CN1832158A - 引线框架、传感器、树脂合成物和包含树脂模型的传感器 - Google Patents

Abstract

一种引线框架，包括框架主体，限定了内部区域；许多引线，从框架主体进行延伸；第一平台，设置在内部区域中；和第一变形的连接引线结构，包括与第一平台连接的柔性部和至少一个将柔性部与框架主体连接、并具有倾斜侧壁的变形的连接引线。变形的连接引线具有允许熔融树脂流入并填充变形的连接引线周围的较小间隔的倾斜侧壁，以能形成封装包含在传感器中的传感器芯片的无空隙树脂模型。

Description

引线框架、传感器、树脂合成物和包含树脂模型的传感器

技术领域

本发明总的来说涉及一种检测物理量，如磁场或重力的方向或方位的传感器，一种将被用于传感器中树脂模型的引线框架，一种将被用于传感器中树脂模型的树脂合成物和一种包含树脂模型的传感器。

本发明要求2005年2月22日提出的日本专利申请No.2005-45297和2005年8月29日提出的日本专利申请No.2005-247497的优先权，其内容在此作引用参考。

背景技术

为了更完整地描述本发明涉及的技术发展水平，因此作为参考，整体地包含以下将在申请中引用或标识的所有专利、专利申请、专利公开、科学论文等。

近年来，已经开发出带有GPS(全球定位系统)功能的终端设备，例如移动电话，这种终端设备显示关于用户位置的信息。终端设备可以具有检测或测量地磁场或加速度的附加功能，从而检测或测量用户终端设备在三维空间内的方位或方向或者终端设备的运动。

为了提供带有上述附加功能的终端设备，需要将终端设备与例如磁性传感器或加速度传感器之类的一个或多个传感器集成在一起。为了允许传感器检测三维空间内的方位或加速度，需要使传感器倾斜以便第一传感器从第二传感器倾斜。传感器安装到包含在引线框架内的平台上。因此，也使平台倾斜以便第一平台从第二平台倾斜。

已经开发出很多种检测物理量的传感器。传感器的典型实例可以包括检测磁场的磁性传感器，但不局限于此。这种磁性传感器与上述传感器不同。这种磁性传感器具有衬底和布置在衬底表面上的磁性传感器芯片。磁性传感器包括安装在衬底上的第一和第二磁性传感器芯片。第一磁性传感器芯片平行于衬底表面而延伸。第二磁性传感器芯片垂直于衬底表面而延伸。第一磁性传感器芯片检测外磁场的第一和第二磁分量。第一磁分量是沿着平行于衬底表面的第一方向的分量。第二磁分量是沿着平行于衬底表面并垂直于第一方向的第二方向的另一分量。第二磁性传感器芯片检测外磁场的第三磁分量。第三磁分量是沿着垂直于衬底表面并且也垂直于第一方向和第二方向的第三方向的又一分量。磁性传感器利用一对第一和第二磁性传感器来检测表示地磁场的三维向量。如上所述，第二磁性传感器芯片垂直于衬底表面而延伸。这样增加了包含第一和第二磁性传感器的磁性传感器的厚度。厚度定义为磁性传感器沿着垂直于衬底表面的方向的尺寸或大小。

为了减小磁性传感器的厚度，可以将磁性传感器芯片设置在倾斜的平台上，该倾斜的平台从框架主体倾斜或侧斜。日本未审专利申请首次公开文本JP9-292408、JP2002-15204和JP2004-128473公开了常规传感器的实例，这种传感器包括框架主体、倾斜平台和安装在倾斜平台上的传感器芯片。日本未审专利申请首次公开文本JP9-292408公开了减速度传感器，其包括衬底和从衬底表面倾斜或侧斜的加速度传感器芯片、以及放置在衬底上的外壳。倾斜的传感器对沿着从衬底表面倾斜的方向的加速度非常敏感。倾斜的传感器对沿着平行于衬底表面的另一方向的另一加速度很不敏感。

图18表示用于形成检测物理量的传感器的常用引线框架例子的平面图。图19表示包含图18所示引线框架的传感器的局部剖视图。引线框架50包括分别支撑传感器芯片51和53的平台55和57，包绕平台55和57的框架主体59，和将平台55和57与框架主体59相连的连接引线61。该引线框架50用于形成传感器。分别安装传感器芯片51和53的平台55和57与包括框架主体59和连接引线61的平面产生倾斜。引线框架50位于模具“P”和“Q”的空腔中。熔化的树脂注入空腔中以能形成封装磁性传感器芯片51和53及平台55和57的树脂模型。连接引线61和框架主体59限定了间隔S5。连接引线61设有与模具“Q”的表面“Q1”接触的底表面。因此，熔化的树脂从顶端流入间隔S5中。

为了按比例缩减包括常用引线框架50的传感器，有可能减小间隔S5的尺寸。但是，间隔S5尺寸的减小使得很难用熔融树脂填充间隔S5，而且也难于防止在间隔S5中形成空隙。

检测物理量的传感器能够使用下面公知的工艺形成。准备引线框架，它包括作为主体的框架部，从框架部延伸的许多引线和连接至框架部的平台。平台与框架部水平。传感器芯片粘接于平台上。具有传感器芯片的引线框架放置在由一对模具限定的空腔中。具有传感器芯片的平台从包括框架部的平面向下倾斜。熔融树脂注入空腔中以形成封装和包含传感器芯片和引线框架的树脂模型。树脂模型能够保护传感器芯片免受机械撞击和受潮。树脂模型能够提高传感器芯片的散热性。树脂模型还能够提供一种传感器芯片的电绝缘性能。这公开在日本未审查的专利申请首次公开文本JP2004-128473中。

已公知和使用的树脂的典型例子是低分子量的环氧树脂和混合有填料的联二苯树脂。混入树脂中填料的典型例子包括压碎的晶硅，压碎的非晶硅和微粒式非晶硅。

由于按比例缩减和减小设备，对如包含传感器芯片的移动终端厚度的需求一直在增长，因此就要求传感器芯片随着平台和模具内壁之间的间隔和连接平台与框架部的变形的引线周围的间隔的尺寸进一步减小而缩减。间隔尺寸的减小使得难于用熔融树脂填充间隔。为了填充这样小的间隔，就可能使用较低粘度的树脂。进一步要求树脂具有高的导热性和低膨胀系数。为了获得高的导热性，树脂就可能具有提供导热性的高含量填料。填料含量的增加提高了粘度，即，降低粘度的要求与提高导热性是相对立的。

混合在树脂中的常用填料的例子是压碎填料或是微粒填料与压碎填料的混合物，常用的填料不能填充较小的间隔，并允许在树脂模型中形成一个或者多个空隙。包含空隙的树脂模型不能保护传感器芯片免遭机械冲击和湿气。而且，具有空隙的树脂模型会降低散热性并损坏电绝缘性能。为了防止在树脂模型中形成空隙，已经放弃了减小引线框架尺寸和缩减传感器的意图。

在填料包含太大而不能填充较小间隔的微粒时，使用微粒填料就能在树脂模型中形成空隙。

为了使用上述的常用树脂形成无空隙的树脂模型，就要在注射模制工艺中提高注射压力。但是，提高注射压力会对传感器芯片产生伤害。

鉴于上述问题，从本文公开的内容中本领域的技术人员显然需要一种改进的引线框架，一种包括改进的引线框架的传感器和一种用于该传感器的树脂合成物。本发明提供了本领域的这些需求以及其它需求，这些需求对于本领域的技术人员来说从本文公开的内容中将是显而易见的。

发明内容

因此，本发明的主要目的是提供一种检测物理量的引线框架。

本发明的另一个目的是提供一种检测物理量和包含引线框架的传感器。

本发明的又一个目的是提供一种将被用于检测物理量并包含引线框架的传感器的树脂合成物。

根据本发明第一个方面，一种引线框架，包括：限定内部区域的框架主体；从框架主体延伸的多根引线，；设置在内部区域中的第一平台；和第一变形的连接引线结构，所述第一变形的连接引线结构包括连接至第一平台的柔性部、和将柔性部连接至框架主体并具有倾斜侧壁的至少一根变形的连接引线。所述至少一根变形的连接引线具有在至少一根变形的连接引线的厚度方向上增加的宽度。所述至少一根变形的连接引线还具有第一表面，该第一表面与倾斜侧壁相邻并将倾斜侧壁进行相互隔离。所述至少一根变形的引线的截面形状大致为梯形。倾斜侧壁允许熔融树脂流入和填充变形的引线周围的较小间隔以能形成无空隙树脂模型，该树脂模型封装包含在传感器中的传感器芯片。

根据本发明的第二个方面，用作对设备进行封装的树脂模型的树脂合成物包括：树脂材料；和混合在树脂材料中的填料，该填料包括最大微粒尺寸在30-50微米之间，平均微粒尺寸为10-30微米之间的微粒。树脂合成物允许熔融树脂流入和填充变形的引线周围的较小间隔和与支撑芯片的平台相邻的另一个较小间隔，以便形成封装包含在设备中的芯片的树脂模型。

本发明的这些和其它目的、特征、方面和效果对于本领域的技术人员来说从下面结合附图的详细描述和本发明的实施例说明中将会变得更清楚。

附图说明

现在参考形成原始公开内容一部分的附图：

图1是根据本发明第一优选实施例的具有磁性传感器芯片的引线框架的平面视图；

图2是沿图1线H-H的引线框架的局部剖视图；

图3是通过平板印刷工艺形成的变形的引线的延伸部的截面形状的局部剖视图；

图4是通过平板印刷工艺形成的变形的引线的基部的截面形状的局部剖视图；

图5是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架；

图6是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架；

图7是通过使用图1中的引线框架所形成的磁性传感器的平面视图；

图8是沿图5说明磁性传感器的线I-I剖开的剖视图；

图9是根据本发明第二优选实施例的包含具有变形的柔性部的变形的引线的引线框架的局部剖视图；

图10是沿图9线J-J剖开的引线框架的局部剖视图；

图11是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第二实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架；

图12是根据本发明第二较佳实施例的第一种改进的包含具有变形的柔性部的变形的引线的引线框架的局部平面图；

图13A是根据本发明第二优选实施例的第二种改进的包含具有变形的柔性部的变形的引线的引线框架的局部平面图；

图13B是沿图13A中线K-K剖开的局部剖视图；

图14是根据本发明第三优选实施例的用于检测物理量的传感器的局部平面图；

图15是示出图14所示的传感器的局部剖视图；

图16是用于形成图14所示传感器的引线框架的局部平面图；

图17A是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架；

图17B是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架；

图17C是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的又一个步骤内的引线框架；

图18是用于形成检测物理量的传感器的引线框架的常用例子的平面图；

图19是包括图18所示引线框架的传感器的局部剖视图。

具体实施方式

现在将参考附图来描述本发明的优选实施例。根据本文公开的内容，对于本领域技术人员来说将显而易见，提供本发明实施例的下面描述只是用于例证，而目的不是用于限定如附属权利要求和它们的等效物所定义的本发明。

第一实施例：

图1是图解根据本发明第一优选实施例带有磁性传感器芯片的引线框架的平面图。图2是引线框架沿图1中H-H线剖开的横剖视图。通过引线框架能实现用于检测物理量的传感器，多个用于检测物理量的传感器芯片安装在引线框架上。用于检测物理量的传感器的典型实例可以包括用于检测磁场方向和强度的磁性传感器，但不局限于此。

依据本发明的这种实施例的磁性传感器包括引线框架1和安装在引线框架1上的两个磁性传感器芯片3、5。两个磁性传感器芯片3、5各自测量施加到磁性传感器的外磁场方向和强度。通过用于压制和蚀刻例如铜薄板之类的金属板的工艺能形成引线框架1。

如图1和2所示，引线框架1包括两个平台7和9，磁性传感器芯片3和5分别安装在它们之上。两个平台7和9各自在平面图内的形状都是正方形。引线框架1还包括机械支撑两个平台7和9的框架11。而且，引线框架1包括连接部分13，每个连接部分13将每个平台7和9机械连接到框架11。平台7和9、连接部分13以及框架11整体形成单片结构。

框架11还包括正方形框架部分15和多根引线17。正方形框架部分15具有大致的正方形形状。例如，正方形框架部分15具有确定内部区域S1的四个侧面15a、15b、15c和15d。因此，内部区域S1具有大致的正方形形状。平台7和9位于内部区域S 1中。正方形框架部分15围绕平台7和9。引线17从正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。

多根引线17包括第一至第四子多根引线17，它们分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。引线17电连接到磁性传感器芯片3和5的焊接点。在图中未图解焊接点。

两个平台7和9分别具有安装磁性传感器芯片3和5的表面7a和9a。表面7a和9a各自在平面图内具有大致的正方形形状。正方形框架部分15具有第一至第四角15e、15f、15g和15h。第一侧面15a在第一角15e和第二角15f之间延伸。第二侧面15b在第二角15f和第三角15g之间延伸。第三侧面15c在第三角15g和第四角15h之间延伸。第四侧面15d在第四角15h和第一角15e之间延伸。正方形框架部分15还具有第一表面15i和与第一表面15i相对的第二表面15j。

正方形框架部分15确定彼此以直角相交的第一对角线L1和第二对角线L2。第一对角线L1在第一角15e和第三角15g之间延伸。第二对角线L2在第二角15f和第四角15h之间延伸。第一角15e和第三角15g定位成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。第二角15f和第四角15h定位成彼此关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称。平台7和9定位成分别靠近第一角15e和第三角15g。平台7和9具有与第一对角线L1重叠的对角线。平台7和9放置在彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称的位置上。平台7和9布置成彼此关于第二对角线L2的映像-对称轴而对称。平台7和9与第二对角线L2隔开。平台7和9各自二维地并关于第一对角线L1的映像-对称轴而对称地延伸。

如图2所示，平台7具有第一表面7a和与第一表面7a相对的第二表面7c。平台7还包括与第一对角线L1对齐的中心线。如上所述，平台7的形状大致为正方形。平台7设有四个侧面，其中两个侧面7b和7d平行于第二对角线L2，并垂直于第一对角线L1，而其余两个侧面平行于第一对角线L1，并垂直于第二对角线L2。侧面7b接近于第二对角线L2，但是远离正方形框架部分15的第一角15e。相对的侧面7d接近于第一角15e，但远离对角线L2。平台7的四个侧面既不平行于又不垂直于正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d。

两个突起部分19在垂直于包括第一和第二对角线L1和L2的平面的方向上从底表面7c延伸。优选的是，突起部分19从与平台7的侧面7b相邻的位置延伸。两个突起部分19相互远离，并相对第一对角线L1的映像—对称轴相互对称分布。相互远离的突起部分19防止平台7在使平台7产生倾斜的工艺过程中绕第一对角线L1而扭曲。

如图2所示，平台9具有第一表面9a和与第一表面9a相对的第二表面9c。平台9还具有与第一对角线L1对齐的中心线。如上所述，平台9大致为正方形。平台9具有四个侧面，其中两个侧面9b和9d平行于第二对角线L2，并垂直于第一对角线L1，而且其余两个侧面平行于第一对角线L1，并垂直于第二对角线L2。侧面9b接近于第二对角线L2，但是远离正方形框架部分15的第三角15g。相对侧面9d接近于第三角15g，远离对角线L2。平台9的四个侧面既不平行于又不垂直于正方形框架部分15的四个侧面15a、15b、15c和15d。

两个突起部分21在垂直于包括第一和第二对角线L1和L2的平面的方向上从第二表面9c延伸。优选的是，突起部分21从与平台9的侧面9b相邻的位置延伸。两个突起部分21相互远离，并相对第一对角线L1的映像对称轴相互对称分布。相互远离的突起部分21防止平台9在使平台9产生倾斜的工艺过程中绕第一对角线L1而扭曲。

第一至第四引线分别从正方形框架部分15的第一至第四侧面15a、15b、15c和15d向内延伸。每个平台7和9通过连接部分13与正方形框架部分15相连。每个连接部分13包括柔性部25和第一至第三变形的连接引线23。即，其中第一连接部分13包括柔性部25，柔性部25邻接平台7的侧面7d进行延伸；和第一至第三改进变形的引线23，其使柔性部25连接正方形框架部分15。第一至第三变形的连接引线23比引线17长。第一变形的连接引线23沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第一角15e延伸到平台7的侧面7d的中心。第二变形的连接引线23从正方形框架部分15的第四侧面15d延伸到柔性部25的第一角。第二变形的连接引线23平行于第四多根引线17延伸，第四多根引线17从正方形框架部分15的第四侧面15d延伸。第三变形的连接引线23从正方形框架部分15的第一侧面15a延伸到柔性部25的与第一角相对的第二角。第三变形的连接引线23平行于第一引线17延伸，第一多根引线17从正方形框架部分15的第一侧面15a进行延伸。第一变形的连接引线在第二和第三变形的连接引线23之间延伸。

柔性部25的宽度“W1”比平台7窄，但是比第一至第三变形的连接引线23宽。柔性部25可具有，但不必须具有与平台7和突起部分19相同的厚度。第一至第三变形的连接引线23也可具有，但不必须具有与柔性部25相同的厚度。另一种可选方案是，柔性部25可比，但不必须比平台7和9及变形的连接引线23薄。柔性部25厚度的减小提高了其柔性度，降低了其机械强度。柔性部25厚度的减小可以通过半蚀刻柔性部25而获得。

第一变形的连接引线23在第二和第三变形的连接引线23之间延伸。第一和第二变形的连接引线23和第四侧面15d限定了第一间隔S11。换句话说，第一间隔S11被第一和第二变形的连接引线23和第四侧面15d围绕。第一和第三变形的连接引线23和第一侧面15a限定了第二间隔S11。换句话说，第二间隔S11被第一和第三变形的连接引线23和第一侧面15a围绕。

其中的第二连接部分13也包括：柔性部25，邻接平台9的侧面9d进行延伸；和第四至第六变形的连接引线23，使柔性部23连接正方形框架部分15。第四至第六变形的连接引线23比引线17长。第四变形的连接引线23沿着第一对角线L1从正方形框架部分15的第三角15g延伸到平台9的侧面9d的中心。第五变形的连接引线23从正方形框架部分15的第二侧面15b延伸到柔性部25的第一角。第五变形的连接引线23平行于第二多根引线17延伸，多根第二引线17从正方形框架部分15的第二侧面15b延伸。第六变形的连接引线23从正方形框架部分15的第三侧面15c延伸到柔性部25的与第一角相对的第二角。第六变形的连接引线23平行于第三多根引线17延伸，第三多根引线17从正方形框架部分15的第三侧面15c进行延伸。第四变形的连接引线23在第五和第六变形的连接引线23之间延伸。

柔性部25的宽度“W1”比平台9窄，但是比第四至第六变形的连接引线23宽。柔性部25具有与平台9和突出部21相同的厚度。第四至第六变形的连接引线23具有与柔性部25相同的厚度。

第四变形的连接引线23在第五和第六变形的连接引线23之间延伸。第四和第五变形的连接引线23和第二侧面15b限定了第三间隔S11。换句话说，第三间隔S11被第四和第五变形的连接引线23和第二侧面15b围绕。第四和第六变形的连接引线23和第三侧面15c限定了第四间隔S11。换句话说，第四间隔S11被第四和第六变形的连接引线23和第三侧面15c围绕。

图3是已经通过平版印刷工艺形成的变形的连接引线23的延伸部的截面形状的局部剖视图，图4是已经通过平版印刷工艺形成的变形的连接引线23的基部截面形状的局部剖视图。每个变形的连接引线23具有第一表面23a和与第一表面23a相对的第二表面23b。第一表面23a连通传感器芯片3或5安装在其上的平台7或9的第一表面7a或9a上。即，第一表面23a与平台7或9的第一表面7a或9a面对相同的方向。每个变形的连接引线23包括基部23c和延伸部23d。基部23c与正方形框架部分15相邻。延伸部23d从基部23c延伸到柔性部25。基部23c的截面形状不同于延伸部23d的截面形状。延伸部23d和基部23c通过虚折线相互进行粘结，虚折线限定了图1中树脂模型29的周边。

变形的连接引线23的延伸部23d的截面形状如图3所示。延伸部23d的宽度在变形的连接引线23的厚度方向上是可变的。延伸部23d在厚度方向上具有三个不同的水平面“A”、“B”和“C”。水平面“A”与第一表面23a处于同一水平面。水平面“B”与第一表面23a相对的第二表面23b处于同一水平面。水平面“C”位于水平面“A”和水平面“B”的中间，假定水平面“C”比水平面“A”更接近于水平面“B”。变形的连接引线23的延伸部23d在水平面“C”上具有最大宽度，在水平面“A”上具有最小宽度。在水平面“B”上，延伸部23d的宽度比最大宽度窄，比最小宽度宽，假设水平面“B”和“C”之间的宽度差小于水平面“B”和“A”之间的另一个宽度差。变形的连接引线23的延伸部23d的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“A”移动至水平面“C”而增加，还随着厚度方向上的位置从水平面“C”移动至水平面“B”而减小。

变形的连接引线23的延伸部23d包括限定在水平面“A”和“C”之间的多数部和限定在水平面“C”和“B”之间的少数部。多数部的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“A”移动至水平面“C”而增加，少数部的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“C”移动至水平面“B”而减小。多数部具有倾斜侧壁，而少数部具有相反倾斜的侧壁，少数部的倾斜侧壁小于多数部的倾斜侧壁。变形的连接引线23的延伸部23d的截面形状可以是变形的梯形，但不局限于此。

如图3所示，每个第一至第四间隔S11由两个相邻变形的连接引线23的延伸部23d的倾斜侧壁和相反倾斜的侧壁进行部分限定。由延伸部23d限定的每个第一至第四间隔S11的宽度在厚度方向上是可变的。即，每个第一至第四间隔S11的宽度随着位置在厚度方向上从水平面“A”移动至水平面“C”而减小，并随着位置在厚度方向上从水平面“C”移动至水平面“B”而增加。

每个第一至第四间隔S11在平面图中具有一个面积，其中该面积根据厚度方向上的水平面而变化。该面积是通过图1所示的虚线和两个相邻变形的连接引线23的延伸部23d限定的。即，每个第一至第四间隔S11在平面图中的面积随着位置在厚度方向上从水平面“A”移动至水平面“C”而减小，并随着位置在厚度方向上从水平面“C”移动至水平面“B”而增加。每个第一至第四间隔S11在水平面“A”中的平面图内具有第一面积，在水平面“B”中的平面图内具有第二面积，在水平面“C”中的平面图内具有第三面积。每个第一至第三面积是通过图1所示的虚线和两个相邻的变形的连接引线23的延伸部23d限定的。第一面积是最大的面积，第三面积是最小的面积。第二面积小于第一面积大于第三面积。

在变形的连接引线23的延伸部23d的截面上的变形的连接部分的形状通过照相平板工艺和后续的蚀刻工艺而获得。在照相平板工艺中，使用第一和第二掩膜M1和M2。第一掩膜M1放置在正方形框架的第一表面上，而第二掩膜M2放置在正方形框架的与第一表面相对的第二表面上。正方形正方形框架可包括金属板。第一和第二掩膜M1和M2包括行间距图案。第一掩膜M1的行宽度比第二掩膜M2的窄。第一掩膜M1的间隔宽度比第二掩膜M2的宽。第一掩膜M1和第二掩膜M2具有相同的行间隔节距。正方形正方形框架的第一和第二表面使用第一和第二掩膜M1和M2进行蚀刻工艺以能形成变形的连接引线23的延伸部23d。

变形的连接引线23的基部23c具有如图所示的截面形状。基部23c的宽度在变形的连接引线23的厚度方向上产生变化。基部23c在厚度方向上具有三个不同的水平面“A”、“B”和“D”。水平面“A”与第一表面23a处于同一水平面。水平面“B”和与第一表面23a相对的第二表面23b处于同一水平面。水平面“D”位于水平面“A”和水平面“B”的中间，假定水平面“D”比水平面“B”更接近于水平面“A”。变形的连接引线23的基部23c在水平面“D”上具有最大宽度，在水平面“B”上具有最小宽度。在水平面“A”上，基部23c的宽度比最大宽度窄，比最小宽度宽，假设水平面“A”和“D”之间的宽度差小于水平面“A”和“B”之间的另一个宽度差。变形的连接引线23的基部23c的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“A”移动至水平面“D”而增加，还随着厚度方向上的位置从水平面“D”移动至水平面“B”而减小。

变形的连接引线23的基部23c包括限定在水平面“B”和“D”之间的多数部和限定在水平面“D”和“A”之间的少数部。多数部的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“D”移动至水平面“B”而减小，少数部的宽度随着厚度方向上的位置从水平面“A”移动至水平面“D”而增加。多数部具有相反倾斜的侧壁，而少数部具有倾斜侧壁，少数部的倾斜侧壁小于多数部的相反倾斜的侧壁。变形的连接引线23的基部23c的截面形状可以是变形的倒置梯形，但不局限于此。

如图4所示，每个第一至第四间隔S11由两个相邻变形的连接引线23的基部23c的倾斜侧壁和相反倾斜的侧壁进行部分限定。由基部23c限定的每个第一至第四间隔S11的宽度在厚度方向上是可变的。即，每个第一至第四间隔S11的宽度随着位置在厚度方向上从水平面“A”移动至水平面“D”而增加，并随着位置在厚度方向上从水平面“D”移动至水平面“B”而减小。

每个第一至第四间隔S11在平面图中具有一个面积，其中该面积根据厚度方向上的水平面而变化。该面积是通过图1所示的虚线和两个相邻的变形的连接引线23的基部23c及正方形框架部分15限定的。即，每个第一至第四间隔S11在平面图中的面积随着位置在厚度方向上从水平面“A”移动至水平面“D”而减小，并随着位置在厚度方向上从水平面“D”移动至水平面“B”而增加。每个第一至第四间隔S11在水平面“A”中的平面图内具有第四面积，在水平面“B”中的平面图内具有第五面积，在水平面“D”中的平面图内具有第六面积。每个第四至第六面积是通过图1所示的虚线和两个相邻的变形的连接引线23的基部23c及正方形框架部分15限定的。第五面积是最大的面积，第六面积是最小的面积。第四面积小于第五面积而大于第六面积。

在变形的连接引线23的基部23c的截面上的变形的形状通过照相平板工艺和后续的蚀刻工艺而获得。在照相平板工艺中，使用第三和第四掩膜M3和M4。第三掩膜M3放置在正方形框架的第一表面上，而第四掩膜M4放置在正方形框架的与第一表面相对的第二表面上。正方形框架可包括金属板。第三和第四掩膜M3和M4包括行间距图案。第三掩膜M3的行宽度比第四掩膜M4的窄。第三掩膜M3的间隔宽度比第四掩膜M4的窄。第三掩膜M3和第四掩膜M4具有相同的行间隔节距。正方形框架的第一和第二表面使用第三和第四掩膜M3和M4进行蚀刻工艺以能形成变形的连接引线23的基部23c。

优选的是，引线17的截面形状也可与变形的连接引线23的相同，因为引线17可以用与形成变形的连接引线23相同的工艺形成。

变形的连接引线23具有连通平台7和9表面7a和9a的第一表面23a，以使第一表面23a和表面7a和9a形成一个表面。

如图1所示，每个连接部分13包括柔性部25和变形的连接引线23。柔性部25邻近平台7或9的侧面7d或9d延伸。变形的连接引线23使柔性部25连接正方形框架部分15。柔性部25具有参考轴线L3，参考轴线L3平行于平台7或9的侧面7d或9d并垂直于第一对角线L1。由于第一对角线L1垂直于第二对角线L2，因此参考轴线L3平行于第二对角线L2。柔性部25设置成在参考轴线L3上弯曲。即，柔性部25的宽度W1比平台7或9的宽度窄。换句话说，柔性部25设有限定窄宽度W1的凹侧部。柔性部25的厚度为“t”，优选的是，柔性部25的宽度W1满足给定的条件，0.5×t≤W1≤3.0×t。在宽度W1大于3.0×t时，柔性部25的机械柔性度就比较低，可能不允许柔性部25在参考轴线13上产生很好的弯曲。在宽度W1小于0.5×t时，柔性部25的机械强度就比较低，在参考轴线L3弯曲柔性部25时可能会使变形的连接引线23和平台7或9之间的柔性部25断开。更优选的是，柔性部25的宽度W1满足给定的条件，1.0×t≤W1≤3.0×t。在宽度W1小于1.0×t时，柔性部25的机械强度就比较低，可能会使弯曲柔性部25相对于变形的连接引线23产生扭曲。

将描述使用上述图1所示的引线框架1形成磁性传感器的方法。在第一步骤中，准备参考图1和2所述的引线框架1。在第二步骤中，磁性传感器芯片3和5分别粘结平台7和9的第一表面7a和9a。在第三步骤中，引线框架1的引线7通过导线电连接于设置在磁性传感器芯片3和5每个之上的焊接点。焊接点未在图中显示。导线最好是柔软的以能使平台7和9在弯曲连接部分13的柔性部25的后面工艺中向下倾斜，以此改变相对于引线17的磁性传感器3和5的焊接点的相对位置。

图5是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架。图6是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第一实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的另一步骤内的引线框架。

参考图5，准备第一和第二模“E”和“F”。第一模“E”设有凹面“E1”和外围隆起“E2”。第二模“F”设有平坦表面“F1”。凹面“E1”和平坦表面“F1”限定了模“E”和“F”的空腔。引线框架1位于第一模“E”上，其中正方形框架部分15接触外围隆起“E2”。引线17、磁性传感器芯片3和5、平台7和9、连接部分13和突起部分19和21位于第一模“E”的凹面“E1”上。在引线框架1位于第一模“E”上时，磁性传感器芯片3和5就位于平台7和9的下面，突起部分19和21就分别从平台7和9的第二表面7c和9c向上延伸。磁性传感器芯片3和5与第一模“E”的凹面“E1”相距一间隔。突起部分19和21还与平坦表面“F1”相距另一间隔。

参考图6，第二模“F”移向第一模“E”，以便平坦表面“F1”下压突起部分19和21直到第一和第二模“E”和“F”将引线框架1的正方形框架部分15夹在中间为止，以此柔性部25在参考轴线L3上产生弯曲，平台7和9从包括第一和第二对角线L1和L2的上述平面向下倾斜。由于正方形框架部分15在包括第一和第二对角线L1和L2的平面上二维地进行延伸，因此该平面也包括正方形框架部分15。分别安装在平台7和9上的磁性传感器芯片3和6也与平台7和9一起向下倾斜。倾斜的磁性传感器3和5相对于正方形框架部分15和平坦表面“F1”具有预定的倾斜角。预定的倾斜角通过突起部分19和21进行确定。例如，预定的倾斜角通过参考轴线L3和每个突起部分19和21之间的距离和通过每个突起部分19和21的尺寸来确定，其中尺寸在垂直于包括每个突起部分19和21的平面的方向上进行限定。在第一和第二模“E”和“F”将正方形框架部分15夹在中间时，正方形框架部分15的第一表面15i接触第一模“E”的外围隆起“E2”，而正方形框架部分15的第二表面15j接触平坦表面“F1”。

熔融树脂注入模“E”和“F”的空腔中，同时使用第二模“F”压紧突起部分19和21，由此磁性传感器芯片3和5、平台7和9用树脂进行熔化和密封。如上所述，空腔通过第一模“E”的凹面“E1”和第二模“F”的平坦表面“F1”进行限定。

在注入—熔化工艺过程中，熔融树脂通过图1所示的浇口“G”注入空腔中。浇口“G”位于第二对角线L2和引线框架1的正方形框架部分15的第四角15h上。在空腔中，注入时的熔融树脂将喷流向第一、第二和第三角15e、15f和15g，及第一和第二侧面15a和15b。熔融树脂的这种流动将包括与浇口“G”相对的到第二角15f的主流和流到第一和第二侧面15a和15b及第一和第三角15e和15g的次流。次流是由主流扩散引起的。熔融树脂的主流将沿着第二对角线L2移动。如上所述，参考轴线L3平行于第二对角线L2。因此，沿着第二对角线L2移动的主流将平行于参考轴线L3被引导。倾斜或侧斜的平台7的第一和第二表面7a和7c平行于第二对角线L2。倾斜或侧斜的平台9的第一和第二表面9a和9c也平行于第二对角线L2。分别安装在倾斜或侧斜的平台7和9上的倾斜或侧斜的磁性传感器芯片3和5也平行于第二对角线L2。因此，熔融树脂的主流将平行于倾斜或侧斜的平台7和9及倾斜或侧斜的磁性传感器芯片3和5进行引导。这就意味着熔融树脂的主流实质上不能由于倾斜平台7和9及倾斜传感器芯片3和5的存在而受到干扰。而且，熔融树脂的主流实质上不能推动倾斜平台7和9及倾斜传感器芯片3和5。

如图1、3和6所示，在注入模制工艺过程中，熔融树脂的主流到达第二角15f，同时熔融树脂的支流到达第一和第二角15e和15g，以使第一至第四间隔S11填充满熔融树脂。次流的熔融树脂沿着变形的连接引线23的第一表面23a流动，然后流入第一至第四间隔S11。如上所述，变形的连接引线23的延伸部23d具有变形的连接梯形形状。延伸部23d包括多数部和少数部。多数部提供第一表面23a和倾斜侧壁，而少数部提供第二表面23b和相反倾斜的侧壁。延伸部23d的多数部的宽度随着位置从水平面“A”移动至水平面“C”而增大。水平面“A”与第一表面23a同处一水平面。水平面“C”是远离水平面“A”的深层水平面。在水平面“A”上的每个第一至第四间隔S11处的上述第一面积大于在水平面“C”上的每个第一至第四间隔S 11处的上述第三面积。熔融树脂沿着上述变形的连接引线23的延伸部23d的倾斜侧壁流动，并填充每个第一至第四间隔S11。上述延伸部23d的倾斜侧壁允许熔融树脂流入并填充满每个第一至第四间隔S11。换句话说，在变形的连接引线23的延伸部23d截面上的上述变形的连接梯形形状保证了熔融树脂流入并填充第一至第四间隔S11，而不会在树脂模型29中形成任何空隙。

具有倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜平台7和9平行于第一对角线L1延伸，在注入模制工艺过程中熔融树脂的主流沿着该第一对角线L1流动。而且，具有倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜平台7和9远离第一对角线L1。因此，具有倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜平台7和9没有暴露于主流，但是可能暴露于支流。优选的是，为了防止注入空腔中时的熔融树脂改变倾斜平台7和9及倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜角度，树脂具有较高的流动性系数。

图7是通过使用图1引线框架1形成的磁性传感器的平面视图。图8是沿图5说明磁性传感器的线I-I剖开的剖视图。在上述模制引线框架1的工艺过程中，在倾斜平台7和9上的倾斜磁性传感器3和5用注入到空腔中的熔融树脂进行密封。然后熔融树脂经过冷却和固化而形成树脂模型29。如图7和8所示，通过模制工艺过程，倾斜平台7和9上的倾斜磁性传感器3和5用树脂模型29进行封装和密封。倾斜传感器芯片3和5、引线17和变形的连接引线23的延伸部23d固定在树脂模型29中，而正方形框架部分15和变形的连接引线23的基部23c在树脂模型29外部延伸。

然后树脂模型29外部的正方形框架部分15经过切割并从树脂模型29中去除。引线17的外部和变形的连接引线23的基部23c经过切除和从树脂模型29中去除，以此完成磁性传感器30。

磁性传感器30包括倾斜磁性传感器芯片3和5、倾斜平台7和9、突起部分19和21、引线17的其余部分、变形的连接引线23的延伸部23d和树脂模型29。树脂模型29在平面视图中的形状大致为正方形。树脂模型29还具有平坦底表面29a和平坦顶部面29c。变形的连接引线23的第二表面23b和引线17的相反表面与平坦底表面29a同处于一个水平面，并显示在平底表面29a上。突起部分19和21具有与平坦底表面29a同处于一个水平面，并显示在平坦底表面29a上的顶部。引线17通过未图示的导线连接倾斜磁性传感器芯片3和5。导线还通过树脂模型29进行密封和封装。

倾斜磁性传感器芯片3和5隐藏在树脂模型29中，其中倾斜磁性传感器芯片3和5从树脂模型29的平坦底表面29a倾斜。倾斜磁性传感器芯片3和5包含在两个相交成锐角θ的倾斜平面中。即，倾斜磁性传感器芯片3和5具有彼此相差锐角θ倾斜角度。锐角θ如图8所示，并且与上述倾斜角度不同。由于磁性传感器芯片3和5分别安装在倾斜平台7和9上，所以倾斜平台7和9也包含在两个相交成锐角θ的倾斜平面中。即，倾斜平台7和9具有彼此相差锐角θ倾斜角度。

每个倾斜磁性传感器芯片3和5的构成要能检测作用于磁性传感器30上的外磁场的两个分量。两个分量的方向相互垂直，但是都平行于包含倾斜磁性传感器芯片3或5的倾斜平面。例如，在图8中，倾斜传感器芯片3检测在用箭头“A”表示的第一方向上的外磁场的第一分量和在用箭头“B”表示的第二方向上的外磁场的第二分量。第一和第二方向“A”和“B”相互垂直，但是都平行于包含倾斜磁性传感器芯片3的第一倾斜平面。倾斜传感器芯片5检测在用箭头“C”表示的第三方向上的外磁场的第三分量和在用箭头“D”表示的第四方向上的外磁场的第四分量。第三和第四方向“C”和“D”相互垂直，但是都平行于包含倾斜磁性传感器芯片5的第二倾斜平面。第一和第三方向“A”和“C”相互反向平行(anti-parallel)，并垂直于第一对角线L1和平行于第二对角线L2。第二和第四方向“B”和“D”彼此相差锐角θ，并都垂直于第二对角线L2。

平行于第一和第二方向“A”和“B”的第一倾斜平面和平行于第三和第四方向“C”和“D”的第二倾斜平面相互以一个上述锐角θ相交。该锐角θ原理上说大于零度，最大为90度，以使磁性传感器30精确地检测三维地磁的方位。锐角θ的较佳范围是在20度和90度之间，最佳的是在30度和90度的范围中。

磁性传感器30可优选地一体形成或安装在包含于如移动终端的设备内的电路板上。典型的移动终端可包括，但不仅限于，蜂窝移动电话。在磁性传感器30集成在蜂窝移动电话上时，磁性传感器30最可能检测地磁的方位，并将它显示在蜂窝移动电话的显示屏上。

引线17的表面和变形的连接引线23的第二表面从树脂模型29的平坦表面29a暴露。引线17的暴露表面和变形的连接引线23的暴露表面通过焊料焊接于衬底或电路板上以能将磁性传感器30安装在衬底上。在磁性传感器30从衬底接收到作用于单个磁性传感器30上的外力时，引线17和变形的连接引线23也从衬底接收到作用于相同磁性传感器30上的另一个外力。但是，如上所述，每个引线17和变形的连接引线23设有倾斜侧壁和暴露表面的变形的梯形形状。倾斜侧壁接合树脂模型29以能防止引线17和变形的连接引线23在接收到所施加的外力时与树脂模型29产生分离。

如上所述，次流的熔融树脂沿着变形的连接引线23的第一表面23a流动，然后流入第一至第四间隔S11中。变形的连接引线23的延伸部23d具有变形的连接梯形形状。延伸部23d的多数部的宽度随着位置从水平面“A”移动至水平面“C”而增大。在水平面“A”上的每个第一至第四间隔S11的上述第一面积大于上述在水平面“C”上的每个第一至第四间隔S11的第三面积。熔融树脂沿着上述变形的连接引线23的延伸部23d的倾斜侧壁流动，并填充每个第一至第四间隔S11。上述延伸部23d的倾斜侧壁允许熔融树脂流入并填充每个第一至第四间隔S11。换句话说，在变形的连接引线23的延伸部23d截面上的上述变形的梯形形状保证熔融树脂流入并填充每个第一至第四间隔S11，而不会在树脂模型29中形成任何空隙。这样就进一步减小了磁性传感器30的尺寸或大小。

如上所述，柔性部25的宽度最好满足给定的条件，0.5×t≤W1≤3.0×t。这就保证了柔性部25具有较高的柔性度和机械强度以使柔性部相对参考轴线L3进行很好地弯曲，以此倾斜平台7或9，而不会使变形的连接引线23和平台7或9之间的柔性部25产生断开。柔性部25的宽度W1最好满足给定的条件，1.0×t≤W1≤3.0×t。这样就进一步保证了柔性部25能够弯曲而不会相对变形的连接引线23产生任何扭曲。

具有倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜侧壁7和9远离第二对角线L2，熔融树脂的主流在注入模制工艺过程中沿着第二对角线L2流动，以使熔融树脂的主流基本上不能通过平台7和9进行分配，以此熔融树脂到达第二角15f，第二角15f与浇口“G”所处位置的第四角15h相对。

而且，倾斜平台7和9以及倾斜磁性传感器3和5远离第二对角线L2，注入时的熔融树脂的主流在上述注入模制工艺过程中沿着第二对角线L2流动。因此，注入空腔中的熔融树脂的主流实质上不能推动倾斜平台7和9以及倾斜磁性传感器3和5，以此实质上不会改变磁性传感器芯片3和5的倾斜角度。磁性传感器芯片3和5的倾斜角度的实质未改变也就使上述倾斜磁性检测芯片3和5之间限定的锐角θ实质上没有改变。

柔性部25的宽度“W1”比平台7的窄，但是比第一至第三变形的连接引线23的宽。柔性部25可具有，但是，不必须具有，与平台7和突起部分19相同的厚度。第一至第三变形的连接引线23可具有，但是，不必须具有，与柔性部25相同的厚度。另一种可选方案是，柔性部25可比，但是不必须比平台7和9以及变形的连接引线23薄。柔性部25厚度的减小提高了其柔性度，并降低了机械强度。柔性部25厚度的减小通过半蚀刻柔性部25而获得。在柔性部25的厚度减小时，宽度“W1”最好参考减小的厚度来确定，以能满足上述给定的条件0.5×t≤W1≤3.0×t。

第二实施例

将描述本发明的第二实施例。下面的描述将涉及第二实施例与上述第一实施例的差异。图9是根据本发明第二较佳实施例的包含具有变形的连接柔性部的变形的连接引线的引线框架的局部剖视图，图10是沿图9线J-J剖开的引线框架的局部剖视图。

图9和10所示的引线框架仅在柔性部与图1和2所示的上述引线框架不同。下面的描述将涉及第一和第二实施例之间的引线框架的不同。柔性部25邻近平台7或9延伸。变形的连接引线23从柔性部25延伸到正方形框架部分15。柔性部25具有单个槽33，槽33包括在柔性部25的厚度方向上穿过柔性部25的细长开口。槽33具有平面视图为圆形的相对端。槽33沿着参考轴线L3延伸。槽33的长度方向平行于第二对角线L2，并垂直于第一对角线L1。槽33相对于包括第一对角线L1的映像—对称轴对称地延伸。柔性部25的尺寸“W1”定义为参考轴线L3上柔性部25两侧之间的距离。

柔性部25具有通过槽33相互分离的两个窄部。每个窄部被限定在柔性部25的侧侧面和槽33的端部之间。每个窄部的宽度“W2”定义为参考轴线L3上的窄部的尺寸。槽33的长度通过从尺寸“W1”中减去2×W2而获得。尺寸“W1”相当于柔性部25的外观宽度。柔性部25具有有效的宽度“Weffect＝2×W2”，该宽度是通过将两个窄部的宽度“W2”相加而获得的。柔性部25的柔性度和机械强度取决于柔性部25的厚度和有效宽度。术语“有效宽度”是指从尺寸“W1”中减去参考轴线L3上的一个或多个槽的总长而获得的宽度，尺寸“W1”定义为参考轴线L3上柔性部25的两侧之间的距离。参考轴线L3上的柔性部25的厚度为“t”。

优选地，参考轴线L3上柔性部25的有效宽度“Weffect＝2×W2”满足给定的条件，0.5×t≤“Weffect＝2×W2”≤2.0×t。在有效宽度“Weffect＝2×W2”大于2.0×t时，柔性部25的机械柔性度就比较低，并可能不允许柔性部25在参考轴线L3上产生弯曲。在有效宽度“Weffect＝2×W2”小于0.5×t时，柔性部25的机械强度就比较低，并可能在参考轴线L3上弯曲柔性部25时会使变形的连接引线23和平台7或9之间的柔性部25断开。如上所述，图9所示的柔性部25的有效宽度“Weffect＝2×W2”是通过从柔性部25的尺寸“W1”中减去槽33的长度而获得的。

优选的是，槽33的长度至少为0.5mm，其中槽33的长度定义为沿着参考轴线L3的槽33的尺寸。而且，槽33的优选宽度至少为0.2mm，其中槽33的宽度定义为在平行于第一对角线L1方向上的槽33的另一个尺寸。

如图10所示，柔性部25的倾斜侧壁限定了槽33。槽33的宽度在柔性部25的厚度方向上而变化。槽33的宽度定义为平行于第一对角线L1方向上的槽33的尺寸。即，槽33的宽度随着位置从柔性部25的第一表面的第一水平面移动至与第一表面相对的第二表面的第二水平面而减小。如上所述，柔性部25与变形的连接引线23和平台7和9具有相同的厚度，或者比它们的厚度小。在柔性部25与变形的连接引线23具有相同的厚度时，第一表面的第一和第二水平面分别对应于图3所示的水平面“A”和“B”。柔性部25还具有对应于图3所示的水平面“C”的第三水平面。槽33在对应于水平面“A”的第一水平面处具有最大宽度。槽33在对应于水平面“C”的第三水平面处具有最小宽度。槽33在对应于水平面“B”的第二水平面处具有中间宽度。柔性部25具有在第一和第三水平面之间延伸的倾斜侧壁和在第三和第二水平面之间延伸的相反倾斜的侧壁。倾斜侧壁和相反倾斜的侧壁在平面图中限定了槽33的形状。柔性部25设有多数部和少数部，多数部具有在第一和第三水平面之间延伸的倾斜侧壁，少数部具有在第三和第二水平面之间延伸的相反倾斜的侧壁。

图11是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第二实施例的图1中的引线框架来形成磁性传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架。模“F”移向阴模“E”，模“F”的平坦表面“F1”推动突起部分19或21，以此具有槽33的柔性部25在参考轴线L3上弯曲，具有磁性传感器芯片3或5的平台7或9能够倾斜。参考轴线L3上柔性部25的弯曲缩减了在与图11所示的变形的连接引线23的第一表面23a处于同一水平面的第一水平面上的槽33的宽度。参考轴线L3上柔性部25的弯曲使沿着第一对角线L1剖开的槽33的截面形状产生变形。变形的形状仍然是梯形。即，即使在柔性部25弯曲后，槽33也具有变形的梯形形状，在第一水平面上的槽33的宽度还大于其在与第二表面23b同处一个水平面的第二水平面上的宽度。在柔性部25弯曲后，柔性部25仍然能够夹持倾斜侧壁。倾斜侧壁允许熔融树脂的支流在注入模制工艺过程中流入并填充槽33中。

熔融树脂沿着柔性部25的多数部的倾斜侧壁流动，并填充每个槽33。柔性部25的多数部的倾斜侧壁允许熔融树脂流入并填充槽33而不会在树脂模型29中产生任何空隙。槽33的截面形状可通过与用于形成变形的连接引线23相同的技术而获得。例如，平版照相印刷术工艺通过使用两个间隔宽度相互不同的掩膜而实现。其中第一掩膜的间隔宽度大于第二掩膜的间隔宽度。第一和第二掩膜分别位于柔性部25的第一和第二表面上。然后使用第一和第二掩膜执行蚀刻工艺来形成上述的槽33。

第二实施例中具有柔性部25的引线框架1实质上提供了与第一实施例中相同的效果和优点。

柔性部25的槽33的设置提高了参考轴线L3上的柔性部25的机械柔性度，以此使柔性部25在参考轴线L3上易于弯曲，并易于精确地倾斜平台7和9以使平台7和9具有预定的倾斜角度。如上所述，槽33的较佳构成要使参考轴线L3上柔性部25的有效宽度“Weffect＝2×W2”满足给定的条件，0.5×t≤“Weffect＝2×W2”≤2.0×t。这就能够保证柔性部25具有所需的高柔性度和机械强度，以允许柔性部能够在参考轴线L3上产生弯曲，由此使平台7或9倾斜，而不会使变形的连接引线23和平台7或9之间的柔性部产生断开。

不仅间隔S11而且槽33接合树脂模型29，由此引线框架1也接合树脂模型29。这样有助于将具有倾斜磁性传感器芯片3和5的倾斜平台7和9紧固或安装于树脂模型29上。

根据第二实施例，每个柔性部25设有单个槽33。作为柔性部25的改进可能具有许多与参考轴线L3对齐并相互分离的槽34。槽34的数量不应该受到限定，但是通常为两个。图12是局部剖视图，图解根据本发明第二优选实施例的第一改进包含具有变形的柔性部分的变形的连接引线的引线框架。柔性部25具有与参考轴线L3对齐并相互分离的两个槽34。每个槽34包括在柔性部25的厚度方向上穿过柔性部25的细长开口。每个槽34具有平面图中为圆形的相对端。每个槽34沿着参考轴线L3延伸。每个槽34的长度方向平行于第二对角线L2，并垂直于第一对角线L1。两个槽34都相对于包括第一对角线L1的映像—对称轴相互对称地设置。柔性部25的尺寸“W1”定义为参考轴线L3上的柔性部25两侧之间的距离。

柔性部25具有通过两个槽34相互分离的三个窄部。三个窄部中的中间的窄部被限定在两个槽34之间。三个窄部的其余两个都被限定在柔性部25的侧部和两个槽34中的其中一个近槽之间。每个窄部的宽度“W2”定义为参考轴线L3上的窄部的尺寸。两个槽34的长度和通过从尺寸“W1”中减去3×W2而获得。尺寸“W1”相当于柔性部25的外观宽度。柔性部25具有有效的宽度“Weffect＝3×W2”，该宽度是通过将三个窄部的宽度“W2”相加而获得的。柔性部25的柔性度和机械强度取决于柔性部25的厚度和有效宽度。参考轴线L3上的柔性部25的厚度为“t”。

优选地，参考轴线L3上的柔性部25的有效宽度“Weffect＝3×W2”满足给定的条件，0.5×t≤“Weffect＝3×W2”≤2.0×t。在有效宽度“Weffect＝3×W2”大于2.0×t时，柔性部25的机械柔性度就比较低，可能不允许柔性部25在参考轴线L3上产生弯曲。在有效宽度“Weffect＝3×W2”小于0.5×t时，柔性部25的机械强度就比较低，可能在参考轴线L3上弯曲柔性部25时会使变形的连接引线23和平台7或9之间的柔性部25断开。如上所述，图12所示的柔性部25的有效宽度“Weffect＝3×W2是通过从柔性部25的尺寸“W1”中减去两个槽34的长度和而获得的。

替换槽33或槽34，作为柔性部25的改进可能具有在一个或多个平面图中为椭圆形或圆形的通孔。在槽33或槽34为圆形时，槽33的直径最好在0.1mm至0.5mm的范围中。

作为柔性部25的改进可能具有薄部、和一个或多个形成在该薄部上的通孔。薄部比柔性部25的其余部分薄。该薄部沿着参考轴线L3延伸。一个或多个通孔也位于参考轴线L3上。具有一个或多个通孔的薄部的组合提高了柔性部25的机械柔性度。图13A是根据本发明第二优选实施例的第二改进的包含具有变形的柔性部的变形的引线的引线框架的局部平面图。图13B是沿图13A中线K-K剖开的局部剖视图。柔性部25具有提供了薄部的凹槽37和提供了通孔的狭缝35。凹槽37沿着柔性部25的相对侧之间的参考轴线L3延伸。凹槽37与柔性部25具有相同长度的宽度“W1”。狭缝35形成在凹槽37中。狭缝35位于参考轴线L3和第一对角线L1的交叉点上。狭缝35相对于参考轴线L3的映像—对称轴和第一对角线L1的其它映像—对称轴对称地延伸。狭缝35的长度是由参考轴线L3的尺寸限定的，宽度是由另一个第一对角线L1的尺寸限定的。狭缝35的长度远小于凹槽37的长度。优选的是，狭缝35的宽度小于图13A和13B所示的凹槽37的宽度。凹槽37可优选的具有底面和与该底面相邻并通过该底面相互分离的倾斜侧壁。狭缝35穿过凹槽37下面的薄部。狭缝35可具有垂直侧壁或倾斜侧壁。凹槽37的倾斜侧壁有助于注入时熔融树脂的流动以便它能够填充狭缝35。

根据第一和第二实施例，上述每个引线17和变形的连接引线23的截面中的变形的梯形形状是通过照相平版印刷工艺获得的。作为上述每个引线17和变形的连接引线23的改进也可能通过除了照相平版印刷工艺外的任何可用的工艺获得。

根据第一和第二实施例，每个变形的连接引线23的延伸部23d具有上述变形的梯形形状，其中延伸部23d的宽度随着位置在厚度方向上从水平面“A”移动至水平面“C”而增大。变形的连接引线23可具有改进的梯形形状以使延伸部23d的宽度在反向平行于平台7和9倾斜的平面的方向的方向上而增大，该平面包括相对于柔性部25的参考轴线L3的变形的引线。即，变形的连接引线23的延伸部23d具有允许熔融树脂的支流流入和填充每个第一和第四间隔S11的倾斜侧壁。换句话说，变形的连接引线23的延伸部23d设有面向平台7和9倾斜方向上的倾斜侧壁，平台7和9相对于柔性部25的参考轴线L3从包括变形的连接引线23的平面倾斜。

根据第一和第二实施例，平台7和9优选地相对于第二对角线L2的映像—对称轴相互对称地设置，熔融树脂的主流在注入模制工艺过程中沿着第二对角线L2流动。平台7和9的另一个典型例子可能连接与第二角15f相邻的第一和第二侧面15a和15b，熔融树脂的主流从第四角15h的浇口“G”流向第二角15f，而不管平台7和9相对于第二对角线L2的映像—对称轴相互是否对称或不对称地设置。这种结构实质上提供了与上述相同的效果和优点。作为平台7和9的又一个典型例子还可能连接远离第二对角线L2的第一和第三角15e和15g，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动，而不管平台7和9相对于第二对角线L2的映像—对称轴相互是否对称或不对称地设置。这种结构实质上提供了与上述相同的效果和优点。

根据第一和第二实施例，熔融树脂的主流沿着第二对角线L2流动，平台7和9远离第二对角线L2。平台7和9的改进可能远离主流线，熔融树脂的主流在注入模制工艺过程中沿着主流线流动，以能防止平台7和9暴露于主流，而不管主流线是否对齐或远离第二对角线L2。平台7和9的最佳可能是远离主流线，并相对于主流线的映像—对称轴相互对称地设置。

根据第一和第二实施例，突起部分19和21从平台7和9的外围或端部延伸。突起部分19和21可能从平台7和9的底表面延伸，而不管突起部分19和21延伸的精确位置。

根据第一和第二实施例，突起部分19和21用于倾斜平台7和9。另一种可选方案是，可以不需要任何一个突起部分19和21，假设具有磁性传感器芯片3和5的平台7和9通过公知的或共用的技术已经在形成树脂模型29的注入模制前发生倾斜。

根据第一和第二实施例，每个平台7和9在平面图中为正方形。每个平台7和9可能具有允许磁性传感器芯片3和5安装在其上面的变形的形状。平台7和9的平面图中形状的典型例子可包括，但不局限于，正方形、矩形、圆形和椭圆形。平台7和9的其它典型例子可包括，但不局限于，一个有孔平台和另一个设有在平台厚度限定的方向上穿过的一个或多个通孔的平台。平台7和9也可以在形状或大小方面相互不同。

根据第一和第二实施例，磁性传感器芯片3和5，平台7和9以及引线17固定在并封装在树脂模型29中。作为一种改进可能形成一种半导体组件，它包含和封装磁性传感器芯片3和5、平台7和9以及引线17。

根据第一和第二实施例，引线框架1包括大致为正方形的正方形框架部分15。也可能改进正方形框架部分在平面图中的形状。正方形框架部分在平面图中形状的典型例子可包括，但不局限于，大致的正方形和大致的矩形。

根据第一和第二实施例，设置了用于检测地磁的方位和量度的磁性传感器。作为上述引线框架的改进可能安装另一个用于检测三维空间中的物理量的方向、方位或定位的传感器。典型的物理量包括磁场、加速和其它矢量。引线框架1能够安装检测加速方向和量度的加速传感器芯片。

第三实施例

将描述本发明的第三实施例。图14是根据本发明第三较佳实施例的用于检测物理量的传感器的局部平面图。图15是图14所示的传感器的局部剖视图。图16是用于形成图14所示传感器的引线框架的局部平面图。用于检测物理量的磁性传感器100如图14和15所示。用于形成图14和15所示的引线框架45如图16所示。磁性传感器100包括一对相互远离倾斜的磁性传感器芯片43和44。这对磁性传感器芯片43和44检测或测量外磁场的方向和量度。磁性传感器100使用具有复杂和精巧结构的引线框架45形成。磁性传感器100包括由树脂合成物32组成的树脂模型31。

用于形成磁性传感器100的引线框架45包括两个分别安装了磁性传感器芯片43和44的平台46和47。引线框架45还包括机械支撑两个平台46和47的框架45e。框架45e进一步包括矩形框架部45a、许多引线45b和许多变形的引线45d。矩形框架部45a设有限定内部区域的四个侧面。因此，内部区域为矩形形状。平台46和47位于内部区域中。引线45b从矩形框部45a的四个侧面向内延伸。变形的引线45d也从矩形框部45a延伸到平台46和47。平台46和47由变形的引线45d进行机械支撑。

每个平台46和47为矩形。矩形框架部45a具有平行于矩形框部45a长度方向的第一中心线。矩形框架部45a还具有垂直于第一中心线的第二中心线。每个平台46和47位于第一中心线上。平台46和47也相对于第二中心线的映像—对称轴相互对称设置。平台46和47远离第二中心线。平台46具有邻近平台47的第一侧面。平台47也具有邻近平台46的第二侧面。平台46具有从第一侧面延伸到平台47的突出部38。突出部38远离第二中心线。平台47具有从第二侧面延伸到平台46的突出部39。突出部39远离第二中心线。引线框架45具有第一表面和与第一表面相对的第二表面45f。突出部38从包括平台46的平面倾斜向第二表面45f。突出部39从包括平台47的另一平面倾斜向第二表面45f。

变形的引线45d包括将平台46和47悬挂到矩形框架部45a上的悬挂引线。每个平台46和47通过一对变形的引线45d从矩形框部45a进行悬挂。每个变形的引线45d具有连接并邻近平台46或47的侧部46b或47b的扭曲部45g。扭曲部45g比变形的引线45d窄。扭曲部45g具有开槽的侧部。扭曲部45g是可扭曲的以能倾斜平台46或47。

磁性传感器100包括引线45b、平台46和47、连接平台46和47的变形的引线45d、分别安装在平台46和47上的磁性传感器芯片43和44、电连接引线45d和磁性传感器芯片43和44的导线40、以及封装这些元件的树脂模型31。树脂模型31包括树脂合成物32。

然后使树脂模型31外部的矩形框部45经过切割并从树脂模型31中去除。引线45b和变形的引线45d的外部从树脂模型31缩减和去除，以此完成磁性传感器100。

磁性传感器100可具有平面视图为矩形的形状，第一尺寸为2.0-5.5/典型地＝4.2mm，第二尺寸为2.0-5.5，典型地＝4.2mm。每个平台46和47可具有平面视图为正方形的形状，其尺寸为0.6-2.5/典型地＝1.5mm。每个平台46和47倾斜角度为10-30度。每个磁性传感器芯片43和44平面视图的形状为正方形，其尺寸为0.8-2.6/典型地＝1.5mm。变形的引线45d限定了与变形的引线45d相邻的较小间隔。例如，引线45b的厚度大致为0.15mm。变形的引线45d的厚度大致为0.075mm。与变形的引线45d相邻的较小间隔的尺寸“X”大致为0.075mm。

磁性传感器100可通过下面的过程来形成。图17A是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的一个步骤内的引线框架。图17B是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的另一个步骤内的引线框架。图17C是局部剖视图，图解通过使用根据本发明第三实施例的图16中的引线框架来形成传感器的方法中所包含的又一个步骤内的引线框架。

如图17A所示，金属板通过挤压加工或蚀刻工艺进行处理来准备引线框架45。磁性传感器芯片43和44粘接于平台46和47上。磁性传感器芯片43和44电连接引线45b。

如图17B所示，引线框架45位于成对的模“D”和“E”之间。模“D”移动向阴模“E”，模“E”的平坦表面“E1”推动突出部38或39，以此变形的引线45d的扭曲部45g产生弯曲，而且具有磁性传感器芯片43和44的平台46和47产生倾斜。较小间隔绕变形的引线45d形成。其它较小间隔形成在平台46和47与模“E”的平坦表面“E1”之间。

如图17C所示，执行注入模制工艺过程以能将熔融树脂注入通过组合模“D”和“E”限定的空腔中，从而形成封装引线45b、平台46和47以及磁性传感器芯片43和44的树脂模型31。树脂模型31可包括由环氧树脂和混合在环氧树脂中的填料组成的树脂合成物32。填料最好可包括二氧化硅微粒，具有球形形状，最大微粒尺寸为30-50微米，平均微粒尺寸为10-30微米。更优选的是，平均微粒尺寸为20微米。树脂合成物32由10％重量的环氧树脂和90％重量的填料组成。树脂合成物32的熔融树脂以9.8Mpa的普通气压注入到空腔中。该压力能够防止注入时的熔融树脂对磁性传感器芯片43和44产生任何实质性的伤害。包括上述微粒尺寸的球形微粒允许熔融树脂填充变形的引线45d周围的较小间隔，以此形成没有任何空隙的树脂模型31。然后树脂模型31外部的矩形框部45经过切割，并从树脂模型31中去除。引线45b的外部和变形的引线45d从树脂模型31进行截短和去除，以此完成磁性传感器100。

如上所述，缩减传感器的尺寸就会缩减变形的引线45d周围间隔和与平台46和47相邻的其它间隔的尺寸。但是，根据第三实施例，填料包括最大微粒尺寸为30-50微米的球形微粒，平均微粒尺寸为10-30微米。包含该填料的树脂合成物允许在普通压力下注入时的熔融树脂填充变形的引线45d的周围间隔和与平台46和47相邻的其它间隔，以此在不会对磁性传感器芯片43和44产生任何实质性的伤害的情况下形成没有任何空隙的树脂模型31。

无空隙的树脂模型32给磁性传感器100提供了散热性和电绝缘性能。无空隙树脂模型32保护磁性传感器芯片免受机械冲击和潮湿气的影响。因此，树脂模型31的树脂合成物32的使用允许传感器在不会产生上述不利的情况下缩减尺寸。

树脂模型31的树脂合成物32可以应用于需要对设备进行封装的树脂模型的任何类型的设备。用树脂模型进行封装的传感器可包括安装在非倾斜平台上的传感器芯片，非倾斜平台在包括引线的平面内延伸。

根据第一实施例，提供了检测地磁方位和量值的磁性传感器。作为上述树脂合成物的改进，可能封装另一个用于至少检测三维空间中物理量的方向、方位或定位的传感器。典型例子的物理量包括磁场、加速和其它矢量。上述树脂合成物可能封装检测加速方向和量值的加速传感器芯片。

正如这里所使用，方向术语“上，下，内，外，前，后，上方，下方，正交，垂直，水平，下面和横向”以及任何其它的方向术语涉及装备本发明的装置的那些方向。因此，正如用于描述本发明的这些术语应该相对于装备了本发明的装置进行解释。

这里所使用的术语“矩形”是指具有四条直边和四个直角的形状。这里所使用的术语“正方形”是指具有四条相同长度的边和四个直角的形状。术语“长方形”是指具有两条长边和两条短边和四个直角的形状。因此，术语“矩形”包括术语“正方形”和术语“长方形”。

这里所使用的术语“物理量”通常是指矢量。术语“物理量”可包括标量、矢量和张量。

这里所使用的程度术语，如“一般”、“基本上”、“大约”和“大致”是指改进术语衍生的合理量以使最终结果不会产生明显的改变。

虽然本发明的较佳实施例在上面进行了描述和说明，但是应该明白：这些是本发明的举例，不能被认为是限制本发明。在不脱离本发明的精神或保护范围的情况下可以对本发明作出增加、省略、替换和其它修改。因此，本发明不应该被认为受到前面的描述所限制。

Claims (23)

1.一种引线框架，包括：

限定内部区域的框架主体；

从框架主体延伸的多根引线，；

设置在内部区域中的第一平台；和

第一变形的连接引线结构，所述第一变形的连接引线结构包括连接至第一平台的柔性部、和将柔性部连接至框架主体并具有倾斜侧壁的至少一根变形的连接引线。

2.如权利要求1所述的引线框架，其中所述至少一根变形的连接引线具有在至少一根变形的连接引线的厚度方向上增加的宽度。

3.如权利要求2所述的引线框架，其中所述至少一根变形的连接引线还具有第一表面，该第一表面与倾斜侧壁相邻并将倾斜侧壁进行相互隔离。

4.如权利要求3所述的引线框架，其中所述至少一根变形的连接引线的截面形状大致为梯形。

5.如权利要求1所述的引线框架，其中所述柔性部设有参考轴线，柔性部被构造成在参考轴线上可弯曲。

6.如权利要求5所述的引线框架，其中所述柔性部具有被限定为参考轴线上的尺寸的宽度“W1”，宽度“W1”满足给定的条件：0.5×t≤W1≤3.0×t，这里“t”表示参考轴线上的柔性部的厚度。

7.如权利要求6所述的引线框架，其中所述柔性部至少设有一个穿过柔性部的通孔，并且至少一个通孔位于参考轴线上。

8.如权利要求7所述的引线框架，其中所述柔性部具有有效宽度“Weffect”，该有效宽度“Weffect”是通过从宽度“W1”中减去参考轴线上的至少一个通孔的尺寸总和而获得的，而且有效宽度“Weffect”满足以下条件：0.5×t≤“Weffect”≤2.0×t，这里“t”表示参考轴线上的柔性部的厚度。

9.如权利要求8所述的引线框架，其中所述至少一个通孔设有倾斜的侧壁。

10.如权利要求9所述的引线框架，其中所述至少一个通孔设有在至少一个通孔的深度方向上减小的宽度。

11.如权利要求7所述的引线框架，其中所述柔性部设有比柔性部的其余部分厚度更薄的薄部，而且该薄部沿着参考轴线延伸，并设有倾斜侧壁和至少一个通孔。

12.一种传感器，包括：

权利要求1所述的引线框架；和

被支撑在第一平台上的第一传感器芯片。

13.如权利要求12所述的传感器，其中所述至少一根变形的连接引线具有在至少一根变形的连接引线的厚度方向上增加的宽度。

14.如权利要求13所述的传感器，其中所述至少一根变形的连接引线还具有第一表面，该第一表面与倾斜侧壁相邻并将倾斜侧壁进行相互隔离。

15.如权利要求14所述的传感器，其中所述至少一根变形的连接引线的截面形状大致为梯形。

16.如权利要求12所述的引线框架，其中所述柔性部设有参考轴线并具有被限定为参考轴线上的尺寸的宽度“W1”，宽度“W1”满足给定的条件：0.5×t≤W1≤3.0×t，这里“t”表示参考轴线上的柔性部的厚度。

17.如权利要求16所述的传感器，其中所述柔性部设有至少一个穿过柔性部的通孔，而且至少一个通孔位于参考轴线上。

18.如权利要求17所述的传感器，其中所述柔性部设有有效宽度“Weffect”，该有效宽度“Weffect”是通过从宽度“W1”中减去参考轴线上的至少一个通孔的尺寸总和而获得的，有效宽度“Weffect“满足以下条件：0.5×t≤“Weffect”≤2.0×t，这里“t”表示参考轴线上的柔性部的厚度。

19.如权利要求18所述的传感器，其中所述至少一个通孔设有倾斜的侧壁。

20.如权利要求19所述的传感器，其中所述至少一个通孔设有在至少一个通孔的深度方向上减小的宽度。

21.如权利要求17所述的传感器，其中所述柔性部设有比柔性部的其余部分厚度更薄的薄部，该薄部沿着参考轴线延伸并设有倾斜侧壁和至少一个通孔。

22.如权利要求12所述的传感器，还包括：封装多根引线的树脂组合物、第一平台、第一传感器芯片和第一变形的连接引线，该树脂组合物包括：

树脂材料；和

混合在树脂材料中的填料，该填料包括最大微粒尺寸在30-50微米之间，平均微粒尺寸为10-30微米之间的微粒。

23.如权利要求22所述的传感器，其中微粒为球形。

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