CN1909162A - 曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明特别涉及到一种曲栅壳尖型阵列发射结构的、碳纳米管阴极的场致发射平板显示器的制作，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及曲栅壳尖型阵列发射结构；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件。能够进一步增强栅极的控制作用，缩短栅极和碳纳米管阴极之间的距离，降低器件的工作电压；能够充分利用边缘位置发射大量电子的现象，提高碳纳米管阴极的电子发射效率，进一步提高器件的显示亮度。具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平板显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到一种曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率，以及良好的物理化学特性，特别适合于用作场发射的阴极材料，这早已引起了众多科研人员的高度关注。而碳纳米管场致发射平板显示器就是利用碳纳米管的场致发射原理而制作的一种新型平面器件，具有高清晰度、高亮度、高显示图像质量等特点，其应用越来越广泛。当在栅极上施加适当电压以后，就会迫使碳纳米管发射出大量电子；所发射的电子穿过栅极，在阳极高电压的作用下，以更高的速度向阳极运动，轰击荧光粉层而发出可见光。

在三极结构的碳纳米管阴极场致发射显示器件当中，栅极结构对于碳纳米管阴极的电子发射起着必要的控制作用。栅极的结构直接影响着在碳纳米管顶端所形成的电场强度的大小，栅极的制作工艺直接影响着栅极控制能力的强与弱，而栅极的制作材料直接影响到器件制作的成功率。因此，无论是从材料选择方面，还是从制作工艺等方面，都有着十分严格的技术要求。在目前的栅极结构中，采用何种栅极结构形式以及何种栅极形状，都没有统一的规定，如何确保在现有技术条件下尽可能大的增加碳纳米管顶端的电场强度，同时却进一步降低器件的工作电压，这是值得认真思考的一个问题。另外，在碳纳米管阴极的电子发射过程中，并不是所有的碳纳米管阴极都能够均匀稳定的发射电子的，而是位于阴极边缘位置的碳纳米管阴极发射的电子相对多一些，而位于中央位置的碳纳米管阴极发射的电子要少一些，或者根本就不发射电子。也就是独特的边缘位置发射大量电子现象。那么在器件制作的过程中，如何有效地利用这种现象，来进一步的降低器件的工作电压，提高器件的显示亮度呢，这是需要解决的一个问题。

此外，在尽可能不影响碳纳米管阴极的场致发射能力的前提下，还需要进一步降低整体平板显示器件的制作成本；在能够进行大面积显示器件制作的同时，还需要使得器件制作过程免于复杂化，有利于进行商业化的大规模生产。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的：一种曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及曲栅壳尖型阵列发射结构。

所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层，阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极绝缘层，栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层，在栅极绝缘层上面靠近圆形孔附近的刻蚀后的二氧化硅层形成曲栅底质层，曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜，曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态，曲栅底质层上表面的刻蚀后的金属层形成栅极层，栅极层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极增高层，阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷，阴极增高层两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层，阴极增高层上表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层，碳纳米管阴极制备在阴极导电层上。

所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极控制着碳纳米管的电子发射，阴极引线层为金属金、银、铝、铬、钼、铟，栅极层为金属金、银、铝、铜、锡、铬、钼、铟，阴极增高层的掺杂类型为p型或为n型，阴极导电层为金属金、银、铝、铬、钼、锡。

一种曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极绝缘层的制作：在阴极玻璃面板上制备一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极绝缘层；栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)曲栅底质层的制作：在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；

5)栅极层的制作：在曲栅底质层的上表面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极层；

6)栅极覆盖层的制作：在栅极层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层；

7)阴极增高层的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；

8)阴极导电层的制作：在阴极增高层的上表面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

9)曲栅壳尖型阵列发射结构的表面清洁处理：对曲栅壳尖型阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

11)阳极玻璃面板的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

12)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

13)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

14)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

15)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和四周玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

16)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤4具体为在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜；曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态。

所述步骤7具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷；两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层。

所述步骤13具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤14具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤16具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的曲栅壳尖型阵列发射结构中，制作了曲栅底质层，并将栅极层制作在了曲栅底质层的上表面，这样，栅极层就形成了一个完全的斜面，伸向圆形孔的中心部位。也就是说，栅极层能够进一步的无限接近于碳纳米管阴极，有利于缩短二者之间的距离，进一步的降低整体显示器件的工作电压；

其次，在所述的曲栅壳尖型阵列发射结构中，在栅极层的上表面制作了栅极覆盖层，将栅极层完全包围起来，其中也包括前端悬空部分，这样能够有利的防止栅极和碳纳米管阴极之间短路现象的发生，提高整体器件制作的成功率；

第三，在所述的曲栅壳尖型阵列发射结构中，将阴极增高层制作成了一个半圆形凹陷面，且向阴极增高层的内部凹陷，两侧形成壳尖状结构，这样，当碳纳米管阴极制备在其上面以后，就更进一步增强了碳纳米管顶端的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子；同时采用掺杂多晶硅层作为了阴极增高层，利用掺杂多晶硅层的半导体特性，对流经碳纳米管阴极的电流能够起到一种镇流作用，进而提高显示器件的显示图像均匀性和稳定性；

此外，在所述的曲栅壳尖型阵列发射结构中，并没哟采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作。

附图说明

图1给出了曲栅壳尖型阵列发射结构的纵向结构示意图；

图2给出了曲栅壳尖型阵列发射结构的横向结构示意图；

图3给出了带有曲栅壳尖型阵列发射结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板10、阴极玻璃面板1和四周玻璃围框15所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层11以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层13；支撑墙结构14以及消气剂附属元件16。在阴极玻璃面板上有控制栅极5、碳纳米管9阴极以及曲栅壳尖型阵列发射结构。

所述的曲栅壳尖型阵列发射结构包括阴极玻璃面板1、阴极引线层2、栅极绝缘层3、曲栅底质层4、栅极层5、栅极覆盖层6、阴极增高层7、阴极导电层8和碳纳米管9部分。

所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层，阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极绝缘层，栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层，在栅极绝缘层上面靠近圆形孔附近的刻蚀后的二氧化硅层形成曲栅底质层，曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜，曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态，曲栅底质层上表面的刻蚀后的金属层形成栅极层，栅极层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极增高层，阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷，阴极增高层两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层，阴极增高层上表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层，碳纳米管阴极制备在阴极导电层上。

所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极控制着碳纳米管的电子发射。阴极引线层可以为金属金、银、铝、铬、钼、铟。栅极层可以为金属金、银、铝、铜、锡、铬、钼、铟。阴极增高层的掺杂类型可以为p型，也可以为n型。阴极导电层可以为金属金、银、铝、铬、钼、锡。

一种带有曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板1的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层2的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，如金属铬层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极绝缘层3的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极绝缘层；栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)曲栅底质层4的制作：在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；

5)栅极层5的制作：在曲栅底质层的上表面制备出一个金属层，如金属铝层，刻蚀后形成栅极层；

6)栅极覆盖层6的制作：在栅极层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层；

7)阴极增高层7的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；

8)阴极导电层8的制作：在阴极增高层的上表面制备出一个金属层，如金属铬层，刻蚀后形成阴极导电层；

9)曲栅壳尖型阵列发射结构的表面清洁处理：对曲栅壳尖型阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管9的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

11)阳极玻璃面板10的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

12)阳极导电层11的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

13)绝缘浆料层12的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

14)荧光粉层13的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

15)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构14和四周玻璃围框15装配到一起，并将消气剂16放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

16)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤4具体为在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜；曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态；

所述步骤7具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷；两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层；

所述步骤13具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤14具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤16具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (9)

1、一种曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[10]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[15]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[11]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[13]；支撑墙结构[14]以及消气剂附属元件[16]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有控制栅极[5]、碳纳米管[9]阴极以及曲栅壳尖型阵列发射结构。

2、根据权利要求1所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器，其特征在于：所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[2]，阴极玻璃面板上的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极绝缘层[3]，栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层，在栅极绝缘层上面靠近圆形孔附近的刻蚀后的二氧化硅层形成曲栅底质层[4]，曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜，曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态，曲栅底质层上表面的刻蚀后的金属层形成栅极层[5]，栅极层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层[6]，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成阴极增高层[7]，阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷，阴极增高层两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层，阴极增高层上表面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层[8]，碳纳米管[9]阴极制备在阴极导电层上。

3、根据权利要求2所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器，其特征在于：所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极控制着碳纳米管的电子发射，阴极引线层为金属金、银、铝、铬、钼、铟，栅极层为金属金、银、铝、铜、锡、铬、钼、铟，阴极增高层的掺杂类型为p型或为n型，阴极导电层为金属金、银、铝、铬、钼、锡。

4、一种曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极绝缘层[3]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极绝缘层；栅极绝缘层的中间存在一个圆形孔，暴露出底部的阴极引线层；

4)曲栅底质层[4]的制作：在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；

5)栅极层[5]的制作：在曲栅底质层的上表面制备出一个金属层，刻蚀后形成栅极层；

6)栅极覆盖层[6]的制作：在栅极层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极层；

7)阴极增高层[7]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；

8)阴极导电层[8]的制作：在阴极增高层的上表面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

9)曲栅壳尖型阵列发射结构的表面清洁处理：对曲栅壳尖型阵列发射结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

10)碳纳米管[9]的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

11)阳极玻璃面板[10]的制作：对整体平板钠钙玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

12)阳极导电层[11]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

13)绝缘浆料层[12]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

14)荧光粉层[13]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

15)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[14]和四周玻璃围框[15]装配到一起，并将消气剂[16]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

16)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

5、根据权利要求4所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤4具体为在栅极绝缘层的上面靠近圆形孔附近制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成曲栅底质层；曲栅底质层的下表面和栅极绝缘层重合为一体，其上表面形成一个弯曲形状，且向圆形孔的中心部位倾斜；曲栅底质层大部分都位于栅极绝缘层的上面，但其前端部分倾斜面需要超过栅极绝缘层的侧面，呈现一种悬空状态。

6、根据权利要求4所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤7具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成阴极增高层；阴极增高层的下表面为平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个半圆形凹面，向阴极增高层的内部凹陷；两侧分别形成壳尖状结构，接近于栅极层。

7、根据权利要求4所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤13具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

8、根据权利要求4所述的曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤14具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

9、根据权利要求4所述的一种带有曲栅壳尖型阵列发射结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤16具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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