CN1855711B - 压电薄膜谐振器和具有其的滤波器 - Google Patents

压电薄膜谐振器和具有其的滤波器 Download PDF

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Abstract

压电薄膜谐振器和具有其的滤波器。压电薄膜谐振器包括置于基板上的下电极、置于下电极上的压电薄膜，以及置于压电薄膜上的上电极。由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状，并且，下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧。

Description

压电薄膜谐振器和具有其的滤波器
技术领域
本发明总体上涉及压电薄膜谐振器和滤波器，更具体地，涉及这样的压电薄膜谐振器和具有其的滤波器，即，其中，在具有椭圆形状的区域中设置有相互交叠的上电极和下电极并在其间夹着压电薄膜。
背景技术
随着如以移动电话为代表的高频无线装置的快速扩展，更加需要体积小且重量轻的高频滤波器，以用于900MHz到5GHz的高频频带中。在上述领域使用主要包括表面声波器件的滤波器。然而，如今，注意力集中于压电薄膜谐振器和具有其的滤波器上，因为该器件具有卓越的高频特性，可以小型化，并且可以制造到单块基板上。
压电薄膜谐振器例如包括膜体声波谐振器(FBAR)和固体安装谐振器(SMR)。在日本特开昭No.60-189307的图1和图2中公开了一种FBAR型压电薄膜谐振器(下文中，称为传统技术1)。下电极、用作压电薄膜的ZnO膜、以及上电极形成在其两个表面上都具有氧化硅膜的硅基板上。在其中上电极和下电极相互交叠并且夹着压电薄膜的区域(下文中，称为隔膜区域)下方，在基板中设置有一空隙(space)以包括隔膜区域。根据传统技术1，贯通基板设置有通孔。该通孔是通过从硅基板的底表面进行湿法刻蚀来形成的。
日本特开No.2003-204239中公开了另一种压电薄膜谐振器(下文中，称为传统技术2)。通过干法刻蚀硅基板，在下电极下方设置了通孔。在传统技术1的图3和图4和日本特开No.2000-69594中公开了又一种压电薄膜谐振器(下文中，称为传统技术3)。在隔膜区域下方设置了一空腔，作为基板中的空隙，以代替通孔。
当在FBAR型压电薄膜谐振器中的上电极与下电极之间施加高频电信号时，隔膜区域中的夹在上电极与下电极之间的压电薄膜以反压电效应激励出弹性波。同时，压电效应将该弹性波造成的畸变转变成电信号。分别与空气相接触的上电极表面和下电极表面全反射弹性波。在使上电极、压电薄膜、以及下电极的总膜厚等于弹性波的1/2波长的整数倍的频率下发生谐振。通过基于膜厚控制谐振频率，可获得具有希望频率特性的压电薄膜谐振器或滤波器。由于弹性波的谐振发生在隔膜区域中，所以优选的是，把隔膜区域包括在基板中的所述空隙内。
SMR型压电薄膜谐振器具有这样的结构，即，其中以弹性波的1/4波长的膜厚来交替淀积具有高声阻的膜和具有低声阻的膜，以将其用作代替基板中的所述空隙的声反射膜。
如日本特开No.2004-312611所公开的，存在这样的压电薄膜谐振器(下文中，称为传统技术4)，其包括具有矩形形状的隔膜区域、被设置得包括隔膜区域的下电极，以及具有矩形形状的通孔。此外，如日本特开No.2002-223144所公开的，存在这样的压电薄膜谐振器(下文中，称为传统技术5)，其包括具有矩形形状的隔膜区域、被设置得包括隔膜区域的下电极，以及具有矩形形状的空腔。
然而，在传统技术1、传统技术2、以及传统技术3中存在的问题在于，谐振特性和滤波特性随制造过程引起的变化而改变。另外，传统技术4和传统技术5中存在的其它问题在于，谐振特性和滤波特性劣化了。此外，传统技术1到5都存在低可靠性的共同问题。而且，如果进一步改进谐振特性和滤波特性，则将改变谐振特性和滤波特性，并将降低可靠性。
发明内容
本发明鉴于上述情况而提出，并且提供了这样一种压电薄膜谐振器和具有其的滤波器，即，其减小了谐振特性和滤波特性的变化，并且提高了可靠性。
根据本发明的一个方面，优选地，提供了一种压电薄膜谐振器，其包括：置于基板上的下电极；置于下电极上的压电薄膜；以及置于压电薄膜上的上电极。由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状；下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧；并且所述下电极被设置为不与所述上电极的引出电极交叠。根据本发明，隔膜区域不仅由下电极的引出电极保持，而且由延伸部分保持，使得可以抑制隔膜区域的劣化。另外，隔膜区域具有椭圆形状，使得可以将应力均匀地施加到隔膜区域的周缘。这也抑制了隔膜区域的劣化，并且减小了谐振特性的变化。因此，可以提供谐振特性变化减小的高度可靠的压电薄膜谐振器。
根据本发明的另一方面，优选地，提供了一种压电薄膜谐振器，其包括：置于基板上的下电极；置于下电极上的压电薄膜；置于压电薄膜上的上电极；以及置于上电极上的中心频率调节膜。中心频率调节膜被设置得大于隔膜区域，并且包括该隔膜区域，在该隔膜区域中，上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间。根据本发明，提高了隔膜区域中的粘合度，由此抑制了隔膜区域的劣化。这使得可以提供一种高度可靠的压电薄膜谐振器。
根据本发明的又一方面，优选地，提供了一种具有多个压电薄膜谐振器，每个压电薄膜谐振器都包括：置于基板上的下电极；置于下电极上的压电薄膜；以及置于压电薄膜上的上电极，其中：由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状；下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧；并且所述下电极被设置为不与所述上电极的引出电极交叠。
附图说明
参照附图，详细说明本发明的优选实施例，其中：
图1A和图1B示意性地示出了传统技术的上电极与下电极之间的位置关系；
图2A到图2C是例示根据本发明第一实施例的压电薄膜谐振器的结构的视图；
图3A和图3B示出了根据本发明第一实施例的上电极和下电极；
图4A到图4C示出了根据本发明第一实施例的隔膜区域、下电极、以及基板空隙的排布；
图5A和图5B示出了对比示例1的上电极和下电极；
图6是示出本发明第一实施例中和对比示例1中采用的谐振器的插入损耗与频率之间关系的曲线图；
图7A到图7C示出了本发明第一实施例中采用的谐振器的变型示例；
图8A到图8C示出了根据本发明第二实施例的隔膜区域和中心频率调节膜；
图9示出了根据本发明第二实施例的梯型滤波器的结构；
图10是示出根据第一实施例、第二实施例、以及对比示例2制成的梯型滤波器的运行寿命与施加功率之间关系的曲线图；以及
图11是示出根据本发明第二实施例制成的梯型滤波器的最小插入损耗与中心频率调节膜的厚度之间关系的曲线图。
具体实施方式
首先，对传统技术中的问题的原因进行说明，该原因已由本发明的发明人发现。图1A示意性地示出了传统技术1到3中使用的谐振器的上电极30、下电极32、以及置于基板表面上的空隙区域44。上电极30和下电极32实际上相交叠，然而将上电极30上移，以便于更好地理解其形状。上电极30由隔膜区域30a和引出电极30b组成。下电极32由隔膜区域32a和引出电极32b组成。除了引出电极30b和32b之外，上电极30和下电极32大体上具有相同的结构。隔膜区域由30a和32a表示。
隔膜区域30a和32a包括在空隙区域44中，并且仅由上电极30的引出电极30b和下电极32的引出电极32b保持。因此，隔膜区域30a和32a容易劣化，由此降低可靠性。如果由于制造过程期间引起的变化而导致上电极30和下电极32未对准，则将改变隔膜区域30a和32a的面积，并且将改变谐振器的电容值。这还会改变谐振器的阻抗。上述原因会降低谐振器的可靠性，并且会极大地改变谐振特性或滤波特性。
图1B示意性地示出了传统技术4和5中使用的谐振器的上电极34、下电极36、以及基板表面上的空隙区域44。上电极34由隔膜区域34a和引出电极34b组成。下电极36由隔膜区域36a、引出电极36b、以及延伸部分36c组成。如上所述，除了传统技术1到3的上述结构之外，传统技术4和5中使用的谐振器另外还包括下电极36的延伸部分36c。
因此，即使上电极34和下电极36未对准，隔膜区域30a和32a的面积也几乎不变。这减小了谐振器的电容值变化，该电容值变化是在制造过程期间引起的。然而，由标号38表示的区域被增加到原隔膜区域并形成寄生电容，这导致了机电耦合系数的劣化。这还劣化了谐振特性或滤波特性。
尽管隔膜区域34a和36a都包括在空隙区域44中，但是隔膜区域34a和36a不仅由上电极34的引出电极34b、下电极36的引出电极36b、以及压电薄膜保持，而且由下电极36的延伸部分36c保持。这抑制了隔膜区域34a和36a的劣化。
可是，利用这种结构，对于抑制隔膜区域的劣化而言效果还不够。这是因为，应力未被均匀地施加给具有矩形形状或多角形形状的隔膜区域的角部40和42以及侧边，从而隔膜区域容易产生畸变。集中在隔膜区域的角部40和42的应力会劣化隔膜区域并降低可靠性。另外，这种畸变的隔膜区域会增大谐振特性或滤波特性的变化。
此外，根据本发明的发明人进行的研究，已发现施加给压电薄膜的压应力将改进压电特性，增大机电耦合系数，并增强谐振特性和滤波特性。为了实现上述效果，优选的是，压应力应当等于或负于例如-100MPa。这里，负号表示施加的是压应力。尽管膜厚随材料的声速而改变，但在将压电薄膜用于从900MHz到5GHz的高频应用时，压电薄膜薄为0.3μm到3μm。如前所述，当采用薄的且具有负的大压应力的压电薄膜时，隔膜区域畸变更大。由于这种劣化的隔膜区域会进一步降低可靠性，并且会极大地改变谐振特性和滤波特性。
为了解决上述问题，下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。
[第一实施例]
图2A到图2C是例示根据本发明第一实施例的压电薄膜谐振器的结构的视图。图2A是根据本发明第一实施例的压电薄膜谐振器的顶视图。图2B是沿图2A中所示的A-A线截取的横截面视图。图2C是沿图2A中所示的B-B线截取的横截面视图。下电极12置于硅基板10上。压电薄膜14置于下电极12上。上电极16置于压电薄膜14上。隔膜区域22对应于其中上电极16和下电极12相互交叠以夹着压电薄膜14的区域。部分地去除了置于下电极12上的压电薄膜14，并且形成了用于连接的孔。与隔膜区域22具有相同尺寸的空隙18形成为基板10的表面上的通孔。设置有绝缘膜制成的中心频率调节膜20，用于调节隔膜区域22上的中心频率。
接下来，对根据本发明第一实施例的压电薄膜谐振器的制造方法进行说明。首先，通过溅射在硅基板10上淀积钌(Ru)膜，作为下电极12。此时，在下电极12下方由铬(Cr)膜形成了未示出的止蚀层，以在基板中形成通孔。接着，通过利用常用的光刻法和刻蚀技术来去除给定区域，以形成下电极12。通过溅射分别淀积用作压电薄膜14的氮化铝膜和用作上电极16的钌(Ru)膜。接着，通过利用常用的光刻法和刻蚀技术来去除给定区域，以形成上电极16。通过溅射淀积用作中心频率调节膜20的氧化硅膜。接着，通过利用常用的光刻法和刻蚀技术来去除给定区域，以形成中心频率调节膜20。
最后，通过利用常用的光刻法和刻蚀技术在硅基板10的背面形成抗蚀剂图案，以在干法刻蚀过程期间形成通孔。对硅基板10进行干法刻蚀，以形成用作基板10的空隙18的通孔。在干法刻蚀过程期间，交替重复利用SF6进行刻蚀和利用C4F8形成侧壁保护膜的步骤。这使得可以形成具有与硅基板10的表面大体上垂直的侧壁形状的空隙18。
图3A和图3B示出了上电极16和下电极12。图3A和图3B并排示出以便于更好地理解上电极16和下电极12的形状。上电极16由隔膜区域16a和引出电极16b组成。下电极12由隔膜区域12a、引出电极12b、以及一个或更多个延伸部分12c组成。隔膜区域12a和16a对应于隔膜区域22。设置引出电极12b和16b，以从隔膜区域12a和16a引出电信号。
隔膜区域12a和16a，即，隔膜区域22，具有椭圆形状。下电极12包括延伸部分12c，延伸部分12c置于其中未设有下电极12的引出电极12b和上电极16的引出电极16b的区域中的隔膜区域22的外侧。换句话说，在其中未设有下电极12的引出电极12b和上电极16的引出电极16b的区域中，下电极12的外形包括上电极16。
下电极12包括宽于隔膜区域22的延伸部分12c。因此，即使在制造过程期间下电极12和上电极16失对准，隔膜区域22的面积实际上也不会改变。从而，可以在不改变隔膜区域的电容值的情况下，减小谐振特性或滤波特性的变化。因此，可以以高生产率制造谐振器和滤波器。
由于下电极12还被设置到其中未设有引出电极12b和引出电极16b的区域中的隔膜区域22的外侧，所以没有诸如图1B中所示由标号38指示区域的区域。因此，未施加寄生电容。这可以防止谐振特性或滤波特性的劣化。这样，优选的是，延伸部分12c不应置于其中上电极16的引出电极16b交叠延伸部分12c的区域中。然而，即使引出电极16b交叠延伸部分12c，也可获得其它效果。
隔膜区域22还由引出电极12b和16b、压电薄膜14、以及延伸部分12c保持。因此，这种结构可以抑制隔膜区域22的劣化。而且，隔膜区域22具有椭圆形状，并且不包括图1A和图1B所示的角部40和42。因而，应力被均匀地施加于隔膜区域22的周缘，从而导致隔膜区域22的减小的畸变。这抑制了隔膜区域的劣化，并提高了可靠性。隔膜区域22的这种减小的畸变减小了谐振特性和滤波特性的变化。
当压电薄膜14被形成得薄为0.5μm到3.0μm并且耐受例如等于或负于-100MPa的压应力时，可以抑制隔膜区域22中的劣化，并且可以提高可靠性。隔膜区域22的这种减小的畸变可以减小谐振特性和滤波特性的变化。如前所述，特别是对于谐振器用于针对从900MHz到5GHz的高频的应用并且谐振器包括具有大机电耦合系数且耐受所述压应力的压电薄膜的情况，第一实施例中采用的谐振器产生成其效果，使得可以改进谐振器特性和滤波特性。
在第一实施例中，隔膜区域22具有椭圆形状。然而，隔膜区域22可以具有类似于椭圆或卵形的形状。椭圆形状表示其中应力被均匀地施加到隔膜区域22的周缘的形状。例如，隔膜区域22被构成为，所具有的形状使得相对于隔膜区域22的中心的两个相对侧边的法线形成零度角。
这使得可以把应力均匀地施加在隔膜区域22的周缘上。示例有环形、圆形、以及拉长的环形。
参照图3B，宽度L2大于宽度L1。宽度L2延伸超出下电极12的隔膜区域12a。宽度L2表示下电极12的引出电极12b的宽度。利用这种结构，可以更稳固地保持隔膜区域22，从而导致隔膜区域22的减小的畸变。这抑制了隔膜区域22的劣化，由此提高了可靠性。隔膜区域的这种减小的畸变减小了谐振特性和滤波特性的变化。
图4A到图4C示出了隔膜区域22、下电极12、以及基板的空隙18的排布，基板的空隙18实际上示出了基板的表面上的空隙。图4A示出了隔膜区域22和下电极12。图4B示出了第一实施例中使用的基板的空隙18和下电极12。如图4A和图4B所示，基板的空隙18交叠并包括根据第一实施例的隔膜区域22。然而，如图4C所示，基板的空隙18a可以被形成为大于隔膜区域22，以利用更大的面积包括隔膜区域22。如上所述，优选的是，基板的空隙18应当被形成为包括隔膜区域22，以便使整个隔膜区域22谐振。
如图4C所示，优选的是，下电极12应当包括置于基板空隙的外侧的除引出电极12b之外的部分。利用这种结构，可以更稳固地保持隔膜区域22，由此导致隔膜区域22的减小的畸变。这抑制了隔膜区域22的劣化并提高了可靠性。隔膜区域22的这种减小的畸变减小了谐振特性和滤波特性的变化。
在具有第一实施例中采用的谐振器的滤波器与具有图5A和图5B中所示结构的对比示例之间，比较滤波特性。类似于图3A和图3B，图5A和图5B示出了对比示例1的上电极16和下电极12。在对比示例1中，除了隔膜区域12a和16a之外，对于下电极12和上电极16仅分别设置了引出电极12b和16b。图6是示出第一实施例中和对比示例1中采用的谐振器的插入损耗与频率之间关系的曲线图。第一实施例中采用的谐振器和对比示例1中采用的谐振器表现出几乎相同的滤波特性。
如上所述，根据本发明的第一实施例，可以提供这样一种压电薄膜谐振器，其中未劣化滤波特性，减小了谐振特性和滤波特性的变化，并且提高了可靠性。
图7A到图7C示出了第一实施例中采用的谐振器的变型示例。除了基板中的空隙28a由空腔而非通孔构成之外，在变型示例中，与第一实施例中相同的组件和结构具有相同的标号。空腔可以通过使用常用方法以牺牲层(sacrifice layer)来形成。因而，基板中由空腔构成的空隙28a具有与第一实施例相同的效果。
[第二实施例]
在第二实施例中将说明谐振器的另一示例。第二实施例中采用的谐振器具有其中要形成用作中心频率调节膜20的氧化硅膜的扩大区域。图8A是第一实施例中采用的谐振器的顶视图，未示出中心频率调节膜20。图8B示出了图8A所示谐振器中的中心频率调节膜20的区域。如图8B中所示，中心频率调节膜20仅形成在隔膜区域22中。
图8C示出了根据第二实施例其中形成有中心频率调节膜20a的区域。中心频率调节膜20a形成在除了为接合上电极16和下电极12而设置的窗口之外的区域中。即，中心频率调节膜20a被形成为大于隔膜区域22，以包括隔膜区域22及其周缘。
已经生产出具有第二实施例中所采用的谐振器的梯型滤波器。也就是说，已由多个压电薄膜谐振器制成了滤波器。图9示出了滤波器的结构。串联连接了四个压电薄膜谐振器S1到S4，并且并联连接了三个压电薄膜谐振器P1到P3。这样，梯型滤波器充当带通滤波器。这里，制成了三种梯型滤波器。除了上述具有根据第二实施例制成的谐振器的梯型滤波器之外，还制成了具有第一实施例中采用的谐振器的梯型滤波器，和具有其中未形成有中心频率调节膜20的谐振器的梯型滤波器(下文中，称为对比示例2)。第一实施例的基本结构和第二实施例的基本结构相同，但是，在串联支路谐振器的上电极的上方还设置了附加的Ti膜，以便减小串联支路谐振器的谐振频率并获得带通滤波特性。
利用这三种制成的滤波器，研究了相对于施加功率的运行寿命。图10是示出所述结果的曲线图。根据第一实施例制成的滤波器与对比示例2相比具有更短的运行寿命。另一方面，根据第二实施例制成的滤波器与对比示例2相比具有更长的运行寿命。如上所述，根据第二实施例制成的滤波器具有其中除了隔膜区域之外还形成有中心频率调节膜20的区域。因为在隔膜区域22的周缘处提高了隔膜区域22的粘合度并可防止隔膜区域22发生劣化，所以根据第二实施例制成的滤波器的运行寿命增长了。因而，根据第二实施例，除了第一实施例中获得的效果之外，还可以进一步提高可靠性。换句话说，在隔膜区域22中形成中心频率调节膜20a，并将其形成为包括隔膜区域22的周缘，导致了膜的所述效果。此外，为了实现膜的进一步效果，优选的是，将中心频率调节膜20a形成在隔膜区域22的轮廓(外周)的整个周缘上。
图11是示出根据第二实施例制成的梯型滤波器的最小插入损耗与中心频率调节膜的厚度之间关系的曲线图。优选的是，根据第二实施例制成的滤波器的最小插入损耗应当等于或小于1.0dB。因此，优选的是，中心频率调节膜20a应当具有等于或小于200nm的厚度。如果中心频率调节膜20a具有小于1nm的厚度，则将削弱调节中心频率的功能性。因此，优选的是，中心频率调节膜20a具有从1nm到200nm的厚度。
在第一实施例和第二实施例中，采用氧化硅膜作为中心频率调节膜20和20a。然而，也可以使用氮化硅膜、氧化铝膜、以及氮化铝膜。这使得可以容易地形成中心频率调节膜20和20a，并减小膜质量和膜厚度的变化。
而且，在第一实施例和第二实施例中，压电薄膜14可以由以[002]晶体取向作为主取向轴的氮化铝或氧化锌制成。这使得谐振器可以实现大机电耦合系数。另外，可以使用压电锆钛酸盐(PZT)和钛酸铅(PbTiO3)。
此外，除了钌(Ru)之外，对于上电极和下电极还可以使用铝(Al)、金(Au)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钽(Ta)、铂(Pt)、铑(Rh)、铱(Ir)等。对于基板可以采用硅、玻璃等。
提供了一种压电薄膜谐振器，其包括置于基板上的下电极、置于下电极上的压电薄膜，以及置于压电薄膜上的上电极。由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状；而且，下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧。
在上述压电薄膜谐振器中，还设置到隔膜区域的外侧的下电极的宽度可以大于下电极的引出电极的宽度。根据本发明，可以更稳固地保持隔膜区域，从而减小隔膜区域的畸变。这抑制了隔膜区域的劣化，并进一步提高了可靠性。隔膜区域的这种减小的畸变减小了谐振特性的变化。
根据本发明，已经说明了具有上述压电薄膜谐振器的滤波器。根据本发明，可以提供这样的压电薄膜谐振器和具有其的滤波器，即，两者都具有高可靠性以及谐振特性和滤波特性的减小的变化。
本发明不限于上述实施例，在不脱离本发明的范围的情况下，可以做出其它实施例、变型例以及修改例。
本发明基于2005年4月28日提交的日本特开No.2005-130989，通过引用将其全部公开内容并入于此。

Claims (6)

1.一种压电薄膜谐振器，包括：
置于基板上的下电极；
置于下电极上的压电薄膜；以及
置于压电薄膜上的上电极，
其中：
由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状；
下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧；并且
所述下电极被设置为不与所述上电极的引出电极交叠。
2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，还被设置到隔膜区域的外侧的下电极的宽度大于下电极的引出电极的宽度。
3.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，限定有一空隙区域以包括基板的表面上的隔膜区域。
4.根据权利要求3所述的压电薄膜谐振器，其中，下电极被设置到其中未设有下电极的引出电极的区域中的空隙区域的外侧。
5.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，压电薄膜由以002晶体取向作为主取向轴的氮化铝或氧化锌制成。
6.一种滤波器，具有多个压电薄膜谐振器，每个压电薄膜谐振器都包括：
置于基板上的下电极；
置于下电极上的压电薄膜；以及
置于压电薄膜上的上电极，
其中：
由其中上电极和下电极相互交叠以把压电薄膜夹在其间的区域来限定一隔膜区域，并且该隔膜区域具有椭圆形状；
下电极还被设置到其中未设有上电极的引出电极和下电极的引出电极的区域中的隔膜区域的外侧；并且
所述下电极被设置为不与所述上电极的引出电极交叠。
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