CN1821803A - 引线框架、包含引线框架的传感器和及其形成方法 - Google Patents

Abstract

一种引线框架包括确定内部区域的框架主体、从框架主体伸出的多根引线、以及布置在内部区域内的第一和第二平台。第一和第二平台倾斜并且平行于第一线，熔融树脂的主流沿着第一线流动，以便熔融树脂到空腔内的注入基本上不改变平台的倾角。

Description

引线框架、包含引线框架的传感器和及其形成方法

技术领域

本发明通常涉及用于检测物理量例如磁场或重力的方向或方位的传感器、包含在传感器内的引线框架以及制造传感器的方法。

要求2005年2月18日提交的日本专利申请JP2005-42133和2005年3月25日提交的日本专利申请JP2005-88180的优先权，它们的内容作为参考包含在本文中。

背景技术

为了更完整地描述本发明涉及的技术发展水平，因此作为参考，整体地包含以下将在申请中引用或标识的所有专利、专利申请、专利公开、科学论文等。

近年来，已经开发出带有GPS(全球定位系统)功能的终端设备，例如移动电话，这种终端设备显示关于用户位置的信息。终端设备可以具有检测或测量地磁场或加速度的附加功能，从而检测或测量用户终端设备在三维空间内的方位或方向或者终端设备的运动。

为了提供带有上述附加功能的终端设备，需要将终端设备与例如磁性传感器或加速度传感器之类的一个或多个传感器集成在一起。为了允许传感器检测三维空间内的方位或加速度，需要使传感器倾斜以便第一传感器从第二传感器倾斜。传感器安装到包含在引线框架内的平台上。因此，也使平台倾斜以便第一平台从第二平台倾斜。

已经开发出很多种检测物理量的传感器。传感器的典型实例可以包括检测磁场的磁性传感器，但不局限于此。这种磁性传感器与上述传感器不同。这种磁性传感器具有衬底和布置在衬底表面上的磁性传感器芯片。磁性传感器包括安装在衬底上的第一和第二磁性传感器芯片。第一磁性传感器芯片平行于衬底表面而延伸。第二磁性传感器芯片垂直于衬底表面而延伸。第一磁性传感器芯片检测外磁场的第一和第二磁分量。第一磁分量是沿着平行于衬底表面的第一方向的分量。第二磁分量是沿着平行于衬底表面并垂直于第一方向的第二方向的另一分量。第二磁性传感器芯片检测外磁场的第三磁分量。第三磁分量是沿着垂直于衬底表面并且也垂直于第一方向和第二方向的第三方向的又一分量。磁性传感器利用一对第一和第二磁性传感器来检测表示地磁场的三维向量。如上所述，第二磁性传感器芯片垂直于衬底表面而延伸。这样增加了包含第一和第二磁性传感器的磁性传感器的厚度。厚度定义为磁性传感器沿着垂直于衬底表面的方向的尺寸或大小。

为了减小磁性传感器的厚度，有效和有利的是将磁性传感器芯片布置在倾斜的平台上，倾斜的平台从框架主体倾斜或侧斜。日本未审专利申请首次公开文本JP9-292408、JP2002-15204和JP2004-128473公开了常规传感器的实例，这种传感器包括框架主体、倾斜平台和安装在倾斜平台上的传感器芯片。日本未审专利申请首次公开文本JP9-292408公开了减速度传感器，其包括衬底和从衬底表面倾斜或侧斜的加速度传感器芯片、以及放置在衬底上的外壳。倾斜的传感器对沿着从衬底表面倾斜的方向的加速度非常敏感。倾斜的传感器对沿着平行于衬底表面的另一方向的另一加速度很不敏感。

图17是图解用于形成检测物理量的传感器的常规引线框架实例的平面图。图18是片断横剖正视图，图解了包含图17中引线框架的传感器。引线框架50包括分别支撑传感器芯片51和53的平台55和57、围绕平台55和57的框架主体59、以及将平台55和57连接到框架主体59的连接部分61。这种引线框架50用来形成传感器。分别安装传感器芯片51和53的平台55和57从包含框架主体59和连接部分61的平面倾斜。将引线框架50放在模具“P”和“Q”的空腔内。将熔融树脂注入空腔内来形成封装传感器芯片51和53以及平台55和57的树脂模型。在喷射模塑工艺中，当熔融树脂注入空腔内时，熔融树脂的流动推动倾斜的平台55和57，从而使得可能改变平台55和57的倾角。平台倾角的实质变化使传感器难以执行精确检测物理量的理想功能。

考虑到上述，根据本公开文本，对于本领域技术人员来说显而易见，存在改进装置和/或方法的需要。本发明致力于这种需要以及其他需要，根据本公开文本，对于本领域技术人员来说这将是显而易见的。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供一种为形成检测物理量的传感器而加工的引线框架。

本发明的另一目的是提供一种包含在检测物理量的传感器内的引线框架。

本发明的又一目的是提供一种检测物理量的传感器，其中传感器包括引线框架。

本发明的再一目的是提供一种形成引线框架的方法，引线框架包含在检测物理量的传感器内。

本发明的又一目的是提供一种形成检测物理量的传感器的方法，其中传感器包括引线框架。

依据本发明的第一方面，引线框架包括框架主体、多根引线、以及第一和第二平台。引线框架确定布置有第一和第二平台的内部区域。框架主体在第一平面内延伸。框架主体具有穿过内部区域的第一线。内部区域包括通过第一线彼此为界的第一和第二子区域。多根引线从框架主体伸出。第一平台布置在第一子区域内。第一平台连接到框架主体。第一平台与第一线隔开。第一平台在平行于第一线的第二平面内延伸。第二平面从第一平面倾斜。第二平台布置在第二子区域内。第二平台连接到框架主体。第二平台与第一线隔开。第二平台在平行于第一线的第三平面内延伸。第三平面从第一平面和第二平面倾斜。传感器芯片安装在第一和第二平台上。将引线框架放在模具的空腔内。朝着与第一线对齐的方向将熔融树脂注入空腔内，以便在注入时第一和第二平台与熔融树脂的主流隔开并且不暴露给它，从而避免第一和第二平台倾角的任何实质变化。

根据下面结合附图的详细描述，对于本领域技术人员来说本发明的这些和其他目的、特征、方面以及优点将变得显而易见，这些附图图解了本发明的实施例。

附图说明

现在参考附图，这些附图构成本原始公开一部分。

图1是图解依据本发明第一优选实施例带有磁性传感器芯片的引线框架的平面图；

图2是引线框架沿图1中H-H线的横剖视图；

图3是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架；

图4是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架；

图5是图解通过使用图1中引线框架1形成的磁性传感器的平面图；

图6是沿着图5中I-I线的横剖面正视图，图解了磁性传感器；

图7是图解依据本发明第一优选实施例带有磁性传感器芯片的变型引线框架的平面图；

图8是沿着图7中J-J线的片断横剖面正视图，图解了变型引线框架；

图9是图解依据本发明第二优选实施例带有磁性传感器芯片的引线框架的平面图；

图10是沿着图9中H-H线的引线框架的横剖视图；

图11是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第二实施例的图9中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架；

图12是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第二实施例的图9中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架；

图13是图解通过使用图9中引线框架1形成的磁性传感器的平面图；

图14是沿着图13中H-H线的横剖面正视图，图解了磁性传感器；

图15A是片断平面图，图解了为包含在依据本发明第二实施例的变型实例的引线框架内的平台所提供的变型突起部分；

图15B是沿图15A中I-I线的片断横剖正视图，图解了变型突起部分；

图16A是片断平面图，图解了为包含在依据本发明第二实施例的又一变型实例的引线框架内的平台所提供的又一变型突起部分；

图16B是沿图16A中J-J线的片断横剖正视图，图解了又一变型突起部分；

图17是图解用于形成检测物理量的传感器的常规引线框架实例的平面图；

图18是片断横剖正视图，图解了包含图17中引线框架的传感器。

具体实施方式

现在将参考附图来描述本发明的优选实施例。根据本公开的内容，对于本领域技术人员来说将显而易见，提供本发明实施例的下面描述只是用于例证，而目的不是用于限定如附属权利要求和它们的等效物所定义的本发明。

第一实施例：

图1是图解依据本发明第一优选实施例带有磁性传感器芯片的引线框架的平面图。图2是引线框架沿图1中H-H线的横剖视图。通过引线框架能实现用于检测物理量的传感器，多个用于检测物理量的传感器芯片安装在引线框架上。用于检测物理量的传感器的典型实例可以包括用于检测磁场方向和强度的磁性传感器，但不局限于此。

依据本发明的这种实施例的磁性传感器包括引线框架1和安装在引线框架1上的两个磁性传感器芯片3，5。两个磁性传感器芯片3，5各自测量施加到磁性传感器的外磁场方向和强度。通过用于压制和蚀刻例如铜薄板之类的金属板的工艺能形成引线框架1。

如图1和2中所示，引线框架1包括两个平台7和9，磁性传感器芯片3和5分别安装在它们之上。两个平台7和9各自在平面图内的形状都是正方形。引线框架1还包括机械支撑两个平台7和9的框架11。而且，引线框架1包括连接部分13，每个连接部分13将每个平台7和9机械互连到框架11。平台7和9、连接部分13以及框架11整体形成单片结构。

框架11还包括正方形框架部分15和多根引线17。正方形框架部分15具有大致的正方形形状。例如，正方形框架部分15具有确定内部区域S1的四个侧面15a、15b、15c和15d。因此，内部区域S1具有大致的正方形形状。平台7和9位于内部区域S1中。正方形框架部分15围绕平台7和9。引线17从正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。

多根引线17包括第一至第四子多根引线17，它们分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。引线17电连接到磁性传感器芯片3和5的焊接点，在图中未图解焊接点。

两个平台7和9分别具有安装磁性传感器芯片3和5的表面7a和9a。表面7a和9a各自在平面图内具有大致的正方形形状。正方形框架部分15具有第一至第四角15e、15f、15g和15h。第一侧面15a在第一角15e和第二角15f之间延伸。第二侧面15b在第二角15f和第三角15g之间延伸。第三侧面15c在第三角15g和第四角15h之间延伸。第四侧面15d在第四角15h和第一角15e之间延伸。正方形框架部分15还具有第一表面15i和与第一表面15i相对的第二表面15j。

正方形框架部分15确定彼此以直角相交的第一对角线L1和第二对角线L2。第一对角线L1在第一角15e和第三角15g之间延伸。第二对角线L2在第二角15f和第四角15h之间延伸。第一角15e和第三角15g定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。第二角15f和第四角15h定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。平台7和9定位成分别靠近第一角15e和第三角15g。平台7和9具有与第一对角线L1重叠的对角线。平台7和9放置在彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称的位置上。平台7和9布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。平台7和9与第二对角线L2隔开。平台7和9各自二维地并沿着关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称地延伸。

如图2中所示，平台7具有第一表面7a和与第一表面7a相对的第二表面7c。平台7还具有第一至第四角7d、7g、7b和7h，以及第一至第四侧面7i、7f、7e和7j。第一角7d和第三角7b位于第一对角线L1上。第二角7g和第四角7h定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。第一侧面7i在第一角7d和第二角7g之间延伸。第二侧面7f在第二角7g和第三角7b之间延伸。第三侧面7e在第三角7b和第四角7h之间延伸。第四侧面7j在第四角7h和第一角7d之间延伸。两个突起部分19沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从底面7c伸出。优选地，突起部分19分别从邻近第二侧面7f和第三侧面7e的位置伸出。成对的突起部分19定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。第一角7d定位成靠近第一角15e，同时第三角7b远离第一角15e。

如图2中所示，平台9具有第一表面9a和与第一表面9a相对的第二表面9c。平台9还具有第一至第四角9d、9g、9b和9h，以及第一至第四侧面9i、9f、9e和9j。第一角9d和第三角9b位于第一对角线L1上。第二角9g和第四角9h定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。第一侧面9i在第一角9d和第二角9g之间延伸。第二侧面9f在第二角9g和第三角9b之间延伸。第三侧面9e在第三角9b和第四角9h之间延伸。第四侧面9j在第四角9h和第一角9d之间延伸。两个突起部分21沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从底面9c伸出。优选地，突起部分21分别从邻近第二侧面9f和第三侧面9e的位置伸出。成对的突起部分21定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。第一角9d定位成靠近第三角15g，同时第三角9b远离第三角15g。

连接部分13中的第一连接部分沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第一角15e延伸到平台7的第一角7d，以便平台7通过连接部分13连接到正方形框架部分15的第一角15e。连接部分13中的第二连接部分也沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第三角15g延伸到平台9的第一角9d，以便平台9通过连接部分13连接到正方形框架部分15的第三角15g。

每个连接部分13具有柔性部分23，在下述工艺中接收到施加的外力之后，柔性部分23可容易变形以便允许每个平台7和9从包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面向下偏斜或倾斜。连接部分13在参考轴线L3上是可弯曲的，参考轴线L3垂直于第一对角线L1延伸和平行于第二对角线L2延伸。允许连接部分13的柔性部分23在参考轴线L3上弯曲，以便第三角7b沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向移动，从而使第三角7b的水平面变成与第一角7d不同，平台7变成关于参考轴线L3向下偏斜或倾斜。同样，允许连接部分13的柔性部分23在参考轴线L3上弯曲，以便第三角9b沿着垂直方向移动，从而使第三角9b的水平面变成与第一角9d不同，平台9变成关于参考轴线L3向下偏斜或倾斜。

将描述使用上述图1的引线框架1来形成磁性传感器的方法。图3是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第一实施例的图1中引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架。图4是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第一实施例的图1中引线框架来形成磁性传感器的方法中的所包含的另一步骤内的引线框架。

在第一步骤中，制备上面参考图1和2描述的引线框架1。在第二步骤中，磁性传感器芯片3和5分别粘结到平台7和9的第一表面7a和9a上。在第三步骤中，引线框架1的引线17通过接线电连接到焊接点，焊接点设置在每个磁性传感器芯片3和5上。在图中未图解焊接点。有利地，接线是柔性的，以便在随后用于弯曲连接部分13的柔性部分23的工艺中，允许平台7和9向下倾斜或偏斜，从而改变磁性传感器芯片3和5的焊接点关于引线框架1的相对位置。

参考图3，制备第一模具“E”和第二模具“F”。第一模具“E”具有凹面“E1”和外围隆起“E2”。第二模具“F”具有平坦面“F1”。凹面“E1”和平坦面“F1”确定模具“E”和“F”的空腔。将引线框架1放置在第一模具“E”上，其中正方形框架部分15与外围隆起“E2”进行接触。引线17、磁性传感器芯片3和5、平台7和9、连接部分13、以及突起部分19和21位于第一模具“E”的凹面“E1”之上。当将引线框架1放置在第一模具“E”上时，磁性传感器芯片3和5位于平台7和9之下，而突起部分19和21分别从平台7和9的第二表面7c和9c向上延伸。磁性传感器芯片3和5与第一模具“E”的凹面“E1”间隔有一个间隙。突起部分19和21也与平坦面“F1”间隔有另一间隙。

参考图4，第二模具“F”移向第一模具“E”，以便平坦面“F1”向下按压突起部分19和21，直到第一模具“E”和第二模具“F”将引线框架1的正方形框架部分15夹在中间，从而使连接部分在参考轴线L3上弯曲，并且使平台7和9从包含第一对角线L1和第二对角线L2的上述平面向下倾斜或偏斜。由于正方形框架部分15在包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面内沿着二维延伸，该平面也包含正方形框架部分15。分别安装在平台7和9上的磁性传感器芯片3和5也与平台7和9一起向下倾斜或偏斜。倾斜的磁性传感器芯片3和5关于正方形框架部分15而且平坦面“F1”具有预定的倾角。预定的倾角由突起部分19和21来确定。例如，预定的倾角由参考轴线L3和每个突起部分19，21之间的距离以及每个突起部分19和21的尺寸或大小来确定，其中沿着垂直于包含每个突起部分19和21的平面的方向来定义尺寸。当第一模具“E”和第二模具“F”将正方形框架部分15夹在中间时，正方形框架部分15的第一表面15i与第一模具“E”的外围隆起“E2”接触，同时正方形框架部分15的第二表面15j与平坦面“F1”接触。

将熔融树脂注入模具“E”和“F”的空腔内，其中第二模具“F”继续下压突起部分19和21，从而用树脂模塑和密封磁性传感器芯片3和5以及平台7和9。如上所述，空腔由第一模具“E”的凹面“E1”和第二模具“F”的平坦面“F1”来确定。

在喷射模塑工艺中，通过图1中所示的入口“G”将熔融树脂注入空腔内。入口“G”位于第二对角线L2上和引线框架1的正方形框架部分15的第四角15h上。在空腔内，熔融树脂在注入时将散开流向第一角15e、第二角15f和第三角15g以及第一侧面15a和第二侧面15b。熔融树脂的这种流动将包括流向与入口“G”相对的第二角15f的主流，以及流向第一侧面15a、第二侧面15b、第一角15e和第三角15g的次流。主流中的散开引起次流。熔融树脂的主流将沿着第二对角线L2流动。如上所述，连接部分13的柔性部分23在其上弯曲的这些参考轴线L3都平行于第二对角线L2。参考轴线L3平行于第二对角线L2。因此，沿着第二对角线L2流动的主流将被引导成平行于参考轴线L3。倾斜或偏斜的平台7的第一表面7a和第二表面7c平行于第二对角线L2。倾斜或偏斜的平台9的第一表面9a和第二表面9c也平行于第二对角线L2。分别安装在倾斜或偏斜的平台7和9上的倾斜或偏斜的磁性传感器芯片3和5也平行于第二对角线L2。因此，熔融树脂的主流将被引导成平行于倾斜或偏斜的平台7和9以及倾斜或偏斜的磁性传感器芯片3和5。这意味着由于出现倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5而基本上不能扰动熔融树脂的主流。此外，熔融树脂的主流基本上不能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。

如图4中所示，当第一模具“E”和第二模具“F”将正方形框架部分15夹在中间时，第二模具“F”的平坦面“F1”与正方形框架部分15的第二表面15j接触。平台7和9的第一角7a和9a与第二模具“F”的平坦面“F1”间隔有小间隙G1。由于如上所述平台7和9基本上不能扰动熔融树脂的主流，在不接收平台7和9的任何实质扰动下，熔融树脂能填满小间隙G1。优选地，树脂具有高流动性以便防止熔融树脂在注入空腔时的流动改变倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5的倾角。

图5是图解通过使用图1中引线框架1形成的磁性传感器的平面图。图6是沿着图5中I-I线的横剖面正视图，图解了磁性传感器。在用于模塑引线框架1的上述工艺中，当熔融树脂注入空腔时，用熔融树脂来密封位于倾斜的平台7和9上的倾斜的磁性传感器芯片3和5。然后，冷却和固化熔融树脂以便形成树脂模型29。如图5和6中所示，通过模塑工艺，用树脂模型29来封装和密封位于倾斜的平台7和9上的倾斜的磁性传感器芯片3和5。倾斜的磁性传感器芯片3和5固定在树脂模型29内，同时正方形框架部分15伸出树脂模型29的外侧。

然后，从树脂模型29中切断和除去位于树脂模型29外侧的正方形框架部分15。从树脂模型29中切去和除去连接部分13和引线17的外侧部分，从而完成磁性传感器30。

磁性传感器30包括倾斜的磁性传感器芯片3和5、倾斜的平台7和9、突起部分19和21、引线17的其余部分、连接部分13的其余部分、以及密封和封装这些元件的树脂模型29。树脂模型29在平面图内具有大致的正方形形状。树脂模型29还具有平坦底面29a和平坦顶面29c。连接部分13具有与平坦底面29a齐平并图示在其内的表面13b。突起部分19和21具有与平坦底面29a齐平并图示在其内的顶部。引线17通过未图解的接线连接到倾斜的磁性传感器芯片3和5。接线也由树脂模型29来密封和封装。

倾斜的磁性传感器芯片3和5埋藏在树脂模型29内，其中倾斜的磁性传感器芯片3和5从树脂模型29的平坦底面29a倾斜。倾斜的磁性传感器芯片3和5包含在彼此以锐角θ相交的两个斜面内。即，倾斜的磁性传感器芯片3和5具有彼此相差锐角θ的倾角。这种角θ图示在图6内，并且与上述倾角不同。由于磁性传感器芯片3和5安装在倾斜的平台7和9上，倾斜的平台7和9也包含在彼此以锐角θ相交的两个斜面内。即，倾斜的平台7和9具有彼此相差锐角θ的倾角。

每个倾斜的磁性传感器芯片3和5都配置成检测施加到磁性传感器30的外磁场的两个分量。两个分量的方向相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片3或5的斜面。例如，在图6中，倾斜的磁性传感器芯片3检测外磁场沿着用箭头“A”标记的第一方向的第一分量和外磁场沿着用箭头“B”标记的第二方向的第二分量。第一方向“A”和第二方向“B”相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片3的第一斜面。倾斜的磁性传感器芯片5检测外磁场沿着用箭头“C”标记的第三方向的第三分量和外磁场沿着用箭头“D”标记的第四方向的第四分量。第三方向“C”和第四方向“D”相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片5的第二斜面。第一方向“A”和第三方向“C”相互反平行(anti-parallel)，并且都垂直于第一对角线L1和平行于第二对角线L2。第二方向“B”和第四方向“D”彼此相差锐角θ，并且都垂直于第二对角线L2。

平行于第一方向“A”和第二方向“B”的第一斜面与平行于第三方向“C”和第四方向“D”的第二斜面彼此以上述锐角θ相交。理论上，这种锐角θ可以大于0度和最大为90度，以使磁性传感器30能精确地检测三维地磁的方位角。锐角θ优选为在20度至90度的范围内，更优选为在30度至90度的范围内。

有利地，磁性传感器30可以集成或安装到包含在设备内的电路板上，例如移动终端。移动终端的典型实例可以包括便携式电话，但不局限于此。当磁性传感器30集成在便携式电话内时，有利地，磁性传感器30检测地磁方位角并把它显示在便携式电话的显示板上成为可能。

依据上述实施例，倾斜的平台7和9与倾斜的磁性传感器芯片3和5都与第二对角线L2隔开，在上述喷射模塑工艺中，熔融树脂在注入时的主流沿着第二对角线L2流动。因此，熔融树脂在注入空腔内时的主流不能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5，从而，基本上不会导致磁性传感器芯片3和5的倾角变化。磁性传感器芯片3和5的倾角基本不变化导致定义在倾斜的磁性传感器芯片3和5之间的上述锐角基本上不变化。

由于如上所述平台7和9基本上不能扰动熔融树脂的主流，熔融树脂能填满上述图4中所示的小间隙G1。这有助于避免在树脂模型29内形成任何空隙。

如上所述，引线框架1的平台7和9通过连接部分13连接到正方形框架部分15的第一角15e和第三角15g。第一角15e和第三角15g与第二对角线L2隔开，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。这意味着第一角15e和第三角15g未暴露给熔融树脂的主流，但可以暴露给熔融树脂的次流。平台7和9也与第二对角线L2隔开，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。这意味着平台7和9未暴露给熔融树脂的主流，但可以暴露给熔融树脂的次流。熔融树脂的次流还可能不包括或包括微弱分流，微弱分流将微弱地推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。此外，熔融树脂次流的动力小于主流。因此，次流能基本上不提供或提供微弱推力给倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。这意味着熔融树脂的流动基本上导致磁性传感器芯片3和5的倾角无变化或小变化。

依据上述实施例，通过位于第四角15h上的入口“G”将熔融树脂提供到空腔内。尽管这样，但作为变型可能将入口“G”提供到位于第二对角线L2上的第二角15f上，以便将熔融树脂从第二角15f注入到第四角15h，从而使得熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。

依据上述实施例，平台7和9布置在第一对角线L1上，参考轴线L3平行于第二对角线L2，第二对角线L2垂直于第一对角线L1。如果考虑到不必用熔融树脂完全填满小间隙G1，则平台7和9能布置在彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称的位置上，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。因此，磁性传感器芯片3和5能定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。将参考附图描述图1中引线框架1的可能变型的典型实例。

图7是图解依据本发明第一优选实施例带有磁性传感器芯片的变型引线框架的平面图。图8是沿着图7中J-J线的片断横剖面正视图，图解了变型引线框架。第一优选实施例的变型实例提供变型引线框架10。下面的描述将突出图7中变型引线框架10与上述图1中引线框架1的区别。

如图7中所示，引线框架10包括两个平台7和9，它们布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称，假设每个平台7和9关于第一对角线L1的映像-对称轴不对称地延伸。引线框架10还包括分别安装在平台7和9之上的磁性传感器芯片3和5。磁性传感器芯片3和5也布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称，假设每个磁性传感器芯片3和5关于第一对角线L1的映像-对称轴不对称地延伸。

多根引线17包括第一至第四子多根引线17，它们分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。第一多根变型引线从正方形框架部分15的第一侧面15a向内延伸。即，第一多根变型引线和第一子多根引线17沿着平行于正方形框架部分15的第一侧面15a的方向按照恒定间距而对齐。第一多根变型引线比第一子多根引线17更长，以便第一多根变型引线越过第一对角线L1，但不越过第二对角线L2。第二多根变型引线从正方形框架部分15的第二侧面15b向内延伸。即，第二多根变型引线和第二子多根引线17沿着平行于正方形框架部分15的第二侧面15a的方向按照恒定间距而对齐。第二多根变型引线比第二子多根引线17更长，以便第二多根变型引线越过第一对角线L1，但不越过第二对角线L2。

每个变型引线包括第一部分和第二部分31。第一部分分别在第二部分31与正方形框架部分15的第一侧面15a或第二侧面15b之间延伸。第二部分31通过第一部分连接到正方形框架部分15的第一侧面15a或第二侧面15b。第一部分构成将平台7或9连接到正方形框架部分15的第一侧面15a或第二侧面15b的连接部分13。第二部分31构成平台7或9的一部分。变型引线从第一侧面15a伸出的第一多个第一部分用作从第一侧面15a向内延伸的第一多个连接部分13。第一多个连接部分13将平台7连接到第一侧面15a。变型引线从第二侧面15b伸出的第二多个第一部分用作从第二侧面15b向内延伸的第二多个连接部分13。第二多个连接部分13将平台9连接到第二侧面15b。

平台7包括变型引线从第一侧面15a伸出的第一多个第二部分31。平台7通过连接部分13连接到第一侧面15a。磁性传感器芯片3安装在变型引线从第一侧面15a伸出的第二部分上。平台9包括变型引线从第二侧面15b伸出的第二多个第二部分31。平台9通过连接部分13连接到第二侧面15b。磁性传感器芯片5安装在变型引线从第二侧面15b伸出的第二部分31上。

从第一侧面15a伸出的连接部分13包括柔性部分23，柔性部分23具有平行于第一侧面15a的参考轴线L4。连接部分13可在参考轴线L4上弯曲。参考轴线L4既不平行于也不垂直于第一对角线L1和第二对角线L2。从第二侧面15b伸出的连接部分13包括柔性部分23，柔性部分23具有平行于第二侧面15b的参考轴线L5。连接部分13可在参考轴线L5上弯曲。参考轴线L5既不平行于也不垂直于每个第一对角线L1和第二对角线L2。参考轴线L4垂直于参考轴线L5。

变型引线从第一侧面15a伸出的第二部分31具有端部，突起部分19沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从这些端部伸出。例如，突起部分19相对于磁性传感器芯片3延伸。变型引线从第二侧面15b伸出的第二部分31具有端部，突起部分21沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从这些端部伸出。例如，突起部分21相对于磁性传感器芯片5延伸。

如上所述，平台7和9与第二对角线L2隔开，在喷射模塑工艺中，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。这意味着平台7和9未暴露给熔融树脂的主流，但可以暴露给熔融树脂的次流。熔融树脂的次流还可能不包括或包括微弱分流，微弱分流将微弱地推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。此外，熔融树脂次流的动力小于主流。因此，次流能基本上不提供或提供微弱推力给倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。这意味着熔融树脂的流动基本上导致磁性传感器芯片3和5的倾角无变化或小变化。

在喷射模塑工艺中，第二模具“F”移向第一模具“E”，以便平坦面“F1”向下按压突起部分19和21，直到第一模具“E”和第二模具“F”将引线框架1的正方形框架部分15夹在中间，从而使连接部分在参考轴线L4和L5上弯曲，并且使平台7和9从包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面向下倾斜或偏斜。分别安装在平台7和9上的磁性传感器芯片3和5也与平台7和9一起向下倾斜或偏斜。

在喷射模塑工艺中，通过图7中所示的入口“G”将熔融树脂注入空腔内。入口“G”位于第二对角线L2上和引线框架1的正方形框架部分15的第四角15h上。在空腔内，熔融树脂的这种流动将包括流向与入口“G”相对的第二角15f的主流，以及流向第一侧面15a、第二侧面15b、第一角15e和第三角15g的次流。主流中的散开引起次流。熔融树脂的主流将沿着第二对角线L2流动。位于第一侧面15a和平台7之间的连接部分13在平行于第一侧面15a的参考轴线L4上弯曲。然而，如上所述，平台7和磁性传感器芯片3与第二对角线L2隔开，在喷射模塑工艺中，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。熔融树脂在注入空腔内时的主流不能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5，而次流能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5，但比较微弱。这防止磁性传感器芯片3和5的倾角被熔融树脂的主流大大改变，但这样可以允许倾角被次流稍微改变。磁性传感器芯片3和5倾角的基本上无变化或稍微变化导致定义在倾斜的磁性传感器芯片3和5之间的锐角基本上无变化或稍微变化。锐角这种可能的稍微变化增加但不减少锐角，因为熔融树脂的次流能微弱地推动平台7和9以便稍微增加平台7和9的倾角。平台7和9与磁性传感器芯片3和5都不暴露给熔融树脂的主流。这样允许磁性传感器精确地检测三维地磁的方位角。

依据第一实施例，有利地，平台7和9布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称，在喷射模塑工艺中，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。作为另一典型实例，可能将平台7和9连接到与第二角15f相邻的第一侧面15a和第二侧面15b，熔融树脂的主流从第四角15h的入口“G”流向第二角15f，而不管平台7和9是否定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称或不对称。这种结构提供与上述基本相同的效果和优点。作为再一典型实例，也可能将平台7和9连接到远离第二对角线L2的第一角15e和第三角15g，熔融树脂的主流将沿着第二对角线L2流动，而不管平台7和9是否定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称或不对称。这种结构提供与上述基本相同的效果和优点。

依据第一实施例，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动，而平台7和9与第二对角线L2隔开。作为变型，可能使平台7和9与主流线隔开，在喷射模塑工艺中，熔融树脂的主流将沿着主流线流动，以便防止平台7和9暴露给主流，而不管主流线是否与第二对角线L2对齐或偏移。有利地，可能使平台7和9与主流线隔开，并且定位成彼此关于主流线的映像-对称轴而对称。

依据第一实施例，突起部分19和21从平台7和9的外围或端部伸出。也可能突起部分19和21从平台7和9的底面伸出，而不管突起部分19和21伸出的准确位置。

依据第一实施例，突起部分19和21用来倾斜或偏斜平台7和9。作为变型，可能不需要突起部分19和21，假设在用于形成树脂模型29的喷射模塑工艺之前，已经用公知或可得到的技术使平台7和9与磁性传感器芯片3和5倾斜或偏斜。

依据第一实施例，每个平台7和9在平面图内具有正方形形状。每个平台7和9可能具有允许磁性传感器芯片3和5安装在其上的变型形状。平台7和9在平面图内的形状的典型实例可以包括正方形、矩形、圆形和椭圆形，但不局限于此。平台7和9的其他典型实例可以包括网状平台和具有一个或多个通孔的另一平台，通孔沿着平台的厚度定义的方向而穿透，但不局限于此。平台7和9的形状或尺寸也可以彼此不同。

依据第一实施例，磁性传感器芯片3和5、平台7和9、以及引线17都固定或封装在树脂模型29内。作为变型，可能形成容纳和封装磁性传感器芯片3和5、平台7和9、以及引线17的半导体外壳。

依据第一实施例，引线框架1包括具有大致的正方形形状的正方形框架部分15。也可能修改框架部分在平面图内的形状。框架部分在平面图内的形状的典型实例可以包括大致的正方形和大致的矩形，但不局限于此。

依据第一实施例，提供用于检测地磁方位角和强度的磁性传感器。作为上述引线框架的变型，可能将用于至少检测物理量的方向、方位或定向的另一传感器安装在三维空间内。物理量的典型实例包括磁场、加速度和其他向量。对于引线框架1，可能安装检测加速度方向和大小的加速度传感器芯片。

第二实施例：

将描述本发明的第二实施例。下面的描述将涉及第二实施例与上述第一实施例的区别。图9是图解依据本发明第二优选实施例带有磁性传感器芯片的引线框架的平面图。图10是沿着图9中H-H线的引线框架的横剖视图。通过引线框架能实现用于检测物理量的传感器，多个用于检测物理量的传感器芯片安装在引线框架上。用于检测物理量的传感器的典型实例可以包括用于检测磁场方向和强度的磁性传感器，但不局限于此。

依据本发明这种实施例的磁性传感器包括引线框架1和安装在引线框架1上的两个磁性传感器芯片3、5。两个磁性传感器芯片3、5各自测量施加到磁性传感器的外磁场方向和强度。通过用于压制和蚀刻如铜薄板之类的金属板例的工艺能形成引线框架1。

如图9和10中所示，引线框架1包括两个平台7和9，磁性传感器芯片3和5分别安装在它们之上。两个平台7和9各自在平面图内的形状都是正方形。引线框架1还包括机械支撑两个平台7和9的框架11。而且，引线框架1包括连接部分13，每个连接部分13将每个平台7和9机械互连到框架11。引线框架1又包括将平台7和9机械互连到框架11的变型引线。平台7和9、连接部分13以及框架11整体形成单片结构。

框架11还包括正方形框架部分15和多根引线17。正方形框架部分15具有大致的正方形形状。例如，正方形框架部分15具有确定内部区域S1的四个侧面15a、15b、15c和15d。因此，内部区域S1具有大致的正方形形状。平台7和9位于内部区域S1中。正方形框架部分15围绕平台7和9。引线17从正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。

多根引线17包括第一至第四子多根引线17，它们分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。引线17电连接到磁性传感器芯片3和5的焊接点，在图中未图解焊接点。

两个平台7和9分别具有安装磁性传感器芯片3和5的表面7a和9a。表面7a和9a各自在平面图内具有大致的正方形形状。正方形框架部分15具有第一至第四角15e、15f、15g和15h。第一侧面15a在第一角15e和第二角15f之间延伸。第二侧面15b在第二角15f和第三角15g之间延伸。第三侧面15c在第三角15g和第四角15h之间延伸。第四侧面15d在第四角15h和第一角15e之间延伸。

正方形框架部分15确定彼此以直角相交的第一对角线L1和第二对角线L2。第一对角线L1在第一角15e和第三角15g之间延伸。第二对角线L2在第二角15f和第四角15h之间延伸。第一角15e和第三角15g定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。第二角15f和第四角15h定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。

平台7和9的平面尺寸小于磁性传感器芯片3和5。平台7和9定位成分别靠近第一角15e和第三角15g。平台7和9放置在第一对角线L1上。平台7和9放置在彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称的位置上。平台7和9布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。平台7和9与第二对角线L2隔开。平台7和9各自二维地并关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称地延伸。

如图10中所示，平台7具有第一表面7a和与第一表面7a相对的第二表面7c。平台7还具有与第一对角线L1对齐的中心线。如上所述，平台7具有大致的正方形形状。平台7还具有四个侧面，其中两个侧面7b和7d平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1，而其余两个侧面平行于第一对角线L1和垂直于第二对角线L2。侧面7b靠近第二对角线L2，而远离正方形框架部分15的第一角15e。相对侧面7d靠近第一角15e，而远离对角线L2。平台7的四个侧面既不平行于也不垂直于正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d。

两个突起部分19沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从底面7c伸出。优选地，突起部分19从邻近平台7的侧面7b的位置伸出。成对的突起部分19相互隔开并且定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。在用于使平台7倾斜的过程中，突起部分19之间的距离防止平台7围绕第一对角线L1扭曲。

如图10中所示，平台9具有第一表面9a和与第一表面9a相对的第二表面9c。平台9还具有与第一对角线L1对齐的中心线。如上所述，平台9具有大致的正方形形状。平台9还具有四个侧面，其中两个侧面9b和9d平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1，而其余两个侧面平行于第一对角线L1和垂直于第二对角线L2。侧面9b靠近第二对角线L2，而远离正方形框架部分15的第三角15g。相对侧面7d靠近第三角15g，而远离对角线L2。平台9的四个侧面既不平行于也不垂直于正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d。

两个突起部分21沿着垂直于包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面的方向从底面9c伸出。优选地，突起部分21从邻近平台9的侧面9b的位置伸出。成对的突起部分21相互隔开并且定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。在用于使平台9倾斜的过程中，突起部分21之间的距离防止平台9围绕第一对角线L1扭曲。

第一至第四多根引线17分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。每个平台7和9通过连接部分13和一对变型引线16连接到正方形框架部分15。连接部分13的第一连接部分沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第一角15e延伸到平台7的侧面7d的中心。成对变型引线16的第一引线从正方形框架部分15的第四侧面15d延伸到平台7的侧面7d的第一端。成对变型引线16的第二引线平行于从第四侧面15d伸出的第四多根引线17而延伸。变型引线16从正方形框架部分15的第一侧面15a延伸到平台7的侧面7d的第二端。变型引线16平行于从第一侧面15a伸出的第一多根引线17而延伸。连接部分13的第二连接部分沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第三角15f延伸到平台9的侧面9d的中心。第三变型引线16从正方形框架部分15的第二侧面15b延伸到平台9的侧面9d的第一端。第三变型引线16平行于从第二侧面15b伸出的第二多根引线17而延伸。第四变型引线16从正方形框架部分15的第三侧面15c延伸到平台9的侧面9d的第二端。第四变型引线16平行于从第三侧面15c伸出的第三多根引线17而延伸。

如图10中所示，从第一角15e伸出的连接部分13具有薄的部分13a，薄的部分13a邻近平台7的侧面7d并远离第一角15e。连接部分13具有台阶13d，台阶13d在薄的部分13a和其余部分之间提供边界。第一和第二变型引线16也具有薄的部分16a，薄的部分16a靠近平台7的侧面7d并远离正方形框架部分15的第一侧面15a和第四侧面15d。第一和第二变型引线16也具有台阶16d，台阶16d在薄的部分16a和其余部分之间提供护堤。

从第三角15g伸出的连接部分13具有薄的部分13a，薄的部分13a邻近平台9的侧面9d并远离第三角15g。连接部分13具有台阶13d，台阶13d在薄的部分13a和其余部分之间提供边界。第一和第二变型引线16也具有薄的部分16a，薄的部分16a靠近平台9的侧面9d并远离正方形框架部分15的第一侧面15a和第四侧面15d。第一和第二变型引线16也具有台阶16d，台阶16d在薄的部分16a和其余部分之间提供护堤。这些薄的部分13a和16a具有与平台7和9相同的厚度。这些薄的部分13a和16a的厚度小于突起部分19和21。

平台7的侧面7d具有与突起部分19结合的台阶。平台9的侧面9d具有与突起部分21结合的台阶。

例如，通过公知的光蚀刻工艺可以形成这些薄的部分。磁性传感器芯片3和5安装在平台7和9以及连接部分和变型引线16的薄的部分13a和16a上。

磁性传感器芯片3具有第一至第四侧面3a、3b、3c和3d。第一侧面3a靠近正方形框架部分15的第一角15e并远离第二对角线L2。磁性传感器芯片3的第一侧面3a与参考轴线L6对齐和叠置，参考轴线L6平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1。第一侧面3a邻近连接部分13的台阶以及第一和第二变型引线16的台阶。连接部分13以及第一和第二变型引线16的台阶在平面图内都与参考轴线L6对齐，并且邻近磁性传感器芯片3的第一侧面3a。磁性传感器芯片3具有角3e和3f，侧面3a在角3e和3f之间延伸。角3e和3f邻近变型引线16的台阶。角3e和3f覆盖变型引线16，但不覆盖引线17，以便所有第一和第四多根引线17连接到磁性传感器芯片5的焊接点。

磁性传感器芯片5具有第一至第四侧面5a、5b、5c和5d。第一侧面5a靠近正方形框架部分15的第三角15g和远离第二对角线L2。磁性传感器芯片5的第一侧面5a与参考轴线L6对齐和重叠，参考轴线L6平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1。第一侧面5a邻近连接部分13的台阶以及第一和第二变型引线16的台阶。连接部分13以及第一和第二变型引线16的台阶在平面图内都与参考轴线L6对齐，并且邻近磁性传感器芯片5的第一侧面5a。磁性传感器芯片5具有角5e和5f，侧面5a在角5e和5f之间延伸。角5e和5f邻近变型引线16的台阶。角5e和5f覆盖变型引线16，但不覆盖引线17，以便所有第一和第四多根引线17连接到磁性传感器芯片5的焊接点。

连接部分13和变型引线16的上述台阶13d和16d确定薄的部分13a和16a的柔性部分。柔性部分邻近台阶13d和16d。柔性部分允许连接部分13和变型引线16容易弯曲。

如上面参考图10所述，台阶分别形成在平台7和9与突起部分19和21之间的边界上。台阶也确定平台7和9的柔性部分。柔性部分邻近台阶。柔性部分使得能容易精确设定突起部分19和21与平台7和9的角度。

将描述使用上述图9的引线框架1来形成磁性传感器的方法。图11是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第二实施例的图9中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架。图12是片断横剖正视图，图解通过使用依据本发明第二实施例的图9中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架。

首先，制备上面参考图9和10描述的引线框架1。磁性传感器芯片3和5分别粘结到平台7和9的第一表面7a和9a上。

磁性传感器芯片3在平台7及其外侧上延伸，并且也在上述连接部分13和变型引线16的薄的部分上延伸。磁性传感器芯片3具有第一至第四侧面3a、3b、3c和3d，它们不平行于或者垂直于正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d。磁性传感器芯片3的第一侧面3a与参考轴线L6对齐和重叠，参考轴线L6平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1。第一侧面3a邻近连接部分13的台阶以及第一和第二变型引线16的台阶。连接部分13以及变型引线16的台阶在平面图内都与参考轴线L6对齐，并且邻近磁性传感器芯片3的第一侧面3a。磁性传感器芯片3具有角3e和3f，侧面3a在角3e和3f之间延伸。角3e和3f邻近变型引线16的台阶。角3e和3f覆盖变型引线16，但不覆盖引线17，以便所有第一和第四多根引线17连接到磁性传感器芯片3的焊接点。

磁性传感器芯片5在平台9及其外侧上延伸，并且也在上述连接部分13和变型引线16的薄的部分上延伸。磁性传感器芯片5具有第一至第四侧面5a、5b、5c和5d，它们不平行于或者垂直于正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d。磁性传感器芯片5的第一侧面5a与参考轴线L6对齐和重叠，参考轴线L6平行于第二对角线L2和垂直于第一对角线L1。第一侧面5a邻近连接部分13的台阶以及第一和第二变型引线16的台阶。连接部分13以及变型引线16的台阶在平面图内都与参考轴线L6对齐，并且邻近磁性传感器芯片5的第一侧面5a。磁性传感器芯片5具有角5e和5f，侧面5a在角5e和5f之间延伸。角5e和5f邻近变型引线16的台阶。角5e和5f覆盖变型引线16，但不覆盖引线17，以便所有第一和第四多根引线17连接到磁性传感器芯片5的焊接点。

随后，引线框架1的引线17通过接线电连接到焊接点，焊接点设置在每个磁性传感器芯片3和5上。在图中未图解焊接点。有利地，接线是柔性的，以便在随后用于弯曲连接部分13和变型引线16的工艺中，允许平台7和9向下倾斜或偏斜，从而改变磁性传感器芯片3和5的焊接点关于引线框架17的相对位置。

随后，形成树脂模型，树脂模型封装和密封磁性传感器芯片3和5、半导体芯片27、平台7和9、以及引线17。

参考图11，制备第一模具“E”和第二模具“F”。第一模具“E”具有凹面“E1”和外围隆起“E2”。第二模具“F”具有平坦面“F1”。凹面“E1”和平坦面“F1”确定模具“E”和“F”的空腔。将引线框架1放置在第一模具“E”上，其中正方形框架部分15与外围隆起“E2”进行接触。引线17、磁性传感器芯片3和5、平台7和9、连接部分13、以及突起部分19和21位于第一模具“E”的凹面“E1”之上。当将引线框架1放置在第一模具“E”上时，磁性传感器芯片3和5位于平台7和9之下，而突起部分19和21分别从平台7和9的第二表面7c和9c向上延伸。磁性传感器芯片3和5与第一模具“E”的凹面“E1”间隔有一个间隙。突起部分19和21也与平坦面“F1”间隔有另一间隙。

参考图12，第二模具“F”移向第一模具“E”，以便平坦面“F1”向下按压突起部分19和21，直到第一模具“E”和第二模具“F”将引线框架1的正方形框架部分15夹在中间，从而使连接部分13和变型引线16在参考轴线L6上弯曲，并且使平台7和9从包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面向下倾斜或偏斜。由于正方形框架部分15在包含第一对角线L1和第二对角线L2的平面内沿着二维延伸，平面也包含正方形框架部分15。分别安装在平台7和9上的磁性传感器芯片3和5也与平台7和9一起向下倾斜或偏斜。倾斜的磁性传感器芯片3和5关于正方形框架部分15和平坦面“F1”具有预定的倾角。预定的倾角由突起部分19和21来确定。例如，预定的倾角由参考轴线L6和每个突起部分19、21之间的距离以及每个突起部分19和21的尺寸或大小来确定，其中沿着垂直于包含每个突起部分19和21的平面的方向来定义尺寸。当第一模具“E”和第二模具“F”将正方形框架部分15夹在中间时，正方形框架部分15的第一表面与第一模具“E”的外围隆起“E2”接触，同时正方形框架部分15的第二表面与平坦面“F1”接触。

将熔融树脂注入模具“E”和“F”的空腔内，其中第二模具“F”继续下压突起部分19和21，从而用树脂模塑和密封磁性传感器芯片3和5以及平台7和9。如上所述，空腔由第一模具“E”的凹面“E1”和第二模具“F”的平坦面“F1”来确定。

在喷射模塑工艺中，通过图9中所示的入口“G”将熔融树脂注入空腔内。入口“G”位于第二对角线L2上和引线框架1的正方形框架部分15的第四角15h上。在空腔内，熔融树脂在注入时将散开流向第一角15e、第二角15f和第三角15g以及第一侧面15a和第二侧面15b。熔融树脂的这种流动将包括流向与入口“G”相对的第二角15f的主流，以及流向第一侧面15a、第二侧面15b、第一角15e和第三角15g的次流。主流中的散开引起次流。熔融树脂的主流将沿着第二对角线L2流动。如上所述，连接部分13和变型引线16在其上弯曲的这些参考轴线L6都平行于第二对角线L2。参考轴线L6平行于第二对角线L2。沿着第二对角线L2流动的主流将被引导成平行于参考轴线L6。倾斜或偏斜的平台7的第一表面7a和第二表面7c平行于第二对角线L2。倾斜或偏斜的平台9的第一表面9a和第二表面9c也平行于第二对角线L2。分别安装在倾斜或偏斜的平台7和9上的倾斜或偏斜的磁性传感器芯片3和5也平行于第二对角线L2。因此，熔融树脂的主流将被引导成平行于倾斜或偏斜的平台7和9以及倾斜或偏斜的磁性传感器芯片3和5。这意味着由于出现倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5而基本上不能扰动熔融树脂的主流。此外，熔融树脂的主流基本上不能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。

如图12中所示，当第一模具“E”和第二模具“F”将正方形框架部分15夹在中间时，第二模具“F”的平坦面“F1”与正方形框架部分15的第二表面15j接触。平台7和9的第一角7a和9a与第二模具“F”的平坦面“F1”间隔有小间隙G1。由于如上所述的平台7和9基本上不能扰动熔融树脂的主流，在不接收平台7和9的任何实质扰动下，熔融树脂能填满小间隙G1。优选地，树脂具有高流动性以便防止熔融树脂在注入空腔时的流动改变倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5的倾角。

图13是图解通过使用图9中引线框架1形成的磁性传感器的平面图。图14是沿着图13中H-H线的横剖面正视图，图解了磁性传感器。在用于模塑引线框架1的上述工艺中，当熔融树脂注入空腔时，用熔融树脂来密封位于倾斜的平台7和9上的倾斜的磁性传感器芯片3和5。然后，冷却和固化熔融树脂以便形成树脂模型29。如图13和14中所示，通过模塑工艺，用树脂模型29来封装和密封位于倾斜的平台7和9上的倾斜的磁性传感器芯片3和5。倾斜的磁性传感器芯片3和5固定在树脂模型29内，同时正方形框架部分15伸出树脂模型29的外侧。

然后，从树脂模型29中切断和除去位于树脂模型29外侧的正方形框架部分15。从树脂模型29中切去和除去连接部分13和引线17的外侧部分，从而完成磁性传感器30。

磁性传感器30包括倾斜的磁性传感器芯片3和5、倾斜的平台7和9、突起部分19和21、引线17的其余部分、连接部分13的其余部分、以及密封和封装这些元件的树脂模型29。树脂模型29在平面图内具有大致的正方形形状。树脂模型29还具有平坦底面29a和平坦顶面29c。连接部分13具有与平坦底面29a齐平并图示在其内的表面13b。突起部分19和21具有与平坦底面29a齐平并图示在其内的顶部。引线17通过未图解的接线连接到倾斜的磁性传感器芯片3和5。接线也由树脂模型29来密封和封装。

倾斜的磁性传感器芯片3和5埋藏在树脂模型29内，其中倾斜的磁性传感器芯片3和5从树脂模型29的平坦底面29a倾斜。倾斜的磁性传感器芯片3和5包含在彼此以锐角θ相交的两个斜面内。即，倾斜的磁性传感器芯片3和5具有彼此相差锐角θ的倾角。这种角θ图示在图14内，并且与上述倾角不同。由于磁性传感器芯片3和5安装在倾斜的平台7和9上，倾斜的平台7和9也包含在彼此以锐角θ相交的两个斜面内。即，倾斜的平台7和9具有彼此相差锐角θ的倾角。

磁性传感器芯片3的角3e和3f邻近变型引线16并且位于其上。

每个倾斜的磁性传感器芯片3和5都配置成检测施加到磁性传感器30的外磁场的两个分量。两个分量的方向相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片3或5的斜面。例如，在图14中，倾斜的磁性传感器芯片3检测外磁场沿着用箭头“A”标记的第一方向的第一分量和外磁场沿着用箭头“B”标记的第二方向的第二分量。第一方向“A”和第二方向“B”相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片3的第一斜面。倾斜的磁性传感器芯片5检测外磁场沿着用箭头“C”标记的第三方向的第三分量和外磁场沿着用箭头“D”标记的第四方向的第四分量。第三方向“C”和第四方向“D”相互垂直，但都平行于包含倾斜的磁性传感器芯片5的第二斜面。第一方向“A”和第三方向“C”相互反平行，并且都垂直于第一对角线L1和平行于第二对角线L2。第二方向“B”和第四方向“D”彼此相差锐角θ，并且都垂直于第二对角线L2。

包含第一方向“A”和第二方向“B”的第一斜面与包含第三方向“C”和第四方向“D”的第二斜面彼此以上述锐角θ相交。理论上，这种锐角θ可以大于0度和最大为90度，以使磁性传感器30能精确地检测三维地磁的方位角。锐角θ优选为在20度至90度的范围内，更优选为在30度至90度的范围内。

有利地，磁性传感器30可以集成或安装到包含在例如移动终端之类的设备内的电路板上。移动终端的典型实例可以包括便携式蜂窝电话，但不局限于此。当磁性传感器30集成在便携式电话内时，有利地，磁性传感器30检测地磁方位角并把它显示在便携式电话的显示板上成为可能。

依据上述磁性传感器30，磁性传感器芯片3的角3e和3f布置在部分变型引线16之上。即，变型引线16的薄的部分用作支撑磁性传感器芯片3的主平台7的辅助平台，以便磁性传感器芯片3布置成尽可能地靠近第一侧面15a和第四侧面15d，而磁性传感器芯片3不覆盖引线17。角3e和3f位于邻近第一至第四侧面15a、15b、15c和15d的环形区域内。角3e和3f不覆盖引线17以及第一至第四侧面15a、15b、15c和15d。同样，磁性传感器芯片5的角5e和5f布置在部分变型引线16之上。即，变型引线16的薄的部分用作支撑磁性传感器芯片5的主平台9的辅助平台，以便磁性传感器芯片5布置成尽可能地靠近第二侧面15b和第三侧面15c，而磁性传感器芯片5不覆盖引线17。角5e和5f位于邻近第一至第四侧面15a、15b、15c和15d的环形区域内。角5e和5f不覆盖引线17以及第一至第四侧面15a、15b、15c和15d。这种结构有助于减小磁性传感器30在平面图内的尺寸。

如上所述，磁性传感器芯片3的角3e和3f只是覆盖两根变型引线16，并且磁性传感器芯片5的角5e和5f只是覆盖两根变型引线16。即，只有四根引线17被修改成变型引线16，其与平台7和9协作来支撑磁性传感器芯片3和5。从每个第一至第四侧面15a、15b、15c和15d中伸出的一根引线17被修改成变型引线16。其余引线17电连接到磁性传感器芯片3和5。这种结构有效和有利地确保足够数量的引线17电连接到磁性传感器芯片3和5，而不改变或修改引线17相对于正方形框架部分15和树脂模型29的布置。足够数量的引线17允许足够数量的信号输入到磁性传感器芯片3和5或者从其输出。这允许磁性传感器30呈现出理想的高性能。

上述结构不需要对引线17相对正方形框架部分15和树脂模型29的布置进行任何改变。这使得以低成本来制造高性能磁性传感器30成为可能。

依据上述实施例，倾斜的平台7和9与倾斜的磁性传感器芯片3和5都与第二对角线L2隔开，在上述喷射模塑工艺中，熔融树脂在注入时的主流沿着第二对角线L2流动。因此，在喷射模塑工艺中，倾斜的平台7和9与倾斜的磁性传感器芯片3和5都不暴露给熔融树脂在注入时的主流。即，熔融树脂在注入空腔内时的主流基本上不能推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5，从而，基本上不会导致磁性传感器芯片3和5的倾角变化。磁性传感器芯片3和5的倾角基本不变化导致定义在倾斜的磁性传感器芯片3和5之间的上述锐角基本上不变化。

由于如上所述平台7和9基本上不能扰动熔融树脂的主流，熔融树脂能填满上述图12中所示的小间隙G1。此外，熔融树脂能填满与角15h相对的角15f，入口G设置在角15h上。即，熔融树脂能填满模具“E”和“F”的空腔。这有助于避免在树脂模型29内形成任何空隙。

如上所述，引线框架1的平台7和9通过连接部分13连接到正方形框架部分15的第一角15e和第三角15g。第一角15e和第三角15g与第二对角线L2隔开，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。这意味着第一角15e和第三角15g未暴露给熔融树脂的主流，但可以暴露给熔融树脂的次流。平台7和9也与第二对角线L2隔开，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动。这意味着平台7和9未暴露给熔融树脂的主流，但可以暴露给熔融树脂的次流。熔融树脂的次流还可能不包括或包括微弱分流，微弱分流将微弱地推动倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。此外，熔融树脂次流的动力小于主流。因此，次流能基本上不提供或提供微弱推力给倾斜的平台7和9以及倾斜的磁性传感器芯片3和5。这意味着熔融树脂的流动基本上导致磁性传感器芯片3和5的倾角无变化或小变化。

依据上述实施例，每个平台7和9通过连接部分13和变型引线16连接到正方形框架部分15。作为变型，可能只通过变型引线16将每个平台7和9连接到正方形框架部分15，而不使用连接部分13。

作为另一变型，也可能只通过连接部分13将每个平台7和9连接到正方形框架部分15，而不使用变型引线16。在这种变型的情况下，磁性传感器芯片3的角3e和3f只是覆盖两根引线17，并且磁性传感器芯片5的角5e和5f只是覆盖两根引线17。即，只有四根引线17可以与平台7和9协作来支撑磁性传感器芯片3和5，而不提供到磁性传感器芯片3和5的电连接。其余引线17电连接到磁性传感器芯片3和5。这种结构有效和有利地确保足够数量的引线17电连接到磁性传感器芯片3和5，而不改变或修改引线17相对于正方形框架部分15和树脂模型29的布置。足够数量的引线17允许足够数量的信号输入到磁性传感器芯片3和5或者从其输出。这允许磁性传感器30呈现出理想的高性能。

依据第二实施例，给平台7提供一对突起部分19，而给平台9提供另一对突起部分21。作为变型，也可能将单个突起部分提供给每个平台7和9。图15A是片断平面图，图解了为包含在依据本发明第二实施例的变型实例的引线框架内的平台提供的变型突起部分。图15B是沿图15A中I-I线的片断横剖正视图，图解了变型突起部分。给每个平台7和9提供单个突起部分31。单个突起部分31具有与每个平台7和9相同的宽度。单个突起部分31比每个平台7和9更厚。单个突起部分31具有比成对突起部分19或21更高的刚性。在用模具“F”按压突起部分31的过程中，这种高刚性有效和有利地在参考轴线L6上弯曲连接部分13和变型引线16。这种高刚性还给每个平台7和9的斜度提供理想的高稳定性。

图16A是片断平面图，图解了为包含在依据本发明第二实施例的又一变型实例的引线框架内的平台提供的又一变型突起部分。图16B是沿图16A中J-J线的片断横剖正视图，图解了又一变型突起部分。给每个平台7和9提供带有延长部分33的单个突起部分31。延长部分33从单个突起部分31的边缘伸出。延长部分33具有大致的平面，在用模具“F”按压突起部分31以便在参考轴线L6上弯曲连接部分13和变型引线16的过程中，平面接收模具“F”的机械压力。带有延长部分33的单个突起部分31具有与每个平台7和9相同的宽度。带有延长部分33的单个突起部分31比每个平台7和9更厚。带有延长部分33的单个突起部分31具有比成对突起部分19或21更高的刚性。在用模具“F”按压突起部分31的过程中，这种高刚性有效和有利地在参考轴线L6上弯曲连接部分13和变型引线16。这种高刚性还给每个平台7和9的斜度提供理想的高稳定性。

依据第二实施例，突起部分19和21从平台7和9的角伸出。可能突起部分19和21从平台7和9的底面伸出，而不管突起部分19和21伸出的准确位置。

依据第二实施例，突起部分19和21用来倾斜或偏斜平台7和9。作为变型，可能不需要突起部分19和21，假设在用于形成树脂模型29的喷射模塑工艺之前，已经用公知或可得到的技术使平台7和9与磁性传感器芯片3和5倾斜或偏斜。

依据第二实施例，每个平台7和9在平面图内具有正方形形状。每个平台7和9可能具有允许磁性传感器芯片3和5安装在其上的变型形状。平台7和9在平面图内的形状的典型实例可以包括正方形、矩形、圆形和椭圆形，但不局限于此。平台7和9的其他典型实例可以包括网状平台和具有一个或多个通孔的另一平台，通孔沿着平台的定义厚度的方向而穿透，但不局限于此。平台7和9的形状或尺寸也可以彼此不同。

依据第二实施例，磁性传感器芯片3和5、平台7和9、以及引线17都固定或封装在树脂模型29内。作为变型，可能形成容纳和封装磁性传感器芯片3和5、平台7和9、以及引线17的半导体外壳。

依据上述实施例，引线框架1包括具有大致的正方形形状的正方形框架部分15。也可能修改框架部分在平面图内的形状。框架部分在平面图内的形状的典型实例可以包括大致的正方形和大致的矩形，但不局限于此。

依据上述实施例，提供用于检测地磁方位角和强度的磁性传感器。作为上述引线框架的变型，可能将用于至少检测物理量的方向、方位或定向的另一传感器安装在三维空间内。物理量的典型实例包括磁场、加速度和其他向量。对于引线框架1，可能安装检测加速度方向和大小的加速度传感器芯片。

如本文中所用，方向术语“向上、向下(down)、向内、向外、向前、向后、上面、向下(downward)、垂直(perpendicular)、垂直(vertical)、水平、下面和横向”以及任何其他类似方向术语指的是配备有本发明的装置的那些方向。因此，用来描述本发明的这些术语应该解释为相对于配备有本发明的装置。

本文中使用的术语“矩形”指的是具有四个直边和四个直角的形状。使用的术语“正方形”指的是具有四个长度相同的边和四个直角的形状。术语“长方形”指的是具有两个长边和两个短边以及四个直角的形状。因此，术语“矩形”包括术语“正方形”和术语“长方形”。

典型地，本文中使用的术语“物理量”指的是向量。术语“物理量”可以包括标量、向量和张量。

本文中使用的程度术语，例如“大致的”、“基本上”、“约”和“大约”，指的是变型术语的合理偏差量，以便最后结果没有显著变化。

尽管在上文中已经描述和阐明了本发明的优选实施例，但应该理解，这些是本发明的示例而并不认为是限定。可以进行添加、省略、替换和其他修改而不脱离本发明的本质或范围。因此，并不认为前面描述是对本发明的限定，而本发明只是由附属权利要求的范围来限定。

Claims (32)

1、一种引线框架，包括：

限定内部区域的框架主体，所述框架主体在第一平面内延伸并且具有穿过内部区域的第一线，所述内部区域包括通过第一线彼此为界的第一和第二子区域；

从框架主体延伸的多根引线；

布置在第一子区域内并且在第二平面内延伸的第一平台，第二平面平行于第一线并且从第一平面倾斜，而且第一平台连接到框架主体以便与第一线隔开；以及

布置在第二子区域内并且在第三平面内延伸的第二平台，第三平面平行于第一线并且从第一平面和第二平面倾斜，而且第二平台连接到框架主体以便与第一线隔开。

2、根据权利要求1所述的引线框架，其中第一和第二平台与多根引线隔开。

3、根据权利要求1所述的引线框架，其中内部区域的形状为矩形，而第一线在内部区域的第一对角之间延伸。

4、根据权利要求3所述的引线框架，其中第一和第二平台布置在第二线上，第二线在内部区域的第二对角之间延伸。

5、根据权利要求3所述的引线框架，其中第一和第二平台布置成关于和第一线对齐的映像-对称轴相互对称。

6、根据权利要求3所述的引线框架，还包括：

将第一平台机械连接到框架主体的第一连接器，第一连接器在平行于第一线的第三线上弯曲，第一连接器与第一线隔开，以及

将第二平台机械连接到框架主体的第二连接器，第二连接器在平行于第一线的第四线上弯曲，第二连接器与第一线隔开。

7、根据权利要求6所述的引线框架，其中：

第一连接器包括沿着第一平台和框架主体之间的第二线延伸的第一连接部分，第二线在内部区域的第二对角之间延伸；以及

第二连接器包括沿着第二平台和框架主体之间的第二线延伸的第二连接部分。

8、根据权利要求7所述的引线框架，其中：

第一连接器还包括从框架主体的两个相邻侧部延伸的一对第三连接部分；以及

第二连接器还包括从框架主体的两个相邻侧部延伸的一对第四连接部分。

9、根据权利要求6所述的引线框架，其中：

第一连接器包括从框架主体的两个相邻侧部延伸的一对第三连接部分；以及

第二连接器包括从框架主体的两个相邻侧部延伸的一对第四连接部分。

10、根据权利要求6所述的引线框架，其中：

第一平台具有垂直于第一线的第一中心线；以及

第二平台具有与第一中心线对齐的第二中心线。

11、根据权利要求10所述的引线框架，其中：

第一平台具有平行于内部区域的矩形形状的四个侧部的第一组四个侧部；以及

第二平台具有平行于内部区域的矩形形状的四个侧部的第二组四个侧部。

12、根据权利要求10所述的引线框架，其中：

第一平台具有第三组四个侧部，第三组四个侧部的第一两个侧部平行于第一线，而第三组四个侧部的第二两个侧部垂直于第一线；而且

第二平台具有第四组四个侧部，第四组四个侧部的第一两个侧部平行于第一线，而第四组四个侧部的第二两个侧部垂直于第一线。

13、根据权利要求1所述的引线框架，还包括：

沿第一方向从第一平台延伸的第一突出结构，该第一方向从第二平面倾斜；以及

沿第二方向从第二平台延伸的第二突出结构，该第二方向从第三平面倾斜。

14、一种传感器，包括：

限定内部区域的框架主体，所述框架主体在第一平面内延伸并且具有穿过内部区域的第一线，内部区域包括通过第一线彼此为界的第一和第二子区域；

从框架主体伸出的多根引线；

布置在第一子区域内并且在第二平面内延伸的第一平台，第二平面平行于第一线并且从第一平面倾斜，而且第一平台连接到框架主体以便与第一线和多根引线隔开；以及

布置在第二子区域内并且在第三平面内延伸的第二平台，第三平面平行于第一线并且从第一平面和第二平面倾斜，而且第二平台连接到框架主体以便与第一线和多根引线隔开；

被支撑在第一平台上的第一传感器芯片；

被支撑在第二平台上的第二传感器芯片；

将第一平台机械连接到框架主体的第一连接器，第一连接器在平行于第一线的第二线上弯曲并且与第一线隔开，以及

将第二平台机械连接到框架主体的第二连接器，第二连接器在平行于第一线的第三线上弯曲并且与第一线隔开。

15、根据权利要求14所述的传感器，其中：

内部区域的形状为矩形，而第一线在内部区域的第一对角之间延伸；

第一和第二平台布置在第四线上，第四线在内部区域的第二对角之间延伸；以及

第一和第二平台布置成关于和第一线对齐的映像-对称轴相互对称。

16、根据权利要求15所述的传感器，其中：

第一平台具有平行于内部区域的矩形形状的四个侧部的第一组四个侧部；以及

第二平台具有平行于内部区域的矩形形状的四个侧部的第二组四个侧部。

17、根据权利要求15所述的传感器，其中：

第一平台具有第三组四个侧部，第三组四个侧部的第一两个侧部平行于第一线，而第三组四个侧部的第二两个侧部垂直于第一线；而且

第二平台具有第四组四个侧部，第四组四个侧部的第一两个侧部平行于第一线，而第四组四个侧部的第二两个侧部垂直于第一线。

18、根据权利要求17所述的传感器，其中：

第一传感器芯片具有邻近并平行于第二线的第一侧部；而且

第二传感器芯片具有邻近并平行于第三线的第二侧部。

19、根据权利要求18所述的传感器，其中：

第一传感器芯片在第一平台上和部分第一连接器上延伸；而且

第二传感器芯片在第二平台上和部分第二连接器上延伸。

20、一种用于形成传感器的引线框架结构，所述引线框架结构包括：

限定内部区域的框架主体，所述框架主体在第一平面内延伸并且具有穿过内部区域的第一线，内部区域包括通过第一线彼此为界的第一和第二子区域；

从框架主体延伸的多根引线；

布置在第一子区域内并且在第一平面内延伸的第一平台，而且第一平台连接到框架主体以便与第一线和多根引线隔开；

布置在第二子区域内并且在第一平面内延伸的第二平台，第二平台连接到框架主体以便与第一线和多根引线隔开；

将第一平台机械连接到框架主体的第一连接器，第一连接器被配置成可在平行于第一线的第二线上弯曲并且与第一线隔开，以及

将第二平台机械连接到框架主体的第二连接器，第二连接器被配置成可在平行于第一线的第三线上弯曲并且与第一线隔开。

21、根据权利要求20所述的引线框架结构，其中：

内部区域的形状为矩形，而且第一线在内部区域的第一对角之间延伸；

第一和第二平台布置在第四线上，第四线在内部区域的第二对角之间延伸；以及

第一和第二平台布置成关于和第一线对齐的映像-对称轴相互对称。

22、一种形成用于检测物理量的传感器的方法，所述方法包括：

制备引线框架，所述引线框架包括：

限定内部区域的框架主体，所述框架主体在第一平面内延伸并且具有穿过内部区域的第一线，内部区域包括通过第一线彼此为界的第一和第二子区域；

从框架主体延伸的多根引线；

布置在第一子区域内并且在第二平面内延伸的第一平台，第二平面平行于第一线并且从第一平面倾斜，第一平台连接到框架主体以便与第一线隔开；以及

布置在第二子区域内并且在第三平面内延伸的第二平台，第三平面平行于第一线并且从第一平面和第二平面倾斜，第二平台连接到框架主体以便与第一线隔开；

将传感器芯片安装在第一和第二平台上；

将引线框架放在模具的空腔内；以及

朝着与第一线对齐的方向将熔融树脂注入空腔内。

23、一种引线框架，包括：

支撑用于检测物理量的传感器芯片的至少两个平台；

围绕至少两个平台的矩形框架部分，所述矩形框架部分在平面视图内具有大致的矩形形状并且确定在平面视图内呈矩形形状的内部区域；

从矩形框架部分的侧部伸入内部区域的多根引线；

将至少两个平台连接到矩形框架部分的至少两个连接部分，其中：

至少两个平台布置成靠近内部区域的对角，并且具有小于传感器芯片的表面；

至少两个连接部分各自在参考轴线上具有可弯曲部分，参考轴线垂直于矩形框架部分的厚度方向而延伸，参考轴线从矩形框架部分的侧部倾斜，可弯曲部分允许平台从参考轴线倾斜；以及

被布置成使每个传感器芯片具有沿着参考轴线延伸的侧部的平台。

24、根据权利要求23所述的引线框架，其中至少两个平台布置在矩形框架部分的对角线上。

25、一种用于检测物理量的传感器，所述传感器包括：

外壳；

封装在外壳内的引线框架，引线框架还包括：

支撑用于检测物理量的传感器芯片的至少两个平台；

围绕至少两个平台的矩形框架部分，所述矩形框架部分在平面视图内具有大致的矩形形状并且确定在平面视图内呈矩形形状的内部区域；

从矩形框架部分的侧部伸入内部区域的多根引线；

将至少两个平台连接到矩形框架部分的至少两个连接部分，其中：

至少两个平台布置成靠近内部区域的对角，并且具有小于传感器芯片的表面；

至少两个连接部分各自在参考轴线上具有可弯曲部分，参考轴线垂直于矩形框架部分的厚度方向而延伸，参考轴线从矩形框架部分的侧部倾斜，可弯曲部分允许平台从参考轴线倾斜；以及

被布置成使每个传感器芯片具有沿着参考轴线延伸的侧部的平台。

26、一种用于检测物理量的传感器，包括：

在平面图内具有大致的矩形形状的外壳；

多个用于检测物理量的传感器芯片，所述传感器芯片具有大致的矩形形状并且倾斜和固定在外壳内；以及

从内部区域的侧部延伸且具有大致的矩形形状的多根引线，多根引线在由外壳限定的内部区域内延伸并且从外壳底面延伸到外壳的外侧，其中

每个传感器芯片具有从内部区域的侧部倾斜并且至少与改变的引线重叠的侧部，改变的引线平行于多根引线而延伸并且从内部区域的侧部延伸。

27、一种引线框架，包括：

支撑用于检测物理量的传感器芯片的至少两个平台；

围绕至少两个平台并且在平面视图内具有大致的矩形形状的矩形框架部分，矩形框架部分限定矩形形状的内部区域；

将至少两个平台连接到矩形框架部分的至少两个连接部分，至少两个连接部分都在参考轴线上具有可弯曲部分，参考轴线垂直于矩形框架部分的厚度方向而延伸，可弯曲部分允许平台从参考轴线倾斜；至少两个连接部分各自将平台连接到矩形框架部分的两个相邻侧部或相对侧部。

28、根据权利要求27所述的引线框架，其中参考轴线平行于矩形框架部分的对角线。

29、一种形成用于检测物理量的传感器的方法，所述方法包括：

制备引线框架，所述引线框架包括：支撑用于检测物理量的传感器芯片的两个平台；围绕两个平台并且在平面视图内具有大致的矩形形状的矩形框架部分，矩形框架部分具有第一至第四角，第一和第三角彼此相对，第二和第四角彼此相对，将两个平台中的第一平台连接到矩形框架部分的第一两个相邻侧部的第一连接部分，将两个平台中的第二平台连接到矩形框架部分的第二两个相邻侧部的第二连接部分，第一两个相邻侧部包括第一角，第二两个相邻侧部包括第三角，

将传感器芯片粘结到两个平台上；

使连接部分变形以便平台从矩形框架部分倾斜；

将带有传感器芯片的引线框架放在模具的空腔内；以及

从第四角到第二角将熔融树脂注入空腔内，以便形成封装带有传感器芯片的引线框架的树脂模型。

30、根据权利要求29所述的方法，其中两个平台各自具有其上粘结传感器芯片的第一表面和与第一表面相对的第二表面，当注入熔融树脂时，第二表面从第四角倾斜并面向第四角。

31、一种形成用于检测物理量的传感器的方法，所述方法包括：

制备引线框架，所述引线框架包括：支撑用于检测物理量的传感器芯片的两个平台；围绕两个平台并且在平面视图内具有大致的矩形形状的矩形框架部分，矩形框架部分具有第一至第四角，第一和第三角彼此相对，第二和第四角彼此相对，将两个平台中的第一平台连接到第一角的第一连接部分，将两个平台中的第二平台连接到第三角的第二连接部分，

将传感器芯片粘结到两个平台上；

使连接部分变形以便平台从矩形框架部分倾斜；

将带有传感器芯片的引线框架放在模具的空腔内；以及

从第四角到第二角将熔融树脂注入空腔内，以便形成封装带有传感器芯片的引线框架的树脂模型。

32、根据权利要求31所述的方法，其中两个平台各自具有其上粘结传感器芯片的第一表面和与第一表面相对的第二表面，当注入熔融树脂时，第二表面从第四角倾斜并面向第四角。

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