CN1885173B - 成像元件 - Google Patents

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Abstract

成像元件成像元件包括导电层、正电荷阻挡层、成像层和中间涂层。中间涂层在成像层和导电层中间。中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料。粒状材料在其上负载阻电材料。

Description

成像元件
技术领域
在此公开用于电子照相的成像元件。更具体地在此公开了带负电的成像元件，该元件具有分隔成像元件的光生层和导电层的中间涂层，以有效阻挡正电荷在其间移动。
背景技术
许多目前的电子照相成像元件是多层感光体，该感光体在带负电系统中包括衬底载体、导电层、任选的阻电层、任选的粘合层、生电层、输电层和任选的保护或外涂层。多层感光体可采用几种形式，例如柔性带、刚性转鼓、柔性卷轴等。柔性感光体带可以是有缝或无缝带。防卷曲层可以用于柔性衬底载体的背侧，即与电活性层相对的侧面，以达到所需的感光体带平直度。
尽管可以采用多层带感光体获得优异的调色剂图像，但通常保持带电图像和偏压电势中的微妙平衡，和调色剂/显影剂的特性。这对感光体制造，并因此对制造收率具有另外的限制。尺寸为约50-约200微米的局部微缺陷部位有时可以在制造中出现，这在最终的成像复印件中作为印刷缺陷(微缺陷)出现。在带电区域显影时，其中将带电区域印刷为暗区域，将部位以白点印出。这些微缺陷称为微白点。在放电区域显影系统中，其中将曝光区域(放电区域)印刷为暗区域，这些部位在白背景上印刷出为暗点。所有这些微缺陷，它显示过分大的暗衰减，称为电荷缺陷点(CDS)。由于微缺陷部位被固定在感光体中，所以点被从带回转的一个循环转移到下一个。
已经显影多层成像元件以阻挡来自导电层的正电荷(空穴)注入，它可引起CDS。例如，聚硅烷阻挡层用于分隔成像元件的导电层与生电层。
发明内容
例示实施方案的各方面涉及成像元件和形成成像元件的方法。在一方面，成像元件包括导电层、正电荷阻挡层、成像层和中间涂层。中间涂层在成像层和导电层中间涂层。中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料。粒状材料负载在其上的阻电材料。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中成膜聚合物包括热塑性聚氨酯。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中中间涂层的厚度为约0.1微米-约10微米。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中粒状材料包括选自如下的无机材料：二氧化硅、氧化物、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硅酸盐、金属盐、金属硫酸盐、金属亚硫酸盐及其组合。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中粒状材料的平均粒度小于约500nm。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中粒状材料的平均粒子分布小于约90nm。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中至少约90％粒状材料在约2nm-约90nm范围内。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中阻电材料包括N-官能硅烷、N-官能钛酸盐和N-官能锆酸盐的至少一种。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中阻电材料包括N-官能硅烷。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中阻电材料选自(γ-氨基丙基)三乙氧基硅烷、(γ-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(γ-氨基丁基)甲基二乙氧基硅烷、(γ-氨基丙基)甲基二甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基丙二胺、水解的三甲氧基甲硅烷基丙基乙二胺及其组合。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中负载阻电材料的粒状材料包括约10-约90wt％分散体，基于中间涂层的总重量。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中输电层包括输电组分，该输电组分包括芳基胺。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中输电组分包括N，N′-二苯基-N，N′-双[3-甲基苯基]-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中中间涂层的阻电材料是与没有对比形成中间涂层的成像元件相比降低电荷缺陷点的材料。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中成像层包括输电组分和光生材料。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中中间涂层接触阻挡层和成像层。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，进一步包括在成像层和正电荷阻挡层中间的粘合界面层，中间涂层接触粘合界面层。
在实施方案中，本公开内容也提供上述成像元件，其中正电荷阻挡层包括与在粒状材料上负载的阻电材料相同的阻电材料。
附图说明
图1是根据第一实施方案的例示成像元件的示意横截面图；
图2显示根据第三实施方案的例示成像元件的放大横截面图；和
图3是根据第二实施方案的例示成像元件的示意横截面图。
具体实施方式
在此公开的例示实施方案的各方面涉及成像元件，涉及成像元件的形成方法，和涉及这种成像元件的使用方法。尽管在此公开的实施方案可采用柔性带构型和刚性转鼓形式应用于电子照相成像元件，为简化的原因，以下的讨论集中于柔性带设计的电子照相成像元件。
在此处公开的例示实施方案的各方面提供了带负电的成像元件，该元件包括电荷(或空穴)阻挡层与光生(生电)层和包括在其上布置的输电层的成像层。中间涂层间隔生电层和电荷(或空穴)阻挡层。
在此处公开的各方面，中间涂层包括抑制输电组分从输电层扩散或迁移到阻挡层的材料，例如在用于形成输电层的涂料溶液的沉积期间。
在进一步的实施方案中，中间涂层包括成膜聚合物，其中用于形成输电层溶液的溶剂是不溶的。
在另一方面，中间涂层包括在成膜聚合物中分散的粒状载体材料。粒状材料的表面负载涂料形式的正电荷阻挡材料。正电荷阻挡材料可包括硅烷，如N-官能硅烷。一种这样的N-官能硅烷是3-氨基丙基三乙氧基硅烷，它能够阻挡从导电接地平面层投影的正电荷注入。
输电层可包括成膜聚合物基料和分子分散或溶解于其中的输电组分，如输空穴分子以形成固体溶液。
不受任何特定理论的约束，提出在带负电的感光体上形成的图像中局部暗衰减的一个来源是正电荷(空穴)从感光体衬底的注入。输电分子，如N，N′-二苯基-N，N′-双[3-甲基苯基]-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺可通过增加从感光体衬底的导电接地平面层的电荷注入增强局部暗衰减。通常，应理解为，由于输电分子是空穴传导物质，所以输电分子对衬底的接近影响电荷注入。在感光体的生电层和/或粘合层对输电分子是溶解性的情况下，这些相对小的分子可在形成输电层的涂料溶液的施加期间通过生电层和/或粘合层扩散。扩散分子可达到接地平面层和促进电子照相成像工艺期间的正电荷注入。
提出从接地平面层的正电荷注入也可在阻挡层中的整个缺陷中出现。阻挡层通常是相对薄的层，厚度仅几纳米。因此，如果接地平面层自身包括超过阻挡层厚度的峰形投影，这些投影的尖端可能不完全由阻挡层覆盖并暴露。此外，在柔性MYLARTM衬底网原料上形成的感光体中，甚至在其上沉积纳米-厚度薄金属接地平面层之后MYLAR可保留为高投影点。在转鼓感光体中，特别地由车床加工完成的那些或机械挤出的那些中，可发生相似形式的电荷注入。
例示中间涂层可抵抗各种方式的电荷缺陷点的形成。首先，通过由成膜聚合物形成中间涂层，其中用于形成输电层溶液的溶剂是不溶性的，降低或抑制空穴传导输电分子向下面衬底的扩散。其次，通过在中间涂层的整个聚合物基体中以细分散形式(和因此形成大表面积)引入正电荷阻挡材料(如作为包覆粒子)，可以降低电荷从接地平面层的注入。这两种有益的效果可以由公开的中间涂层提供并可有益于CDS的降低。
因此通过降低输电分子的迁移以及通过阻挡接地平面峰形投影的覆盖可降低CDS，包括在白背景上作为微黑点出现但在暗背景上作为微白点出现的那些点。
成像，特别是静电复印成像和印刷，包括数字印刷的方法也包括在本公开内容中。更具体地，本实施方案的层状光电导成像元件可以选择用于许多不同的已知成像和印刷工艺，该工艺包括例如电子照相成像工艺，特别是静电复印成像和印刷工艺，其中采用适当电荷极性的调色剂组合物使带电潜像成为可见。此外，公开的成像元件用于彩色静电复印应用，特别是高速彩色复印和印刷工艺，并且该元件在实施方案中在例如约500-约900纳米，和特别地约650-约850纳米的波长范围中敏感，因此二极管激光器可以选择作为光源。
柔性带构型的多层电子照相成像元件的例示实施方案举例说明于图1中。例示成像元件包括载体衬底10，衬底10具有任选的导电表面层12(在此它可称为接地平面层)、空穴层阻挡14、任选的粘合界面层16、中间涂层18、包括生电层22和输电层24的成像层20及任选的一个或多个外涂层和/或保持层26。尽管将参考两个单独的层描述成像层20，但应认识到，这些层的功能组分可以另外结合成单一层，如以下讨论的那样。
举例说明的输电层24的下表面与生电层22的上表面直接接触并且层24的上表面可以是成像元件的最外暴露表面，如果不采用外涂层26，或在使用外涂层26或层的情况下，层24的上表面与外涂层直接接触。成像元件的其它层可以包括例如任选的接地条层28，该层28施加到成像元件的一个边缘以促进与导电层12通过空穴阻挡层14的电连续性。防卷曲背涂层30可以在载体衬底10的背侧上形成。导电接地平面12典型地是薄金属层，例如10纳米厚钛涂层，由真空沉积或溅射工艺沉积在衬底10上。层14、16、18、22、24和26可以作为包括溶剂的溶液单独和按顺序沉积到衬底10的导电接地平面12的表面上，在下一个沉积之前干燥每个层。
衬底
感光体载体衬底10可以是不透明或基本透明的，并可包括具有所需机械性能的任何合适的有机或无机材料。整个衬底可包括与导电表面中相同的材料，或导电表面可以仅是衬底上的涂层。可以采用任何合适的导电材料。
导电层
导电接地平面层12的厚度可根据电子照相成像元件所需的光学透明度和柔韧性变化。当需要感光体柔性带时，在载体衬底10上的导电层12，例如由溅射沉积工艺生产的钛和/或锆导电层的厚度典型地为约2纳米-约75纳米，以能够实现用于合适背删除的适当光透射，并且在实施方案中约10纳米-约20纳米用于导电性、柔韧性和光透射的最优组合。导电层12可以是例如在衬底上由任何合适的涂覆技术，如真空沉积或溅射技术形成的导电金属层。适于用作导电层12的典型金属包括铝、锆、铌、钽、钒、铪、钛、镍、不锈钢、铬、钨、钼、其组合等。在整个衬底是导电金属的情况下，其外表面可起导电层的功能并可以省略单独的导电层。
将按照包括绝缘材料的衬底层10描述举例说明的实施方案，该绝缘材料包括无机或有机聚合物材料如MYLAR，在衬底层10上带有包括导电材料如钛或钛/锆涂层的接地平面层12。
空穴阻挡层
然后可以将空穴阻挡层14施加到衬底10或施加到如果存在的层12上。可以采用能够形成从相邻导电层12进入光电导或光生层的空穴注入的有效阻挡的任何合适的正电荷(空穴)阻挡层。
阻挡层14可以是连续或基本连续的并且厚度可小于约10微米，这是由于更大的厚度可导致不希望的高残余电压。在例示实施方案的各方面，约0.005微米-约2微米的阻挡层促进在曝光步骤之后的电荷中和并且达到最优的电性能。阻挡层可以由任何合适的常规技术，如喷涂、浸涂、拉伸棒涂、凹版印刷涂覆、丝网印刷、空气刀涂、反辊涂覆、真空沉积、热处理等施加。为便于获得薄层，阻挡层可以采用稀溶液的形式施加，在涂层沉积之后由常规技术，如真空、加热等除去溶剂。通常，约0.05∶100-约5∶100的阻挡层材料和溶剂的重量比对于喷涂是令人满意的。
粘合界面层/中间涂层
可以将中间涂层18直接施加到阻挡层14，并且通常与其邻近。中间涂层18可用作粘合界面层以将阻挡层14固定到生电层22。或者或另外，单独的粘合界面层16可以在中间涂层18和阻挡层14中间和/或在中间涂层18和生电层22中间提供。在图1中举例说明的实施方案中，界面层16位于阻挡层和中间涂层18中间。界面层可包括共聚酯树脂。
中间涂层18可包括成膜聚合物，其中阻电材料40在层基体中精细分散，如在图2中所说明的那样(不按比例)。特别地，将例如厚度不大于几个分子、作为薄包覆的阻电材料负载在细分粒状材料的表面上，它在整个中间涂层中分散。粒状材料包括粒子42，它的平均直径或尺寸(D(50))为至多约500纳米，和因此可以在此称为纳米粒子。应当注意到(D(50))表示50％的粒子小于所述直径和50％的粒子具有更大的直径。在各个方面，纳米粒子的平均尺寸小于约200纳米，例如小于约100纳米，和在具体的实施方案中，平均直径小于约60纳米。对于实际目的，粒子42的平均尺寸为至少约2纳米和在具体的实施方案中，至少约20纳米，如20-60纳米。在例示实施方案的各方面，中间涂层中至少90％的粒子的直径小于200纳米。在各个方面，纳米粒子的粒度分布不大于90纳米。在一方面，中间涂层中至少约90％的粒子为约2纳米-约90纳米。
通常，更小的纳米粒子尺寸导致高表面积，在其上阻电材料40可以作为涂层被携带。阻电材料可包覆粒子或可仅部分覆盖粒子。粒子的形状可以是球形或不规则的或具有任何其它合适的形状。粒子可以通常在聚合物中均匀分散以提供在中间涂层18整个基体中通常均匀的分布，如图2中所示，或可以在中间涂层18的一部分中，例如在最接近阻挡层14邻近中间涂层表面的区域中具有更高的浓度。
粒状材料42可以是无机或有机材料。例示无机材料包括氧化物，如金属氧化物和硅酸盐及盐。例示氧化物包括合成无定形二氧化硅如煅烧的二氧化硅、沉淀的二氧化硅、热解二氧化硅和硅胶，如气凝胶和水凝胶，以及结晶二氧化硅。
特别地，可以使用直径为约2纳米-约90纳米的中性或疏水性无定形二氧化硅。二氧化硅粒子42的表面可以是平滑的以防止在分散体制备工艺期间产生空气气泡。
阻电材料40通常是用于阻挡或至少降低从衬底的正电荷注入和/或阻挡或降低正电荷从接地平面层12的峰形投影的迁移的材料。如在图2中示意性显示，如果导电层12的峰46通过阻挡层14延伸入中间涂层18，则在紧邻涂覆粒子42上的阻挡材料40抑制或停止通过峰4将空穴注入层18。阻电材料40可以采用足够的数量存在以与相似地制备但没有中间涂层的感光体相比，降低引入中间涂层的感光体中电荷缺陷点的平均数目。
例如，将阻电材料40在粒子42的表面上施加为薄包覆层。阻挡材料层40的厚度可以为一到十个分子。例如，它可以作为单分子或三分子层涂层存在，该涂层部分或完全覆盖每个粒子表面。在各个方面，阻挡材料涂覆的粒子可以在中间涂层18的基体中以约10-约90wt％的分散浓度存在，基于干燥中间涂层的总重量。在一个实施方案中，阻挡材料包覆粒子的分散体在中间涂层中以至少约20wt％的浓度和在另一个实施方案中以至少约40wt％的浓度存在。
负载的阻电材料可以由如下方式形成：结合粒状材料与阻电材料，任选地结合合适的溶剂，以采用阻电材料涂覆粒子。
用于中间涂层的热塑性成膜聚氨酯树脂是一种树脂，该树脂是成膜聚合物且容易溶于选择的有机溶剂或溶剂混合物以形成涂料溶液，但其总体上不溶于用于输电层涂料溶液的溶剂。
任何合适和常规的技术可用于混合热塑性聚氨酯树脂与选择的溶剂或溶剂混合物和涂覆粒子以形成中间涂层涂料溶液并在其后施涂溶液为涂层。通常，首先将聚氨酯树脂溶于溶剂和将涂覆的粒子加入溶液。典型的涂料施涂技术包括例如喷涂、浸涂、辊涂、绕丝棒涂等。沉积的涂料的干燥可以由任何合适的常规技术如烘箱干燥、红外线辐射干燥、空气干燥等进行。通常，热塑性聚氨酯中间涂层18在干燥之后的厚度通常小于约20微米且可以为约0.1微米-约10微米，但也可以使用在此范围以外的厚度。约0.3微米-约5微米的干燥厚度通常是合适的。
生电层
其后可以将光生(生电)层22施加到中间涂层18。可以采用包括光生/光电导材料的任何合适的生电基料层22，它可以为粒子形式的并分散在成膜基料，如非活性树脂中。
当干燥时包含光生材料和树脂基料材料的光生层22的厚度通常为约0.1微米-约5微米，例如约0.3微米-约3微米。光生层厚度通常与基料含量有关。较高基料含量的组合物通常采用较厚的光生层。
输电层
输电层24其后被施加在生电层22上并可包括能够支撑光生空穴或电子从生电层22注入和能够允许这些空穴/电子通过输电层传输以选择性地使成像元件表面上的表面电荷放电的任何合适透明有机聚合物或非聚合物材料。在一个实施方案中，输电层24不仅仅用于传输空穴，而且保护生电层22免受磨损或化学侵袭并可因此延长成像元件的服务寿命。输电层24可以是基本非光电导的材料，但支持光生空穴从生电层22注入。在一个实施方案中，输电层没有或基本没有光生材料(例如层24在生电层22中包含小于1％浓度的光生材料，并且在一个实施方案中，小于其0.1％)。当在其间进行曝光以保证大多数入射辐射被下面的生电层22利用时，层24通常在要使用电子照相成像元件的波长范围中是透明的。当曝光于用于静电复印的光波长，如400-900纳米时，输电层应当显示优异的光学透明度与可忽略的光吸收且既没有电荷产生也没有放电(如果存在的话)。在当使用透明衬底10以及透明导电层12制备感光体时的情况下，成像曝光或删除可以通过衬底10使所有光经过衬底背侧而完成。在此情况下，如果生电层22夹在衬底和输电层24之间，则层24的材料不需要在使用波长范围内透射光。与生电层22结合的输电层24是绝缘体，达到在照明不存在下不传导在输电层上放置的静电荷的程度。当可能通过它的情况下，输电层24应当捕集最小的电荷。
输电层24可包括任何合适的输电组分或活化化合物，该输电组分或活化化合物用作在非电活性聚合物材料中分子分散的添加剂以形成固体溶液并由此使此材料为电活性的。可以将输电组分加入成膜聚合物材料，该材料不能另外支持光生空穴从产生材料注入和不能允许这些空穴从中传输。这将非电活性聚合物材料转化成能够支持光生空穴从生电层22注入和能够允许这些空穴通过输电层24传输的材料，以在输电层上放出表面电荷。输电组分典型地包括有机化合物的小分子，这些分子合作以在分子之间传输电荷和最终传输到输电层的表面。
溶于二氯甲烷、氯苯或其它合适溶剂的任何合适非活性树脂基料可用于输电层。
输电层24是绝缘体，达到在照明不存在下以足以防止静电潜像在其上形成和保留的速率不传导在输电层上放置的静电荷的程度。通常，输电层24与生电层22的厚度比保持为约2∶1-约200∶1，并且在一些情况下高达约400∶1。
另外的方面涉及在输电层24中包含变化数量的抗氧剂，如受阻酚。
输电层24的厚度可以为约5微米-约200微米，如约15微米-约40微米。输电层可包括双层或多个层。
可以将包括例如在成膜基料中分散的导电粒子的其它层如常规接地条层28施加到成像元件的一个边缘以促进与导电层12通过空穴阻挡层14和中间涂层18的电连续性。接地条层28可包括任何合适的成膜聚合物基料和导电粒子。任选地，外涂层26如需要也可用于提供成像元件表面保护以及改进耐磨性。
外涂层
另外的方面涉及在输电层中包括或涉及作为分散体的纳米粒子外涂层26，如二氧化硅、金属氧化物、AcumistTM(蜡状聚乙烯粒子)、PTFE等。纳米粒子可用于增强输电层24的润滑性和耐磨性。在传输层24顶部附近集中的粒子分散体可以是输电层24重量的至多约10wt％或厚度的十分之一以提供最优耐磨性而不引起对制造的成像元件的电性能的不利影响。在采用外涂层26的情况下，它可包括用于输电层的相似树脂或不同树脂并且厚度是约1-约2微米。
由于与衬底载体10的相比输电层24可具有显著的热收缩不匹配，所以在施加的湿输电层涂料的加热/干燥工艺之后当成像元件冷却到室环境温度时，制备的柔性电子照相成像元件可能由于在输电层24中比衬底载体10中得到更大的尺寸收缩而显示自发的向上卷曲。可以将防卷曲背涂层30施加到衬底载体10的背侧(它是与带有电活性涂料层的侧面的相对侧面)以达到平直度。
防卷曲背涂层
防卷曲背涂层30可包括任何合适的有机或无机成膜聚合物，该聚合物是电绝缘的或轻微半传导的。在成像元件制造层涂覆和干燥工艺期间采用的温度范围(典型地约20℃-约130℃)内，使用的防卷曲背涂层30的热收缩系数值显著大于用于成像元件的衬底载体10的值。防卷曲背涂层30可以为约7-约20wt％，基于成像元件的总重量，它可对应于约7-约20微米的干燥涂料厚度。选择的防卷曲背涂层容易由通过在任何方便的有机溶剂中溶解合适的成膜聚合物而进行施涂。
此外，如需要，用于防卷曲背涂层30的合适成膜热塑性聚合物可包括与用于输电层24的相同的基料聚合物。防卷曲背涂料配制剂可包括少量饱和的共聚酯粘合促进剂以增强它对衬底载体的粘合强度。
在一个实施方案中，防卷曲背涂层30是光学透明的。术语光透明的在此定义为防卷曲背涂层通过涂层透射至少约98％入射光能量的能力。此实施方案的防卷曲背涂层包括成膜热塑性聚合物并且玻璃化转变温度(Tg)值为至少约75℃，热收缩系数值比衬底载体的热收缩系数值大至少约1.5倍，扬氏模量为至少约2×105p.s.i.，并且在载体衬底上粘附得好。
可以将具有根据在此所述的实施方案制造的中间涂层的多层柔性电子照相成像元件网原料切割成矩形片。然后将每个切割片在其末端重叠并通过任何合适的方法如超声焊接、胶接、带接、钉接或压力和热熔凝结合以形成连续成像元件缝合带、套筒或圆筒体。
作为分离的输电层22和生电层24的替代，可以采用单一成像层20，如图3所示，感光体的其它层如上所述形成。成像层20可包括能够在黑暗中在带静电荷、成像曝光和图像显影期间保持静电荷的单一电子照相活性层。单一成像层20可以包括基料中的输电分子，类似于层24的那些并且任选地也可包括光生/光电导材料，类似于上述层22的那些。
其后制备的柔性成像带可用于任何合适和常规的电子照相成像工艺，该工艺在成像曝光之前利用均匀充带电以活化电磁辐射。当将电子照相元件的成像表面采用静电荷均匀充电和对活化电磁辐射成像曝光时，常规正或反显影技术可用于在电子照相成像元件的成像表面上形成标记材料图像。因此，通过施加合适的电偏压和选择具有适当电荷极性的调色剂，在电子照相成像元件的成像表面上的充电区域或放电区域中形成调色剂图像。例如，对于正显影，充电的调色剂粒子被吸引到成像表面的带相反电荷的静电区域，而对于反显影，充电的调色剂粒子被吸引到成像表面的放电区域。
实施例
实施例1(对比)
电子照相成像元件由如下方式制备：在双轴取向的聚萘二甲酸乙二醇酯衬底(KADALEX，自Dupont Teijin Films)的衬底上提供0.02微米厚钛层。厚度为3.5密耳(89微米)。将钛化KADALEX衬底采用阻挡层溶液挤出涂覆，该溶液包括6.5克γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、39.4克蒸馏水、2.08克乙酸、752.2克200防变性酒精和200克庚烷的混合物。然后允许此湿涂料层在135℃在强制空气烘箱中干燥5分钟以从涂料中除去溶剂并进行交联硅烷阻挡层的形成。获得的阻挡层的平均干燥厚度为0.04微米，如采用椭率计测量的那样。
然后将粘合界面层采用涂料溶液由挤出涂覆施加到阻挡层，该涂料溶液在8∶1∶1重量比的四氢呋喃/单氯苯/二氯甲烷溶剂混合物中包含基于溶液总重量0.16wt％的ARDEL聚丙烯酸酯，该聚丙烯酸酯的重均分子量为约54,000，购自Toyota Hsushu，Inc.。允许粘合界面层在125℃下在强制空气烘箱中干燥1分钟。获得的粘合界面层的干燥厚度为约0.02微米。
其后将粘合界面层采用生电层涂覆在其上。生电层分散体由如下方式制备：向100毫升玻璃瓶中加入0.45克IUPILON 200，购自Mitsubishi Gas Chemical Corporation的聚(4，4′-二苯基)-1，1′-环己烷碳酸酯的聚碳酸酯(PC-z 200)，和50毫升四氢呋喃。将2.4克羟基镓酞菁V型和300克1/8英寸(3.2毫米)直径不锈钢弹加入溶液。然后将该混合物放置在球磨机上约20-约24小时。随后，将2.25克重均分子量为20,000的聚(4，4′-二苯基-1，1′-环己烷碳酸酯)(PC-z 200)溶于46.1克四氢呋喃，然后加入到羟基镓酞菁淤浆中。然后将此淤浆放置在震动器上10分钟。然后将获得的淤浆由挤出施涂工艺涂覆到粘合界面层上以形成湿厚度为0.25密耳(6.4×10-4mm)的层。然而，通过生电层故意地留下沿带有阻挡层和粘合层的衬底网原料一个边缘的约10毫米宽的条未涂覆，以促进由以后施加的接地条层的适当电接触。将包括聚(4，4′-二苯基)-1，1′-环己烷碳酸酯、四氢呋喃和羟基镓酞菁的生电层在125℃下在强制空气烘箱中干燥2分钟以形成厚度为0.4微米的干燥生电层。
将这样形成的涂覆的网原料采用输电层和接地条层由涂料材料的共挤出在其上同时涂覆。输电层由如下方式制备：向琥珀色玻璃瓶中以1∶1(或每个50wt％)的重量比引入MAKROLON 5705(双酚A聚碳酸酯热塑性塑料，分子量为约120,000，购自FarbensabrickenBayer A.G.)和N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(输电化合物)。
将获得的混合物溶解以得到在二氯甲烷中的15wt％固体。通过挤出将此溶液施加在生电层上以形成涂层，该涂层在强制空气烘箱中干燥时得到29微米厚的输电层。
将由生电层留下未涂覆的粘合层的10毫米宽条采用接地条层在共挤出工艺期间涂覆。通过在小口玻璃瓶容器中结合23.81克聚碳酸酯树脂(MAKROLON 5705，总固体重量的7.87％，购自Bayer A.G.)和332克二氯甲烷制备接地条层涂料混合物。将容器紧密覆盖并放置在辊炼机上约24小时直到聚碳酸酯溶于二氯甲烷。借助于高剪切叶片将获得的溶液与9.41重量份石墨、2.87重量份乙基纤维素和87.7重量份溶剂(Acheson Graphite分散体RW22790，购自AchesonColloids Company)的约93.89克石墨分散体(12.3wt％固体)混合15-30分钟分散在水冷却的带夹套容器中以防止分散体过热和损失溶剂。然后将获得的分散体过滤和借助于二氯甲烷调节粘度。然后将此接地条层涂料混合物通过与输电层共挤出施加到电子照相成像元件网上以形成干燥厚度为约19微米的导电接地条层。
然后使包含所有以上层的成像元件网原料通过125℃的强制空气烘箱3分钟以同时干燥输电层和接地条两者。
防卷曲涂料由如下方式制备：在小口玻璃瓶容器中结合88.2克聚碳酸酯树脂(MAKROLON 5705)、7.12克VITEL PE-200共聚酯(购自Goodyear Tire and Rubber Company)和1,071克二氯甲烷以形成包含8.9％固体的涂料溶液。将容器紧密覆盖并放置在辊炼机上约24小时直到聚碳酸酯和聚酯溶于二氯甲烷以形成防卷曲背涂层溶液。然后将防卷曲背涂层溶液通过挤出涂覆施加到电子照相成像元件网的后表面(与生电层和输电层相对的侧面)并在强制空气烘箱中干燥到125℃的最高温度3分钟以生产厚度为17微米的干燥涂料层和变平的成像元件。
实施例2
根据例示实施方案使用与实施例1所述相同的材料和过程制备电子照相成像元件，区别在于制备中间涂层并将其插入到生电层和粘合界面层之间以得到如图1所示的材料构型，但没有外涂层。
通过在四氢呋喃中溶解成膜聚醚热塑性聚氨酯，EllastollanTM1180A(购自BASF Corporation)制备中间涂层。使用高剪切混合机将煅烧的二氧化硅(CEP10AA9810，购自Cabot Corporation)的γ-氨基丙基三甲氧基硅烷(3-APS)包覆的纳米粒子分散在此溶液中以得到中间涂层涂料溶液。在将涂料溶液施涂到粘合界面层上并在120℃下干燥之后，获得的干燥内涂覆的热塑性聚氨酯中间涂层的厚度是大约0.3微米并包括约60wt％分散体中的涂覆粒子，基于层的总干燥重量。干燥的中间涂层完全不溶于用于输电层涂料溶液的二氯甲烷，以停止输电分子的扩散。
实施例3电荷缺陷点的评价
首先评价实施例1和2的电子照相成像元件的总体光-电学性能。采用常规鼓形扫描器进行测量，其中使成像元件充电到用于成像机的典型电压并通过已知数量的光放电。测试结果证明了电荷接受性、感光性、暗衰减、背景和残余电压，并且电循环稳定性基本不受将公开的中间涂层加入到成像元件的影响。
然后使用高场诱导暗衰减(HiFIDD)测量技术根据在美国专利5,697,024中描述的过程进一步测试实施例1和2成像元件产生电荷缺陷点(CDS)的倾向，该文献在此引入作为参考。简单地，将实施例1的成像元件样品采用约100埃厚和1cm直径的金导电半透明电极涂覆。将连续增加的电压脉冲在这些电极施加100毫秒并在每个场下测量暗衰减中的增量差。测量在施加的最高场下的数值(HiFIDD)。采用相似的方式，将实施例2的成像元件的样品片采用接触电极涂覆并测量HiFIDD。对具有中间涂层的实施例2的成像元件样品获得的测量数值是250伏，该中间涂层包括3-APS包覆的纳米二氧化硅粒子分散体，而实施例1的成像元件(对比例)的测量数值是524伏。与没有中间涂层形成的对比成像元件相比，实施例2的成像元件的FIDD数(它主要代表作为CDS点的局部暗衰减)非常低。数据证明了根据例示实施方案形成的中间涂层抑制和最小化复印产品中CDS印刷物缺陷的显现的效力。

Claims (10)

1.一种成像元件，包括：
导电层；
在导电层上的正电荷阻挡层，其厚度小于10微米；
在正电荷阻挡层上的粘合界面层；
在粘合界面层上的中间涂层，该中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料，该粒状材料在其上负载阻电材料，其中阻电材料包括N-官能硅烷、N-官能钛酸盐和N-官能锆酸盐的至少一种，并且中间涂层的厚度为0.1微米-10微米；和
在中间涂层上的成像层。
2.权利要求1的成像元件，其中成像层包括生电层和输电层的至少一个。
3.权利要求2的成像元件，其中中间涂层在生电层和阻挡层中间。
4.权利要求2的成像元件，其中生电层包括光生材料和其中输电层基本没有光生材料。
5.权利要求1的成像元件，其中阻电材料选自(γ-氨基丙基)三乙氧基硅烷、(γ-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(γ-氨基丁基)甲基二乙氧基硅烷、(γ-氨基丙基)甲基二甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基丙二胺、水解的三甲氧基甲硅烷基丙基乙二胺及其组合。
6.一种静电复印印刷系统，包括权利要求1的成像元件。
7.一种成像元件，包括：
任选的衬底；
阻电层，其厚度小于10微米；
在阻电层上的粘合界面层；
在粘合界面层上的中间涂层，该中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的在其上负载阻电材料的粒状材料，其中阻电材料包括N-官能硅烷、N-官能钛酸盐和N-官能锆酸盐的至少一种；
在中间涂层上的生电层；和
在生电层上的输电层；
其中所述成膜聚合物不溶于用于输电层的溶剂。
8.一种形成成像元件的方法，包括：
在导电层上形成厚度小于10微米的阻挡层；
在阻挡层上形成粘合界面层；
在粘合界面层上形成中间涂层，该中间涂层包括成膜聚合物和分散在其中的粒状材料，该粒状材料在其上负载阻电材料，其中阻电材料包括N-官能硅烷、N-官能钛酸盐和N-官能锆酸盐的至少一种；和
在中间涂层上形成成像层，该成像层包括在成膜基料中的输电组分。
9.权利要求8的方法，其中成像层包括输电层，并且其中输电层由用于形成输电层的涂料溶液沉积形成，中间涂层的成膜聚合物不溶于用于形成输电层溶液的溶剂。
10.权利要求8的方法，其中成像层包括生电层，该方法进一步包括：
在中间涂层上形成生电层。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007070673A1 (en) * 2005-12-15 2007-06-21 Cabot Corporation Transparent polymer composites
US7470974B2 (en) * 2006-07-14 2008-12-30 Cabot Corporation Substantially transparent material for use with light-emitting device
EP2143144B1 (en) * 2007-04-27 2018-11-28 Merck Patent GmbH Organic photovoltaic cells
JP5387298B2 (ja) * 2008-10-22 2014-01-15 コニカミノルタ株式会社 有機感光体、画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP5523803B2 (ja) * 2009-11-27 2014-06-18 富士フイルム株式会社 放射線センサおよび放射線画像撮影装置
US8399164B2 (en) * 2010-04-28 2013-03-19 Xerox Corporation Dendritic polyester polyol photoconductors
US20120292599A1 (en) * 2011-05-18 2012-11-22 Xerox Corporation Charge transport molecule gradient
CN108318551B (zh) * 2017-12-29 2019-06-11 北京科技大学 一种铁铝尖晶石复合材料、铁铝尖晶石复合材料修饰玻碳电极及其制备方法和应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1412624A (zh) * 2001-10-09 2003-04-23 富士施乐株式会社 电子照相感光体及其制造方法、处理卡盒和电子照相装置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3121006A (en) 1957-06-26 1964-02-11 Xerox Corp Photo-active member for xerography
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
US3837851A (en) 1973-01-15 1974-09-24 Ibm Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5584943A (en) 1978-12-21 1980-06-26 Ricoh Co Ltd Laminated type electrophotographic photoreceptor
US4297426A (en) 1979-05-28 1981-10-27 Ricoh Co., Ltd. Electrophotographic element with carbazole hydrazone or anile charge transport compounds
US4291110A (en) 1979-06-11 1981-09-22 Xerox Corporation Siloxane hole trapping layer for overcoated photoreceptors
JPS5546725A (en) 1979-08-23 1980-04-02 Olympus Optical Co Ltd Aperture priority type ee camera
JPS5681850A (en) 1979-12-08 1981-07-04 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4385106A (en) 1980-02-28 1983-05-24 Ricoh Co., Ltd. Charge transfer layer with styryl hydrazones
US4286033A (en) 1980-03-05 1981-08-25 Xerox Corporation Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device
US4399208A (en) 1980-11-22 1983-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
US4338387A (en) 1981-03-02 1982-07-06 Xerox Corporation Overcoated photoreceptor containing inorganic electron trapping and hole trapping layers
US4399207A (en) 1981-07-31 1983-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member with hydrazone compound
US4587189A (en) 1985-05-24 1986-05-06 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with perylene pigment compositions
US4664995A (en) 1985-10-24 1987-05-12 Xerox Corporation Electrostatographic imaging members
US4988597A (en) 1989-12-29 1991-01-29 Xerox Corporation Conductive and blocking layers for electrophotographic imaging members
US5096795A (en) 1990-04-30 1992-03-17 Xerox Corporation Multilayered photoreceptor containing particulate materials
US5215839A (en) 1991-12-23 1993-06-01 Xerox Corporation Method and system for reducing surface reflections from an electrophotographic imaging member
US5244762A (en) 1992-01-03 1993-09-14 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member with blocking layer containing uncrosslinked chemically modified copolymer
US5378566A (en) * 1992-11-02 1995-01-03 Xerox Corporation Structurally simplified electrophotographic imaging member
US5571649A (en) 1996-01-11 1996-11-05 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member with improved underlayer
US5576130A (en) 1996-01-11 1996-11-19 Xerox Corporation Photoreceptor which resists charge deficient spots
US5643702A (en) 1996-01-11 1997-07-01 Xerox Corporation Multilayered electrophotograpic imaging member with vapor deposited generator layer and improved adhesive layer
US5591554A (en) 1996-01-11 1997-01-07 Xerox Corporation Multilayered photoreceptor with adhesive and intermediate layers
US5697024A (en) 1996-01-11 1997-12-09 Xerox Corporation Differential increase in dark decay comparison
US5703487A (en) 1996-01-11 1997-12-30 Xerox Corporation Detection of charge deficient spot susceptibility
DE19603901A1 (de) 1996-02-03 1997-08-07 Krupp Uhde Gmbh Verfahren zur Gewinnung von Reinaromaten aus Reformatbenzin und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5756245A (en) 1997-06-05 1998-05-26 Xerox Corporation Photoconductive imaging members
US6119536A (en) 1997-10-30 2000-09-19 Xerox Corporation Constant distance contactless device
US6008653A (en) 1997-10-30 1999-12-28 Xerox Corporation Contactless system for detecting microdefects on electrostatographic members
US6150824A (en) 1997-10-30 2000-11-21 Xerox Corporation Contactless system for detecting subtle surface potential charge patterns
US6071661A (en) * 1999-06-29 2000-06-06 Xerox Corporation Imaging member containing branched polycarbonate
US6117603A (en) 1999-07-28 2000-09-12 Xerox Corporation Electrostatographic imaging member having an improved imaging layer
US6214514B1 (en) 1999-09-29 2001-04-10 Xerox Corporation Process for fabricating electrophotographic imaging member
US6294300B1 (en) 2000-01-19 2001-09-25 Xerox Corporation Charge generation layer for electrophotographic imaging member and a process for making thereof
US6255027B1 (en) 2000-05-22 2001-07-03 Xerox Corporation Blocking layer with light scattering particles having coated core
US6326111B1 (en) 2000-11-15 2001-12-04 Xerox Corporation Stable charge transport layer dispersion containing polytetrafluoroethylene particles and hydrophobic silica
JP4064229B2 (ja) * 2002-12-20 2008-03-19 シャープ株式会社 電子写真感光体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1412624A (zh) * 2001-10-09 2003-04-23 富士施乐株式会社 电子照相感光体及其制造方法、处理卡盒和电子照相装置

Also Published As

Publication number Publication date
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BRPI0602344A (pt) 2007-02-21

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