CN1897239A - 制造具有透明盖的光学装置和光学装置模块的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的示范性实施例涉及一种制造具有透明盖的光学装置的方法和制造使用该光学装置的光学装置模块的方法。根据制造光学装置的示范性方法，制备半导体衬底，所述半导体衬底具有包括有效像素的多个管芯，和围绕所述有效像素设置的多个结合焊盘。保护层可以形成于所述半导体衬底上以选择性地覆盖有效像素。粘结图案可以形成来围绕有效像素的边缘，且可以使用粘结图案将透明盖附着到半导体衬底上。
Description
技术领域
本发明的示范性实施例涉及一种制造具有透明盖的光学装置的方法和使用该光学装置以制造光学装置模块的方法。
背景技术
除了数码相机之外，许多便携电子产品，比如蜂窝电话和个人数字助理(PDA)可以被用来拍摄数字相片。具体而言，在手掌大小的设备的情形，比如具有内置数字相机的PDA和蜂窝电话的情形，设备的品质主要由内置数字相机的特性决定。将外部图像处理为数字信号的图像传感器模块已经成为这样的便携电子产品的最重要的元件。
如由现有技术所披露的，一种通用的图像传感器模块包括安装于印刷电路板(PCB)上的图像传感器、透明盖和透镜。透明盖和透镜可以采用壳体和透镜支架固定在PCB上。壳体可以包括开口以暴露图像传感器的光接收平面，且透明盖可以安装于开口上。透镜支架的外壁和壳体的内部可以有螺纹，从而壳体和透镜可以被螺纹连接，且透镜可以被提供在透镜支架中以对应于光接收平面。
以上的图像传感器模块通常由于壳体和透镜支架而具有大的体积。其可以不易使用现有技术图像传感器模块来制造小且薄的移动电子设备。而且，因为壳体和透镜支架是螺纹连接的，所以图像传感操作可能受到由于壳体和透镜支架之间的摩擦而产生的颗粒的致命影响。
为了解决这些问题，已经开发了一种技术，其中透明盖可以使用粘结图案被附着到晶片上，而不是使用壳体将透明盖固定在晶片上。因为不需要固定透明盖的壳体，所以图像传感器模块的厚度由于壳体的高度而减小。而且，因为晶片可以用透明盖覆盖，所以晶片的表面可以被保护，从而免受在制造图像传感器模块的工艺中产生的颗粒的影响。
已经观察到在附着透明盖的现有技术的方法中，当粘结图案形成来附着透明盖时，粘结图案的残留材料保留在晶片的上部分，具体而言，在微透镜的表面上。当进行灰化或除渣工艺来去除该残留材料时，同时去除了微透镜(例如由光致抗蚀剂制成，其具有与由光敏聚合物制成的粘结层相似的成分)，这导致图像传感器的缺陷。
高度期望一种例如光学装置的图像传感器、该图像传感器的模块及其制造技术，所述图像传感器可以以低成本制造为小且薄的尺寸，同时防止图像传感器的缺陷。
发明内容
本发明的示范性实施例涉及制造具有透明盖的光学装置的方法，和使用该光学装置制造光学装置模块的方法。
本发明的示范性实施例提供了一种制造光学装置的方法，通过该方法可以从透镜表面去除残留的材料，而对于透镜具有最小的影响。本发明的示范性实施例还提供了一种大量低成本制造光学装置的方法，和制造具有小尺寸和薄轮廓的光学装置模块的方法。
根据本发明的示范性实施例，提供了一种制造光学装置的方法，所述方法包括：制备半导体基板，所述半导体基板具有多个管芯，所述管芯包括有效像素和多个围绕有效像素设置的多个结合焊盘；在半导体基板上涂布保护层来选择性地覆盖有效像素；形成粘结图案来包覆有效像素的边缘；以及使用粘结图案附着透明盖以允许透明盖面对有效像素。
根据本发明的另一示范性实施例，提供了一种制造光学装置的方法，所述方法包括：制备半导体基板，所述半导体基板具有多个管芯，所述管芯包括有效像素和多个围绕有效像素设置的多个结合焊盘；在半导体基板上形成保护层来选择性地仅覆盖有效像素；形成粘结图案来包覆有效像素的边缘；以及去除在保护层上剩余的粘结图案的残留材料。保护层可以当去除粘结图案的残留材料时保护构成有效像素的结构。然后透明盖可以预附着到管芯中的标准管芯上，且半导体基板可以被固化来共同并永久地将多个透明盖附着到半导体基板的各个管芯上。
有效像素可以包括多个均包含光接收装置的单位像素，和放置在每个单位像素上的微透镜。
保护层可以沉积在有效像素的所得到的结构表面上，而不改变构成有效像素的成分的形状，且透明层可以沿有效像素的表面沉积，从而不改变微透镜的曲率。而且，例如透明层的保护层可以为在大致100-200℃的温度范围内沉积的氧化层，且沉积保护层的方法可以为化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。
而且，粘结图案可以为光敏聚合物材料，其具有约10μm-30μm的厚度，且粘结图案可以通过曝光和显影粘结层来获得。
所述方法还可以包括，在形成粘结图案和透明盖的预附着之间，检查管芯是否已经正常地形成。
而且，透明盖的预附着可以包括：使用管芯粘结剂将透明盖与管芯的有效像素对准；且将对准的透明盖放置在粘结图案上。当放置透明盖时，基板可以保持在大致10-100℃的温度范围内，且透明盖可以保持在大致100-300℃的温度范围内。而且，半导体基板的硬化可以包括在具有大致100-250℃的温度范围的炉中将半导体基板硬化约30-90分钟。
根据本发明的另一示范性实施例，提供了一种制造光学装置模块的方法，所述方法包括：制备半导体基板，所述半导体基板具有多个管芯，所述管芯包括有效像素和多个围绕有效像素设置的多个结合焊盘；形成保护层来选择性地仅覆盖有效像素；形成粘结图案来包覆有效像素；使用粘结图案附着透明盖以允许透明盖对应于有效像素；将半导体基板切割为单独的管芯；将单独的管芯安装在印刷电路板(PCB)上；将每个与PCB电连接；以及在PCB上放置透镜。
附图说明
结合附图，从以下的简要描述，可以更清楚地理解本发明的示范性实施例。图1-3C代表了如本文所述的发明的非限制示范性实施例。
图1是示出根据本发明的示范性实施例形成有图像传感器的半导体晶片的平面图；
图2A到2F是沿图1的线II-II’所取的剖面图；以及
图3A到3C是示出根据本发明的示范性实施例的图像传感器模块的制造方法的剖面图。
具体实施方式
现将参考其中显示本发明的实施例的附图在其后更加全面地描述本发明的各个实施例。在附图中，为了清晰可能夸大了层和区域的厚度。
在这里披露了本发明的详细图示的实施例。然而，这里披露的特定结构和功能细节仅是代表性的，其目的是描述本发明的示范性实施例。然而，本发明可以以许多替代的形式实现，而不应解释为仅限于这里阐述的实施例。
因此，虽然本发明的示范性实施例能够有各种修改和替换的形式，其实施例在附图中通过示例显示且将在这里更详细地描述。然而，应当理解，不旨在将本发明的示范性实施例限于所公开的特定形式，相反本发明的示范性实施例用于覆盖落在本发明的范围内的所有的修改、等同物和替换物。贯穿图的描述相似的标号指示相似的元件。
可以理解虽然术语第一、第二和第三等可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
可以理解当元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，它可以直接连接或耦合到其他元件上或可以存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，则没有中间元件存在。用于描述元件之间关系的其它词语应以相似的方式解释(例如，“之间”相对于“直接之间”，“相邻”相对于“直接相邻”等。
这里所使用的术语是只为了描述特别的实施例的目的且不旨在限制本发明。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排出存在或添加一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其组。
在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，来描述一个元件或特征和其他元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向(旋转90度或其它取向)且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。
参考横截面图示在这里描述了本发明的实施例，该图示是本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏差。例如，示为矩形的注入区可以具有倒圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有(例如，注入浓度的)梯度，而不是从注入区到非注入区的突然改变。相似地，由注入区形成的埋入区可以导致在埋入区和可以通过其注入发生的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出区域的精确形状且不旨在限制本发明的范围。
还应当注意在某些替换实施中，所述的功能/动作可以与图中所标注的顺序不同。例如，连续显示的两个图可以实际上根据相关的功能/动作基本上同时被执行，或有时可以以相反的顺序执行。
除非另有定义，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明属于的领域的普通技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在通常使用的字典中定义的术语应解释为一种与在相关技术和本公开的背景中的它们的涵义相一致的涵义，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。
为了更具体地描述本发明的示范性实施例，将参考附图详细描述本发明的各个方面。然而，本发明不限于所述的示范性实施例。
本发明的示范性实施例涉及一种具有透明盖的光学装置的制造方法和使用该光学装置的光学装置模块的制造方法。
本发明的示范性实施例描绘了一种将透明盖附着到用保护层覆盖的图像装置的结构上的方法。在形成用于附着透明盖的粘结层的工艺期间，可以防止粘结材料的剩余物残留在所得到的图像装置的结构上。
本发明的示范性实施例描绘了一种方法，其中透明盖被预先附着到晶片的各个管芯上，且将所得到的晶片结构在炉子中加热，由此永久地将透明盖附着到晶片上。透明盖可以同时附着到晶片上，而不长时间使用昂贵的晶片粘结剂。
所述光学装置是一种图像感测装置，其可以被用来感测摄像机、电子静态照相机、个人计算机(PC)相机、终端、PDA或其它相似的装置中的图像。例如，图像感测装置可以为互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、电荷耦合装置(CCD)图像传感器、或其上引入了热电陶瓷的CMOS图像传感器(CIS)。
现将参考附图详细地描述以上光学装置的制造方法和光学装置模块的制造方法。
图1是半导体晶片的剖面图，其中根据本发明的示范性实施例可以形成比如图像传感器的光学装置。在图1的下部分示出了构成半导体晶片的一对管芯。图2A到2F示出了沿图1的线II-II’的剖面图以及根据本发明的示范性实施例的光学装置的制造方法。
参考图1，半导体衬底100可以包括多个管芯101。每个管芯101可以包括图像装置，其可以涉及具有多个单位像素的有效像素105；且多个结合焊盘110可以围绕有效像素105排列。有效像素105可以包括：光接收装置(未示出)，比如光电二极管；多个晶体管，传输从光电二极管产生的电子；互连金属线，电连接晶体管。互连金属线可以形成于光电二极管的边缘，从而最大量的光可以会聚在光电二极管上。有效像素105还可以包括微透镜115，其设置于对应于光电二极管的区域中以提高会聚效率。在半导体衬底100上可以对于每个单元像素形成微透镜115。微透镜115可以恰好覆盖光接收装置。在其它示范性实施例中，微透镜115可以覆盖光接收装置的一部分，从而其还可以会聚以死角入射的光。可以使用形成光致抗蚀剂图案的工艺和在约200℃的温度加热光致抗蚀剂图案以硬化光致抗蚀剂图案同时形成曲面的工艺，可以形成微透镜115。微透镜115可以形成到约4μm-6μm的高度。形成结合焊盘110且将其从有效像素105分开期望的距离。微透镜115可以与有效像素105中的互连金属线同时形成。
参考图1和2A，保护层120可以形成于其中已经形成有微透镜115的有效像素105的表面上。保护层120应当在例如100到200℃的低温下形成，以不变形微透镜115。而且，保护层120应当沿微透镜115的表面形成，从而微透镜115的曲面不改变。而且，保护层120应当是透明的，从而光可以通过保护层120。保护层120可以包括低温氧化物层。例如，低温氧化物层可以由化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。例如，低温氧化物层可以形成为10到1000的厚度。在将保护层120沉积在半导体衬底100的所得到的结构上之后，可以在沉积的保护层120上进行公知的光刻工艺，从而保护层120保留在有效像素105上。
参考图1和2B，可以将粘结层125涂布在半导体衬底100的所得到的结构上。粘结层125可以为光敏聚合物，比如：紫外(UV)固化树脂，其为丙烯族树脂之一；环氧族树脂，其为热固树脂之一；和这些树脂的混合物。粘结层125可以具有约10μm-30μm的厚度。
参考图1和2C，可以选择性地去除粘结层125的部分来形成粘结图案125a，其可以在有效像素105和结合焊盘110之间的区域包围有效像素105。如果粘结层125是如上所述的光敏聚合物，则可以通过曝光和显影粘结层来实现选择性去除粘结层125的部分。
由于形成粘结图案125a，所以粘结层125的残留材料(未显示)可以存在于有效像素105上，例如在保护层120上。因为残留材料可以减小图像装置的图像品质，粘结层125的剩余材料可以通过灰化或清渣工艺在进行随后的工艺之前去除。因为微透镜115可以用保护层120覆盖，所以在灰化或清渣工艺期间保护微透镜115。而且，灰化或清渣工艺可以对于粘结图案125a有影响，但是残留材料的量可以非常小，且粘结图案125a可以具有约10μm-30μm的厚度，从而由于灰化或清渣工艺引起的粘结图案125的任何损失都是很少的。
参考图1和2D，可以将透明盖130附着到在电气数据分选(EDS)中被判定为合格的每个管芯上。可以使用管芯粘结剂135附着透明盖130。更具体而言，管芯粘结剂135可以对透明盖135抽真空，且将透明盖135与有效像素105对准。半导体衬底100可以保持在大致10-100℃的温度范围内，且管芯粘结剂135可以保持在100-300℃的适当的温度范围内，且对准的透明盖130可以放置在粘结图案125a上。如果半导体衬底100和管芯粘结剂135保持在100℃附近的温度，则可以在每个管芯上同时进行预附着，而将透明盖130放置在粘结图案125a上。这里，透明盖130可以为玻璃、红外(IR)、或相似材料滤波器；除了在固态图像感测装置中所利用的有用的波段中的光，IR滤波器阻挡在红外波段中的不需要的光。
参考图2E，其上预附着透明盖130的半导体衬底100的所得到的结构可以被硬化，从而透明盖130可以永久地附着到半导体衬底100的每个管芯101上。可以在大致100-250℃的炉子中进行硬化工艺约30分钟到90分钟。因为在整个半导体衬底100上进行硬化工艺，所以多个透明盖130可以共同地附着到多个管芯101上。图2E中的参考标号140代表了炉子中的硬化工艺。
参考图2F，半导体衬底100可以沿每个管芯101切割。
根据本发明的示范性实施例，包括微透镜115的表面的有效像素105的所得到的结构可以在附着透明盖130中所利用的粘结层的形成之前用保护层120涂布。可以去除残留的材料，在粘结图案125a形成时，即使当粘结图案125a的残留材料保持在有效像素105的所得到的结构上时也不损失微透镜115。
而且，使用管芯粘结剂135可以预附着透明盖130并通过在炉子中固化而永久地附着，从而透明盖130可以共同地附着，而没有长时间地使用昂贵的晶片结合设备。
图3A到3C示出了根据本发明的示范性实施例制造图像传感器的方法的各个步骤的剖面图。
参考图3A，在管芯101上，有效像素105可以用保护层120涂布，使用粘结图案125a可以将透明盖130附着到半导体衬底100上，使用粘结构件(未显示)将半导体衬底100安装在PCB 200上。如芯片载体的衬底可以取代PCB 200被用于图像传感器封装。比如氧化铝族的陶瓷衬底、塑料玻璃层叠的衬底、带基衬底或柔性电路板。
参考图3B，使用引线210可以将管芯101的结合焊盘110电连接到PCB200。
参考图3C，透镜固定器220可以设置于PCB 200上，从而管芯101的有效像素105被敞开，且在透镜固定器220中组装建立光路的透镜230。
虽然在图中未显示，PCB 200可以通过使用刀具或锯分开以形成单独的图像传感器封装。
因为使用粘结图案125a，可以将透明盖130附着到管芯101上，安装透明盖130不需要壳体，使得可以制造具有小尺寸和薄轮廓的图像传感器模块。
而且，因为当设置透镜固定器时，有效像素105可以被透明盖130和粘结图案125a包围，可以防止由于潮湿、灰尘和划痕引起的缺陷。
如上所述，在将透明盖附着到对应于有效像素的区域上之前，有效像素的所得到的结构的表面(包括微透镜的表面)可以用保护层涂布，且然后可以形成用于附着透明盖的粘结图案。即使在形成粘结图案期间，当粘结图案的剩余物保留在有效像素上时，粘结图案的剩余物可以被选择性地去除，而不损伤微透镜。可以防止由于残留颗粒引起的图像装置的有缺陷的显示器操作和有缺陷的感测操作。
而且，通过将透明盖预附着到各个管芯上且硬化半导体衬底的整个部分，透明盖可以同时并永久地附着到每个管芯上。透明盖可以在短时间内同时附着到半导体衬底上，而不需长时间使用晶片粘结装置。在本发明的示范性实施例中，通过在透明盖的附着之前进行EDS工艺来判定好品质的管芯。由于透明盖的保护，可以避免图像传感器的感测失效和显示失效。
而且，因为透明盖被附着到半导体衬底(换言之，各个管芯)上，而不使用壳体，所以可以获得小而薄的模块。
前述是本发明的示范性实施例的示例且不应解释为限制性的。虽然已经描述了本发明的几个示范性实施例，但是本领域的技术人员将容易地认识到示范性实施例中的许多修改是可能的，而实质上不脱离本发明的新的教导和优点。因此，所有这样的修改旨在被包括在由权利要求界定的本发明的范围内。在权利要求中，装置加功能的条款旨在覆盖进行所述功能的所述的结构，且不仅覆盖结构等同物而且覆盖等同结构。因此，可以理解前述是本发明的示例且不应解释为限于所公开的特定实施例，且对于所公开的实施例的修改以及其它实施例旨在被包括在权利要求的范围内。本发明由权利要求界定，权利要求的等同物也包括在其中。
Claims (42)
1、一种制造光学装置的方法，所述方法包括：
提供其中形成图像装置的半导体衬底；
在所述图像装置上形成保护层；
在所述半导体衬底上形成粘结图案；和
使用所述粘结图案将盖附着到所述半导体衬底上。
2、根据权利要求1所述的方法，其中附着所述盖包括：
将所述盖附着到所述粘结图案上；和
固化所述粘结图案。
3、根据权利要求2所述的方法，其中所述半导体衬底包括多个图像装置。
4、根据权利要求3所述的方法，其中附着所述盖包括单独地用单个盖附着单个图像装置。
5、根据权利要求3所述的方法，其中附着所述盖包括共同地用多个盖附着多个图像装置。
6、根据权利要求5所述的方法，其中每个所述多个图像装置包括固态图像感测装置，所述固态图像感测装置包括电荷耦合装置或CMOS图像传感器。
7、根据权利要求3所述的方法，其中所述多个图像装置中每个包括光接收装置，其上放置了微透镜。
8、根据权利要求7所述的方法，其中形成所述保护层包括沿多个图像装置的每个的微透镜的表面沉积透明层。
9、根据权利要求8所述的方法，其中所述保护层是在100-200℃的温度范围内沉积的氧化物层。
10、根据权利要求9所述的方法，其中所述氧化物层使用化学气相沉积或原子层沉积形成的。
11、根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述多个图像装置的每个上形成所述保护层之后，蚀刻部分的所述保护层，从而所述保护层仅存在于每个微透镜上。
12、根据权利要求1所述的方法，其中形成所述粘结图案包括：
在形成保护层的半导体衬底的所得到的结构上形成粘结层；和
构图所述粘结层。
13、根据权利要求12所述的方法，其中所述粘结层具有10μm-30μm的厚度。
14、根据权利要求12所述的方法，其中所述粘结层包括光敏聚合物。
15、根据权利要求14所述的方法，其中构图所述粘结层包括：
曝光所述粘结层的一部分；和
显影被曝光的部分。
16、根据权利要求12所述的方法，还包括：在形成所述粘结图案之后，去除保留在所述保护层上的粘结图案残留材料。
17、根据权利要求16所述的方法，其中去除所述粘结图案残留材料包括使用灰化或清渣工艺去除所述粘结图案残留材料。
18、根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述粘结图案和附着所述盖之间，检测包括所述图像装置的管芯是否合格地形成。
19、根据权利要求2所述的方法，其中所述盖是透明的，附着所述透明盖包括对于包括所述图像装置的管芯预附着所述透明盖，且固化所述透明盖包括将预附着的透明盖永久地附着。
20、根据权利要求18所述的方法，其中预附着所述透明盖包括：
使用管芯粘结剂将所述透明盖与所述管芯的图像装置对准；和
将所述对准的透明盖放置在所述粘结图案上。
21、根据权利要求20所述的方法，其中在放置所述透明盖期间，所述衬底被保持在10-100℃的温度范围内，且所述透明盖被保持在100-300℃的温度范围内。
22、根据权利要求19所述的方法，其中永久地将所述透明盖附着到所述半导体衬底上包括将所述半导体衬底插入炉子中以固化所述半导体衬底，在所述半导体衬底上预附着有所述透明盖。
23、根据权利要求22所述的方法，其中固化所述盖在100-250℃的温度范围内进行30-90分钟。
24、根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底具有包括图像装置的多个管芯，和围绕所述图像装置设置的多个结合焊盘，
所述保护层选择性地覆盖所述图像装置，以及
所述粘结图案包围所述图像装置，所述方法还包括：
去除在所述保护层上保留的粘结图案的残留材料，和
将所述透明盖附着到所述多个管芯的合格管芯上。
25、根据权利要求24所述的方法，其中附着所述透明盖包括将所述透明盖附着到所述粘结图案上；和
硬化所述半导体衬底以共同地和永久地附着多个透明盖。
26、根据权利要求24所述的方法，其中所述图像装置包括光接收装置，其上放置微透镜。
27、根据权利要求26所述的方法，其中形成所述保护层包括沿所述图像装置上的微透镜的表面沉积透明层。
28、根据权利要求27所述的方法，其中所述透明层是在100-200℃的温度范围内沉积的氧化物层。
29、根据权利要求24所述的方法，其中所述形成所述保护层以选择性地覆盖所述图像装置包括：
在所述半导体层的所得到的结构上形成保护层；和
蚀刻所述保护层的一部分从而所述保护层仅存在于所述图像装置上。
30、根据权利要求24所述的方法，其中形成所述粘结图案包括：
在形成所述保护层的半导体衬底的所得结构上形成粘结层；和
构图所述粘结层来包围所述图像装置和所述多个结合焊盘之间的图像装置。
31、根据权利要求30所述的方法，其中所述粘结层具有10μm-30μm的厚度。
32、根据权利要求30所述的方法，其中所述粘结层包括光敏聚合物。
33、根据权利要求21所述的方法，其中构图所述粘结层包括：
曝光所述粘结层的一部分；和
显影被曝光的部分。
34、根据权利要求24所述的方法，其中去除所述粘结图案残留材料包括使用灰化或清渣工艺去除所述粘结图案残留材料。
35、根据权利要求24所述的方法，其中附着所述透明盖包括：
使用管芯粘结剂将所述透明盖与所述管芯的图像装置对准；和
将对准的透明盖放置在所述粘结图案上。
36、根据权利要求33所述的方法，其中在放置所述透明盖中，所述衬底被保持在10-100℃的温度范围内，且所述透明盖被保持在100-300℃的温度范围内。
37、根据权利要求23所述的方法，其中所述硬化所述半导体衬底包括在保持100-250℃的温度范围内的炉子中硬化30-90分钟。
38、一种制造光学装置模块的方法，所述方法包括：
进行权利要求24所述的方法；
将所述半导体衬底切割为单独的管芯；
将每个管芯安装在衬底上；
将每个管芯与所述衬底电连接；和
将透镜安装在所述衬底上。
39、根据权利要求38所述的方法，其中所述保护层包括在100-200℃的温度范围中形成的低温氧化物层。
40、根据权利要求38所述的方法，其中所述粘结图案包括光敏聚合物。
41、根据权利要求38所述的方法，还包括在形成所述粘结图案和附着所述透明盖之间，去除所述保护层上的粘结图案的残留材料。
42、根据权利要求38所述的方法，其中附着所述透明盖包括：
使用管芯粘结剂将所述透明盖附着到所述图像装置；和
在100-200℃的温度范围内硬化所述半导体衬底的所得到的结构。
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