JP2003187717A - 陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置 - Google Patents
陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置Info
- Publication number
- JP2003187717A JP2003187717A JP2001383096A JP2001383096A JP2003187717A JP 2003187717 A JP2003187717 A JP 2003187717A JP 2001383096 A JP2001383096 A JP 2001383096A JP 2001383096 A JP2001383096 A JP 2001383096A JP 2003187717 A JP2003187717 A JP 2003187717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- ray tube
- magnetic shield
- cathode ray
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＭＳに発生するうず電流を分断すること
で、電子ビームのランディング変化を十分に抑制し、走
査線の平行度を向上させ、高画質を実現する。 【解決手段】 相対する長辺側壁と、相対する短編側壁
とで四角錘台状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド１２であって、電子ビーム入射口側の側壁にスリッ
ト１６を有する。
で、電子ビームのランディング変化を十分に抑制し、走
査線の平行度を向上させ、高画質を実現する。 【解決手段】 相対する長辺側壁と、相対する短編側壁
とで四角錘台状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド１２であって、電子ビーム入射口側の側壁にスリッ
ト１６を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管（以下、
「ＣＲＴ」と略記する。）あるいはＣＲＴを有するテレ
ビなどの表示装置に関するものである。
「ＣＲＴ」と略記する。）あるいはＣＲＴを有するテレ
ビなどの表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＲＴ方式の表示装置では、例え
ば電子銃である電子ビーム出射手段から発射された電子
ビームは、偏向ヨークにより偏向され、色選別電極の電
子ビーム通過用の細孔を通って、電子ビームのランディ
ング点にある蛍光体にあたり、赤、緑、青の決められた
いずれかの色を発光させる。
ば電子銃である電子ビーム出射手段から発射された電子
ビームは、偏向ヨークにより偏向され、色選別電極の電
子ビーム通過用の細孔を通って、電子ビームのランディ
ング点にある蛍光体にあたり、赤、緑、青の決められた
いずれかの色を発光させる。
【０００３】以下、図面を参照しながら、従来のＣＲＴ
表示装置について説明する。
表示装置について説明する。
【０００４】図１５は従来の表示装置としてのＣＲＴの
構成を説明するための斜視図である。従来の偏向ヨーク
１４による走査方式としては、一般に、単方向走査方式
が用いられている。
構成を説明するための斜視図である。従来の偏向ヨーク
１４による走査方式としては、一般に、単方向走査方式
が用いられている。
【０００５】図１６は従来の単方向順次走査方式を示す
図、図１７は従来の単方向順次走査方式の偏向電流を示
す図である。
図、図１７は従来の単方向順次走査方式の偏向電流を示
す図である。
【０００６】図１６に示すように、単方向走査方式で
は、画面の左端から右側へ向かってやや斜め下方に走査
が行われる。走査線数５２５本の順次走査方式では、水
平走査周波数は３１．５ＫＨｚである。
は、画面の左端から右側へ向かってやや斜め下方に走査
が行われる。走査線数５２５本の順次走査方式では、水
平走査周波数は３１．５ＫＨｚである。
【０００７】近年、高画質化を図るために双方向走査方
式が提案されている。
式が提案されている。
【０００８】図１８は従来の双方向順次走査方式を示す
図、図１９は従来の双方向順次走査方式を示す図であ
る。
図、図１９は従来の双方向順次走査方式を示す図であ
る。
【０００９】図１８に示すように、奇数番目の走査線は
画面の左側から右側へ向かって水平に走査され、偶数番
目の走査線は画面の右側から左側へ向かって水平に走査
される。走査線数７５０本の双方向順次走査方式では、
水平走査周波数は２２．５ＫＨｚであり、走査線数１０
５０本の双方向順次走査方式では、水平走査周波数は３
１．５ＫＨｚである。
画面の左側から右側へ向かって水平に走査され、偶数番
目の走査線は画面の右側から左側へ向かって水平に走査
される。走査線数７５０本の双方向順次走査方式では、
水平走査周波数は２２．５ＫＨｚであり、走査線数１０
５０本の双方向順次走査方式では、水平走査周波数は３
１．５ＫＨｚである。
【００１０】双方向走査方式では、垂直方向における走
査線の密度が２倍になるため、解像度が高くなるととも
に輝度が向上する。また、往復走査を行なっているた
め、電子ビームの偏向のための電力が低減され、電源回
路の規模を小型化することが可能となる。
査線の密度が２倍になるため、解像度が高くなるととも
に輝度が向上する。また、往復走査を行なっているた
め、電子ビームの偏向のための電力が低減され、電源回
路の規模を小型化することが可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、双方向
走査方式では、奇数番目の走査線と偶数番目の走査線の
走査方向が反対になるため、隣り合う走査線の走査方向
は逆方向となる。さらに双方向走査方式では、走査線間
の間隔が狭くなるため、各走査線の輝度が隣接する走査
線の輝度の影響を受けやすくなる。
走査方式では、奇数番目の走査線と偶数番目の走査線の
走査方向が反対になるため、隣り合う走査線の走査方向
は逆方向となる。さらに双方向走査方式では、走査線間
の間隔が狭くなるため、各走査線の輝度が隣接する走査
線の輝度の影響を受けやすくなる。
【００１２】図２０は走査線が外乱を受けた場合の双方
向順次走査方式を示す図である。
向順次走査方式を示す図である。
【００１３】図２０では、左側から右側への走査（以
下、ＴＲＡＣＥと称する）時と右側から左側への走査
（以下、ＲＥＴＲＡＣＥと称する）時で異なる外乱によ
って、電子ビームが異なるローレンツ力を受けて走査線
の平行度が悪化する。
下、ＴＲＡＣＥと称する）時と右側から左側への走査
（以下、ＲＥＴＲＡＣＥと称する）時で異なる外乱によ
って、電子ビームが異なるローレンツ力を受けて走査線
の平行度が悪化する。
【００１４】図２１は双方向順次走査方式のうず電流を
示す解析結果であり、ＴＲＡＣＥ時とＲＥＴＲＡＣＥ時
のうず電流分布を示している。数値解析は、水平偏向電
流の１周期を１２分割し、３次元有限要素法により過渡
うず電流磁界解析を行い、解析領域を約１７００００の
有限要素で分割している。
示す解析結果であり、ＴＲＡＣＥ時とＲＥＴＲＡＣＥ時
のうず電流分布を示している。数値解析は、水平偏向電
流の１周期を１２分割し、３次元有限要素法により過渡
うず電流磁界解析を行い、解析領域を約１７００００の
有限要素で分割している。
【００１５】偏向ヨーク１４から発生する磁界の時間的
変化によって内部磁気シールド（以下、ＩＭＳと略記す
る）１２にうず電流が生じ、電子ビームのランディング
が変化する。うず電流は（１）式で計算される。 Ｊｅ＝−σ（∂Ａ／∂ｔ＋ｇｒａｄφ） （１） ここで、σはＩＭＳの導電率（Ｓ／ｍ）、Ａは磁気ベク
トルポテンシャル（Ｗｂ／ｍ）、φは電気スカラポテン
シャル（Ｖ）である。
変化によって内部磁気シールド（以下、ＩＭＳと略記す
る）１２にうず電流が生じ、電子ビームのランディング
が変化する。うず電流は（１）式で計算される。 Ｊｅ＝−σ（∂Ａ／∂ｔ＋ｇｒａｄφ） （１） ここで、σはＩＭＳの導電率（Ｓ／ｍ）、Ａは磁気ベク
トルポテンシャル（Ｗｂ／ｍ）、φは電気スカラポテン
シャル（Ｖ）である。
【００１６】うず電流がつくる磁界によって電子ビーム
に働くローレンツ力は（２）式で計算される。 Ｆ＝−ｅ・ｖ×Ｂ （２） ここで、ｅは電子ビームの電荷（Ｃ）、ｖは電子ビーム
の速度（ｍ／ｓ）、Ｂは磁束密度（Ｔ）である。
に働くローレンツ力は（２）式で計算される。 Ｆ＝−ｅ・ｖ×Ｂ （２） ここで、ｅは電子ビームの電荷（Ｃ）、ｖは電子ビーム
の速度（ｍ／ｓ）、Ｂは磁束密度（Ｔ）である。
【００１７】図２１のようにＴＲＡＣＥ時とＲＥＴＲＡ
ＣＥ時では、うず電流の方向が異なるため、走査線に働
くローレンツ力は図２２のようになり、このため、走査
線の平行度が悪化し、画面の左側と右側とでは、隣り合
う走査線に粗密が生じて、再生画像の鮮明さが低下する
という問題がある。
ＣＥ時では、うず電流の方向が異なるため、走査線に働
くローレンツ力は図２２のようになり、このため、走査
線の平行度が悪化し、画面の左側と右側とでは、隣り合
う走査線に粗密が生じて、再生画像の鮮明さが低下する
という問題がある。
【００１８】そこで、本発明は前記課題に鑑み、従来の
方法に比べ走査線の平行度を向上させることができ、格
段に高画質を実現できる表示装置を提供することを目的
とする。
方法に比べ走査線の平行度を向上させることができ、格
段に高画質を実現できる表示装置を提供することを目的
とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記課題は、以下の本発
明により解決できる。
明により解決できる。
【００２０】即ち、請求項１に係る発明による陰極線管
の内部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短
辺側壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有
している陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部
磁気シールドであって、電子ビーム入射口側の側壁にス
リットを有することを特徴とする。
の内部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短
辺側壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有
している陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部
磁気シールドであって、電子ビーム入射口側の側壁にス
リットを有することを特徴とする。
【００２１】この発明では、好ましくは、前記スリット
の電子ビーム入射口側の端部と前記内部磁気シールドの
電子ビーム入射口側開口部との管軸方向距離が１５ｍｍ
以内である。
の電子ビーム入射口側の端部と前記内部磁気シールドの
電子ビーム入射口側開口部との管軸方向距離が１５ｍｍ
以内である。
【００２２】また、この発明では、好ましくは、前記ス
リットが前記内部磁気シールドの電子ビーム入射口側開
口部まで達しており、前記開口部のスリット部分が非導
電性の部材で固着されている。
リットが前記内部磁気シールドの電子ビーム入射口側開
口部まで達しており、前記開口部のスリット部分が非導
電性の部材で固着されている。
【００２３】また、この発明では、好ましくは、前記ス
リット部分は、前記開口部の形状に形成したリング状の
部材をはめ込んで固定されている。
リット部分は、前記開口部の形状に形成したリング状の
部材をはめ込んで固定されている。
【００２４】また、この発明では、好ましくは、前記ス
リットの少なくとも一部分は、電子ビーム主走査方向側
壁幅の８５％以内の範囲にある。
リットの少なくとも一部分は、電子ビーム主走査方向側
壁幅の８５％以内の範囲にある。
【００２５】また、請求項６に係る発明の陰極線管の内
部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短辺側
壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有して
いる陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気
シールドであって、電子ビーム入射口側の側壁に多数の
細孔が形成されていることを特徴とする。また、請求項
７に係る発明の陰極線管の内部磁気シールドは、相対す
る長辺側壁と相対する短辺側壁とで四角錘台形状に形成
され、中央に開口部を有している陰極線管の電子ビーム
を磁気より遮蔽する内部磁気シールドであって、電子ビ
ーム入射口側の側壁表面が凹凸形状であって、前記凹凸
形状は前記側壁斜面に沿った方向に形成されることを特
徴とする。
部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短辺側
壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有して
いる陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気
シールドであって、電子ビーム入射口側の側壁に多数の
細孔が形成されていることを特徴とする。また、請求項
７に係る発明の陰極線管の内部磁気シールドは、相対す
る長辺側壁と相対する短辺側壁とで四角錘台形状に形成
され、中央に開口部を有している陰極線管の電子ビーム
を磁気より遮蔽する内部磁気シールドであって、電子ビ
ーム入射口側の側壁表面が凹凸形状であって、前記凹凸
形状は前記側壁斜面に沿った方向に形成されることを特
徴とする。
【００２６】この発明では、好ましくは、前記凹凸形状
の電子ビーム入射口側の側壁は、切削加工またはプレス
加工により形成される。
の電子ビーム入射口側の側壁は、切削加工またはプレス
加工により形成される。
【００２７】また、請求項９に係る発明の陰極線管の内
部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短辺側
壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有して
いる陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気
シールドであって、複数の部材からなり、各部材を重ね
合わせて接続し、接続部分の電子ビーム入射口側部分が
非導電性の部材で固着されていることを特徴とする。
部磁気シールドは、相対する長辺側壁と相対する短辺側
壁とで四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有して
いる陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気
シールドであって、複数の部材からなり、各部材を重ね
合わせて接続し、接続部分の電子ビーム入射口側部分が
非導電性の部材で固着されていることを特徴とする。
【００２８】また、請求項１０に係る発明の表示装置
は、前記内部磁気シールドを有する陰極線管と、該陰極
線管の電子ビームを走査する偏向ヨークとを備えてい
る。
は、前記内部磁気シールドを有する陰極線管と、該陰極
線管の電子ビームを走査する偏向ヨークとを備えてい
る。
【００２９】この発明では、好ましくは、前記スリット
の少なくとも一部分は、前記偏向ヨークからの管軸方向
距離が１２０ｍｍ以内の位置にある。
の少なくとも一部分は、前記偏向ヨークからの管軸方向
距離が１２０ｍｍ以内の位置にある。
【００３０】この発明では、好ましくは、前記偏向ヨー
クによる偏向システムは、双方向偏向システムである。
クによる偏向システムは、双方向偏向システムである。
【００３１】
【作用】請求項１に係る発明の陰極線管の内部磁気シー
ルドによれば、電子ビーム入射口側の側壁に設けたスリ
ットによって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発
生するうず電流の流れが分断されて極小化される。これ
により、うず電流の影響による電子ビームのランディン
グ変化は十分に抑制され、走査線の平行度を向上でき
る。
ルドによれば、電子ビーム入射口側の側壁に設けたスリ
ットによって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発
生するうず電流の流れが分断されて極小化される。これ
により、うず電流の影響による電子ビームのランディン
グ変化は十分に抑制され、走査線の平行度を向上でき
る。
【００３２】請求項３に係る発明の陰極線管の内部磁気
シールドによれば、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生
じる電磁力の時間的変化によるＩＭＳのスリット部分の
位置変動を防いだ上で、このスリットによって、偏向ヨ
ークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず電流の流れ
が分断されて極小化される。これにより、うず電流の影
響による電子ビームのランディング変化は十分に抑制さ
れ、走査線の平行度を向上できる。
シールドによれば、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生
じる電磁力の時間的変化によるＩＭＳのスリット部分の
位置変動を防いだ上で、このスリットによって、偏向ヨ
ークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず電流の流れ
が分断されて極小化される。これにより、うず電流の影
響による電子ビームのランディング変化は十分に抑制さ
れ、走査線の平行度を向上できる。
【００３３】請求項６に係る発明の陰極線管の内部磁気
シールドによれば、電子ビーム入射口側の側壁に設けた
多数の細孔によって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭ
Ｓに発生するうず電流の流れが分断されて極小化され
る。これにより、うず電流の影響による電子ビームのラ
ンディング変化は十分に抑制され、走査線の平行度を向
上できる。
シールドによれば、電子ビーム入射口側の側壁に設けた
多数の細孔によって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭ
Ｓに発生するうず電流の流れが分断されて極小化され
る。これにより、うず電流の影響による電子ビームのラ
ンディング変化は十分に抑制され、走査線の平行度を向
上できる。
【００３４】請求項７に係る発明の陰極線管の内部磁気
シールドによれば、電子ビーム入射口側の側壁の電気伝
導度は表面の凹凸形状に沿った方向に大きく、直角方向
に小さくなる異方性を示し、偏向ヨークの磁界変化によ
りＩＭＳに発生するうず電流は、電気伝導度の大きい側
壁斜面の方向に流れ、側壁斜面を横切る方向の流れが極
小化される。これにより、うず電流の影響による電子ビ
ームのランディング変化は十分に抑制され、走査線の平
行度を向上できる。
シールドによれば、電子ビーム入射口側の側壁の電気伝
導度は表面の凹凸形状に沿った方向に大きく、直角方向
に小さくなる異方性を示し、偏向ヨークの磁界変化によ
りＩＭＳに発生するうず電流は、電気伝導度の大きい側
壁斜面の方向に流れ、側壁斜面を横切る方向の流れが極
小化される。これにより、うず電流の影響による電子ビ
ームのランディング変化は十分に抑制され、走査線の平
行度を向上できる。
【００３５】請求項９に係る発明の陰極線管の内部磁気
シールドによれば、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生
じる電磁力の時間的変化によるＩＭＳの接続部分の位置
変動を防いだ上で、この非導電性の接続部分によって、
偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず電流
の流れが分断され極小化される。これにより、うず電流
の影響による電子ビームのランディング変化は十分に抑
制され、走査線の平行度を向上できる。
シールドによれば、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生
じる電磁力の時間的変化によるＩＭＳの接続部分の位置
変動を防いだ上で、この非導電性の接続部分によって、
偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず電流
の流れが分断され極小化される。これにより、うず電流
の影響による電子ビームのランディング変化は十分に抑
制され、走査線の平行度を向上できる。
【００３６】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明の第１の
実施の形態を図１に基づいて説明する。表示装置として
は、ＣＲＴを有するカラーテレビを例にとっている。図
１は、本実施の形態の表示装置としてのＣＲＴの構成を
説明するための斜視図である。
実施の形態を図１に基づいて説明する。表示装置として
は、ＣＲＴを有するカラーテレビを例にとっている。図
１は、本実施の形態の表示装置としてのＣＲＴの構成を
説明するための斜視図である。
【００３７】図１において、本実施の形態のカラーテレ
ビは、蛍光面を有する表示パネル１０と電子ビームを表
示パネル１０に向けて出射する例えば電子銃である電子
ビーム出射手段１３との間に、色選別電極構体１１と内
部磁気シールド１２とを備え、電子ビーム出射手段１３
と内部磁気シールド１２との間に、電子ビームを走査す
るための偏向ヨーク１４を備えている。
ビは、蛍光面を有する表示パネル１０と電子ビームを表
示パネル１０に向けて出射する例えば電子銃である電子
ビーム出射手段１３との間に、色選別電極構体１１と内
部磁気シールド１２とを備え、電子ビーム出射手段１３
と内部磁気シールド１２との間に、電子ビームを走査す
るための偏向ヨーク１４を備えている。
【００３８】色選別電極構体１１は、例えば、多数の細
孔が形成されたＮｉ−Ｆｅ材からなる色選別電極をプレ
ス加工で所定の形状に曲面加工して溶接によりＦｅ材か
らなるフレームに固定したシャドウマスクからなる。
孔が形成されたＮｉ−Ｆｅ材からなる色選別電極をプレ
ス加工で所定の形状に曲面加工して溶接によりＦｅ材か
らなるフレームに固定したシャドウマスクからなる。
【００３９】内部磁気シールド１２は、例えば、厚さ
０．１５ｍｍ、交流の比透磁率がおよそ２００、導電率
がおよそ１０００００００Ｓ／ｍのＦｅ材からなり、幅
３ｍｍのスリット１６で上下側壁をそれぞれ１４分割、
左右側壁をそれぞれ８分割に等分割している。
０．１５ｍｍ、交流の比透磁率がおよそ２００、導電率
がおよそ１０００００００Ｓ／ｍのＦｅ材からなり、幅
３ｍｍのスリット１６で上下側壁をそれぞれ１４分割、
左右側壁をそれぞれ８分割に等分割している。
【００４０】偏向ヨーク１４は、例えば周波数が２２．
５ＫＨｚ、５０４ＡＴで、電子ビーム軌道に対して上下
方向に配設され、電子ビームを水平方向に走査する水平
偏向コイル１４ａと、例えば周波数が６０Ｈｚ、２２
６．８ＡＴで、電子ビーム軌道に対して左右方向に配設
され、電子ビームを垂直方向に走査する垂直偏向コイル
１４ｂと、例えば交流の比透磁率がおよそ３４０のフェ
ライトからなる偏向コア１４ｃとからなる。
５ＫＨｚ、５０４ＡＴで、電子ビーム軌道に対して上下
方向に配設され、電子ビームを水平方向に走査する水平
偏向コイル１４ａと、例えば周波数が６０Ｈｚ、２２
６．８ＡＴで、電子ビーム軌道に対して左右方向に配設
され、電子ビームを垂直方向に走査する垂直偏向コイル
１４ｂと、例えば交流の比透磁率がおよそ３４０のフェ
ライトからなる偏向コア１４ｃとからなる。
【００４１】ＩＭＳ１２のスリット１６は、偏向ヨーク
１４との管軸方向の距離が１２０ｍｍ以内の範囲にあ
る。
１４との管軸方向の距離が１２０ｍｍ以内の範囲にあ
る。
【００４２】電子ビーム出射手段１３から発射された電
子ビームは、色選別電極２０の電子ビーム通過用の細孔
を通って、電子ビームのランディング点にある表示パネ
ル１０の蛍光体にあたり、赤、緑、青、の決められた何
れかの色を発光させる。
子ビームは、色選別電極２０の電子ビーム通過用の細孔
を通って、電子ビームのランディング点にある表示パネ
ル１０の蛍光体にあたり、赤、緑、青、の決められた何
れかの色を発光させる。
【００４３】偏向ヨーク１４による走査方式は、走査線
数７５０本の双方向走査方式であり、水平走査周波数は
２２．５ＫＨｚである。図２は双方向順次走査方式を示
す図、図３は双方向順次走査方式の偏向電流を示す図で
ある。図２に示すように、奇数番目の走査線は画面の左
側から右側へ向かって水平に走査され、偶数番目の走査
線は画面の右側から左側へ向かって水平に走査される。
数７５０本の双方向走査方式であり、水平走査周波数は
２２．５ＫＨｚである。図２は双方向順次走査方式を示
す図、図３は双方向順次走査方式の偏向電流を示す図で
ある。図２に示すように、奇数番目の走査線は画面の左
側から右側へ向かって水平に走査され、偶数番目の走査
線は画面の右側から左側へ向かって水平に走査される。
【００４４】外乱による走査線の平行度悪化の指標とし
て、（３）式で定義される平行劣化割合を用いる。 平行劣化割合（％）＝（（Ｔずれ量＋Ｒずれ量）／ＴＴ間距離）×１００ （３） ここで、Ｔずれ量、Ｒずれ量、ＴＴ間距離の関係を図４
に示す。
て、（３）式で定義される平行劣化割合を用いる。 平行劣化割合（％）＝（（Ｔずれ量＋Ｒずれ量）／ＴＴ間距離）×１００ （３） ここで、Ｔずれ量、Ｒずれ量、ＴＴ間距離の関係を図４
に示す。
【００４５】図４からもわかるように、２本のＴＲＡＣ
Ｅ（Ｔ１ａ−Ｔ１ｂとＴ２ａ−Ｔ２ｂ）間の中心のライ
ンであるＴ１ａ‘−Ｔ１ｂ‘に対するＲＥＴＲＡＣＥ
（Ｒ１ａ−Ｒ１ｂ）のずれ量を、２本のＴＲＡＣＥ間距
離に対する割合で表わしたものである。
Ｅ（Ｔ１ａ−Ｔ１ｂとＴ２ａ−Ｔ２ｂ）間の中心のライ
ンであるＴ１ａ‘−Ｔ１ｂ‘に対するＲＥＴＲＡＣＥ
（Ｒ１ａ−Ｒ１ｂ）のずれ量を、２本のＴＲＡＣＥ間距
離に対する割合で表わしたものである。
【００４６】図１５に示した従来例と図１に示した実施
形態１とを３６インチＣＲＴにセットし、双方向順次走
査を行なったときの、走査線の平行度悪化の指標である
平行劣化割合を図５に示す。数値解析は、水平偏向電流
の１周期を１２分割し、３次元有限要素法により過渡う
ず電流磁界解析を行い、解析領域を約１７００００の有
限要素で分割している。
形態１とを３６インチＣＲＴにセットし、双方向順次走
査を行なったときの、走査線の平行度悪化の指標である
平行劣化割合を図５に示す。数値解析は、水平偏向電流
の１周期を１２分割し、３次元有限要素法により過渡う
ず電流磁界解析を行い、解析領域を約１７００００の有
限要素で分割している。
【００４７】電子ビーム入射口側の側壁に設けたスリッ
トによって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生
するうず電流の流れが分断されて極小化される。このた
め、図５に示すように、うず電流の影響による電子ビー
ムのランディング変化は十分に抑制され、平行劣化割合
は従来の半分程度になり、走査線の平行度を向上でき
る。
トによって、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生
するうず電流の流れが分断されて極小化される。このた
め、図５に示すように、うず電流の影響による電子ビー
ムのランディング変化は十分に抑制され、平行劣化割合
は従来の半分程度になり、走査線の平行度を向上でき
る。
【００４８】図６中（ａ）（ｂ）に示すスリットの電子
ビーム入射口の端部とＩＭＳの電子ビーム入射口側開口
部との管軸方向距離ＳＥを変化させたときの、平行劣化
割合の変化の数値解析値を図７に示す。
ビーム入射口の端部とＩＭＳの電子ビーム入射口側開口
部との管軸方向距離ＳＥを変化させたときの、平行劣化
割合の変化の数値解析値を図７に示す。
【００４９】図７より、管軸方向距離ＳＥが１５ｍｍの
ところにグラフの変極点があり、平行劣化割合を小さく
するためには、この変極点よりも管軸方向距離ＳＥを小
さくすること、即ち、管軸方向距離ＳＥは１５ｍｍ以内
が効果的であることがわかる。
ところにグラフの変極点があり、平行劣化割合を小さく
するためには、この変極点よりも管軸方向距離ＳＥを小
さくすること、即ち、管軸方向距離ＳＥは１５ｍｍ以内
が効果的であることがわかる。
【００５０】図８にスリット位置の説明図を示す。図８
はＩＭＳの１／４領域のみの背面図である。
はＩＭＳの１／４領域のみの背面図である。
【００５１】図８のスリットＡからＪのうち、１本のみ
をスリットとした場合の平行劣化割合の数値解析結果を
図９に示す。
をスリットとした場合の平行劣化割合の数値解析結果を
図９に示す。
【００５２】図９より、ＩＭＳ上下側壁に位置するＡか
らＧのスリットは効果があり、左右側壁に位置するＨか
らＫのスリットは効果がないことがわかる。なかでも、
Ｅのスリットの効果が大きいことがわかる。
らＧのスリットは効果があり、左右側壁に位置するＨか
らＫのスリットは効果がないことがわかる。なかでも、
Ｅのスリットの効果が大きいことがわかる。
【００５３】図１０に、効果の大きいＥのスリットを含
めて複数本のスリットを開けた場合の平行劣化割合の数
値解析結果を示す。
めて複数本のスリットを開けた場合の平行劣化割合の数
値解析結果を示す。
【００５４】図１０より、Ｇのスリットを含むと平行劣
化が悪化することがわかる。このことより、スリットＧ
より内側、即ち、電子ビーム主走査方向側壁幅の８５％
以内にあることが、特に効果が大きいといえる。
化が悪化することがわかる。このことより、スリットＧ
より内側、即ち、電子ビーム主走査方向側壁幅の８５％
以内にあることが、特に効果が大きいといえる。
【００５５】以上のように、電子ビーム入射口側の側壁
にスリットを設けて、ＩＭＳに発生するうず電流を分断
することで、電子ビームのランディング変化を十分に抑
制でき、走査線の平行度を向上させることができ、高画
質を実現できる。
にスリットを設けて、ＩＭＳに発生するうず電流を分断
することで、電子ビームのランディング変化を十分に抑
制でき、走査線の平行度を向上させることができ、高画
質を実現できる。
【００５６】（実施の形態２）本発明の第２の実施の形
態を図１１に基づいて説明する。
態を図１１に基づいて説明する。
【００５７】図１１は、この発明の第２の実施の形態の
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための斜視
図である。
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための斜視
図である。
【００５８】図１１における第２の実施の形態の表示装
置は、電子ビーム入射口側開口部まで達しているスリッ
ト部分が、開口部の形状に形成したリング状の部材であ
る非導電性リング１７をはめ込んで固定されているとこ
ろが、図１に示した第１の実施の形態と異なる。
置は、電子ビーム入射口側開口部まで達しているスリッ
ト部分が、開口部の形状に形成したリング状の部材であ
る非導電性リング１７をはめ込んで固定されているとこ
ろが、図１に示した第１の実施の形態と異なる。
【００５９】磁性体からなるＩＭＳでは、側壁の垂直方
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。そこで、図１１
に示すように構成することで、偏向ヨークによるスリッ
ト部分の振動が抑制され、しかも、このスリットによっ
て、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず
電流の流れが分断されて極小化される。これにより、う
ず電流の影響による電子ビームのランディング変化は十
分に抑制され、走査線の平行度を向上できる。
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。そこで、図１１
に示すように構成することで、偏向ヨークによるスリッ
ト部分の振動が抑制され、しかも、このスリットによっ
て、偏向ヨークの磁界変化によりＩＭＳに発生するうず
電流の流れが分断されて極小化される。これにより、う
ず電流の影響による電子ビームのランディング変化は十
分に抑制され、走査線の平行度を向上できる。
【００６０】以上のように、電子ビーム入射口側の側壁
にスリットを設けて、電子ビーム入射口側開口部のスリ
ット部分を非導電性リングで固定することで、スリット
部分の振動を抑えた上で、ＩＭＳに発生するうず電流を
分断でき、電子ビームのランディング変化を十分に抑制
でき、走査線の平行度を向上させることができ、高画質
を実現できる。
にスリットを設けて、電子ビーム入射口側開口部のスリ
ット部分を非導電性リングで固定することで、スリット
部分の振動を抑えた上で、ＩＭＳに発生するうず電流を
分断でき、電子ビームのランディング変化を十分に抑制
でき、走査線の平行度を向上させることができ、高画質
を実現できる。
【００６１】なお、上記の実施形態では、ＩＭＳの電子
ビーム入射口側開口部まで達しているスリット部分を、
開口部の形状に形成したリング状の部材である非導電性
リングをはめ込んで固定する場合を例として述べたが、
樹脂で一体成形するなどの他の方法によって開口部のス
リット部分を非導電性の部材で固着するようにしたＩＭ
Ｓにも適用できる。
ビーム入射口側開口部まで達しているスリット部分を、
開口部の形状に形成したリング状の部材である非導電性
リングをはめ込んで固定する場合を例として述べたが、
樹脂で一体成形するなどの他の方法によって開口部のス
リット部分を非導電性の部材で固着するようにしたＩＭ
Ｓにも適用できる。
【００６２】（実施の形態３）本発明の第３の実施の形
態を図１２に基づいて説明する。
態を図１２に基づいて説明する。
【００６３】図１２は、この発明の第３の実施の形態の
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための上面
図である。
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための上面
図である。
【００６４】図１２における第３の実施の形態の表示装
置は、電子ビーム入射口側の側壁に多数の細孔１８形成
されているところが、図１に示した第１の実施の形態と
異なる。
置は、電子ビーム入射口側の側壁に多数の細孔１８形成
されているところが、図１に示した第１の実施の形態と
異なる。
【００６５】磁性体からなるＩＭＳでは、側壁の垂直方
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口開口部まで達して
いると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、ス
リット部分が振動し、画像が乱れる。
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口開口部まで達して
いると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、ス
リット部分が振動し、画像が乱れる。
【００６６】そこで、図１２に示すように構成すること
で、偏向ヨークによるＩＭＳの振動は小さくなり、しか
も、この細孔１８によって、偏向ヨークの磁界変化によ
り発生するＩＭＳ側壁斜面を横切る方向のうず電流の流
れが分断されて極小化される。これにより、うず電流の
影響による電子ビームのランディング変化は十分に抑制
され、走査線の平行度を向上できる。
で、偏向ヨークによるＩＭＳの振動は小さくなり、しか
も、この細孔１８によって、偏向ヨークの磁界変化によ
り発生するＩＭＳ側壁斜面を横切る方向のうず電流の流
れが分断されて極小化される。これにより、うず電流の
影響による電子ビームのランディング変化は十分に抑制
され、走査線の平行度を向上できる。
【００６７】以上のように、電子ビーム入射口側の側壁
に細孔を設けることで、ＩＭＳ開口部の振動を抑えた上
で、ＩＭＳに発生するうず電流を分断でき、電子ビーム
のランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行度
を向上させることができ、高画質を実現できる。
に細孔を設けることで、ＩＭＳ開口部の振動を抑えた上
で、ＩＭＳに発生するうず電流を分断でき、電子ビーム
のランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行度
を向上させることができ、高画質を実現できる。
【００６８】（実施の形態４）この発明の第４の実施の
形態を図１３に基づいて説明する。
形態を図１３に基づいて説明する。
【００６９】図１３は、この発明の第４の実施の形態の
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための説明
図である。なお、図１３中（ａ）は上面図、図１３中
（ｂ）は図１３中（ａ）のＯ−Ｏ‘断面図である。
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための説明
図である。なお、図１３中（ａ）は上面図、図１３中
（ｂ）は図１３中（ａ）のＯ−Ｏ‘断面図である。
【００７０】図１３における第４の実施の形態の表示装
置は、電子ビーム入射口側の側壁表面が凹凸形状であっ
て、凹凸形状は側壁斜面に沿った方向に形成されている
ところが、図１に示した第１の実施の形態と異なる。な
お、たとえば、凹部１９の厚さが０．０５ｍｍ、凸部２
０の厚さが０．１５ｍｍに設定されている。
置は、電子ビーム入射口側の側壁表面が凹凸形状であっ
て、凹凸形状は側壁斜面に沿った方向に形成されている
ところが、図１に示した第１の実施の形態と異なる。な
お、たとえば、凹部１９の厚さが０．０５ｍｍ、凸部２
０の厚さが０．１５ｍｍに設定されている。
【００７１】磁性体からなるＩＭＳでは、側壁の垂直方
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。
【００７２】そこで、図１３に示すようにこのように構
成することで、電子ビーム入射口側の側壁の電気伝導度
は表面の凹凸形状に沿った方向に大きく、直角方向に小
さくなる異方性を示し、偏向ヨークの磁界変化によりＩ
ＭＳに発生するうず電流は、電気伝導度の大きい側壁斜
面の方向に流れ、側壁斜面を横切る方向の流れが極小化
される。これにより、うず電流の影響による電子ビーム
のランディング変化は十分に抑制され、走査線の平行度
を向上できる。
成することで、電子ビーム入射口側の側壁の電気伝導度
は表面の凹凸形状に沿った方向に大きく、直角方向に小
さくなる異方性を示し、偏向ヨークの磁界変化によりＩ
ＭＳに発生するうず電流は、電気伝導度の大きい側壁斜
面の方向に流れ、側壁斜面を横切る方向の流れが極小化
される。これにより、うず電流の影響による電子ビーム
のランディング変化は十分に抑制され、走査線の平行度
を向上できる。
【００７３】本実施形態では、好ましくは、前記凹凸形
状の電子ビーム入射口側の側壁は、切削加工または、プ
レス加工により形成される。
状の電子ビーム入射口側の側壁は、切削加工または、プ
レス加工により形成される。
【００７４】以上のように、電子ビーム入射口側の側壁
を側壁斜面に沿った方向に凹凸形状とすることで、ＩＭ
Ｓ開口部の振動を抑えた上で、ＩＭＳに発生するうず電
流を分断でき、電子ビームのランディング変化を十分に
抑制でき、走査線の平行度を向上させることができ、高
画質を実現できる。
を側壁斜面に沿った方向に凹凸形状とすることで、ＩＭ
Ｓ開口部の振動を抑えた上で、ＩＭＳに発生するうず電
流を分断でき、電子ビームのランディング変化を十分に
抑制でき、走査線の平行度を向上させることができ、高
画質を実現できる。
【００７５】（実施の形態５）この発明の第５の実施の
形態を図１４に基づいて説明する。
形態を図１４に基づいて説明する。
【００７６】図１４は、この発明の第５の実施の形態の
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための説明
図である。
表示装置としてのＣＲＴのＩＭＳを説明するための説明
図である。
【００７７】図１４における第５の実施の形態のＩＭＳ
は、複数の部材からなり、各部材を重ね合わせて接続
し、接続部分の電子ビーム入射口側部分が非導電性の部
材で固着されているところが、図１に示した第１の実施
の形態と異なる。
は、複数の部材からなり、各部材を重ね合わせて接続
し、接続部分の電子ビーム入射口側部分が非導電性の部
材で固着されているところが、図１に示した第１の実施
の形態と異なる。
【００７８】磁性体からなるＩＭＳでは、側壁の垂直方
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。
向に偏向ヨーク磁界の時間的変化に伴って変動する電磁
力が発生する。図１に示した第１の実施の形態において
は、スリット１６が電子ビーム入射口側開口部まで達し
ていると、偏向ヨークにより変動する電磁力によって、
スリット部分が振動し、画像が乱れる。
【００７９】そこで、図１４に示すように構成すること
で、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生じる電磁力の時
間的変化によるＩＭＳの接続部分の位置変動を防いだ上
で、この非導電性の接続部分によって、偏向ヨークの磁
界変化によりＩＭＳに発生するうず電流の流れが分断さ
れ極小化される。これにより、うず電流の影響による電
子ビームのランディング変化は十分に抑制され、走査線
の平行度を向上できる。
で、偏向ヨークの磁界によりＩＭＳに生じる電磁力の時
間的変化によるＩＭＳの接続部分の位置変動を防いだ上
で、この非導電性の接続部分によって、偏向ヨークの磁
界変化によりＩＭＳに発生するうず電流の流れが分断さ
れ極小化される。これにより、うず電流の影響による電
子ビームのランディング変化は十分に抑制され、走査線
の平行度を向上できる。
【００８０】以上のように、複数の部材を重ね合わせて
接続し、接続部分の電子ビーム入射口側部分を非導電性
の部材で固着することで、ＩＭＳ開口部の振動を抑えた
上で、ＩＭＳに発生するうず電流を分断でき、電子ビー
ムのランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行
度を向上させることができ、高画質を実現できる。
接続し、接続部分の電子ビーム入射口側部分を非導電性
の部材で固着することで、ＩＭＳ開口部の振動を抑えた
上で、ＩＭＳに発生するうず電流を分断でき、電子ビー
ムのランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行
度を向上させることができ、高画質を実現できる。
【００８１】なお、上記の各実施形態では、Ｎｉ−Ｆｅ
材からなるシャドウマスクを採用する場合を例として述
べたが、Ｆｅ材などの他の磁性体材料からなるシャドウ
マスク、あるいはテンションマスクを採用する表示装置
にも適用できる。
材からなるシャドウマスクを採用する場合を例として述
べたが、Ｆｅ材などの他の磁性体材料からなるシャドウ
マスク、あるいはテンションマスクを採用する表示装置
にも適用できる。
【００８２】また、上記各実施形態では、Ｆｅ材からな
る内部磁気シールドを採用する場合を例として述べた
が、パーマロイ材などの他の磁性体材料からなる内部磁
気シールドを採用する表示装置にも適用できる。
る内部磁気シールドを採用する場合を例として述べた
が、パーマロイ材などの他の磁性体材料からなる内部磁
気シールドを採用する表示装置にも適用できる。
【００８３】また、上記の各実施形態では、３６インチ
のカラーテレビを例として述べたが、その他のインチサ
イズの陰極線管を用いる表示装置にも適用できる。
のカラーテレビを例として述べたが、その他のインチサ
イズの陰極線管を用いる表示装置にも適用できる。
【００８４】また、上記の各実施形態では、カラーテレ
ビを例として述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
ＣＲＴディスプレイモニターのように、陰極線管を用い
る表示装置にも適用できる。
ビを例として述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
ＣＲＴディスプレイモニターのように、陰極線管を用い
る表示装置にも適用できる。
【００８５】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１に係る発明
は、電子ビーム入射口側の側壁にスリットを設けて、Ｉ
ＭＳに発生するうず電流を分断することで、電子ビーム
のランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行度
を向上させることができ、高画質を実現できる。
は、電子ビーム入射口側の側壁にスリットを設けて、Ｉ
ＭＳに発生するうず電流を分断することで、電子ビーム
のランディング変化を十分に抑制でき、走査線の平行度
を向上させることができ、高画質を実現できる。
【００８６】請求項６に係る発明は、電子ビーム入射口
側の側壁に多数の細孔を設けて、ＩＭＳに発生するうず
電流を分断することで、電子ビームのランディング変化
を十分に抑制でき、走査線の平行度を向上させることが
でき、高画質を実現できる。
側の側壁に多数の細孔を設けて、ＩＭＳに発生するうず
電流を分断することで、電子ビームのランディング変化
を十分に抑制でき、走査線の平行度を向上させることが
でき、高画質を実現できる。
【００８７】請求項７に係る発明は、電子ビーム入射口
側の側壁の表面に凹凸形状を設けて、ＩＭＳに発生する
うず電流を分断することで、側壁斜面を横切る方向の流
れを極小化でき、電子ビームのランディング変化を十分
に抑制され、走査線の平行度を向上させることができ、
高画質を実現できる。
側の側壁の表面に凹凸形状を設けて、ＩＭＳに発生する
うず電流を分断することで、側壁斜面を横切る方向の流
れを極小化でき、電子ビームのランディング変化を十分
に抑制され、走査線の平行度を向上させることができ、
高画質を実現できる。
【図１】 第１の実施の形態の表示装置としてのＣＲＴ
の構成を説明するための斜視図である。
の構成を説明するための斜視図である。
【図２】 第１の実施の形態の双方向順次走査方式を示
す図である。
す図である。
【図３】 第１の実施の形態の双方向順次走査方式の偏
向電流を示す図である。
向電流を示す図である。
【図４】 走査線の平行度悪化の指標である平行劣化割
合の説明図である。
合の説明図である。
【図５】 第１の実施の形態の平行劣化割合を示す結果
図である。
図である。
【図６】 第１の実施の形態のスリットを説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図７】 平行劣化割合のスリット端部と側開口間の管
軸方向距離依存性図である。
軸方向距離依存性図である。
【図８】 スリット位置の説明図である。
【図９】 スリット１本時の平行劣化割合の結果図であ
る。
る。
【図１０】 スリット複数本時の平行劣化割合の結果図
である。
である。
【図１１】 第２の実施の形態の表示装置としてのＣＲ
Ｔの構成を説明するための斜視図である。
Ｔの構成を説明するための斜視図である。
【図１２】 第３の実施の形態の表示装置としてのＣＲ
Ｔの構成を説明するための上面図である。
Ｔの構成を説明するための上面図である。
【図１３】 第４の実施の形態の表示装置としてのＣＲ
Ｔの構成を説明するための説明図である。
Ｔの構成を説明するための説明図である。
【図１４】 第５の実施の形態の表示装置としてのＣＲ
Ｔの構成を説明するための説明図である。
Ｔの構成を説明するための説明図である。
【図１５】 従来の表示装置としてのＣＲＴの構成を説
明するための説明図である。
明するための説明図である。
【図１６】 従来の単方向順次走査方向を示す図であ
る。
る。
【図１７】 従来の単方向順次走査方式の偏向電流を示
す図である。
す図である。
【図１８】 従来の双方向順次走査方式を示す図であ
る。
る。
【図１９】 従来の双方向順次走査方式の偏向電流を示
す図である。
す図である。
【図２０】 走査線が外乱を受けた場合の双方向順次走
査方式を示す図である。
査方式を示す図である。
【図２１】 双方向順次走査方式のうず電流を示す解析
結果図である。
結果図である。
【図２２】 走査線に働くローレンツ力を示す図であ
る。
る。
１２ 内部磁気シールド
１６ スリット
１７ 非導電性リング
１８ 細孔
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 井ノ上 裕人
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 上畠 秀世
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 植田 晃
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C031 CC02 CC04 CC09
Claims (12)
- 【請求項１】 相対する長辺側壁と相対する短辺側壁と
で四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド（１２）であって、電子ビーム入射口側の側壁にス
リット（１６）を有することを特徴とする陰極線管の内
部磁気シールド。 - 【請求項２】 前記スリット（１６）の電子ビーム入射
口側の端部と前記内部磁気シールド（１２）の電子ビー
ム入射口側開口部との管軸方向距離が１５ｍｍ以内であ
る請求項１記載の陰極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項３】 前記スリット（１６）が前記内部磁気シ
ールド（１２）の電子ビーム入射口側開口部まで達して
おり、前記開口部のスリット部分が非導電性の部材（１
７）で固着されている請求項１記載の陰極線管の内部磁
気シールド。 - 【請求項４】 前記スリット部分は、前記開口部の形状
に形成したリング状の部材（１７）をはめ込んで固定さ
れている請求項３記載の陰極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項５】 前記スリット（１６）の少なくとも一部
分は、電子ビーム主走査方向側壁幅の８５％以内の範囲
にある請求項１から請求項４のいずれかに記載の陰極線
管の内部磁気シールド。 - 【請求項６】 相対する長辺側壁と相対する短辺側壁と
で四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド（１２）であって、電子ビーム入射口側の側壁に多
数の細孔（１８）が形成されていることを特徴とする陰
極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項７】 相対する長辺側壁と相対する短辺側壁と
で四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド（１２）であって、電子ビーム入射口側の側壁表面
が凹凸形状で（１９）あって、前記凹凸形状（１９）は
前記側壁斜面に沿った方向に形成されていることを特徴
とする陰極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項８】 前記凹凸形状の電子ビーム入射口側の側
壁は、切削加工またはプレス加工により形成されている
請求項７記載の陰極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項９】 相対する長辺側壁と相対する短辺側壁と
で四角錘台形状に形成され、中央に開口部を有している
陰極線管の電子ビームを磁気より遮蔽する内部磁気シー
ルド（１２）であって、複数の部材からなり、各部材を
重ね合わせて接続し、接続部分の電子ビーム入射口側部
分が非導電性の部材で固着されていることを特徴とする
陰極線管の内部磁気シールド。 - 【請求項１０】 請求項１から請求項９のいずれか一項
に記載の内部磁気シールド（１２）を有する陰極線管
と、該陰極線管の電子ビームを走査する偏向ヨーク（１
４）とを備えた表示装置。 - 【請求項１１】 前記スリットの少なくとも一部分は、
前記偏向ヨークからの管軸方向距離が１２０ｍｍ以内の
位置にある請求項１０記載の表示装置。 - 【請求項１２】 前記偏向ヨークによる偏向システム
は、双方向偏向システムである請求項１０または請求項
１１記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383096A JP2003187717A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001383096A JP2003187717A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003187717A true JP2003187717A (ja) | 2003-07-04 |
Family
ID=27593243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001383096A Withdrawn JP2003187717A (ja) | 2001-12-17 | 2001-12-17 | 陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003187717A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006382A1 (ja) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 陰極線管 |
| EP1557859A1 (de) * | 2004-01-20 | 2005-07-27 | MT Picture Display Germany GmbH | Farbbildröhre mit verbesserter magnetischer Abschirmung |
| WO2007027184A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Thomson Licensing | Internal magnetic shield for display devices with orthogonal scanning |
| JP2010049836A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Jeol Ltd | 電子ビーム装置 |
-
2001
- 2001-12-17 JP JP2001383096A patent/JP2003187717A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006382A1 (ja) * | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 陰極線管 |
| EP1557859A1 (de) * | 2004-01-20 | 2005-07-27 | MT Picture Display Germany GmbH | Farbbildröhre mit verbesserter magnetischer Abschirmung |
| WO2007027184A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Thomson Licensing | Internal magnetic shield for display devices with orthogonal scanning |
| JP2010049836A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Jeol Ltd | 電子ビーム装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003187717A (ja) | 陰極線管の内部磁気シールド及び陰極線管を用いた表示装置 | |
| JP2004288464A (ja) | 陰極線管装置 | |
| US7126292B2 (en) | Cathode-ray tube apparatus | |
| KR950003513B1 (ko) | 편향장치 | |
| KR100400836B1 (ko) | 상하주사형 음극선관의 편향요크 | |
| US6734613B1 (en) | Electron beam controlling device for CRT display system | |
| US6894430B2 (en) | Color cathode-ray tube | |
| JP2001084923A (ja) | 電子銃および陰極線管受像機 | |
| KR0140009Y1 (ko) | 전자 집속방식 음극선관의 집속코일 | |
| US20020030429A1 (en) | Magnetic shield structure for color cathode ray tube | |
| CN100585783C (zh) | 阴极射线管 | |
| US7129628B2 (en) | Velocity modulation coil apparatus and cathode-ray tube apparatus | |
| KR100255853B1 (ko) | 칼라음극선관의 새도우마스크의 제조방법 | |
| JP2002042692A (ja) | 偏向ヨークおよびこれを備えた陰極線管装置 | |
| KR20060098950A (ko) | 더미와이어를 이용한 편향코일 | |
| JPS63190230A (ja) | カラ−陰極線管 | |
| JP2002329467A (ja) | 偏向ヨークおよびこれを備えた陰極線管装置 | |
| JP2005222810A (ja) | 陰極線管装置 | |
| JP2002150964A (ja) | 内部磁気シールド及び陰極線管 | |
| JPH07272643A (ja) | 陰極線管装置 | |
| JP2006024553A (ja) | 速度変調コイル装置及び陰極線管装置 | |
| KR20030092343A (ko) | 음극선관용 편향요크 | |
| JPH04104435A (ja) | 陰極線管 | |
| JPH08287845A (ja) | 投写形ブラウン管装置 | |
| JPH08106857A (ja) | カラー陰極線管の磁気遮蔽構造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060519 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061102 |