CN1819035B

CN1819035B - 试写方法及信息记录装置

Info

Publication number: CN1819035B
Application number: CN200510090672.7A
Authority: CN
Inventors: 牛山纯子; 峰邑浩行
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2005-08-18
Publication date: 2011-04-13
Anticipated expiration: 2025-08-18
Also published as: US20060176793A1; JP4225282B2; JP2006221728A; US20090252005A1; US7957240B2; CN101335018A; US7529165B2; CN1819035A; CN101335018B

Abstract

提供用于通过向记录介质注入能量形成和未记录部分不同的标记来记录信息的试写方法，以及在信息记录装置中能够正确而且在短时间内求高速记录条件下的最佳记录功率的试写方法。在2T系策略中，分别试写偶数长标记和奇数长标记求各自的最佳记录功率。因为可以提高试写精度，所以可以得到良好的记录性能。

Description

试写方法及信息记录装置

技术领域

本发明涉及一种用于通过给记录介质注入能量形成与未记录部分不同的标记来记录信息的试写方法及信息记录装置。

背景技术

为了在光盘上高精度记录信息要进行试写。所谓试写，是指为形成更高质量的记录标记，根据当时的环境温度和在驱动器上搭载的激光的特性等求最佳记录参数的的动作。DVD-RW、DVD+RW、BD-RE等的光盘，在记录膜上使用称为所谓的共晶系的成分的材料。在现在正在产品化的记录装置中，通常，在这些光盘上进行试写的场合，首先读出预先书写在光盘上的记录条件，其后进行激光功率的调整。这里所谓的记录条件，是例如用作为大激光功率的记录功率级(Pw)和作为中间功率的消隐功率级(Pe)、偏置功率级(Pb)表示的激光功率设定值，或构成多脉冲波形的开始脉冲和后续的多个中间脉冲以及结束脉冲的各脉冲宽度。

在实际试写时，以这些条件为基础，采用如下方法：固定在光盘上预先写入的Pw和Pe的比，把激光功率作为参数，求记录最佳条件。这种方法称为Optimum Power Control(OPC)。在BD 1倍速或者DVD-RW 2.4倍速等比较低速的记录中，通过进行只变化这样的Pw/Pe固定的激光功率的试写，可以得到良好的记录质量。

这些光盘中的高速记录重放技术的研究开发正在发展。例如，在OpticalData Storage 2003，Proceedings of SPIE Vol.5069(2003)，p130(非专利文献1)中描述了相当于BD6倍速记录速度的216Mbps的记录技术。伴随记录速度的高速化，适应高速化的记录波形、所谓的2T系策略的研究也发展起来。所谓2T系策略，是指使相邻的一对偶数长标记和奇数长标记的记录脉冲数相同的记录波形。具体说，如图2所示，例如在最短标记长是2T标记的场合，以2T标记和3T标记发生一个矩形脉冲，在4T和5T标记中，发生开始脉冲和结束脉冲两个脉冲。6T标记和7T标记发生开始脉冲、一个中间脉冲和结束脉冲共计3个脉冲。

作为该2T系策略的例子，在特开平9-134525号公报(对应USP5,723,062专利文献1)中，记载了在以开始脉冲和后续的若干中间脉冲以及结束脉冲组成的多脉冲记录方式中，在记录对于记录通道时钟周期的偶数长和奇数长的任何一方的标记长的场合，使开始脉冲和结束脉冲的脉冲宽度大体与记录通道时钟周期相同。

另外，在特开平11-175976号公报(对应USP6,256,277专利文献2)中，提出了组合记录波形以使多脉冲中的最短脉冲宽度比检测窗口宽度的1/2倍长的方法。由此，因为可以充分确保记录介质的冷却时间，或者降低激光驱动电流的频率成分，所以即使在高转速时也可以以足够的精度形成标记。

再有，在特开2003-30833号公报(专利文献3)中，说明了不仅与特开平11-175976号公报一样地使中间脉冲系列的周期比记录通道时钟周期长，而且依从先行的空白和后续的空白使开始脉冲和结束脉冲的边沿位置变化进行记录的方法。根据本方法，因为可以极力抑制以高密度、高传输速率进行记录时成为问题的轨道方向的热干涉引起的边沿移动，所以可以实现高精度的记录控制。

另外，在特开2001-331936号(对应US2001/053115A1，专利文献4)中，记载了以偶数符号系列和奇数符号系列移位基准时钟，另外，关于偶数用和奇数用的记录脉冲波形，分别用偶数用和奇数用改变开始脉冲和结束脉冲的占空比生成所述波形。

此外，在高传输速率记录时的2T系策略的记录标记形状控制效果，例如在Optical Data Storage 2000，Proceedings of SPIE Vol.4090(2000)，p135(非专利文献2)中做了详细说明。

专利文献1：特开平9-134525号

专利文献2：特开平11-175976号

专利文献3：特开2003-30833号

专利文献4：特开2001-331936号

非专利文献1：Optical Data Storage 2003，Proceedings of SPIE Vol.5069(2003)，p130

非专利文献2：Optical Data Storage 2000，Proceedings of SPIE Vol.4090(2000)，p135

在上述现有技术的试写方式、所谓的OPC方式中，使Pw/Pe固定执行激光功率的最优化，其中求最优质量的记录条件。但是，根据本发明人们的研究结果，要实现新的BD4倍速、或者DVD±RW8倍速以上的记录速度的话，可以明白在取Pw/Pe固定的激光功率作参数的OPC方式中要得到十分良好的标记质量很困难。其理由如下。在BD1倍速或者DVD±RW2.4倍速这样的低速记录的场合，因为从照射上述开始脉冲到照射下一脉冲(中间脉冲或者结束脉冲)的时间足够，所以在下次脉冲照射时，记录膜被充分冷却。但是，在高速记录时，因为在开始脉冲照射后到下一脉冲的照射的时间变短，所以记录膜的冷却速度相对不充分，所以存在在开始脉冲中形成的前边沿部分未充分冷却的问题。在前边沿部分未充分冷却的状态下照射下一脉冲的话，会在前边沿部分引起结晶化，发生边沿摇摆或者边沿移位。这等于标记质量降低，发生由于高速化使记录性能恶化的问题。

另外，伴随记录高速化，也不能无视在市售驱动器上搭载的激光特性的个体分散。例如BD4倍速中的记录通道时钟周期T约成为3.8ns，必须以1ns以下来控制激光。但是，因为现在的激光的上升和下降的时间为1～2ns的程度，所以1ns的波形控制接近物理界限，激光的上升、下降的个体差对记录标记的形状有大的影响。并且，在因为光点直径在驱动器间分散等引起发光波形在驱动器间不同的情况下，在低速记录中可由介质吸收装置的个体差的问题，在高速记录中成为了表面化的问题。

发明内容

因此，本发明如下构成。

(1)对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记，按照用大于等于2的整常数除n的余数生成分类记录符号序列中的标记长的记录模式，分别进行记录后重放，根据调制度和记录功率的关系求调制度成为0的记录功率P0，把用某常数p乘P0的值设定为各记录模式的记录功率。

由此，因为对于按照余数分类的每个记录模式能够调整记录功率，所以比把多个记录模式的记录功率全部设定为相同时更能提高记录性能，可以扩宽记录裕度。

亦即，在2T系策略的场合，成为下面这样。对于用与基准时钟周期的偶数倍对应的长度的记录标记构成的偶数长记录模式、和用奇数倍对应的长度的记录标记构成的奇数长记录模式，分别变化记录功率进行记录重放，根据其重放结果，设定偶数长的最佳记录功率和奇数长的最佳记录功率。换言之，在把一个记录标记的时间长度作为nT(T是基准时钟周期，n是大于等于2的自然数)、使用由L个脉冲组成的记录用激光光束形成试写用的记录波形的场合，记录模式，对于(1)成为nT＝2LT的标记，亦即与上述基准时钟周期的偶数倍对应的长度的记录标记形成的偶数长记录模式，(2)成为nT＝(2L+1)T的标记，亦即与奇数倍对应的长度的记录标记形成的奇数长记录模式，分别记录(1)偶数长记录模式和(2)奇数长记录模式。然后，进行这些记录模式的重放，分别用偶数长、奇数长记录模式求记录功率和从重放信号求得的调制度的关系，把用某常数p乘由作为结果得到的调制度成为0的功率P0(记录开始功率)的值作为基础设定记录模式中的记录功率。

接着，在3T系策略的场合，成为下面这样。在nT＝3LT系的场合，使用(1)由成为nT＝3LT的标记形成的记录模式、(2)由成为nT＝(3L-2)T的标记形成的记录模式、和(3)由成为nT＝(3L-1)T的标记形成的记录模式，分别记录这些，求记录功率和从重放信号求得的调制度的关系，以在各自记录模式中得到的P0为基础设定记录功率。

另外，在4T系策略的场合，成为下面这样。在nT＝4LT的场合，使用(1)由nT＝4LT的标记形成的记录模式、(2)由成为nT＝(4L-2)T的标记形成的记录模式、(3)由成为nT＝(4L-1)T的标记形成的记录模式和(4)由成为nT＝(4L+1)T的标记形成的记录模式，分别记录这些，求记录功率和从重放信号求得的调制度的关系，以在各自记录模式中得到的P0为基础设定记录功率。

(2)另外，可以在所述各记录模式中设定的记录功率中使用确认模式进行试写，进行各记录模式的记录功率的再调整。由此，可以微调整记录功率，可以得到最佳记录条件。

(3)乘调制度成为0的记录功率P0的常数p优选大于等于1.5小于等于3.0。这是因为在比1.5小的场合，难于得到充分的振幅；在比3.0大时，标记宽度变大，会结晶化邻接的标记，产生所谓的串擦(クロスイレ一ズ)。此外，取p大于等于2.0小于等于2.8则更好。这是因为通过使p大于等于2.0，可以减低由在根据记录功率偏置等的记录条件的试写时的功率变动而引起的抖动的增大；另外，通过使p小于等于2.8，可以防止使用过功率照射，可以防止由于多次改写引起的性能降低，所以是更好的。

(4)在对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记、按照用大于等于2的整常数除n的余数分类记录符号序列中的标记长的多个记录模式中，选择模式A，变化记录功率进行记录重放，根据调制度和记录功率的关系求调制度成为0的记录功率P0(A)，把用某常数p乘P0(A)的值设定为记录模式的记录功率Pw(A)，设定其他的记录模式的记录功率，以使成为和在Pw(A)中的调制度mod(A)大体相同的值。

由此，通过对按照余数分类的每一记录模式设定记录功率，因为即使记录模式不同也能得到大体相同的调制度，所以比之把多个记录模式的记录功率全部设定为相同更能提高记录性能，可以扩宽记录裕度。另外，关于多个记录模式的各个，因为不需要求调制度成为0的记录功率P0(A)，所以可以缩短试写的时间。

例如，表示2T系策略的场合的一例。使用由与基准时钟周期的奇数倍对应的长度的记录标记构成的奇数长记录模式，变化记录功率进行记录重放，根据调制度和记录功率的关系求调制度成为0的记录功率P0(odd)，把用某常数p乘P0(odd)的值设定为记录模式的记录功率Pw(odd)。使成为与在Pw(odd)下的调制度mod(odd)大体相同的值那样求偶数长记录模式的记录功率Pw(even)。这里也可以使用Pw(odd)和Pw(even)的记录功率，进行根据确认模式的试写，进行各记录模式的记录功率的再调整。此时，固定Pw(odd)、只微调整Pw(even)也是有效果的。通过根据这样的确认模式的试写，可以微调整记录功率，可以得到最佳记录条件。

再有，在求得奇数长标记下的最佳记录功率Pw(odd)后，作为求只由偶数长标记组成的记录模式中的最佳记录功率Pw(even)的方法，也可以用某常数q乘Pw(odd)或者在其上加上常数r求Pw(even)。

(5)在2T系策略的场合，其特征为进行由偶数长组成的记录模式或者由奇数长组成的记录模式的试写求记录功率，在该记录功率上乘以常数p或者加上常数r求其他记录模式的记录功率。

亦即，使用于记录由奇数长组成的记录模式的记录功率Pw(odd)和用于记录由偶数长组成的记录模式的记录功率Pw(even)的关系，为Pw(odd)＝q×Pw(even)或者Pw(odd)＝Pw(even)+r。在2T系策略中，使用用同样数目的脉冲序列构成相邻的一对偶数长标记和奇数长标记的记录波形进行记录。例如，在最短标记长度是2T标记的场合，在2T标记和3T标记中发生一个矩形脉冲，在4T标记和5T标记中，发生开始脉冲和结束脉冲两个脉冲。此时，影响记录波形形状和介质的热特性以及结晶化特性等，有时在偶数长标记和奇数长标记中记录灵敏度不同。

通过用某数学公式关联用于记录由奇数长组成的记录模式的记录功率Pw(odd)和用于记录由偶数长组成的记录模式的记录功率Pw(even)的关系，因为可以只进行单方的记录模式的试写，所以可以缩短试写所需要的时间。常数q、常数r的值可以在发运驱动器时决定。或者，在首次加载介质时通过学习求q和r的值，也可以关联介质ID和q、r。

(6)计算在包含奇数长标记的记录模式中的最小标记长的不均匀性和在包含偶数长标记的记录模式中的最小标记长的不均匀性，使这些成为大体相同那样，分别设定用于记录由奇数长组成的记录模式的记录功率Pw(odd)和用于记录由偶数长组成的记录模式的记录功率Pw(even)。例如，在最小标记是3T标记的场合，把使包含3T标记的记录模式中的3T标记的不均匀性Asym(3T)和包含4T标记的记录模式中的4T标记的不均匀性Asym(4T)大体成为相同的各自的功率作为记录功率。此时，在奇数长记录模式中可以只重放3T标记的不均匀性Asym(3T)、偶数长标记的不均匀性Asym(4T)。

这样通过进行考虑不均匀性的记录功率设定，因为是比较同时记录的不同的标记长度求得的数值，所以即使万一在试写时发生由于散焦等引起的功率偏移或者电气的偏移等的场合，也可以抑制这些偏移的影响。另一方面，因为信号振幅、调制度等直接接受这些偏移的影响，所以在为设定记录功率的试写时需要注意。

这里，用不均匀性这样的词语进行统一，但是实际上可以使用β。β用下式定义，遵守DVD-RW等的书写规则。

β＝(A1+A2)/(A1-A2)

β是从AC耦合的HF信号计算出的值，A1、A2分别表示AC耦合的HF信号峰值电平(高电平和低电平)。亦即(A1+A2)表示峰值电平的差，(A1-A2)表示HF信号的peak-to-peak(峰到峰)值。

另外，也可以使用γ设定记录功率。γ用下式定义，和β同样，遵守DVD-RW等的书写规则。

γ＝(dm/dPw)*(Pw/m)

这里，m表示HF信号的调制度。

这样的方法，不仅对于记录膜有一层的光盘，而且对于记录层有多层种类的光盘也特别有效。例如，在存在两层记录层的光盘的场合，会发生各记录层上的记录裕度比记录层是单层的光盘的裕度变窄的问题，但是根据本发明，通过根据记录模式控制记录功率，可以使记录裕度扩宽。这些，特别在使用DVD-RW、DVD+RW、BD-RE等共晶系记录膜的可改写型介质时的试写中有效。

通过进行这些试写，比现有的方法在试写上要多花一点时间，但是，如DVD±RW或者BD-RE那样的、在记录中使用“烧”这样的词语的介质的场合，因为试写需要的时间是2～3秒，而“烧”(记录)作业所需要的时间(例如十分钟)绝对长，所以即使试写需要的时间增加到5倍，使用户等待的时间也几乎不变，光盘使用不会不方便，对用户没有不利之处。

此外，本申请特别对高速记录有效，特别地，在使用称为共晶系的结晶成长型的记录膜的记录型介质中，在记录速度大于等于20m/s的条件下进行记录时更为有效。

另外，所谓调制度为0，表示标记形成不完全这样的物理现象。因此，如果在记录膜达不到熔融温度的程度下记录功率十分低的话，则调制度成为0，但是在本专利中，调制度实质成为0的最大记录功率是重要的。为了在驱动器中求调制度0，可以分别求变化记录功率时的调制度，根据规定的计算公式求记录功率和调制度的关系。亦即可以从表示记录功率和调制度的关系的图表外插调制度实质成为0(在图表上X截面是0)的记录功率求得。根据使用的计算公式或者测定数据数，有时调制度成为0的记录功率P0多少有些变动，但即使在这种场合，P0也在为求最佳功率充分的误差范围内。

根据本发明，因为可以提高试写的精度，所以可以提供记录质量更好的高速对应光盘。

附图说明

图1是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图2是在本发明中使用的记录脉冲波形的一例。

图3是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和调制度的关系的图。

图4是在本发明中使用的记录脉冲波形的一例。

图5是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图6是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图7是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图8是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图9是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图10是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图11是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和β的关系的图。

图12是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图13是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图14是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图15是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和β的关系的图。

图16是本发明中使用的装置的一例。

图17是本发明中使用的装置的一例。

图18是本发明中使用的装置的一例。

图19是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和常数p的关系的图。

图20是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和常数p的关系的图。

图21是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和常数p的关系的图。

图22是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图23是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图24是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图25是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图26是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图27是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图28是关于本发明的一个实施例的试写方式的处理流程图。

图29是表示关于本发明的一个实施例的记录功率和抖动的关系的图。

具体实施方式

第一实施例

下面参照附图说明本发明的实施形态。

首先叙述在本实施例中使用的记录方式。在光盘上写入数据的场合，使用通过多脉冲的标记边沿记录方式，把数据作为标记和空白的长度信息写入光盘。另外，使用标记的长度为3T到14T、空白的长度从3T到14T的整数值的组合的调制方式。

图2表示本发明中使用的记录脉冲波形的一例。在本实施例中使用2T系策略。由单一脉冲形成3T标记，4T标记以及5T标记由开始脉冲和结束脉冲两个脉冲形成。6T标记以及7T标记由开始脉冲和结束脉冲以及1个中间脉冲合计3个脉冲构成。8T标记以及9T标记由开始脉冲和结束脉冲以及两个中间脉冲合计4个脉冲构成。以后，随着标记变长增加中间脉冲数。这里，取记录标记为nT(T是基准时钟周期，n是大于等于2的自然数)的话，则4T、6T标记等偶数长标记可以用nT＝2LT表示，3T、5T标记等奇数长标记可以用nT＝(2L+1)T表示。此时L是自然数，表示记录脉冲数。

在光盘中，使用可用8倍速记录的改写型DVD(红色光源对应相变化盘)，在记录重放测定中使用搭载波长660nm的半导体激光器的驱动器。取线速度约27.9m/s。图2中的时钟周期约4.8ns。

图1表示说明在本实施例中的试写方法的动作的流程图，根据该图说明本发明。首先，作为第一步骤(S101)，读出在盘中记录的推荐记录功率、脉冲宽度等记录条件，得到作为激光器功率的记录功率(Pw)38mW、消隐功率(Pe)8mW、偏置功率(Pb)0.1mW。作为第二步骤(S102)，设定这附近的激光功率条件，作为第三步骤(S103～S108)，在盘上执行试写。激光功率条件，固定Pb的值，取Pw和Pe的比(Pw/Pe)为固定值，使在推荐记录功率的0.4倍到1.2倍的记录功率即从15.2mW到45.6mW之间变化。使消隐功率Pe和Pw一同从3.2mW到9.6mW变化。此时，使用仅用偶数长标记构成的记录模式和仅用奇数长标记构成的记录模式这两种试写用记录模式，分别进行试写。在第三步骤中(S103)中，使用由偶数长标记组成的试写模式使记录、消隐功率变化，同时多次进行试写，从在第三步骤中得到的记录功率和调制度的关系，在第四步骤(S104)中作为调制度成为0的记录功率P0(even)得到17.5mW。作为第五步骤，对P0(even)乘以常数p＝2.1，作为偶数长标记记录功率Pw(even)得到36.8mW。

同样，使用由奇数长标记构成的试写用记录模式进行记录，求记录功率和调制度的关系(S106)，决定调制度成为0的记录功率P0(odd)(S107)，其后，用常数p＝2.1乘P0(odd)，作为奇数长标记记录功率P0(odd)得到38.9mW。

使用从第三步骤到第八步骤得到的奇数长标记用记录功率和偶数长标记用记录功率，作为第九步骤(S109)使用混存偶数长标记和奇数长标记的试写用记录模式记录，作为第十步骤(S110)进行记录性能的确认时，能够得到实用上充分的抖动5.1％。

作为和现有方法的比较，使用混存奇数长标记和偶数长标记的试写用记录模式求调制度成为0的功率P0，以常数p＝2.1乘P0的结果，得到记录功率Pw＝37.8mW。在偶数长标记和奇数长标记任何一个的记录功率也作为相同的37.8mW记录重放时，抖动是6.5％，分别设定偶数长标记和奇数长标记的记录功率可以得到良好的记录性能。

在本实施例中，因为在第九步骤的阶段可以得到良好的抖动，所以不需要执行第十一步骤(S111)，但是在S110没有得到良好的抖动的场合，最好进行Pw(odd)和Pw(even)的微调整。

本实施例中使用的偶数长/奇数长标记用试写模式，也可以仅用偶数长/奇数长构成标记，而空白部分为偶数长和奇数长混存。亦即，关于空白长度，不需要设定例如在偶数长用试写模式中只设定偶数长度空白等限定。

在本实施例中，取乘记录开始功率P0的常数p为2.1，在取常数p比1.5小的场合，如图19所示，因为不能得到充分的振幅，所以重放抖动急剧恶化，p＝1.2时重放抖动成为13.0％。另外，p＝3.3时抖动是12.8％，在使常数p比3.0大的场合抖动也大幅恶化。这是因为记录标记宽度变宽，不能忽略串擦的缘故。因此，常数p大于等于1.5小于等于3.0最好。再有，在取常数p为2.0的场合，多次执行试写时的抖动为5.1～6.0％，在良好的范围内，但是在使常数比2.0小的场合，例如取1.8时，多次执行试写时的抖动为5.4～7.0％，得到的范围变宽，同时最大抖动增大(图20)。在常数p比2小的场合，极大受到由于灰尘或脏污等任何原因产生记录功率偏移场合的抖动增大的影响。因此，最好使常数p大于等于2.0。另外，在图21中表示出进行了500多次记录时的抖动和常数p的关系。如果p比2.8大，则产生由于过功率引起的记录膜的破坏，抖动恶化。通过使p小于等于2.8，因为可以防止过功率的照射，可以防止由于多次改写引起的性能降低，所以更好。

在2T系策略中，相邻一对偶数长标记和奇数长标记的记录脉冲数相等。例如，由图2中可知，4T标记和5T标记分别由两个记录脉冲构成，6T标记和7T标记由三个记录脉冲构成，这里的特征是，4T标记的开始脉冲照射后的Pb级脉冲宽度(W1)和6T标记的(W1)几乎等长，同样，5T标记的开始脉冲照射后的Pb级脉冲宽度(W2)和7T标记的(W2)几乎等长。开始脉冲下次来时的记录脉冲的开始位置会影响形成开始脉冲的记录标记的前边沿位置。例如，开始脉冲下次来时的记录脉冲离开开始脉冲远的话，则因为记录膜熔融后再结晶化的区域变小，所以前边沿位置的收缩少，在接近熔融区域前端的位置固定。相反，开始脉冲下次来时的记录脉冲离开开始脉冲近的话，则因为记录膜熔融后再结晶化的区域变宽，所以前边沿位置的收缩急剧，在比熔融区域更后的位置固定前边沿位置。

可以认为4T标记和6T标记、5T标记和7T标记分别由于开始脉冲下次来时的记录脉冲(中间脉冲或者结束脉冲)照射引起的前边沿位置的影响分别几乎相同。如图2所示，8T标记成为类似4T以及6T标记的前边沿位置。这样，通过使用仅由具有类似热特性的标记构成的试写用记录模式，因为难于看到由于从多种记录脉冲形状产生的边沿位置变动数量引起的抖动的增大，所以可以正确而且高效求得最佳记录脉冲宽度。

在本实施例中，如图2所示，关于用单一脉冲形成的3T标记，独立地设定包含开始脉冲位置的记录脉冲条件。这是因为由于用单一脉冲形成3T标记，定位前边沿位置的处理和其他用多个记录脉冲构成的标记不同。本实施例在步骤S109的试写中，在第十步骤(S110)求ΔT的同时，也求3T标记的记录脉冲条件。

另外，在本实施例中，如4T标记和5T标记成为相同记录脉冲数那样，说明nT＝2LT和nT＝(2L+1)T的记录脉冲数相等的场合，但是如5T和6T成为相同脉冲数那样，对于nT＝2LT和nT＝(2L-1)T的记录脉冲数相等的场合，本发明的效果也不变。

再有，在本实施例中，在计算偶数长标记和奇数长标记的记录功率时用常数p乘调制度成为0的功率P0(evev)和P0(odd)，但是在偶数长标记记录时和奇数长标记记录时的调制度和功率的关系大幅不同时，也可以使乘数p取不同的值。亦即，可以根据介质的特性，对于偶数长标记用和奇数长标记用分别把常数p设定为不同的值。

另外，在本实施例中，通过用常数p乘调制度实质成为0的记录功率P0来设定Pw(even)，但是通过求具有调制度不为0、从调制度0到达饱和调制度的规定的值的Pw’，用常数p’乘Pw’来求Pw的方法也可以。图28表示一例。图28中表示把规定的调制度作为35％的场合的试写方法。设定调制度优选在对于记录功率的变化调制度难于急剧变化而且被擦写的调制度的25％到40％的范围。所谓对于记录功率调制度的变化急剧意味着可以高精度设定记录功率。常数p’是根据使用的盘或驱动器设定的常数，多为1.2≤p’≤2.5。在本实施例中使用的驱动器或介质中，在图28的步骤S1804求得的Pw’(even)为23.0mW，Pw’(odd)为24.3mW，取p＝1.6算出Pw(even)为36.5mW、Pw(odd)为38.9mW。在步骤S1810中确认记录性能时，抖动为5.1％，可以得到实用上没有问题的记录性能。这样，从P0和Pw’分别计算出的记录功率值不一定相同。以图1的步骤S110或者图28的步骤S1810进行记录性能的确认，在记录性能不充分的场合，希望在图1的步骤S111或者图28的步骤S1811中进行微调整。

第二实施例

在第一实施例中，使用相邻的偶数长标记和奇数长标记的记录脉冲数是相同的、所谓的2T系策略，而在本实施例中表示使用3T系策略的情况。所谓3T系策略，是使由nT＝3LT、nT＝(3L-2)T、nT＝(3L-1)T表示的标记的记录脉冲数成为相同的记录系。此时，L是自然数，表示记录脉冲数。例如，4T～6T标记用两个记录脉冲构成，7T～9T标记用三个记录脉冲构成。图4表示这样的3T系策略(但是，在第二实施例中使用由3T～14T标记构成的记录波形)。

在本实施例中，光盘使用可以10倍速记录的改写型DVD，在记录重放测定中使用搭载波长660nm的半导体激光器的驱动器。该驱动器具有能够最大3级设定记录功率Pw级的特征。取线速度为34.9m/s。3T系策略也和2T系策略一样，具备由nT＝3LT标记组成的试写用记录模式、由nT＝(3L-2)T标记组成的试写用记录模式以及由nT＝(3L-1)T标记组成的试写用记录模式的3种模式，按照图5的流程图求使用各自的模式记录时的记录功率和调制度的关系。

首先，作为步骤S201，读出在盘中记录的推荐记录功率、脉冲宽度等的记录条件，作为激光功率得到记录功率(Pw)56mW、消隐功率(Pe)11mW、偏置功率(Pb)0.3mW。作为步骤S202，设定在这附近的激光功率条件，作为S203～S211在盘上进行试写。激光功率条件，Pb的值固定，把Pw和Pe的比(Pw/Pe)作为固定值，使在推荐记录功率的0.4倍到1.2倍的记录功率即在22.4mW到67.2mW之间变化。消隐功率Pe和Pw一起从4.4mW到13.2mW变化。此时，使用只由偶数长标记构成的记录模式和只由奇数长标记构成的记录模式的两种试写用记录模式分别进行试写。在步骤S203中使用由nT＝3LT标记组成的试写模式使消隐功率变化同时多次进行试写，从在步骤S203中得到的记录功率和调制度的关系，在步骤S204中，在记录由nT＝3LT标记组成的试写用记录模式的场合，作为调制度成为0的记录功率P0(3LT)得到20.9mW。同样，在步骤S207，作为nT＝(3L-2)T标记记录时的调制度成为0的记录功率P0((3L-2)T)得到19.1mW，在步骤S210，作为nT＝(3L-1)T标记记录时的调制度成为0的记录功率P0((3L-1)T)得到20.2mW。其后，用常数p＝2.8乘各自的P0，作为记录功率Pw(3LT)得到58.5mW、作为Pw((3L-2)T)得到53.5mW、作为Pw((3L-1)T)得到56.6mW(步骤S205，S208，S211)。

使用以上得到的三种记录功率，作为步骤S212，记录随机地配置从3T到14T的标记长度以及空白长度的试写模式，在作为步骤S213进行记录性能的确认时，得到实用上没有问题的抖动7.5％。进而，通过在步骤S214从58.5mW到59.1mW微调Pw(3LT)，可以把抖动抑制到7.0％。

在本实施例中取常数p为2.8，在使常数p大于2.8的场合，可改写的次数降低。例如，如果比较首次随机信号抖动，则p＝2.8时为7.5％、p＝3.0时为8.1％，两者都在实用上没有问题。但是在p＝2.8的场合，改写次数到1000次时重放抖动不变化，实用上没有问题，但是在p＝3.0的场合，在800次抖动时超过13％。因此，优选p小于等于2.8。

另外，在本实施例中，作为重放特性的评价要素使用抖动，但是即使改变评价要素的种类，本发明的效果也不改变。例如在重放性能评价中也可以使用PRML等。

使用这些试写的结果和得到的记录功率进行实际的用户数据的记录。

第三实施例

在第一实施例中，通过把试写用记录功率分为用nT＝2LT表示的偶数长标记和用nT＝(2L+1)T表示的奇数长标记，分别进行试写，用常数p乘调制度成为0的各自的记录功率P0，来获得奇数长标记和偶数长标记的最佳记录功率。本实施例表示仅对一方的试写模式大幅降低记录功率，求调制度和记录功率的关系，使在求得的记录功率下的调制度成为大体相同那样，表示另一方的记录模式的记录功率后设定记录功率的方法。

在本实施例中，使用和第一实施例同样的记录波形、8倍速记录可改写型DVD盘，搭载波长660nm的半导体激光器的驱动器。取线速度约27.9m/s。

图6表示说明本实施例中的试写方法的动作的流程图。根据该图说明本发明。从步骤S301到步骤S305和第一实施例相同，这里省略详细的说明。和第一实施例相同，在步骤S304，作为调制度成为0的记录功率P0(even)得到17.5mW。在步骤S305，对P0(even)乘以常数p＝2.1，作为偶数长标记记录功率Pw(even)得到36.8mW。另外，计算取记录功率Pw＝36.8mW时的调制度mod(even)，得到mod(even)＝59％。

在下面的步骤S306，使用由nT＝(2L+1)T表示的奇数长标记组成的试写模式，把记录功率作为Pw(even)＝36.8mW记录，计算其时的调制度mod时，是57％。因为由奇数长标记组成的试写模式的调制度mod比mod(even)＝59％小，所以从步骤S308前进到步骤S310。以比36.8mW高的功率记录由奇数长标记组成的试写模式。此时，使记录功率Pw到Pw(even)的1.2倍变化进行记录。本实施例中，作为Pw＝Pw(even)+Pw(dood)^*0.02x，取(1≤x≤10)使Pw变化。其结果，因为x＝4的Pw＝39.7mW时调制度成为59％，所以选择Pw(odd)＝39.7mW。即使x＝5的Pw＝40.5mW时调制度也成为59％，但是在本实施例中，对于成为希望的调制度的记录功率，把最接近Pw(even)的功率作为Pw(odd)选择。

使用奇数长标记用记录功率Pw(odd)和偶数长标记用记录功率Pw(even)，作为步骤S311使用偶数长标记和奇数长标记混存的试写用记录功率进行记录，在作为步骤S312进行记录性能的确认时，可以得到实用上充分的抖动5.4％。

在本实施例中，求用偶数长标记试写求得的记录功率下的调制度，使成为该调制度那样设定奇数长标记的记录功率，但是相反，进行奇数长标记的试写求调制度，使求得的调制度成为大体相同那样设定记录功率，本发明的效果也不变。此外，不仅在2T系策略中，即使在3T系、4T系等具有多个类别的试写记录模式的场合，也有相同的效果。具体说，在3T系策略的场合，使用由成为nT＝3LT的标记形成的记录功率求记录开始功率P0(3LT)，用常数p乘P0(3LT)得到最佳记录功率Pw(3LT)。用由成为nT＝(3L-2)T的标记形成的记录模式记录时的调制度、和用由成为nT＝(3L-1)T的标记形成的记录模式记录时的调制度，设定各自的记录功率Pw(3L-2)和Pw(3L-1)，以使与用Pw(3LT)记录由成为nT＝3LT的标记形成的记录功率进行记录时的调制度mod(3LT)相同。

在本实施例中，从偶数长标记的记录模式开始试写，但是这只是一例，从由奇数长标记组成的记录模式开始试写，求Pw(odd)，其后求Pw(even)，本发明的效果也不变。

另外，在本实施例中，通过用常数p乘调制度实质成为0的记录功率P0设定Pw(even)，但是通过求具有调制度不为0、从调制度0到达饱和调制度的规定的值的Pw’，用常数p’乘Pw’来求Pw的方法也可以。图22表示一例。图22中表示使规定的调制度为40％的场合的试写方法。进而在图23中表示从抖动成为规定的值时的记录功率计算Pw的例子。图29表示抖动和记录功率的一般的关系。在图23的场合，求使记录功率变化进行记录时的抖动值，通过用常数p”乘抖动成为13％时的记录功率Pw”(even)，求记录功率Pw(even)。在使用和本实施例同样的装置和盘的场合，最好使规定的抖动取13％到17％。另外，在使用限幅均衡器的场合也可以在6％到10％之间设定规定抖动值。常数p”也是根据使用的盘或驱动器设定的常数，不过多为1.2≤p”≤2.0。

这样，决定选择的任意记录模式的记录功率的方法，可以从调制度实质成为0的记录功率P0计算，可以从规定的调制度(例如图22中的40％)计算，也可以从抖动计算。当然，不限定于这些方法，也可以根据规定的方法决定任意的记录模式的记录功率。

第四实施例

在本实施例中，使用图7、图8表示2T系策略中的试写的一例。使用的驱动器、光盘等和第一实施例相同，省略对于和第一实施例共同的动作(步骤)的说明。

在第三实施例中，求取和mod(even)大体相同的调制度那样的Pw(odd)，其后使用偶数长、奇数长标记混存的试写模式确认记录性能。这里，使用图7中所示的方法，亦即在求Pw(even)后，不使用由奇数长标记组成的试写模式，而使用奇数长标记和偶数长标记混存的试写模式直接求记录性能良好的Pw(odd)的方法。在本实施例中，以在步骤S405得到的偶数长标记记录功率Pw(even)＝36.8mW为中心，使记录功率在从29.4mW到44.1mW之间变化，在步骤S406中记录偶数长标记和奇数长标记混存的记录模式。其结果，作为步骤S407，作为抖动成为最小的Pw(odd)得到39.0mW。此时的混存模式记录的抖动为5.2％，是实用上没有问题的良好的性能。

在步骤S406变化的记录功率Pw，优选在偶数长记录功率Pw(even)的0.8倍到1.2倍之间，亦即，a*Pw(even)≤Pw≤b*Pw(even)，0.8≤a≤1.0，1.0≤b≤1.2。因为a比0.8小的话，记录功率显然不够，所以在本方法的试写中成为不需要的试写，有时成为白白使用限定的试写区域。另外，在b比1.2大的场合，从图3可知调制度和最佳记录功率变化不大，但是因为由于过功率产生反复改写特性恶化等的现象，所以不好。

图8表示使在图7中实施的试写次数更少的方法一例。在图8那样的试写中，因为图7的a、b中的任何一个相当于1.0的场合，所以具有可以使试写需要的区域变小和使试写需要的时间缩短的优点。

在图7、8中，假设选择抖动成为最小的记录功率，但是也可以取抖动例如成为小于等于13％等规定值以下的记录功率范围的中央值，或者取不是抖动指标的PRML。本发明不把记录性能指标限制在抖动上。

再有，在图7、8中，以P0(even)为基础计算Pw(even)，但是计算Pw(even)的方法不限于此。图24表示通过求调制度成为40％的记录功率Pw’、以常数p’乘Pw’求Pw的一例。这样，在计算在多个记录模式中的任意的记录模式中的记录功率时的方法不唯一，优选根据其驱动器、介质、用途选择。

第五实施例

在本实施例中，使用图9说明适合在偶数长标记中使用的记录功率和在奇数长标记中使用的记录功率之间建立某一定关系的介质中的试写的一例。使用的驱动器、光盘等和第二实施例相同，设线速度为34.9m/s。另外在这里，不是第二实施例中使用的3T系策略而使用2T系策略。从步骤S601到步骤S603，因为除记录波形使用2T系策略外其余和第二实施例相同，所以在这里省略。在步骤S604中，在记录由偶数长标记组成的试写用记录模式的场合，作为调制度成为0的记录功率P0(even)得到20.0mW。其后在步骤S605，以常数p＝2.8乘P0(even)，作为记录功率Pw(even)得到56.0mW。

接着在步骤S606，设定奇数长标记的记录功率。在本实施例中使用的盘和记录条件的组合中，适用Pw(odd)＝q×Pw(even)的关系式，在取常数q为0.96时可以得到最好的记录性能。在本实施例中适用Pw(odd)＝q×Pw(even)的关系式，但是依从盘结构或使用的记录波形，有时优选Pw(odd)＝Pw(even)+r的关系式。选择哪一个关系式，也可以预先根据介质的种类在发运驱动器时设定。或者也可以在首次加载介质时选择适合的关系式。

在步骤S606中，从关系式Pw(odd)＝0.96×Pw(even)设定Pw(odd)为53.8mW后，在S607根据奇数长标记和偶数长标记混存的试写模式把偶数长标记的记录功率作为Pw(even)，把奇数长标记的记录功率作为Pw(odd)，评价记录性能(步骤S608)。其结果，可以得到抖动7.8％和实用上没有问题的记录性能。

这样，用于记录由奇数长标记组成的记录模式的记录功率Pw(odd)和用于记录由偶数长标记组成的记录模式的记录功率Pw(even)的关系，因为通过用某数学式关联，也可以只进行单方的记录模式试写，所以可以大幅缩短试写所需要的时间。也可以在发运驱动器时决定常数q、常数r的值。或者，在首次加载介质时通过学习求q和r的值，关联介质ID和q、r。在组合数种介质和记录波形进行试写时，常数q在从0.9到1.1的范围、常数r在从-3.0到3.0的范围，可以得到良好的性能。

在本实施例中，以P0(even)为基础计算Pw(even)，但是计算Pw(even)的方法不限于此。可以以抖动性能作为指标，也可以从PRML计算。图25表示求β大体成为5％的记录功率Pw(even)的一例。本方法优选在对于记录功率的变化β的变化急剧那样的介质中使用。在图25中取β的值为5％，但是优选根据介质或驱动器的特性设定最佳的β值。从β计算Pw的本方法与图9所示的从P0计算的方法比较，因为可以直接求希望的记录功率，所以具有能够以更高精度求记录功率的优点。这样，计算多个记录模式中的任意的记录模式中的记录功率时的方法不唯一，优选根据其驱动器、介质、用途选择。

在本实施例中使用2T系策略，但是3T系策略或者4T系策略也是有效的试写方法。用数学公式关联多个记录模式、进行一个记录模式的试写、从确定的数学公式求其他记录模式的记录功率的本方法，具有试写所需要的时间和试写区域小的优点。

第六实施例

在从第一实施例到第五实施例中，使用调制度作指标求最佳记录功率。在本实施例中，叙述不是用调制度而是β设定最佳记录功率的试写方法。

在本实施例中，使用可6倍速记录的蓝色光源对应盘。使用线速度为约31.7m/s、由2T～9T标记构成的记录波形。图10表示说明本实施例中的试写方法的动作的流程图。首先，作为步骤701，读出在盘中记录的推荐记录功率等记录条件，得到记录功率(Pw)18mW、消隐功率(Pe)3.4mW、偏置功率(Pb)0.1mW。作为步骤S702设定这附近的激光功率条件，作为步骤S703、S705在盘上进行试写。激光功率条件，Pb的值固定为0.1mW，固定Pe和Pw的比，使Pw在从15mW到21mW之间以步长0.2mW变化。此时，在步骤S703，使用包含作为偶数长标记的最短标记的2T标记的试写模式，在步骤S705，使用包含作为奇数长标记的最短标记的3T标记的试写模式。具体说，在步骤S703使用的模式，是由2T标记和8T标记以及从2T到9T长度的空白构成的记录模式，在步骤S705使用的模式，是由3T标记和8T标记以及从2T到8T长度的空白构成的记录模式。这样，通过在记录模式中配置共同的标记长度(这里是8T)，具有以相同的8T标记为基础计算作为各自最小标记的2T和3T的β的优点。在步骤S703以及S705改变记录功率进行记录，分别计算作为2T标记的β的β(2T)和作为3T标记的β的β(3T)。图11表示记录功率和β(2T)、β(3T)的关系。这样，β和记录功率的关系一般依从标记的长度而不同。

在本实施例中，设希望的β为0，在步骤S704以及步骤S706中，作为成为β(2T)＝0的记录功率设定Pw(even)＝18.2mW，作为成为β(3T)＝0的记录功率设定Pw(odd)＝18.4mW。接着在步骤S707，取nT＝2LT标记的记录功率Pw(even)为18.2mW、nT＝(2L+1)T标记的记录功率Pw(odd)为18.4mW，记录nT＝2LT标记和nT＝(2L+1)T标记混存的试写模式(确认模式)。其结果，抖动成为4.9％，成为在实用上没有问题的良好的值。

在本实施例中，分别试写奇数长最小标记和偶数长最小标记，但是如图12所示，也可以通过例如使用随机模式，使记录功率变化进行记录，分别检测β(2T)和β(3T)求包含2T、3T的记录模式，求β(2T)和β(3T)成为希望的值的奇数长用记录功率Pw(odd)和偶数长用记录功率Pw(even)。

本实施例所示的试写方法，重要的是分别设定记录功率，使最小标记和其次大的标记的不均匀性或者β、或者γ大体相等，2T标记最小或3T标记最小这样的调制方式(最小标记的大小)的不同并不重要。因此，使用3T标记成为最小的调制方式本发明的效果也不会改变。这里所谓大体相等，表示不需要是严格一致的数值，例如不均匀性±1％的范围内相同即可。可以在记录功率的设定步长的范围内设定最近的不均匀性或者β或者γ。

第七实施例

在从第一实施例到第六实施例中，叙述了在能够选择驱动器具有的激光驱动器所希望的多级记录功率Pw的场合中的试写方法的一例。这里表示在不具有激光驱动器所希望的设定个数数量的Pw级的场合中的试写的一例。

图13表示说明本实施例中的试写方法的动作的流程图。据此进行说明。光盘使用和第一实施例相同的光盘，在记录重放测定中使用搭载波长660nm的半导体激光器的驱动器。该驱动器仅可以设定单值的Pw级。因为从图13的步骤S901到步骤S908和从图1的步骤S101到S108相同，所以这里省略说明。通过到S908的步骤，在步骤S905作为偶数长标记记录功率Pw(even)得到36.8mW、在步骤S908作为奇数长标记记录功率Pw(odd)得到38.9mW。

在本实施例中，把用这些记录功率的平均值除Pw(even)和Pw(odd)的差的值作为参数x，根据该值的大小选择试写方法。在步骤S909，使用用(Pw(even)+Pw(odd))/2表示的两个记录功率的平均值除作为Pw(even)和Pw(odd)的差的|Pw(even)-Pw(odd)|。其结果，本实施例中的参数x成为5.5％，根据在步骤S910的判定，前进到步骤S914。

在步骤S914使用计算公式求记录功率Pw(opt)。这里使用的计算公式作为一个例子举出下式。

Type1Pw(opt)＝Pw(even)

Type2Pw(opt)＝Pw(odd)

Type3Pw(opt)＝(Pw(even)+Pw(odd))/2

Type4Pw(opt)＝Max(Pw(even)，Pw(odd))

Type5Pw(opt)＝Min(Pw(even)，Pw(odd))

Type1是重视偶数长标记的计算公式，适合于最小标记取2T标记的调制方式的场合。Type2是重视奇数长标记的计算公式，适合于最小标记采用3T标记的调制方式的场合。Type3是把Pw(even)和Pw(odd)的平均功率作为最佳功率Pw(opt)，具有使记录时的分散变小的优点。Type4是从Pw(even)和Pw(odd)中选择大的记录功率计算最佳功率Pw(opt)的计算公式。在使用希望得到S/N低调制度的介质时等重视S/N的场合，Type4适合。相反，Type5是从Pw(even)和Pw(odd)中选择小的记录功率计算最佳功率Pw(opt)的计算公式。该方式优选适用于来自相邻轨道的串扰大、不能以大宽度记录标记的介质。换言之，在由于串扰引起抖动恶化急剧的场合Type5的计算公式适合。优选符合这些计算公式使用的驱动器或盘进行选择。另外，这里举出来的计算公式是一个例子，只要使用从Pw(even)和Pw(odd)求最佳功率Pw(opt)，都在本发明的范围内。

在本实施例中使用Type3。因为Pw(even)＝36.8mW、Pw(odd)＝38.9mW，所以最佳功率Pw(opt)成为Pw(opt)＝(36.8+38.9)/2＝37.9mW。使用在步骤S914计算出来的Pw(opt)，在步骤S915中使用随机模式进行试写时抖动为6.5％，可以得到实用上没有问题的记录性能。

在本实施例中，作为在步骤S910的判定基准，判定参数x是否比10％大，但是也可以取为更安全进行记录的阈值例如为5％。优选符合驱动器或使用的介质决定阈值。在取阈值为5％的场合，在本实施例中，在图13的步骤S910判定为“Yes”，前进到步骤S911。因为在本实施例中使用的驱动器不具有脉冲可变功能，所以在步骤S911判定为“No”，成为NG、即写错误(不能记录)。这样，成为写错误乍一看对用户不利。但是，作为以不适当的记录功率照射进行记录的结果，也存在破坏以前记录的数据或管理区域的数据的可能性。是为防止这样的数据破坏重要的流，可以保存作为用户财产的记录信息。在图13中，表示出在步骤S911判定为No的场合成为NG的场合的一例，但是在步骤S911判定为No的场合，前进到步骤S914，不用说也可以发现Pw。在这一场合，最好在步骤S916中得到充分的记录性能以前不得到Pw，在步骤S917设定重试次数z。可以符合驱动器或使用的介质决定重试次数。在本实施例中取z＝1。

另外，在本实施例中，在步骤S909，从下式求参数x。

x＝|Pw(even)-Pw(odd)|/(Pw(even)+Pw(odd))/2

但是，本发明不限于上式，可以是能够以任何形式表示偶数长标记的最佳功率和奇数长标记的最佳功率的差的公式。

在本实施例中，因为不是脉冲宽度可变的驱动器，所以在步骤S911判定为No，但是在使用脉冲宽度可变的驱动器的场合，在步骤S912能够使脉冲宽度变化。例如，在像本实施例这样，在Pw(even)＜Pw(odd)的场合，可以是在追记型介质中扩宽奇数长标记的脉冲宽度的方向。在追记型介质中与一般的照射能量成比例标记变大。因此，通过扩宽脉冲宽度，可以降低记录功率，结果，可以取接近Pw(even)的功率。相反，使Pw(even)的脉冲宽度变窄也有同样的效果。另外，在可改写型介质中，可以是使奇数长标记的脉冲宽度变窄的方向。在可改写相变介质中，产生称为再结晶化的熔融区域的结晶化。脉冲宽度展宽的话，此时结晶化变得急剧，通过注入过多的能量有时使振幅变小。此时，通过使脉冲宽度变窄可以使振幅变大。优选脉冲宽度以1ns左右的单位变化。这成为大体相当于激光器的上升时间或者下降时间的时间。或者也可以以Tw/16等用n分割Tw的单位使脉冲可变，哪一种场合都可以吸收介质的加载分散或者激光驱动器的个体分散。

在本实施例中，从调制度实质成为0的记录功率P0设定Pw，但是通过求调制度不成为0、而成为规定的调制度的记录功率Pw’，用常数p’乘Pw’来求Pw的方法也可以。图26表示一例。在图26中，表示取规定的调制度为30％的场合的试写方法。

在本实施例中，说明了激光驱动器不具有希望的记录功率级设定个数的场合，但是图13、图26所示的试写方法作为能够设定希望的记录功率级的驱动器中的试写方法也可以使用。在这一场合，成为在把不能保证记录性能的粗劣的光盘介质插入驱动器中时作为NG而吐出的方法。

第八实施例

在第七实施例中，叙述了在只具有1级Pw的驱动器中使用2T系策略的情况。在本实施例中叙述在具有2级Pw的驱动器中使用3T系策略的情况。在Pw级可以设定2值的驱动器中，2T系策略可以给偶数长标记和奇数长标记各自分配记录功率，但是在使用3T系策略的场合，不能给3种记录模式各自分配记录功率级。即使在这样的场合，也可以在和图13同样的流中设定记录功率。例如，在可以设定Pw(A)和Pw(B)的2值的记录功率的驱动器中，使用图14说明使用3T策略的场合的一例。

光盘使用可10倍速记录的改写型DVD，驱动器使用和第一实施例同样的驱动器。从步骤S1101到步骤S1111因为和在第二实施例中说明的流程图相同，所以在这里省略。因为在第二实施例中使用的驱动器可以具有3值的记录功率级，所以分别设定在步骤S1105、步骤S1108、步骤S1111中求得的3种记录模式的最佳功率，可以在实际的记录中使用。但是，在这里因为使用仅能设定2值Pw级的驱动器，所以不能对于3种记录模式全部分配最佳功率级。因此，在步骤S1112，求3种记录模式中的最佳功率的平均功率Pw(y)，在步骤S1113中，在3种记录模式的最佳记录功率Pw(3LT)＝57.7mW、Pw((3L-1)T)＝54.0mW、Pw((3L-2)T)＝56.3mW中，判定成为离开Pw(y)最远的值的记录模式A。在本实施例中，Pw(y)＝56.0mW，各记录模式的记录功率和Pw(y)的差，Pw(3LT)是1.7mW、Pw((3L-1)T)是2.0mW、Pw((3L-2)T)是0.3mW，可以明白，具有最远记录功率的记录模式A是由nT＝(3L-1)T标记组成的记录模式(步骤S1113)。

接着在步骤S1114，把记录模式A的记录功率Pw(A)作为成为由nT＝(3L-1)T标记组成的记录模式的记录功率Pw((3L-1)T)设定为54.0mW，在步骤S1115中，使用由nT＝3LT标记和nT＝(3L-2)T标记组成的记录B，改变功率进行记录。其结果，在步骤S1116，作为抖动成为最小的Pw(B)得到56.7mW。此时的抖动是6.8mW。在步骤S1117，nT＝(3L-1)T标记作为记录功率Pw(A)设定为54.0mW，nT＝3LT标记以及nT＝(3L-2)T标记作为记录功率Pw(B)设定为56.7mW，使用随机模式进行记录。其结果，可以得到抖动为7.2mW、在实用上没有问题的记录性能。在步骤S1118判定“Yes”，试写结束。

在本实施例所示的步骤S1116(图14)中，取Pw(B)成为抖动最小值的Pw，但是为简便起见，也可以作为2种记录模式的最佳功率的平均值。再有，使用在PRML中使用的级抖动也同样。或者可以使用在第七实施例中所示那样的从Typel到Type5所示那样的计算公式，也可以使用不均匀性或者β把各自的nT＝3LT标记的最小标记和nT＝(3L-2)T标记的最小标记的β大体成为相同的记录功率设定为Pw(B)(图15)。在本实施例中使用最小标记是3T、最长标记为14T的调制方式，具体说，nT＝3LT标记的最小标记成为3T标记、nT＝(3L-2)T标记的最小标记成为4T标记。在步骤S1116中的Pw(B)的选择方法，也可以用使用的介质和驱动器的符合性决定。

在图14中，从调制度成为0的记录功率P0求记录功率Pw，但是在图27中表示在把β大体成为10％的功率设定为Pw的场合的试写方法的一例。图27的步骤S1703、S1705、S1707中使用的试写模式，分别使用由nT＝3LT组成的标记形成的记录模式、由nT＝(3L-2)T组成的标记形成的记录模式、由nT＝(3L-1)T组成的标记形成的记录模式3种。但是，本发明不限定于这种试写模式。例如如在第六实施例中所示，也可以使用由在各记录模式的最短标记和各记录模式中共同的标记长度组成的试写模式，具体说可以使用，在步骤S1703中作为最短标记的3T标记和作为共同标记的11T标记、以及从3T到11T的长度的空白构成的记录模式；在步骤S1705中作为最短标记的4T标记和作为共同标记的11T标记、以及从3T到11T的长度的空白构成的记录模式；在步骤S1707中作为最短标记的5T标记和作为共同标记的11T标记、以及从3T到11T的长度的空白构成的记录模式。另外，在图27中，取β为10％时的记录功率作为各记录模式的Pw，但是β的值，有时根据介质或驱动器的不同最佳值不同。优选根据介质的种类或者驱动器的特性等设定β的值。

第九实施例

本实施例说明在上述实施例中执行的试写或者进行实际记录时的装置。这里，作为装置的一例，表示如第一实施例那样的2T系策略的装置。图16、图17以及图18表示装置的整体图。记录数据，用编码电路变换为记录代码，在合成电路中与由同步信号发生电路发生的同步信号合成，输入到脉冲变换电路中。接着，使用脉冲变换电路变换为脉冲数据，用记录脉冲整形电路整形为脉冲状，驱动光源。至此，图16、图17以及图18是共同的。

图16表示具有2值记录功率级、分类偶数长标记和奇数长标记发生记录模式、具备偶奇分类试写模式发生电路的装置。偶奇分类试写模式发生电路分别发生由偶数长标记组成的试写用记录模式和奇数长标记组成的试写用记录模式，在盘中记录。记录的信号在检测电路中被检测，在重放电路中评价记录性能，在重放特性存储单元中存储记录条件和记录性能的关系。其后，使用记录功率调整电路决定下次的记录功率，返回到记录脉冲整形电路。此外，在图16中，说明了偶奇分类试写模式发生电路，但是对于检测窗口宽度的自然数n倍长度的标记，只要是按照用大于等于2的整常数除n的余数进行分类的试写模式发生电路即可。这样，求各记录模式中的最佳记录功率，在实际的记录中，在奇数长标记、偶数长标记中设定各自的记录功率。

图17表示作为使用2T系策略的场合的记录功率级的设定值是单值的装置的结构图(一例)。是如第七、第八实施例那样的、记录功率的设定级值比记录模式数少的场合的装置结构的一例。和图16相同，分别发生2种记录模式在盘中存储，检测记录的信号，在重放电路中评价记录性能。在设定2种记录功率的最佳值后，在判定电路中使用在判定式记录电路中记录的判定式，对于2种记录模式的记录功率进行判定，在记录功率的判定值小于等于规定值的场合，使用在记录功率计算公式存储电路中存储的计算公式在记录功率调整电路中调整最佳记录功率。另外，其特征为具有在记录功率的判定值比规定值大的场合，判断为写错误，显示不能记录的功能。在图17中，表示对于2T系策略(2个记录模式)具有单值的记录功率设定级的装置的一例，但是对于n个记录模式具有不到n个的记录功率设定级的装置也同样可以适用。

图18表示不用偶数长和奇数长区分试写用记录模式、利用随机信号时的装置的结构图(一例)。在试写中，记录的随机信号在检测电路中被检测，其后使用偶奇分类电路分类为偶数长标记和奇数长标记。图18中的特征是具备偶数长标记、奇数长标记各自专用的重放电路、重放特性存储单元、记录功率调整电路。这些电路可以在一个电路中容易地实现。另外也容易增加到大于等于两个的多个。另外，在图18中说明了偶奇分类电路，但是对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记，按照用大于等于2的整常数除n的余数进行分类的分类电路也同样可以适用。在重放特性存储电路中可以存储调制度、β等诸特性的重放特性。

本发明涉及一种试写方法，其用于设定在光学信息记录介质上记录信息的记录条件，其中，

对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记，按照用大于等于2的整常数除n的余数生成对记录符号序列中的标记长进行分类的记录模式，

选择所述记录模式中的任意的记录模式A，设定其他的记录模式的记录功率，以使成为与通过规定的方法设定的记录模式A的记录功率Pw(A)中的调制度mod(A)大体相同的值。

如上所述的试写方法，其中，

所述规定的方法，对于所述记录模式A，变化记录功率进行记录重放，根据调制度和记录功率的关系求调制度成为0的记录功率P0(A)，把用常数p乘P0(A)的值设定为记录模式的记录功率Pw(A)。

本发明还涉及一种试写方法，其用于设定在光学信息记录介质上记录信息的记录条件，其中，

选择所述记录模式中的任意的记录模式A，通过规定的方法设定所述记录模式A的记录功率Pw(A)，使所述记录模式A取所述记录功率Pw(A)、而且使其他记录模式的记录功率在包含Pw(A)的一定范围内变化进行试写，设定其他记录模式的记录功率。

如上所述的试写方法，其中，

所述一定的范围是a×Pw(A)≤Pw≤b×Pw(A)，0.8≤a≤1.0，1.0≤b≤1.2。

如上所述的试写方法，其中，

计算所述记录模式A的所述记录功率Pw(A)中的调制度，

计算所述其他记录模式的、使用所述记录功率Pw(A)时的调制度，

比较所述Pw(A)中的调制度和所述其他记录模式的调制度，

根据所述比较结果，改变记录功率变化的范围进行试写。

此外，本发明还涉及一种试写方法，其用于设定在光学信息记录介质上记录信息的记录条件，其中，

使用所述记录模式中的任意的记录模式A进行试写，求记录功率，用常数q乘该记录功率或者加上常数r求其他方的记录模式的记录功率。

另外，本发明还涉及一种试写方法，其用于设定在光学信息记录介质上记录信息的记录条件，其中，

生成包含检测窗口宽度的自然数n倍长的奇数长最小标记的第一记录模式和包含检测窗口宽度的自然数n倍长的偶数长最小标记的第二记录模式，

计算奇数长最小标记的不均匀性或者β或者γ、偶数长最小标记的不均匀性或者β或者γ，为使这些值成为大体相同，分别设定用于记录所述第一记录模式的记录功率Pw(odd)和用于记录所述第二记录模式的记录功率Pw(even)。

如上所述的试写方法，其中，

所述第一记录模式和所述第二记录模式包含相同标记长度的标记，根据所述相同标记长度的标记计算所述不均匀性或者β或者γ。

此外，本发明涉及一种试写方法，其用于设定在光学信息记录介质上记录信息的记录条件，其中，

对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记，区分按照用大于等于2的整常数除n的余数对记录符号序列中的标记长进行分类的m(m是大于等于2的自然数)个记录模式，使用具有记录功率可设定级值比m个小的激光驱动器的驱动器进行记录，

该方法具有如下步骤：

在对于m个记录模式求各自的最佳记录功率后，按照某一判定公式求m个记录模式的各记录功率的分散程度的步骤，

在该分散程度在小于等于规定的数值时按照计算公式设定共同最佳功率Pw(opt)的步骤，

在比规定的数值大时，在脉冲宽度可变的驱动器中变化脉冲宽度，在脉冲宽度不可变的驱动器中作为写错误不记录信息的步骤。

对于所述记录模式的每一个，变化记录功率进行记录重放，根据调制度和记录功率的关系分别求所述调制度成为a％(其中0＜a)的记录功率Pw’，把用常数p’乘Pw’的值设定为所述各记录模式的记录功率。

如上所述的试写方法，其中，

在所述各记录模式中设定的记录功率中，使用所述分类的记录模式混存的确认模式进行试写，进行所述各记录模式的记录功率的微调整。

如上所述的试写方法，其中，

所述分类的记录模式是由偶数长标记组成的记录模式和由奇数长标记组成的记录模式。

如上所述的试写方法，其中，

所述分类的记录模式是由nT＝3LT(L是脉冲数，T是检测窗口宽度)组成的标记形成的记录模式、由nT＝(3L-2)T组成的标记形成的记录模式和由nT＝(3L-1)T组成的标记形成的记录模式。

如上所述的试写方法，其中，

所述分类的记录模式是由nT＝4LT(L为脉冲数，T为检测窗口宽度)组成的标记形成的记录模式、由nT＝(4L-2)T组成的标记形成的记录模式、由nT＝(4L-1)T组成的标记形成的记录模式和由nT＝(4L+1)T组成的标记形成的记录模式

本发明涉及一种信息记录装置，其具有：

在记录介质上记录为决定记录功率的试写模式的试写模式记录单元，

检测记录的所述试写模式的检测电路，

重放记录的所述试写模式的重放电路，

判定所述试写模式的重放特性的判定电路，

用于在所述判定电路中判定为不能记录的场合显示写错误的电路，

在所述判定电路中判定为能记录的场合根据来自所述检测电路的信号、调整记录功率的记录功率调整电路，

所述试写模式记录单元是记录对于检测窗口宽度的自然数n倍长的标记、按照用大于等于2的整常数除n的余数对记录符号序列中的标记长进行分类的记录模式的单元，

所述记录功率调整电路，对于所述分类的每一记录模式设定记录功率。

Claims

1.试写方法，对光学信息记录介质设定记录条件，该记录条件用于使用包含偶数长标记和奇数长标记的记录符号序列来记录信息，其特征在于，

生成两个试写记录模式，即由偶数长标记构成的记录模式和由奇数长标记构成的记录模式，

对于每一所述试写记录模式，变化记录功率进行记录重放，

根据调制度和记录功率的关系求所述调制度实质成为0的由偶数长标记构成的记录模式的记录功率P0以及所述调制度实质成为0的由奇数长标记构成的记录模式的记录功率P0，

把用常数p乘所述由偶数长标记构成的记录模式的记录功率P0的值设定为对于所述由偶数长标记构成的记录模式的记录功率，把用常数p乘所述由奇数长标记构成的记录模式的记录功率P0的值设定为对于所述由奇数长标记构成的记录模式的记录功率，

使用该设定的两个记录功率，决定对于所述记录符号序列的记录功率的最佳值。

2.权利要求1所述的试写方法，其特征在于，

预备多个用于决定所述记录功率最佳值的计算公式，包括：

Type1Pw(opt)＝Pw(even)

Type2Pw(opt)＝Pw(odd)

Type3Pw(opt)＝(Pw(even)+Pw(odd))/2

Type4Pw(opt)＝Max(Pw(even)，Pw(odd))

Type5Pw(opt)＝Min(Pw(even)，Pw(odd))，

根据所述光学信息记录介质的特性选择所述计算公式，决定所述记录功率的最佳值，其中，

Type1是重视偶数长标记的计算公式，适合于最小标记取2T标记的调制方式的场合；Type2是重视奇数长标记的计算公式，适合于最小标记采用3T标记的调制方式的场合；Type3是把Pw(even)和Pw(odd)的平均功率作为最佳功率Pw(opt)，具有使记录时的分散变小的优点；Type4是从Pw(even)和Pw(odd)中选择大的记录功率计算最佳功率Pw(opt)的计算公式，在使用希望得到S/N低调制度的介质时等重视S/N的场合，Type4适合；Type5是从Pw(even)和Pw(odd)中选择小的记录功率计算最佳功率Pw(opt)的计算公式。

3.权利要求1所述的试写方法，其特征在于，

所述常数p为1.5≤p≤3.0。

4.权利要求1所述的试写方法，其特征在于，

所述常数p为2.0≤p≤2.8。

5.权利要求2所述的试写方法，其特征在于，

具有验证对于所述决定的记录功率最佳值的记录性能的验证步骤。

6.权利要求5所述的试写方法，其特征在于，

若所述验证步骤的结果是记录性能不充分，则不使用所述光学信息记录介质来记录。

7.信息记录装置，对于光学信息记录介质，使用包含偶数长标记和奇数长标记的记录符号序列来记录信息，其特征在于，具有：

在记录介质上记录用于决定记录功率的试写模式的试写模式记录单元，

检测记录的所述试写模式的检测电路，

根据来自所述检测电路的信号，调整记录功率的记录功率调整电路，

所述试写模式记录单元是记录由偶数长标记构成的记录模式和由奇数长标记构成的记录模式两个试写记录模式的单元，

所述记录功率调整电路，对于所述两个试写记录模式的每一个，根据调制度和记录功率的关系求所述调制度实质成为0的由偶数长标记构成的记录模式的记录功率P0以及所述调制度实质成为0的由奇数长标记构成的记录模式的记录功率P0，

8.权利要求7所述的信息记录装置，其特征在于，具有：

记录功率计算公式存储单元，其存储多个用于决定所述记录功率的最佳值的计算公式，包括：

Type1Pw(opt)＝Pw(even)

Type2Pw(opt)＝Pw(odd)

Type3Pw(opt)＝(Pw(even)+Pw(odd))/2

Type4Pw(opt)＝Max(Pw(even)，Pw(odd))

Type5Pw(opt)＝Min(Pw(even)，Pw(odd))；和

判定单元，其根据所述光学信息记录介质的特性选择所述计算公式，决定所述记录功率的最佳值，其中，

9.权利要求8所述的信息记录装置，其特征在于，

所述判定单元，执行验证对于所述决定的记录功率最佳值的记录性能的验证步骤。

10.权利要求9所述的信息记录装置，其特征在于，

若所述判定单元的验证结果是记录性能不充分，则不使用所述光学信息记录介质来记录。