CN1830051A - 储备式阴极 - Google Patents

Abstract

一种储备式阴极，其包括发射表面，当被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔，和至少一个用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面的通道，所述发射表面包括至少一个发射区域和至少一个非发射区域，该非发射区域涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域，所述非发射区域包括至少一个通道，该通道连接所述储腔和所述非发射区域，并在距离发射区域扩散长度的范围内开口，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

Description

储备式阴极

技术领域

本发明涉及热电子阴极，特别是用于光刻中的热电子阴极，也特别涉及多重束光刻系统。

背景技术

热电子阴极，更特别地，受控多孔性储备型(dispenser type)热电子阴极是本领域公知的。这些储备式阴极(dispenser cathode)通常用于电视，计算机监视器和微波炉。这样的储备式阴极通常包括带有储腔(reservoir)和发射表面的阴极主体，该储腔包括填充有功函数降低材料的空腔，和加热元件，其用于生成需要引起功函数降低粒子从储腔中扩散到发射表面上发射区域所必须的热，以及产生热电子发射所必须的发射。一般地，整个发射表面被用作发射区域。

本领域中公知几种类型的储腔。第一种类型的储腔中，空腔被填充有多孔的基体且该基体的孔被填充有功函数降低颗粒，如碱土金属化合物，如Ba，Ca和Sr。在这些储备式阴极中，通常一个多孔基体的表面用作发射表面。加热该阴极将从多孔基体中释放功函数降低颗粒至发射表面，并将引起热电子发射。

在第二种类型的储腔中，功函数降低材料出现在多孔基体后面的空间内。在工作功函数降低颗粒，如Ba或BaO在孔内生成或释放的过程中，它们从多孔基体后的空间供应，且然后经多孔基体的孔中迁移，从而以足够量供应至发射表面以维持良好发射表面覆盖，该发射表面确保了从发射表面足够的发射。

为了增加这些类型的阴极的亮度，在多孔基体的顶部，通常在金属基体的整个表面上沉积涂层。因此，整个发射表面变成发射区域。涂层通常有几个层，至少一个层包括功函数降低材料。现在，用于该涂层的最广泛使用的功函数降低材料包括含钪(scandate)化合物。适当的制造技术和这些含钪储备式阴极的成分是美国专利4007393，4350920，4594220，5064397，5261845，5264757，5314364，5407633和6348756中揭示的例子，所有这些文献包括在此以供参考。

在这些公知的阴极中，孔间的连接是随机生成的。固有的后果是活性材料必须迁移到达发射表面的路程长度可比基体层的厚度大的多。这限制了这些传统储备式阴极的寿命和发射。而且，发射表面上这些孔出口总体形成相对大的发射区域。

美国专利US-A-4101800揭示受控的多孔性储备式阴极，其在基体层顶上提供有穿孔的箔。该箔由难熔金属组成。活性材料迁移经过穿孔箔中的孔以覆盖箔的表面。因此，箔用作阴极的发射表面。在阴极中，整个发射表面是发射区域。

该设计思想的进一步的改进揭示于美国专利US-A-4310603中。该文献中揭示的储备式阴极包括阴极主体，其包括具有功函数降低材料的储腔和位于该储腔一侧的阴极主体内的加热元件。储腔的相对侧定义发射侧表面。储腔的发射侧表面提供有箔，该箔带有覆盖储腔的孔，该箔焊接到阴极主体上并优选由钨或钼组成。部分箔提供有涂层，该涂层包括限定发射区域的功函数降低材料，且部分箔提供有定义阴影栅的非发射材料。功函数降低涂层建立较低的功函数Φ和发射区域因此增强的发射率。在该阴极中，所有孔都位于大发射区域中。

在上述这些受控多孔性储备式阴极中，这些孔之间间距的尺寸定义活性材料的路径长度。然而，发射表面中孔也会诱导严重的阴极发射不均匀性。而且，几乎整个发射表面用作发射区域。

本发明进一步涉及如光刻系统，电子显微镜，检测系统的电子束曝光设备中储备型阴极的使用。在这些电子束设备中，通常采用LaB6源，场发射器或Schotky型发射器。大多数这些设备要求相对低的电流，而且这些设备要求相对小尺寸的均匀的电子源。因此电子束设备中高亮度储备式阴极的使用不是无关紧要的。现有技术的储备式阴极的直径比场发射器源的LaB6源的直径大，例如100-1000倍。因此，对于电子束设备，发射电流太大。而且，因为更多的电子在同一时间被发射，当使用公知的储备式阴极时，库仑作用降低设备的分辨率。

特别地，在单源多重电子束系统中这个问题是相对的。为了克服这个问题，特别在单源多重电子束系统中，使用有限发射区域的发散电子束。这样系统的例子揭示于，如佳能的美国专利5834783，5905267和5981954，和本申请人的美国临时申请60422758中，它们给出的全部内容包括在此以供参考。所谓的三极管装备常被用来实现发散电子束。由发射阴极表面彼此邻近并荷相反电荷的两个电极仅用部分发射的电子产生的电场线产生膨胀的电子束。然而，在电子发散之前，它们每个轨迹线首先会聚并通过转线轨道(crossover)。这导致较强的库仑作用并因此增加能量扩展度。因此该抽取方法提出了一个问题，特别在高分辨率系统，如电子束光刻系统中。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种电子源，其提供时间和空间上都均匀的电子束。

本发明进一步的目的是提供具有相对小发射区域的电子源。

本发明还有一个目的是提供具有窄能量分布的电子源。

为了这个目的，本发明提供了一种储备式阴极，其包括：

-包括至少一个用于发射电子的发射表面和至少一个覆盖有发射抑制材料的非发射区域，该非发射区域围绕每个发射区域；

-用于当被加热时，释放功函数降低颗粒的材料的储腔，和

-至少一个连接所述储腔和所述发射表面的通道，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔中扩散到所述发射表面，所述至少一个通道出现在所述非发射区域，并在从发射区域开始的扩散长度距离内，以便允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

通过应用具有明确边界和向发射区域外部开口的通道的发射区域，证明了可以获得储备式阴极，其在空间上是均匀的，且适于应用在高分辨率电子束系统中。

在一个实施例中，发射区域包括用于阻挡功函数降低颗粒的阻挡层。该阻挡层防止功函数降低颗粒不通过通道到达发射区域。以该方式，发射区域不被破坏并保持匀质。从而导致空间上均匀的电子束。

在进一步的实施例中，储备式阴极包括覆盖所述储腔发射侧的膜，所述膜基本不渗透功函数降低颗粒。以这种方式可产生良好界定的发射区域和良好界定的非发射区域。

在另一个实施例中，膜具有发射侧表面和阴极侧表面(即，指向储腔的侧)，所述具有至少一个发射区域和至少一个非发射区域的发射侧表面，该所述非发射区域围绕至少一个非发射区域，其中所述发射区域涂覆有功函数降低材料，而所述非发射区域涂覆有发射抑制材料。

在具有膜的储备式阴极实施例中，膜是覆盖所述储腔发射表面侧的金属膜，并在所述非发射区域提供有穿孔从而为所述功函数降低颗粒提供通道。

在一个实施例中，通道出口邻近所述发射区域。优选地，在该实施例中，通道出口邻近发射区域。这使得功函数降低颗粒易于到达发射区域，并使得扩散易于控制。

在本发明储备式阴极实施例中，储备式阴极包括多个通道，所有通道出口在所述非发射区域内。

在本发明储备式阴极另一个实施例中，发射表面具有至少一个凸起表面。这帮助产生发散束。在进一步的实施例中，发散表面会聚在发散区域的位置。当储备式阴极被用在高分辨率电子束系统中时，优选使用发散电子束，以便避免电子束交叉，电子束交叉引起电子束能量分布函数的加宽。

在本发明储备式阴极的另一个实施例中，还提供了用来支撑所述发射区域的支撑结构。以该方式，发射区域在操作过程中保留良好界定。在一个实施例中，支撑结构包括位于发射区域的支柱，其到达所述储腔。支柱提供给出良好界定的发射区域的方式。

在进一步的实施例中，支柱具有顶部，其形成部分所述发射表面。在进一步的实施例中，所述支柱的顶部形成发射区域。

在带有支柱的储备式阴极的进一步实施例中，通道离开所述支柱的一侧。在该实施例中，一个容易地实现这一点的方式是通过在储腔中提供自立式或基本自立的支柱。以这种方式，支柱的侧壁提供通道的侧壁。该方式，支柱有两个功能：第一功能是限定发射区域。其第二功能是限定用于功函数降低颗粒通道的边界。

本发明的第二个方面考虑了储备式阴极，其包括：

-用于当被加热时，释放功函数降低颗粒的材料的储腔；

-包括至少一个用于发射电极的发射区域的发射表面，包括用于阻挡功函数降低颗粒的阻挡层，和至少一个覆盖有发射抑制材料并围绕每个发射区域的非发射区域，和

-至少一个连接所述储腔和所述发射表面的通道，该发射表面用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面。

阻挡层防止功函数降低颗粒经其它路径到达发射区域，这些路径由通道限定。以这种方式，在操作的过程中，发射区域保持良好地限定。

在储备式阴极的实施例中，至少一个通道在所述非发射区域内开口(或拍出，留出)，且在从扩散区域开始的扩散长度距离内，该扩散区域用于功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

在另一个实施例中，本发明的储备式阴极进一步包括提供于发射区域上的提取电极(extractor electrode)，所提供的提取电极在操作中提供静电场，其用作发射电子的负透镜。

在上述储备式阴极的实施例中，进一步包括壁体，其基本围绕发射表面。添加该壁体以增加电子束的一致性。在一个实施例中，壁体围绕发射表面和所述通道或在从所述发射区域开始的扩散长度距离内的通道。在一个实施例中，所述侧壁以约20到25度，优选以Pierce角从所述发射区域延伸。以该特定的角度，该壁体的具体优点是提高了发射一致性，这是由于更一致的E电场。实际上，发射区域尽可能连续地并入到壁体，以便产生平滑的E电场。一个实施例中，在该壁体中，壁体穿过发射区域的位置处提供有一个或多个沟道的通道。

在储备式阴极的一个实施例中，发射表面位于所述表面凹槽中储备式阴极表面水平以下。在该实施例中，所述凹槽的壁体相对发射表面成20到25度，优选Pierce角。

在本发明的一个实施例中，储备式阴极进一步包括至少一个用于加热所述发射区域的加热器。

在该实施例或另一个实施例中，储备式阴极进一步包括至少一个用于加热所述功函数降低颗粒的加热器。

本发明进一步涉及包括用于发射电子的发射区域的阴极，所述发射区域并入到围绕所述发射区域的壁体中，所述壁体是导电的。在一个实施例中，所述壁体覆盖有发射抑制并导电的材料。在进一步的实施例中，壁体是电导体，或覆盖有电导体。

在该阴极实施例中，所述壁体基本以相对发射区域约20到25度延伸。

在进一步实施例中，所述阴极进一步包括至少一个储腔，其包括功函数降低颗粒，和至少一个通道或沟道，其具有用于允许所述储腔中功函数颗粒进入所述通道的入口，和所述发射区域扩散长度距离的所述壁体中的出口的。

本发明进一步涉及电子源，其用于发生多个电子束，包括多个储备式阴极或如上所述的阴极。

本发明进一步涉及光刻系统，其包括本发明的储备式阴极。

在实施例中，光刻系统进一步包括束分裂器装置，其用于将由储备式阴极产生的电子束分裂成多个电子微束，和控制装置，其用于控制所述调制器装置以便按照预定图案调制微束。

附图说明

本发明将参考下面附图说明，这些附图仅用于说明本发明优选实施例而不用于限制保护范围。

图1示出本发明阴极的横截面；

图2a，2b示出图1中阴极发射表面的顶视图，它们指示出本发明的不同方面；

图3示出本发明阴极的横截面，该阴极具有支撑发射区域的支撑结构；

图4示出图3中阴极的顶视图；

图5示出本发明阴极的发射部件的横截面，其具有多孔性金属储腔；

图6示出本发明阴极另一个实施例的横截面视图；

图7示出具有凸起发射表面的阴极的横截面；

图8示出带有弯曲发射表面的阴极另一个实施例的横截面；

图9示出本发明阴极的一个实施例，该阴极具有Pierce角P中的围绕壁体；

图10示出图9中阴极的另一个实施例，其带有支柱。

具体实施方式

在附图中，相似标识号表示相似或相应的部件。

图1示出本发明储备式阴极的第一实施例。储备式阴极具有阴极主体1，其上部形成储腔，该储腔中填充化合物2，当由加热元件3加热时，其向储腔2的发射侧表面4分发至少一种功函数降低颗粒。储腔1的发射侧表面4被分成两类区域，如图2a和2b所示，示出了图1的储备式阴极顶视图。

发射侧表面4的第一类区域是发射区域9，其负责电子发射。发射区域通常涂覆有功函数降低材料，如铱，锇或其它铂族金属，或钪化物。这些材料或复合物是本领域技术人员公知的。

发射表面4的第二类区域是非发射区域8，其围绕每个发射区域9。非发射区域涂覆有发射抑制材料，如锆或石墨。

围绕每个发射区域的非发射区域被提供用来限制发射区域的面积。以这种方式，可以提供具有源的阴极，该源具有受限的尺寸。实用中，发射区域的尺寸约为100微米×100微米或更小。

在储备式阴极储腔1的发射侧表面上提供有膜6，优选为金属膜。该膜确保电子发射的均匀性。在发射区域9中膜6的两侧之间没有直接的连接。在发射区域9的位置处，膜基本对储腔中的功函数降低颗粒是不可渗透的。例如，这可通过制做金属膜实现，该金属膜基本对功函数降低材料是不可渗透的。另一个实施例在发射区域的位置提供具有基本不渗透层的膜。

膜6具有一个或多个通道7，优选为孔，通过膜6连接储腔1和膜6的发射表面侧4。通道7允许储腔中的功函数降低颗粒从储腔1扩散到发射区域9以增强电子发射。

在发射侧，膜6提供有功函数降低材料9的层，其定义发射区域，和发射抑制材料8的层，其定义非发射区域。

该配置的顶视图描绘于图2a中。此外，选择至少一个通道7和处于发射区域9中的任何位置之间适当的距离，确保连续供应功函数降低材料2。该距离应小于储腔2中功函数降低颗粒的最大扩散长度。进一步的发射增强是通过用至少一个功函数降低材料层9涂覆第一区域而实现的。

图2b示出膜6的顶视图。膜6具有穿孔，其距发射区域为扩散长度，并优选为金属膜。合适的金属包括难熔金属，如钨和钼。从储腔向发射表面扩散的功函数降低颗粒仅能通过孔7通过。

使用加热器，功函数降低颗粒是从储腔释放的。这些颗粒扩散通过膜中的孔到达发射区域。电子在发射区域发射。用抽取电极加速电子。

图3示出本发明的第二实施例。储备式阴极包括阴极主体1，其上部形成储腔2，和加热元件3。储备式阴极发射表面4包括发射区域9和非发射区域8，它们和本发明的第一实施例中储备式阴极工作原理相同，即电子是从发射区域9发射的，而功函数降低颗粒经围绕发射区域9的非发射区域8供应到发射区域9。然而，在该特定实施例中，通过直接位于发射表面4下面的支撑结构10形成用于功函数降低颗粒的发射区域的非多孔性，而非膜6。支撑结构10优选为支柱状的，且延伸通过储腔。在该实施例中，通道出口邻近发射区域。

在该实施例中，储腔2填充有多孔材料，该多孔材料的孔中包含功函数降低材料。这增强功函数降低颗粒向表面分配。非发射区域8涂覆有至少一个发射抑制材料层8，因此急剧减小该区域的电子发射。为了进一步增强电子发射，在发射支柱10上提供功函数降低材料的涂层9。该实施例的顶视图描绘于图4中。

支柱10基本自立的结构，因此提供绕支柱的通道。在图4的顶视图中，可以清楚看到通道7围绕这个支柱10及因此整个发射区域9。

支柱结构10优选包括金属。潜在的候选者是难熔金属，如钼和钨。

图5示出本发明储备式阴极的实施例，其示出包括功函数降低材料1的多孔材料。在该实施例中，多孔钨被用于包含功函数降低材料。在储腔的发射侧，膜6被提供有孔或穿孔7。膜包括涂覆有发射抑制材料的非发射区域8和涂覆有功函数降低材料的发射区域9。在该实施例中，形成用于功函数降低颗粒的通道孔7直接提供于发射区域的附近。而且，抽取电极11被图示于发射表面附近，因此提供发射发散电子束的源。所示的整个区域约为1毫米宽，而发射区域9约40微米宽。

图6示出本发明储备式阴极的另一个实施例。在该实施例中，发射表面是弯曲表面，该弯曲表面是凸起的。储腔包括多孔钨，孔中有功函数降低材料1。多孔钨提供有钨膜6，其对功函数降低颗粒基本是不可透过的。膜提供有孔7，该孔为功函数降低颗粒提供通道。而且，发射区域9涂覆有功函数降低材料，如钪化物。膜6余下的区域8涂覆有涂覆有发射抑制材料。使用凸起的表面，储备式阴极发射几乎完美的发散电子束，其具有一个虚拟原点。

图7示出按照本发明的储备式阴极实施例，其储腔中具有自立式钨支柱10，该储腔填充有多孔钨，该多孔钨的孔1中提供有功函数降低材料。由于支柱10是自立的，功函数降低颗粒可沿支柱10的侧边7通过，因此支柱10提供通道7以便允许颗粒扩散到整个发射区域9。

图8示出按照本发明储备式阴极的另一个实施例。在该实施例中，锥形阴极提供有自立式钨支柱10。绕该自立式支柱，储腔被提供有多孔钨1。而且，孔包含功函数降低材料，其是用未示出的加热器释放的。由于锥形，提供了凸起的表面，也由于发射区域9的小尺寸，该源提供发散的电子束。支柱10优选具有环行圆柱形状。发射区域侧边顶部9涂覆有功函数降低材料，例如钪化物。余下的区域8涂覆有发射抑制材料。

图9示出本发明阴极的一个实施例，其具有发射区域9，该阴极涂覆有功函数降低材料并被通道7包围，该通道7用于功函数降低材料到达发射区域9。在该特定实施例中，阴极具有凹入的或锥形壁体8，该锥形壁体8包围发射区域，且其涂覆有上述发射抑制材料或由发射抑制材料制成。优选地，壁体涂覆有导电材料或由导电材料制成。以这样的方式，电场E电场如9那样延伸，其提供了产生更窄束的透镜效应。

壁体的角P优选等于Pierce角。在大多数情形中，角P在20到25度之间，更优选在22到23度之间。在优选实施例中，角P约等于22.5度。

图10示出阴极的另一个实施例，其中发射区域位于阴极的总表面12下面，这里发射区域在支柱9上。发射区域由锥形壁体约以相对发射区域9成Pierce角P包围。而且，施加的E电场将如描绘的那样延伸，导致透镜效应。优选，壁体具有电导表面并且是发射抑制的。

该实施例中壁体8几乎连续地融合到发射区域。用于功函数降低颗粒的通道或沟道优选尽可能小地影响E电场(电场)。实际上，在所考虑的实施例中，发射区域平滑地融合到壁体中。在该壁体中，其中发射区域转变并融合到壁体中，具有功函数降低颗粒的储腔中到处都是某些小孔。

上述多个阴极可以组合而导致多束阴极。

可以理解，上述说明书是用来说明优选实施例的操作的，而并不意味着限制本发明的范围。本发明的范围将仅由下面的权利要求被限制。从上面的讨论可以看出，许多变化对本领域的技术人员来说是显然的，它们将涵盖在本发明的精神和范畴内。

Claims (34)

1.一种储备式阴极，其包括：

-发射表面，其包括至少一个用于发射电子的发射区域和至少一个涂覆有发射抑制材料并包围每个发射区域的非发射区域。

-被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔；和

-至少一个通道，其连接所述储腔和所述发射表面，该通道用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面，所述至少一个通道在所述非发射区域开口，并在距离发射区域扩散长度范围内，以允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

2.如权利要求1所述的储备式阴极，其中所述发射区域包括用于阻挡功函数降低颗粒的阻挡层。

3.如权利要求1或2所述的储备式阴极，包括覆盖所述储腔发射侧的膜，所述膜基本对功函数降低颗粒不透过。

4.如权利要求2所述的储备式阴极，其中所述膜具有发射侧表面和阴极侧表面，所述发射侧表面具有至少一个发射区域和至少一个围绕所述至少一个发射区域的非发射区域，其中所述发射区域涂覆有功函数降低材料，且所述非发射区域涂覆有发射抑制材料。

5.如权利要求3或4所述的储备式阴极，其中所述膜是金属膜，该膜覆盖所述储腔的发射表面，且该膜在所述非发射区域提供有穿孔，为所述功函数降低颗粒提供通道。

6.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，其中所述通道开口挨着所述发射区域。

7.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，其包括多个通道，且基本所有通道在所述非发射区域中开口。

8.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，其中所述发射表面具有至少一个凸起的表面。

9.如权利要求8所述的储备式阴极，其中所述发射表面在发射区域的位置是凸起的。

10.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，而且提供有用于支撑所述发射区域的支撑结构。

11.如权利要求10所述的储备式阴极，其中所述支撑结构包括位于发射区域的位置的支柱并达到通过所述储腔。

12.如权利要求11所述的储备式阴极，其中所述支柱具有顶部，该顶部形成部分所述发射表面。

13.如权利要求12所述的储备式阴极，其中所述支柱的顶部形成发射区域。

14.如权利要求11到13所述的储备式阴极，其中所述通道沿所述支柱的一侧延伸。

15.如权利要求14所述的储备式阴极，其中所述支柱具有侧壁，所述侧壁提供通道的壁体。

16.一种储备式阴极，其包括：

-被加热时，用于释放功函数降低颗粒材料的储腔；

-发射表面，其包括至少一个用于发射电子的发射区域，包括用于阻挡功函数降低颗粒的阻挡层，和至少一个覆盖有发射抑制材料和围绕每个发射区域的非发射区域；和

-至少一个通道，其连接所述储腔和所述发射表面，该通道用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射表面。

17.如权利要求16所述的储备式阴极，所述至少一个通道其在所述非发射区域中开口并在距离发射区域的扩散长度范围内，该通道用于允许功函数降低颗粒从所述储腔扩散到所述发射区域。

18.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，进一步包括在所述发射区域上提供的抽取电极，所述抽取电极用来在操作中提供静电场，该静电场用作发射电子的负透镜。

19.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，进一步包括基本包围所述发射区域的壁体。

20.如权利要求19所述的储备式阴极，其中所述发射区域融合到所述壁体中。

21.如权利要求19或20所述的储备式阴极，其中所述壁体包围所述发射表面和所述通道或多个通道，这些通道在距离所述发射区域扩散长度的范围内。

22.如权利要求19，20或21所述的储备式阴极，其中所述壁体从所述发射区域以约20到25度角，优选地以约Pierce角延伸。

23.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，其中所述发射表面在所述储备式阴极的表面水平下，该储备式阴极在所述表面的凹槽中。

24.如权利要求23所述的储备式阴极，其中所述凹槽的壁体约为20到25度，优选约为Pierce角。

25.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，进一步包括至少一个用于加热所述发射区域的加热器。

26.如前述权利要求中任一条所述的储备式阴极，进一步包括至少一个用于加热所述功函数降低颗粒的加热器。

27.一种阴极，其包括用于发射电子的发射区域，所述发射区域融合到包围所述发射区域的壁体中，所述壁体是导电的。

28.如权利要求27所述的阴极，其中所述壁体基本以相对所述发射区域成20到25度角延伸。

29.如权利要求28所述的阴极，其中所述阴极包括至少一个包括功函数降低颗粒的储腔、和通道，该通道具有用于允许所述储腔中功函数降低颗粒进入所述通道的入口，和在所述壁体中处于所述发射区域的扩散长度处的出口。

30.一种用于发生多个电子束的电子源，包括按照前述权利要求中任一条的多个储备式阴极。

31.一种光刻系统，其包括至少一个按照前述权利要求中任一条的储备式阴极。

32.如权利要求31所述的光刻系统，进一步包括束分裂器装置，其用于将由储备式阴极发生的电子束分裂成多个电子微束；调制器装置，其用于各别地调制基本上每个电子微束；和控制装置，其用于控制所述调制器装置以便按照预定图案调制微束。

33.一种半导体晶片，其用按照前述权利要求中任一条所述的光刻系统处理。

34.一种用于处理半导体晶片的方法，其使用按照前述权利要求中任一条所述的光刻系统。

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