镜功能被配置成使得光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21之间的这样的位置，以致光电检测区域DA检测第一反射光束，并且光电检测区域DB检测第二反射光束。也就是，全息区域63a和全息区域63b具有不同的透镜功能。
如用作非限制性示例的图37B所示，当所选记录层是记录层M0时，光电检测区域DD检测信号光分量，并且光电检测区域DC检测异常光分量。也就是，信号VD是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎无异常光分量，并且信号VC是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图37C)。此时，光电检测器PD1位于聚光位置F11和聚光位置F21后面，光电检测区域DB检测与异常光分量相混合的信号光分量。
另一方面，如用作非限制性示例的图38B所示，当所选记录层是记录层M1时，光电检测区域DB接收信号光分量，并且光电检测区域DA接收异常光分量。也就是，信号VB是信号Sd，其几乎完全由信号光分量组成而几乎无异常光分量，并且信号VA是信号Sm，其几乎完全由异常光分量组成而几乎没有信号光分量(参见图38C)。此时，光电检测器PD2位于聚光位置F12和聚光位置F22前面，光电检测区域DD检测与异常光分量相混合的信号光分量。
图39是示出RF信号检测电路28d的构造的示例的图。如图39所示，RF信号检测电路28d包括转换开关281，用于响应于从CPU 40提供的记录层信号Lsel而选择来自I/V放大器28a的信号VD或信号VB，并且还包括操作电路282，用于基于转换开关281的输出信号而获得RF信号。转换开关281在所选记录层是记录层M0时选择信号VD，并且在所选记录层是记录层M1时选择信号VB。在这种条件下，以足够的精度成功地获得RF信号。
伺服信号检测电路28b在所选记录层是记录层M0时，基于来自I/V放大器28a的信号Vj与信号Vl之差而检测跟踪误差信号，并且在所选记录层是记录层M1时，基于来自I/V放大器28a的信号Vd和信号Vf之差而检测跟踪误差信号。
当所选记录层是记录层M0时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VD的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。当所选记录层是记录层M1时，伺服信号检测电路28b通过提取信号VB的较低频率分量而检测聚焦误差信号FE。
在如上所述的第七实施例的光拾取设备中，当所选记录层是记录层M0时，光电检测器PD2(第二光电检测器)位于聚光位置F12和聚光位置F22之间，使得光电检测区域DC检测来自记录层M1的反射光，并且光电检测区域DD检测来自记录层M0的反射光。此外，当所选记录层是记录层M1时，光电检测器PD1(第一光电检测器)位于聚光位置F11和聚光位置F21之间，使得光电检测区域DA检测来自记录层M0的反射光，并且光电检测区域DB检测来自记录层M1的反射光。这实现了与第六实施例的光拾取设备基本上相同的结果。
根据第七实施例的光盘设备，光拾取设备23以足够的精度输出来自两个记录层中的所选一个的信号，以便实现与第六实施例的光拾取设备基本上相同的结果。
在第七实施例中，通过使用从I/V放大器28a提供的信号VD和信号VB来检测RF信号。可选地，如结合第五实施例描述的那样，可以使用来自I/V放大器28a的信号VA、VB、VC和VD来检测RF信号(参见图30)。在这种情况下，RF信号检测电路28d用作信号获得单元。
已经参考这样的情况描述了第七实施例，其中，全息区域63a的衍射方向和全息区域63b的衍射方向在X轴方向上彼此相反。不局限于该示例，例如，如图40A到图41B所示，全息区域63a的衍射方向和全息区域63b的衍射方向可以在X轴方向上相同。
此外，已经参考这样的情况描述了第七实施例，其中彼此分开地布置半导体激光器LD、全息单元63、以及每个光电检测器。不局限于该示例，可用将半导体激光器LD、全息单元63、以及每个光电检测器全部放置在同一外壳中，并且作为单个封装而提供。
已经参考针对具有约660nm波长的光而设计光盘15的情况，而描述了上面实施例。本发明不局限于该示例，并且可以与具有约780nm的波长的光或具有约405nm波长的光一起使用。在这种情况下，光源单元51发射具有与适于光盘15的光基本上相同的波长的光。
已经参考光盘15是可记录的情况描述了上面实施例。本发明不局限于该示例，并且可以将其应用到只再现设备。
已经参考光盘设备20具有信息记录功能和信息再现功能的情况描述了上面实施例。这不是限制性示例，并且在用于信息的记录、再现和擦除的功能之中，至少具有再现功能就足够。
已经参考光拾取设备具有单个半导体激光器的情况描述了上面实施例。这不是限制性示例，并且可以提供多个半导体激光器，其用于发射各自不同波长的光。在这种情况下、用于发射具有约405nm的波长的光的半导体激光器的波长可以包括下列之一：用于发射具有约660nm的波长的光的半导体激光器；以及用于发射具有约780nm波长的光的半导体激光器。也就是，可以将光盘设备设计成与遵循各自不同的标准的多个不同类型的光盘相配。在这种情况下，所述多种光盘中的至少一种可以是多层盘。
此外，本发明不局限于这些实施例，而可以进行各种变化和修改而不背离本发明的范围。
本发明基于2004年2月16日在日本专利局提交的日本优先权申请No.2004-037814，在此将其全文引作参考。

Claims (19)

1.一种光拾取设备，用于将光照射在具有两个记录层的光盘上，并且用于检测来自光盘的反射光，包括：
光源；
光学系统，位于从光盘返回的光束的路径上，所述光束包含由光盘的第一记录层反射的光、以及由光盘的第二记录层反射的光，所述光学系统包括：
聚光光学单元，用于将返回光束变成会聚光束；和
光束调节单元，用于从会聚光束提取与会聚光束的横截面的一部分相对应的部分光束；以及
一个或多个光电检测器，位于包含在部分光束中的由第一记录层反射的光所会聚的位置、与包含在部分光束中的由第二记录层反射的光所会聚的位置之间，所述一个或多个光电检测器具有用于检测由第一记录层反射的光的第一光电检测区、以及用于检测由第二记录层反射的光的第二光电检测区。
2.如权利要求1所述的光拾取设备，其中所述光束调节单元是分光单元，其被配置成将会聚光束分裂成多个光束，所述部分光束对应于所述多个光束中的至少一个。
3.如权利要求2所述的光拾取设备，其中所述多个光束包括第一光束和第二光束，并且所述一个或多个光电检测器包括：
第一光电检测器，其具有用于检测包含在第一光束中的由第一记录层反射的光的光电检测区、以及用于检测包含在第一光束中的由第二记录层反射的光的光电检测区；以及
第二光电检测器，具有用于检测包含在第二光束中的由第一记录层反射的光的光电检测区、以及用于检测包含在第二光束中的由第二记录层反射的光的光电检测区。
4.如权利要求2所述的光拾取设备，其中所述分光单元是分光棱镜。
5.如权利要求2所述的光拾取设备，其中所述分光单元是具有第一全息区域和第二全息区域的全息单元，第一光束是由第一全息区域产生的衍射，并且第二光束是由第二全息区域产生的衍射。
6.如权利要求5述的光拾取设备，其中所述第一光束和第二光束是不同级的衍射。
7.如权利要求5所述的光拾取设备，其中所述第一全息区域和第二全息区域具有各自不同的透镜功能。
8.如权利要求7所述的光拾取设备，其中所述第一光束和第二光束是相同级的衍射。
9.如权利要求2所述的光拾取设备，其中所述光源、所述分光单元、以及所述一个或多个光电检测器被放置在单个外壳中，并且被配置成单个封装。
10.如权利要求1所述的光拾取设备，还包括驱动单元，其被配置成在所述聚光单元的光轴方向上，驱动所述聚光单元。
11.如权利要求1所述的光拾取设备，还包括驱动单元，其被配置成在关于所述一个或多个光电检测器的光电检测表面的光轴方向上，驱动所述一个或多个光电检测器。
12.如权利要求1所述的光拾取设备，还包括光电装置，其具有响应于外加电压而改变的折射率，所述光电装置位于从所述聚光单元传播的会聚光束的路径上。
13.一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备，包括：
如权利要求1所述的光拾取设备；
信号获得单元，被配置成响应于所述光拾取设备的输出信号，而从光盘的两个记录层中的所选一个获得信号；以及
再现单元，被配置成基于由所述信号获得单元获得的信号，而再现信息。
14.如权利要求13所述的光盘设备，其中所述信号获得单元被配置成在所述光拾取设备的输出信号之中、选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号。
15.如权利要求13所述的光盘设备，其中所述信号获得单元被配置成从光拾取设备的输出信号减去与两个记录层中的另一个相对应的信号分量。
16.一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备，包括：
如权利要求10所述的光拾取设备；
驱动控制单元，被配置成响应于表示选择两个记录层中的哪个以便再现的信号，而控制所述驱动单元；
信号选择单元，被配置成在所述光拾取设备的输出信号之中，选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号；以及
再现单元，被配置成基于由所述信号选择单元获得的信号，而再现信息。
17.一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备，包括：
如权利要求11所述的光拾取设备；
驱动控制单元，被配置成响应于表示选择两个记录层中的哪个以便再现的信号，而控制所述驱动单元；
信号选择单元，被配置成在所述光拾取设备的输出信号之中，选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号；以及
再现单元，被配置成基于由所述信号选择单元获得的信号，而再现信息。
18.一种用于从具有两个记录层的光盘再现信息的光盘设备，包括：
如权利要求12所述的光拾取设备；
切换单元，被配置成响应于表示选择两个记录层中的哪个以便再现的信号，而控制所述光电装置的折射率；
信号选择单元，被配置成在所述光拾取设备的输出信号之中，选择仅仅包含来自两个记录层中的所选一个的信号的输出信号；以及
再现单元，被配置成基于由所述信号选择单元选择的信号，而再现信息。
19.一种光拾取设备，用于将光照射在具有两个记录层的光盘上，并且用于检测来自光盘的反射光，包括：
光源；
光学系统，位于从光盘返回的光束的路径上，所述光束包含由光盘的第一记录层反射的光、以及由光盘的第二记录层反射的光，所述光学系统包括：
聚光光学单元，用于将返回光束变成会聚光束；和
光束调节单元，用于从会聚光束提取与会聚光束的横截面的一部分相对应的部分光束，其中会聚光束的横截面的所述部分不超过由通过横截面的中心的直线划分的横截面的一半；以及
一个或多个光电检测器，位于包含在部分光束中的由第一记录层反射的光所会聚的位置、与包含在部分光束中的由第二记录层反射的光所会聚的位置之间，所述一个或多个光电检测器具有用于检测由第一记录层反射的光的第一光电检测区、以及用于检测由第二记录层反射的光的第二光电检测区。
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