CN1909159A - 带有防短路阴极保护结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器及其制作工艺，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有制备的碳纳米管阴极、控制栅极以及防短路阴极保护结构；防止控制栅极和碳纳米管阴极之间短路现象的发生；将栅极和碳纳米管阴极高度集成到一起，有利于进一步提高器件的制作成功率，降低器件的工作电压，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

带有防短路阴极保护结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于真空科学与技术、微电子科学与技术、平面显示技术以及纳米科学与技术的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到带有防短路阴极保护结构的、碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率以及良好的物理化学特性，已经引起了众多研究人员的高度关注。当对碳纳米管顶端表面施加适当电压的时候，那么无须再次施加额外的能量，碳纳米管就会发射出大量的电子，从而形成了独特的场致发射现象。利用这一特性，已经将碳纳米管作为阴极材料而制作成了平板场致发射显示器件。碳纳米管阴极的场致发射显示器件是一种平板器件，具有高发光亮度、高分辨率、使用温区广以及响应速度快等诸多优点，将阴极射线管的高图像质量、等离子体的大面积性和液晶显示器的超薄型优点集于一身，在未来平板显示领域中将独树一帜。

为了降低整体器件的生产成本，以便于和常规的集成电路相结合，制作三极结构的场致发射平板显示器已经成为了一种必然的选择。由于控制栅极和碳纳米管阴极的距离很近，那么当在控制栅极上施加很小工作电压以后，就会在碳纳米管顶端形成强大的电场强度，这是对进一步降低器件的整体工作电压有利的。但是，这却给器件的制作工艺方面带来了新的难题，一方面，碳纳米管阴极材料是比较脆弱的，在器件制作工艺过程中的任何对碳纳米管阴极的损伤都会降低它的场致发射能力，因此必须采取有效措施对碳纳米管阴极加以保护；另一方面，尽管控制栅极和碳纳米管阴极之间的距离很近，但是二者之间却是相互电学隔离的，不能够使得二者连通，否则就失去了控制栅极结构的实际意义。同时，由于控制栅极电压而导致形成的碳纳米管顶端的电场强度又非常大，对栅极和阴极之间的绝缘材料又提出了一定的要求，厚度要小但是绝缘程度又要足够的高，用以承担栅极和阴极之间的工作电压。这些都是科研人员需要考虑的现实问题。

目前，制备碳纳米管阴极的工艺大致可以分为两类，即移植法和直接生长法。利用直接生长法制备的碳纳米管生长密度高，电子发射电流密度大，具有移植法制备的碳纳米管阴极所无法比拟的良好场致发射特性。那么在器件制作的时候如何有效地利用这一优点，也是需要值得考虑的问题。

此外，在确保显示器件的优良图像质量的前提下，还需要进一步的降低器件制作成本；在能够进行大面积器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足而提供一种带有防短路阴极保护结构的、制作过程成本低廉的、成品率高的、结构简单而稳定可靠的碳纳米管阴极场致发射平板显示器件。

本发明的目的是这样实现的，包括由阴极玻璃面板、阳极玻璃面板以及四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有光刻的阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；在阴极玻璃面板上有制备的碳纳米管阴极、控制栅极以及防短路阴极保护结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件。

所述的防短路阴极保护结构的衬底材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型重掺杂；n型重掺杂硅片的背侧存在阴极导电层；n型重掺杂硅片的正面存在绝缘隔离层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层；绝缘隔离层和栅极层可以进行刻蚀，其刻蚀顺序为先对栅极层进行刻蚀，暴露出底部的绝缘隔离层，刻蚀后的栅极层的侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的，然后再对绝缘隔离层进行各向同性的湿法刻蚀，需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面；刻蚀后的绝缘隔离层分别形成向两侧有弧形扩展形状；n型重掺杂硅片的上表面存在栅极覆盖层；刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；在暴露的n型重掺杂硅片的表面存在二次掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面存在过渡层；过渡层的上面存在一个催化剂金属层；可以利用催化剂层进行碳纳米管的制备。

所述的防短路阴极保护结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上。阴极导电层可以为金属金、银、钼、铬、铝。栅极层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。二次掺杂多晶硅层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。过渡层可以为金属金、银、钼、铬、锡、铟、铂。催化剂层可以为金属铁、钴、镍。

一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)衬底[1]的制作：对n型重掺杂硅片进行划割，形成衬底[1]；

2)阴极导电层[2]的制作：在n型重掺杂硅片的背侧制备出一个钼金属层，刻蚀后形成阴极导电层[2]；

3)绝缘隔离层[3]和栅极层[4]的制作：在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；

4)栅极覆盖层[5]的制作：在n型重掺杂硅片的上表面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；

5)二次掺杂多晶硅层[6]的制作：在暴露的n型重掺杂硅片的表面制备出一个二次n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；

6)金属过渡层[7]的制作：在二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面制备出一个铬金属层，刻蚀后形成金属过渡层；

7)催化剂金属层[8]的制作：在金属过渡层的上面制备出一个镍金属层，刻蚀后形成催化剂金属层；

8)防短路阴极保护结构的表面清洁：对防短路阴极保护结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管[9]的制备：利用催化剂层制备出碳纳米管；

10)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

11)阴极玻璃面板[10]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

12)阳极玻璃面板[11]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

13)阳极导电层[12]的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

14)绝缘浆料层[13]的制作：在阳极导电层的非显示区域制备绝缘浆料层；

15)荧光粉层[14]的制作：在阳极导电层上面的显示区域制备荧光粉层；

16)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[15]、四周玻璃围框[16]以及防短路阴极保护结构装配到一起，并将消气剂[17]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

17)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤3具体为在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；在接下来的刻蚀工艺中，需要先对栅极层进行刻蚀，然后再对绝缘隔离层进行刻蚀；刻蚀后的栅极层需要暴露出底部的绝缘隔离层，且其侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的；需要对绝缘隔离层采用各向同性的湿法刻蚀工艺，刻蚀后的绝缘隔离层需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面，且分别形成向两侧有弧形扩展形状；

所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料[13]层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉[14]层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

本发明的特征就在于制作了防短路阴极保护结构，用于防止控制栅极和碳纳米管阴极之间短路现象的发生；同时在充分利用碳纳米管阴极的良好场致发射特性的基础上，将栅极和碳纳米管阴极高度集成到一起，有利于进一步提高器件的制作成功率，降低器件的工作电压。

首先，本发明中的防短路阴极保护结构能够有效地防止控制栅极和碳纳米管阴极之间短路现象的发生。这主要在以下几方面都采取了保护措施，其一，利用栅极覆盖层将栅极层完全包围起来，使得栅极层出于栅极覆盖层和绝缘隔离层的包围之中，当然也就没有了碳纳米管阴极和控制栅极相互接触的机会，从而有效地防止了二者之间短路现象的发生；其二，对绝缘隔离层采用了各向同性的湿法刻蚀，使得刻蚀后的绝缘隔离层既暴露除了底部的n型重掺杂硅片的表面，同时还分别形成向两侧有弧形扩展形状；其三，在n型重掺杂硅片的表面首先制作了一个二次n型掺杂多晶硅层，且二次掺杂多晶硅层的上表面是一个向上突起的弧形形状；这就扩展了碳纳米管阴极所处位置的空间，避免碳纳米管阴极的聚团现象，有效地防止了控制栅极和碳纳米管阴极相互接触现象的出现。

其次，在本发明中的防短路阴极保护结构中的控制栅极和碳纳米管阴极是集成到一起的，并且控制栅极对于碳纳米管阴极的电子发射起着控制作用。在制作防短路阴极保护结构的过程中，就制作了栅极层，并将其处于栅极覆盖层的包围当中，最后在金属过渡层的上面结合直接生长法进行了碳纳米管阴极的生长，从而将控制栅极和碳纳米管阴极高度集成到一起，减少了器件的制作工艺流程，同时也极大地避免了碳纳米管阴极的损伤，有利于进一步提高整体器件的制作成功率。当在控制栅极上施加适当电压以后，在碳纳米管阴极表面顶端就会形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子，这也就有利的证明了栅极对碳纳米管阴极起着不可替代的控制作用。

第三，在本发明中的防短路阴极保护结构中，在金属过渡层的上面制作了催化剂金属层，这就为后续工艺中的碳纳米管阴极的生长作了充分的准备，这样就可以在金属过渡层的表面直接生长碳纳米管阴极了，使得栅极结构和碳纳米管阴极结构高度集成到一起，有利于进一步提高器件的显示分辨率，同时，充分利用了直接生长法制备的碳纳米管阴极所具备的良好场致发射特性。

此外，在本发明中的防短路阴极保护结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体器件的制作成本，简化了器件的制作过程，有利于进行商业化的大规模生产。

附图说明

图1给出了防短路阴极保护结构的纵向结构示意图。

图2给出了防短路阴极保护结构的横向结构示意图。

图3中给出了一个带有防短路阴极保护结构的碳纳米管阴极场致发射平面显示器的实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[10]、阳极玻璃面板[11]以及四周玻璃围框[16]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层[12]上面的荧光粉层[14]；在阴极玻璃面板[10]上有制备的碳纳米管阴极[9]、控制栅极[4]以及防短路阴极保护结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[15]以及消气剂[17]附属元件。

所述的防短路阴极保护结构包括衬底[1]、阴极导电层[2]、绝缘隔离层[3]、栅极层[4]、栅极覆盖层[5]、二次掺杂多晶硅层[6]、金属过渡层[7]、催化剂金属层[8]、碳纳米管[9]部分。

所述的防短路阴极保护结构的衬底材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型重掺杂；n型重掺杂硅片的背侧存在阴极导电层；n型重掺杂硅片的正面存在绝缘隔离层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层；绝缘隔离层和栅极层可以进行刻蚀，其刻蚀顺序为先对栅极层进行刻蚀，暴露出底部的绝缘隔离层，刻蚀后的栅极层的侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的，然后再对绝缘隔离层进行各向同性的湿法刻蚀，需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面；刻蚀后的绝缘隔离层分别形成向两侧有弧形扩展形状；n型重掺杂硅片的上表面存在栅极覆盖层；刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；在暴露的n型重掺杂硅片的表面存在二次掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面存在过渡层；过渡层的上面存在一个催化剂金属层；可以利用催化剂层进行碳纳米管的制备。

所述的防短路阴极保护结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上。阴极导电层可以为金属金、银、钼、铬、铝。栅极层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。二次掺杂多晶硅层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。过渡层可以为金属金、银、钼、铬、锡、铟、铂。催化剂层可以为金属铁、钴、镍。

一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)衬底[1]的制作：对n型重掺杂硅片进行划割，形成衬底[1]；

2)阴极导电层[2]的制作：在n型重掺杂硅片的背侧制备出一个钼金属层，刻蚀后形成阴极导电层[2]；

3)绝缘隔离层[3]和栅极层[4]的制作：在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；

4)栅极覆盖层[5]的制作：在n型重掺杂硅片的上表面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；

5)二次掺杂多晶硅层[6]的制作：在暴露的n型重掺杂硅片的表面制备出一个二次n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；

6)金属过渡层[7]的制作：在二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面制备出一个铬金属层，刻蚀后形成金属过渡层；

7)催化剂金属层[8]的制作：在金属过渡层的上面制备出一个镍金属层，刻蚀后形成催化剂金属层；

8)防短路阴极保护结构的表面清洁：对防短路阴极保护结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管[9]的制备：利用催化剂层制备出碳纳米管；

10)碳纳米管的后处理：对碳纳米管进行后处理，改善场致发射特性；

11)阴极玻璃面板[10]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

12)阳极玻璃面板[11]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

13)阳极导电层[12]的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

14)绝缘浆料层[13]的制作：在阳极导电层的非显示区域制备绝缘浆料层；

15)荧光粉层[14]的制作：在阳极导电层上面的显示区域制备荧光粉层；

16)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[15]、四周玻璃围框[16]以及防短路阴极保护结构装配到一起，并将消气剂[17]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

17)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤3具体为在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；在接下来的刻蚀工艺中，需要先对栅极层进行刻蚀，然后再对绝缘隔离层进行刻蚀；刻蚀后的栅极层需要暴露出底部的绝缘隔离层，且其侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的；需要对绝缘隔离层采用各向同性的湿法刻蚀工艺，刻蚀后的绝缘隔离层需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面，且分别形成向两侧有弧形扩展形状；

所述步骤14具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料[13]层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤16具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉[14]层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤17具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (8)

1、一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器，包括由阴极玻璃面板[10]、阳极玻璃面板[11]以及四周玻璃围框[16]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板[11]上有光刻的阳极导电层[12]以及制备在阳极导电层[12]上面的荧光粉层[14]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[15]以及消气剂[17]附属元件；其特征在于：在阴极玻璃面板[10]上有制备的碳纳米管阴极[9]、控制栅极[4]以及防短路阴极保护结构。

2、如权利要求1所述的一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器，其特征在于：所述的防短路阴极保护结构的衬底材料为掺杂硅片，其掺杂类型为n型重掺杂；n型重掺杂硅片的背侧存在阴极导电层；n型重掺杂硅片的正面存在绝缘隔离层；绝缘隔离层的上面存在一个栅极层；绝缘隔离层和栅极层可以进行刻蚀，其刻蚀顺序为先对栅极层进行刻蚀，暴露出底部的绝缘隔离层，刻蚀后的栅极层的侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的，然后再对绝缘隔离层进行各向同性的湿法刻蚀，需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面；刻蚀后的绝缘隔离层分别形成向两侧有弧形扩展形状；n型重掺杂硅片的上表面存在栅极覆盖层；刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；在暴露的n型重掺杂硅片的表面存在二次掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面存在过渡层；过渡层的上面存在一个催化剂金属层；可以利用催化剂层进行碳纳米管的制备。

3、如权利要求2所述的一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器，其特征在于：所述的防短路阴极保护结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，阴极导电层为金属金、银、钼、铬、铝，栅极层的掺杂类型为n型或p型，二次掺杂多晶硅层的掺杂类型为n型或p型，过渡层为金属金、银、钼、铬、锡、铟、铂，催化剂层为金属铁、钴、镍。

4、一种带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于，其制作工艺如下：

1)衬底[1]的制作：对n型重掺杂硅片进行划割，形成衬底[1]；

2)阴极导电层[2]的制作：在n型重掺杂硅片的背侧制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层[2]；

3)绝缘隔离层[3]和栅极层[4]的制作：在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；

4)栅极覆盖层[5]的制作：在n型重掺杂硅片的上表面再次制备出一个二氧化硅层，刻蚀后的栅极覆盖层需要完全覆盖住掺杂多晶硅层，但是要暴露出底部n型重掺杂硅片的表面；

5)二次掺杂多晶硅层[6]的制作：在暴露的n型重掺杂硅片的表面制备出一个二次n型掺杂多晶硅层，刻蚀后的二次掺杂多晶硅层底部是和n型重掺杂硅片的表面相互接触的，但是二次掺杂多晶硅层的上表面呈现一个向上突起的弧形形状；

6)金属过渡层[7]的制作：在二次掺杂多晶硅层的向上突起弧形形状的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成金属过渡层；

7)催化剂金属层[8]的制作：在金属过渡层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成催化剂金属层；

8)防短路阴极保护结构的表面清洁：对防短路阴极保护结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管[9]的制备：利用催化剂层制备出碳纳米管；

10)阴极玻璃面板[10]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阴极玻璃面板；

11)阳极玻璃面板[11]的制作：对钠钙平板玻璃进行划割，形成阳极玻璃面板；

12)阳极导电层[12]的制作：在阳极玻璃面板的上蒸镀一层锡铟氧化物膜层，刻蚀后形成阳极导电层；

13)绝缘浆料层[13]的制作：在阳极导电层的非显示区域制备绝缘浆料层；

14)荧光粉层[14]的制作：在阳极导电层上面的显示区域制备荧光粉层；

15)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[15]、四周玻璃围框[16]以及防短路阴极保护结构装配到一起，并将消气剂[17]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

16)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

5、如权利要求4所述的带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤3具体为在n型重掺杂硅片的正面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后即为绝缘隔离层；然后在绝缘隔离层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后即为栅极层；在接下来的刻蚀工艺中，需要先对栅极层进行刻蚀，然后再对绝缘隔离层进行刻蚀；刻蚀后的栅极层需要暴露出底部的绝缘隔离层，且其侧壁是垂直于n型重掺杂硅片表面平面的；需要对绝缘隔离层采用各向同性的湿法刻蚀工艺，刻蚀后的绝缘隔离层需要暴露出底部的n型重掺杂硅片表面，且分别形成向两侧有弧形扩展形状；

6、如权利要求4所述的带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤13具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料[13]层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

7、如权利要求4所述的带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤14具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉[14]层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟，

8、如权利要求4所述的带有防短路阴极保护结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤16具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Images