CN1877403A - 液晶装置及电子设备 - Google Patents

液晶装置及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1877403A
CN1877403A CNA2006100879917A CN200610087991A CN1877403A CN 1877403 A CN1877403 A CN 1877403A CN A2006100879917 A CNA2006100879917 A CN A2006100879917A CN 200610087991 A CN200610087991 A CN 200610087991A CN 1877403 A CN1877403 A CN 1877403A
Authority
CN
China
Prior art keywords
aforementioned
electrode
crystal apparatus
liquid
display region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100879917A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100443968C (zh
Inventor
松岛寿治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display West Inc
Original Assignee
Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Epson Imaging Devices Corp filed Critical Sanyo Epson Imaging Devices Corp
Publication of CN1877403A publication Critical patent/CN1877403A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100443968C publication Critical patent/CN100443968C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

本发明提供能够在反射显示和透射显示的双方得到高质量的显示，并且设计改变的自由度高，容易地适应于对多种设备的应用的横向电场方式的液晶装置。本发明的半透射反射型液晶装置，在TFT阵列基板(10)的液晶层(50)侧具备像素电极(9)和共用电极(19)，通过产生于前述像素电极(9)和前述共用电极(19)之间的电场驱动液晶层(50)，在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域(R)和进行透射显示的透射显示区域(T)；其特征在于：前述反射显示区域(R)中的、介于像素电极(9)和共用电极(19)之间的绝缘膜的相对介电常数，比透射显示区域(T)中的前述绝缘膜的相对介电常数小。

Description

液晶装置及电子设备
技术领域
本发明，涉及液晶装置及电子设备。
背景技术
作为液晶装置的一种形式，已知使基板面方向的电场作用于液晶层而进行液晶分子的取向控制的方式(以下，称为横向电场方式。)；已知根据使前述电场产生的电极的形式而被称为IPS(In-Plane Switching，面内开关)方式，FFS(Fringe-Field Switching，边缘场开关)方式等。例如，在下述专利文献1中，公开了将梳状的电极设置于将电介质膜夹于其间的上下层的横向电场方式(FFS方式)的液晶装置。
【专利文献1】特开平11-202356号公报
但是，在便携电话机或便携信息终端等的便携用电子设备的显示部中采用半透射反射型的液晶装置，现在大多采用TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式或VAN(Vertical Aligned Nematic，垂直对准向列)模式的液晶装置。并且，在半透射反射型的液晶装置中，为了在反射显示和透射显示的双方得到良好的显示，已知采用使液晶层厚在子像素区域内的反射显示区域和透射显示区域不相同的结构(所谓多间隙结构)。
因此本发明人，对将在视场角和像质之点有利的横向电场方式应用于半透射反射型液晶装置进行了研究，已经了解清楚：在横向电场方式的液晶装置中，不仅在只将反射层设置于子像素的情况下，而且在即使采用多间隙方式时也不能够在反射显示和透射显示的双方得到良好的显示。
发明内容
本发明，鉴于上述现有技术的问题点而作出，目的在于提供：能够在反射显示和透射显示的双方得到高质量的显示，并且设计变更的自由度高，容易地对应于对于多样的设备的应用的横向电场方式的液晶装置。
本发明的半透射反射型的液晶装置，为了解决上述问题，具备夹持液晶层对向配置的第1基板和第2基板，在前述第1基板的前述液晶层侧具备第1电极和第2电极，通过产生于前述第1电极和前述第2电极间的电场驱动前述液晶层，并在一个子像素区域内设置进行反射显示的反射显示区域和进行透射显示的透射显示区域；其特征在于：前述第2电极，形成于覆盖前述第1电极的层间绝缘膜之上；前述反射显示区域内的前述层间绝缘膜的相对介电常数，比前述透射显示区域内的前述层间绝缘膜的相对介电常数小。
依照该构成，因为使反射显示区域中的第1电极和第2电极之间的静电电容，比透射显示区域的前述静电电容要小，所以能够在反射显示区域中使对于液晶层所施加的有效的电压较小。从而，因为即使在透射显示区域和反射显示区域为相同的电极构成、将相同电压施加于它们的情况下，起因于前述静电电容的差异而液晶分子的动作在透射显示区域和反射显示区域也变得不相同，所以通过静电电容的调整能够容易地使透射显示和反射显示的电光特性一致起来。其结果，能够防止图像的观感在透射显示和反射显示不相同，能够成为在显示质量上优良的液晶装置。
并且，在本液晶装置中，即使在相应于用途等而对反射显示区域和透射显示区域的比例(面积比)进行改变的情况下，伴随于对外光进行反射的反射层的平面面积的改变，也能够仅以对各区域中的静电电容进行调整而相适应。即，因为在改变反射显示区域和透射显示区域的面积比的情况下不必对电极结构进行改变，所以成为设计改变的自由度极高、对多种的设备的应用容易的液晶装置。
在本发明的液晶装置中，能够构成为：前述层间绝缘膜，为叠层有平面性地覆盖前述透射显示区域和反射显示区域的第1电介质膜，和选择性地设置于前述反射显示区域的第2电介质膜的结构。
因为若为如此的构成，则通过前述第2电介质膜的存在能够使反射显示区域中的第1、第2电极间的静电电容较小，所以能够使作用于反射显示区域的液晶层的电场较小。并且，因为通过第2电介质膜的相对介电常数、膜厚的调整而能够对前述静电电容进行调整，所以设计改变的自由度变高。
在本发明的液晶装置中，优选：前述第2电介质膜，是相位差膜。因为若为如此的构成，则通过前述相位差膜，对作用于显示光透射液晶装置之时的相位差，能够在透射显示和反射显示中适当地进行控制，而且该相位差膜还起对反射显示区域中的静电电容进行调整的作用，所以有助于制造效率的提高。
并且优选：前述相位差膜，对于透射光产生大致1/4波长的相位差。液晶装置的光学设计因设置如此的相位差膜而变得容易。
在本发明的液晶装置中，还能够构成为：前述层间绝缘膜，在前述透射显示区域和反射显示区域具有不相同的膜厚而形成。配置于第1电极和第2电极之间的层间绝缘膜，并不限于多层电介质膜的叠层结构，也可以如上述地通过具有因部位而不相同的膜厚的绝缘膜来形成。
在本发明的液晶装置中，还能够构成为：在前述第2电极之上还形成相位差膜，在前述第1基板的、与前述液晶层相反的侧设置相位差板。通过为如此的构成，能够容易地实现适当地完成了反射显示和透射显示的光学设计的半透射反射型液晶装置。
在本发明的液晶装置中，优选：前述相位差膜对于透射光产生的相位差，和前述相位差板对于透射光产生的相位差，大致相同。通过为如此的构成，能够防止对透射相位差膜和相位差板的双方的光产生不必要的相位差，能够防止反射显示和透射显示的观感之差。
在本发明的液晶装置中，优选构成为：前述第1电极是平面大致整面状的电极，前述第2电极具备多条带状电极。
在本发明的液晶装置中，能够构成为：前述第2电极的多条带状电极，在前述透射显示区域和前述反射显示区域的各自的区域内互相大致平行地配置；前述透射显示区域和前述反射显示区域的边界区域，平面地看配置于前述带状电极之间的区域。
在本发明中，因为对第1电极和第2电极之间的层间绝缘膜，使电特性在反射显示区域和透射显示区域不相同，所以在反射显示区域和透射显示区域的边界部，容易在层间绝缘膜的表面产生台阶。若在具有如此的台阶的层间绝缘膜之上形成带状电极，则起因于台阶而膜的粘附性变差，容易发生断线等不良状况。因此如本构成地，如果在相邻的带状电极间的区域配置前述边界部，则能够容易地防止发生断线等，能够形成为可靠性好的液晶装置。
其次，本发明的电子设备，其特征在于：具备先前记载的本发明的液晶装置。依照该构成，可提供具备明亮、高对比度的显示部的电子设备。
附图说明
图1是第1实施方式的液晶装置的电路构成图。
图2是表示相同实施方式的1个子像素区域的平面构成图。
图3是沿图2的A-A’线的部分剖面构成图。
图4是第1实施方式中的作用效果的说明图。
图5是第2实施方式的液晶装置的部分剖面构成图。
图6是表示第3实施方式的液晶装置的1个子像素区域的平面构成图。
图7是表示电子设备的一例的立体构成图。
符号说明
100、201、202、300液晶装置，10 TFT阵列基板(第1基板)，20对向基板(第2基板)，10A、20A基板主体，101数据线驱动电路，102扫描线驱动电路，30 TFT，3a扫描线，3b电容线，6a数据线，6b源电极，9像素电极(第2电极)，9a基端部，9b接触部，9c带状电极，17相位差膜(层间绝缘膜)，19共用电极(第1电极)，29反射层，131电容电极，132漏电极，70存储电容。
具体实施方式
第1实施方式
以下，参照附图对本发明的第1实施方式的液晶装置进行说明。本实施方式的液晶装置，是通过对于液晶施加基板面方向的电场(横向电场)、控制取向而进行图像显示的横向电场方式之中的，采用了被称为FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)方式的方式的液晶装置。
并且本实施方式的液晶装置，是在基板之上具备有滤色器的彩色液晶装置，以输出R(红)、G(绿)、B(蓝)的各色光的3个子像素构成1个像素。从而将成为构成显示的最小单位的显示区域称为“子像素区域”，而将由一组(R、G、B)子像素所构成的显示区域称为“像素区域”。
图1，是矩阵状地形成的构成本实施方式的液晶装置的多个子像素区域的电路构成图。图2(a)是液晶装置100的任意1个子像素区域中的平面构成图。图2(b)是表示(a)图中的光学轴配置的图。图3是沿图2(a)的A-A’线的部分剖面构成图，图4，是本实施方式的作用效果的说明图。
还有，在各图中，为了使各层和各构件在附图中为可以识别的程度的大小，使比例尺按各层和各构件各不相同而表示。
如在图1中所示地，在矩阵状地形成的构成液晶装置100的图像显示区域的多个子像素区域，分别形成像素电极9和用于对像素电极9进行开关控制的TFT30，从数据线驱动电路101延伸的数据线6a电连接于TFT30的源。数据线驱动电路101，通过数据线6a将图像信号S1、S2、...、Sn供给到各像素。前述图像信号S1～Sn既可以按该顺序线顺序地供给，也可以对于相邻的多条数据线6a彼此间，按组供给。
并且，在TFT30的栅，电连接从扫描线驱动电路102延伸的扫描线3a，从扫描线驱动电路102以预定的定时脉冲性地供给到扫描线3a的扫描信号G1、G2、...、Gm，按该顺序以线顺序施加到TFT30的栅。像素电极9，电连接于TFT30的漏。通过为开关元件的TFT30根据扫描信号G1、G2、...、Gm的输入而仅在一定期间成为导通状态，从数据线6a所供给的图像信号S1、S2、...、Sn以预定的定时写入到像素电极9。
通过像素电极9写入到液晶的预定电平的图像信号S1、S2、...、Sn，在像素电极9和通过液晶进行对向的共用电极之间被保持一定期间。在此，为了防止所保持的图像信号泄漏掉，与形成于像素电极9和共用电极之间的液晶电容相并联地附加存储电容70。存储电容70设置于TFT30的漏和电容线3b之间。
如在图2(a)中所示地，在液晶装置100的子像素区域，设置有：形成平面看大致耙状(梳状)的在Y轴方向上设置长度的像素电极(第2电极)9，和配置于平面性地与像素电极9相重叠而包括像素电极9的区域的平面大致整面状的共用电极(第1电极)19。从而，共用电极(第1电极)19，在像素区域内形成于包括像素电极(第2电极)9的多条带状电极9c的区域。在子像素区域的图示左上的角部，竖立设置柱状衬垫40，其用于保持为以预定间隔使TFT阵列基板10和对向基板20进行分离了的状态。
像素电极9，由：延伸于Y轴方向的多条(在图示中为5条)带状电极9c，连接于这些多条带状电极9c的图示上侧(+Y侧)的各端部而延伸于X轴方向的基端部9a，和从基端部9a的X轴方向中央部延伸到+Y侧的接触部9b构成。
共用电极19，形成得覆盖在图2(a)中所示的、部分性地设置于子像素区域内的反射层29。在本实施方式的情况下，共用电极19为由ITO(铟锡氧化物)等的透明导电材料构成的导电膜；反射层29，由铝或银等的光反射性的金属膜、叠层了折射率不相同的电介质膜(SiO2和TiO2等)的电介质叠层膜(电介质镜)构成。
还有，共用电极19，除了如本实施方式那样地形成得覆盖反射层29的构成之外，还能够采用平面性地划分由透明导电材料构成的透明电极、和由光反射性的金属材料构成的反射电极的构成。在该情况下，前述透明电极和反射电极构成使电场产生于其与像素电极9之间的共用电极，另一方面前述反射电极还作为该子像素区域的反射层发挥作用。
在子像素区域，形成延伸于X轴方向的数据线6a，延伸于Y轴方向的扫描线3a，和相邻于扫描线3a而与扫描线3a平行地延伸的电容线3b。在数据线6a和扫描线3a的交叉部的附近设置TFT30。TFT30具备：部分地形成于扫描线3a的平面区域内的由非晶体硅构成的半导体层35，和与半导体层35平面性地重叠一部分所形成的源电极6b及漏电极132。扫描线3a以与半导体层35平面性地重叠的位置作为TFT30的栅电极发挥作用。
TFT30的源电极6b，形成为从数据线6a分支而延伸于半导体层35的平面看大致L形；漏电极132，延伸于-Y侧而与平面看大致矩形状的电容电极131电连接。在电容电极131之上，像素电极9的接触部9b从-Y侧进出而配置，通过设置于两者平面性地重叠的位置的像素接触孔45而电容电极131和像素电极9电连接。并且电容电极131配置于电容线3b的平面区域内，在相应的位置形成以在厚度方向对向的电容电极131和电容线3b作为电极的存储电容70。
看一下在图3中所示的剖面结构，液晶装置100，具备在互相对向配置的TFT阵列基板(第1基板)10和对向基板(第2基板)20之间夹持有液晶层50的构成，液晶层50通过沿着TFT阵列基板10和对向基板20对向的区域的边缘端所设置的密封材料(图示略)而密封于前述两基板10、20间。在TFT阵列基板10的背面侧(图示下面侧)，设置着具备有导光板91和反射板92的背光源(照明装置)90。
TFT阵列基板10，以由玻璃或石英、塑料等构成的基板主体10A作为基体，在基板主体10A的内面侧(液晶层50侧)，形成扫描线3a及电容线3b，覆盖扫描线3a及电容线3b而形成栅绝缘膜11。
在栅绝缘膜11之上，形成非晶体硅的半导体层35，一部分搭到半导体层35上那样地形成源电极6b和漏电极132。在漏电极132的图示右侧一体地形成电容电极131。半导体层35，通过栅绝缘膜11与扫描线3a对向配置，在该对向区域，扫描线3a构成TFT30的栅电极。电容电极131通过栅绝缘膜11而与电容线3b对向配置，在电容电极131和电容线3b进行对向的区域，形成以栅绝缘膜11作为电介质膜的存储电容70。
覆盖半导体层35、源电极6b、漏电极132、及电容电极131，形成第1层间绝缘膜12，在第1层间绝缘膜12之上的一部分形成反射层29。覆盖反射层29和第1层间绝缘膜12，形成由ITO等的透明导电材料构成的共用电极19。
从而，本实施方式的液晶装置100，在图2中所示的1个子像素区域内之中，重叠了内含像素电极9的平面区域和共用电极19的形成区域的平面区域，成为对从背光源90入射并透射液晶层50的光进行调制而进行显示的透射显示区域T。并且，平面性地重叠了内含像素电极9的平面区域和反射层29的形成区域的区域，成为对从对向基板20的外侧入射并透射液晶层50的光进行反射、调制而进行显示的反射显示区域R。
覆盖共用电极19而形成由氧化硅等构成的第2层间绝缘膜13，在对应于反射层29的形成区域的第2层间绝缘膜13之上的区域形成相位差膜(绝缘膜)17。跨相位差膜17和第2层间绝缘膜13而形成由ITO等的透明导电材料构成的像素电极9。相位差膜17由高分子液晶等的绝缘材料构成，在TFT阵列基板10之上，还起到作为第3层间绝缘膜的功能。
并且，覆盖像素电极9、第2层间绝缘膜13、及相位差膜17而形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜18。
相位差膜17，在本实施方式的情况下，对于透射光产生大致1/4波长的相位差，为所谓内面相位差层。相位差膜17，例如，能够通过将高分子液晶的溶液或液晶性单体的溶液涂敷于取向膜上、并在使之干燥固化时使之取向于预定方向的方法而形成。
还有，虽然在本实施方式中在第2层间绝缘膜13之上形成相位差膜17，但是相位差膜17，既可以形成于共用电极19和第2层间绝缘膜13之间，又可以为在夹持有相位差膜17的上下而配置层间绝缘膜的构成。
贯通第1层间绝缘膜12及第2层间绝缘膜13而形成到达电容电极131的像素接触孔45，通过在该像素接触孔45内埋设像素电极9的接触部9b的一部分，将像素电极9和电容电极131电连接。对应于上述像素接触孔45的形成区域在共用电极19也设置开口部，使共用电极19和像素电极9不会短路。
另一方面，对向基板20，以玻璃或石英、塑料等构成的基板主体20A作为基体，在基板主体20A的内面侧(液晶层50侧)，设置滤色器22，在滤色器22之上，形成由聚酰亚胺或硅氧化物等构成的取向膜28。
滤色器22，虽然以对应于各子像素的显示色的色材料层作为主体，但是也可以在该子像素区域内划分成色度不相同的多于或等于2个的区域。例如，能够采用划分成对应于透射显示区域T的平面区域所设置的第1色材料区域，和对应于反射显示区域R的平面区域所设置的第2色材料区域的构成。该情况下，通过使第1色材料区域的色度比第2色材料区域的色度大，能够防止在显示光仅对滤色器22进行1次透射的透射显示区域T、和进行2次透射的反射显示区域R中显示光的色度不相同，使透射显示和反射显示的视感一致。
并且，在基板主体10A、20A的外面侧，分别配设偏振板14、24。在偏振板14和基板主体10A之间，及偏振板24和基板主体20A之间，能够设置1片或多片相位差板(光学补偿板)。
本实施方式的液晶装置中的各光学轴的配置，示于图2(b)中。TFT阵列基板10侧的偏振板14的透射轴153，和对向基板20侧的偏振板24的透射轴155相互正交地配置，前述透射轴153配置为对于Y轴形成约15°的角度的朝向。并且，取向膜18、28，平面看在相同方向上实施摩擦处理，其方向，是在图2(b)中所示的摩擦方向151，与对于Y轴方向形成约15°的角度的偏振板14的透射轴153平行。摩擦方向151，并不限定于在图2(b)中所示的方向，为与形成于像素电极9和共用电极19之间的横向电场的主方向157进行交叉的方向(不一致的方向)。在本实施方式中，前述横向电场的方向157，平行于X轴方向。设置于像素电极9和第2层间绝缘膜13之间的相位差膜17，其滞相轴158，配置为与偏振板14、24的透射轴153、155形成约45°的角度的朝向。
在具备上述构成的液晶装置100中，因为仅在反射显示区域R的第2层间绝缘膜13和像素电极9之间选择性地设置相位差膜17，所以介于像素电极9和共用电极19之间的层间绝缘膜的膜厚，在反射显示区域R中仅按相位差膜17的量变厚。
在此，图4(a)，是表示TFT阵列基板10的概略剖面结构的说明图；图4(b)，为液晶装置100的电光特性的测定结果。在图4(b)中所示的测定结果，是在图4(a)中所示的TFT阵列基板10的构成中，以带状电极9c的线宽w1为3μm，以相邻的带状电极9c、9c的间隔w2为5μm，以第2层间绝缘膜13的膜厚d1为0.5μm，以相对介电常数ε为3，以相位差膜17的膜厚d2为0.5μm，以相位差膜17的相对介电常数ε为7的情况下的结果。
还有，透射显示区域T中的液晶层厚(单元间隙)为3.5μm，反射显示区域R中的液晶层厚为3μm(按相位差膜17的膜厚量变窄)。并且液晶的相对介电常数，为ε＝15.3，ε＝4。
如在图4(b)中所示地，在本实施方式的液晶装置中，在通常用于液晶驱动的电压范围(1V～5V)中，得到在透射显示、反射显示的双方伴随于施加电压的增加而透射率/反射率几乎一致地增加的倾向，对应于相同电压的透射率和反射率的差异也减小。尤其，在黑显示时的电压(0～1V)中的透射率和反射率一致，而即使在白显示中在反射率变成最大的电压值时也可得到反射率的90％左右的透射率。从而依照本实施方式的液晶装置，能够实现在白显示、黑显示、及中间灰度显示的任何显示中都兼顾到反射显示质量和透射显示质量的显示器件。
在横向电场方式的液晶装置中，通过相应于由形成于电极间的横向电场引起的液晶分子的面内旋转角的透射率/反射率的变化，而进行中间灰度等级的显示。因此，在液晶分子的旋转角在透射显示区域T和反射显示区域R中相同的情况下，在反射显示区域R中显示光对液晶层50进行2次透射，通过液晶产生于显示光的相位差，为透射显示区域T的显示光的约2倍。那样一来，则子像素的辉度在透射显示区域T和反射显示区域R不相同，难以在透射显示和反射显示的双方得到良好的显示。
因此在本实施方式的液晶装置中，通过在反射显示区域R的像素电极9和共用电极19之间，有选择性地设置为绝缘膜的相位差膜17，使像素电极9和共用电极19之间的静电电容，在透射显示区域T和反射显示区域R不相同。即，通过相位差膜17，使反射显示区域R的像素电极9和共用电极19之间的静电电容，相比较于透射显示区域T中的静电电容要小，从而调整为使得对于反射显示区域R中的液晶层50的静电电容(液晶电容)所施加的电压变小。由此，在反射显示区域R的液晶层50中，对应于相同电压的液晶分子的面内旋转角相比较于透射显示区域T变小，能够使透射显示的电光特性和反射显示的电光特性大致一致。
并且，为了使透射显示和反射显示的电光特性更加一致，优选：使对于反射显示区域R中的液晶层50的有效的施加电压，对于透射显示区域T中的有效的施加电压为大致1/2，为了得到如此的构成，例如，在上述液晶装置100的各条件中，只要对相位差膜17的相对介电常数ε乃至膜厚d2进行改变调整即可。
如此地依照本实施方式的液晶装置，通过仅在反射显示区域R有选择性地设置相位差膜17，能够使透射显示区域T和反射显示区域R的电光特性一致，从而即使在改变透射显示区域T和反射显示区域R的面积比的情况下，也不用改变电极的结构，而仅以对反射层29的形成区域、及相位差膜17的形成区域进行改变就能够容易地相适应。并且，因为即使改变带状电极9c的宽度，也不会对透射显示和反射显示的电光特性的差异产生影响，所以能够使上述带状电极9c的宽度较窄，由此而使子像素区域的开口率提高，得到明亮的显示。
并且，在本实施方式的液晶装置100中，通过在第2层间绝缘膜13之上形成相位差膜17，不采用多间隙结构，并且不用设置另外相位差板，在反射显示和透射显示的双方就可得到良好的显示，而且如此的相位差膜17，还如上述地同时起到在反射显示区域R中对施加于电极间的有效的电压进行调整的作用。从而，依照本实施方式，能够以简便的工序低成本地制造可以实现高像质、宽视场角的显示的液晶装置。
进而，因为若如本实施方式那样地采用FFS方式的电极配置，则能够将反射层29设置于TFT阵列基板10侧，将如此的TFT阵列基板10配置于背光源90侧(从观察者看为背面侧)，所以能够防止外光对于设置于TFT阵列基板10之上的扫描线3a或数据线6a、电容线3b等的金属布线进行入射，能够防止外光通过这些金属布线进行漫反射而使显示的观看性降低。
第2实施方式
其次，参照图5对本发明的第2实施方式进行说明。图5(a)，是为本实施方式的第1构成例的液晶装置201的部分剖面构成图；图5(b)，是为相同实施方式的第2构成例的液晶装置202的部分剖面构成图。本实施方式的液晶装置201、202，都具备与第1实施方式的液晶装置100同样的基本构成，不同点在于：设置于像素电极9和共用电极19之间的第2层间绝缘膜13，在子像素区域内具有不同的膜厚而形成。从而，在图5中，对与从图1到图4中所示的液晶装置100相同的构成要素附加相同的符号，省略详细的说明。
首先，对在图5(a)中所示的第1构成例的液晶装置201进行说明。图5(a)，是表示液晶装置201的1个子像素区域内的TFT阵列基板10的部分剖面结构的图，是相当于对应于在图3中所示的液晶装置100的部分剖面结构之中的透射显示区域T和反射显示区域R的部分的图。还有，未图示的部分，为与先前的液晶装置100同样的构成。
在液晶装置201的构成TFT阵列基板10的基板主体10A的内面侧(图示上侧；液晶层50侧)，栅绝缘膜11及第1层间绝缘膜12包括省略图示的TFT30而被叠层，在第1层间绝缘膜12之上部分性地形成反射层29，在反射层29及第1层间绝缘膜12之上形成共用电极19。
然后，在共用电极19之上，设置根据部位而具有不同膜厚的第2层间绝缘膜13。第2层间绝缘膜13，由丙烯酸树脂等的透光性的绝缘树脂材料构成，该第2层间绝缘膜13的配置于反射显示区域R的反射部电介质膜13b的膜厚，比配置于透射显示区域T的透射部电介质膜13a的膜厚要厚。
在第2层间绝缘膜13之上，形成具有在图2中所示的平面形状的像素电极9，覆盖像素电极9而形成相位差膜27。在相位差膜27之上形成省略图示的取向膜。在基板主体10A的外面侧，叠层相位差板37和偏振板14。
形成于像素电极9之上的相位差膜27，与第1实施方式的相位差膜17相同，能够由高分子液晶等构成，在本实施方式的情况下，对于透射光产生大致1/4波长的相位差。并且，相位差板37，与相位差膜27同样地对于透射光产生大致1/4波长的相位差，从背光源90入射到透射显示区域T的液晶层50的照明光，透射偏振板14被变换成直线偏振光之后，被相位差板37变换成圆偏振光，其后再次被相位差膜27变换成直线偏振光而入射到液晶层50。
优选：相位差膜27和相位差板37，具有大致相同的波长分散性。通过为如此的构成，能够防止透射相位差板37及相位差膜27入射到液晶层50的照明光的偏振状态因波长而变得不均匀，能够防止由于子像素的颜色种类而明亮度不相同的情况。
在具备上述构成的液晶装置201中，通过在子像素区域内形成根据部位而具有不同膜厚的第2层间绝缘膜13，在反射显示区域R的像素电极9和共用电极19之间，配置相对性地具有较厚膜厚的反射部电介质膜13b，能够使反射显示区域R中的前述两电极9、19间的静电电容，比透射显示区域T中的前述静电电容要小。由此，可得到与第1实施方式的液晶装置100同样的作用，能够使透射显示的电光特性和反射显示的电光特性大致一致。
并且，在上述第1构成例中，因为不必在TFT阵列基板10的内面侧图形形成相位差膜，所以相比较于先前的第1实施方式具有制造变得容易的优点。
其次，对在图5(b)中所示的第2构成例进行说明。在图5(b)中所示的第2构成例的液晶装置202，具备夹持液晶层50对向的TFT阵列基板10和对向基板20。未图示的部分，为与先前的液晶装置100同样的构成。
TFT阵列基板10，具备下述构成：在基板主体10A的内面侧，设置：包括省略图示的TFT而被叠层的栅绝缘膜11及第1层间绝缘膜12，反射层29，第2层间绝缘膜13，和像素电极9；在基板主体10A的外面侧，叠层配置相位差板37和偏振板14。在前述像素电极9之上形成省略图示的取向膜。对向基板20，在基板主体20A的外面侧，具备叠层配置有相位差板47和偏振板24的构成。在基板主体20A的内面侧，形成全都省略图示的滤色器及取向膜。
关于本例的液晶装置202，设置于像素电极9和共用电极19之间的第2层间绝缘膜13，也在子像素区域内根据部位而具有不同膜厚，配置于反射显示区域R的反射部电介质膜13b，具有比配置于透射显示区域T的透射部电介质膜13a厚的膜厚而形成。
对向基板侧的相位差板47对于透射光产生的相位差，被设定为：在未施加电压状态下从对向基板20侧入射到液晶装置到达反射层29的外光变成圆偏振光的相位差。例如，在为未施加电压状态的液晶层50对于透射光实质上并不产生相位差的构成的情况下，相位差板37的前述相位差为大致1/4波长。
TFT阵列基板10侧的相位差板37，起抵消被前述相位差板47产生于透射光的相位差的作用。并且在本实施方式的情况下，因为背光源的照明光透射相位差板37而入射到透射显示区域T的液晶层50，所以透射偏振板14及相位差板37而入射到液晶层50的光，优选为与波长无关的相同的偏振状态。从而，优选：通过偏振板14和相位差板37而构成宽频带相位差板。
在具备上述构成的第2构成例的液晶装置202中，也能够通过第2层间绝缘膜13的作用而使透射显示的电光特性和反射显示的电光特性一致，能够在透射显示和反射显示的双方得到良好的显示。
并且，在第2构成例中，因为在基板主体10A、20A的内面侧未设置相位差膜，所以相比较于前述的第1构成例还具有制造变得容易的优点。
还有，在本实施方式中，虽然作为第2层间绝缘膜13，对根据部位具有不相同的膜厚的第2层间绝缘膜进行了说明，但是第2层间绝缘膜13，也能够叠层多于或等于2层的电介质膜。即，还能够为在整面状地形成于共用电极19之上的第1电介质膜之上、对应于反射层29的平面区域有选择性地形成第2电介质膜的叠层结构。因为若为如此的构成，则在反射显示区域R中通过前述第2电介质膜的相对介电常数乃至膜厚能够调整作用于液晶层50的有效的电场，所以成为在设计改变的自由度、制造的容易性方面有利的构成。
第3实施方式
其次，参照图6对本发明的第3实施方式进行说明。图6，是表示本实施方式的液晶装置300的子像素区域的概略平面构成的图。
本实施方式的液晶装置300，采用了在图6中所示的构成的像素电极39，来代替先前的第1实施方式的液晶装置100中的像素电极9，其它的构成与液晶装置100相同。从而，在图6中对与从图1到图4相同的构成要素附加相同的符号，省略它们的详细的说明。
在图6中所示的像素电极39，具备多条(在图中为10条)带状电极39c，各带状电极39c互相电连接，与TFT电连接。本实施方式的像素电极39，在多条带状电极39c的延伸方向为平行于图示X轴方向的方向之点，与第1实施方式的像素电极9不相同。
在上述的构成的液晶装置300中，不用说也能够得到与第1实施方式和第2实施方式的液晶装置同样的作用效果，能够在透射显示和反射显示的双方得到良好的显示。
而且，在本实施方式中，透射显示区域T和反射显示区域R的边界部49(反射层29的透射显示区域T侧的边缘端)，配置于排列于Y轴方向上的带状电极39c之间的区域内。如在图3所示地，因为相位差膜17仅在反射显示区域R有选择性地设置，所以在透射显示区域T的第2层间绝缘膜13表面和反射显示区域R的相位差膜17表面之间形成台阶。因此，有可能跨台阶地形成的像素电极9的膜的粘附性变差，尤其在以子像素的开口率提高作为目的而使带状电极9c宽度较窄的情况下、产生断线等的可能性变大。
因此，如本实施方式那样地，因为通过将产生前述台阶的边界部49，配置于相邻的带状电极39c、39c之间的区域，则不用跨台阶形成带状电极39c，所以即使在使带状电极39c的线宽变细的情况下也难以产生断线等。
从而，依照本实施方式的液晶装置300，能够谋求由带状电极39c的窄宽度化得到的子像素开口率的提高，并提高子像素区域中的电可靠性。
电子设备
图7，是为在显示部具备有本发明的液晶装置的电子设备的一例的便携电话机的立体构成图，该便携电话机1300，具备本发明的液晶装置作为小尺寸的显示部1301，具备多个操作按钮1302、受话口1303及送话口1304而构成。
上述实施方式的液晶装置，并不限于上述便携电话机，能够合适地用作电子书、个人计算机、数字静止相机、液晶电视、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话、POS终端、具备有触摸面板的设备等等的图像显示单元，在任何一种电子设备中，都能够得到高辉度、高对比度、宽视场角的透射显示及反射显示。

Claims (10)

1.一种半透射反射型的液晶装置，其具备夹持液晶层而对向配置的第1基板和第2基板，在前述第1基板的前述液晶层侧具备第1电极和第2电极，通过产生于前述第1电极和前述第2电极间的电场而驱动前述液晶层，并在一个子像素区域内设置有进行反射显示的反射显示区域和进行透射显示的透射显示区域；其特征在于：
前述第2电极，形成于覆盖前述第1电极的层间绝缘膜之上；
前述反射显示区域中的前述第1电极和前述第2电极间的静电电容，比前述透射显示区域中的前述静电电容小。
2.按照权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
前述层间绝缘膜，为叠层有第1电介质膜和第2电介质膜的结构，该第1电介质膜，平面性地覆盖前述透射显示区域和反射显示区域，该第2电介质膜，有选择地设置于前述反射显示区域。
3.按照权利要求2所述的液晶装置，其特征在于：
前述第2电介质膜，是相位差膜。
4.按照权利要求3所述的液晶装置，其特征在于：
前述相位差膜，对于透射光产生大致1/4波长的相位差。
5.按照权利要求1所述的液晶装置，其特征在于：
前述层间绝缘膜，在前述透射显示区域和反射显示区域具有不相同的膜厚而形成。
6.按照权利要求5所述的液晶装置，其特征在于：
在前述第2电极之上形成有相位差膜，在前述第1基板的、与前述液晶层相反侧设置有相位差板。
7.按照权利要求6所述的液晶装置，其特征在于：
前述相位差膜对于透射光所产生的相位差，和前述相位差板对于透射光所产生的相位差，大致相同。
8.按照权利要求1～7中的任何一项所述的液晶装置，其特征在于：
前述第1电极是平面大致整面状的电极，前述第2电极具备多条带状电极。
9.按照权利要求8所述的液晶装置，其特征在于：
前述第2电极的多条带状电极，在前述透射显示区域和前述反射显示区域的各自的区域内互相大致平行地配置；
前述透射显示区域和前述反射显示区域的边界区域，平面地看配置于前述带状电极之间的区域。
10.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求1～9中的任何一项所述的液晶装置。
CNB2006100879917A 2005-06-09 2006-06-09 液晶装置及电子设备 Expired - Fee Related CN100443968C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005169136 2005-06-09
JP169136/2005 2005-06-09
JP076308/2006 2006-03-20
JP2006076308A JP4434166B2 (ja) 2005-06-09 2006-03-20 液晶装置及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1877403A true CN1877403A (zh) 2006-12-13
CN100443968C CN100443968C (zh) 2008-12-17

Family

ID=37523778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100879917A Expired - Fee Related CN100443968C (zh) 2005-06-09 2006-06-09 液晶装置及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20060279677A1 (zh)
JP (1) JP4434166B2 (zh)
KR (1) KR100816145B1 (zh)
CN (1) CN100443968C (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101573625B (zh) * 2007-01-15 2011-08-17 株式会社岛津制作所 Tft阵列驱动装置
CN101907802B (zh) * 2007-01-29 2012-06-20 京东方显示器科技公司 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法
CN114355681A (zh) * 2022-01-25 2022-04-15 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 一种光学相位控制显示器件

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4860333B2 (ja) * 2006-04-10 2012-01-25 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
TWI344560B (en) * 2006-06-02 2011-07-01 Au Optronics Corp Array substrate and panel of liquid crystal display
JP4285516B2 (ja) 2006-09-06 2009-06-24 ソニー株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP4889436B2 (ja) * 2006-10-13 2012-03-07 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
JP4814776B2 (ja) * 2006-12-14 2011-11-16 株式会社 日立ディスプレイズ 半透過型液晶表示装置
JP4329828B2 (ja) * 2007-02-26 2009-09-09 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置
KR101362959B1 (ko) * 2007-03-30 2014-02-13 엘지디스플레이 주식회사 센싱기능을 가지는 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP4968675B2 (ja) * 2007-04-02 2012-07-04 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
KR101487738B1 (ko) * 2007-07-13 2015-01-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 구동 방법
WO2009072322A1 (ja) * 2007-12-05 2009-06-11 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP5121488B2 (ja) * 2008-02-13 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置及び電子機器
JP5271639B2 (ja) * 2008-09-01 2013-08-21 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置および電子機器
KR101596374B1 (ko) * 2008-12-24 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102169254B (zh) * 2011-02-24 2013-11-06 华映视讯（吴江）有限公司 显示面板
CN102637630B (zh) 2011-05-20 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
CN102213886B (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 深圳市华星光电技术有限公司 像素单元与液晶显示面板
CN102629055B (zh) 2011-10-24 2015-06-03 北京京东方光电科技有限公司 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法
CN103278987B (zh) * 2013-05-24 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置
KR20200103220A (ko) * 2019-02-22 2020-09-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
JP2021060447A (ja) * 2019-10-03 2021-04-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の駆動方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6295109B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions
TW387997B (en) * 1997-12-29 2000-04-21 Hyundai Electronics Ind Liquid crystal display and fabrication method
US6839108B1 (en) * 1998-05-16 2005-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP4689900B2 (ja) * 2001-08-22 2011-05-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP4002105B2 (ja) 2002-01-15 2007-10-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3873869B2 (ja) * 2002-02-26 2007-01-31 ソニー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TWI230304B (en) * 2002-03-04 2005-04-01 Sanyo Electric Co Display device with reflecting layer
JP4117148B2 (ja) * 2002-05-24 2008-07-16 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置
US7064799B2 (en) * 2002-07-10 2006-06-20 Nec Lcd Technologies, Ltd. Semi-transmissive-type liquid crystal display device and method for manufacturing same
WO2005006068A1 (ja) * 2003-07-14 2005-01-20 Hitachi Displays, Ltd. 表示装置
TW594292B (en) * 2003-10-21 2004-06-21 Au Optronics Corp Pixel structure of transflective liquid crystal display panel
CN1310069C (zh) * 2003-11-14 2007-04-11 友达光电股份有限公司 半穿透反射式液晶显示面板的像素
JP4223992B2 (ja) * 2004-05-25 2009-02-12 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2006126551A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP4111203B2 (ja) * 2005-03-28 2008-07-02 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置及び電子機器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101573625B (zh) * 2007-01-15 2011-08-17 株式会社岛津制作所 Tft阵列驱动装置
CN101907802B (zh) * 2007-01-29 2012-06-20 京东方显示器科技公司 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法
CN114355681A (zh) * 2022-01-25 2022-04-15 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 一种光学相位控制显示器件
CN114355681B (zh) * 2022-01-25 2023-06-20 南昌虚拟现实研究院股份有限公司 一种光学相位控制显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007017943A (ja) 2007-01-25
KR20060128727A (ko) 2006-12-14
KR100816145B1 (ko) 2008-03-21
US20060279677A1 (en) 2006-12-14
JP4434166B2 (ja) 2010-03-17
CN100443968C (zh) 2008-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1877403A (zh) 液晶装置及电子设备
CN1841135B (zh) 液晶装置及电子设备
CN100485493C (zh) 液晶装置及电子设备
CN1301438C (zh) 液晶显示装置和电子设备
US7518684B2 (en) Pixel structure and liquid crystal display panel
US9030504B2 (en) Display panel and method of driving the same
CN100412631C (zh) 液晶装置及电子设备
TWI378283B (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
US10288955B2 (en) Liquid crystal display device
US11294247B2 (en) Display device
CN101017276A (zh) 液晶显示装置、其制造方法及电子设备
CN100405145C (zh) 液晶装置及电子设备
CN101592813A (zh) 显示装置
CN1904683A (zh) 显示装置及方法
CN102466928A (zh) 液晶显示装置
US20220082877A1 (en) Imaging device having dimming element
US8009237B2 (en) Display substrate, method for manufacturing the same, and display panel having the same
CN1573428A (zh) 液晶显示装置以及电子设备
CN100485477C (zh) 液晶显示装置及电子设备
CN1573429A (zh) 液晶显示装置和电子设备
CN101401028A (zh) 显示装置
US7852420B2 (en) Liquid crystal display device which reduces unevenness in an upper surface of at least an electrode
US7420640B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal device and method for manufacturing the same
CN101609223A (zh) 液晶显示装置及电子设备
TW200832305A (en) Image display system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NANKAI UNIVERSITY

Free format text: FORMER OWNER: SANYO EPSON IMAGING DEVICES CO.

Effective date: 20100727

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: NAGANO PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100727

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Sony Corp.

Address before: Nagano

Patentee before: Sanyo Epson Imaging Devices Co.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NIPPON DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SONY CORPORATION

Effective date: 20121120

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121120

Address after: Aichi

Patentee after: Japan display West Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Sony Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081217

Termination date: 20190609

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee