CN1909157A - 仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种仙人球型尖端阴极阵列结构的碳纳米管阴极场致发射显示器的制作，包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件；在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构；改变了碳纳米管阴极的形状和结构，充分利用了边缘位置发射大量电子的现象，有效地增强了碳纳米管顶端的电场强度，增大了碳纳米管阴极的发射面积，在进一步改善栅极控制效率的同时增强了栅极的控制能力，有助于进一步改善器件的场致发射特性，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

Description

仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺

技术领域

本发明属于平面显示技术领域、电子科学与技术领域、真空科学与技术领域、集成电路科学与技术领域以及纳米科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平板场致发射显示器的器件制作，具体涉及到碳纳米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作方面的内容，特别涉及到一种仙人球型尖端阴极阵列结构的碳纳米管阴极场致发射显示器的器件制作及其制作工艺。

背景技术

近来随着人们对碳纳米管材料认识的加深，对于碳纳米管的各种性质的研究也越来越深入。碳纳米管是一种同轴的管状物质，具有小的尖端曲率半径，高的纵横比率以及良好的导电性能，早已引起了众多科研人员的高度关注。碳纳米管也是一种新型的阴极材料，尤其是在制作大面积场致发射显示设备方面，其应用越来越广泛。利用碳纳米管作为阴极材料而制作的场致发射显示器是一种新型的平面器件，具有高清晰度、高亮度、高分辨率等优点，在平板显示领域独树一帜，引领着平板显示技术的发展方向。

在场致发射显示器件当中，阴极是电子发射的起源部分，当在栅极上施加适当电压以后，就会在碳纳米管顶端形成强大的电场强度，迫使碳纳米管发射出大量的电子，而阴极的形状也会影响到碳纳米管顶端电场强度的分布和大小。一般情况下，位于阴极边缘位置的碳纳米管发射的电子多一些，而位于阴极中央位置的碳纳米管发射的电子要少一些，或者根本就不发射电子。那么需要对碳纳米管阴极进行加以改进，充分利用这种独特的边缘位置发射大量电子的现象，以便于进一步改善显示器件的显示图像质量。此外，栅极的形状和位置也直接影响着对于碳纳米管阴极的控制能力，那么采用何种栅极结构形式，如何有效地提高栅极的控制性能和效率，如何能够将栅极和阴极有效地高度集成到一起，这是需要认真思考的现实问题。

此外，在三极结构的平板场致发射显示器件当中，在确保整体器件良好图像质量的前提下，还要尽可能的降低总体器件成本，进行稳定可靠、成本低廉、性能优良、高质量的器件制作。

发明内容

本发明的目的在于克服上述平板显示器件当中存在的缺点和不足而提供一种成本低廉、制作过程稳定可靠、制作成功率高、结构简单的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺。

本发明的目的是这样实现的：

一种仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板9、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件，在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构。

所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层，阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层，栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层，栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状，栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极导电层，栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层，栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成提升层，提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似，提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的，提升层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层，阴极导电层为小型方块形状，相邻小型方块之间相互隔离开来，阴极导电层分布在提升层的整个上表面，碳纳米管制备在阴极导电层的上面。

所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射，阴极引线层为金属金、银、钼、铬、锡、铝、铜、镍，栅极导电层为金属金、银、铝、镍、钼、铬、钴、锡，提升层的掺杂类型为n型或为p型，阴极导电层为金属金、银、铜、镍、铬、钼、钴、铝。

一种仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极增高层的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

4)栅极导电层的制作：在栅极增高层的上面存在一个金属层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层；

5)栅极覆盖层的制作：在栅极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分；

6)提升层的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；

7)阴极导电层的制作：在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

8)仙人球型尖端阴极阵列结构的表面清洁处理：对仙人球型尖端阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

10)阳极玻璃面板的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

11)阳极导电层的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

12)绝缘浆料层的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

13)荧光粉层的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

14)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构和玻璃围框装配到一起，并将消气剂放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

15)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤3具体为在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层；栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状。

所述步骤6具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似；提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的。

所述步骤7具体为在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层为小型方块结构，相邻小型方块之间相互隔离开来；阴极导电层分布在提升层的整个上表面。

所述步骤12具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

所述步骤13具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

所述步骤15具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

本发明具有如下的积极效果：

首先，在所述的仙人球型尖端阴极阵列结构中，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射。一方面，在栅极导电层的上面制作了栅极覆盖层，有利的对栅极结构进行了保护，避免了其它杂质对于栅极导电层的影响，同时也有效的防止了栅极-阴极之间短路现象的发生，提高了整体器件的制作成功率；另一方面，在栅极结构的制作过程中，除了在栅极增高层的上表面制作了栅极导电层以外，还在侧面的四分之一椭圆型表面制作了栅极导电层，能够更加有效的增强栅极的控制功能，提高栅极的控制效率，进一步加强碳纳米管顶端的电场强度，有利于进一步提高碳纳米管阴极的电子发射效率；

其次，在所述的仙人球型尖端阴极阵列结构中，对于阴极的形状作了进一步的优化处理。一方面，将提升层的形状制作成了类椭圆型形状，即提升层的椭圆型形状和栅极导电层的椭圆型形状是相对应的，这样能够进一步缩短栅极和阴极二者之间的距离，使得碳纳米管能够均匀稳定的发射出大量的电子，增大了碳纳米管阴极的发射面积；另一方面，在提升层的上表面又制作了阴极导电层，并且将阴极导电层分割成诸多的小型方块形状，相邻之间的小型方块结构是相互隔离开来的，布满整体提升层的上表面，这样能够进一步增强碳纳米管顶端的电场强度，充分利用边缘位置发射大量电子的现象，有助于进一步提升整体器件的显示亮度；

第三，在所述的仙人球型尖端阴极阵列结构中，在提升层的上面制作了阴极导电层，有助于进一步提高碳纳米管阴极和提升层之间的粘贴性；利用掺杂多晶硅层制作了提升层结构，在充分发挥掺杂多晶硅的导电功能，能够将外加电压施加到碳纳米管阴极的同时，还能够起到镇流作用，防止流经阴极电流过大。

此外，在所述的仙人球型尖端阴极阵列结构中，并没有采用特殊的结构制作材料，也没有采用特殊的器件制作工艺，这在很大程度上就进一步降低了整体显示器件的制作成本，简化了器件的制作过程，能够进行大面积的器件制作。

附图说明

图1给出了仙人球型尖端阴极阵列结构的纵向结构示意图；

图2给出了仙人球型尖端阴极阵列结构的横向结构示意图；

图3给出了带有仙人球型尖端阴极阵列结构的、碳纳米管场致发射平面显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明，但本发明并不局限于这些实施例。

所述的一种带有仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板9、阴极玻璃面板1和四周玻璃围框14所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层10以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层12；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙13结构以及消气剂15附属元件。在阴极玻璃面板上有控制栅极4、碳纳米管8阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构。

所述的仙人球型尖端阴极阵列结构包括阴极玻璃面板1、阴极引线层2、栅极增高层3、栅极导电层4、栅极覆盖层5、提升层6、阴极导电层7和碳纳米管8部分。

所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，也就是阴极玻璃面板1，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层2，阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层3，栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层，栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状，栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极导电层4，栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层，栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层5，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成提升层6，提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似，提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的，提升层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层7，阴极导电层为小型方块形状，相邻小型方块之间相互隔离开来，阴极导电层分布在提升层的整个上表面，碳纳米管8制备在阴极导电层的上面。

所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射。阴极引线层可以为金属金、银、钼、铬、锡、铝、铜、镍。栅极导电层可以为金属金、银、铝、镍、钼、铬、钴、锡。提升层的掺杂类型可以为n型，也可以为p型。阴极导电层可以为金属金、银、铜、镍、铬、钼、钴、铝。

一种带有仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板1的制作：对整体平板玻璃，如钠钙玻璃、硼硅玻璃，进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层2的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，如金属铬层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极增高层3的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

4)栅极导电层4的制作：在栅极增高层的上面存在一个金属层，如金属镍层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层；

5)栅极覆盖层5的制作：在栅极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分；

6)提升层6的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；

7)阴极导电层7的制作：在提升层的上面制备出一个金属钴层，刻蚀后形成阴极导电层；

8)仙人球型尖端阴极阵列结构的表面清洁处理：对仙人球型尖端阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管8的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

10)阳极玻璃面板9的制作：对整体钠钙平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

11)阳极导电层10的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

12)绝缘浆料层11的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

13)荧光粉层12的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

14)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构13和玻璃围框14装配到一起，并将消气剂15放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔点玻璃粉，用夹子固定；

15)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

所述步骤3具体为在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层；栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状；

所述步骤6具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似；提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的；

所述步骤7具体为在提升层的上面制备出一个金属钴层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层为小型方块结构，相邻小型方块之间相互隔离开来；阴极导电层分布在提升层的整个上表面；

所述步骤12具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤(烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟)之后，放置在烧结炉中进行高温烧结(烧结温度：580℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤13具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤(烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟)；

所述步骤15具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

Claims (10)

1、一种仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器，包括由阳极玻璃面板[9]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[14]所构成的密封真空腔；在阳极玻璃面板上有阳极导电层[10]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[12]；位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[13]以及消气剂附属元件[15]，其特征在于：在阴极玻璃面板上有控制栅极[4]、碳纳米管[8]阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构。

2、根据权利要求1所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的衬底材料为玻璃，也就是阴极玻璃面板[1]，阴极玻璃面板上的刻蚀后的金属层形成阴极引线层[2]，阴极玻璃面板上刻蚀后的二氧化硅层形成栅极增高层[3]，栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层，栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状，栅极增高层上面的刻蚀后的金属层形成栅极导电层[4]，栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层，栅极导电层上面的刻蚀后的二氧化硅层形成栅极覆盖层[5]，栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分，阴极引线层上面的刻蚀后的掺杂多晶硅层形成提升层[6]，提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似，提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的，提升层上面的刻蚀后的金属层形成阴极导电层[7]，阴极导电层为小型方块形状，相邻小型方块之间相互隔离开来，阴极导电层分布在提升层的整个上表面，碳纳米管[8]制备在阴极导电层的上面。

3、根据权利要求2所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器，其特征在于：所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的固定位置为安装固定在阴极玻璃面板上，且栅极和阴极是集成到一起的，栅极位于碳纳米管阴极的上方，控制着碳纳米管阴极的电子发射，阴极引线层为金属金、银、钼、铬、锡、铝、铜、镍，栅极导电层为金属金、银、铝、镍、钼、铬、钴、锡，提升层的掺杂类型为n型或为p型，阴极导电层为金属金、银、铜、镍、铬、钼、钴、铝。

4、一种仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：其制作工艺如下：

1)阴极玻璃面板[1]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阴极玻璃面板；

2)阴极引线层[2]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极引线层；

3)栅极增高层[3]的制作：在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；

4)栅极导电层[4]的制作：在栅极增高层的上面存在一个金属层，刻蚀后形成栅极导电层；栅极导电层仅仅位于栅极增高层的上表面平面上和侧向椭圆形形状的表面上，其余位置没有栅极导电层；

5)栅极覆盖层[5]的制作：在栅极导电层的上面制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极覆盖层；栅极覆盖层要完全覆盖住栅极导电层，包括其上表面和侧向部分；

6)提升层[6]的制作：在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；

7)阴极导电层[7]的制作：在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；

8)仙人球型尖端阴极阵列结构的表面清洁处理：对仙人球型尖端阴极阵列结构的表面进行清洁处理，除掉杂质和灰尘；

9)碳纳米管[8]的制备：在阴极导电层的上面制备出碳纳米管阴极；

10)阳极玻璃面板[9]的制作：对整体平板玻璃进行划割，制作出阳极玻璃面板；

11)阳极导电层[10]的制作：在阳极玻璃面板上蒸镀一层锡铟氧化物膜层；刻蚀后形成阳极导电层；

12)绝缘浆料层[11]的制作：在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层；

13)荧光粉层[12]的制作：在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；

14)器件装配：将阴极玻璃面板、阳极玻璃面板、支撑墙结构[13]和玻璃围框[14]装配到一起，并将消气剂[15]放入到空腔当中，用低熔点玻璃粉固定；

15)成品制作：对已经装配好的器件进行封装工艺形成成品件。

5、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤3具体为在阴极玻璃面板上制备出一个二氧化硅层，刻蚀后形成栅极增高层；栅极增高层中间的二氧化硅部分被刻蚀掉，暴露出底部的阴极引线层；栅极增高层从横向结构上看是一个圆形形状，从纵向结构上看其上表面为一个平面，侧向靠近存在碳纳米管阴极的部分为一个四分之一椭圆型形状。

6、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤6具体为在阴极引线层的上面制备出一个n型掺杂多晶硅层，刻蚀后形成提升层；提升层从纵向结构上看是一个类椭圆型形状，其下表面为一个平面，和阴极引线层相接触，其上表面为一个椭圆型，椭圆型的弧度部分和栅极增高层的弧度部分相似；提升层的高度和栅极增高层的高度是相同的。

7、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤7具体为在提升层的上面制备出一个金属层，刻蚀后形成阴极导电层；阴极导电层为小型方块结构，相邻小型方块之间相互隔离开来；阴极导电层分布在提升层的整个上表面。

8、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤12具体为在阳极导电层的非显示区域印刷绝缘浆料层，用于防止寄生电子发射；经过烘烤，烘烤温度：150℃，保持时间：5分钟，之后，放置在烧结炉中进行高温烧结，烧结温度：580℃，保持时间：10分钟。

9、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤13具体为在阳极导电层上面的显示区域印刷荧光粉层；在烘箱当中进行烘烤，烘烤温度：120℃，保持时间：10分钟。

10、根据权利要求4所述的仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器的制作工艺，其特征在于：所述步骤15具体为对已经装配好的器件进行如下的封装工艺：将样品器件放入烘箱当中进行烘烤；放入烧结炉当中进行高温烧结；在排气台上进行器件排气、封离，在烤消机上对器件内部的消气剂进行烤消，最后加装管脚形成成品件。

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