CN1767136A - 带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

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CN1767136A CN 200510048401 CN200510048401A CN1767136A CN 1767136 A CN1767136 A CN 1767136A CN 200510048401 CN200510048401 CN 200510048401 CN 200510048401 A CN200510048401 A CN 200510048401A CN 1767136 A CN1767136 A CN 1767136A
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李玉魁
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Abstract

本发明涉及一种碳纳米管阴极场致发射平面发光显示器件及其制作工艺,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔,在阳极玻璃面板上设置有阳极导电条以及印刷在阳极导电条上的荧光粉层,在阴极面板上设置有阴极导电条、绝缘隔离层以及印刷的碳纳米管阴极、用于控制电子发射的控制栅极条、附属消气剂元件,在密封真空腔中设置有既能对玻璃面板提供支撑作用,又能防止支撑墙结构上的二次电子发射的支撑墙结构,具有结构简单、制作过程成本低廉、制作成品率高、稳定可靠的优点。

Description

带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器及其制作工艺
技术领域
本发明属于纳米科学技术、平板显示技术以及真空科学技术的相互交叉领域,涉及到平板场致发射发光显示器件的制作,具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容,特别涉及到一种带有防二次电子发射支撑墙结构的、碳纳米管阴极的场致发射平面显示器件的制作工艺。
背景技术
平板显示器以其大面积、平板化、高质量等优点,已经在最近几年中取得了极大的进展。碳纳米管是一种具有独特结构的阴极发射材料,能够在外加电压的作用下发射大量的电子,引起了众多研究人员的关注。对于利用碳纳米管作为阴极的场致发射平板显示器来说,其结合了阴极射线管的高质量、液晶显示器的超薄型以及等离子体显示器的大面积型,在平板显示领域正在迅猛发展。对于平面显示器来说,由于器件内部是“真空”,器件外部是大气,二者之间就会形成巨大的压力差,而这压力差就要由封装显示器件的外壳玻璃来承担。在大面积和高质量技术指标标准下,那就要求封装外壳玻璃既要保持原始的高度平整性,还要承担十分巨大的侧面压力。为了防止玻璃在内外大气压力差的作用下而发生形变,继而影响到显示器的显示质量,就必须利用支撑墙结构来对玻璃提供有利的支撑,用于抵抗大气压力差。因此,支撑墙结构的制作就成为了研究人员所面临的一个现实问题。
但是支撑墙的制作是有着严格的技术要求的,除了高强度(不能在大气压力下发生形变)、大的高宽比率(防止影响像素点发光和显示图象质量)、耐高压(能够承受阳极作用的高电压)等指标外,还需要能够防止二次电子发射现象。在阳极高电压的作用下,从碳纳米管阴极发射的电子以更高的速度向阳极运动。但是并不都是所有的电子垂直飞向阳极玻璃面板的,部分电子会杂乱无章的飞向支撑墙结构;当电子对支撑墙结构进行轰击以后,会从支撑墙结构中激发出二次电子,其二次电子的发射会对显示器件造成一定的影响,继而会影响到器件的显示图像质量,在严重的情况下会导致整体显示器件的烧毁和报废。因此,除了在器件制作工艺上继续保持严格要求以外,还需要在器件结构上寻找突破。
受到支撑墙结构安装固定的影响,需要支撑墙结构材料的热膨胀系数基本上和器件玻璃面板的热膨胀系数相同,或者相接近,避免在器件排气封装过程中发生炸裂,从而对支撑墙结构的制作材料也提出了一定的要求。
此外,在尽可能不影响显示图像质量的前提下,还需要进一步降低平板器件的制作成本;在能够进行大面积的器件制作的同时,还需要使得器件制作过程免于复杂化,有利于进行商业化的大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足而提供一种结构简单、制作过程成本低廉、制作成品率高、稳定可靠、带有防二次电子发射支撑墙结构的碳纳米管阴极场致发射平面发光显示器件及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的:包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔,在阳极玻璃面板上设置有阳极导电条以及印刷在阳极导电条上的荧光粉层,在阴极面板上设置有阴极导电条、绝缘隔离层以及印刷的碳纳米管阴极、用于控制电子发射的控制栅极条、附属消气剂元件,在密封真空腔中设置有既能对玻璃面板提供支撑作用,又能防止支撑墙结构上的二次电子发射的支撑墙结构。
所述的防二次电子发射的支撑墙结构包括设置在阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的基底材料、设置在基底材料两侧的正面绝缘吸收层和背侧绝缘吸收层、设置在正面绝缘吸收层和背侧绝缘吸收层旁的金属片。所述的防二次电子发射支撑墙结构位于阳极面板和控制栅极结构之间。所述的防二次电子发射支撑墙结构的基底材料为玻璃片、陶瓷片或者玻璃纤维之一。所述的防二次电子发射支撑墙结构的正面绝缘吸收层和背侧绝缘吸收层为聚酰亚胺层。基底材料安装在阴极面板或阳极面板的凹槽中。所述的安装在基底材料两侧的金属片[4]为一片直立的金属片,金属片可以为镍、铬、银、铝、铜金属之一,金属片和基底材料之间互相不接触,需要隔离开一定的距离,金属片的长度与基底玻璃的长度相同,高度则是基底玻璃的高度的四分之一。
一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:采用如下的工艺进行制作:
(1)、阳极面板结构的制作:
1)阳极面板玻璃的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阳极面板玻璃;
2)阳极导电层的制作:在阳极面板玻璃上蒸镀上一层锡铟氧化物膜层;结合常规的光刻工艺,对锡铟氧化物膜层进行刻蚀,形成阳极导电层;
3)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤(烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟);
4)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层[8];在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟);
(2)、阴极面板结构的制作:
1)阴极面板玻璃的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阴极面板玻璃;
2)阴极导电层的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极而板玻璃上印刷一层银浆,形成阴极导电层;经过烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟);
3)绝缘隔离层的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极面板玻璃上印刷绝缘浆料,形成绝缘隔离层;经过烘烤(烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟);
4)控制栅极的制作:结合丝网印刷工艺,在绝缘隔离层上印刷银浆,形成控制栅极;经过烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:580℃,保持时间:10分钟);
5)碳纳米管阴极的制作:结合丝网印刷工艺,将碳纳米管印刷在阴极导电层的上面;
6)碳纳米管阴极的后处理:对印刷后的碳纳米管阴极进行后处理,以改善碳纳米管的场发射特性,
(3)、防二次电子发射支撑墙结构的制作:
1)、基底玻璃纤维的制作:对整体玻璃纤维进行裁剪,制作出基底玻璃纤维,并排列在一起,
2)、正面绝缘吸收层的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维上制备出一层聚酰亚胺层,形成正面绝缘吸收层;经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
3)、背侧绝缘吸收层的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维上的背侧也制备出一层聚酰亚胺层,形成背侧绝缘吸收层;经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
4)、基底玻璃纤维的安装固定:将基底玻璃纤维安装在阴极面板上的凹槽中,并用低熔点玻璃粉烧结固定;经过烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:450℃,保持时间:10分钟);
5)、镍片的准备:对整体金属镍片进行裁剪,制作出金属镍片;要求镍片的长度与基底玻璃纤维的长度相同,高度则是基底玻璃纤维的高度的四分之一;当然,镍片的高度可以根据支撑墙高度变化和碳纳米管阴极与镍片距离的变化而作些许调整;
6)、镍片的安装固定:将裁剪的镍片放置在基底玻璃纤维的两侧,用低熔点玻璃粉进行烧结固定;经过烘烤(烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟)之后,放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度:450℃,保持时间:10分钟);要求镍片和基底玻璃纤维之间互相不接触,需要隔离开一定的距离;并且镍片位于基底玻璃纤维的两侧,各有一片镍片;
7)、基底玻璃纤维表面的清洁处理:对基底玻璃纤维表面进行清洁处理,除掉灰尘和杂质。
(3)、器件装配:将阳极玻璃面板、阴极玻璃面板、四周玻璃围框以及防二次电子发射支撑墙结构装配到一起,并将消气剂放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉,用夹子固定,
(4)、成品制作:对已经装配好的器件进行如下的封装工艺:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行高温烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
本发明具有如下的积极效果:
本发明中的主要特点在于制作了带有防二次电子发射支撑墙结构的、碳纳米管阴极的发光平板显示器件。既能够对玻璃面板提供支撑作用,又能够有力的防止支撑墙结构上的二次电子发射,从而提高了显示器件制作的成功率,进一步提高平板器件的显示分辨率,简化器件的制作工艺,降低器件制作的成本。
1、防二次电子发射支撑墙结构能够对阳极玻璃面板和阴极玻璃而板起到有力的支撑作用。对于平面显示器件来说,由于器件内部是“真空”,器件外部是大气,二者之间所形成的巨大压力差就要由封装外壳玻璃和支撑墙结构来承担。由于采用具有一定强度和硬度的玻璃纤维来制作防二次电子发射支撑墙结构的基底材料,因此这个支撑墙结构本身就具备了能够承受大气压力差的先决条件;然后,在这个玻璃纤维的上面再次旋转涂敷上聚酰亚胺绝缘吸收层,则进一步强化了支撑墙结构的硬度和强度,使得所制作的支撑墙结构能够更加有力的协助封装外壳玻璃来抵抗巨大的压力差。
2、防二次电子发射支撑墙结构的最大特点就在于能够有效地防止支撑墙结构的二次电子发射现象,进一步提高了显示器件的制作成功率。受到阳极高电压的作用影响,从碳纳米管阴极会发射大量的电子,向阳极高速运动。由于在玻璃纤维的两侧分别对称的制作了两个直立的金属镍片,而且这个镍片和玻璃纤维又离开有一定的距离,并且二者互不相连。尽管有部分电子会杂乱无章的飞向支撑墙结构,可以将这些电子分为两种情况,一种情况是靠近支撑墙结构的底部,也就是靠近显示器件当中控制栅极和支撑墙结构相互连接的部位。由于在这个部位制作了金属镍片,因此这些电子就会被金属镍片所吸收,存放在镍金属当中,有利的消除了二次电子发射现象;另一种情况就是靠近支撑墙结构的上部,也就是靠近显示器件当中阳极玻璃面板和支撑墙结构相互连接的部位。受到电子直线运动角度的影响,电子在几乎不可能轰击支撑墙结构的中间部分,因此只能够轰击支撑墙结构和阳极玻璃面板相连接的部位,那么对整体器件的影响也就微乎其微了。
3、在玻璃纤维的表面制作了聚酰亚胺绝缘吸收层结构,既能够进一步增加玻璃纤维基底的硬度和强度,同时也能够对轰击的电子有一定的吸收作用。
此外,在本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的制作过程中,并没有采用特殊的器件制作材料以及特殊的器件制作工艺,能够极大地降低器件的生产成本,具有制作工艺简单、制作成本低廉、稳定可靠、高质量显示图像等优越之处。
附图说明
图1给出了防二次电子发射支撑墙结构的纵向结构示意图。
图2给出了防二次电子发射支撑墙结构的横向结构示意图。
图3中给出了一个碳纳米管阴极的、带有防二次电子发射支撑墙结构的发光平板显示器件的实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明,但本发明并不局限于这些实施例。
本发明包括由阳极玻璃面板5、阴极玻璃面板9和四周玻璃围框14所构成的密封真空腔,在阳极玻璃面板5上设置有阳极导电条6以及印刷在阳极导电条6上的荧光粉层8,在阴极面板9上设置有阴极导电条10、绝缘隔离层11以及印刷的碳纳米管阴极13、用于控制电子发射的控制栅极条12、附属消气剂元件15,在密封真空腔中设置有既能对玻璃面板提供支撑作用,又能防止支撑墙结构上的二次电子发射的支撑墙结构。
所述的防二次电子发射的支撑墙结构包括设置在阳极玻璃面板5和阴极玻璃面板9之间的基底材料1、设置在基底材料1两侧的正面绝缘吸收层2和背侧绝缘吸收层3、设置在正面绝缘吸收层2和背侧绝缘吸收层3旁的金属片4。
所述的防二次电子发射支撑墙结构位于阳极面板和控制栅极结构之间。所述的防二次电子发射支撑墙结构的基底材料为玻璃片、陶瓷片或者玻璃纤维之一。所述的防二次电子发射支撑墙结构的正面绝缘吸收层2和背侧绝缘吸收层3为聚酰亚胺层。基底材料1安装在阴极面板或阳极面板的凹槽中。所述的安装在基底材料两侧的金属片4为一片直立的金属片,金属片可以为镍、铬、银、铝、铜金属之一,金属片和基底材料之间互相不接触,需要隔离开一定的距离,金属片的长度与基底玻璃的长度相同,高度则是基底玻璃的高度的四分之一。
一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:采用如下的工艺进行制作:
(1)、阳极面板结构的制作:
1)阳极面板玻璃5的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阳极面板玻璃5;
2)阳极导电层6的制作:在阳极面板玻璃5上蒸镀上一层锡铟氧化物膜层;结合常规的光刻工艺,对锡铟氧化物膜层进行刻蚀,形成阳极导电层6;
3)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层6的非显示区域印刷绝缘浆料层7,用于防止寄生电子发射;经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
4)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层8;在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟;
(2)、阴极面板结构的制作:
1)阴极面板玻璃9的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阴极面板玻璃9;
2)阴极导电层10的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极面板玻璃9上印刷一层银浆,形成阴极导电层10;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
3)绝缘隔离层11的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极面板玻璃9上印刷绝缘浆料,形成绝缘隔离层11;经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
4)控制栅极12的制作:结合丝网印刷工艺,在绝缘隔离层11上印刷银浆,形成控制栅极12;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
5)碳纳米管阴极13的制作:结合丝网印刷工艺,将碳纳米管13印刷在阴极导电层10的上面;
6)碳纳米管13阴极的后处理:对印刷后的碳纳米管13阴极进行后处理,以改善碳纳米管的场发射特性,
(3)、防二次电子发射支撑墙结构的制作:
1)、基底玻璃纤维1的制作:对整体玻璃纤维进行裁剪,制作出基底玻璃纤维1,并排列在一起,
2)、正面绝缘吸收层2的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维1上制备出一层聚酰亚胺层,形成正面绝缘吸收层2;经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
3)、背侧绝缘吸收层3的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维1上的背侧也制备出一层聚酰亚胺层,形成背侧绝缘吸收层3;经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
4)、基底玻璃纤维1的安装固定:将基底玻璃纤维1安装在阴极面板上的凹槽中,并用低熔点玻璃粉烧结固定;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:450℃,保持时间:10分钟;
5)、镍片4的准备:对整体金属镍片进行裁剪,制作出金属镍片3;要求镍片的长度与基底玻璃纤维1的长度相同,高度则是基底玻璃纤维1的高度的四分之一;当然,镍片的高度可以根据支撑墙高度变化和碳纳米管阴极与镍片距离的变化而作些许调整;
6)、镍片4的安装固定:将裁剪的镍片4放置在基底玻璃纤维1的两侧,用低熔点玻璃粉进行烧结固定;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:450℃,保持时间:10分钟;要求镍片4和基底玻璃纤维1之间互相不接触,需要隔离开一定的距离;并且镍片4位于基底玻璃纤维1的两侧,各有一片镍片;
7)、基底玻璃纤维1表面的清洁处理:对基底玻璃纤维1表面进行清洁处理,除掉灰尘和杂质,
(3)、器件装配:将阳极玻璃面板5、阴极玻璃面板9、四周玻璃围框14以及防二次电子发射支撑墙结构装配到一起,并将消气剂15放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉,用夹子固定,
(4)、成品制作:对已经装配好的器件进行封装:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行高温烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
本发明制作了带有防二次电子发射功能的支撑墙结构,既能够对玻璃面板提供支撑作用,又能够有力的防止支撑墙结构上的二次电子发射,从而提高了显示器件制作的成功率,进一步提高平板器件的显示分辨率,简化器件的制作工艺,降低器件制作的成本。
本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的固定位置既可以安装固定在阳极面板上,也可以安装固定在阴极面板上;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底材料为大型、具有相当良好的耐热性和可操作性、成本低廉的高性能绝缘材料;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底材料为玻璃片、陶瓷片或者玻璃纤维;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构位于阳极面板和控制栅极结构之间;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底玻璃上存在一个黑色绝缘吸收层;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底玻璃上的黑色绝缘吸收层为聚酰亚胺层;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的聚酰亚胺层是结合旋转涂敷工艺和高温烘焙工艺完成的;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底玻璃需要安装在凹槽中;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底玻璃与玻璃面板的连接需要使用低熔点玻璃粉;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的基底玻璃的两侧各安装固定一片直立的金属片;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的金属片可以为镍、铬、银、铝、铜金属;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的金属片和基底玻璃之间互相不接触,需要隔离开一定的距离;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的金属片的长度与基底玻璃的长度相同,高度则是基底玻璃的高度的四分之一;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的金属片的高度可以根据支撑墙的高度变化和碳纳米管阴极与金属片距离的变化而作调整;本发明中的防二次电子发射支撑墙结构的金属片上不施加任何电压。

Claims (8)

1、一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板[5]、阴极玻璃面板[9]和四周玻璃围框[14]所构成的密封真空腔,在阳极玻璃面板[5]上设置有阳极导电条[6]以及印刷在阳极导电条[6]上的荧光粉层[8],在阴极面板[9]上设置有阴极导电条[10]、绝缘隔离层[11]以及印刷的碳纳米管阴极[13]、用于控制电子发射的控制栅极条[12]、附属消气剂元件[15],其特征在于:在密封真空腔中设置有既能对玻璃面板提供支撑作用,又能防止支撑墙结构上的二次电子发射的支撑墙结构。
2、如权利要求1所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:所述的防二次电子发射的支撑墙结构包括设置在阳极玻璃面板[5]和阴极玻璃面板[9]之间的基底材料[1]、设置在基底材料[1]两侧的正面绝缘吸收层[2]和背侧绝缘吸收层[3]、设置在正面绝缘吸收层[2]和背侧绝缘吸收层[3]旁的金属片[4]。
3、如权利要求2所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:所述的防二次电子发射支撑墙结构位于阳极面板和控制栅极结构之间。
4、如权利要求2所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:所述的防二次电子发射支撑墙结构的基底材料为玻璃片、陶瓷片或者玻璃纤维之一。
5、如权利要求2所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:所述的防二次电子发射支撑墙结构的正面绝缘吸收层[2]和背侧绝缘吸收层[3]为聚酰亚胺层。
6、如权利要求2所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:基底材料[1]安装在阴极面板或阳极面板的凹槽中。
7、如权利要求2所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器,其特征在于:所述的安装在基底材料两侧的金属片[4]为一片直立的金属片,金属片可以为镍、铬、银、铝、铜金属之一,金属片和基底材料之间互相不接触,需要隔离开一定的距离,金属片的长度与基底玻璃的长度相同,高度则是基底玻璃的高度的四分之一。
8、如权利要求1所述的一种带有防二次电子发射支撑墙结构的平板显示器的制作工艺,其特征在于:采用如下的工艺进行制作:
(1)、阳极面板结构的制作:
1)阳极面板玻璃[5]的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阳极面板玻璃[5];
2)阳极导电层[6]的制作:在阳极面板玻璃[5]上蒸镀上一层锡铟氧化物膜层;结合常规的光刻工艺,对锡铟氧化物膜层进行刻蚀,形成阳极导电层[6];
3)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层[6]的非显示区域印刷绝缘浆料[7]层,用于防止寄生电子发射;经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
4)结合丝网印刷工艺,在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层[8];在烘箱当中进行烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟;
(2)、阴极面板结构的制作:
1)阴极面板玻璃[9]的制作:对整体平板钠钙玻璃进行裁剪,制作出阴极面板玻璃[9];
2)阴极导电层[10]的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极面板玻璃[9]上印刷一层银浆,形成阴极导电层[10];经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
3)绝缘隔离层[11]的制作:结合丝网印刷工艺,在阴极面板玻璃[9]上印刷绝缘浆料,形成绝缘隔离层[11];经过烘烤,烘烤温度:150℃,保持时间:5分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
4)控制栅极[12]的制作:结合丝网印刷工艺,在绝缘隔离层[11]上印刷银浆,形成控制栅极[12];经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:580℃,保持时间:10分钟;
5)碳纳米管阴极[13]的制作:结合丝网印刷工艺,将碳纳米管[13]印刷在阴极导电层[10]的上面;
6)碳纳米管[13]阴极的后处理:对印刷后的碳纳米管[13]阴极进行后处理,以改善碳纳米管的场发射特性,
(3)、防二次电子发射支撑墙结构的制作:
1)、基底玻璃纤维[1]的制作:对整体玻璃纤维进行裁剪,制作出基底玻璃纤维[1],并排列在一起,
2)、正面绝缘吸收层[2]的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维[1]上制备出一层聚酰亚胺层,形成正面绝缘吸收层[2];经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
3)、背侧绝缘吸收层[3]的制作:结合常规的旋转涂敷工艺,在基底玻璃纤维[1]上的背侧也制备出一层聚酰亚胺层,形成背侧绝缘吸收层[3];经过高温工艺进行固化,固化温度为375℃,
4)、基底玻璃纤维[1]的安装固定:将基底玻璃纤维[1]安装在阴极面板上的凹槽中,并用低熔点玻璃粉烧结固定;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:450℃,保持时间:10分钟;
5)、镍片[4]的准备:对整体金属镍片进行裁剪,制作出金属镍片[3];要求镍片的长度与基底玻璃纤维[1]的长度相同,高度则是基底玻璃纤维[1]的高度的四分之一;当然,镍片的高度可以根据支撑墙高度变化和碳纳米管阴极与镍片距离的变化而作些许调整;
6)、镍片[4]的安装固定:将裁剪的镍片[4]放置在基底玻璃纤维[1]的两侧,用低熔点玻璃粉进行烧结固定;经过烘烤,烘烤温度:120℃,保持时间:10分钟,之后,放置在烧结炉中进行高温烧结,烧结温度:450℃,保持时间:10分钟;要求镍片[4]和基底玻璃纤维[1]之间互相不接触,需要隔离开一定的距离;并且镍片[4]位于基底玻璃纤维[1]的两侧,各有一片镍片;
7)、基底玻璃纤维[1]表面的清洁处理:对基底玻璃纤维[1]表面进行清洁处理,除掉灰尘和杂质。
(3)、器件装配:将阳极玻璃面板[5]、阴极玻璃面板[9]、四周玻璃围框[14]以及防二次电子发射支撑墙结构装配到一起,并将消气剂[15]放入到空腔当中,用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉,用夹子固定,
(4)、成品制作:对已经装配好的器件进行封装:将样品器件放入烘箱当中进行烘烤;放入烧结炉当中进行高温烧结;在排气台上进行器件排气、封离,在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。
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