CN1883859A - 加工氮化物半导体晶体的方法 - Google Patents

Abstract

在加工晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述氮化物半导体晶体(1)和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。

Description

加工氮化物半导体晶体的方法

技术领域

本发明涉及加工半导体晶体的方法，更具体地，涉及加工氮化物半导体晶体的方法。

背景技术

通常，将切割工具如内径刀片或线锯用来从硅等的半导体晶锭上切下衬底。GaAs、InP等的化合物半导体晶锭也是用多线锯切割，如例如日本专利公开号09-017755所述。

在化合物半导体之中，GaN等氮化物半导体晶体具有宽的能带隙，因此作为适合于能够发出短波光的LED(发光二极管)或LD(激光器二极管)的半导体，对其需求日益增加。因此，期望在较低成本下，以简单和有效的方式加工氮化物半导体的生长晶锭。

然而，由于化合物半导体之中的GaN等氮化物半导体晶体具有高硬度和低韧性，难以通过与用于Si晶体或GaAs晶体的那些相同的装置和方法来切割这样的氮化物晶体，经常出现问题如通过切割形成的表面(以下称为切割表面)之上的裂缝产生和波纹。特别地，由于GaN晶体具有低韧性，易于导致裂缝或断裂。另外，由于GaN晶体具有高硬度并且由两种元素组成，根据晶体中的硬度分布，由于切割导致的畸变易于发生。因此，为了高收益率地切割GaN晶锭，需要降低切割负载量，这可导致生产量的降低。

另外，在半导体晶锭的生长过程中，多晶部分(具有低结晶质量的部分)在半导体晶锭的周边区域生长。尽管该周边区域应当被除去，但是研磨氮化物半导体晶锭的周边易于导致裂缝。当晶锭较长时，也难以用空心钻加工长晶锭，导致工具的严重磨损。另外，由于这种加工需要磨粒和磨轮，它要求较高成本。特别地，残余应力在GaN晶锭的周边区域的多晶部分集中，因此如果在加工期间应力平衡丧失，由于晶体的低强度而自发地产生裂缝。另外，当将空心钻用来加工长晶锭时，工作流体难以渗透通过被加工的位置，由此使得难以提供令人满意的加工。

发明内容

鉴于上述现有技术的情形，本发明的一个目的是提供一种能够在低成本下，以简单而有效的方式加工氮化物半导体晶体的技术。

在按照本发明的加工氮化物半导体晶体的方法中，当加工氮化物半导体晶体时，将电压施加在所述晶体和工具电极之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。

可以使用金属丝电极作为工具电极来切割氮化物半导体晶体。优选地，金属丝电极由钨或钼制成。以这种方式，通过切割氮化物半导体晶体的晶锭，可以获得氮化物半导体晶体衬底。另外，在切割氮化物半导体晶体后，通过用所述金属丝电极再次扫过所述切割表面，可以将晶体的切割表面平滑化。另一方面，可以进一步蚀刻通过切割获得的氮化物半导体晶体衬底。另外，可以进一步抛光通过切割获得的氮化物半导体晶体衬底。

另外，当氮化物半导体晶锭的周边区域包括与晶锭内部区域相比具有低结晶质量的部分时，可以以与晶锭生长方向垂直的方向切割包括所述低结晶质量部分的晶锭。另外，可以去除氮化物半导体晶锭的生长表面之上的不均匀性，以获得具有不均匀性小于30μm的表面的晶锭。

使用按照本发明的切割方法，可以切割氮化物半导体晶锭，以便将其具有低结晶质量的周边部分与所述晶锭内部的良好晶体部分分离。更明确地，在所述氮化物半导体晶锭中形成通孔，然后将所述金属丝电极通过所述通孔，以使所述通孔成为切割起点，以便取出所述晶锭内部的良好晶体部分而不加工具有低结晶质量的周边部分。使用按照本发明的加工方法，也可以通过将所述金属丝电极的纵向方向从垂直于所述氮化物半导体晶体的所述表面的方向倾斜0-60°的角度来去除所述氮化物半导体晶体表面的末端的边缘。

另外，通过将所述工具电极的表面几何形状转移到所述晶体上可以形成所述氮化物半导体晶体上的所需的表面几何形状。另外，通过使用表面粗糙度Ry小于10μm和平直度小于20μm的所述工具电极，去除所述晶体表面上的不均匀性，以获得表面粗糙度Ry小于10μm和平直度小于20μm的平滑表面。

由本发明的下列结合附图的详细描述，本发明的上述和其它目的、特征、方面和优势将变得更加显而易见。

附图说明

图1是示意性的透视图，举例说明在本发明的一个实施方案中通过金属丝放电加工而从氮化物半导体晶锭上切下衬底的方法。

图2是示意性的结构图，举例说明金属丝放电加工机床的总体结构的一个实例。

图3是示意性的结构图，举例说明在应用放电加工以形成弯曲表面的情形中放电加工机床的总体结构的实例。

具体实施方式

如上所述，在生产半导体衬底的典型方法中，生长晶锭，然后通过研磨或使用空心钻去除其具有低结晶质量的周边部分。之后，切割晶锭以获得具有所需厚度的切片。将切片的切割表面抛光并蚀刻以变平，由此去除加工影响层，然后清洗切片以去除切割表面上的杂质。

对于Si、GaAs等，使用内径刀片或线锯切割其晶锭。然而，因为其高硬度和低韧性，氮化物半导体晶体易于导致裂缝，并且由于它含有两种元素成分，由于硬度分布，在其晶锭上难以进行线性切割。尽管在降低的切割负荷低速下进行切割以便抑制裂缝产生是有效的，然而它导致生产量的降低。另外，尽管对于线性切割，增加工具厚度以便保持工具强度也是有效的，但是它要求晶锭增加的切割余量，由此降低了获得的材料收益率。因此，使用常规的机械切割技术，对于氮化物半导体晶体难以同时获得令人满意的切割质量和生产量。

在这些情形下，作为发明人的研究结果已经首次发现可以通过放电加工同时获得对氮化物半导体晶体的令人满意的切割质量，更高的生产量和更低的成本。明确地，用线锯切割需要磨料，因为它是机械加工，因此它需要辅助材料的成本。相比之下，放电切割不需要磨料，因为通过在具有调节的电阻的水或油中施加电压产生的局部放电，将工件局部熔化。

图1是示意性的透视图，举例说明通过金属丝放电加工从氮化物半导体晶锭上切下衬底的方法。如图所示，将氮化物半导体晶锭1固定到支架2上并浸渍在冷却绝缘介质如去离子水或煤油中。然后，金属丝电极3接近晶锭1，将电压施加在金属丝电极3和晶锭1之间。结果，在金属丝电极3和晶锭1之间产生局部和微小的放电，然后切割随着通过放电产生的热局部去除晶锭材料而进行。

由于在放电加工过程中金属丝电极3的材料也被消耗，金属丝在放电部位变薄。因此，金属丝电极3在其纵向方向上以恒定的速度移动以便在放电加工过程中防止局部变薄和断裂。另外，金属丝3和晶锭1通过伺服控制相对移动，以便金属丝3随着切割进行而切入晶锭1中。

图2是示意性的结构图，举例说明金属丝这种放电加工机床的总体结构的一个实例。该图举例说明了其中较大工件进行金属丝放电加工的情形。将工件1a固定在可以分别在X-轴方向和Y-轴方向上驱动的十字工作台11a和11b上。将X-轴电动机12a连接于上工作台11a，并且将Y-轴电动机12b连接于下工作台11b。通过包括伺服电路的NC(数字控制)装置13控制X-轴电动机12a和Y-轴电动机12b。

预先在工件1a中形成通孔，将金属丝电极14通过通孔。具体地，金属线14由进给辊15a提供，运转通过上辊16a和上导向器17a，然后通过工件1a。之后，金属丝14运转通过下导向器17b和下辊16b，然后将其绕在卷取辊15b之上。

在放电加工期间，将装在工作流体槽18中的工作流体18a如去离子水通过泵19供应给加工部件。顺便提及，在工件具有能够被浸渍在工作流体槽中的尺寸的情形下，可以将整个工件浸渍在具有纯化工作流体的装置的工作流体槽中。通过将工作流体供应给加工部件，将来自放电电源20的电压施加在工件1a和金属丝14之间。将来自放电电源20的电压通过电力馈线17e施加给金属丝14。

因此，在工件1a和金属丝14之间产生局部和微小的放电，并且工件1a的切割进行。在这种情形下，分别通过十字工作台11a和11b，可以在在X方向和Y方向上自由移动工件1a，由此形成任意弯曲的切割线1b。为了保持稳定的放电加工，将金属丝14和工件1a之间的放电信息从放电电源20反馈给NC装置13，然后基于所述信息，NC装置13细微调节施加电压以及十字工作台11a和11b相对于金属丝14的相对移动速度。

顺便提及，虽然可以将一种金属丝电极用来在如图1中所示的典型放电金属丝切割机械中进行一种切割加工，但是通过提供起电机构给公知的多丝锯用于从晶锭上切下半导体衬底，也可以同时进行多种切割加工。

尽管具有较大直径的金属丝电极提供改善的切割速度并且能够进行线性切割，它要求增加的切割余量。在另一方面，金属丝电极应当由具有良好导电性和导热性的材料制成，并且该材料可以优选选自黄铜，镀锌铜等。对于需要具有高强度的金属丝电极，可以优选使用镀黄铜铁丝，钨丝，钼丝等。换句话说，优选使用在高温下具有高拉伸强度的金属丝，以便防止金属丝电极断裂。

另外，由于电极(金属丝)也在放电加工过程中部分熔化，构成电极的一种或多种元素粘附到通过该加工形成的表面。该粘附可以通过将高熔点金属如钨或钼用于电极而受到抑制。

氮化物半导体晶体的实例包括AlN、GaN、InN和它们的混合晶体。这些氮化物半导体晶体可以通过升华方法、HVPE(卤化物汽相外延)、熔化方法等生长。

在从氮化物半导体晶锭切下衬底之后，其切割表面的质量可以通过用金属丝在低负荷下再次扫过衬底的切割表面，而在平直度、表面粗糙度、加工影响层等方面得到改善。通过这些改善，可以减少在后续工序中抛光和蚀刻所需的余量，甚至可以省略抛光工序。当然可以在后续工序中进行蚀刻和抛光以便改善切割表面的表面粗糙度和去除加工影响层。可以重复用金属丝扫过切割表面多次，直至获得所需的表面质量。

当氮化物半导体晶体生长时，具有良好结晶质量的晶体生长可以在其中央区域看到，而在其周边区域可以存在低结晶质量的部分。由于残余应力集中在低结晶质量的部分，在去除具有低结晶质量的周边区域之后，常规进行切割工作。相反，在放电加工中施加在晶体上的机械负荷如此之小，以致于切割工作可以在将低结晶质量的部分留在周边区域的情况下进行。尽管在不去除具有低结晶质量的部分的情况下通过切割获得的晶体，可以进行表面抛光和蚀刻，但是它也可以在适当去除低结晶质量后，进行表面抛光和蚀刻。

另外，当氮化物半导体晶体生长时，它的生长表面有时导致水平差异约1mm的不均匀性。可以通过放电加工去除生长表面上的不均匀性来获得表面水平差异小于30μm的晶体。

进行放电切割的晶体材料不限于氮化物半导体晶体，并且任何导电晶体材料都可以通过放电切割的方式切割。本发明的方法也可以用于高速切割高硬度的材料如金刚石或SiC，抑制切割损失和加工影响层的生成。

通常，对于Si晶体或GaAs晶体的晶锭，通常通过研磨去除其周边。在这种情形下，在在其周边集中有残余应力的晶体如氮化物半导体晶锭中，当周边被研磨时断裂易于发生。为了解决该问题，可以通过空心钻将内部部分挖出，从而在加工期间保持周边应力集中部分的应力平衡。然而，当晶锭具有超过10mm的长度时，它变得难以提供工作流体给待加工的部分，使得难以在材料上进行加工。结果，产生诸如断裂发生和工具耗费的问题。

另一方面，在放电加工中，可以容易地提供工作流体(冷却流体)，因为可以存在金属丝电极通过其穿透待切割的晶体的孔。另外，由于可以使用廉价的金属丝电极和电源进行放电加工并且不需要磨粒和磨轮，可以简单地和廉价地加工晶体。

另外，可以将金属丝电极应用于从晶锭切下的衬底的周边，其被相对于衬底的主表面倾斜预定的角度，以去除或圆整周边的边缘。

图3是示意性的结构图，举例说明放电加工机床的总体结构的另一实例。尽管图3的放电加工机床类似于图2，图3举例说明了放电加工形成表面几何形状的情形。

在图3中，含有工作流体18a的工作流体槽18搁置在XY平台(stage)12c上。将工件1c浸渍在工作流体18a中。NC装置13a控制XY平台12c以及Z-轴驱动装置17c。将用于形成表面几何形状的工作电极14a(之后称为几何形状(geographic)工作电极)连接到Z-轴驱动装置17c的下端。

槽18中的工作流体18a通过工作流体纯化装置21循环。特别地，来自槽18的工作流体18a被贮存在工作流体纯化装置21的第一槽21a中，然后通过过滤装置21b转移到第二槽21c中。之后，纯化的工作流体18a从第二槽21c返回到工作流体槽18中。

将来自放电电源20a的电压施加在工作流体槽18中的工件1c和几何形状工作电极14a之间。然后，在工件1c和几何形状工作电极14a之间产生局部和微小的放电，然后工件1c之上的几何形状加工进行。在这种情形中，关于在工件1c和几何形状工作电极14a之间的放电的信息13b被反馈到NC装置13a，基于该信息可以精细调节工件1c和几何形状工作电极14a之间的距离以及施加电压。

在这种几何形状放电加工中，加工可以沿着任何弯曲表面进行。不用说使用平直的平面电极也可以进行平面加工。

第一实施例

在本发明的第一实施例中，在通过HVPE生长的直径50mm和厚度30mm的氮化镓晶体上进行放电切割。该晶体含有氧作为掺杂物，它具有4×10¹⁸cm^-3的载流子浓度和1×10^-2Ωcm的电阻。如图1所示，用导电粘合剂将晶体1固定于金属支架2上，将金属支架2夹到放电加工装置上。使用直径为0.1mm的钨的金属丝电极3(TWS-100，由Sumiden FineConductors制造)。在浸渍于绝缘水中的晶体上进行切割，所述水被调节而具有70000Ω的电阻。将金属丝以12m/min的速度供应，将工作电流设置为7的值，工作电压设定为60V。在电压反馈下在恒定放电条件下完成切割花费5小时。

切下的衬底厚度为500μm，作为切槽宽度的切割损失为140μm。另外，切下的衬底的翘曲为12μm。另外，衬底的切割表面具有420nm的表面粗糙度Ra和4700nm的表面粗糙度Ry。

具体地，表面粗糙度Ra是通过如下获得的值：沿着其平均表面从测量的粗糙弯曲表面采样10μm×10μm正方形作为参考区域，将平均表面与取样区中弯曲表面的偏差绝对值求总和，并且用参考区域求总和的平均值。表面粗糙度Ry是通过如下获得的值：沿着其平均表面从粗糙弯曲表面采样10μm×10μm正方形作为参考区域，将取样区中平均表面到最高峰的高度和平均表面到最低谷的深度求总和。顺便提及，平直度是指在样品中待测量的整个区域中在垂直于参考表面的方向上最高点的高度和最低点的深度的总和。

第二实施例

在本发明的第二实施例中，使用类似于第一个实施例中那些的条件进行切割，不同之处在于将直径为0.1mm的钼丝(TM-100，由Sumiden FineConductors制造)用作金属丝电极。在第二实施例中也花费5小时来完成切割。

切下的衬底厚度为500μm，作为切槽宽度的切割损失为150μm。另外，切下的衬底的翘曲为15μm。另外，衬底的切割表面具有480nm的表面粗糙度Ra和5200nm的表面粗糙度Ry。

第三实施例

本发明的第三实施例与第一实施例不同之处仅在于：将直径为0.15mm的黄铜丝(SS-15HN，由Sumiden Fine Conductors制备)用作金属丝电极并且切割是在工作电流设定为11的值和工作电压设定为60V下进行的。在第三实施例中，花费两小时来完成切割，使得能够在短时间内切割。另一方面，由于用于第三实施例的金属丝电极具有比第一实施例更大的直径，切割损失增加到190μm。

第一比较例

作为第一比较例，使用多丝锯装置，在与第一实施例相同的氮化镓晶体上进行切割。0.16mm直径的钢琴丝被用作丝锯，将金刚石粒子用作磨粒。在第一比较例中，花费长达60小时来完成切割，切割损失是200μm。如果在考虑用丝锯高速切割的可能性后在10小时内完成切割的条件下进行切割，当丝锯通过晶锭中心附邻时，它的切割长度和机械负载增加，导致切下的衬底中产生裂缝。因此，不可能进行令人满意的切割。

第四实施例

在本发明的第四实施例中，在第三实施例中切下的GaN衬底上进行湿式蚀刻。将衬底浸渍在于50℃加热的蚀刻液中，所述的蚀刻液为2克当量浓度的KOH溶液，以便去除GaN晶体N侧表面5μm的厚度。由于GaN晶体Ga侧表面具有高化学耐受性，它没有被足够蚀刻，在厚度方面被证实。尽管蚀刻之前的衬底由于通过放电加工其中形成的加工影响层具有20μm的翘曲，在加工影响层通过蚀刻去除后衬底的翘曲被改善到10μm。

另外，将蚀刻的衬底放抛光支架上，然后通过固定负载型研磨机进行抛光。将含有直径为6μm和2μm的粒子的金刚石淤浆用作抛光剂，将铜表面板和锡表面板分别用作表面板。在该抛光后获得镜面。Ga侧表面的表面粗糙度Ra和表面粗糙度Ry分别从抛光前的480nm和5300nm减小到抛光后的4.5nm和50nm。因此，抛光后的表面粗糙度被平滑化至抛光前的表面粗糙度的1％。

第五实施例

在本发明的第五实施例中，在与第一实施例的那些相同的条件下在氮化镓上进行切割，然后在低负荷下用金属丝电极再次扫过衬底的切割表面，以便薄薄地去除切割表面上的晶体表面。在这种情形中，金属丝的切入量设定为5μm，工作电流设定为4的值，工作电压设定为50V。使用该金属丝扫过，衬底的切割表面的表面粗糙度被平滑化至120nm的表面粗糙度Ra和1400nm的表面粗糙度Ry。

第六实施例

在本发明的第六实施例中，在50mm直径的GaAs衬底上，通过HVPE，生长54mm直径和30mm厚度的氮化镓晶体。由于氮化镓晶体也在从基底GaAs衬底延伸的横向上生长，生长的晶体包括其周边区域的宽度约为2mm的低结晶质量部分。

使用1mm直径的针状铜-钨电极(Cu∶W＝30∶70)，在煤油中进行放电加工，以形成邻近氮化镓晶体周边的通孔。将0.2mm直径的黄铜丝通过通孔以进行放电加工。去除氮化物半导体晶体的周边部分，然后切割氮化物半导体晶体，以获得50mm直径的具有良好结晶质量的盘状晶体。

第二比较例

在第二比较例中，在与第六实施例中相同的氮化镓晶体(直径54mm和厚度30mm)上进行周边研磨。更具体地，使用玻璃化粘合金刚石砂轮，并且研磨是在砂轮以500rpm下旋转的条件下进行的。在该第二比较例中，虽然低结晶质量的周边部分被研磨和去除，但是由于晶体中大的内部应力，导致氮化物半导体晶体中产生裂缝。因此，不可能从具有良好结晶质量的部分获得盘状晶体。

第七实施例

在本发明的第七实施例中，在第六实施例中经受周边研磨的50mm直径的晶体上进行放电加工，以便去除切割表面上的不均匀性，并且因此将切割表面平滑化。使用表面粗糙度Ry为1μm，平直度为5μm并且直径为60mm的具有平直圆形工作表面的铜-钨电极，在煤油中进行放电加工。尽管衬底的切割表面在放电加工之前具有500μm的不均匀性，通过该加工获得表面粗糙度Ry为8.5μm和平直度为15μm的平滑表面。

第八实施例

在本发明的第八实施例中，在通过HVPE合成的Si-掺杂氮化镓晶体上进行放电切割。首先，在54mm直径的GaAs衬底上生长58mm直径和5mm厚度的氮化镓晶体。这种情况下，通过晶体的横向生长在从晶锭周边约2mm的厚度范围内形成低结晶质量的部分。另外，晶锭的生长表面具有水平差异约为1mm的不均匀性。

使用0.2mm直径的黄铜丝，在纯化水中在氮化物半导体晶锭上进行放电加工。在这种情形中，切割在垂直于晶锭生长方向的方向上进行。

结果，从包括其周边区域的低结晶质量部分的晶锭，可以切下包括周边区域的低结晶质量部分的0.5mm厚度的衬底。在这种情形中，花费两小时来完成切割，切割损失具有0.28mm的宽度，其不产生问题。通过重复相同的切割操作，能够切下5个衬底。获得的衬底的切割表面具有小于30μm的水平差异的不均匀性。因此，通过薄薄地切片晶锭的生长表面，晶锭可以被成型为其表面上的不均匀性被设定为小于30μm的水平差异的晶锭。

第三比较例

在第三比较例中，通过使用丝锯在如第八实施例中的包括其周边区域低结晶质量部分的晶锭上进行切割。在这种情形下，使用包括粘合金刚石磨粒的粘合磨料金属丝，金属丝具有0.25mm的直径。花费45小时来完成切割，切割损失具有0.3mm的宽度。如果切割是在15小时内完成切割的条件下进行，在切割周边区域低结晶质量部分过程中在周边区域中产生裂缝。因此，不可能进行令人满意的切割。

如上所述，本发明可以提供在低成本下，以简单而有效的方式加工氮化物半导体晶体的技术。由此可以改善使用氮化物半导体晶体制造的各种半导体器件的生产效率，并因此降低生产成本。

尽管已经详细描述和举例说明了本发明，清楚理解的是本发明仅仅是通过举例说明和实施例的方式描述的，不是以任何方式限制，本发明的精神和范围仅受后附权利要求的条款的限制。

Claims (14)

1.一种加工氮化物半导体晶体的方法，其中，当加工氮化物半导体晶体(1)时，将电压施加在所述晶体和工具电极(3)之间导致放电，以便通过所述放电产生的局部热将所述晶体部分去除和加工。

2.按照权利要求1的加工氮化物半导体晶体的方法，其中使用金属丝电极作为所述工具电极来切割所述晶体。

3.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中所述金属丝电极由钨或钼制成。

4.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中通过切割所述氮化物半导体晶体的晶锭来获得氮化物半导体晶体衬底。

5.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中所述晶体的所述切割后，通过所述切割形成的表面通过用所述金属丝电极再次扫过所述表面而平滑化。

6.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中蚀刻通过所述切割获得的所述晶体衬底。

7.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中抛光通过所述切割获得的所述晶体衬底。

8.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中所述氮化物半导体晶体的晶锭的周边区域包括与其内部相比具有低结晶质量的部分，并且以与晶锭生长方向垂直的方向切割包括所述低结晶质量部分的晶锭。

9.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中将在所述氮化物半导体晶体的晶锭生长表面上的不均匀性去除以获得具有不均匀性小于30μm的表面的晶锭。

10.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中切割所述氮化物半导体晶体的晶锭，以便将其具有低结晶质量的周边部分与所述晶锭内部的良好晶体部分分离。

11.按照权利要求10的加工氮化物半导体晶体的方法，其中在所述晶锭中形成通孔，然后将所述金属丝电极通过所述通孔，以使所述通孔成为切割起点，以便取出所述晶锭内部的良好晶体部分而不加工具有低结晶质量的周边部分。

12.按照权利要求2的加工氮化物半导体晶体的方法，其中，在从所述氮化物半导体晶体的晶锭切下衬底后，通过将所述金属丝电极的纵向方向从垂直于所述衬底的所述表面的方向上倾斜0-60°的角度来去除所述衬底表面末端的边缘。

13.按照权利要求1的加工氮化物半导体晶体的方法，其中通过将所述工具电极的表面几何形状转移到所述晶体上来在所述晶体上形成所需的表面几何形状。

14.按照权利要求13的加工氮化物半导体晶体的方法，其中通过使用表面粗糙度Ry小于10μm和平直度小于20μm的所述工具电极，去除所述晶体表面上的不均匀性，以获得表面粗糙度Ry小于10μm和平直度小于20μm的平滑表面。

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