CN1869809B - 半色调掩模及制造方法和采用该掩模制造显示器件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半色调掩模，该掩模包括：局部形成于透明衬底上的遮光图案；局部形成于透明衬底上的第一半色调透光图案；形成于第一半色调透光层上的第二半色调透光图案。

Description

半色调掩模及制造方法和采用该掩模制造显示器件的方法

本申请要求享有2005年5月27日在韩国递交的申请号为No.10-2005-0045268的申请的权益，在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半色调掩模，尤其涉及适用于防止残留光刻胶图案的半色调掩模及其制造方法。

本发明还涉及一种通过采用该半色调掩模适用于改善显示器件的信号和电极图案均匀性和准确性的显示器件制造方法。

背景技术

液晶显示器件通过控制电场控制液晶的透光率，从而显示图像。液晶显示器包括其中液晶单元以矩阵形式设置的液晶显示面板以及用于驱动该液晶显示面板的驱动电路。

液晶显示面板包括薄膜晶体管基板、滤色片基板以及注入两基板之间的液晶层。

滤色片基板实现液晶单元的颜色，并包括形成于滤色片和液晶单元之间边界部分的黑矩阵、用于向液晶单元施加基准电压的公共电极以及分布于其上的定向膜。

在单独制造完成后，将薄膜晶体管基板和滤色片基板粘结在一起。注入液晶并密封该粘结的基板。

在该液晶显示面板中，由于薄膜晶体管基板包括半导体工序并需要多轮掩模工序，因此该薄膜晶体管的制造工序很复杂并且是液晶显示面板高制造成本的重要因素。为了解决这一问题，一直在减少掩模工序数量方向上对该薄膜晶体管基板进行研究。这是因为一轮掩模工序包括诸如薄膜沉积工序、清洗工序、光刻工序、蚀刻工序、光刻胶剥离工序和检测工序等许多工序。因此，近来四轮掩模工序的应用得到提高，该四轮掩模工序从作为薄膜晶体管基板标准掩模工序的五轮掩模工序中减掉一轮掩模工序。

图1A所示为通过采用四轮掩模工序制造的薄膜晶体管基板的截面图。参照图1A，该薄膜晶体管基板包括形成于下基板42上彼此交叉的栅线2和数据线4，在二者之间设置有栅绝缘膜44；形成于栅线2和数据线4交叉部分的薄膜晶体管6；形成于由交叉结构设置的单元区域的像素电极18。此外，该薄膜晶体管基板还包括形成于像素电极18和前级栅线2重叠部分的存储电容20；连接到栅线2的栅焊盘；以及连接到数据线4上的数据焊盘。

薄膜晶体管6响应于施加给栅线2的扫描信号接收施加给数据线4的像素信号，该像素信号用于施加给像素电极18。薄膜晶体管6包括连接到栅线2的栅极8；连接到数据线4的源极10；连接到像素电极18的漏极12；以及与栅极8重叠并在源极10和漏极12之间形成沟道的有源层。

与源极10和漏极12重叠并包括源极10和漏极12之间的沟道部分的有源层14还与数据线4、数据焊盘下电极36和存储电极22重叠。在有源层14上还形成要与数据线4、源极10、漏极12、数据焊盘下电极36和存储电极22实现欧姆接触的欧姆接触层48。

像素电极18通过贯穿钝化层50的第一接触孔16与薄膜晶体管6的漏极12连接。该像素电极18通过在像素电极18上施加的像素信号与形成于上基板(未示出)的公共电极产生电势差。该电势差导致位于薄膜晶体管基板和上基板之间的液晶由于介电各向异性而旋转，从而向上基板发射从光源(未示出)经过像素电极18入射的光。

该存储电容器20包括前级栅线2；与栅线2重叠的存储上电极22，在二者之间设置有栅绝缘膜44、有源层14和欧姆接触层48；以及与存储上电极22重叠的像素电极18，在二者之间设置有钝化层50，并且该像素电极18通过贯穿钝化层50的第二接触孔24与该存储上电极22连接。该存储电容20稳定保持施加在像素电极18上的像素信号，直到充入下一像素信号。

栅线2通过栅焊盘26与栅驱动器(未示出)连接。栅焊盘26包括延伸自栅线2的栅焊盘下电极28以及通过贯穿栅绝缘膜44和钝化层50的第三接触孔30与栅焊盘下电极28连接的栅焊盘上电极32。

数据线4通过数据焊盘34与数据驱动器(未示出)连接。该数据焊盘34包括延伸自数据线4的数据焊盘下电极36以及通过贯穿钝化层50的第四接触孔38与数据焊盘下电极36连接的数据焊盘上电极40。

具有该结构并通过四轮掩模工序形成的薄膜晶体管采用半色调掩模简化了制造工序。如果采用该半色调掩模，则通过一轮掩模工序即可形成数据线4、源极10、漏极12、存储电极22、数据焊盘下电极36以及包括欧姆接触层48和有源层14的半导体图案。

图1B所示为通过在图1A所示的薄膜晶体管基板制造工序中采用半色调掩模形成光刻胶图案的步骤的部分薄膜晶体管基板截面图。

这里采用的半色调掩模160包括透明石英SiO₂衬底166以及形成于其上的遮光层162和局部透光层164。这里，遮光层162位于要形成栅图案的区域以拦截紫外光UV，从而在显影后留下第一光刻胶图案168a。该局部透光层164位于要形成存储下电极的区域以部分传输紫外光UV，从而在显影后留下低于第一光刻胶图案168a的第二光刻胶图案168b。该遮光层162由诸如铬Cr、氧化铬CrOx等金属形成，并且局部透光层164由硅化钼MoSix等形成。当形成第一和第二光刻胶图案168a、168b时，形成的第一和第二光刻胶图案168a、168b的台阶部分具有一定坡度。因此，即使在经过灰化和蚀刻工序后还剩有残余的光刻胶材料169。以这种方式留下的光刻胶材料169导致后来形成的图案不均匀。因此，该不均匀的图案降低了该显示器件制造工序的精度。

对于通过采用如图2所示的现有半色调掩模260形成光刻胶图案PR的另一种情况以及对于形成如上所述的薄膜晶体管的情况也会发生该问题。

图2所示为当通过采用现有半色调掩模形成光刻胶图案时更详细表示存在问题的示图。

参照图2，要形成光刻胶图案的台阶差异部分是对应于遮光图案部分262和半色调图案部分264的边界部分的W1区域和W2区域的边界部分。但是，如果采用具有单层结构的半色调图案部分264的现有半色调掩模形成光刻胶图案PR，该光刻胶PR的台阶差异部分会产生坡度，从而形成台阶差异宽度变宽的W2区域。以这种方式粗略地形成光刻胶图案的台阶差异宽度W2部分在灰化工序后不能被去除，从而降低了要形成的信号和电极图案的均匀性和准确性。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种用于防止残留光刻胶图案的半色调掩模及其制造方法。

而且，本发明的另一目的在于提供一种适用于通过采用该半色调掩模提高信号和电极图案均匀性和准确性的显示器件制造方法。

为了实现本发明的这些和其它目的，根据本发明一方面的半色调掩模包括局部形成于透明衬底上的遮光图案；局部形成于透明衬底上的第一半色调透光图案；以及形成于第一半色调透光图案上的第二半色调透光图案，其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，在所述第二半色调透光图案和遮光图案之间存在间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

根据本发明的另一方面的半色调掩模制造方法包括步骤：在透明衬底上局部形成遮光图案；在透明衬底上局部形成第一半色调透光图案；并在第一半色调透光图案上形成第二半色调透光图案，其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

根据本发明又一方面的半色调掩模制造方法包括对在透明衬底上的遮光层进行构图来形成遮光图案，以局部暴露透明衬底；在暴露的透明衬底上形成第一半色调透光图案；并在第一半色调透光图案上形成第二半色调透光图案，以局部暴露第一半色调透光图案，其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

根据本发明再一方面的显示器的制造方法包括在基板上形成至少一个要构图的材料层并在要构图的材料层上形成光刻胶层；提供包括用于透射光的透光部分、用于拦截光的遮光图案、用于透射少于入射光量的光的第一半色调透光图案以及形成于透射少于入射光量的光的第一半色调透光层上的第二半色调透光图案的半色调掩模；通过所述半色调掩模对光刻胶曝光；显影光刻胶层以在所述基板上形成光刻胶图案，其中所述光刻胶图案具有三个不同高度；并通过采用光刻胶图案的蚀刻工序和灰化工序对即要构图的层进行构图，其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成有间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

根据本发明另一方面的半色调掩模包括局部形成于透明衬底上的遮光部分；以及局部形成于透明衬底上的半色调透光图案，所述透光图案具有台阶结构，其中所述台阶结构包括上部和下部，所述上部的宽度比所述下部的宽度窄，在所述上部和所述遮光部分之间存在间隙，在所述间隙处暴露所述下部。

附图说明

通过参照附图对实施方式进行详细描述将使本发明变得更加显而易见，其中

图1A和1B所示为现有技术薄膜晶体管的截面图，并示出在制造现有技术薄膜晶体管基板时通过采用半色调掩模制造的部分；

图2所示为通过采用现有技术半色调掩模形成光刻胶图案的示意图；

图3所示为根据本发明实施方式的半色调掩模的截面示意图；

图4所示为通过采用图3所示的半色调掩模形成光刻胶图案的示意图；

图5A到5H所示为图3所示半色调掩模的制造工序示意图；

图6A和6B所示为根据本发明实施方式通过采用半色调掩模的四轮掩模工序制造的薄膜晶体管基板的平面结构和截面结构的示意图；

图7A到7F所示为图6A和6B所示的薄膜晶体管基板四轮掩模工序的示意图。

具体实施方式

现在要详细说明本发明的最佳实施方式，所述实施方式的实施例示于附图中。

图3到图5H为用于说明根据本发明实施方式的半色调掩模的示意图。图3到图5H所示的区域不是整个半色调掩模，而是存在具有台阶结构的半色调透光部分的区域。因此，诸如遮光部分和全曝光区域的其它区域可以根据用于该工序掩模的结构而改变。

参照图3，半色调掩模860包括局部形成于透明衬底866上的遮光图案862；局部形成于透明衬底上的第一半色调透光图案864；以及形成于第一半色调透光图案864上的第二半色调透光图案865。

这里，透明衬底866由透明石英SiO₂形成。该遮光图案862由诸如铬Cr、氧化铬CrOx等金属形成，并且第一和第二半色调透光图案864和865由氧化铬、硅化钼、钽类物质形成。这里，遮光图案862比第一和第二半色调透光图案864和865具有较低的透光率。而且，在第一半色调透光图案864上形成比第一半色调透光图案864窄的第二半色调透光图案865。此外，半色调透光层的透光率由构成第一和第二半色调透光图案864和865材料的成分比率和厚度决定。但是，第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865重叠的部分具有比仅形成有第一半色调透光图案864的部分低的透光率。例如，假设制造半色调掩模使得第一半色调透光图案864的透光率为50％并且第二半色调透光图案865的透光率为20％。那么，第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865重叠的部分的透光率变为10％(10＝0.5*0.2*100/100)，在第二半色调透光图案865和遮光图案862之间的间隙仅形成有一半色调透光图案864的透光率变为50％。因此，如图4所示，在间隙(W4区域)处通过第一半色调透光图案864形成的光刻胶PR图案比通过第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865重叠的部分形成的光刻胶PR图案低。因此，通过第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865重叠的部分形成的光刻胶PR图案的边界部分与仅通过第一半色调透光图案864形成的光刻胶PR图案，即，W4区域和W3区域的边界部分具有陡的坡度台阶差异。因此，这可以解决由于在采用包括具有单层结构的半色调透光部分的现有技术掩模时形成具有缓坡度台阶的光刻胶而产生的问题。也就是说，如果使用根据本发明实施方式的半色调掩模，由于W4区域和W3区域的边界部分的台阶差异具有陡的坡度，因此在经过灰化工序和蚀刻工序后不会在边界处残留剩余的光刻胶材料。因此，可以改善信号和电极图案的均匀性并提高显示器件制造工序的精度。

可以将第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865形成为相同的透光率，也可以如上述实施例所述形成不同的透光率。此外，第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865可以由相同或者不同的材料构成并可以一体形成。通过控制第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865的高度和材料，可以在W4区域获得所需的光刻胶深度。

以下将参照图5A到图5H说明根据本发明实施方式的半色调掩模860的制造工序。首先，如图5A所示，在透明衬底866上通过诸如旋转涂敷、溅射等方法沉积遮光层形成材料和抗蚀剂材料。因此，形成遮光层877和第一抗蚀剂层830。这里，抗蚀剂材料为与电子束发生反应的电子束抗蚀剂材料，并且为负型，即，通过显影溶液去除电子束没有照射的区域。如图5B所示，在电子束选择性照射以这种方式形成的第一抗蚀剂层830后显影该第一抗蚀剂层830，形成第一抗蚀剂图案830A。而且，在没有照射电子束的部分暴露遮光层形成材料从而通过显影溶液去除该抗蚀剂材料。

通过采用第一抗蚀剂图案830A作为掩模的湿法蚀刻去除暴露的遮光层形成材料。随后，如图5C所示，分布第一半色调透光材料以形成第一半色调透光层878。然后，如图5D所示，通过提升(lift-off)工序同时去除第一抗蚀剂图案830A和其上的第一半色调透光材料，从而形成第一半色调透光图案864。

如图5E所示，在形成有第一半色调透光图案864的衬底上通过诸如旋转涂敷、溅射等方法分布抗蚀剂材料830后，选择性照射电子束。如图5F所示，在如上所述照射电子束后执行显影时，形成第二抗蚀剂图案830B。随后，如图5G所示，分布第二半色调透光材料879。如图5H所示，通过提升工序去除第二抗蚀剂图案830B和其上的第二半色调透光材料，从而形成第二半色调透光图案865。因此，将根据本发明实施方式的半色调透光图案形成为包括第一和第二半色调透光图案864和865的台阶结构。除了与电子束反应的材料以外，该抗蚀剂材料还可以是与光反应的材料。

在以下薄膜晶体管基板的制造工序中将清楚地显示出通过采用包括根据本发明实施方式的由台阶结构构成的半色调透光图案的半色调掩模产生的效果。

图6A和图6B所示为通过四轮掩模工序制造的薄膜晶体管基板的平面图和截面图。

图6A和图6B所示的薄膜晶体管基板包括形成于基板142上彼此交叉的栅线102和数据线104，在二者之间设置有栅绝缘膜144；形成于各交叉部分的薄膜晶体管106；以及形成于由交叉结构提供的单元区域的像素电极118。而且，该薄膜晶体管基板包括形成于像素电极118和前级栅线102重叠部分的存储电容120；连接到栅线102的栅焊盘126；以及连接到数据线104的数据焊盘134。

薄膜晶体管106响应于施加给栅线102的扫描信号接收施加给数据线104的像素信号，该像素信号用于施加给像素电极118。薄膜晶体管106包括连接到栅线102的栅极108；连接到数据线104的源极110；连接到像素电极116的漏极112；以及与栅极108重叠并在源极110和漏极112之间形成沟道的有源层114。

与源极110和漏极112重叠并包括源极110和漏极112之间的沟道部分的有源层114还与数据线104、数据焊盘下电极136和存储电极122重叠。在有源层114上还形成要与数据线104、源极110、漏极112、数据焊盘下电极136和存储电极122实现欧姆接触的欧姆接触层148。

像素电极118通过贯穿钝化膜150的第一接触孔116与薄膜晶体管106的漏极112连接。该像素电极118通过在其上施加的像素信号与形成于上基板(未示出)的公共电极产生电势差。该电势差导致位于薄膜晶体管基板和上基板之间的液晶由于介电各向异性而旋转，从而向上基板发射从光源(未示出)经过像素电极118入射的光。

该存储电容120包括前级栅线102；与栅线102重叠的存储上电极122，在二者之间设置有栅绝缘膜144、有源层114和欧姆接触层148；以及与存储上电极122重叠的像素电极118，在二者之间设置有钝化膜150，并且该像素电极118通过贯穿钝化膜150的第二接触孔124与该存储上电极122连接。该存储电容120稳定保持施加在像素电极118上的像素信号，直到充入下一像素信号。

栅线102通过栅焊盘126与栅驱动器(未示出)连接。栅焊盘126包括延伸自栅线102的栅焊盘下电极128以及通过贯穿栅绝缘膜144和钝化膜150的第三接触孔130与栅焊盘下电极128连接的栅焊盘上电极132。

数据线104通过数据焊盘134与数据驱动器(未示出)连接。该数据焊盘134包括延伸自数据线104的数据焊盘下电极136以及通过贯穿钝化膜150的第四接触孔138与数据焊盘下电极136连接的数据焊盘上电极140。

下面结合图7A到图7F通过四轮掩模工序详细说明具有该结构的薄膜晶体管基板的制造方法。

参照图7A，通过第一掩模工序在下基板142上形成包括栅线102、栅极108和栅焊盘下电极128的栅图案。

更具体地，通过诸如溅射方法的沉积方法在下基板142上形成栅金属层。随后，通过采用第一掩模的光刻工序和蚀刻工序对该栅金属层构图，从而形成包括栅线102、栅极108和栅焊盘下电极128的栅图案。在单层或者双层结构中使用铬Cr、钼Mo、铝Al族金属作为栅金属。

参照图7B，在形成栅图案的下基板142上分布栅绝缘膜144。而且，通过第二掩模工序在栅绝缘膜144上顺序形成包括有源层114和欧姆接触层148的半导体图案、以及包括数据线104、源极110、漏极112、数据焊盘下电极136和存储电极122的源/漏图案。

更具体地，通过诸如PECVD、溅射等沉积方法在形成有栅图案的下基板142上顺序形成栅绝缘膜144、非晶硅层114a、n+非晶硅层148a和源/漏金属层112a。这里，使用由氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx构成的无机绝缘材料作为栅绝缘膜144的材料。使用钼Mo、钼合金等作为源/漏金属。

在源/漏金属112a上分布光刻胶360，并在分布有光刻胶360的薄膜晶体管基板142上部对准第二掩模。通过采用第二掩模的光刻工序形成光刻胶图案361。采用在薄膜晶体管的沟道部分具有双层结构的半色调透光图案864、865的半色调860a作为第二掩模，因此沟道部分的光刻胶图案361b具有比其它光刻胶图案361a低的高度。

更具体地，用作第二掩模的半色调掩模860a包括局部形成于透明衬底866上的遮光图案862；局部形成于透明衬底866上的第一半色调透光图案864；以及在第一半色调透光图案864上形成的第二半色调透光图案865。

这里，遮光图案862位于要形成栅图案的区域以阻截紫外光UV，从而在显影后留下第一光刻胶图案361a。第一和第二半色调透光图案864、865位于要形成存储下电极的区域以局部照射紫外光UV，从而在显影后剩下低于第一光刻胶图案361a的第二光刻胶图案361b。此时，如图7C所示，在第一光刻胶图案361a和第二光刻胶图案361b的边界部分形成低于第二光刻胶图案361b的抗蚀剂图案361c。原因在于所制造的半色调掩模860a的第二半色调透光图案865在比所述第一半色调透光图案864更窄的区域中形成。因此，第一半色调透光图案864和第二半色调透光图案865的重叠区域具有比仅由第一半色调透光图案864形成的部分更低的透光率。形成于槽中的光刻胶图案368C具有比现有技术形成的图案更陡坡度的台阶差异部分。因此，在灰化工序后不会剩下残留的光刻胶，从而防止形成不均匀的薄膜晶体管基板图案。

随后，通过采用光刻胶图案361的湿法蚀刻工序对源/漏金属层构图，从而形成包括数据线104、源极110、与源极110一体的漏极112的源/漏金属图案和存储电极122。

随后，通过采用同样光刻胶图案361的干法蚀刻工序同时对n+非晶硅层和非晶硅层构图，从而形成欧姆接触层148和有源层114。

然后，在通过灰化工序去除沟道部分具有相对较低高度的光刻胶361b、361c以后通过干法蚀刻工序蚀刻欧姆接触层148和沟道部分的源/漏图案。因此，如图7D所示，暴露沟道部分的有源层114以分离源极110和漏极112。

随后，通过剥离工序去除残留在源/漏图案上的光刻胶图案。

参照图7E，在形成有源/漏图案的栅绝缘膜144上通过第三掩模工序形成包括第一到第四接触孔116、124、130和138的钝化层。

更具体地，通过诸如PECVD、旋转涂敷等方法在形成有源/漏图案的栅绝缘膜的整个表面上形成钝化膜150。随后，通过采用第三掩模的光刻工序和蚀刻工序对该钝化膜150构图。从而形成第一到第四接触孔116、124、130和138。形成贯穿钝化膜150的第一接触孔116以暴露漏极112，并形成贯穿钝化膜150的第二接触孔124以暴露存储上电极122。形成贯穿钝化膜150和栅绝缘膜144的第三接触孔130以暴露栅焊盘下电极128，并形成贯穿钝化膜150的第四接触孔138以暴露数据焊盘下电极136。

将与栅绝缘膜144相同的无机绝缘材料或者将诸如具有低介电常数的PFCB、BCB或者丙烯酸有机化合物的有机绝缘材料用作该钝化膜150的材料。

参照图7F，通过第四掩模工序在钝化膜150上形成包括像素电极118、栅焊盘上电极132和数据焊盘上电极140的透明导电图案。

通过诸如溅射等沉积方法在钝化膜上分布透明导电层。随后，通过采用第四掩模的光刻工序和蚀刻工序对该透明导电层构图，从而形成包括像素电极118、栅焊盘上电极132和数据焊盘上电极140的透明导电图案。该像素电极118通过第一接触孔116与漏极112连接并通过第二接触孔与和前级栅线102重叠的存储上电极122连接。栅焊盘上电极132通过第三接触孔130与栅焊盘下电极128连接，并且数据焊盘上电极140通过第四接触孔138与数据焊盘下电极136连接。这里，将氧化铟锡ITO用作透明导电层的材料。

该半色调掩模除了应用于四轮掩模工序外，还可以应用于三轮掩模工序，在由申请人申请的韩国专利Nos.10-2002-1121054、10-2003-0012320和10-2003-0002072中通过采用半色调掩模执行三轮掩模工序。

如上所述，根据本发明实施方式的半色调掩模具有台阶结构的半色调透光图案。第一半色调透光图案和第二半色调透光图案的重叠部分的透光率低于仅由第一半色调透光图案形成的部分的透光率，从而相应地形成陡坡度的光刻胶图案的台阶差异。

因此，在制造显示器件的过程中，没有残留的光刻胶剩余从而可以提高显示器件的信号和电极图案的精度和均匀性。

尽管已经通过附图所示的实施方式对本发明进行了说明，但是应该理解，对于熟悉本领域的普通技术人员来说，本发明不限于这些实施方式，在不脱离本发明精神的情况下可以对本发明进行各种变型和改进。因而，只有通过所附权利要求以及等效物才能限定本发明的范围。

Claims (27)

1.一种半色调掩模，包括：

局部形成于透明衬底上的遮光图案；

局部形成于透明衬底上的第一半色调透光图案；以及

形成于第一半色调透光图案上的第二半色调透光图案，

其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，

在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间存在间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

2.根据权利要求1所述的半色调掩模，其特征在于，所述第二半色调透光图案位于所述第一半色调透光图案上部。

3.根据权利要求2所述的半色调掩模，其特征在于，所述第二半色调透光图案部分形成于所述第一半色调透光图案上部。

4.根据权利要求1所述的半色调掩模，其特征在于，沉积有所述第一和第二半色调透光图案的区域透光率高于所述遮光图案区域的透光率。

5.根据权利要求1所述的半色调掩模，其特征在于，暴露所述第一半色调掩模的区域的透光率高于所述第一和第二半色调透光图案重叠区域的透光率。

6.根据权利要求1所述的半色调掩模，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率相同。

7.根据权利要求1所述的半色调掩模，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率不同。

8.一种半色调掩模的制造方法，包括步骤：

在透明衬底上局部形成遮光图案；

在透明衬底上局部形成第一半色调透光图案；以及

在第一半色调透光图案上形成第二半色调透光图案，

其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，

所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在第一半色调透光图案上形成第二半色调透光图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在所述第一半色调透光图案上局部形成第二半色调透光图案。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，沉积有所述第一和第二半色调透光图案的区域的透光率高于所述遮光图案区域的透光率。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，暴露所述第一半色调掩模区域的透光率高于所述第一和第二半色调透光图案重叠区域的透光率。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率相同。

14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率不同。

15.一种半色调掩模的制造方法，包括步骤：

对在透明衬底上的遮光层进行构图来形成遮光图案，以局部暴露该透明衬底；

在暴露后的透明衬底上形成第一半色调透光图案；以及

在第一半色调透光图案上形成第二半色调透光图案，以局部暴露第一半色调透光图案，

其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，

所述形成第二半色调透光图案的步骤包括在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述对遮光层构图的步骤包括：

通过在所述透明衬底上顺序沉积遮光材料和抗蚀剂材料在所述透明衬底上沉积遮光层和第一抗蚀剂层，所述抗蚀剂材料与电子束和光其中之一发生反应；

通过向所述第一抗蚀剂层照射电子束和光其中之一形成第一抗蚀剂图案，执行显影工序然后对该第一抗蚀剂层构图；以及

通过采用第一抗蚀剂图案蚀刻所述遮光层，从而局部暴露所述透明衬底。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，形成所述第一半色调透光图案的步骤包括：

在所述第一抗蚀剂图案和暴露后的透明衬底上形成第一半色调透光图案；并且

去除第一抗蚀剂图案和其上的第一半色调透光图案。

18.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述形成第二半色调透光图案的步骤包括：

在所述透明衬底上形成抗蚀剂材料，从而在所述遮光层和第一半色调透光图案上形成第二抗蚀剂层；

形成与第一半色调透光图案局部接触的第二半色调抗蚀剂图案；

在第一半色调透光图案和第二抗蚀剂图案上形成第二半色调透光图案；并且

去除所述第二抗蚀剂图案和其上的第二半色调透光图案，以局部暴露所述第一半色调透光图案。

19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，沉积有所述第一和第二半色调透光图案的透光率高于所述遮光层的透光率。

20.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，暴露所述第一半色调掩模的区域的透光率高于沉积有第一和第二半色调透光图案的区域的透光率。

21.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率相同。

22.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一半色调透光图案的透光率与所述第二半色调透光图案的透光率不同。

23.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述抗蚀剂材料为仅保留暴露于电子束部分的电子束抗蚀剂材料。

24.一种显示器件的制造方法，包括步骤：

在基板上形成至少一个要构图的材料层并在该要构图的材料层上形成光刻胶层；

提供包括用于透射光的透光部分、用于拦截光的遮光图案、用于透射少于入射光量的光的第一半色调透光图案以及形成于透射少于入射光量的光的第一半色调透光层上的第二半色调透光图案的半色调掩模；

通过所述半色调掩模对光刻胶曝光；

显影光刻胶层以在所述基板上形成光刻胶图案，其中所述光刻胶图案具有三个不同高度；以及

通过采用光刻胶图案的蚀刻工序和灰化工序对所述要构图的层进行构图，

其中所述第二半色调透光图案的宽度比所述第一半色调透光图案的宽度窄，

在所述第二半色调透光图案和所述遮光图案之间形成有间隙，在所述间隙处暴露所述第一半色调透光图案。

25.一种半色调掩模，包括：

局部形成于透明衬底上的遮光部分；以及

局部形成于透明衬底上的半色调透光图案，所述透光图案具有台阶结构，

其中所述台阶结构包括上部和下部，所述上部的宽度比所述下部的宽度窄，

在所述上部和所述遮光部分之间存在间隙，在所述间隙处暴露所述下部。

26.根据权利要求25所述的半色调掩模，其特征在于，所述上部和下部由相同材料构成。

27.根据权利要求25所述的半色调掩模，其特征在于，所述上部和下部由不同材料构成。

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