CN1841758A

CN1841758A - 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

Info

Publication number: CN1841758A
Application number: CNA2006100589223A
Authority: CN
Inventors: 宋根圭; 李容旭; 金保成; 洪雯杓
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-03-08
Filing date: 2006-03-08
Publication date: 2006-10-04
Also published as: US20060202200A1; KR20060097967A; TW200637054A; JP2006253682A

Abstract

本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所述有机薄膜晶体管阵列面板包括：基板、设置于基板上的数据线、与数据线相交且包括栅电极的栅线、设置于栅线上且包括暴露数据线的接触孔的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上且通过接触孔电连接到数据线的第一电极、关于栅电极与第一电极相对设置的第二电极、设置于第一和第二电极上且接触第一和第二电极的有机半导体、和设置于有机半导体上的导电阻挡体。

Description

有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)作为下一代显示装置的驱动元件得到了积极的开发。

OTFT包括有机有源层，而非比如Si的无机半导体。OTFT是柔性显示装置中的重要元件，因为有机绝缘材料可以被容易地以纤维或膜的形式在低温通过旋涂或真空蒸镀来沉积。

因为有机绝缘层对于热敏感且可能被常规的制造方法损伤，所以有必要减小工艺条件对有机绝缘层的影响。OTFT的电流特性可能由于在常规的制造方法期间引起的热损伤而降低。

发明内容

本发明提供了一种有机薄膜晶体管阵列面板，其具有形成于有机有源层上包括下绝缘体和上导体的阻挡体。阻挡体可以由绝缘材料制成，该绝缘材料可以被干法处理且可以在低温或室温下沉积。阻挡体在制造工艺中保护有机绝缘层免受损伤且改善了有机TFT的开/关电流比。

本发明还提供了一种制造有机薄膜晶体管阵列面板的方法。

本发明的附加的特征将在以下的说明书中阐述，且一部分将从说明书中显见，或可以通过实施本发明而得知。

本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板，其包括：基板、设置于基板上的数据线、与数据线相交且包括栅电极的栅线、设置于栅线上且包括暴露数据线的接触孔的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上且通过接触孔电连接到数据线的第一电极、关于栅电极与第一电极相对设置的第二电极、设置于第一和第二电极上且接触第一和第二电极的有机半导体、和设置于有机半导体上的导电阻挡体。

本发明还公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：形成数据线；在数据线上沉积层间绝缘层；形成暴露部分的数据线的第一接触孔；在层间绝缘层上形成栅线；在栅线上沉积栅极绝缘层；形成设置于第一接触孔上第二接触孔；形成通过第一和第二接触孔电连接到数据线的源电极；形成像素电极，所述像素电极包括与源电极相对设置的漏电极；在源电极和漏电极上形成有机半导体；以及在有机半导体上形成导电阻挡体。

可以理解前述的总体说明和以下的详细说明是示范性的和解释性的，且旨在提供如权利要求的本发明的进一步的解释。

附图说明

附图被包括以提供本发明的进一步的理解且被引入构成本说明书的一部分，这些附图示出了本发明的实施例，并且与说明部分一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明的有机TFT阵列面板的示范性实施例的平面布局图。

图2是图1所示的有机TFT阵列面板的沿线II-II所取的横截面图。

图3是图1所示的有机TFT阵列面板的沿线III-III所取的横截面图。

图4、6、8、10、12和14是根据本发明的图1、2和3所示的有机TFT阵列面板的制造方法的示范性实施例中的中间步骤的平面布局图。

图5A和5B是图4所示的TFT阵列面板的沿线VA-VA和VB-VB所取的横截面图。

图7A和7B是图6所示的TFT阵列面板的沿线VIIA-VIIA和VIIB-VIIB所取的横截面图。

图9A和9B是图8所示的TFT阵列面板的沿线IXA-IXA和IXB-IXB所取的横截面图。

图11A和11B是图10所示的TFT阵列面板的沿线XIA-XIA和XIB-XIB所取的横截面图。

图13A和13B是图12所示的TFT阵列面板的沿线XIIIA-XIIIA和XIIIB-XIIIB所取的横截面图。

图15是图14所示的TFT阵列面板的沿线XV-XV所取的横截面图。

图16A和16B是分别示出没有上导体和具有上导体的有机TFT的电流特性的曲线图。

具体实施方式

参考附图在其后更加全面地描述本发明，在附图中显示了本发明的实施例，且在说明书中通篇相似的参考标号指示相似的元件。然而，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐释的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开充分，且向那些本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰夸大了层和区域的厚度。

其后，将参考附图详细描述本发明的示范性实施例，使得本发明可以容易地由本领域的技术人员实现。然而，本发明不限于这些示范性实施例，而可以实现为各种形式。

在附图中，为了清晰地示出层和区域的目的而夸大了厚度。如果提到层、膜、区域或板放置在不同的元件上，则其包括了该层、膜、区域、或板直接放置在不同的元件上的情形，以及另一元件设置于它们之间的情形。相反，如果提到一个元件直接放置于另一元件上，则意味着在它们之间没有设置元件。

可以理解虽然术语第一、第二和第三等在这里可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层和/或部分与其他元件、部件、区域、层和/或部分。于是，第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。

在这里可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上”等，来描述一个元件或特征和其它(诸)元件或(诸)特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的取向之外的在使用或操作中的装置的不同取向。例如，如果在图中的装置被翻转，那么被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在其他元件或特征“上方”。于是，示范性术语“下方”可以包含“下方”和“上方”两个取向。装置还可以另外取向(旋转90度或在其它的取向)且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。

这里所使用的术语是只为了描述特别的实施例的目且不旨在限制本发明。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、数字、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排除存在或添加一个或更多其他特征、数字、步骤、操作、元件、组分和/或其组。

参考横截面图示在这里描述了本发明的实施例，该图示是本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如，示出为矩形的注入的区域将通常具有圆角或弯曲的特征和/或在其边缘的注入浓度的梯度，而不是从注入到非注入的二元变化。相似地，由注入形成的埋入区可以引起通过其发生注入的在埋入区和表面之间的区域中的某些注入。于是，图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不旨在示出装置的区域的实际的形状，且不旨在限制本发明的范围。

除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属领域的一般技术人员通常理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在通常使用的字典中定义的术语应解释为一种与它们在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。

可以理解当比如层、膜、区域或基板被称为在另一元件“上”时，其可以直接在其它元件上或还可以存在中间的元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则没有中间元件存在。

现将参考图1、2、和3详细说明根据本发明的示范性实施例的液晶显示器的有机TFT阵列面板。

图1是根据本发明的示范性实施例的有机TFT阵列面板的平面布局图。

图2是图1所示的有机TFT阵列面板的沿线II-II所取的横截面图。图3是

图1所示的有机TFT阵列面板的沿线III-III所取的横截面图。

有机TFT阵列面板包括显示区DA、设置围绕显示区DA的焊垫区PA以及设置于显示区DA和焊垫区PA之间的中间区IA。

包括多条数据线121、多个光阻挡构件174和存储连接178的多个数据导体形成于绝缘基板110上。绝缘基板110可以由透明玻璃、硅树脂或塑料制成。

数据线171传输数据信号且基本在纵向方向上在显示区DA中延伸。每条数据线171包括在显示区DA中的多个突出173，且包括在焊垫区PA中的端部分179，其具有与另一层或外部驱动电路接触的大的面积。用于产生数据信号的数据驱动电路(未显示)可以安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未显示)。FPC可以被贴附到基板110上，直接安装在基板110上，或集成在基板110上。数据线171可以连接到驱动电路，该驱动电路可以集成到基板110上。

光阻挡构件174设置于显示区DA中。

存储连接178传输比如公共电压的预定电压，且在中间区IA中沿纵向方向延伸。

数据导体171、174和178优选地由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Au、Au合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。或者，数据导体171、174、178可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的两层导电膜(未显示)。该两层膜之一可以由比如Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu或Cu合金的低电阻率金属制成以减小信号延迟或电压降。另一层膜可以由比如Mo、Mo合金、Cr、Ta或Ti的材料制成。在另一层膜中的材料应与比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)具有好的物理、化学和电学接触特性或与基板110具有好的粘结力。该两层膜的组合的两个例子是下Cr膜和上Al膜以及下Al合金膜和上Mo合金膜。数据导体171、174、178可以由其它各种金属或导体制成。

数据导体171、174、178可以具有相对于基板110的表面倾斜约30度到约80度的边缘轮廓。

包括下绝缘膜160p和上绝缘膜160q的层间绝缘层160形成于数据导体171、174和178上。下绝缘膜160p可以由比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘体制成。上绝缘膜160q可以由具有好耐久性的有机绝缘体制成，比如聚丙稀、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB，C₁₀H₈)。在示范性实施例中，可以省略下绝缘膜160p或上绝缘膜160q。

层间绝缘层160具有暴露数据线171的端部分179的多个接触孔162、暴露数据线的突出173的多个接触孔163、和暴露存储连接178的多个接触孔168。

包括多条栅线121、多个接触辅助123和多条存储电极线131的多个栅极导体形成于层间绝缘层160上。

栅线121传输栅极信号，且基本在横向方向上在显示区DA中延伸。栅线121包括向上突出且设置于光阻挡构件174上的多个栅电极124。每条栅线121通过中间区IA延伸到焊垫区PA中的端部分129，其具有与另一层或外部驱动电路接触的大的面积。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未显示)可以安装于FPC(未显示)上。FPC膜可以贴附到基板110、直接安装于基板110上、或集成到基板110上。栅线121可以连接到驱动电路，该驱动电路可以集成到基板110上。

接触辅助123通过接触孔163连接到数据线171的突出173。

向存储电极线131提供有预定电压。每条存储电极线131包括主干、多个存储电极133以及端部分138。每条存储电极线131设置于两个相邻的栅线121之间。

主干基本平行于栅线121通过显示区DA延伸到中间区IA。主干设置得接近两条相邻栅线121中靠上的部分。

端部分138设置于中间区IA中，且具有大的面积以通过接触孔168连接到存储连接178。

每个存储电极133从显示区DA中的主干分出。存储电极133和主干形成矩形来界定封闭的区域。存储电极线131可以具有其它各种形状和排列。

栅极导体121、123和131可以由与数据导体171、174和178相同的材料制成。

栅极导体121、123和131的侧面可以具有相对于基板110的表面倾斜约30度到约80度的边缘轮廓。

栅极绝缘层140形成于栅极导体121、123和131上。栅极绝缘层140可以由无机或有机绝缘体制成，且可以具有平坦的表面。栅极绝缘层可以为约0.6微米到约1.2微米厚。

无机绝缘体例如可以包括氮化硅和氧化硅，并且可以具有由十八烷基-三氯代-硅烷(OTS)处理的表面。

有机绝缘体可以为碳氢基聚合物，其可以通过化学气相沉积(CVD)在真空下沉积。实例包括氟系碳化氢、聚对二甲苯、马来酰亚胺苯乙烯、聚乙烯苯酚(PVP)、和改性的氰乙基支链淀粉(m-CEP)。聚对二甲苯特别地具有出色的涂布均匀性，且聚对二甲苯膜的厚度可以被容易地控制在约1000到约几微米之间。聚对二甲苯具有非常低的介电常数，这给予了它出色的绝缘特性。聚合的聚对二甲苯在几乎所有现存的有机溶剂中可溶，且可以在室温沉积以避免热应力。聚对二甲苯膜是环保的，因为其可以通过干法工艺形成而不需使用液态化合物。

栅极绝缘层140具有多个暴露栅线121的端部分129的接触孔141，多个暴露接触孔162的接触孔142、和多个暴露接触辅助123的接触孔143。

多个源电极193、多个像素电极190和多个接触辅助81和82形成于栅极绝缘层140上。这些部分可以由ITO制成，具体而言由非晶ITO或其它比如IZO的透明导体或比如Ag、Al、Au或其合金的反射导体制成。

源电极193经由接触辅助123通过接触孔143和163电连接到数据线171。接触辅助123通过减小由设置于源电极193和数据线171之间的有机层所引起的接触中的缺陷，从而提高了源电极193和数据线171之间的电接触。

每个像素电极190包括关于栅电极124与源电极193相对设置的部分195，其在后被称为漏电极195。漏电极195和源电极193具有彼此面对和基本平行延伸的蜿蜒的边缘。像素电极190重叠栅线121和数据线171来增加开口率。

接触辅助81和82分别通过接触孔141和142连接到栅线121的端部分129和数据线171的端部分179。接触辅助81和82保护端部分129和179，且提高端部分129和179以及外部装置之间的粘结。

多个有机半导体岛154形成于源电极193、漏电极195、和栅极绝缘层140上。有机半导体岛154设置于栅电极124上，且接触源电极193和漏电极195。

有机半导体岛154可以包括不溶的低分子化合物且可以通过比如采用阴影掩模的真空蒸镀的沉积方法来形成。有机半导体岛154可以包括在水溶液或有机溶剂中溶解的高或低分子重量的化合物。在示范性实施例中，有机半导体岛154可以通过采用边坡(bank)(未示出)的喷墨印刷形成。

有机半导体岛154可以由并四苯、具有取代物的并五苯或其衍生物制成。或者，有机半导体岛154可以由包括四到八个在噻吩环上的位置2、5连接的噻吩的寡聚噻吩(oligothiophene)。有机半导体岛154还可以由噻吩烯、聚乙烯或噻吩制成。

栅电极124、源电极193、漏电极195和有机半导体岛154形成了有机TFTQ。有机TFTQ具有形成于设置于源电极193和漏电极195之间的有机半导体岛154中的沟道。

像素电极190接收来自有机TFTQ的数据电压，且与提供有公共电压的相对的显示面板(未显示)的公共电极(未显示)协作产生电场。电场决定了设置于两个电极之间的液晶层(未显示)的液晶分子(未显示)的取向。像素电极190和公共电极形成被称作“液晶电容器”的电容器，其在有机TFT关闭之后存储所施加的电压。

光阻挡构件174设置在栅电极124和有机半导体岛154下以阻挡入射光并防止由光引发的电流。

包括下绝缘体186p和上导体186q的多个阻挡体186形成于有机半导体岛154上。阻挡体186可以具有与有机半导体岛154基本相同的平面形状。

下绝缘体186p可以由绝缘材料制成，该绝缘材料可以被干法处理且在低温或室温下沉积。绝缘材料可以是聚乙烯醇(PVA)或比如氟系碳化氢或聚对二甲苯的碳氢基聚合物。

上导体186q优选地由Al、Mo、Cr、Ti、Ta、Au、Ag、Cu、ITO、IZO、或其合金。上导体186q可以为约500厚或更小来减小应力并防止在下层中的裂纹。

阻挡体186保护有机半导体岛154在制造工艺中免受损伤。上导体186q改善了有机TFT的开/关电流比。

图16A和16B是分别示出没有上导体和具有上导体的有机TFT的电流特性的曲线图。图16A和16B显示了作为栅极电压Vg的函数的以对数坐标的漏极电流Id。图16A和16B显示了有上导体的OTFT具有优于没有上导体的OTFT的电流特性。

多个钝化构件条180形成于有机TFTQ和阻挡体186上。钝化构件180延伸到中间区IA且可以具有平坦的顶表面。钝化构件180可以由无机或有机绝缘体制成。无机绝缘体可以包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以为光敏且介电常数小于约4.0的材料。

现将参考图4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15以及图1、2和3详细地说明根据本发明的示范性实施例的图1、2和3所示的TFT阵列面板的制造方法。

图4、6、8、10、12和14是根据本发明的图1、2和3所示的有机TFT阵列面板的制造方法的示范性实施例中的中间步骤的平面布局图。图5A和5B是图4所示的TFT阵列面板的沿线VA-VA和VB-VB所取的横截面图。图7A和7B是图6所示的TFT阵列面板的沿线VIIA-VIIA和VIIB-VIIB所取的横截面图。图9A和9B是图8所示的TFT阵列面板的沿线IXA-IXA和IXB-IXB所取的横截面图。图11A和11B是图10所示的TFT阵列面板的沿线XIA-XIA和XIB-XIB所取的横截面图。图13A和13B是图12所示的TFT阵列面板的沿线XIIIA-XIIIA和XIIIB-XIIIB所取的横截面图。图15是图14所示的TFT阵列面板的沿线XV-XV所取的横截面图。

参考图4、5A和5B，导电层通过比如溅射的方法沉积在基板110上，并通过光刻和蚀刻构图以形成包括突出173和端部分179的多条数据线171、多个光阻挡构件174和存储连接178。

参考图6、7A和7B，沉积包括下绝缘膜160p和上绝缘膜160q的层间绝缘层160。下绝缘膜160p可以由有机材料制成且可以通过比如化学气相沉积(CVD)的方法沉积。上绝缘膜160q可以由光敏有机材料制成，且可以通过比如旋涂的方法沉积。

将上绝缘膜160q曝光并显影以形成多个接触孔162、163和168的上壁。然后使用上绝缘膜160q作为蚀刻掩模将下绝缘膜160p干法蚀刻以完成接触孔162、163和168。

参考图8、9A和9B，导电层沉积在层间绝缘层160上，并通过光刻和蚀刻构图以形成包括栅电极124和端部分129的多条栅线121、多个接触辅助123、和包括存储电极133和端部分138的多条存储电极线131。接触辅助123通过接触孔163连接到数据线171的突出173。存储电极线131的端部分138通过接触孔168连接到存储连接178。

参考图10、11A和11B，涂布光敏栅极绝缘层140到约0.6微米到约1微米厚。将栅极绝缘层140曝光并显影以形成分别暴露栅线121的端部分129、接触孔162和接触辅助123的多个接触孔141、142和143。

参考图12、13A和13B，非晶ITO层沉积在栅极绝缘层140上并通过光刻和采用蚀刻剂的湿法蚀刻来构图以形成多个源电极193、包括漏电极195的多个像素电极190、以及多个接触辅助81和82。

非晶ITO层的沉积可以在低于约80℃的温度下进行，且优选地在室温进行。用于非晶ITO层的蚀刻剂可以包括含胺(NH₂)的弱碱蚀刻剂来减小对于栅极绝缘层140的损伤。可以将非晶ITO退火以形成多晶ITO。

参考图14和15，通过比如分子束沉积、气相沉积、真空升华、CVD、PECVD、反应沉积、溅射、旋涂、接触印刷、喷墨印刷的方法来形成多个有机半导体岛154。该方法可以用阴影掩模或没有阴影掩模来进行。

接下来，在有机半导体岛154上形成多个阻挡体186的下绝缘体186p。下绝缘体186p可以由可被干法处理和在低温或室温沉积的绝缘材料制成。该绝缘材料可以是PVA或比如氟系碳化氢或聚对二甲苯的碳氢基聚合物。

通过采用阴影掩模的真空蒸镀在下绝缘体186p上形成阻挡体160的上导体186q。

根据本发明的另一示范性实施例，沉积绝缘层，在绝缘层上形成上导体186q，且使用上导体186q作为蚀刻掩模将绝缘层干法蚀刻以形成下绝缘体186p。

阻挡体186保护有机半导体岛154在后续的制造步骤中免受损伤。

最后，将绝缘层沉积并构图以形成多个钝化构件180，如图1、2和3所示。

本发明可以被用于任何类型的显示装置中，例如LCD和OLED显示器。

对于本领域的技术人员明显的是，在不脱落本发明的精神或范围的情况下可以在本发明中进行各种修改和变化。于是，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要它们落在权利要求和它们的等同物的范围内。

本申请要求于2005年3月8日提交的韩国专利申请No.10-2005-0018986的优先权，其全部内容引入于此作为参考。

Claims

1、一种有机薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

设置于所述基板上的数据线；

与所述数据线相交且包括栅电极的栅线；

设置于所述栅线上且具有暴露所述数据线的接触孔的栅极绝缘层；

设置于所述栅极绝缘层上且通过所述接触孔电连接到所述数据线的第一电极；

关于所述栅电极与所述第一电极相对设置的第二电极；

设置于所述第一和第二电极上且接触所述第一和第二电极的有机半导体；和

设置于所述有机半导体上的导电阻挡体。

2、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述导电阻挡体包括Al、Mo、Cr、Ti、Ta、Au、Ag、Cu、ITO、IZO、或其合金中的至少一种。

3、根据权利要求2所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中，所述导电阻挡体具有等于或小于约500的厚度。

4、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述有机半导体和所述导电阻挡体之间的绝缘阻挡体。

5、根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘阻挡体包括氟系碳化氢或聚乙烯醇。

6、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述数据线和所述栅线之间的层间绝缘层。

7、根据权利要求6所述的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述层间绝缘层包括氮化硅膜和有机膜。

8、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述栅电极下的导电光阻挡构件。

9、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述有机半导体上的钝化构件。

10、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述基板上的存储连接；和

设置于与所述栅线相同的层上且连接到所述存储连接的存储电极线。

11、根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管阵列面板，还包括：

设置于所述数据线和所述源电极之间的接触辅助。

12、一种有机薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述方法包括：

形成数据线；

在所述数据线上沉积层间绝缘层；

在所述层间绝缘层中形成第一接触孔以暴露部分的所述数据线；

在所述层间绝缘层上形成栅线；

在所述栅线上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层中形成第二接触孔，其中所述第二接触孔设置于所述第一接触孔上；

形成通过所述第一和第二接触孔电连接到所述数据线的源电极；

形成像素电极，所述像素电极包括与所述源电极相对设置的漏电极，在它们之间有栅电极；

在所述源电极和漏电极上形成有机半导体；以及

在所述有机半导体上形成导电阻挡体。

13、根据权利要求12所述的方法，其中所述导电阻挡体包括Al、Mo、Cr、Ti、Ta、Au、Ag、Cu、ITO、IZO、或其合金中的至少一种。

14、根据权利要求12所述的方法，其中形成所述导电阻挡体包括采用阴影掩模的真空蒸镀。

15、根据权利要求12所述的方法，其中形成所述源电极和所述像素电极包括：

在室温沉积ITO层；和

通过光刻来构图所述ITO层。

16、根据权利要求15所述的方法，其中通过光刻来构图所述ITO层包括使用含碱性成分的蚀刻剂。

17、根据权利要求12所述的方法，其中形成所述有机半导体包括旋涂、真空蒸镀和印刷中的至少一种。

18、根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述有机半导体和所述导电阻挡体之间形成绝缘阻挡体。

19、根据权利要求18所述的方法，其中所述绝缘阻挡体包括氟系碳化氢或聚乙烯醇。

20、根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述有机半导体上形成钝化构件。

21、根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述栅线下形成光阻挡构件，

其中形成所述光阻挡构件与形成所述数据线同时进行。

22、根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述数据线和所述源电极之间形成接触辅助。