CN1820345A - 阴极射线管 - Google Patents

Abstract

在形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状、将小口径的开口部侧向着电子枪侧配置的内部磁屏蔽体(28)中，使小口径开口部的短缘边(52)、(54)形成落入面板侧的倒梯形形状，并且，使长缘边(56)、(58)形成向电子枪侧突出的钝角等腰三角形形状。

Description

阴极射线管

技术领域

本发明涉及阴极射线管，特别是涉及具备内部磁屏蔽体的阴极射线管。

背景技术

由于地磁和其他外部磁场的影响，从电子枪射出的电子束的轨道发生变化。其结果是，在彩色阴极射线管的情况下，3条电子束发生不在荧光屏的正规的位置上着屏而误着屏，因而产生色偏移等。

为了避免这样的影响，被设计成大致中空角锥梯形的内部磁屏蔽体包围电子束通过的区域(例如，参照特开昭58-178945号公报)。

但是，即使具备上述内部磁屏蔽体，尽管能够有效地屏蔽从水平方向及垂直方向进入的外部磁场，却不能屏蔽从管轴方向进入的外部磁场。这是由于为了确保从电子枪至荧光面的电子束的轨道，不得不在管轴方向前后开口的缘故。但是，配置在荧光面侧开口部与荧光面之间的荫罩虽然能够起到磁屏蔽的作用，但在电子枪侧的开口部与电子枪之间没有屏蔽磁场的构件存在。

可是，在采用条纹荧光面的彩色阴极射线管的情况下，特别是向水平方向的误着屏对色偏移影响大。即，电子束所受的洛仑兹力的水平分力成为问题。

该水平分力Fx能够用下式表示。

Fx＝e(By·Vz-Bz·Vy)       ...(1)

在上式(1)中，e：电子的电荷量、By：Y轴方向(垂直方向)的磁通密度、Bz：Z轴方向(管轴方向)的磁通密度、Vz：电子束的Z轴方向速度、Vy：电子束的Y轴方向速度。

在式(1)中，决定Fx的要素中，e当然不能改变，Vz与Vy也几乎没有办法使其变化。因此，为了减小Fx，需要调整By与Bz的平衡。

此处，在阴极射线管将其管轴方向南北设置的情况下，没有通过内部磁屏蔽体被遮蔽的地磁引起的Bz成为最大，并且，由于原来By比Bz小，所以，Fx变为最大，产生的色偏移变为最大。

这种情况下，通过调整By、Bz，使得By相对Bz的比例增高，能够减小Fx，因而能够谋求降低色偏移。

通过在磁屏蔽体的形状上下功夫进行这样的调整，迄今，进行了各种各样的尝试。

图1表示了这种尝试的一个例子。如图1所示，内部磁屏蔽体200是在垂直方向对置的一对的长边侧板202、204与在水平方向对置的一对短边侧板206、208接合，形成为大致中空角锥梯形的内部磁屏蔽体。而且，短边侧板206、208具有在成为电子枪侧部分切为倒梯形形状的切入部210。

当将具备这样的内部磁屏蔽体200的阴极射线管设置成其管轴方向朝向南北时，该内部磁屏蔽体200被地磁磁化，其一个磁极出现在电子枪开口部周围与它的附近。并且，当进行消磁处理时(在设置在阴极射线管的外侧的消磁线圈中流过衰减交变电流，使之发生衰减交变磁场所进行的消磁处理)，内部磁屏蔽体在上述磁极更强消除外部磁场(地磁场)的方向上磁化。在该磁极呈现的区域中附加半色调点网格(half tone dot meshing)。此处，电子束通过区域中的磁通内、电子枪侧开口部的角部附近，通过斜边210A与在其附近呈现的磁极发生的磁通和外部磁场(地磁场)的磁通的矢量的合成形成，朝向向上或者向下的方向(Y轴方向)。其结果是，式(1)中的By相对Bz的比例变高，Fx变小，能够降低画面角部附近的色偏移。

但是，如上所述，尽管上述内部磁屏蔽体200在降低画面角部附近的色偏移中发挥效果，但对降低画面中央上下端部附近的色偏移却几乎没有贡献。

鉴于上述课题，本发明的目的在于：提供一种不仅能够降低画面的角部附近的色偏移，而且能够降低画面中央上下端部附近的色偏移的阴极射线管。

发明内容

本发明的阴极射线管的特征在于，具有：玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；内部磁屏蔽体，作成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内；上述内部磁屏蔽体在上述小口径开口部中，对置的第1短缘边与第2短缘边形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第1长缘边与第2长缘边形成向电子枪侧突出的山状。由此，不仅能够降低面板(画面)的角部附近的色偏移，而且能够降低面板(画面)中央上下端部附近中的色偏移。

此外，也能够形成上述内部磁屏蔽体，使得自包含上述面板的内面与上述阴极射线管的管轴的交点并且与该管轴正交的平面的上述管轴方向的高度关系为如下顺序，上述山状的上述两长缘边的顶部最高，其次是上述两长缘边与上述两短缘边的连接部、上述两短缘边的谷底部。

进而，也能够形成上述内部磁屏蔽体，使得自上述小口径开口部的边缘的上述平面的上述管轴方向的高度从上述顶部向着上述谷底部逐渐降低。

附图说明

图1是表示现有技术的磁屏蔽体构架的透视图。

图2是实施方式的彩色阴极射线管装置的剖面图。

图3是上述彩色阴极射线管装置中的磁屏蔽体构架的透视图。

图4(a)是将构成上述磁屏蔽体构架的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图4(b)是其仰视图。

图5(a)是现有技术的内部磁屏蔽体的正视图，图5(b)是其仰视图。

图6是表示垂直分量对磁通密度管轴分量的比例在电子束轨道上的变化图。

图7是表示电子束的位置偏移的测量位置的图。

图8是表示对于彩色阴极射线管，在管轴方向施加外部磁场时的画面各部中的电子束的水平方向的位置偏移量的实测结果的图。

图9(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图9(b)是其仰视图。

图10(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图10(b)是其仰视图。

图11(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图11(b)是其仰视图。

图12(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图12(b)是其仰视图。

图13(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图13(b)是其仰视图。

图14(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图14(b)是其仰视图。

图15(a)是将一变形例的内部磁屏蔽体模式化的正视图，图15(b)是其仰视图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。

图2是表示实施方式的彩色阴极射线管装置2的大致结构的剖面图。并且，彩色显象管装置2是宽高比4∶3、对角线尺寸为29英寸的彩色阴极射线管装置。

如图2所示，彩色阴极射线管装置2具备彩色阴极射线管4与偏转线圈6。

在本说明书中，将Z轴作为彩色阴极射线管4的管轴、在水平方向与Z轴正交的轴作为X轴(在图2中未图示)、在垂直方向与Z轴正交的轴作为Y轴，确定X-Y-Z  交坐标系。此外，在本说明书中，以管轴(Z轴)作为边界规定上和下，以从面板侧观察时的管轴(Z轴)作为边界规定左右。

彩色阴极射线管4具有将构成大致矩形的玻璃面板(以下只称为“面板”)8与玻璃锥体(以下只称为“玻锥”)10接合而成的玻壳12。

在玻锥10的颈部14内收存一字排列型(inline-type)电子枪20，在水平方向以预定的间隔、在管轴方向射出与R(红)、G(绿)、B(蓝)对应的3条电子束18。

在面板8的内面形成纵向条状(条纹状)涂覆(排列)红-绿-蓝荧光体而成的荧光屏22。

此外，与荧光屏22大体平行地设置作为色选择电极的荫罩26，被形成矩形框体的框架24支撑。荫罩26是在垂直方向上施加张力的铁制张力罩。并且，作为荫罩，也可以使用不施加张力的按压型的罩。

虽然没有图示，但是在锥体10外周上设置有上下对置的一对消磁线圈。通过在该消磁线圈通电流过衰减交变电流使之发生衰减交变磁场，能够引起在后述的磁屏蔽体构架中减轻外部磁场(地磁)的影响的磁化(消磁处理)。

偏转线圈6设置在锥体10外周上，上下、左右地偏转从电子枪20射出的3条电子束18，以光栅扫描方式扫描荧光屏22。

以包围上述电子束18的通过区域的方式所配置的内部磁屏蔽体28被上述框架24支撑，收存在玻壳12内。

此处，将内部磁屏蔽体28、框架24、荫罩26的组合体称为磁屏蔽体构架30。并且，在框架24中使用热轧钢板，在内部磁屏蔽体28中使用软铁。

图3表示磁屏蔽体构架30的透视图。并且，为了避免繁杂，在图3中仅以其轮廓表示荫罩26。

如图3所示，内部磁屏蔽体28整体上作成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状。即，在垂直方向上对置配置的一对长边侧板32、34与在水平方向上对置配置的一对的短边侧板36、38以成为切头角锥面的方式接合构成。

如上所述，在形成为大致中空角锥梯形的内部磁屏蔽体28的大口径的开口部侧，延伸设置边缘40、42、44、46、...。在该边缘40、...中，内部磁屏蔽体28通过点熔接与框架24接合。此外，设置矩形的电子屏蔽板48、50，使之夹持在内部磁屏蔽体28的水平方向两端部分与框架24之间。电子屏蔽板48、50在水平方向两端部侧遮蔽被扫描的电子束。

短边侧板36、38的电子枪20侧边缘(以下，称为“短缘边”)52、54形成为落入面板8侧的倒梯形的谷状。

另一方面，长边侧板32、34的电子枪20的侧边缘(以下，称为“长缘边”)56、58形成为以钝角等腰三角形形状突出的山状。

此外，在其连接部60、62、64、66中，短缘边52、54与长缘边56、58不产生高低差地连续连接。除此之外，自包含面板8内面与管轴的交点并且与该管轴正交的假想平面(X-Y平面)的管轴方向的高度具有如下的顺序关系依次是：长缘边56、58的顶部56a、58a最高(两顶部56a、58b高度相同)，其次是上述连接部60、62、64、66(连接部高度全部相同)，短缘边52、54的谷底部52a、54b(两谷底部52a、54b高度相同)。进而，自小口径的开口部的边缘的上述假想平面的管轴方向的高度，从上述顶部56a、58a向着上述谷底部52a、54b逐渐减小。

根据具有上述结构的内部磁屏蔽体28的彩色阴极射线管4，不仅能够降低画面的角部(四角)附近的色偏移，而且，也能够降低画面中央上下端部附近的色偏移。一边将这种情况与具有图1所示的现有的内部磁屏蔽体200的彩色阴极射线管进行比较，一边进行说明。

当将彩色阴极射线管设置成其管轴向着南北时，进入内部磁屏蔽体内的地磁引起的磁通量最大。此外，放置在地磁中的内部磁屏蔽体磁化，在这种情况下，N极、S极的磁极中的一个磁极出现在内部磁屏蔽体的小口径的开口部边缘及其附近。此外，通过进行上述消磁处理，内部磁屏蔽体以上述磁极更强的形式被磁化，使之消除地磁。在图3及图1中，在该磁极出现的区域中附加半色调点网格(halftone dot meshing)。

在图3和图1所示的内部磁屏蔽体中，从小口径的开口部进入的磁力线内，通过开口部边缘附近的磁力线流受到从上述磁极发生的磁力很大的影响，因而向该磁极的方向弯曲。

这时，由于磁力线流入管轴方向，所以，在该管轴方向受到磁极的影响越长磁力线越长(越是长距离)，通过积分效应，弯曲进一步增大。

在图1所示的现有的内部磁屏蔽体200中，通过在斜边210A附近出现的磁极，小口径的开口部角部附近的磁通量212、214的流，在管轴方向上长时地受到影响(积分效应)，向垂直上方或者下方弯曲。即，式(1)中的Bz降低，By增加相同的量。

换一种说法，为如下情况。

通过在内部磁屏蔽体的端部出现的磁极发生的磁通量与地磁的磁通量的合成(矢量合成)形成内部磁屏蔽体周围的磁通量。其中，由于上述理由，内部磁屏蔽体的角部附近的磁通量向着内部磁屏蔽体朝向垂直上方或者下方。在图3和图1所示的内部磁屏蔽体中，由于切入部的斜边210A(图1)从电子枪侧开口部的角部沿大致管轴方向延伸设置，因此，在大致管轴方向上跨过长的范围形成磁极。因此，式(1)中的By的值通过积分效应增大。换句话说，当设不受内部磁屏蔽体的影响状态的地磁引起的磁通量的管轴分量为Bz₀时，该Bz₀的一部分受到上述磁极的影响而变换为By。

其结果是，Fx减小，画面角部附近中的色偏移降低。

另一方面，长缘边216的中央附近的磁通量218尽管通过在该长缘边216附近出现的磁极向垂直方向上方弯曲，但由于受到影响的管轴方向的距离短，因而Bz₀变换为By的比例(By的积分值)小。因此，画面中央部上下端部附近的色偏移没有太降低。并且，由于该磁通量218从上述斜边210远离，因而没有太受到该斜边210A附近的磁极的影响。

对此，在图3所示的实施方式的内部磁屏蔽体28中，不仅画面角部附近的色偏移减少，在画面中央部上下端部附近的色偏移也减少。由于画面角部附近的色偏移减少的理由与上述现有的磁屏蔽体中的理由基本相同，故省略其说明。

在图3中，进入长缘边56的中央附近的磁通量，通过在该长缘边56出现的磁极向垂直方向上方弯曲。而且，该长缘边56形成为向电子枪20侧突出的等腰三角形。因此，该磁通量在管轴方向跨过与该等腰三角形的大体高度相当的长度的范围内受到该磁极的影响。其结果是，Bz₀变换为By的比例(By的积分值)比现有的内部磁屏蔽体大，画面中央部上下端部附近中的色偏移更加降低。

此处，本申请发明者分别测量了在实施方式的内部磁屏蔽体28与现有的内部磁屏蔽体200之间，应该确认By的分布(Bz₀向By的变换效应)的到达画面中央下端部的电子束轨道上的By的值。

图4与图5分别表示供测量的模式化了的内部磁屏蔽体。

图4是将图3所示的实施方式的内部磁屏蔽体28模式化的图，(a)是正视图，(b)是仰视图。图4所示的各尺寸是L1＝120mm、L2＝170mm、W1＝236mm、h1＝150mm、h2＝30mm。

图5是将图1所示的现有的内部磁屏蔽体200模式化了的图，(a)是正视图，(b)是仰视图。图5所示的各尺寸是L3＝140mm、W2＝200mm、h3＝150mm。

两内部磁屏蔽体都是软铁制造，接合在安装了荫罩(张力罩)的框架上，作成内部磁屏蔽体构架，用来测量。并且，对两内部磁屏蔽体所使用的框架与荫罩是相同的。此外，在测量之前，进行上述消磁处理。

对两磁屏蔽体构架，在管轴方向上施加磁场，分别测量到达画面中央下端部的电子束轨道上的By的值。而且，计算出By对Bz₀[没有受到磁屏蔽的影响状态的地磁管轴分量(以下只称为“地磁管轴分量”)]的比例[％]，作成图表。

图6表示该图表。

纵轴表示垂直分量By对磁通量密度的地磁管轴分量Bz₀的百分率[(By/Bz₀)×100]。之所以为负的值，是因为使向上方向为正向下方向为负的缘故。

横轴表示以荫罩为基准，设从该罩面到电子束的偏转中心的距离为100％的情况下，以百分比表示从罩面(0％)朝向电子枪侧的管轴方向的距离。并且，用磁屏蔽体构架包围的是0～80％的范围。

从图6可知，现有的样品和实施方式的样品都是在内部磁屏蔽体的入口前20％(图表上100％的位置)附近By急剧地在负侧增大。这是磁极的影响出现的结果。但是，其程度是实施方式的内部磁屏蔽体28一方大。

电子束在到达荧光屏之间一直受到地磁和其他外部磁场引起的洛伦兹力，其间的累积效应显现为荧光屏上的着屏位置偏移。即，如果说到水平方向的位置偏移，由从偏转中心到荧光屏面为止的轨道上受到的上述Fx的积分值决定。相对现有的内部磁屏蔽体200，在实施方式的内部磁屏蔽28中，100～55％之间的压倒性的差显现为着屏位置偏移的差，其结果是能够谋求降低色偏移。

本申请发明者进行了画面(荧光屏)上的电子束的水平方向的位置偏移量的实测。

如图7所示，测量位置是画面角部(以下只称为“角部”)、画面中央上下端部(以下，称为“NS部”)、角部与NS部的中间部(以下，称为“NNE部”)。

图8表示对于彩色阴极射线管在管轴方向上施加外部磁场时的上述各部中的位置偏移量的实测结果。

从图8可知，NS部毫无疑问，就是NNE部与角部色偏移也降低。

此外，对于彩色阴极射线管，也进行了在水平方向(X轴方向)上施加外部磁场时的角部的水平方向的位置偏移量的测量。测量结果在使用现有的内部磁屏蔽体200的情况下和实施方式的内部磁屏蔽体28的情况下都是20μm。

根据实施方式的彩色阴极射线管，除上述色偏移降低效果外，还能得到以下的效果。

即，由于能够将因地磁引起的电子束的误着屏抑制为较小，因而能够缩小因黑矩阵引起的保护带(guard band)宽度，能够提高亮度对比度。

作为降低因地磁引起的电子束的误着屏的方法，一般的增加荫罩(色选择电极)的厚度，而且，进行提高磁屏蔽体构架整体的管轴磁场屏蔽效应的工作。与此相反，在实施方式中，如上所述，由于通过在内部磁屏蔽体上下功夫，能够将因管轴磁场引起的电子束的误着屏抑制到很小，因而能够将荫罩的厚度减薄相应的量。其结果是提高电子束的荫罩的通过率、增高亮度。此外，通过荫罩的薄板化，孔的蚀刻变得容易，也能够达成孔的细间距化(finelypithcedholes)和荫罩的低成本化。

以上，基于实施方式说明了本发明，但是，本发明不限定于上述方式，在不脱离发明的宗旨的范围内能够进行适当的变更。特别是对于内部磁屏蔽体的电子枪侧开口部(小口径的开口部)的形状，可考虑各种变形例。

图9～图14表示该变形例，在每一个图中都是(a)表示内部磁屏蔽体的正视图，(b)表示仰视图，是与图4表述相同的图。

(1)图9所示的内部磁屏蔽体110，短缘边112形成为落入电子枪侧的倒梯形形状，长缘边114形成为向面板侧突出的梯形形状。

(2)图10所示的内部磁屏蔽体120，短缘边122作成落入电子枪侧的“U”字状(或者弓状)，长缘边124作成向面板侧突出的弧状。

(3)图11所示的内部磁屏蔽体130，短缘边132作成落入电子枪侧的“V”字状，长缘边134作成向面板侧突出的钝角等腰三角形。

(4)图12所示的内部磁屏蔽体140，短缘边142作成落入电子枪侧的倒梯形形状，长缘边144作成向面板侧突出的阶梯形状。

(5)图13所示的内部磁屏蔽体150，短缘边152作成落入电子枪侧的“U”字状(或者弓状)，长缘边154作成向面板侧突出的钝角等腰三角形。

(6)图14所示的内部磁屏蔽体160，短缘边162作成落入电子枪侧的倒梯形形状，长缘边164作成向面板侧突出的二重三角山状。即，如图14所示，长缘边164，在底边平行地切除钝角等腰三角形的顶部附近，在该切除部分中，接上顶角比上述钝角三角形小的(更陡峭)等腰三角形。

(7)图15所示的内部磁屏蔽体170，短缘边172作成落入电子枪侧的倒梯形形状，长缘边174作成向面板侧突出的梯形形状，其中，在包含长缘边174的长边侧板175中，设置从该长缘边174的大致中心切入面板侧的宽3mm、长(深度)20mm左右的狭缝176。根据该结构，对于彩色阴极射线管，能够进一步降低在管轴方向及水平方向施加外部磁场时电子束的水平方向的位置偏移，特别是能够进一步降低角部的一部分中位置偏移。

并且，上述的狭缝不限于内部磁屏蔽体170，也可以设置在内部磁屏蔽体28、110、120、130、140、150、160中。

(8)短缘边与长缘边的形状组合不限于以上说明过的实例，也可以在内部磁屏蔽体28、110、120、130、140、150、160、170相互之间任意组合。例如，也可以将长缘边作成图2所示的钝角等腰三角形的山状，将短缘边作成U字(图10)或者V字(图11)形状的谷状。此外，也可以将长缘边作成钝角等腰三角形的山状，虽然未图示，但是可将短缘边作成落入圆弧的形状中的谷状。

并且，不仅上述实施方式的内部磁屏蔽体28，变形例中的内部磁屏蔽体110、120、130、140、150、160、170，为了确保电子束的位置偏移对管轴的对称性，短边侧板对X-Z平面、长边侧板对Y-Z平面构成对称形。

此外，与上述实施方式的内部磁屏蔽体28相同，在变形例中的内部磁屏蔽体110、120、130、140、150、160、170的任何一个中，自小口径的开口部的边缘的上述假想平面(X-Y平面)的管轴方向的高度，从构成山状的长缘边的顶部向着构成谷状的短缘边的谷底部递减。此处，所谓的“高度...递减”，意思是在从顶部到谷底部的途中至少没有高度增加的情况，也可以说是在途中包含平坦的区间(维持高度恒定推移的区间)的意思。因此，如果说“高度...递减”，例如，如图12所示，也包含以阶梯状形成长缘边的结构。关键是，只要长缘边在横跨其全长的整个范围内形成山状，短缘边在横跨其全长的整个范围内形成谷状即可。

工业上的可应用性

如上所述，本发明的阴极射线管适用于需要降低因电子束的误着屏引起的色偏移的彩色阴极射线管。

权利要求书

(按照条约第19条的修改)

1.(修正)一种阴极射线管，其特征在于，

具有：

玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；

内部磁屏蔽体，形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内，

上述内部磁屏蔽体

在上述小口径开口部中，对置的第1短缘边与第2短缘边在横跨其全长的整个范围内形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第1长缘边与第2长缘边在横跨其全长的整个范围内形成向电子枪侧突出的山状。

2.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，

上述内部磁屏蔽体被配置为使自包含上述面板的内面与上述阴极射线管的管轴的交点且与该管轴正交的平面的上述管轴方向的高度为以下的顺序关系，上述山状的上述两长缘边的顶部最高，其次是上述两长缘边与上述两短缘边的连接部、上述两短缘边的谷底部。

3.如权利要求2所述的阴极射线管，其特征在于，

自上述小口径开口部的边缘的上述平面的上述管轴方向的高度从上述顶部向着上述谷底部逐渐降低。

4.如权利要求1～3的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边的上述谷状与上述两长缘边的上述山状，相对各自的边缘的中心成对称形状。

5.如权利要求1～4的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边与上述两长缘边在各自的端部处连续。

6.如权利要求1～5的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边作成倒梯形、U字、V字、圆弧内的任何一种形状的谷状，并且，上述两长缘边形成钝角等腰三角形的山状。

7.如权利要求1～5的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述大致中空角锥梯形形状是包含上述第1长缘边的第1长边侧板与包含上述第2长缘边的第2长边侧板对置配置、包含上述第1短缘边的第1短边侧板与包含上述第2短缘边的第2短边侧板对置配置而形成的，

上述第1长边侧板与上述第2长边侧板，具有从各自的长边缘的中心部切入上述面板侧的狭缝。

8.如权利要求1～7的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

具有：

在大口径侧端部支撑上述内部磁屏蔽体的方形框架；

被上述方形框架支撑的张力罩，

在上述面板内面形成纵向条状排列红、绿、蓝荧光体而成的荧光屏。

Claims (8)

1.一种阴极射线管，其特征在于，

具有：

玻壳，由具有收存电子枪的颈部的玻锥与形成为大致矩形的面板接合而成；

内部磁屏蔽体，形成具有矩形剖面的大致中空角锥梯形形状，将小口径的开口部侧向着电子枪侧收存在上述玻壳内，

上述内部磁屏蔽体

在上述小口径开口部中，对置的第1短缘边与第2短缘边形成落入面板侧的谷状，并且，在上述小口径开口部中，对置的第1长缘边与第2长缘边形成向电子枪侧突出的山状。

2.如权利要求1所述的阴极射线管，其特征在于，

上述内部磁屏蔽体被配置为使自包含上述面板的内面与上述阴极射线管的管轴的交点且与该管轴正交的平面的上述管轴方向的高度为以下的顺序关系，上述山状的上述两长缘边的顶部最高，其次是上述两长缘边与上述两短缘边的连接部、上述两短缘边的谷底部。

3.如权利要求2所述的阴极射线管，其特征在于，

自上述小口径开口部的边缘的上述平面的上述管轴方向的高度从上述顶部向着上述谷底部逐渐降低。

4.如权利要求1～3的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边的上述谷状与上述两长缘边的上述山状，相对各自的边缘的中心成对称形状。

5.如权利要求1～4的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边与上述两长缘边在各自的端部处连续。

6.如权利要求1～5的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述两短缘边作成倒梯形、U字、V字、圆弧内的任何一种形状的谷状，并且，上述两长缘边形成钝角等腰三角形的山状。

7.如权利要求1～5的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

上述大致中空角锥梯形形状是包含上述第1长缘边的第1长边侧板与包含上述第2长缘边的第2长边侧板对置配置、包含上述第1短缘边的第1短边侧板与包含上述第2短缘边的第2短边侧板对置配置而形成的，

上述第1长边侧板与上述第2长边侧板，具有从各自的长边缘的中心部切入上述面板侧的狭缝。

8.如权利要求1～7的任何一项所述的阴极射线管，其特征在于，

具有：

在大口径侧端部支撑上述内部磁屏蔽体的方形框架；

被上述方形框架支撑的张力罩，

在上述面板内面形成纵向条状排列红、绿、蓝荧光体而成的荧光屏。

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