CN1892390A - 阵列基板及其制造方法、具有其的液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，以及具有其的液晶显示面板。所述阵列基板包括具有多个像素部分的显示区和围绕所述显示区的边缘区。所述阵列基板还包括开关元件、像素元件、金属图案、像素电极图案和配向层。所述开关元件位于每一像素部分内。开关元件电连接到栅极线和源极线。像素电极电连接到开关元件。金属图案部分位于边缘区内。像素电极图案部分位于金属图案部分上。配向层位于像素电极和像素电极图案部分上。因此，可以将阵列基板与配向基板牢固结合，以提高显示装置的耐冲击性。

Description

阵列基板及其制造方法、具有其的液晶显示面板

技术领域

本发明涉及阵列基板，所述阵列基板的制造方法，以及具有所述阵列基板的液晶显示(LCD)面板。更具体而言，本发明涉及具有提高的耐冲击性的阵列基板，所述阵列基板的制造方法，以及具有所述阵列基板的液晶显示(LCD)面板。

背景技术

LCD面板通常包括阵列基板、配向基板和位于所述两个基板之间的液晶层。所述阵列基板包括多个薄膜晶体管(TFT)。所述配向基板与所述阵列基板尺寸基本相同，并且基本平行于所述阵列基板。

在所述阵列基板和配向基板之间插入密封件，从而将所述阵列基板与所述配向基板结合起来。将所述密封件放置在所述阵列基板或配向基板的边缘区上。

为了降低LCD面板的总厚度，在阵列基板上集成栅极电路部分。配向层与密封件叠置，以减少栅极电路部分的腐蚀。

但是，配向层和密封件之间的粘结强度弱，因而密封件易于在外部冲击的作用下从配向层分离。因此，阵列基板未与配向基板可靠结合。

发明内容

本发明提供了一种具有提高的耐冲击性的阵列基板。

本发明还提供了一种制造上述阵列基板的方法。

本发明还提供了一种具有上述阵列基板的液晶显示(LCD)面板。

根据本发明的一个实施例的阵列基板包括具有多个像素部分的显示区和围绕所述显示区的边缘区。所述阵列基板还包括开关元件、像素元件、金属图案、像素电极图案和配向层。所述开关元件位于每一像素部分内。开关元件电连接到栅极线和源极线。像素电极电连接到开关元件。金属图案部分位于边缘区内，像素电极图案部分位于所述金属图案部分上。配向层位于像素电极和像素电极图案部分上。

另一方面，本发明是一种制造阵列基板的方法，所述阵列基板包括显示区和边缘区。在基板上形成多个开关元件、多个信号传输部分和通过所述信号传输部分向所述开关元件施加驱动信号的栅极电路部分。钝化层形成于所述基板上。钝化层具有接触孔，每一开关元件通过所述接触孔部分暴露。在钝化层上形成通过接触孔电连接到每一开关元件的像素电极和多个第一像素电极图案。第一像素电极图案位于信号传输线上。配向层形成于像素电极和第一像素电极图案上。

再一方面，本发明是一种LCD面板，所述LCD面板包括第一基板、第二基板、液晶层和密封件。第一基板具有第一配向层。第二基板具有显示区和边缘区。第二基板包括多个像素电极、金属图案部分、像素电极图案部分和第二配向层。像素电极位于显示区内的基板上。金属图案部分位于边缘区内的基板上。像素电极图案部分位于边缘区内的金属图案上。第二配向层位于像素电极和像素电极图案部分上。液晶层插置在第一和第二基板之间。密封件插置在边缘区内的第一和第二基板之间，以包含位于第一和第二基板之间的液晶层。

根据本发明，在形成了密封件的附着区内形成一部分像素电极图案，以提高配向层和钝化层之间的粘结强度，由此提高阵列基板和配向基板之间的粘结强度。

附图说明

通过参考附图详细描述其示范性实施例，本发明的以上和其他特征和益处将变得更加显见，在附图中：

图1是显示根据本发明一实施例的液晶显示(LCD)面板的平面图；

图2是显示图1所示的阵列基板的放大平面图；

图3是显示图2所示的部分“A”、“B”和“C”的放大平面图；

图4是沿图3所示的I-I′线得到的截面图；

图5是显示根据本发明另一实施例的阵列基板的截面图；

图6到9是显示图3所示的阵列基板的制造方法的截面图；以及

图10是显示图1所示的LCD面板的截面图。

具体实施方式

在下文中将参考附图更为充分地描述本发明，附图中展示了本发明的实施例。不过，本发明可以以许多不同的形式实施，不应被视为受限于此处所述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开透彻和完全，并将充分地把本发明的范围传达给本领域的技术人员。在附图中，出于清晰起见夸大了层和区域的尺寸以及相对尺寸。

应当理解，当称一元件或层在另一元件或层“上”，或者“连接至”、“耦合至”另一元件或层时，它可能直接在另一元件或层上，或直接连接、耦合至另一元件或层，也可能存在中间元件或层。通篇采用类似的附图标记表示类似的元件。这里所用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何与全部组合。

应当理解，虽然这里可能使用术语第一、第二等来描述多种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被视为受限于这些术语。这些术语仅用于将某一元件、组件、区域、层或部分与其他区域、层或部分区分开。这样一来，在不背离本发明的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

为了便于描述，这里可能使用例如“在......下”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等空间相对术语来描述如图所示的一个元件或特征与另一个元件或特征的关系。应当理解，空间相对术语意在包括除图示方向之外的在使用中或在工作中的装置的不同方向。例如，如果将图中的装置反转，被描述为在其他元件或特征“下”或“之下”的元件将位于其他元件或特征“之上”。这样一来，示范性术语“在......下”可以包括之上和之下两种方向。装置可以采取其他取向(旋转90度或者在其他方向)，并对这里所用的空间关系描述语进行相应的解释。

这里所用的术语是为了描述特定的实施例，并不意在限制本发明。如这里所用的，单数形式意在同时包括复数形式，除非上下文另行明确指出。还要理解的是，本说明书中所用的术语“包括”指明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。

这里参考截面图描述本发明的实施例，所述截面图为本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意图。照此，可以预见到由于例如制造技术和/或容限会引起图示形状的变化。这样一来，本发明的实施例不应被解释为受限于这里图示的特定的区域形状，而是包括因(例如)制造而产生的形状变化。例如，图示为矩形的注入区通常具有圆形的或弯曲的特征和/或在其边缘处具有注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区具有二元变化。类似地，通过注入形成的掩埋层可能导致在所述掩埋层和通过其发生注入的表面之间的区域内存在一些注入。这样一来，图示的区域从本质上讲是示意性的，它们的形状不意在展示器件区域的实际形状，且不意在限制本发明的范围。

除非另行定义，这里所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的同样含义。还要理解的是，诸如在通用词典中所定义的那些术语应当被解释为有着与其在相关技术和本公开的上下文中的含义相一致的含义，除非这里明确加以定义，否则不应被解释为理想化的或过度形式的意义。

以下将参考附图详细描述本发明。

图1是说明根据本发明一实施例的液晶显示器(LCD)面板的平面图。

参考图1，LCD面板100包括阵列基板200、第二基板300、密封件400和液晶层(未示出)。

将阵列基板200设计成与第二基板300结合。阵列基板200通过密封件400与第二基板300结合。液晶层(未示出)插置在阵列基板200和第二基板300之间。

阵列基板200包括显示区DA、第一边缘区PA1、第二边缘区PA2、第三边缘区PA3和第四边缘区PA4。所述第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4围绕所述显示区DA。

在显示区DA内形成多个源极线DL、多个栅极线GL和多个像素部分P。源极线DL沿第一方向延伸。栅极线GL沿基本垂直于所述第一方向的第二方向延伸。由于相互邻接的源极线DL和栅极线GL界定像素部分P。每一像素部分P包括开关元件TFT、液晶电容器CLC和存储电容器CST。

栅极电路部分220和信号传输部分230位于第一边缘区PA1内。栅极电路部分220包括具有多个相互电连接的级(stage)的移位寄存器。栅极电路部分220向栅极线GL施加栅极信号。

信号传输部分230包括多条信号线，通过所述多条信号线将驱动信号施加到移位寄存器的级上。驱动信号包括栅极断开(gate off)电压Voff、第一时钟信号CK、第二时钟信号CKB和垂直起始信号STV。

第一像素电极图案部分240形成于信号传输部分230上。第一像素电极图案部分240位于附着区内的信号线上。如本文所采用的，“附着区”是指形成密封件400的位置。

也就是说，第一像素电极图案部分240提高了其上形成了第一像素电极图案部分240的钝化层(未示出)与所述第一像素电极图案部分240上的配向层(未示出)之间的粘结强度。

栅极电路部分220将栅极信号施加到显示区DA内的栅极线GL上。

在第二边缘区PA2内形成源极焊盘部分250。源极焊盘部分250将数据信号施加到显示区DA内的源极线DL上。在源极焊盘部分250上安装多个芯片。或者，可以在源极焊盘部分250上安装单个芯片。

在第三边缘区PA3内形成高度差修正部分270，以降低栅极电路部分220和第三边缘区PA3之间的高度差。在高度差修正部分270上形成第二像素电极图案部分280。第二像素电极图案部分280位于附着区内的高度差修正部分270上，在所述附着区内，密封件400与阵列基板200相结合。

也就是说，第二像素电极图案部分280提高了其上形成了第二像素电极图案部分280的钝化层(未示出)与所述第二像素电极图案部分280上的配向层(未示出)之间的粘结强度。

第二基板300与阵列基板200对准。通常，形成与滤色器图案的大体形状匹配的公共电极。同样地，形成与每一像素部分P的大体形状匹配的像素电极。

密封件400处于第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4内。具体而言，密封件400覆盖第一边缘区PA1内的信号传输部分230和第三边缘区PA3内的高度差修正部分270。

密封件400处于信号传输部分230上的第一像素电极图案部分240以及高度差修正部分270上的第二像素电极图案部分280内。

配向层和包括氧化铟锡(ITO)的像素电极图案之间的粘结强度强于配向层和钝化层之间的粘结强度。像素电极图案和配向层之间的粘结强度高于和钝化层之间的粘结强度，像素电极图案形成于附着区内，从而通过像素电极图案使钝化层与配向层牢固结合，由此提高阵列基板200和第二基板300之间的粘结强度。

图2是显示图1的阵列基板的放大平面图。

参考图1和图2，阵列基板200包括其内形成了像素部分P的显示区DA，以及围绕所述显示区DA的第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4。

栅极电路部分220、包括源极金属图案的信号传输部分230、以及信号传输部分230上的第一像素电极图案部分240位于第一边缘区PA1内。

包括栅极金属层的高度差修正部分270和高度差修正部分270上的第二像素电极图案部分280位于对应于第一边缘区PA1的第三边缘区PA3内。高度差修正部分280由与栅极线基本相同的材料形成。或者，高度差修正部分280可以由与源极线基本相同的材料形成。

第一、第二和第三边缘区PA1、PA2和PA3包括附着区SLA1、SLA2和SLA3，在所述附着区内，密封件400与阵列基板200结合。第四边缘区PA4也可以包括附着区，在所述附着区上密封件400与阵列基板200结合。

位于第一边缘区PA1内的栅极电路部分220包括向栅极线施加栅极信号的级SRC1、SRC2、SRC3...所述级的输出端子电连接到位于显示区DA内的栅极线GL1、GL2、GL3...

信号传输部分230包括信号线，通过所述信号线将驱动信号施加至栅极电路部分220。信号传输部分230可以由源极金属层或栅极金属层形成。源极金属层与形成开关元件TFT的源电极/漏电极的金属层基本为同一层，栅极金属层与形成开关元件TFT的栅电极的金属层基本为同一层。

驱动信号包括栅极断开电压Voff、第一时钟信号CK、第二时钟信号CKB和垂直起始信号STV。栅极断开电压Voff确定栅极信号的低电平。第一时钟信号CK控制奇数编号的栅极信号的输出。第二时钟信号CKB控制偶数编号的栅极信号的输出。利用垂直起始信号STV触发栅极电路部分220的驱动。

具体地，分别通过第一信号线231、第二信号线232、第三信号线233和第四信号线234传输垂直起始信号STV、第一时钟信号CK、第二时钟信号CKB和栅极断开电压Voff。

奇数编号级SRC1和SRC3分别通过第一连接线233a和第二连接线234a电连接到第三和第四信号线233和234。奇数编号级SRC1和SRC3的第一和第二连接线233a和234a分别通过第一接触部分C11和第二接触部分C12电连接到第三和第四信号线233和234。即，当信号传输部分230包括源极金属层时，奇数编号级SRC1和SRC3的第一和第二连接线233a和234a包括栅极金属层。或者，信号传输部分230可以包括栅极金属层，奇数编号级SRC1和SRC3的第一和第二连接线233a和234a可以包括源极金属层。

通过电连接到第一信号线231的连接线231a将垂直起始信号STV施加至第一阶段SRC1。

分别通过第一连接线233b和第二连接线234b将偶数编号级SRC2电连接到第二和第四信号线232和234。偶数编号级SRC2的第一和第二连接线233b和234b分别通过偶数编号级SRC2的第一接触部分C21和第二接触部分C22电连接到第二和第四信号线232和234。即，当信号传输部分230由源极金属层形成时，偶数编号级SRC2的第一和第二连接线233b和234b由栅极金属层形成。或者，信号传输部分230可以由栅极金属层形成，偶数编号级SRC2的第一和第二连接线233b和234b可以由源极金属层形成。

第一像素电极图案部分240包括第一、第二、第三和第四信号线231、232、233和234。第一像素电极图案部分240可以与源自像素电极图案的第一、第二、第三和第四接触部分C11、C12、C21和C22电绝缘。第一像素电极图案部分240形成于附着区SLA1内的信号传输部分230上。

高度差修正部分270处于第三边缘区PA1内。高度差修正部分270包括多个伪金属图案271从而使第三边缘区PA3和其内形成了栅极电路部分220的第一边缘区PA1之间的高度差平坦。伪金属图案271可以由栅极金属层形成。或者，伪金属图案271可以由源极金属层形成。

第二像素电极图案部分280可以包括像素电极图案和多个分别对应于高度差修正部分270的伪金属图案271的金属图案。第二像素电极图案部分280可以对应于附着区SLA2内的伪金属图案271。

图3是显示图2所示的部分“A”、“B”和“C”的放大平面图。图4是沿图3所示的I-I′线得到的截面图。

参考图2到4，在第一边缘区PA1内的信号传输部分230上形成第一像素电极图案部分240。第二像素电极图案部分280处于第三边缘区PA3内的高度差修正部分270上。

阵列基板200包括第一基底基板201，第一基底基板201具有显示区DA、第一边缘区PA1、第二边缘区PA2、第三边缘区PA3和第四边缘区PA4。所述第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4围绕所述显示区DA。

信号传输部分230处于第一边缘区PA1内的栅极绝缘层202上。信号传输部分230可以由源极金属层形成。钝化层203形成于信号传输部分230上。第一像素电极图案部分240位于与信号传输部分230相对应的钝化层203上。第一配向层204形成于第一像素电极图案部分240上。第一像素电极图案部分240插置在第一边缘区PA1内的钝化层203和第一配向层204之间，从而提高第一边缘区PA1内的钝化层203和第一配向层204之间的粘结强度。

在显示区DA内的每一像素部分P内形成开关元件210、像素电极216和存储共用线SCL。开关元件210电连接到包括栅极金属层的栅极线GL之一和包括源极金属层的源极线DL之一。像素电极216电连接到开关元件210。

开关元件210包括栅电极211、源电极213、漏电极214和沟道部分212。

栅极绝缘层202位于栅电极211上。沟道部分212位于与栅电极211相对应的栅极绝缘层202上。源电极和漏电极213和214位于沟道部分212上。钝化层203位于源电极和漏电极213和214上。

像素电极216位于钝化层203上，并通过钝化层203内的接触孔215电连接到漏电极214。第一配向层204位于像素电极216上。

在第三边缘区PA3内形成高度差修正部分270，高度差修正部分270可以由栅极金属层形成。栅极绝缘层202位于高度差修正部分270上。钝化层203位于栅极绝缘层202上。第二像素电极图案部分280位于与高度差修正部分270相对应的钝化层203上。第一配向层204位于第二像素电极图案部分280上。第二像素电极图案部分280插置在第三边缘区PA3内的钝化层203和第一配向层204之间，以提高第三边缘区PA3内的钝化层203和第一配向层204之间的粘结强度。

第一配向层204可以处于第一基底基板201内，以覆盖栅极电路部分220，防止栅极电路部分220受到侵蚀。

图5是显示根据本发明另一实施例的阵列基板的截面图。图5中的阵列基板与图1到4中的阵列基板相同，除了信号传输部分和高度差修正部分之外。由此，将采用相同的附图标记表示与图1到图4中所示的相同或相似的部分，并将省略与上述元件相关的更进一步的解释。位于第一边缘区PA1内的信号传输部分230包括栅极金属层，位于第三边缘区PA3内的高度差修正部分270包括源极金属层。

第一像素电极图案部分240位于由栅极金属层形成的信号传输部分230上。第二像素电极图案部分280位于由源极金属层形成的高度差修正部分270上。

图6到9是显示图3所示的阵列基板的制造方法的截面图。

参考图2和6，在第一基底基板201上形成栅极金属层。利用具有第一标线611的第一掩模610，通过光刻工艺形成栅极金属图案。

栅极金属图案包括显示区DA内的栅极线GL、显示区DA内的存储共用线SCL、开关元件210的栅电极211、以及第三边缘区PA3内的高度差修正部分270。在另一个实施例中，可以由栅极金属层形成第一边缘区PA1内的信号传输部分230。

参考图2和图7，在具有栅极金属图案的第一基底基板201上形成栅极绝缘层202。栅极绝缘层202可以包括绝缘材料。可以用于栅极绝缘层202的绝缘材料的实例包括氮化硅、氧化硅等。

在栅极绝缘层202上形成非晶硅层212a和在原位掺杂的n+非晶硅层212b，以形成沟道层。利用具有第二标线621的第二掩模620，通过光刻工艺对沟道层构图，以形成开关元件210的沟道部分212。

参考图2和图8，在具有开关元件210的沟道部分212的第一基底基板201上形成源极金属层。利用具有第三标线631的第三掩模630，通过光刻工艺对源极金属层构图，以形成源极金属图案。

源极金属图案包括第一边缘区PA1内的信号传输部分230、显示区DA内的源极线DL、源电极213和漏电极214。在另一个实施例中，可以由源极金属层形成第三边缘区PA3内的高度差修正部分270。

利用源电极和漏电极213和214作为掩模去除沟道部分212的部分n+非晶硅层212b，以界定开关元件210的沟道区。

参考图2和图9，在具有源极金属图案的第一基底基板201上形成钝化层203。部分去除钝化层203，从而在显示区DA内形成接触孔215，在第一边缘区PA内形成与第一和第二接触部分C11、C12、C21和C22相对应的接触孔。可以利用具有与接触孔相对应的标线的掩模，对钝化层203局部蚀刻，以形成接触孔。

在具有接触孔的第一基底基板201上形成像素电极层。像素电极层包括透明导电材料。能够用于像素电极层的透明导电材料的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。

利用具有第四标线641的第四掩模，通过光刻工艺对像素电极层构图，以形成像素电极图案。

像素电极图案包括显示区DA内的像素电极216、第一边缘区PA1内的第一像素电极图案部分240、以及第三边缘区PA3内的第三像素电极图案部分280。此外，像素电极图案还可以包括在信号传输部分230以及第一和第二连接线233a、233b、234a和234b之间电连接的第一和第二接触部分C11、C12、C21和C22。

第一像素电极图案部分240对应于信号传输部分230。第二像素电极图案部分280对应于高度差修正部分270。第一和第二像素电极图案部分240和280可以与第一和第二接触部分C11、C12、C21和C22电绝缘。

图10是显示图1所示的LCD面板的截面图。

参考图2和图10，LCD面板100包括阵列基板200、第二基板300、密封件400和液晶层500。

阵列基板200包括显示区DA和第一基底基板201，第一基底基板201具有第一边缘区PA1、第二边缘区PA2、第三边缘区PA3和第四边缘区PA4。所述第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4围绕所述显示区DA。

在第一边缘区PA1内的栅极绝缘层202上形成包括源极金属层的信号传输部分230。钝化层203位于信号传输部分230上。与信号传输部分230相对应的第一像素电极图案部分240位于钝化层203上。

显示区DA内的每一像素部分P包括开关元件210、像素电极216和存储共用线SCL。开关元件210电连接到包括栅极金属层的栅极线GL之一和包括源极金属层的源极线DL之一。像素电极216电连接到开关元件210。开关元件210包括栅电极211、源电极213、漏电极214和沟道部分212。

在源电极和漏电极213和214上形成钝化层203。像素电极216通过钝化层203的接触孔215电连接到漏电极214。

在第三边缘区边缘区PA3内形成包括栅极金属层的高度差修正部分270。在高度差修正部分270上形成栅极绝缘层202。钝化层203位于栅极绝缘层202上。与高度差修正部分270相对应的第二像素电极图案部分280位于钝化层203上。

具有多个第一配向槽的第一配向层204位于边缘区内的第一和第二像素电极图案部分240和280上，以及显示区DA内的像素电极216上。第一配向层204可以包括聚酰亚胺基树脂。第一配向层204可以形成于第一基底基板201上，以覆盖栅极电路部分220，由此降低对栅极电路部分220的侵蚀。

第二基板300包括第二基底基板301、黑矩阵310、滤色器320、公共电极层330和第二配向层340。

黑矩阵310位于第二基底基板301上，以防止光从阵列基板200的第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4泄漏，黑矩阵310界定了与显示区DA的像素部分P相对应的内部空间。

滤色器320形成于由黑矩阵310界定的内部空间内，以显示彩色图像。

公共电极层330形成于具有滤色器320的第二基底基板301上。公共电极层330是基本平行于阵列基板200的像素电极216的电极。公共电极层330是由每一像素部分P界定的液晶电容器CLC的公共电极。

具有多个第二配向槽的第二配向层340位于第二基底基板301上。第二配向层340可以包括聚酰亚胺基树脂。

密封件400形成于由阵列基板200的第一、第二、第三和第四边缘区PA1、PA2、PA3和PA4界定的第一、第二和第三附着区SLA1、SLA2和SLA3内，使得阵列基板200与配向基板300结合。

第一边缘区PA1内的密封件400位于第一像素电极图案部分240上。第一像素电极图案部分240插置在第一边缘区PA1内的钝化层203和第一配向层204之间，以增大第一边缘区PA1内的钝化层203和第一配向层204之间的粘结强度，由此增大阵列基板200和配向基板300之间的粘结强度。

第三边缘区PA3内的密封件400位于第二像素电极图案部分280上。第二像素电极图案部分280插置在第三边缘区PA3内的钝化层203和第一配向层204之间，以增大第三边缘区PA3内的钝化层203和第一配向层204之间的粘结强度，由此增大阵列基板200和配向基板300之间的粘结强度。

液晶层500插置在通过密封件400相互结合的阵列基板200和配向基板300之间。通过分别形成于阵列基板200和配向基板300上的第一和第二配向层204和340对液晶层500配向。液晶层500内的液晶响应电场而改变其排列，从而改变液晶层500的透光率，由此显示图像。

根据本发明，一部分像素电极图案位于钝化层上，以提高钝化层和配向层之间的粘结强度。

具体而言，一部分像素电极图案形成于附着区内的金属图案上，以提高配向层和钝化层之间的粘结强度，由此提高阵列基板和配向基板之间的粘结强度。

已经参照示范性实施例对本发明进行了说明。但是，显然，对于本领域技术人员而言，基于上述说明，很多替换性的修改和变化是显而易见的。因此，本发明涵盖所有此类落在权利要求的精神和范围内的替换性修改和变化。

Claims (21)

1.一种阵列基板，包括具有多个像素部分的显示区和围绕所述显示区的边缘区，所述阵列基板包括：

每一所述像素部分内的开关元件，所述开关元件电连接到栅极线和源极线；

电连接到所述开关元件的像素电极；

所述边缘区内的金属图案；

所述金属图案部分上的像素电极图案部分；以及

所述像素电极和所述像素电极图案部分上的配向层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，还包括淀积在所述边缘区内的金属图案部分上的密封件。

3.如权利要求1所述的阵列基板，还包括所述边缘区内的栅极电路部分，用来将栅极信号施加到所述栅极线上。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述金属图案部分包括将驱动信号传输至栅极电路部分的信号传输部分。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述金属图案部分由与所述源极线相同的层形成。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其中，所述金属图案部分由与所述栅极线相同的层形成。

7.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，所述栅极电路部分形成于所述第一边缘区内，所述第二边缘区的位置与所述第一边缘区跨过所述显示区，所述金属图案部分还包括所述第二边缘区内的高度差修正部分。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其中，所述高度差修正部分由与所述栅极线相同的层形成。

9.如权利要求7所述的阵列基板，其中，所述高度差修正部分由与所述源极线相同的层形成。

10.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括显示区和边缘区，所述方法包括：

形成多个开关元件，多个信号传输部分和栅极电路部分，所述栅极电路部分通过基板上的信号传输部分向所述开关元件施加驱动信号；

在所述基板上形成钝化层，所述钝化层具有接触孔，每一所述开关元件通过所述接触孔部分暴露；

在所述钝化层上形成通过所述接触孔电连接到每一所述开关元件的像素电极和多个第一像素电极图案，所述第一像素电极图案位于所述信号传输线上；并且

形成位于所述像素电极和所述第一像素电极图案上的配向层。

11.如权利要求10所述的方法，其中，每一所述开关元件包括由栅极金属层形成的栅电极，以及由源极金属层形成的源电极和漏电极，所述信号传输线由所述栅极金属层或所述源极金属层形成。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，所述栅极电路部分形成于所述第一边缘区内，所述第二边缘区与所述第一边缘区跨过所述显示区，所述开关元件的形成还包括在所述第二边缘区内形成多个高度差修正部分。

13.如权利要求10所述的方法，还包括形成与所述第一像素电极图案相对应的密封件。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述第一像素电极图案的形成还包括在所述高度差修正图案上形成多个第二像素电极图案。

15.如权利要求14所述的方法，还包括形成与所述第二像素电极图案相对应的密封件。

16.一种液晶显示面板，包括：

具有第一配向层的第一基板；

具有显示区和边缘区的第二基板，所述第二基板包括：

所述显示区内的多个像素电极；

所述边缘区内的金属图案；

所述边缘区内的金属图案上的像素电极图案部分；以及

所述像素电极和所述像素电极图案部分上的第二配向层；

插置在所述第一和第二基板之间的液晶层；以及

插置在所述边缘区内的所述第一和第二基板之间，以包含位于所述第一和第二基板之间的液晶层的密封件。

17.如权利要求16所述的面板液晶显示面板，其中，所述像素电极图案部分具有与所述密封件基本类似的形状。

18.如权利要求16所述的面板液晶显示面板，其中所述第二基板还包括：

电连接到每一所述像素电极的开关元件；以及

所述边缘区内的栅极电路部分，用来向所述开关元件施加栅极信号。

19.如权利要求18所述的面板液晶显示面板，其中，所述金属图案部分还包括将驱动信号传输至所述栅极电路部分的信号传输部分。

20.如权利要求19所述的面板液晶显示面板，其中，所述栅极电路部分还包括移位寄存器，所述移位寄存器具有多个相互电连接的级，其中，所述信号传输部分包括：

起始信号线，其将起始信号传输至第一级，以触发所述级的运行；

第一时钟信号线，其将第一时钟信号传输至所述级中奇数编号的级；

第二时钟信号线，其将第二时钟信号传输至所述级中偶数编号的级；以及

电压线，其将驱动电压传输至所述级。

21.如权利要求18所述的面板液晶显示面板，其中，所述边缘区包括第一边缘区和第二边缘区，所述栅极电路部分形成于所述第一边缘区内，所述第二边缘区与所述第一边缘区跨过所述显示区，所述金属图案部分还包括所述第二边缘区内的高度差修正部分。

Images