CN1890580B - X射线检测器的屏蔽 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具有排列成一层的检测器元件(1)的X射线检测器。检测器元件(1)包括：将X射线(X)转换成光子(v)的闪烁器元件(2)：用于检测光子(v)的光电二极管(5)：以及用于处理由光电二极管(5)产生的电信号的处理电路(4)。为了防止X射线对电子线路(4)的影响，在电子线路(4)的前面安装有可变有效厚度(d1、d2)的屏蔽罩(3)。屏蔽罩(3)尤其可以具有L形。可以通过把屏蔽罩(3)的有效厚度减小到所需的最小值来使闪烁器单元(2)的体积达到最大值。

Description

X射线检测器的屏蔽
技术领域
本发明涉及具有排列成一层的检测器元件的X射线检测器，其中每一个检测器元件都包括传感器单元和耦合到传感器单元的被屏蔽的处理电路。
背景技术
上述类型的X射线检测器可以用于例如计算机断层摄影(CT)装置。这种X射线检测器的各个检测器元件各自可以产生一个像元(像素)的图像信号。由于在每一个像素中配置处理电路的缘故，需要防止入射的X射线对电子电路的干扰和损坏。可以通过安装在处理电路前面的铅或其它合适的材料制成的网状屏蔽罩来实现这种保护。
此外，从WO 03/044563A1知道一种X射线检测器，其中设置在光电传感器阵列后面的电子电路由铅罩和安装在上述传感器阵列上方的准直仪屏蔽。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种上述类型的改进的X射线检测器，所述检测器具有在像素中的较高灵敏度的集成电子线路。
通过本发明的X射线检测器，基于一种新的屏蔽方法来解决这个任务。本发明提出了一种X射线检测器，其具有排列成一层的检测器元件，其中每一个检测器元件包括传感器单元和耦合到所述传感器单元的处理电路，并且其中在所述处理电路的前面设置有相对于指定的X射线入射方向可变屏蔽效率的屏蔽罩。
本发明的X射线检测器包括分布在一层或衬底的检测器元件。通常，检测器元件规则地排列，最好排列成矩形网板。每一个检测器元件都与X射线检测器产生的图像的一个像元(像素)对应。每一个检测器元件都包括一个用于将辐射转换成电信号的传感器单元。而且所述检测器元件还包括耦合到传感器单元连接的电子处理电路，用于由传感器单元产生的电信号的后处理。在处理电路的前面或者至少在处理电路的必须防止X射线的区域前面，设置可变屏蔽效率(或屏蔽因子)的屏蔽罩。在这方面，术语“前面”系指X射线的入射方向。这就是说，屏蔽罩设置在处理电路的面向X辐射的那边，例如，如果X辐射来自上方，则屏蔽罩设置在处理单元的顶部。这样，在X辐射到达处理电路易受损害的部分之前就被屏蔽罩吸收。与已知的检测器相反，屏蔽效率在处理电路前面的各个位置上不是相同的，而是变化的。因此，它能满足处理电路不同区域的局部需要。
可以用不同方式来实现变化的屏蔽效率。例如，屏蔽罩可以用对X射线具有不同吸收系数的不同材料组成(连续的或离散的)。在这种情况下，可以根据它的屏蔽效率和其它方面，例如重量、可加工性能、价格等在屏蔽罩的某些位置选择某些材料。但是，变化的屏蔽效率可以通过改变屏蔽罩的有效厚度实现(自然也可以与不均匀的屏蔽材料结合应用)。在这种情况下，以屏蔽罩在X射线入射方向的几何厚度的形式来定义和测量“有效厚度”。与已知的检测器相反，屏蔽罩的有效厚度在处理电路前面的各个位置不是相同的，而是变化的。因此，它能满足处理电路不同区域对屏蔽效率的局部需要。具体地说，处理电路每一个区域前面屏蔽罩的最小有效厚度可以这样选择，使得提供的屏蔽罩刚好满足要求。只有在这种情况下，屏蔽罩占有的体积最小，避免了为保护电子线路而对X射线的过量吸收。这就使传感器单元检测到的X射线量子的流量达到最大值。
根据X射线检测器的最佳实施例，在每一个检测器元件的传感器单元的前面设置闪烁器单元。如上所述，这里的术语“前面”定义为相对于X射线的入射方向。闪烁器单元把X射线转换成可以被光敏传感器单元检测的可见光光子。
上述闪烁器单元和处理电路的屏蔽罩最好一起设置在它们之间无缝隙的相同层中。由于屏蔽罩的可变有效厚度导致可以把屏蔽罩的体积减至最小，所以可以使闪烁材料的体积到达最大值。从而使检测到的X射线量子的流量达到最大值。
原则上屏蔽罩的结构或形状可以是任意的。但是屏蔽罩最好做成片段(section)(翼型(profile))，即，在一个空间方向上其截面不变的空间形状。例如，借助于挤压加工处理可以产生比较简单和经济的片段。而且，有可能沿X射线检测器的矩阵形状的行和/或列连续地设置片段。在这种情况下，一个片段可以为大量检测器元件提供屏蔽。
根据最佳实施例，片段由某种屏蔽材料的空间条片组成。这种片段可以通过开始把它压偏成所需空间形状，然后特别简单地把条片弯曲而成。
而且，片段可以是L形，即，具有L形的片段。具体地说，可以通过把某种屏蔽材料的条片弯曲来实现所述L形。
此外，片段可以是梯形或三角形，即，具有梯形/三角形的片段。在这种情况下，三角形片段可以看作为梯形片段的特殊情况(即一条边长为0的梯形)。由于屏蔽罩的梯形有效厚度的斜边变成了连续的，这样就实现了连续变化的屏蔽效率。
对给定能量的X辐射具有足够高的吸收系数的、并比较容易处理的各种材料都可以用作屏蔽罩的材料。具体地说，适合的材料有铅(Pb)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、钛(Ti)和/或具有高原子量(Z数)的其它材料。此外，象硫酸钡(BaSO4)、碳酸钡(BaCO3)、氧化钡(BaO)、碳酸铅(PbCO3)、氯化铅(PbCl2)、硫酸铅(PbSO4)、氧化钛(TiO2)和/或氧化锌(ZnO)之类的盐可以用于屏蔽罩中。
屏蔽罩可以只由上述材料中的一种或这些材料的几种成分(例如合金)构成。此外，至少一种材料可以镶嵌在象塑料或环氧树脂的载体中。在这种情况下，屏蔽罩的效率可以由所述材料和载体之间的体积比确定。
检测器元件的传感器单元特别可以包括光电二极管，可以利用光电二极管来检测来自转换材料的光子。这种光电二极管可以象集成CMOS电路那样制作(参见US6,292,528B1；US6,324,244B1)。而且传感器单元和处理电路可以设置在相同衬底或层，即“芯片”上。
此外，本发明涉及具有排列在一层或衬底上的检测器元件的X射线检测器，所述X射线检测器包括设置在传感器单元层前面的闪烁器单元层。在这个意义上，术语“前面”再次定义为相对于X射线的入射方向。检测器的闪烁器单元之间由隔离层或屏蔽罩隔离，所述隔离层或屏蔽罩对X射线具有高的屏蔽效率并且对闪烁器单元产生的光子具有高的反射率。具体地说，可以通过对X射线具有高吸收系数(例如，象Pb或W的吸收系数)的屏蔽材料来实现所述屏蔽效率。所述光子的反射率可以高于70％，最好高于90％。所述屏蔽罩可以是一种复合材料，所述复合材料包含对X射线有高吸收系数的核心材料(例如，硫酸钡(BaSO4))和涂敷对光子具有高反射率材料(例如，聚偏二氟乙烯(PVDF))的表面。
建议的X射线检测器具有以下优点：它可防止敏感元件遭受X射线的可能损害，并在闪烁器元件的光线输出最大时，防止由于反射回到相邻闪烁器单元的光线对不同传感器单元之间产生的相互干扰。所述检测器最好包括上述X射线检测器的所有或一些特征，即对像素的电子线路等具有可变的屏蔽效率。
附图说明
下面，借助附图用实例说明本发明，附图中：
图1是具有L形屏蔽罩的X射线检测器的第一实施例的透视图；
图2是图1的检测器的一个检测器元件的侧视图；
图3是供选择的X射线检测器的检测元件的侧视图。
具体实施方式
在图1中，以透视图的形式表示X射线检测器10的一部分。X射线检测器10由大量(通常是几千个)以行和列排列的检测器元件1组成，图1中只用其中的25个来说明。每一个检测器元件1与检测器10产生的图像的像元(像素)对应。
如图2更清楚表示那样，每一个检测器元件1被做成2层。(相对于X射线入射方向X)的“反向”层包括光电二极管5和相应的电子处理电路4。具体地说，光电二极管5和电路4可以用CMOS技术在同一衬底上实现。层左边或光电二极管5和处理电路4(相对于X射线入射方向X)的“前面”，包括闪烁元件或晶体2以及屏蔽罩3。闪烁器元件2用合适的闪烁材料，例如CdWO4、GOS(Gd2O2S)制成。它用于将入射的X射线量子X转换成可见光的光子v。到达光电二极管5的这些光子v在那里产生电信号。所述电信号由电路4处理，并用技术人员熟悉的一些方法读出，这里不作详细说明。
屏蔽罩3用于防止X射线损坏和/或干扰安装在后面的处理电路4。为此，屏蔽罩3是用对X辐射具有高吸收系数的材料制成。屏蔽罩3的另一个功能是吸收和/或最好是反射由闪烁器元件2产生的光子v。这样，就能防止这种光子v到达相邻的检测器元件的光电二极管，即产生相互干扰，这种相互干扰将引起检测到的辐射的空间测定的误差，从而降低图像质量。反射回到闪烁元件2的光子可以防止光子被漏捡，从而使光流量达到最大。因此，屏蔽罩3表面对可见光的反射率应该尽可能高。
最好的屏蔽效率是使用重金属，例如铅、钨或钼实现，因此这些重金属特别适合于制作薄的屏蔽罩材料。此外包括镶嵌在载体(例如，环氧树脂)中的粉状吸收材料的合成物可以用作屏蔽罩材料。这样，吸收材料就可以是金属或金属盐，盐通常对光子具有较高的反射率。最好使用具有较高密度的盐，例如，象BaSO4(4.48g/cm3，高反射率)、BaCO3(4.43g/cm3)、BaO(5.7g/cm3)钡盐；象PbCO3(6.56g/cm3)、PbCl2(5.9g/cm3)、PbSO4(6.2g/cm3)铅盐；TiO2(4.23g/cm3)和/或ZnO(5.6g/cm3)。合成材料的屏蔽效率主要由吸收材料的相对体积确定；为了高屏蔽效率，要尽可能不用载体。
在选择某些屏蔽材料时，也应该考虑被吸收的X射线的能量。这是因为不同的应用的特征在于不同的X射线能量，由于材料的吸收特性取决于辐射能量，所以X射线能量的范围一般从早期胸部肿瘤X射线测定法的约20千电子伏特到正电子发射X射线体层摄影(PET)的约512千电子伏特。下面两个表列出了材料厚度L0＝0.01cm的不同吸收和载体材料的强度I/I0的剩余比(光子数)。根据以下公式：I/I0＝exp(-L·μ(E))，所述比值取决于厚度L和辐射能量E的函数μ的指数形式。
由于不是处理电路4的所有区域都需要相同程度的X辐射防护，因此建议把屏蔽罩3做成有效厚度为变化的。在这种情况下，应确定和测量X射线入射方向X、或者换句话说与检测器10表面正交的方向(图中的水平方向)的有效厚度(或屏蔽罩效率)。在图1和2表示的实施例中，屏蔽罩3做成厚度b的L形片段或翼型。这时接触处理器4的L分支3b的有效厚度d1＝b。片段厚度b要选择足够高，以便防止相邻的检测器元件之间的相互干扰，而用于屏蔽较低灵敏度的电子线路的有效X射线的d1(这时与b相同)的尺寸最小。另一方面，为了用很高的屏蔽效率保护安装在其后的处理器4的各个区域，从处理器4横向射出的L的分支3a具有非常大的有效厚度d2。需要高度防止X辐射的处理器4的部件为灵敏的模拟电子线路，而对保护要求不高、并可安装在屏蔽罩3的较薄的分支3b下的部件包括例如“保护电容器”等。屏蔽罩3的度b、d1、d2必须在有关相互干扰、X射线屏蔽、反射和光输出(闪烁器体积)之间作最佳的折中选择。
 10   8.80733e-006   0.00105918   3.51564e-  014   1.04286e-  016   0.0203147
 20   0.000165166   0.000712503   8.63839e-  005   1.34059e-  005   0.534991
 30   0.0420859   0.0716168   0.0351068   0.0179467   0.814906
 40   0.217721   0.28894   0.201375   0.145398   0.910887
 50   0.420252   0.505349   0.404598   0.336544   0.94931
 60   0.579369   0.658066   0.566167   0.504053   0.967289
 70   0.690047   0.757304   0.177913   0.128645   0.976708
 80   0.766647   0.823334   0.293375   0.232568   0.9823
 90   0.448876   0.86633   0.400679   0.33645   0.985721
 100   0.540656   0.896362   0.496976   0.434433   0.988006
 120   0.673645   0.93165   0.640205   0.587107   0.990616
 150   0.799025   0.95849   0.777602   0.740315   0.992644
 300   0.955581   0.986055   0.949203   0.939841   0.995317
 500   0.981927   0.991016   0.977775   0.97387   0.996315
 1000   0.991989   0.994058   0.989124   0.987345   0.997348
 能量 [keV]   Pb   Mo   Ta   W   Ti
  能量  [keV]   Al   Fe   聚乙烯   聚丙烯塑料   聚四氟乙烯
  10   0.581454   2.68923e-  005   0.984978   0.968795   0.893457
  20   0.921802   0.169747   0.996262   0.993674   0.981419
  30   0.972331   0.555258   0.99755   0.996486   0.991717
  40   0.98555   0.765368   0.997912   0.997236   0.994383
  50   0.990421   0.863812   0.998077   0.997545   0.995409
  60   0.992697   0.912931   0.998178   0.99772   0.995919
  70   0.993895   0.939513   0.998253   0.997836   0.996221
  80   0.994625   0.955436   0.998312   0.997922   0.99643
  90   0.995097   0.965147   0.99836   0.99799   0.996587
  100   0.995434   0.97166   0.998404   0.998048   0.996713
  120   0.995875   0.979116   0.99848   0.998146   0.99691
  150   0.99629   0.984774   0.998575   0.998265   0.997132
  300   0.997196   0.9914   0.998872   0.998632   0.997737
  500   0.997726   0.993406   0.999076   0.99888   0.998158
  1000   0.998343   0.99529   0.999325   0.999182   0.998655
可变有效厚度的屏蔽罩3的优点在于，可以将其体积限制在足以保护处理器4所需最小的体积。这时节省的体积(对于简单的长方体形屏蔽罩)可以用闪烁元件2的闪烁材料填充。这样，图2所示的X射线量子X就被恒定厚度的长方形屏蔽罩吸收。但是，用本实施例的L形屏蔽罩3，所述量子X被转换成闪烁材料2的光子v，所述光子v能够到达检测光电二极管5。因此，提高了检测器10的检测器量子效率(DQE)。
由于屏蔽罩3可以用弯曲的铅条片制成，所以根据图1和2，X射线检测器10的生产过程比较简单。而且，闪烁器元件2的底部必须有凹槽，以便屏蔽罩3的分支3b提供空间。所述凹槽可以例如通过最初长方体形的闪烁晶体碾磨来制造。或者，可以把不同高度(d2和d2-d1)的两个长方体形闪烁晶体胶合在一起。
图3中示出本发明的供选择的实施例，所述实施例描述了与图2所示的单一检测器元件11类似的视图。与图2相同的部件用相同的编号表示，这里不再说明。它与图1和2所示实施例的差别在于，检测器元件11的屏蔽罩13为楔形，即，具有三角形截面的菱形。在处理电路4前面的屏蔽罩13的厚度是从图3较低边缘的最小值线性增加到图3的上边缘的最大值。闪烁元件12具有互补的形状，以便它与屏蔽罩13以无缝的方式接合在一起。所述实施例也增加了X射线量子转换的体积，同时又保证足以保护电子线路4。
当然，图中所示的有效厚度变化的屏蔽罩形状仅仅可能的实施例的一些例子。本专业的技术人员能修改它们，也能找到其它有效厚度为变化的形状给闪烁器提供大的体积，同时又足以保护电子线路。而且，能够用这种方法设计(重新设计)检测器元件的电路，使所述电路的部件都处于给定形状的屏蔽罩的足以防止辐射影响的那些部分中。

Claims (13)

1.一种X射线检测器(10)，其具有排列成一层的检测器元件(1，11)，其中每一个检测器元件(1，11)包括传感器单元(5)和耦合到所述传感器单元(5)的处理电路(4)，并且其中在所述处理电路(4)的前面设置有相对于指定的X射线入射方向可变屏蔽效率的屏蔽罩(3，13)。
2.如权利要求1所述的X射线检测器(10)，其特征在于：所述屏蔽罩(3，13)具有相对于指定的X射线入射方向可变的有效厚度(d1，d2)。
3.如权利要求1所述的X射线检测器，其特征在于：在每一个传感器单元(5)的前面设置闪烁器单元(2，12)。
4.如权利要求3所述的X射线检测器，其特征在于：所述闪烁器单元(2，12)和屏蔽罩(3，13)以无缝方式设置在相同层中。
5.如权利要求2所述的X射线检测器，其特征在于：所述屏蔽罩做成片段(3，13)。
6.如权利要求5所述的X射线检测器，其特征在于：所述片段由空间条片(3)构成。
7.如权利要求5所述的X射线检测器，其特征在于：所述片段(3)为L形。
8.如权利要求5所述的X射线检测器，其特征在于：所述片段(13)为梯形或三角形。
9.如权利要求1所述的X射线检测器，其特征在于：所述屏蔽罩(3，13)的材料至少包含以下材料中的一种：Pb、W、Mo、Ta、Ti、BaSO4、BaCO3、BaO、PbCO3、PbCl2、PbSO4、TiO2和ZnO。
10.如权利要求9所述的X射线检测器，其特征在于：所述屏蔽罩的材料被镶嵌在载体中。
11.如权利要求10所述的X射线检测器，其特征在于：所述载体的材料是环氧树脂。
12.如权利要求1所述的X射线检测器，其特征在于：所述传感器单元(5)和处理电路(4)设置在相同层中。
13.如权利要求3所述的X射线检测器，其特征在于，所述闪烁器单元(2，12)由屏蔽罩(3，13)彼此隔开，所述屏蔽罩相对于X射线屏蔽并具有相对于在闪烁器单元(2，12)中产生的光子的高于70％的高的反射率。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010066109A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Canon Inc 放射線装置
WO2011081938A2 (en) * 2009-12-15 2011-07-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detection system and method of making a radiation detection system
JP5791281B2 (ja) * 2010-02-18 2015-10-07 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
KR101654140B1 (ko) 2010-03-30 2016-09-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체 트랜지스터를 구비한 엑스선 검출기
KR101678671B1 (ko) 2010-04-01 2016-11-22 삼성전자주식회사 이중 포토컨덕터를 구비한 엑스선 검출기
WO2012104775A2 (en) * 2011-02-03 2012-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single or multi-energy vertical radiation sensitive detectors
KR101820843B1 (ko) 2011-02-18 2018-01-22 삼성전자주식회사 확산방지막을 구비한 엑스선 검출기
US9281422B2 (en) * 2011-03-24 2016-03-08 Koninklijke Philips N.V. Spectral imaging detector
BR112014012699A8 (pt) * 2011-11-29 2017-06-20 Koninklijke Philips Nv pacote cintilador, conjunto detector de raio x, e scanner ct
TWI612321B (zh) * 2013-02-27 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 成像裝置
CN105814455B (zh) * 2013-12-17 2019-04-23 爱克发医疗保健公司 低重量x射线屏蔽件的照相平板检测器及制造方法
CN106662660A (zh) 2014-07-03 2017-05-10 皇家飞利浦有限公司 辐射探测器和用于生产辐射探测器的方法
US11156727B2 (en) * 2015-10-02 2021-10-26 Varian Medical Systems, Inc. High DQE imaging device
CN106128537B (zh) * 2016-07-29 2019-01-08 何天泽 一种防辐射紫铜铅板
CN114335893A (zh) * 2017-11-10 2022-04-12 旭化成株式会社 蓄电装置用分隔件、及蓄电装置
JP7058998B2 (ja) * 2017-12-22 2022-04-25 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 検出器モジュール及びｘ線ｃｔ装置
JP7362270B2 (ja) * 2019-03-15 2023-10-17 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 放射線検出器及び放射線診断装置
JP2021107805A (ja) * 2020-09-16 2021-07-29 株式会社ジョブ 放射線検出器およびその製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492869A (en) * 1980-10-22 1985-01-08 Hitachi Medical Corporation Radiation detector
US4845363A (en) * 1985-09-26 1989-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Device for detecting radioactive rays
EP1089091A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-04 Hitachi Metals, Ltd. Ceramic radiation shield and radiation detector using same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997005505A1 (en) 1995-07-31 1997-02-13 Litton Systems Canada Limited Flat panel detector for radiation imaging with reduced electronic noise
JP3415348B2 (ja) * 1995-11-07 2003-06-09 東芝医用システムエンジニアリング株式会社 Ｘ線撮像装置
EP1051641A1 (en) 1998-10-28 2000-11-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Computer tomograph detector
DE19945763A1 (de) 1999-09-24 2001-03-29 Philips Corp Intellectual Pty Computertomograph
JP4234304B2 (ja) * 2000-05-19 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
JP4532782B2 (ja) 2000-07-04 2010-08-25 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及びシステム
JP2003084066A (ja) * 2001-04-11 2003-03-19 Nippon Kessho Kogaku Kk 放射線検出器用部品、放射線検出器および放射線検出装置
US6982423B2 (en) 2001-11-20 2006-01-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. CT detector-module having radiation shielding for the processing circuitry
JP4087597B2 (ja) * 2001-12-06 2008-05-21 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線像撮像装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492869A (en) * 1980-10-22 1985-01-08 Hitachi Medical Corporation Radiation detector
US4845363A (en) * 1985-09-26 1989-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Device for detecting radioactive rays
EP1089091A1 (en) * 1999-09-30 2001-04-04 Hitachi Metals, Ltd. Ceramic radiation shield and radiation detector using same

Also Published As

Publication number Publication date
US7405408B2 (en) 2008-07-29
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