CN1892194A - 用于热感测的系统和方法 - Google Patents

Abstract

用于以提供对应于集成电路的不同部分的有用热测量的方式将热传感器定位到集成电路内的系统和方法。在一个实施例中，集成电路包括多重，复制功能块。独立的热传感器优选地在每个复制功能块的相同相关位置(优选地是在热点处)与每个复制功能块耦接。一个实施例还包括集成电路中一个或多个其它类型的功能块上的热传感器。一个实施例包括被置于冷点的热传感器，如在集成电路芯片的边缘处。每个热传感器可具有端口，用以实现在传感器和外部组件或装置之间的电源和地连接或者数据连接。

Description

用于热感测的系统和方法

相关申请

本申请要求由Munehiro Yoshida于2005年1月13日提出的名称为“Advanced Thermal Sensor”的美国专利申请系列号11/034,644的优先权。

技术领域

本发明一般涉及电子装置，尤其涉及用于感测具有多重、复制功能块的装置(如集成电路)的温度的系统和方法。

背景技术

诸如微处理器这样的集成电路变得日益复杂。构成这些装置的电路组件(例如晶体管，二极管，电阻器以及类似组件)同时变得越来越小，因此越来越多的功能可由特定的集成电路完成。随着电路组件的数量和功能的增加，典型地被这些集成电路消耗的功率量也增加。随着电路功率消耗的增加，电路内产生的热量也增加。这些热量可能影响装置的性能，甚至可能引起装置发生故障。

由于电子装置内产生热量的增加而引起的危险，经常需要能够检测这些装置内的温度。因此在一些装置内并入热感测电路以便检测装置内危险的高温或者甚至测量温度。例如，热感测电路可以被并入到集成电路中，以便感测该电路的温度并确定该温度是否超过预定的阈值。如果该温度超过该阈值，则可以采取纠正性动作(例如，减少电路内的活动或者甚至关闭该电路)，以便将温度降低到更安全的级别。

通常，热传感器包括诸如热敏二极管的片上(on-chip)组件以及片外(off-chip)组件，片外组件包含被配置成接收与片上组件相关的某些特性的测量，并基于该测量生成温度测量的电路。在片上二极管的情况下，确定跨过二极管的压降，并基于该压降计算出温度测量。

用于测量集成电路的温度的这种常规方法存在几个问题。其中一个问题涉及传感器的热敏片上组件的定位，以便获得最佳温度测量。因为在集成电路内存在典型的热点，由热传感器测量的温度将随着片上组件的位置变化。如果该组件位于热点附近，则测量的温度将较高，而如果其位于芯片的活动较少部分附近，则测量的温度将较低。因此，片上组件的位置会影响为响应某些温度条件而可能采取的动作。例如，如果控制电路被配置成当超过温度阈值时关闭该集成电路，则取决于片上组件的放置，该集成电路早晚会关闭。

通过利用若干不同的热传感器，解决了一些集成电路中热传感器的片上组件的定位问题。各个热传感器的片上组件于是可以位于集成电路内的一个不同位置。因此，一些热传感器可以测量较接近于热点的位置处的温度，而其它传感器则可以测量距热点较远位置处的温度。与具有多个传感器的集成电路耦接的控制电路可以被配置成例如对所有被感测温度的平均值或被感测温度的最高值进行响应。在任何一种情况下，该控制电路典型地被配置成响应所测量的温度作为单个激励(stimulus)，对该单个激励提供单个响应(例如，关闭整个芯片)。因此，如果热点温度测量超过预定阈值，则整个芯片可能被关闭。相反，如果该温度测量被平均，则即使其中一个传感器指示已经超过安全温度阈值，该芯片可能也不会被关闭。

因此，期望提供一种系统和方法，用于相对于电子装置放置热传感器，使得得到的温度信息可用作由控制电路更高效和有效地控制该装置的操作的分离[数据点]。

发明内容

可以通过本发明的各种实施例来解决以上概述的一个或多个问题。一般地说，本发明包括用于以提供对应于集成电路的不同部分的有用热测量的方式，来放置集成电路中的热传感器的系统和方法。这可以使控制电路能基于不同的温度测量来有效地控制集成电路的不同部分的操作。

在一个实施例中，热感测系统在具有多重(multiple)、复制(duplicate)功能块的集成电路中实现。每个复制功能块具有与其耦接的对应热传感器，使得可以分别地监控每个复制功能块的温度。热传感器优选地被置于每个复制功能块的相同相对位置，且该位置也优选地为每个复制功能块的热点。除了每个复制功能块上的热传感器之外，集成电路中其它类型的功能块上也可以有一个或多个热传感器。另外，也可以有置于集成电路上的冷点(诸如在集成电路芯片的边缘)处的热传感器。集成电路中的每个热传感器可以被构建在集成电路芯片上，而不是仅有诸如二极管的热敏组件在片上而传感器组件的剩余部分在片外。每个热传感器可以具有端口以实现传感器和外部组件或装置之间的电子通信。所述端口可以，例如，用于为没有集成电路中存在的开关噪声的热传感器提供电源和接地连接。所述端口还可以用于将热指示器信号传送到集成电路芯片外部的组件或装置。控制电路可以与热传感器耦接以基于所感测的对应于各个功能块的温度，使集成电路的功能块能够被分别受控。

一个可选实施例包括一种分别感测集成电路中一组复制功能块的温度的方法。在一个实施例中，该方法包括基于相应的感测温度独立地调整复制功能块的每一个的操作。在一个实施例中，在每个复制功能块的相同位置处感测每个复制功能块的温度。在一个实施例中，该位置包括复制功能块上的热点。该方法还可包括分别地感测集成电路中一个或多个附加功能块的温度。此外，该方法可包括分别地感测集成电路中冷点的温度。

多个附加实施例也是可能的。

附图说明

通过阅读以下详细说明并参考附图，将清楚本发明的其它目的和优点。

图1是举例说明一种类型的热感测电路的结构的框图。

图2是举例说明由基准电压生成器和图1的系统中的热感测组件产生的基准电压和温度相关电压之间的关系图。

图3是举例说明在一个实施例中，由比较器生成的输出信号作为感测温度和基准温度之间的关系的函数图。

图4是举例说明根据一个实施例，利用小型、片上热传感器监控一组复制功能块的温度的集成电路图。

图5是举例说明根据一个可选实施例的集成电路的功能框图。

图6是举例说明根据另一个可选实施例的集成电路的功能框图。

图7是举例说明根据另一个可选实施例的集成电路的功能框图。

图8是举例说明根据一个实施例，适合于芯上实现的组合热感测组件和基准电压生成器的结构图。

虽然本发明可采取各种修正和可选形式，但借助附图中的实例和随附的详细说明可显示本发明的特定实施例。应当理解的是，附图和详细说明不是意欲将本发明限制到所述的特定实施例。而是本公开内容意欲覆盖由所附权利要求书定义的本发明范围内的所有修正，等同物和可选物。

具体实施方式

以下描述本发明的一个或多个实施例。应当指出的是，以下描述的这些以及任何其它实施例都是示例性的，旨在解释本发明而不是限制本发明。

一般来说，本发明包括用于以提供对应于集成电路的不同功能块的有用热测量的方式，来放置集成电路内的热传感器的系统和方法。这可以使控制电路基于不同的温度测量来有效地控制集成电路的不同部分的操作。

在一个实施例中，热感测系统是在具有多重、复制功能块的集成电路中实现的。这些复制功能块可以是例如，多处理器集成电路芯片中的处理器核心(processor core)。当复制功能块的每一个执行基本上相同的功能时，不同块典型地不执行完全相同的操作。在多处理器芯片的情况下，每个处理器核心可以执行不同的线程，处理不同的数据，访问不同的存储器位置，等等。

因此，不同功能块经常使用不同量的功率并耗散不同量的热量。因此一些功能块可能达到危险的高温，而其它一些功能块则不会。因此，需要限制一些功能块的操作，而其它功能块则不需要限制。

由于复制功能块可能执行不同的操作且达到不同的温度，分别地监控该功能块的温度是有用的。因此本系统并入了一组热传感器，每个热传感器被置于其中一个复制功能块中。为了获得每个复制功能块中可比活动的可比热测量，热传感器位于每个复制功能块上的相同位置。在这个实施例中，每个热传感器被置于相应的复制功能块上的热点处。

除了复制功能块之外，集成电路中还有其它类型的功能块。因此一个实施例包括被置于一个或多个这些附加功能块上的热传感器。也可以提供另一个热传感器来感测集成电路上的冷点的温度。例如，该热传感器可以被置于集成电路芯片的边缘。

集成电路中的每个热传感器可以是整个传感器。即，所有的传感器组件可以被构建在集成电路芯片上，而不是仅有诸如二极管的热敏组件在片上而传感器组件的剩余部分在片外。热传感器可以包括用以在传感器和外部组件或装置之间实现电子通信的端口。这些端口可以被用于，为热传感器提供无噪声电源和接地连接，或它们还可以被用于将热指示器信号传送到集成电路芯片外部的组件或装置。控制电路可以与热传感器耦接以基于感测的对应于各个功能块的温度，使集成电路的功能块能够被分别受控。

在详细讨论本发明的的各个实施例之前，简要地讨论可以用于本发明的各个实施例的热传感器类型将十分有用。参考图1，示出了举例说明一种类型的热感测电路的结构的框图。在该图中，基准电压生成器10生成基准电压。尽管大多数常规的热传感器使用在可能的温度范围内恒定的基准电压，但是诸如那些在相关美国专利申请系列号11/034,644中公开的其它热传感器使用随着温度变化的基准电压。在常规热传感器中，微调(trimming)电路20典型地与基准电压生成器10耦接以便允许调整恒定基准电压的值以补偿电路制造中的变化。

热感测组件30生成随感测组件的温度而变化的电压。该感测组件可以是例如，二极管。由热感测组件30生成的电压随着感测组件温度的升高而降低。由基准电压生成器10生成的基准电压和由热感测组件30生成的电压都被提供到比较器40。比较器40被配置成确定由热感测组件30提供的电压是高于还是低于由基准电压生成器10提供的基准电压。

比较器40生成取决于所述两个接收电压之间的关系而被断言(与否)的二进制输出信号。典型地，比较器40将被配置成生成一个信号，该信号在由热感测组件30生成的电压低于基准电压生成器40的基准电压时为高(即，感测温度高于对应于基准电压的温度)。由比较器40生成的信号于是被提供到控制电路50，其被配置成如果来自比较器40的信号被断言则采取校正性动作。例如，如果感测温度高于所述基准温度且该信号被断言，则控制电路50可降低操作速度或关闭其中实现了热感测系统的电路。

参考图2，示出了举例说明由基准电压生成器10产生的基准电压与由图1系统中的热感测组件30产生的温度相关电压之间的关系图。图2是电压(纵轴上)与温度(横轴上)的图表。可以看出该图中的基准电压不是恒定的，而是随温度升高的。另一方面，由热感测组件30产生的电压随着温度的升高而降低。可以看出这两个电压曲线在基准温度T₀处交叉。

如上指出的，基准电压生成器可以被可选地配置成产生恒定电压。该基准电压生成器甚至可以被配置成只要基准电压曲线的斜率大于传感器电压曲线的斜率，就产生随着温度上升而下降的电压。在此详细讨论的实施例将利用产生具有正温度系数的电压的基准电压生成器，因为该基准电压和传感器电压之间的电压差比使用恒定或(随温度)下降的基准电压时的大。

参考图3，示出了举例说明由比较器40生成的输出信号作为感测温度以及基准温度之间的关系的函数图。在图3的上部是作为时间的函数的感测温度(Ts)的曲线图。图中还标出恒定基准温度(T_o)。在图的底部是作为时间的函数的比较器输出信号。在图3的左侧，感测温度最初低于基准温度。因此，二进制输出信号为低。感测温度逐渐上升，直到在时间t1，感测温度等于基准温度。感测温度继续上升，使得在时间t1+Δt处大于基准温度。当感测温度变得大于基准温度时，二进制输出信号变高。之后，感测温度下降，在时间t2处变得低于基准温度。当感测温度变得低于基准温度时，二进制输出信号再次变低。

在一个实施例中，上述的热传感器足够紧凑，使得整个传感器，包括热感测组件和基准电压生成器，可以被有效地构建在集成电路上(与其中热感测组件是集成电路的组成部分而用于比较电压和生成输出信号的电路在芯片外的常规实现不同)。以下将详细描述用于这种热传感器的示例性结构。诸如这样的片上热传感器可提供多个优点，包括更快的响应时间(更小的时间常数)，更小的尺寸，不那么复杂的芯片接口(如果有的话)等等。

参考图4，示出了举例说明根据一个实施例，利用这些小型、片上热传感器监控一组复制功能块的温度的集成电路图。

在图4的实施例中，集成电路芯片400包括多重功能块。在此使用的“功能块”涉及提供特定功能的集成电路上的逻辑块和/或电路块。例如，如图中所示，集成电路芯片400包括九个功能块，410，420，430-435以及440。(尽管没有像图中的其它功能块一样被描绘为矩形功能框，但功能框410包含在集成电路中提供单独功能的逻辑和/或电路。)集成电路400的功能块430-435互为复制。

应当指出的是，在此使用的“复制”意欲包括在每一个物理细节或配置中可能不尽相同的功能块。

例如，功能块430-432可以是功能块433-435的镜像。作为另一个实例，如果功能块430-435为数据处理单元，则这些单元中的一个单元可以被配置为主单元，而其它被配置为从属单元。也可能存在其它较小差异。

集成电路400代表一个多处理器，在此每个功能块430-435为单独的处理器核心。功能块410，420和440提供用于支持处理器核心430-435的处理功能的功能，诸如数据存储(存储器，)输入/输出(I/O，)以及类似功能。

除了功能块之外，集成电路400包括一组热传感器450-455。每个热传感器与对应的一个处理器核心430-435耦接。这使得能够独立感测对应于每个不同处理器核心的温度。这是很重要的，因为即使处理器核心是互为复制的，每个处理器核心将执行不同的任务。因此，不同的处理器核心将经历不同级别的负载(所执行的操作数)并将耗散不同量的热量。因此一些处理器核心可能达到阈值温度，而其它一些则不会。由于处理器核心的温度是被分别感测的，这就可能控制处理器核心中所选处理器核心的操作，以降低它们的温度，而其它处理器核心不会受影响。还可以基于由对应的专用热传感器感测的温度控制其它功能块。

应当指出的是，每个复制功能块(在此情况下，处理器核心)上的单独热传感器的放置与常规热感测系统大不相同，在常规热感测系统中，代表整个集成电路的单个温度被感测并用于控制整个集成电路的操作。即使当在常规系统中使用多个热传感器时，这些传感器通常被用于确定引起对于整个集成电路采取动作(例如，关闭该集成电路)的单个条件(例如，是否有任何传感器检测到高于预定阈值的温度)。另外，常规的多传感器系统不是将热传感器安置在每个多重复制功能块上，或许因为通常认为，复制功能块执行大致相同的操作并将经历大致相同的温度。

再次参考图4，可以看出，在该实施例中，每个热传感器450-452对于对应的一个功能块430-432被置于相同位置。类似地，每个热传感器453-455对于对应的一个功能块433-435被置于相同位置。假设为了本公开内容的目的，功能块433-435为功能块430-432的镜像。因此，认为每个热传感器450-455对于对应的一个功能块430-435被置于相同位置(即，在对应的功能块内相同功能组件的位置处)。

在一个实施例中，每个热传感器450-455被置于对应的一个功能块430-435上的热点处。在许多实例中，集成电路的物理布局将具有在正常操作期间包括较集中的组件、经历较高活动级别的一个或多个区域。因为在这些区域内存在高级别的活动，这些区域中电路组件使用的功率量更高，且在这些区域内耗散的热量比集成电路的其它区域中耗散的热量更大。由于在这些区域中有更高级别的活动和更大功率的耗散，这些区域通常被称为“热点”。

参考图5，示出了举例说明根据一个可选实施例的集成电路的功能框图。在该图中，也存在一个如图4所示置于每个复制功能块上的热传感器。另外，有多个热传感器被置于集成电路中的一个或多个其它功能块上。在该实例中，热传感器557被置于功能块520上，且热传感器558被置于功能块540上。在一个实施例中，每个这些热传感器被置于对应的一个功能块的热点处。

参考图6，示出了举例说明根据另一个可选实施例的集成电路的功能框图。在该图中，有多个复制功能块，每个复制功能块具有相应的热传感器。另外，有一个热传感器656被置于集成电路上的冷点处。该“冷点”是集成电路中很少或无活动的位置，所以在该区域中耗散很少的热量，使其保持比集成电路的其它区域更冷。该冷点可以是集成电路没有功能组件的位置，或可以存在比集成电路的其它区域经历相对较少活动且生成较少热量的功能组件(例如，存储器单元)。在一个实施例中，该传感器被置于集成电路的边缘附近。

将热传感器置于集成电路上的冷点以获得关于例如，跨集成电路芯片的温度梯度的信息可能很有用。因为一些电路组件的特性可能随着温度而改变，跨集成电路的温度梯度可能引起可能影响集成电路的性能的定时变化或其它变化。冷点温度测量在为芯片确定最小温度或环境温度时也很有用，其可为控制芯片级(与功能块级相对)动作提供基础。

参考图7，示出了举例说明根据另一个可选实施例的集成电路的功能框图。在该图中，每个热传感器与一对端口(例如，711和712)耦接以允许电子信号在传感器和一些外部(芯片外)组件，诸如电源，测试设备等等，之间传递。这些端口可以只不过是集成电路封装上的外部插脚。

在一个实施例中，该端口被用于为热传感器提供电源和接地连接。因为片上电源被集成电路中的许多开关组件使用，由这些源提供的电压可能遭受大量的开关噪声，这些噪声可能影响传感器的温度感测能力。所述端口可被用于允许热传感器进行没有开关噪声的外部电源和接地连接。外部电源的可用性还可实现在集成电路掉电时热传感器的操作，从而便于传感器的校准。

在另一个实施例中，所述端口被用于使外部访问由热传感器生成的信号。例如，可以经这些端口将指示由热传感器感测的温度是否超过阈值温度的二进制信号提供到外部组件。这些信号在外部测试设备或其中实现该集成电路的系统的其它组件的操作中有用。

在一个可选实施例中，一组端口可与一个以上的热传感器耦接。这在所述端口用于允许连接传感器到外部电源和地的情况下尤为有用。因为热传感器不必独立地连接到电源和地，两个或更多个传感器可具有连接它们各自的电源和地输入端的内部线路，于是这些线路可以通过这些端口与外部电源和地连接。

如上所指出的，在一个实施例中，与每个功能块耦接的热传感器整个地嵌入到集成电路中。即，传感器的热敏组件和其它组件(例如，基准电压生成器)都被构建在芯片上。下面联系图8描述示例性的热传感器。与较常规的传感器(其中，诸如二极管的热敏组件位于芯片上，而传感器的剩于部分位于芯片外)相比，这种类型的传感器可以更快地对感测温度中的变化作出反应。常规热传感器仍可用于可选实施例。事实上，在一些实例中，可能期望使用具有较慢响应时间的传感器以将所测量的温度中的变化降至最小。

参考图8，示出了举例说明根据一个实施例，适合于片上实现的组合热感测组件和基准电压生成器的结构图。该电路800由一个运算放大器810，三个PMOS晶体管(820，830，840)，两个电阻器(850，860)以及多个二极管(870，880-882)组成。应当指出的是，虽然在图8中只明确地示出三个二极管，该系列二极管880-882可包括N个二极管，在此N典型地大于或等于2。

晶体管820的源极与电源电压(Vdd)耦接。晶体管820的漏极与二极管870的阳极耦接。二极管870的阴极与地耦接。晶体管830的源极还与电源电压耦接，但该晶体管的漏极与电阻器850的一端耦接。电阻器850的另一端与每个二极管880-882的阳极耦接。每个二极管880-882的阴极与地耦接。晶体管840的源极还与电源电压耦接。晶体管840的漏极与电阻器860的一端耦接。电阻器860的另一端与地耦接。

每个晶体管820，830和840的栅极与运算放大器810的输出耦接。如果每个晶体管820，830和840是相同的，则流过每个这些晶体管的电流量是相同的。运算放大器810的输入端与晶体管820和830的漏极耦接。晶体管820的漏极处的电压(Va)是跨过二极管870的PN结的电位。晶体管830的漏极处的电压(Vb)是跨过电阻器850和二极管880-882的PN结的一些电位(其实际上与具有大于二极管870的截面面积的单个PN结相同)。

二极管的特性行为可以被表达为I～I_Sexp(qV_be/KT)。如果通过二极管870的电流可以设置等于通过二极管880-882的电流之和，于是：

I_sexp(qVa/KT)＝N*I_sexp(qVc/KT)

在此，Vc是电阻器850和二极管880-820之间的节点处的电压，而N是二极管880-820的数量。那么，跨过电阻器850的电压可以被表达为：

ΔVf＝Va-Vc＝1nN*KT/q

于是，由于通过晶体管830的电流与通过晶体管840的电流相同，基准电压可以被表达为：

V_ref＝ΔV_f*R₂/R₁

在此，R₁是电阻器850的值，而R2是电阻器860的值。因此基准电压可以通过适当地选择R₁和R₂设置成期望的值。

在图8的电路中，第一个晶体管(820)和第一个二极管(870)用作图1所示的热传感器。晶体管820用来提供通过二极管870的恒定电流。晶体管820的漏极处的电压(Va)被用作传感器电压V_sens。通过二极管(870)有近似为-1.5mV/K的负温度系数。

电路800产生一个单独的基准电压，当其与由热感测组件生成的传感器电压(具有负温度系数)相比时，导致产生一个指示传感器温度是高于还是低于基准温度的单个二进制输出。其它电路结构可以用于提供多个基准电压，使得感测温度可以和这些多个基准温度相比较。示例性结构在美国专利申请11/034,644中确定。

本领域的技术人员将理解，可以利用多种不同的技术和方法中的任何一种来表示信息和信号。例如，数据，指令，命令，信息，信号，比特以及上面的说明中参考的符号，可以用电压，电流，电磁波，磁场或粒子或它们的任何组合来表示。

联系在此公开的实施例描述的各种说明性的逻辑块，模块和电路，可以用不同类型的装置来实现或者完成，这些装置包括通用处理器，数字信号处理器(DSP)，专用集成电路(ASIC)，场可编程门阵列(FPGA)或其它可编程逻辑器件，离散门电路或晶体管逻辑，分立硬件组件，或被设计用来实现在此描述的功能的它们的任何组合。通用处理器可以是任何常规的处理器，控制器，微控制器，状态机或类似装置。处理器也可实现为计算装置的组合，例如，DSP和微处理器的组合，多个微处理器，结合DSP核心的一个或多个微处理器，或任何其它这样的配置。

结合在此公开的实施例描述的方法和算法的步骤可以直接以硬件，由处理器执行的软件模块，或两者的组合体现。软件模块可以驻留在RAM存储器，闪存，ROM存储器，EPROM存储器，EEPROM存储器，寄存器，硬盘，移动磁盘，CD-ROM，或本技术领域公知的任何其它形式的存储媒介中。一个示例性的存储媒介与处理器耦接，这样处理器就可以从存储媒介中读出信息，以及将信息写入存储媒介中。在一个可选方案中，存储媒介可以集成到处理器中。处理器和存储媒介可以驻留在ASIC中。ASIC可以驻留在用户终端中。在该可选方案中，处理器和存储媒介可以作为分立部件驻留在用户终端中。

本发明可提供的利益和优点已经在上文中参照特定实施例进行了描述。这些利益和优点，以及可能引起这些利益和优点出现或变得更为明确的任何要素或限制不被认为是对任何或所有权利要求都重要的，必需的或基本的特性。在此使用的术语“包括”“包含”或其任何其它变化，意欲解释为非排它地包括跟随这些术语的要素或限制。因此，包括一组要素的一种系统，方法或其它实施例并不局限于仅仅这些要素，还可以包括没有被特别列出或所要求保护的实施例所固有的其它要素。

提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域的技术人员能够制造或利用本发明。对这些实施例的各种修正对本领域的技术人员是显而易见的，且在此定义的一般原理可以应用于其它实施例而不偏离本发明的精神或范围。因此，本发明并不局限于在此示出的实施例，但符合与在此公开并在以下权利要求书中叙述的原理和新颖性特征一致的最宽范围。

Claims (15)

1.一种系统，包括：

具有多个复制处理器核心的集成电路；

第一组热传感器，其中第一组热传感器的每一个与对应的一个复制处理器核心耦接，并被置于该对应的一个复制处理器核心上的相同位置处；以及

与第一组中的每个热传感器耦接的控制电路，其中该控制电路被配置成基于从与处理器核心耦接的热传感器接收的对应温度信号独立地调整每个处理器核心的操作。

2.根据权利要求1的系统，其中第一组热传感器的每一个被置于对应的一个复制处理器核心的热点处。

3.根据权利要求1的系统，进一步包括不同于复制处理器核心的类型的一个或多个附加功能块和第二组热传感器，其中第二组热传感器的每一个与对应的一个附加功能块耦接。

4.根据权利要求1的系统，进一步包括被置于集成电路的冷点处的附加热传感器。

5.根据权利要求4的系统，其中该附加热传感器被置于集成电路的边缘处。

6.根据权利要求1的系统，进一步包括与热传感器耦接的一个或多个端口，其中所述端口使得能够直接在热传感器和一个或多个芯片外电子部件之间传递电子信号。

7.根据权利要求6的系统，其中每个端口与不超过两个热传感器耦接。

8.根据权利要求7的系统，其中每个端口仅与一个热传感器耦接。

9.根据权利要求6的系统，其中每个端口与对应的热传感器中的一个或多个电源和地线耦接，并被配置成使得所述电源和地线能够耦接到外部电源和地线连接。

10.根据权利要求6的系统，其中每个端口与对应的热传感器中的一个或多个输入/输出线耦接，并被配置成使得输入/输出线能够与外部信号线耦接。

11.根据权利要求1的系统，其中第一组热传感器的每一个整体地在集成电路上实现。

12.一种方法，包括：

分别感测集成电路中多个复制功能块的温度，其中在所述复制功能块的相同位置处感测每个复制功能块的温度；

基于对应的感测温度独立地调整每个复制功能块的操作。

13.根据权利要求12的方法，其中在每个复制功能块上感测对应温度的位置包括复制功能块上的热点。

14.根据权利要求12的方法，进一步包括分别地感测集成电路中一个或多个附加功能块的温度。

15.根据权利要求12的方法，进一步包括分别地感测集成电路中冷点的温度。

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