JPS58111236A - 電子銃構体 - Google Patents
電子銃構体Info
- Publication number
- JPS58111236A JPS58111236A JP56209373A JP20937381A JPS58111236A JP S58111236 A JPS58111236 A JP S58111236A JP 56209373 A JP56209373 A JP 56209373A JP 20937381 A JP20937381 A JP 20937381A JP S58111236 A JPS58111236 A JP S58111236A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- aperture
- electron emission
- electron gun
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は電子銃構体の改良4:関する。
(尭明の技術的背景)
−−の電子放射向から放射される電子ビーム内の電子の
遮度分歓を小さくし例えば撮儂管の容量性残像な低減す
る■的で考慮された層流瀧の電子銃は公知である・ 第1図は層流汲電子銃構体の一例であるダイオードガン
と呼ばれ工いる電子銃であり、その構造は次の通りであ
る。
遮度分歓を小さくし例えば撮儂管の容量性残像な低減す
る■的で考慮された層流瀧の電子銃は公知である・ 第1図は層流汲電子銃構体の一例であるダイオードガン
と呼ばれ工いる電子銃であり、その構造は次の通りであ
る。
比重が16椙度の多孔質タングステン基体&:酸化バリ
クム(mao)、アル擢す(ム4OS)、酸化カルシウ
ム(Oak)から成る電子放射物質な溶融含浸してなる
外径1.5 wmの含mats極基体lは、例えば厚さ
25μmのタンタル板を丸め成形した亀纏筒lの一端0
で溶接されている。金属筒0の内St:は陰極基体(1
1)を加熱するためのヒータI4が設けられる。
クム(mao)、アル擢す(ム4OS)、酸化カルシウ
ム(Oak)から成る電子放射物質な溶融含浸してなる
外径1.5 wmの含mats極基体lは、例えば厚さ
25μmのタンタル板を丸め成形した亀纏筒lの一端0
で溶接されている。金属筒0の内St:は陰極基体(1
1)を加熱するためのヒータI4が設けられる。
このと−タIは外110.07−のりyグステVllt
’外径0.25mにコイリングし、それをさらにコイリ
ングしてダブルヘリカル状(:成形し、その上も;アル
ミナの絶縁層wm専したもので、と−タIの外径は1.
3鍵である。陰極基体Iから数十ないし百敷十声醜−れ
た位1tニアパーチャ電極(2)が−極基体の電子放射
向(ill)と対向配置されている。アパーチャ電極(
2)6二は陰極基体蝶υからの電子(走行方向を矢印で
示す)を通過せしめる直径約15μmのアパーチャa9
が設けられる。(3)は電子を加遍するための第2電極
である。
’外径0.25mにコイリングし、それをさらにコイリ
ングしてダブルヘリカル状(:成形し、その上も;アル
ミナの絶縁層wm専したもので、と−タIの外径は1.
3鍵である。陰極基体Iから数十ないし百敷十声醜−れ
た位1tニアパーチャ電極(2)が−極基体の電子放射
向(ill)と対向配置されている。アパーチャ電極(
2)6二は陰極基体蝶υからの電子(走行方向を矢印で
示す)を通過せしめる直径約15μmのアパーチャa9
が設けられる。(3)は電子を加遍するための第2電極
である。
次6;ダイオードガンの動作について説明する。
各電極への印加電圧は、陰極基体vovとするとアパー
チャ電極に千10〜十30v、第2電極に+3007が
印加される・ このよう1;アパーチャ電極には正の電圧が印加されて
いるので、陽極基体■の電子放射面(1o)付近の電位
分布は均一化され、陰極からの電子流は第1@の、矢印
線で示すように遥度物散の少ない層流状ビームとなる。
チャ電極に千10〜十30v、第2電極に+3007が
印加される・ このよう1;アパーチャ電極には正の電圧が印加されて
いるので、陽極基体■の電子放射面(1o)付近の電位
分布は均一化され、陰極からの電子流は第1@の、矢印
線で示すように遥度物散の少ない層流状ビームとなる。
電子を層流化すること(二上ってビーム温度なり薗スオ
ーパ瀝の電子銃のそれより1000〜2000デグリー
(a・g)下げることができる。これがダイオードガン
の特長である。
ーパ瀝の電子銃のそれより1000〜2000デグリー
(a・g)下げることができる。これがダイオードガン
の特長である。
(、背景技術の問題点)
以上の通りダイオードガンは優れた特長を持っているが
反自次のような問題点もあり、改良が望まれている。
反自次のような問題点もあり、改良が望まれている。
以下−:これらの問題点について説明する。
11) ニオツシmyスランプ現象についてこの現象
は、各電極に規定の電圧を印加したとき時間経過ととも
a:電流が減少する現象である。
は、各電極に規定の電圧を印加したとき時間経過ととも
a:電流が減少する現象である。
エミツシ曹ンスランプの程度は電流残存率で表現するこ
とができる。すなわち 電圧印加直後の電流■l。
とができる。すなわち 電圧印加直後の電流■l。
電圧印加30分後の電流WIax、とするとき電流残存
率=〔(I・−1,。)/1〕xloo慢であり。
率=〔(I・−1,。)/1〕xloo慢であり。
100慢4=近い程、工擢ツシ曹yスランプが少ないこ
とな意味する。
とな意味する。
従来のダイオ−トガyの鳩舎、ガンVII作曹後での電
流残存率はおよそ60悌もあった・そしてこのスランプ
の程度は実装試験の進行と共に悪化し、1000時間1
11:It電vL残存車は35−まで低木し問題となっ
ていた。
流残存率はおよそ60悌もあった・そしてこのスランプ
の程度は実装試験の進行と共に悪化し、1000時間1
11:It電vL残存車は35−まで低木し問題となっ
ていた。
el 電子銃の電圧−電流特性の異状(二ついてこの
現象は陰極基体及びiJ2電極ζ:規定の電圧な印加し
てアパーチャ電極の電圧t−変化させることこ:より電
圧−電流特性を制御しようとするとき、正常ならば電圧
−電流特性は2極間特性の2分の3乗J11t=従うは
ずのものが、この通りに変化せず異状な電圧−電流特性
を示す現象で、従来のダイオードガンの場合この現象l
示すものが多くある。
現象は陰極基体及びiJ2電極ζ:規定の電圧な印加し
てアパーチャ電極の電圧t−変化させることこ:より電
圧−電流特性を制御しようとするとき、正常ならば電圧
−電流特性は2極間特性の2分の3乗J11t=従うは
ずのものが、この通りに変化せず異状な電圧−電流特性
を示す現象で、従来のダイオードガンの場合この現象l
示すものが多くある。
以上の問題口対し対策も種々施されている。
(1)Φエミッションスランプ4=対しては7 A −
fヤ電極から放出されるガス放出に看目し、その材料と
して従来のステンレスから真!溶解法により得たメンタ
ル材6;変更した。
fヤ電極から放出されるガス放出に看目し、その材料と
して従来のステンレスから真!溶解法により得たメンタ
ル材6;変更した。
又それらts品として組立てる前仁真!処還を施すこと
も試みた。しかし乍らこれらの賭施策でもスランプ率は
わずかC二改善されるものの十曾ではない。
も試みた。しかし乍らこれらの賭施策でもスランプ率は
わずかC二改善されるものの十曾ではない。
電子放射向と7パーチヤ電極との距離を近づけ、又達ざ
けることも試みたが特性は1向に改曽されない。
けることも試みたが特性は1向に改曽されない。
(2)の電圧−電流特性の異状C:対してはその原因か
7バーテヤ電極の島的置形にあるとして、アパーチャ電
極の周りにIl嘗のためのビード1つける。
7バーテヤ電極の島的置形にあるとして、アパーチャ電
極の周りにIl嘗のためのビード1つける。
あるいはその材料としてりyメル材を用いる事等を試験
したがいずれも大−な特!に改善はな専れなかった・ (発明の目的) 本発明は以上のような欠点4:鑑みなされたもので、エ
ミツションスツyプが少なく、電圧−電流特性が改善さ
れた電子銃構体t−提供すること!目的とする・ (発明の概要) 本発明は電子放射物質が含浸された含浸麿陰極基体と、
一端で前記1に&基体を保持する金属筒と、この金属筒
F’H二挿入され前記陰極基体【加熱するし−タと、 前記陰極基体かb所定距離隔てて対向配置され前記陰極
基体からの電子を通過せしめてビーム状とするアパーチ
ャを有するアパーチャ電極とを備えた電子銃構体にある
。そしてこの陰極基体は、前記金属筒に保持されて主−
二電子放射のための電子放射物質の補IIj1v行うベ
ース部分と、前記ベース部分から前記アパーチャ電極側
へ嬌在し、ベース部分より小径に形成され先端部分に前
記アパーチャに対向するよう近接配置する電子放射平向
な有する突出部分とから形成する。
したがいずれも大−な特!に改善はな専れなかった・ (発明の目的) 本発明は以上のような欠点4:鑑みなされたもので、エ
ミツションスツyプが少なく、電圧−電流特性が改善さ
れた電子銃構体t−提供すること!目的とする・ (発明の概要) 本発明は電子放射物質が含浸された含浸麿陰極基体と、
一端で前記1に&基体を保持する金属筒と、この金属筒
F’H二挿入され前記陰極基体【加熱するし−タと、 前記陰極基体かb所定距離隔てて対向配置され前記陰極
基体からの電子を通過せしめてビーム状とするアパーチ
ャを有するアパーチャ電極とを備えた電子銃構体にある
。そしてこの陰極基体は、前記金属筒に保持されて主−
二電子放射のための電子放射物質の補IIj1v行うベ
ース部分と、前記ベース部分から前記アパーチャ電極側
へ嬌在し、ベース部分より小径に形成され先端部分に前
記アパーチャに対向するよう近接配置する電子放射平向
な有する突出部分とから形成する。
すなわち本発明の電子銃構体は、その陰極基体がベース
部分とベース部分より小径4=形成される突出部分より
なり、この突出部分が7パーチヤ電極のアバーiヤに対
向するようになっており、後述するように電子ビームの
層流性シーl!A影響を及ぼすことなくアパーチャ電極
の温度を下げることが出来、その結果工ζツシ目ンスラ
ンプ特性及び電圧−電流特性が従来に比べて著しく改善
された電子銃構体V*ることか出来る。
部分とベース部分より小径4=形成される突出部分より
なり、この突出部分が7パーチヤ電極のアバーiヤに対
向するようになっており、後述するように電子ビームの
層流性シーl!A影響を及ぼすことなくアパーチャ電極
の温度を下げることが出来、その結果工ζツシ目ンスラ
ンプ特性及び電圧−電流特性が従来に比べて著しく改善
された電子銃構体V*ることか出来る。
(発明の実施例)
この上&:乗せた鋼とを水嵩気流中で1100℃に加熱
することにより、鋼を含浸させたタングステン体【得る
6次4二このメyグステy体!所定寸法に切削して第2
WAに示すようC;ベース部分(21ム)と突出部分(
2111)t’影形成た後再び水嵩気流中で1フooc
s:加熱して銅V抜き去ること仁より多孔質タングステ
ン基体を得る。
することにより、鋼を含浸させたタングステン体【得る
6次4二このメyグステy体!所定寸法に切削して第2
WAに示すようC;ベース部分(21ム)と突出部分(
2111)t’影形成た後再び水嵩気流中で1フooc
s:加熱して銅V抜き去ること仁より多孔質タングステ
ン基体を得る。
次にこの多孔質タングステン基体上1ニーBa00B、
ム4o、、oaco、 v乗せて還元性*m気中テ18
00℃に加熱することにより、 1aO,ムj、O,,
OaOからなる電子放射に寄与する電子放射物質な溶融
含浸した含浸シ陰極基体−を得る。
ム4o、、oaco、 v乗せて還元性*m気中テ18
00℃に加熱することにより、 1aO,ムj、O,,
OaOからなる電子放射に寄与する電子放射物質な溶融
含浸した含浸シ陰極基体−を得る。
この陰極基体旬は厚さgas鳳のタンタル板を丸め成形
した金属1111Hの一端で溶接されている・金属筒■
の内部6;は−極基体(社)を加熱するための外径1.
3 mのヒータ(至)が設けられる。
した金属1111Hの一端で溶接されている・金属筒■
の内部6;は−極基体(社)を加熱するための外径1.
3 mのヒータ(至)が設けられる。
陽極基体な旧二は電子放射平面(211)があり、この
電子放射平面(211)からQ、 1 wm離れた位置
にメンタル製アパーチャ電極(2)が対向配置されさら
に廃れた位置に第2電極(3)が配置されている。アパ
ーチャ電極(2目:は電子放射平面(211)からの電
子と−ムtm過せしめるための11111!iμ墓のア
パーチャ(l麺が設けられている。
電子放射平面(211)からQ、 1 wm離れた位置
にメンタル製アパーチャ電極(2)が対向配置されさら
に廃れた位置に第2電極(3)が配置されている。アパ
ーチャ電極(2目:は電子放射平面(211)からの電
子と−ムtm過せしめるための11111!iμ墓のア
パーチャ(l麺が設けられている。
さて図に示す通り陰極基体?υは陰極筒(2)4:保持
されるiilに411.5藺廖さα5uの・円板状のベ
ース部分(21ム)と、このベース部分(21ム)から
延在Tるm径Q、S調、為さ1,0謔の円柱状の突出部
分(21B)とからなり、突出部分の先端には電子放射
平面(211)が形成され工いる。
されるiilに411.5藺廖さα5uの・円板状のベ
ース部分(21ム)と、このベース部分(21ム)から
延在Tるm径Q、S調、為さ1,0謔の円柱状の突出部
分(21B)とからなり、突出部分の先端には電子放射
平面(211)が形成され工いる。
このようなIIIIJlにの電子銃構体を撮像管僅;組
み込んで特性試験な行ったところ製作1後仁おける電流
残存率は1001! 1000時間の実装試験後の電流
偶存車は98−であり、又電圧−−電流特性全く異状は
諺められず、従来のダイオードガンよりも着しく特性力
家改轡されて−い−ること゛が蓚−された・さて1本発
明6二gいて上記実施例の助巣増発譚する陰極基体の諸
寸法は次の通りである。
み込んで特性試験な行ったところ製作1後仁おける電流
残存率は1001! 1000時間の実装試験後の電流
偶存車は98−であり、又電圧−−電流特性全く異状は
諺められず、従来のダイオードガンよりも着しく特性力
家改轡されて−い−ること゛が蓚−された・さて1本発
明6二gいて上記実施例の助巣増発譚する陰極基体の諸
寸法は次の通りである。
すなわち、ベース部分の直径V B(1,ベース部分の
長さく又は犀さ)をBt、突出部分の濾嫌’rP4゜突
出部分の長さ(又はJILさ) = ytとすると、B
a寓1.2mm−3,0sIL、より好ましい軸回は]
lxl、0戴〜2.0詭、Na1lsO,3■〜1.s
調 より好ましい絢−はBt:=0.4am=1.os
msνax(LO!im”0.6mm、74813m”
L8sw4:=おいて大きな効果が186れる。
長さく又は犀さ)をBt、突出部分の濾嫌’rP4゜突
出部分の長さ(又はJILさ) = ytとすると、B
a寓1.2mm−3,0sIL、より好ましい軸回は]
lxl、0戴〜2.0詭、Na1lsO,3■〜1.s
調 より好ましい絢−はBt:=0.4am=1.os
msνax(LO!im”0.6mm、74813m”
L8sw4:=おいて大きな効果が186れる。
5sriaは1lx1.5m4 )jmG、!jaw+
、 Pj= 1゜OswトLでya v度化した一極基
体を撮像管で評価したときの電流!I存皐の様子を示し
たものである。夷纏は製作直後、*iiiは実装試験1
00011r間後の結果を示す、第311から明らかな
ように突出部分の直径P(1が0.6腸以下では電流、
残存率は大きいが0.8−以上になると電流残存率が急
激に低下し紘じめ、従来例に相幽するア礁が15mでは
著しく低下し工いる― 又各試料−二ついて電子銃の電圧−電流特性1m定した
ところ、Pu’ tk4#k CL8■ 以上になる
と^1状が見られることもわかった嗜この数値はアパー
チャ径が10s鳳〜60μmの118において殆んど変
化ない。
、 Pj= 1゜OswトLでya v度化した一極基
体を撮像管で評価したときの電流!I存皐の様子を示し
たものである。夷纏は製作直後、*iiiは実装試験1
00011r間後の結果を示す、第311から明らかな
ように突出部分の直径P(1が0.6腸以下では電流、
残存率は大きいが0.8−以上になると電流残存率が急
激に低下し紘じめ、従来例に相幽するア礁が15mでは
著しく低下し工いる― 又各試料−二ついて電子銃の電圧−電流特性1m定した
ところ、Pu’ tk4#k CL8■ 以上になる
と^1状が見られることもわかった嗜この数値はアパー
チャ径が10s鳳〜60μmの118において殆んど変
化ない。
この原因を調べるためν直t’′変えたときのアパーチ
ャ電極の温度(第2図1点]V放射亀度計で一定した。
ャ電極の温度(第2図1点]V放射亀度計で一定した。
その結果を第411に示す、この図からPaが大きくな
るにっれアパーチャ電極の温度は着しく上昇し、Paが
1.5mでは1100℃(;も違し工いることがわかり
、アパーチャ電極の温度がエミツシ冒ンヌランプ机象中
電圧−電流特性5二影曽し工いるであろうと推察される
。同温度上昇の理由は陰極基体から放出される電子流の
多くがアパーチャ電極へに流入し、電力損失が大きくな
るためである。
るにっれアパーチャ電極の温度は着しく上昇し、Paが
1.5mでは1100℃(;も違し工いることがわかり
、アパーチャ電極の温度がエミツシ冒ンヌランプ机象中
電圧−電流特性5二影曽し工いるであろうと推察される
。同温度上昇の理由は陰極基体から放出される電子流の
多くがアパーチャ電極へに流入し、電力損失が大きくな
るためである。
突出部分の1径paは小さい方がよいが軸方アパーチャ
電極のアパーチャ径(15μm)より小さくなると電子
ビームの層流性が悪くなるので好ましくない、従って層
流性及び電子銃構体の組文精度を考慮するとpaはアパ
ーチャ径の3倍(約恥μ〕以上ある′ことが好ましい。
電極のアパーチャ径(15μm)より小さくなると電子
ビームの層流性が悪くなるので好ましくない、従って層
流性及び電子銃構体の組文精度を考慮するとpaはアパ
ーチャ径の3倍(約恥μ〕以上ある′ことが好ましい。
次に第5図はBd−1゜5關、Bt冨0,5■、Pit
冨0,5寵としてpt V変化した陰極基体V撮像管で
評価したときの7バーテヤ電極(21へ流れ込む全電f
i(%)と突出部先端の電子放射平面(211)からア
パーチャ電極(2)へ流れ込む電流(工、)との比暮の
様子l示すものである。
冨0,5寵としてpt V変化した陰極基体V撮像管で
評価したときの7バーテヤ電極(21へ流れ込む全電f
i(%)と突出部先端の電子放射平面(211)からア
パーチャ電極(2)へ流れ込む電流(工、)との比暮の
様子l示すものである。
この図でダはη=工6/工τで表わされ、I−はカソー
ド高3 ptには関係ない値として表わされるため、ダ
が10011に近い程アパーチャ電極(2)へ織れ込む
盆電流Iテは生害いことを意味している。
ド高3 ptには関係ない値として表わされるため、ダ
が10011に近い程アパーチャ電極(2)へ織れ込む
盆電流Iテは生害いことを意味している。
丁なわちpzxo (従来例に1轟)のときとptコ1
.Omのときのダを比較すると!!11g5から暫−9
4引:改曽されており、アパーチャ電極へ流れ込む全電
流ITは後者の方が1/9に低減しており、nが一定(
ニーが一定)ならばPtは長い方が夷いと考えることが
できる・一方Pjは余り長過ぎるとヒータからの熱が電
子放射平面に伝わり難く、温度低下なきたすが実用軛囲
はpt−xxα3−〜1.5諺である。
.Omのときのダを比較すると!!11g5から暫−9
4引:改曽されており、アパーチャ電極へ流れ込む全電
流ITは後者の方が1/9に低減しており、nが一定(
ニーが一定)ならばPtは長い方が夷いと考えることが
できる・一方Pjは余り長過ぎるとヒータからの熱が電
子放射平面に伝わり難く、温度低下なきたすが実用軛囲
はpt−xxα3−〜1.5諺である。
以上説明した通り突出部分の寸法は工電ツシ曹ンスラン
プ特性、及び電圧−電流特性に大きな影I#を与える。
プ特性、及び電圧−電流特性に大きな影I#を与える。
次にベース部分の直径ma及び長さ叉は厚8yについて
説明する・ Bllは次の2つの理由により突出部分のw@r1Lよ
り大きいことが必要である。
説明する・ Bllは次の2つの理由により突出部分のw@r1Lよ
り大きいことが必要である。
第1に、既に述べた遥りPaは高々l$l+mから蝋島
でも0.6■でありWI′F山積は非常に小さい。
でも0.6■でありWI′F山積は非常に小さい。
従ってBitな相当鈍くし工電子放射物質の供給源な確
保しなければ長時間にわたり撮像管の寿命を保証するこ
とは出来ない。ところかPtは余り長くすることはヒー
タからの熱伝導の点から好ましくないので、これを解決
するためにはBad!り大きくし又、BAを選定するこ
とにより電子放射物質供lI!j源を確保することが必
要となる・轟然のことなからBtもヒータからの島伝椰
、ベース部分の熱容量を考慮して決める。
保しなければ長時間にわたり撮像管の寿命を保証するこ
とは出来ない。ところかPtは余り長くすることはヒー
タからの熱伝導の点から好ましくないので、これを解決
するためにはBad!り大きくし又、BAを選定するこ
とにより電子放射物質供lI!j源を確保することが必
要となる・轟然のことなからBtもヒータからの島伝椰
、ベース部分の熱容量を考慮して決める。
1112にと−タの外径を考慮するとB(lはP(Lよ
り大きいことが必要である。
り大きいことが必要である。
すなわちヒータコイルの成形は製造上の問題から外径0
.6 M 11度が限界である。これ6;アルミナのm
布MIv片肉厚0.1 mとすると外径は0.8 mと
なる。
.6 M 11度が限界である。これ6;アルミナのm
布MIv片肉厚0.1 mとすると外径は0.8 mと
なる。
さらにヒータとスリーブとの蘭−vO,l mとすると
スリーブ内径丁なわちベース部分の外径Baは1.0
mとなり、Ilt’1.0M以下にすることは実用的で
ない。
スリーブ内径丁なわちベース部分の外径Baは1.0
mとなり、Ilt’1.0M以下にすることは実用的で
ない。
以上2つの造出により1dはPaより大きくなり換言す
ればベース部分に対し突出部分は小径に形成される・ 以上は本発明における陰極基体が第2図のように凸形状
のものについて説明したが1本発明はこれに限られるも
のではなく、s6図のようにベース部分(31ム)と突
出部分(31m)とV連続的な111面でつないでもよ
<、117図6:示すようなベース部分(41ム)が円
柱状又は円板上に形成され、突出部分(41B)が錐状
1;形成されたものであってもよい。
ればベース部分に対し突出部分は小径に形成される・ 以上は本発明における陰極基体が第2図のように凸形状
のものについて説明したが1本発明はこれに限られるも
のではなく、s6図のようにベース部分(31ム)と突
出部分(31m)とV連続的な111面でつないでもよ
<、117図6:示すようなベース部分(41ム)が円
柱状又は円板上に形成され、突出部分(41B)が錐状
1;形成されたものであってもよい。
又ベース部分及び突出部分は角柱状であってもよい。
又突出部分はベース部分中心に貫通孔を明け。
この孔に嵌合するようにした構造6:すると製造しやす
い利点がある。
い利点がある。
さら(二本発明の変形例について説明する。
第8図は第2図C:示す凸形状のものにおいて突出fm
(51B)の電子放射率m (511)以外及びベー
ス(51A)の表′rk1ヲモリプデy−ルテエクム合
金等の鳥融点鑞打(55)で被扱したものである。この
よう用な電子放射を抑制することが出来、アパーチャ電
極に損傷を与えないのでエミッションスランプ特性、電
圧−電流が改善される。
(51B)の電子放射率m (511)以外及びベー
ス(51A)の表′rk1ヲモリプデy−ルテエクム合
金等の鳥融点鑞打(55)で被扱したものである。この
よう用な電子放射を抑制することが出来、アパーチャ電
極に損傷を与えないのでエミッションスランプ特性、電
圧−電流が改善される。
第9図はベース部分(61ム)の亀出部を金属筒(62
)で被徨したものでこのようにしても良い効果が得られ
る。
)で被徨したものでこのようにしても良い効果が得られ
る。
jil OEは突出部(71B)の周りにタンタル、モ
リブデン等を加工したベース部と同径のリング(76)
t−31着した例である。このような構造にする
゛ことによって、図中c −c’が平面となるためア
パーチャ電極からの電界は平行電界となり、電子ビーム
はより層流となる。
リブデン等を加工したベース部と同径のリング(76)
t−31着した例である。このような構造にする
゛ことによって、図中c −c’が平面となるためア
パーチャ電極からの電界は平行電界となり、電子ビーム
はより層流となる。
第1115<は第10図1さらに改曳するもので、スプ
ール状の薄肉リング部材(85) v用いて突出部!機
嫌し、電子放出平面と同−平1ilIv形成しているも
ので、第10INよりも熱声量が小さいという利点があ
る。
ール状の薄肉リング部材(85) v用いて突出部!機
嫌し、電子放出平面と同−平1ilIv形成しているも
ので、第10INよりも熱声量が小さいという利点があ
る。
第12図は突出部分(91B)の崗りにリング部材(9
6)!装着したものであるが、リング部材(%ンの内径
部には突出部分(911)からの電子放射物質がリング
S材(%)へ拡散するのV防止するためわず 。
6)!装着したものであるが、リング部材(%ンの内径
部には突出部分(911)からの電子放射物質がリング
S材(%)へ拡散するのV防止するためわず 。
かな空隙部(97)t−設けたものである。
陽極とリング部材な接触させたま〜陰゛極と動作温度1
060℃にすると、含浸戴隙極リング部材へ電子放射物
質が約100βm&拡散し、この部分からも電子が放散
されることになるので好ましくない・従って第10図、
第11図はこの点で好ましくな(、空隙を設けて電子放
射物質の無用な拡散V防止したのが第12図のものであ
る。
060℃にすると、含浸戴隙極リング部材へ電子放射物
質が約100βm&拡散し、この部分からも電子が放散
されることになるので好ましくない・従って第10図、
第11図はこの点で好ましくな(、空隙を設けて電子放
射物質の無用な拡散V防止したのが第12図のものであ
る。
1813図はスリープ(10t) vg長し、電子放射
平面(lOll)と同一平面になるようにスリーブ(1
02)の先端を丸めることにより無用な電子放射な防止
するしたもので、突出部(10111)の周囲には大き
な!2隙(10g)が形成されているので、第12図に
比べて熱容量が小さくなる。
平面(lOll)と同一平面になるようにスリーブ(1
02)の先端を丸めることにより無用な電子放射な防止
するしたもので、突出部(10111)の周囲には大き
な!2隙(10g)が形成されているので、第12図に
比べて熱容量が小さくなる。
(発明の効果)
以上説明した通り1本発明は独特の構成な有る電子銃検
体であり、本発明によればエミッションスランプ特性及
び電圧−電流特性を著しく改善することができる・
体であり、本発明によればエミッションスランプ特性及
び電圧−電流特性を著しく改善することができる・
111図は従来の層流形奄子銃槙体の概略断面因、$2
WAは本発明の電子銃一体の、概略thiiI図、第3
図は本発明6;係る陰極基体の突出部分の内径と電流残
存率との関係を水丁図、$4図は本発明6:係る突出部
分の外径と7バーテヤ亀aの温度との関係図、第5図は
本発明の電子銃橋体のアパーチャ電極へ流れ込む全電流
と突出部分先端の電子放射平面からアパーチャ電極へ流
れ込む電流との比ダと突出部分の長さとの間係を説明す
る図、第7図〜第13図は本発明−二係る陰極基体及び
スリーブの変形例を不す概略断面図である。 2・・・アパーチャ電極 15・・・アパーチャ21
・・・−極基体 21ム・・・ベース部分21
B−・・突出部分 22・・・金属筒24・・・
k−夕 211・・・電子放射′4L面(7
317)代理人 弁理士 則 近 逢 佑(ほか1名) 第 I 図 第2図 第 3 図 求い七都lトの31省ト(蝋労す 第 4 図 *→;部2チー)タト斤参CPcL)(の1τt)第1
θ図 第12図 第11図 第13図
WAは本発明の電子銃一体の、概略thiiI図、第3
図は本発明6;係る陰極基体の突出部分の内径と電流残
存率との関係を水丁図、$4図は本発明6:係る突出部
分の外径と7バーテヤ亀aの温度との関係図、第5図は
本発明の電子銃橋体のアパーチャ電極へ流れ込む全電流
と突出部分先端の電子放射平面からアパーチャ電極へ流
れ込む電流との比ダと突出部分の長さとの間係を説明す
る図、第7図〜第13図は本発明−二係る陰極基体及び
スリーブの変形例を不す概略断面図である。 2・・・アパーチャ電極 15・・・アパーチャ21
・・・−極基体 21ム・・・ベース部分21
B−・・突出部分 22・・・金属筒24・・・
k−夕 211・・・電子放射′4L面(7
317)代理人 弁理士 則 近 逢 佑(ほか1名) 第 I 図 第2図 第 3 図 求い七都lトの31省ト(蝋労す 第 4 図 *→;部2チー)タト斤参CPcL)(の1τt)第1
θ図 第12図 第11図 第13図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)電子放射物質が含浸された含浸1111k&!体
と、一端で前記−極基体を保持する金属筒と、この金属
筒内に挿入され前記陰極基体を加熱すると1夕と、 前記陰極基体から所定距離隔てて対向配lisれ前記陰
極基体からの電子を通過せしめ℃ピー^状とするアパー
チャvVするアパーチャ電極とを備えた電子銃構体にお
いて、 前記陰極基体は、IIIF、金属筒に保持されて主(:
電子放射のための電子放射物質の補al1行うベース部
分と、前記ベース部分から前記アパーチャ電極側へ延在
しベース部分より小@LS形成され先端部分4=前記ア
パーチャC一対向するよう近接配置する電子放射率mt
−有する突出部分とからなることを特徴とする電子銃構
・体。 (21前記ベ一ス部分および突出部分は円柱状又は円板
状に形成され、同軸配置され工なることt特徴とする特
許請求の範囲VS1項記畝0竃子銃構体・ (3) 前記突出部分の先端に配FIIL8れる電子
放射平向の直径は0.05〜0.6Mであり、かつアパ
ーチャ径より大であることl@黴とする特許請求のwA
WIA第2項記載の電子銃構体。 (4)前記ベース部分は円柱状または円板状6;形成さ
れ、前記突出部分は錐状に形成され同軸配置されてなる
ことを特徴とする特許請求の1III!囲jiI1項記
載の電子銃構体。 (5) 前記ベース部分及び突出部分は角柱状又は角
板状に形成され同軸配置されなることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記−の電子銃構体。 (6)前記陰極基体6二は電子放射奮前記電子放射平山
からのみ舊:制限する部材が装着されていること【特徴
とする特許請求の軸111111項記載の電子銃構体、
”
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209373A JPS58111236A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子銃構体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56209373A JPS58111236A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子銃構体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111236A true JPS58111236A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16571849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56209373A Pending JPS58111236A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子銃構体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111236A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62217525A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Ltd | 含浸形カソ−ド |
JPS62281222A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | New Japan Radio Co Ltd | 陰極構体 |
KR100504460B1 (ko) * | 1998-07-20 | 2005-09-26 | 엘지전자 주식회사 | 음극선관용 음극구조체 |
JP2006518109A (ja) * | 2003-02-14 | 2006-08-03 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ディスペンサ陰極 |
JP2014102929A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nuflare Technology Inc | カソード、カソードの製造方法 |
DE102013211807B4 (de) | 2012-10-04 | 2022-08-11 | Nuflare Technology, Inc. | Glühkathode mit langer Lebensdauer und grosser Helligkeit und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55154043A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-01 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Image pickup tube |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209373A patent/JPS58111236A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55154043A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-01 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Image pickup tube |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS62217525A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Hitachi Ltd | 含浸形カソ−ド |
JPS62281222A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | New Japan Radio Co Ltd | 陰極構体 |
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EP2293316A1 (en) * | 2003-02-14 | 2011-03-09 | Mapper Lithography IP B.V. | Dispenser cathode |
DE102013211807B4 (de) | 2012-10-04 | 2022-08-11 | Nuflare Technology, Inc. | Glühkathode mit langer Lebensdauer und grosser Helligkeit und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2014102929A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Nuflare Technology Inc | カソード、カソードの製造方法 |
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