CN100399433C - 光记录方法和光记录装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供在具有多个单位记录层的光记录介质的任一单位记录层中均能够获得良好的记录特性和改写特性的光记录方法、光记录装置和光记录介质。在具有多个单位记录层的相变型光记录介质中，在离开光的入射面最靠近里面的第1单位记录层(D1)上记录时采用记录脉冲串(1)；在第1单位记录层以外的第2单位记录层(D0)上记录时采用记录脉冲串(2)。记录脉冲串(2)具有：记录脉冲(Ttop、Tmp)，它从清除功率(Pe)起上升，至少具有比清除功率大的记录功率(Pw)；冷却脉冲(Tcl)，它具有比清除功率小的最低功率；以及清除起始脉冲(Tet)，它具有比清除功率大的清除起始功率(Pet)。

Description

光记录方法和光记录装置

技术领域

本发明涉及通过照射光(例如激光)来进行信息的记录、清除、重放的光记录介质的光记录方法、光记录装置和光记录介质。尤其，本发明提供在以增大容量为目的的多层型光盘、光卡等可改写的多层型相变型记录介质中能够获得良好的记录特性和良好的重复改写特性的光记录方法、光记录装置和光记录介质。

背景技术

所谓相变型光记录介质是指如近几年的CD-RW、DVD-RW和DVD-RAM那样，利用晶相和非晶相的可逆变化现象，能够改写信息的介质。其中，DVD-RW和DVD-RAM主要用于像图像信息那样的信息量大的记录、改写。并且，近几年对于作为视频记录器或微机用记录介质而迅速普及的相变型光记录介质，除了要求具有优良的记录特性、优良的改写特性外，从长时间录像或大容量数据保管的方面出发还要求高密度记录。

增大上述相变型记录介质的记录容量的方法之一是减小记录信号、提高单位面积的记录密度。减小记录信号的方法，已知的方法是减小记录中使用的激光的波长，或者增大物镜的数值孔径(NA)。

例如，作为采用该方法的实例有蓝光(Blu Ray)盘，在DVD盘中，作为4.7GB/面的记录容量已提高到23GB。为提高该容量而采用了蓝光盘的录放装置，采用405nm的激光来代替DVD中采用的波长660nm的激光，使物镜的NA也从0.60增大到0.85。

作为增大相变型光记录介质的记录容量的另一方法，也提出了多层重叠形成记录膜的记录介质的多层化(多层型介质)。采用了2层记录膜的DVD-ROM已在市场上普及，正在研究把与此相同的观点应用到一次记录(补充记录)型和改写型记录介质(DVD-R、DVD-RW)等中的方案。利用这样的多层型介质，能够使2层的记录容量约达到2倍，使4层的记录容量约达到4倍。

近几年，重叠了有机色素记录膜的、追记型2层记录介质，例如DVD+R、双层(DL)盘已经商品化。这样，在多层高密度化的情况下，所用的激光波长也可以是长波长，透镜NA也可以是过去的低数值孔径，所以，能够利用过去的拾波器进行录放，其优点是能够降低录放装置的价格。

过去的可改写的记录膜形成了一层的相变型光记录介质(单层型光记录介质)的结构和记录方法如下。

单层光记录介质的结构如下：在将照射具有录放或清除用各功率的激光的面作为底面的基板上，至少依次淀积介质膜、记录膜、介质膜、反射膜。在这样构成的单层型光记录介质中，记录时根据记录信息用预定功率的激光把记录脉冲施加(照射)到记录层上，并对记录层进行熔化，急剧冷却，从而形成非晶的记录标记。该记录标记的反射率比结晶状态的记录层的反射率低，所以，能够用光学方法把记录标记作为记录信息读出。在清除该记录标记的情况下，利用比记录功率小的一定功率(清除功率)的激光进行照射，来使记录层达到结晶化温度以上且熔点以下的温度，通过从非结晶状态达到结晶状态，能够消除清除和重写记录标记。

多层的相变型光记录介质(多层型记录介质)的基本结构和上述单层型光记录介质一样，在基板上形成2层以上的至少由介质膜、记录膜、介质膜、反射膜构成的单位记录层。

在特开2003-45085号公报(专利文献1)中，记载了这样一种记录介质，即在将具有相变型记录层多层层压了的信息层的相变型光记录介质中，通过对构成信息层的保护层及散热层的膜厚和热传导率进行控制，来使其具有良好的清除性能。如专利文献1所述，3T标记的C/N比较良好。然而，根据本发明人的研究表明，即使对保护层、散热层的膜厚和导热率进行控制，实际数据记录所用的调制信号例如8-16调制的随机信号的记录中，仍不能获得良好的改写特性。

再者，如特开2003-6923号公报(专利文献2)所述，即使把保护层的导热率设为50W/m.deg以上，或者如特开2003-242687号公报(专利文献3)所述，选择立方晶氮化硼制作构成接近激光入射面的单位记录层的、淀积在反射层上的散热层，但是根据本发明人的研究，仅能够获得专利文献2、3所述的效果，但对于上述那样的随机信号记录仍不能获得良好的效果。

并且，在特开2003-22572号公报(专利文献4)中，把构成保护层材料的元素定为Al、Si、N，进行随机信号记录评价，但本发明人的研究表明，不能够获得良好记录特性和改写特性。

本发明在专利文献1～4中所述多层相变型光记录介质的验证中所使用的记录脉冲串，与单层型光记录介质的记录中所使用的过去的记录脉冲串相同，把过去的记录脉冲串称为记录脉冲串1。在图19中示出形成3T和5T记录标记的记录脉冲串1。记录脉冲串1例如是特许第3266971号(专利文献5)中所述的公知形式，相对于所需的标记长度，调制成高功率(Pw)脉冲和低功率(Pb)脉冲。

并且，即使利用DVD-RW Ver1.2中所预定的、2T多脉冲方法和DVD-RAM 5X-SPEED Optional Book中所预定的非多脉冲策略记录脉冲串，尤其离激光入射面最深处形成的单位记录层以外的单位记录层的记录特性和改写特性也并不良好。

再者，在相变型光记录介质中，对激光的施加进行控制，对记录层进行加热、冷却，以此进行记录和清除。但若是具有多个记录层的多层型记录介质，则在离激光入射面最深处形成的单位记录层(最里层)以外的单位记录层(高透射层)，必须使记录和清除中使用的激光波长的透射率高。因此，本发明人已查明，构成高透射层的记录膜和反射膜较薄，在高透射层内使用与最里层相同的记录脉冲串的过去的记录方法的情况下，不能够获得充分的记录特性；并且改写特性不够理想。

<专利文献1>特开2003-045085号公报；

<专利文献2>特开2003-006923号公报；

<专利文献3>特开2003-242687号公报；

<专利文献4>特开2003-022572号公报；

<专利文献5>特许第3266971号公报。

如上所述，在多层型记录介质中，离激光入射面最深处的最里层以外的单位记录层即高透射层具有薄的记录膜和反射膜，所以，用过去的记录方法，很难充分确保记录特性和改写特性。

发明内容

因此，本发明是为了解决上述问题而提出的方案，其目的在于提供那种无论在具有多个单位记录层的光记录介质的哪一单位记录层中，均能获得良好的记录特性和改写特性的光记录方法、光记录装置和光记录介质。

为了解决上述问题，本发明提供以下(a)～(h)的光记录方法、光记录装置和光记录介质。

(a)一种光记录方法，在将具有相变记录膜(103、108)的单位记录层多层层压了的光记录介质D记录记录信息，其特征在于，包括：

调制步骤，对上述记录信息进行调制，生成调制数据；

标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成所需的标记长度；以及

记录步骤，根据上述标记长度，对上述记录膜照射记录光，并记录表示上述记录信息的记录标记，

上述记录步骤如下：

在离入射上述记录光的上述光记录介质的入射面最深处的第1单位记录层(D1)上记录记录标记时，生成第1记录脉冲串，并照射与上述第1记录脉冲串对应的记录光，所述第1记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少部分记录功率比上述清除功率大；以及冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率；

在上述第1单位记录层以外的第2单位记录层(D0)上记录记录标记时，生成第2记录脉冲串，并照射与上述第2记录脉冲串对应的记录光，该第2记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少部分记录功率比上述清除功率大；冷却脉冲，从比上述清除功率小小的最低功率上升到上述清除功率；以及清除起始脉冲，上升到比上述清除功率大的清除起始功率，又下降到上述清除功率。

(b)如(a)所述的光记录方法，其特征在于：上述第2记录脉冲串，当上述记录功率为Pw，上述清除起始功率为Pet时，满足0.4≤Pet/Pw≤1.5的关系。

(c)如(b)所述的光记录方法，其特征在于：上述第2记录脉冲串的上述记录脉冲包括从上述清除功率起向上述记录功率Pw上升的起始脉冲Ttop、以及在上述记录功率Pw和上述最低功率之间形成的多脉冲Tmp，当上述多脉冲Tmp的1个脉冲的施加时间即多脉冲宽度、以及上述第2记录脉冲串的上述清除起始脉冲Tet的1个脉冲的施加时间即清除起始脉冲宽度之比为Tet/Tmp时，满足0.4≤Tet/Tmp≤1.2的关系。

(d)一种光记录装置，在将具有相变记录膜(103、108)的多个单位记录层多层层压了的光记录介质上，利用光来记录记录信息，其特征在于：

编码器(42)，对上述记录信息进行调制，生成调制数据；

标记长度生成部(41)，根据上述调制数据来生成所需的标记长度；

指示部(45)，把写入上述记录信息的单位记录层指示为离上述光入射的上述光记录介质的入射面最深处的第1单位记录层(D1)、或上述第1单位记录层以外的第2单位记录层(D0)；

聚焦、跟踪控制部(35)，控制向上述第1单位记录层或上述第2单位记录层的聚焦和跟踪；以及

记录部(400)，在上述第1单位记录层上记录基于上述标记长度的记录标记时，生成第1记录脉冲串，并照射与上述第1记录脉冲串对应的光，该第1记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少局部记录功率比上述清除功率大；以及冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率，

在上述第2单位记录层上记录基于上述标记长度的记录标记时，生成第2记录脉冲串，并照射与第2记录脉冲串对应的光，该第2记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少局部记录功率比上述清除功率大；冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率；以及清除起始脉冲，上升到比上述清除功率大的清除起始功率，又下降到上述清除功率。

(e)如(d)所述的光记录装置，其特征在于：上述第2记录脉冲串中，当设上述记录功率为Pw，上述清除起始功率为Pet时，满足0.4≤Pet/Pw≤1.5的关系。

(f)如(e)所述的光记录装置，其特征在于：上述第2记录脉冲串的上述记录脉冲包括从上述清除功率起向上述记录功率Pw上升的起始脉冲Ttop、以及在上述记录功率Pw和上述最低功率之间形成的多脉冲Tmp，当设上述多脉冲Tmp的1个脉冲的施加时间即多脉冲宽度、和上述第2记录脉冲串的上述清除起始脉冲Tet的一个脉冲的施加时间即清除起始脉冲宽度之比为Tet/Tmp时，满足0.4≤Tet/Tmp≤1.2的关系。

(g)如(d)所述的光记录装置，其特征在于，具有：

重放部(33，34，57)，对记录在上述光记录介质上的记录信息进行重放；

测量部(45)，测量利用上述第2记录脉冲串记录的记录信息的错误率；以及

控制部(45)，将上述第2记录脉冲串的上述清除起始功率和上述清除起始脉冲的脉冲宽度设定成使得上述错误率成为最小，并对上述记录部进行控制。

发明效果

根据本发明，在具有多个单位记录层的光记录介质中的任一单位记录层中均能获得良好的记录特性和改写特性。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的光记录介质的剖面图。

图2是本发明的一实施方式的光记录介质的平面图。

图3是本发明的一实施方式的记录脉冲串2的图。

图4是表示以2T为基准的记录脉冲串2的图。

图5是表示以3T为基准的记录脉冲串2的图。

图6是表示非多脉冲的记录脉冲串2的图。

图7是本发明的一实施方式的光记录装置的框图。

图8是对记录脉冲串1和记录脉冲串2的温度上升进行比较的图。

图9是对透射率Tr进行比较的图。

图10是对实施例1和比较例1的DOW次数所对应的跳动进行比较的图。

图11是表示透射率Tr为50％时的功率比Pet/Pw和跳动的关系的图。

图12是表示透射率Tr为30％时的功率比Pet/Pw和跳动的关系的图。

图13是表示透射率Tr为70％时的功率比Pet/Pw和跳动的关系的图。

图14是表示透射率Tr为50％时的脉冲宽度比Tet/Tmp和跳动的关系的图。

图15是表示透射率Tr为30％时的脉冲宽度比Tet/Tmp和跳动的关系的图。

图16是表示透射率Tr为70％时的脉冲宽度比Tet/Tmp和跳动的关系的图。

图17是表示本发明的记录脉冲串2的其他实施方式的图。

图18是表示本发明的记录脉冲串2的其他实施方式的图。

图19是表示记录脉冲串1的一实施方式的图。

具体实施方式

<光记录介质的结构>

利用图1所示的二层的相变型光记录介质D的放大剖面图和图2所示的光记录介质D的平面图，说明本发明的具有多层单位记录层的相变型光记录介质(多层型光记录介质)的最佳实施方式。

此外，作为相变型光记录介质，可以举例DVD-RW等相变型光盘或光卡等可重复改写信息的介质。在以下的说明中，作为本发明的实施方式，用相变型光盘进行说明。不言而喻，对于具有此外的同样结构的光记录介质也能够适用本发明。

图1所示的两层的光记录介质D是两层的由包含相变记录膜的多层薄膜构成的单位记录层重叠而成的，将单位记录层D0和单位记录层D1隔着透明粘接层114贴合在一起，所述单位记录层D0形成在具有记录、重放或清除用激光入射的入射面101A的盘基板(基板)101上，所述单位记录层D1形成在具有标签面111B的基板111上。在此，激光从第1基板101的入射面101A侧照射(照射方向L)。

单位记录层D0形成在具有入射面101A的透明的第1基板101的入射面101A的反面上，由第1保护膜102、第1记录膜103、第2保护膜104、第1反射膜105、光学调整膜106和第3保护膜112依次层压而构成。

单位记录层D1形成在具有标签面111B的第2基板111的标签面111B的反面上，由第2反射膜110、第4保护膜109、第2记录膜108、第5保护膜107和第6保护膜113依次层压而构成。

透明粘接层114是单位记录层D0的第3保护膜112和单位记录层D1的第6保护膜113面对面粘接而成的层，透明粘接层114可以采用UV固化型树脂或双面粘接型薄片等。并且，透明粘接层114对记录、重放或清除用激光的波长是透明的，约20～50μm厚。

在此，在多层型光记录介质中，从记录介质的激光入射侧观看时，将位于最里面的单位记录层称为最里层，将此外的接近入射侧的单位记录层称为高透射层。所以，在图1所示的多层型光记录介质D中，单位记录层D0是高透射层，单位记录层D1是最里层，在本实施方式中，单位记录层D0称为高透射层D0，单位记录层D1称为最里层D1。

为了对最里层进行录放，高透射层必须透射激光。因此，在2层的多层型光记录介质的情况下，所用的激光的透射率在高透射层中必须达到50％以上。并且，在三层以上的多层型光记录介质中，除了最里层以外的各高透射层的透射率必须达到70％以上。而且，二层和三层以上的多层型光记录介质均不必使最里层为下一单位记录层而使激光透过。所以，记录膜和反射膜能够形成充分的厚度以确保记录特性。通过这样形成，利用在高透射层中衰减后的较弱激光，即可高效率地进行记录、重放或清除。

而且，在本实施方式中，所谓高透射是指进行记录的激光的波长的透射率Tr在30％～70％范围内的状态。

作为第1基板101和第2基板111的材料，可以采用透明的各种合成树脂、透明玻璃等。作为第1基板101和第2基板111的材料，例如是玻璃、聚碳酸酯树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃、环氧树脂、聚酰亚胺等。尤其最好采用聚碳酸酯，因为其光学性双折射、吸湿性小、容易成形。

作为第1反射膜105的厚度，如前所述若考虑向最里层D1的光透射，则其厚度最好为15nm以下。第2反射膜110的厚度，随着形成它的金属或合金的导热率的大小而变化。最好是50nm～300nm。第2反射膜110若为50nm以上，则光学性能不变，不影响反射率的值，但对冷却速度影响很大。并且，要形成300nm以上的厚度，制造时需要较长的时间，所以，采用导热率高的材料，使层厚在上述范围内。

因为记录膜和反射膜一样，光的吸收大，所以，第1记录膜103的厚度，考虑到向最深层D1内的光透射，最好其厚度为15nm以下。并且，第2记录膜108的厚度最好为10～25nm，以便能够最大限度地进行光吸收。而且，作为第1记录膜103和第2记录膜108的材料，从高速结晶和保存稳定性的观点出发，最好采用SbTe共晶类、GeSbTe化合物类、GaSb或GeSb等以Sb为主体的材料。

为了提高高透射层D0的透射率Tr，最好进一步骤提高光学调整膜106的折射率。当然，为了实现高透射率，最好使消光系数接近0。作为这样的材料，采用ZnS和SiO₂的混合物或Al₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅、TiO₂、GeN等氧化物或氮化物。并且，为了获得高透射层D0的最大限度的透射率Tr，而且从生产方面考虑，光学调整膜106的膜厚最好采用薄的膜厚。

而且，作为光记录介质D的结构，并不仅限于以上情况，也可以是：在第1基板101上，依次层压第1保护膜102、第1记录膜103、第2保护膜104、和第1反射膜105，来形成高透射层D0，并在其上面涂敷用紫外线(UV)照射而固化的树脂，压上用于转印记录沟槽的透明压膜，在此状态下用UV照射使其固化，然后，把透明压膜剥离下来。此后，也可以依次层压第5保护膜107、第2记录膜108，第4保护膜109和第2反射膜110来形成最里层D1，最后贴合第2基板111。

图2表示光记录介质D的平面图。光记录介质D具有中心孔21，在该中心孔21的外周具有夹持区22。在夹持区22的外周，在同心圆上设有信息区(引入区)23和最佳功率控制区(OPC区)25，再向外的外周区成为用于记录图像信息或声音信息等实数据的记录区24。在此，引入区23可以是ROM状态或RAM状态中的任一状态。此外，还有一种方法，即通过在用于获得跟踪信号的激光导向槽内形成高频摇动波纹或小坑，把识别信息作为重放专用记录信息来存储。

在引入区23内，记录了用于记录的记录条件，作为识别信息，以便光记录介质D获得良好的特性。识别信息例如后所述是记录参数(记录条件)等，它表示记录脉冲串信息、记录用激光的激光强度(记录功率Pw和清除功率-Pe、清除起始功率Pet等)、及其施加时间(脉冲宽度)，所述记录脉冲串信息表示在最里层和高透射层根据记录信息来形成记录标记时所使用的记录脉冲串改变的情况。再者，也可以记录光记录介质D的种类、光记录介质D的厂家信息、光记录介质D所具有的单位记录层的数和各单位记录层的透射率Tr，作为识别信息。

<光记录介质的记录方法>

在本实施方式的光记录介质D上进行记录时，对每个单位记录层采用各不相同的记录脉冲串。在本实施方式中，采用图19所示的记录脉冲串1和图3所示的记录脉冲串。图3所示的记录脉冲串称为记录脉冲串2。而且，图3所示的记录脉冲串2仅仅是一个例子。记录脉冲串2是在作为记录脉冲串1的终端的冷却脉冲Tcl的紧后面，增加了从清除功率Pe上升到高功率的清除起始功率Pet，又下降到清除功率Pe的清除峰脉冲Tet。

根据记录脉冲串2，用4值(记录功率Pw、清除功率Pe、最低功率Pb、清除起始功率Pet)的激光强度来进行调制，利用按照所需记录长度来增减脉冲数的多脉冲串，在记录膜上进行记录。激光强度是Pw＞Pe＞Pb、Pet＞Pe。

记录脉冲串2如图3所示，具有：起始脉冲Ttop，从清除功率Pe开始上升，最初按记录功率Pw往记录膜上施加激光；多脉冲Tmp，它是继起始脉冲Ttop之后的脉冲，用于交替地施加记录功率Pw和最低功率Pb；冷却脉冲Tcl，它使激光从最低功率Pb上升到清除功率Pb；以及清除起始脉冲Tet，用于最后施加清除峰功率Pet。清除起始脉冲Tet成为与各标记相对应的记录脉冲串2的终端。起始脉冲Ttop和多脉冲Tmp是用于在记录膜上形成记录标记的加热脉冲(记录脉冲)。而且，也有这样的情况，即没有多脉冲Tmp，仅用起始脉冲Ttop来形成记录脉冲串。

例如，在DVD-RW中，记录标记的标记长度有10种，即3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T。在把标记长度设定为nT的情况下，作为施加记录功率Pw的脉冲的起始脉冲Ttop和多脉冲Tmp的数一般为n或(n-1)。在图3中表示(n-1)的情况。这里，T是单位时钟，在二层型DVD中，在1倍速时(盘旋转速度：3.84m/s)为1T＝38.2ns；在4倍速度时(盘旋转速度：15.4m/秒)为1T＝9.6ns。

并且，近几年，随着高速化记录，单位时钟T缩短为数毫微秒级，所以考虑到激光的上升、下降响应极限，也可以采用图4所示的以2T为基准的记录脉冲串和图5所示的以3T为基准的记录脉冲串。在图4、图5中，示出记录8T、9T标记的记录脉冲串。并且，在形成高倍速的记录介质(DVD-R的4倍速度)等的情况下，根据记录膜的材料不同，也可以采用图6所示的非多脉冲型记录脉冲串。

在图6中表示3T和5T标记的记录脉冲波形。非多脉冲型的记录脉冲串是仅由从清除功率Pe开始上升施加记录脉冲Pw的起始脉冲Ttop、从最低功率Pb开始上升施加清除功率Pe的冷却脉冲Tcl构成的记录脉冲串，或者是后述的非多起始脉冲Tfp和位于冷却脉冲Tcl紧前面的非多后端脉冲Tlp之间从清除功率Pe起施加记录功率Pw之间的一定值的记录脉冲串。3T标记的记录脉冲串包括起始脉冲Ttop、冷却脉冲Tcl和清除起始脉冲Tet。5T标记记录脉冲串包括以下脉冲：非多起始脉冲Tfp，它使激光从清除功率Pe开始上升，施加记录功率Pw，接着施加比记录功率Pw小、比清除功率Pe大的第2记录功率Pw2；非多后端脉冲Tlp，之后从第2记录功率Pw2开始施加记录功率Pw；以及冷却脉冲Tcl和清除起始脉冲Tet。

<光记录装置>

图7表示用于在光记录介质D上照射具有所需的记录脉冲串的激光的本发明的光记录装置的一实施方式。

首先，主轴马达31使光记录介质D旋转。旋转控制部32控制主轴马达31的转速，使记录线速度达到与目的记录速度相适应。并且，光记录介质D的录放或清除所使用的半导体激光器(LD)33、对LD33的激光进行聚光照射的物镜(未图示)、以及例如具有4分割的受光元件(未图示)的光头34，在光记录介质D的半径方向上移动自由地设置。

而且，作为本实施方式的光记录装置中所使用的记录用光源，最好是像激光、闪光灯光那样的高强度光源。其中，半导体激光较好，因为它能够使光源小型化，功耗小，容易调制。

光头34的4分割受光元件接收从LD33向光记录介质D照射的激光的反射光。根据4分割受光元件所接收的光，由信号生成部57生成推挽信号，输出到摆动检测部36。并且，根据4分割受光元件所接收的光，由信号生成部57把聚焦误差信号和跟踪误差信号输出到驱动控制器44。再由信号生成部57生成4分割受光元件的合成信号即重放信号(RF信号)，并输出到反射率检测部46和驱动控制器44。

驱动控制器44根据由信号生成部57供给的聚焦误差信号和跟踪误差信号，来控制致动器控制部35。致动器控制部35控制光头34的聚焦和跟踪。

驱动控制器44也控制旋转控制部32、摆动检测部36、地址解调电路37、记录时钟生成部38。

由系统控制器45来控制驱动控制器44及各部分。

摆动检测部36具有可编程带通滤波器(BPF)361，把检测出的摆动信号输出到地址解调电路37内。地址解调电路37从被检测出的摆动信号中解调出地址信息并输出。输入被解调的地址信息的记录时钟生成部38具有PLL合成电路381，它生成记录通道时钟，输出到记录脉冲生成部39和脉冲数控制控制部40。

在此，详细叙述录放装置中的光记录介质D的重放动作。

当在记录区24内已记录了信息的光记录介质D安装到录放装置的安装部58时，由旋转控制部32来控制主轴马达31的转速，使光记录介质D的转速达到与目的记录速度相对应的记录线速度。光头34的LD33向引入区23照射微弱的读取(重放用)激光，光头34把由4分割受光元件所接收的反射光供给到信号生成部57。LD33、光头34和信号生成部57作为从光记录介质D重放记录信息的重放部而动作。

信号生成部57根据反射光来生成重放信号，供给到反射率检测部46内。反射率检测部46对该反射率变化趋势的正负进行判断，识别出是最里层，还是高透射层。再者，使光头34和光记录介质D上下移动，把焦点对准到目的记录膜上。致动器控制部35作为聚焦、跟踪控制部而动作，以便控制光头34在构成光记录介质D的各记录膜上的聚焦、以及对形成在各记录膜上的轨迹的跟踪。

接着，由光头34把来自记录区24的受光信号输出到信号生成部57，由信号生成部57生成并输出重放信号。重放信号由未图示的解调部解调并输出。同时，摆动检测部36利用从信号生成部57供给的径向推挽信号来检测摆动信号和LPP信号，输出到地址解调电路37。

地址解调电路37对LPP信号进行解调来取得地址信息，输出到驱动控制器44。

以下，说明涉及录放装置中的光记录介质D的记录的结构和动作。

若在记录区24内具有未记录部的光记录介质D安装到录放装置的安装部58中，则光头34的LD33把读取(重放用)激光照射到引入区23上，由光头34把由4分割受光元件所接受的反射光供给到信号生成部57内。信号生成部57根据反射光来生成重放信号；并把对重放信号进行了解调的识别信息供给到系统控制器45。识别信息如已叙述的那样，包括记录脉冲串信息和表示记录参数等的信息，本实施方式的记录脉冲串信息包括如下信息：对最里层D1的记录采用记录脉冲串1，对高透射层D0的记录采用记录脉冲串2。

系统控制器45把识别信息写入到存储器451内，根据该识别信息来控制驱动控制器44。驱动控制器44根据来自系统控制器45的控制，来对致动器控制部35、摆动检测部36和地址解调电路37进行控制。

在光记录介质D进行记录时，系统控制器45作为指示把记录信息写入到高透射层D0、最里层D1中的某一单位记录层中指示部而动作。接着，反射率检测部46判断单位记录层的反射率变化趋势的正负，识别是最里层D1还是高透射层D0，致动器控制部35控制光头34对接受了写入指示的单位记录层的聚焦和跟踪。

光头34把记录用激光照射到光记录介质D上。驱动控制器44把由摆动检测器36供给的摆动信号输出到记录时钟生成部38。并且，把由地址解调电路37供给的地址信息输出到系统控制器45。

输入被解调的地址信息的记录时钟生成部38具有PLL合成器电路381，生成记录通道时钟，并输出到记录时钟生成部39和脉冲数控制部40。

系统控制部45控制EFM+编码器42、标记长度计算器41、和脉冲数控制部40。再者，系统控制部45根据识别信息来控制记录脉冲串控制部39和LD驱动部43，该识别信息表示：上述最里层D1在记录时采用记录脉冲串1，高透射层D0在记录时采用记录脉冲串2。

EFM+编码器42对已输入的记录信息进行8-16调制并作为调制数据，输出到记录脉冲串生成部39和标记长度计算器41。标记长度计算器41作为根据调制数据来对预定的标记长度进行计数的标记长度生成部而动作，把该计数值输出到记录脉冲串生成部39和脉冲数控制部40。脉冲数控制部40根据供给的计数值和记录通道时钟来对记录脉冲串生成部39进行控制，使记录脉冲成为预定脉冲。

记录脉冲串生成部39具有：起始脉冲控制信号生成部39t、多脉冲控制信号生成部39m、冷却脉冲控制信号生成部39c和清除起始脉冲控制信号生成部39et。

起始脉冲控制信号生成部39t生成起始脉冲控制信号；多脉冲控制信号生成部39m生成多脉冲控制信号；冷却脉冲控制信号生成部39c生成冷却脉冲控制信号；清除起始脉冲控制信号生成部39et生成清除起始脉冲控制信号。

各控制信号供给到LD驱动部43，开关部431根据供给的控制信号来对记录功率Pw的驱动电流源431w、清除功率Pe的驱动电流源431e、最低功率Pb的驱动电流源431b、清除起始功率Pet的驱动电流源431et进行开关，生成记录脉冲串。

Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e、Pb驱动电流源431b和Pet驱动电流源431et，根据存储在系统控制器45的存储器451中存储的记录功率Pw、清除功率Pe、最低功率Pb和清除起始功率Pet，向光头34内供应电流。这4个值是用于使光记录介质D的记录特性达到良好的最佳值。表示该最佳值的识别信息预先存储在存储器451中，或者通过更新存储。而且，存储器451例如是ROM(只读存储器)或能够记录的RAM(随机存取存储器)。

但是，本实施方式的光记录装置能够对应于光记录介质D的高线速度(高倍速)化而设定从多个记录线速度中选择的记录线速度。系统控制器45当输入用于选择记录线速度(倍速方式)的指示信号时，根据存储器451内所存储的已指示的记录线速度中的识别信息，与上述方式一样地控制Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e、Pb驱动电流源431b和Pet驱动电流源431et。在存储器451内，按上述方式进行存储有多个记录线速度中的识别信息。

已生成的记录脉冲串输入到光头34。通过控制成使LD33输出具有所需记录脉冲串和功率的LD发光波形，光头34把记录信息记录到光记录介质D上。

记录脉冲串生成部39、LD驱动部43和光头34作为记录部400动作，即根据由标记长度计算器41生成的标记长度，生成记录脉冲串1、2，根据记录脉冲串1、2把记录光从LD33照射到记录膜上，从而对表示记录信息的记录标记进行记录。

在以上的实施方式中说明了生成记录标记数据的记录调制方式为EFM系统的情况。但也能够适用于1-7调制方式等。

当高速记录时，若采用记录脉冲串1和记录脉冲串2，则有时记录频率上升，不能获得充分的记录特性。这时因为一般的信息录放装置采用半导体激光器LD33来作为光源，在廉价的驱动电路中，发光波形的上升/下降时间约达到2毫微秒是其极限，所以不能获得所需的发光波形。并且，为了获得充分的加热时间和冷却时间，根据记录脉冲串施加的各激光功率的设定时间也必须设定为约2毫微秒以上。

因此，最好采用能够使实质性的发光波形的频率降低到1/2或1/3的2T或3T为基准的记录脉冲串，即使采用其上增加清除起始脉冲Tet的、图4、图5所示的记录脉冲串，也能够获得良好的记录特性。

例如，在使发光波形频率降低到1/2的情况下，在记录脉冲串生成部39中，按照记录时钟(周期T)(亦称为记录通道时钟)对从EFM+编码器42中获得的EFM信号的标记长度进行计数的标记长度计算器41，判断EFM信号的标记长度是奇数还是偶数。无论是奇数还是偶数，都是生成2T单位的起始脉冲Ttop，之后该标记计数值每增加2T就生成一个多脉冲Tmp，在生成了所需数量的多脉冲Tmp之后，以生成作为记录脉冲图形的终端的冷却脉冲Tcl的方式，通过脉冲数控制部40来生成记录脉冲串。

这时多脉冲Tmp的发生定时，在标记长度为奇数的情况下，如上所述连接2T系统的起始脉冲Ttop；在是偶数的情况下，连接3T系统的起始脉冲Ttop，所以，偶数时的多脉冲Tmp与奇数时发生多脉冲Tmp的定时相比较，延迟1T而发生。

按以上方法来构成图4、图5所示的记录脉冲串，即在已生成的多个(脉冲Tmp上附加了清除起始脉冲Tet的记录脉冲串。并且，在非多脉冲对记录特性有效的情况下，如图6所示，也可以在非多脉冲串上附加清除起始脉冲Tet。

而且，图4～图6的起始脉冲Ttop和冷却脉冲Tcl等的设定值(脉冲功率和一个脉冲的施加时间即脉冲宽度)表示代表性值。实际上可以根据记录膜的记录材料和光记录介质D的层结构等来选择最佳值。并且，根据记录调制方式的不同或记录密度及光记录介质D上的激光形成的光点直径不同，记录波形的累积长和形成标记的长度发生变化。所以，例示的标记长度和记录波形的对应也可以前后偏移。若是具有误差率测量功能的记录装置，则也可以使清除起始功率Pet的大小和清除起始脉冲Tet的脉冲宽度自我学习而加以确定，以使误差率达到最小。

自我学习的方法之一是：例如，在图2所示的光记录介质D上的最佳功率控制区(OPC区)25，利用任意的清除起始功率Pet和清除起始脉冲Tet的1个脉冲的施加时间即清除起始脉冲宽度进行1次记录和10次重写的两种动作，接着利用作为测量部的系统控制器45来测量各误差率。测量如果是：在1次记录时为小于1×10^-3的良好值，而在10次重写时为大于1×10^-3的不良值，那么，增大清除起始功率Pet和清除起始脉冲宽度并继续进行。另一方面，测量结果如果是：在1次记录时为大于1×10^-3的不良值，并且10次重写时为大于1×10^-3的不良值，那么，减小清除起始功率Pet和清除起始脉冲宽度。而且，由系统控制器45控制清除起始功率Pet和清除起始脉冲宽度。再者，系统控制器45对误差率为最小的清除起始功率Pet和清除起始脉冲宽度的波峰值进行设定，作为对记录脉冲串生成部39和LD驱动部43进行控制的控制部而动作。

表示最佳的各功率、各脉冲宽度和发生各脉冲的定时的记录参数，也可以按以下方法来决定。在系统控制器45内的存储器451内，预先记录与光记录介质的厂家或种类相对应的最佳记录参数信息。系统控制器45也可以从光记录介质D中读出表示光记录介质D的厂家信息和种类的识别信息，记录到存储器451内，根据识别信息来设定最佳记录参数。

或者，也可以用光头34的激光33来读出在光记录介质D的引入区23内记录的记录参数信息，并用摆动检测部36内的可编程BPF361来进行解读，或者用系统控制器45来进行解读。或者，也可以通过互联网等取得最佳记录参数信息，或存储到存储器451内来使用。

并且，存储有最佳记录参数信息的摆动、坑和引入区23也可以包含在光记录介质D的最里层D1、高透射层D0中的任一个内。

<薄膜热动作>

本发明人推测由于在最里层D1和高透射层D0中，随着透射率Tr的不同，记录膜的厚度也不一样，所以对其分别施加相同的记录脉冲，也会使热动作不同，这与记录特性和改写特性的恶化有关，根据以下的测量发现该推测是正确的。并且，研究了最里层D1和高透射层D0分别获得良好记录特性和改写特性的记录脉冲串。

在此，本发明考虑到实际测量薄膜温度，或者测量毫微秒级的温度变化是困难的，在研究中使用了一般用于温度分析的、对激光照射带来的薄膜内的温度进行模拟的软件即美国MM Research Inc.公司的Temprofile(注册商标)。

所使用的光记录介质D作为图1所示的二层相变型光记录介质，从激光的入射侧看，在相当于第1层的单位记录层D0(高透射层D0)中，以使激光的透射率Tr达到50％的方式，形成了保护膜(介质膜)102，记录膜103、保护膜(介质膜)104和反射膜105。这时施加到高透射层D0上的记录脉冲串是图3所示的记录脉冲串2或图19所示的记录脉冲串1。构成高透射层D0的各膜的光学和热特性示于表1；预定透射率Tr的、构成高透射层的各膜的厚度、激光的记录脉冲串1、2的各参数示于表2。

表1

膜结构	折射率	吸收系数	比热(J/cm<sup>3</sup>·℃)	热导率(J/cm·sec·℃)
					反射膜105	0.07	4.20	2.478	4.290
介质膜104	2.15	0.00	2.054	0.001
					记录膜103	3.36	4.38	1.379	0.243
介质膜102	2.15	0.00	2.054	0.001
					聚碳酸酯基板101	1.58	0.00	1.507	0.002

表2

在表2所示的透射率Tr为50％的膜厚结构的高透射层D0中，在和表2一起表示的记录脉冲串1、记录脉冲串2的条件下，对记录膜103的温度变化进行了模拟。图8表示模拟的结果。图8(A)是施加了记录脉冲串1的情况；(B)是施加了记录脉冲串2的情况。在图8(A)、(B)中，虚线表示所施加的激光的脉冲，实线表示施加激光所产生的记录膜103的温度变化，横轴表示一边扫描激光，一边施加记录脉冲串时的经过时间，纵轴表示记录膜103的温度和脉冲的施加功率。

这里，如图8(C)所示，从ZZ部求出用各记录脉冲串1、2施加冷却脉冲Tcl之后的相变型记录膜103的温度变化，并进行了比较。

在使用记录脉冲串1的情况下，将从最低功率Pb开始上升并把清除功率Pe施加到记录膜103上时的、施加了清除功率Pe的时刻设为Ons；在使用记录脉冲串2的情况下，将从最低功率Pb开始上升并把清除起始功率Pet施加到记录膜103上时的、施加了清除起始功率Pet的时刻设为Ons，对各记录膜103的温度上升100℃所花费的时间t100进行了比较。

可以看出：记录脉冲串1的t100是1.85ns，记录脉冲串2的t100是0.83ns，由于施加记录脉冲串2这样的冷却脉冲Tcl紧后面的清除起始脉冲Tet，所以，记录膜103的温度上升变得更陡峭。因此，可以说记录膜103的温度变化取决于激光脉冲。

而且，利用在单层型光记录介质中能够确认良好的记录特性的记录脉冲串1进行同样的模拟的情况下，t100约为1ns。所以，已查明最好把t100为1ns以下的0.83ns的记录脉冲串2用于高透射层D0。

接着，把光记录介质D的高透射层D0中的保护膜102、记录膜103、保护膜104、反射膜105按照表2所示的结构形成，以使激光的透射率Tr成为30％或7％。按照和上述相同的方法比较上升时间t100的结果，得到了与透射率为50％时比较的结果相同的结果。将以上求出的各种透射率Tr时的记录脉冲串1、2的t100，以横轴为透射率Tr，纵轴为t100示于图9中。

采用记录脉冲串2的高透射层D0，在透射率Tr为30％～70％时，t100小于1ns。因此，最好把记录脉冲串2施加到高透射层D0上。像记录脉冲串2那样，通过在冷却脉冲Tcl的紧后面施加清除起始脉冲Tet，能够使记录膜103的温度上升更加陡峭。所以，通常，在记录标记后端形成的标记线残余再结晶，关系到预定的标记长度的标记形成的稳定化，跳动也变得良好。而且，所谓标记残余是指在与标记长度相对应的本来的长度的标记后端形成的非结晶部分。

根据记录膜和反射膜的厚度不同而激光吸收能力发生变化，所以像过去的单层型光记录介质那样，在记录膜或反射膜足够厚的情况下，能够充分吸收激光，能够利用其发热来进行可逆变化的记录和清除。所以，和过去的单层型光记录介质一样，具有适当厚度的记录膜和反射膜的最里层D1，在图19所示的记录脉冲串1中能够获得良好的记录特性和改写特性。

另一方面，本发明人发现：像高透射层D0那样，必须使激光吸收性强的记录膜或反射膜变薄的情况下，若使用记录脉冲串1，则激光吸收减少，产生可逆变化，使热变化迟钝。所以，不能达到良好的记录和清除，或不能够获得良好的改写特性。

由于以上情况，为了获得具有多个单位记录层的相变型光记录介质的最佳记录特性，必须对透射率Tr不同的最里层和高透射层分别在各自的最佳条件下进行记录。

<清除比评价>

再者，本发明人为了实验证明清除起始脉冲Tet的效果，也进行了清除比评价。评价采用高透射层D0，把DVD-R和RW中的最长标记长度14T标记和14T空间的交互连续信号(14T信号)，记录在未记录的记录区24，并测量了该14T信号的C/N。然后，改写了DVD-R和RW中的最短标记长度3T标记和3T空间的交互连续信号(3T信号)，重新测量了14T信号的C/N。把这样取得的改写前后的14T信号的C/N的降低作为清除比。

用DVD1倍速进行评价的结果是：若使用包括清除起始脉冲Tet在内的记录脉冲串2，则清除比约成为30dB，与利用记录脉冲串1时相比，约提高7dB，其数值与在单层型光记录介质中利用记录脉冲串1时相同，获得了良好的结果。

记录标记的清除方法是，对记录膜进行激光照射，将其加热到结晶化温度以上后逐渐冷却。图19所示的记录脉冲串1中的清除功率Pe的施加能够把记录膜加热到结晶化温度以上，但若记录膜如高透射层D0那样薄，则对激光的吸收能力降低。因此，继构成记录脉冲串1的记录脉冲Ttop和Tmp之后，施加冷却脉冲Tcl的最低功率Pb后照射清除功率起到达到结晶化温度为止的时间拖得很长。若清除功率Pe产生的记录膜温度上升的上升边变得平缓，则由于材料的微小的结晶化温度的偏差，使记录标记后端的结晶化开始时间产生误差，于是记录标记后端边缘变得不明确，或者本来通过改写而应当结晶化的部位上残留以前写入的标记，因此，初始记录和改写摆动出现恶化。

其另一方面，在像最里层D1那样，记录膜很厚的情况下，由于施加清除功率Pe后充分吸热，所以，记录膜温度急剧上升，不明确的标记边缘和改写的清除残余减少。

因此，可以认为施加冷却脉冲Tcl之后，使记录膜温度急剧上升，这对记录特性将产生良好的效果。

并且，实验也已证明：对高透射层D0采用较大的清除功率Pe的情况下，记录膜温度急剧上升，由于记录膜、反射膜的热容量小，所以温度不是成为一定值，而是继续上升，长时间保持熔点以上的温度，从而破坏记录膜。因此，发明人发现，虽然记录膜温度急剧上升，但为了用较小的功率来使记录膜保持在结晶化温度以上熔点以下，在高透射层D0中使用的记录脉冲串的冷却脉冲Tcl紧后面施加比清除功率Pe大的功率的清除起始功率Pet，可以解决上述问题。

根据以上的温度模拟结果和清除比的实测，可以看出，在多层型光记录介质中，为了获得良好的记录特性和改写特性，重要的是在施加冷却脉冲Tcl之后使记录膜的温度急剧上升，这与记录膜厚和激光脉冲有关。像高透射层D0那样在记录膜较薄的情况下，激光吸收少，所以为了使记录膜103的温度急剧升高，记录脉冲串2具有清除起始脉冲Tet是有效的方法。

也就是说，已经查明，像多层型光记录介质D的最里层D1和高透射层D0那样，记录膜厚不同的情况下，最好根据是否使用清除起始脉冲Tet，来分别使用不同的记录脉冲串。

<清除起始脉冲的研究>

本发明人推断，清除起始脉冲Tet是否影响光记录介质D的记录和改写特性，根据下述实施例1、比较例1可以看出，该推断是正确的，具有一种能够使记录和改写特性达到最佳的最佳清除起始脉冲Tet。

在以下的实施例和比较例中，利用安装了波长658nm的激光二极管、NA＝0.65的光学透镜的pulsetech公司制的光盘驱动测试仪(DDU1000)，进行了记录(1束、改写)。并且，将激光束分别聚焦于作为记录对象的记录膜是构成高透射层D0的第1记录膜103和构成最里层D1的第2记录膜108上，来进行了评价。

记录线速度为7.7m/s(DVD-Video 2层规格、相当于2倍速度)，利用8-16调制随机图形进行了评价。时钟周期T为19.2ns(DVD1倍速度)，位长为0.293μm/位。进行了与DVD-Video相同密度的记录，容量为2层，相当于8.5G字节。记录是在邻接轨迹也包括在内改写10次之后，在该重放信号的振幅中心进行切片，测量了时钟·二·数据·跳动(クロツク.トウ一.デ一タ.ジツタ)。而且，重放功率Pr为1.4mW，保持一定。

并且，记录方法利用图3所示的记录脉冲串2。

<第1实施例>

第1基板101是直径120nm，板厚0.6mm的聚碳酸酯树脂制基板。在第1基板101上按照轨迹间距0.74μm形成了空沟槽。该沟槽深度为25nm，槽宽和凸面宽之比约为40∶60。

首先，使真空容器内排气到3×10^-4Pa之后，在2×10^-1Pa的氩气气氛中利用添加了20mol％的SiO₂的ZnS靶子，采用高频磁控管溅射法在第1基板101上形成了膜厚70nm的第1保护膜102。

接着，依次进行以下层压：用Ge-In-Sb-Te的4元素单一合金靶制作膜厚5nm的第1记录膜103，接着，利用和第1保护膜102相同的材料制作膜厚9nm的第2保护膜104，用Ag合金靶制作膜厚5nm的第1反射膜105，利用和第1保护膜102相同的材料制作膜厚60nm的光学调整膜106。

从真空容器内取出第1基板101之后，在第1反射膜105上旋转涂敷丙烯类紫外线固化树脂(sony化学公司制SK5110)，通过紫外线照射而使其固化，形成了膜厚3μm的第3保护膜112。在第1基板101上形成的第1保护膜102、第1记录膜103、第2保护膜104、第1反射膜105、光学调整膜106和第3保护膜112构成高透射层D0。

利用相同的方法在第2基板111上依次进行以下层压：利用Ag合金靶制作120nm厚的第2反射膜110；利用和第1保护膜2相同的材料制作16nm厚的第4保护膜109；利用Ge-In-Sb-Te 4元素单一合金靶制作16nm厚的第2记录膜108；制作70nm厚的第5保护膜107。把该第2基板111从真空容器内取出后，在第5保护膜107上旋转涂敷丙烯类紫外线固化树脂(sony化学公司制作的SK5110)，通过紫外线照射使其固化，形成了膜厚3μm的第6保护膜113。在第2基板111上形成的第5保护膜107、第2记录膜108、第4保护膜109、第2反射膜110和第6保护膜113构成最里层D1。

高透射层D0、最里层D1的初始化分别利用日立Computor机器公司制的PWP120型初始化装置来进行，然后，利用双面粘接型薄片114把按上述方法形成的高透射层D0和最里层D1互相面对面地贴合在一起，使第1基板101和第2基板111成为外侧，这样制成二层的多层型光记录介质(光盘)D。

高透射层D0初始化后的透射率约为50％；最里层D1初始化后的透射率Tr为0％。透射率Tr的测量采用日立制作所制的光谱仪(Spectrophotometer 330)，使用波长658nm的激光。

接着，把记录用激光聚集到透射率Tr高的高透射层D0中的第1记录膜103上，按记录线速度7.7m/s来评价跳动特性。而且，在邻接轨迹上也进行记录，对中间轨迹的值进行评价。

使用的记录脉冲串2如图3所示，以1T多脉冲串为基础，具有清除起始脉冲Tet。各记录参数采用：记录功率Pw＝23.1(mW)、清除功率Pe＝4.8(mW)、最低功率Pb＝0.5(mW)时、起始脉冲Ttop＝0.17(T)、多脉冲Tmp＝0.23(T)、冷却脉冲Tcl＝0.53(T)。并且，清除起始脉冲参数定为：清除起始功率Pet＝23.1(mW)、清除起始脉冲TeT＝0.18(T).

这时初始特性和改写记录特性示于表3。在此，下述比较例1的数据也一起表示在表3。

表3

初始记录(DOWO)跳动为7.2％，改写第1次(DOW1)跳动为9.2％，改写第9次(DOW9)跳动为8.5％，此外改写第999次(DOW999)跳动为9.2％，记录特性和改写特性良好。

这里所说的改写是单束改写，用一次激光扫描来清除以前形成的记录标记，新形成记录标记。并且，DOW0(Direct Over Write：改写)是在已初始化的光记录介质D的未记录部内形成记录标记的初次记录，DOW1是进一步骤在其上形成记录标记的第1次改写。

而且，跳动的值最好为对误差率的影响小的12％以下的值。再者，从DOW0到DOW999(从初次记录到改写999次)能够稳定地获得12以下的跳动，定义为良好的跳动特性。

然后，把记录用激光聚集到透射率Tr低的最里层D1中的第2记录膜108上，利用和高透射层D0相同的记录线速度来进行跳动测量。而且，在邻接的轨迹上也进行记录，对中间轨迹的值进行评价。使用的记录脉冲串是以图19所示的1T多脉冲为基础的记录脉冲串1。各记录参数采用：在记录功率Pw＝35.0(mW)，清除功率Pe＝13.0(mW)、最低功率为Pb＝0.5(mW)时，Ttop＝0.40(T)、Tmp＝0.30(T)、Tcl＝0.40(T)。

该初始特性和改写记录特性示于表4。

表4

DOW0跳动为6.8％，DOW1跳动为8.1％，DOW9跳动为7.6％。再者，DOW999跳动为9.1％，记录特性和改写特性良好。

<比较例1>

除了利用和实例例1相同的光记录介质D，使用没有清除起始脉冲Tet的记录脉冲串1以外，在和实施例1的高透射层D0一样的条件下进行了高透射层D0的测量。如表3所示，DOW0跳动良好，为11.3％，第1次改写的DWO1跳动为15.4％，DOW9跳动为13.0％，DOW999跳动为25％，非常差。

再者，对最里层D1，除了使用包含清除起始脉冲TeT在内的记录脉冲串2以外，在和实施例1的最里层D1相同的条件下进行了测量，结果，初始特性和改写记录特性如表4所示，DOW0跳动为7.8％，DOW1跳动为9.2％，DOW9跳动为8.3％，再者，DOW999跳动为10.3％，可以说，任一跳动也都在12％以下，记录特性和改写特性良好。但若与实施例1相比较，则特性稍差。

根据以上表3，实施例1和比较例1中的高透射层D0的DOW跳动示于图10。可以看出，在像高透射层D0那样，透射率Tr高时，根据所加的记录脉冲串是否包括清除起始脉冲Tet，如图10所示，记录特性有很大差别。这是因为，像记录脉冲串2那样，通过在冷却脉冲Tcl之后施加清除起始脉冲Tet，记录膜103的温度迅速上升到清除温度，记录特性和多次改写特性良好。

而且，最里层D1的记录如表4所示，不管有无清除起始脉冲Tet，均能够获得良好的记录特性。但施加无清除起始脉冲Tet的记录脉冲串1，能够获得更好的记录特性。

因此，不管单位记录层的透射率Tr如何，使用包括清除起始脉冲Tet在内的记录脉冲串2，也可获得良好的记录特性和改写特性。像最里层D1那样，在透射率Tr小的情况下，最好使用不含清除起始脉冲Tet的记录脉冲串脉冲串1。所以，已经查明，在对具有多个单位记录层的相变型光记录介质进行记录的情况下，对各单位记录层分别宜使用最佳记录脉冲串。

<功率比Pet/Pw的研究>

接着，本发明人推定用于施加清除起始脉冲Tet的清除起始功率Pet和记录功率Pw相互之间有关系，根据下述实施例2～16和比较例2～6，发现该推定是正确的，清除起始功率Pet和记录功率Pw的功率比Pet/Pw中存在一个记录和改写特性均最好的最佳范围。

<实施例2～6>

实施例2～6利用和实施例1相同的光记录介质D，记录脉冲串2的参数，除了变更清除起始功率Pet外，在和实施例1相同的条件下进行了测量(Pe＝4.8mW)。各实施例2～6中的记录条件及DOW跳动值汇总示于表5。而且，下述比较例2、3也同样示于表5。

表5

	Pet	Pw	Pet/Pw	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例2	23.1	23.1	1.0	7.2	9.2	8.5	9.2
实施例3	34.7	23.1	1.5	7.8	9.8	9.1	9.8
								实施例4	41.6	23.1	1.8	8.3	11.1	10.9	11.6
实施例5	16.2	23.1	0.7	7.7	9.6	9.4	9.9
								实施例6	9.2	23.1	0.4	8.4	11.0	11.2	11.9
比较例2	46.2	23.1	2.0	8.6	12.4	12.8	13.5
								比较例3	6.9	23.1	0.3	8.4	13.9	13.4	14.3

在实施例2中，PeT＝23.1mW(Pet/Pw＝1.0)、在实施例3中，Pet＝34.7mW(Pet/Pw＝1.5)、在实施例4中，Pet＝41.6mW(Pet/Pw＝1.8)、在实施例5中，Pet＝16.2mW(Pet/Pw＝0.7)、在实施例6中，Pet＝9.2mW(Pet/Pw＝0.4)。

和实施例1同样，对该实施例2～6进行了评价，结果如表5所示，从初次记录(DOW0)到1000次记录(DOW999)，跳动小于12％，和第1实施例一样，是良好的记录和改写特性。

<比较例2、3>

比较例2、3利用和比较例1相同的光记录介质D，记录脉冲串2的参数，除了变更了清除起始功率Pet以外，在和实施例1相同的条件下进行了测量。在比较例2中，Pet＝46.2mW(Pet/Pw＝2.0)，在比较例3中，Pet＝6.9mW(Pet/Pw＝0.3)。

和实施例2～6一样，对比较例2、3进行了评价，其结果，如表5所示，均为在初次记录(DOW0)中良好，但是，从2次记录(DOW1)到1000次记录(DOW999)，跳动大于12％，未能获得比实施例1和实施例2～6相比较良好的记录特性和改写特性。

<实施例7～11>

在实施例7～11中，研究了透射率Tr对功率比PeT/Pw的影响。高透射层D0的第1记录膜103的膜厚变更为7nm，第1反射膜105的膜厚变更为8.5nm，除此以外的膜厚和层结构与实施例1中使用的光记录介质D相同。这时的高透射层D0的透射率Tr为30％。并且，随着透射率Tr的变更，最佳记录功率也不同，所以，记录功率Pw＝20.0mW，清除功率Pe＝4.4Mw，最低功率Pb＝0.5mW。

并且，各实施例7～11分别变更清除起始功率Pet，其余的记录参数全部按上述条件进行了测量。各实施例7～11和下述比较例4、5的记录条件和DOW跳动值汇总示于表6内。

表6

	Pet	Pw	Pet/Pw	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例7	16.0	20.0	0.8	6.5	7.3	7.2	7.9
实施例8	24.0	20.0	1.2	6.9	7.8	7.6	9.9
								实施例9	30.0	20.0	1.5	7.6	8.2	8.0	11.8
实施例10	10.0	20.0	0.5	6.8	7.6	7.5	9.8
								实施例11	8.0	20.0	0.4	7.3	8.0	7.8	11.2
比较例4	36.0	20.0	1.8	7.2	8.6	8.5	13.5
								比较例5	6.0	20.0	0.3	7.5	8.8	8.6	12.3

清除起始功率Pet，在实施例7中Pet＝16.0mW(Pet/Pw＝0.8)，在实施例8中，Pet＝24.0mW(Pet/Pw＝1.2)，在实施例9中，Pet＝30.0mW(Pet/Pw＝1.5)，在实施例10中，Pet＝10.0mW(Pet/Pw＝0.5)，在实施例11中Pet＝8.0mW(Pet/Pw＝0.4)。

和实施例1同样，对该实施例7～11进行了评价，其结果，如表6所示，从DOW0到DOW999，跳动小于12％，和实施例1一样是良好的记录和改写特性。

<比较例4、5>

比较例4、5除了变更了清除起始功率Pet以外，在和实施例7～11相同的条件下进行了测量。如表6所示，在比较例4中，Pet＝36.0mW(Pet/Pw＝1.8)，在比较例5中，Pet＝6.0mW(Pet/Pw＝0.3)。

和实施例7～11一样，对该比较例4、5进行了评价，其结果如表6所示，均为在DWO999时跳动为12％以上，未能获得比实施例1和实施例7～11良好的改写特性。

<实施例12～16>

在实施例12～16中也继续研究透射率Tr对功率比Pet/Pw的影响。高透射层D0的第1记录膜103的膜厚变更为2nm，第1反射膜105的膜厚变更为2nm，除此以外的膜厚和层构成与实施例1中所使用的光记录介质D相同。这时的高透射层D0的透射率Tr为70％。并且，随着该透射率Tr的变更最佳记录功率也不同，所以，记录功率Pw＝32.0mW，清除功率Pe＝6.5mW，最低功率Pb＝0.5mW。

并且，各实施例12～16分别变更清除起始功率Pet，其余的记录参数全部按上述条件进行了测量。各实施例12～16和后述的比较例6中的记录条件和DOW跳动值汇总表示在表7。

表7

	Pet	Pw	Pet/Pw	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例12	38.0	32.0	1.2	7.8	8.9	8.6	9.3
实施例13	51.2	32.0	1.6	8.2	9.8	9.4	9.8
								实施例14	60.0	32.0	1.9	8.6	10.6	10.3	11.8
实施例15	22.4	32.0	0.7	8.1	9.9	9.2	9.9
								实施例16	12.8	32.0	0.4	8.8	11.2	9.8	11.6
比较例6	9.6	32.0	0.3	9.0	12.3	11.6	13.6

清除起始功率Pet，在实施例12中Pet＝38.0mW(Pet/Pw＝1.2)、在实施例13中，Pet＝51.2mW(Pet/Pw＝1.6)、在实施例14中，Pet＝60.0mW(Pet/Pw＝1.9)、在实施例15中，Pet＝22.4mW(Pet/Pw＝0.7)、在实施例16中，Pet＝12.8mW(Pet/Pw＝0.4)。

对该实施例12～16和实施例1一样进行了评价，其结果如表7所示，均为从DOW0起到DOW999止，跳动为12％以下，和实施例1一样，是良好的记录和改写特性。

<比较例6>

比较例6除了变更清除起始功率Pet之外，在与实施例12～16相同的条件下进行了测量。如表7所示，在比较例6中，Pet＝9.6mW(Pet/Pw＝0.3)。

和实施例12～16一样，对比较例6进行了评价，其结果如表7所示，在DOW1和DOW999时跳动大于12％，未能获得比实施例1和实施例12～16良好的记录特性或改写特性。

在以上的实施例2～16和比较例2～6中，高透射层D0的透射率Tr为30％、50％和70％时，对清除起始功率Pet、记录功率Pw的功率比Pet/Pw的最佳范围进行了研究。根据表5～7所示的值，把各透射率Tr时高透射层D0上所加的记录脉冲串的功率比Pet/Pw与DOW9跳动的关系表示在图11～13中。

在各图中，DOW9对误差率影响小的跳动不超过12％的功率比Pet/Pw的范围如下。在图11所示的透射率Tr＝50％的情况下，功率比Pet/Pw的范围为0.4～1.8；透射率Tr＝30％时，如图12所示为0.4～1.5；透射率Tr＝70％时，如图13所示为0.4以上。

也就是说，

透射率＝30％的情况下，0.4≤Pet/Pw≤1.5；

透射率＝50％的情况下，0.4≤Pet/Pw≤1.8；

透射率＝70％的情况下，0.4≤Pet/Pw。

因此，可以看出：具有任一透射率Tr的高透射层D0中的功率比Pet/Pw的最佳范围也是0.4≤Pet/Pw≤1.5。

再者，若考虑市售记录机的误差所造成的重放互换的恶化，则更好的跳动上限值是10％。在此情况下，根据图11～13，满足跳动10％以下的条件的功率比Pet/Pw的范围如下。

透射率＝30％的情况下为0.5≤Pet/Pw≤1.2

透射率＝50％的情况下为0.7≤Pet/Pw≤1.5

透射率＝70％的情况下为0.7≤Pet/Pw≤1.6

从以上情况可以看出；功率比Pet/Pw的更好的范围是0.7≤Pet/Pw≤1.2。

<脉冲宽度比Tet/Tmp的研究>

接着，本发明人发现：在清除起始脉冲Tet的1个脉冲的施加时间--清除起始脉冲宽度和多脉冲Tmp的一个脉冲施加时间——多脉冲宽度的关系，估计有一个最佳范围，根据下述实施例17～31和比较例7～12，该估计是正确的，在清除起始脉冲Tet的清除起始脉冲宽度和多脉冲Tmp的多脉冲宽度之比即脉冲宽度比Tet/Tmp中，具有一个记录和改写特性能达到最好状态的所谓最佳范围。

<实施例17～21>

实施例17～21，利用和实施例1相同的光记录介质D，记录脉冲串2的参数除变更了清除起始脉冲宽度外，在与实施例1相同的条件下进行了测量。而且，在以下的实施例和比较例中，为了方便起见，清除起始脉冲宽度用Tet表示；多脉冲宽度用Tmp表示。在以下的实施例和比较例中Tmp＝0.23T。各实施例17～21和下述比较例7、8中的记录条件和DOW跳动值汇总示于表8。

表8(见原文20页)

	Tet	Tmp	Tet/Tmp	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例17	0.18	0.23	0.8	7.2	9.2	8.5	9.2
实施例18	0.23	0.23	1.0	7.6	9.7	8.8	9.7
								实施例19	0.30	0.23	1.3	7.8	11.2	10.6	11.2
实施例20	0.12	0.23	0.5	7.5	9.6	9.1	9.5
								实施例21	0.07	0.23	0.3	7.9	11.9	10.3	11.4

比较例7	0.35	0.23	1.5	8.1	12.3	12.1	12.6
								比较例8	0.02	0.23	0.1	8.3	13.8	13.5	13.5

在实施例17中，Tet＝0.18T(Tet/Tmp＝0.8)、在实施例18中，Tet＝0.23T(Tet/Tmp＝1.0)、在实施例19中，Tet＝0.30T(Tet/Tmp＝1.3)、在实施例20中，Tet＝0.12T(Tet/Tmp＝0.5)、在实施例21中，Tet＝0.07T(Tet/Tmp＝0.3)。

和实施例1同样，对该实施例17～21进行了评价。其结果如图8所示，均为从DOW0到DOW999，跳动大于12％，与实施例1一样，是良好的记录和改写特性。

<比较例7、8>

比较例7、8，除了变更了清除起始脉冲Tet外，在和实施例1相同的条件下进行了测量，在比较例7中Tet＝0.35T(Tet/Tmp＝1.5)；在比较例8中，Tet＝0.02T(Tet/Tmp＝0.1)。

和实施例17～21同样，对该比较例7、8进行了评价，其结果如表8所示，虽然均为DOW0良好，但是从DOW1到DOW999时跳动大于12％，未能获得比实施例1和实施例17～21良好的记录特性和改写特性。

<实施例22～26>

在实施例22～26中研究了透射率Tr对脉冲宽度比Tet/Tmp的影响。高透射层D0的第1记录膜103的膜厚变更为7nm，第1反射膜105的膜厚变更为8.5nm，此外的膜厚和层构成与实施例1中用的光记录介质D相同。这时的高透射层D0的透射率Tr为30％。并且，随着透射率Tr的变更，最佳记录功率也不一样，所以，记录功率Pw＝20.0mW，清除功率Pe＝4.4mW，最低功率Pb＝0.5mW。

并且，各实施例22～26，分别变更清除起始脉冲Tet，其余的记录参数，全部在上述条件下进行测量。各实施例22～26和后述比较例9、10中的记录条件和DOW跳动值汇总表示在表9中。

表9

	Tet	Tmp	Tet/Tmp	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例22	0.16	0.23	0.7	6.6	7.2	7.4	7.9
实施例23	0.23	0.23	1.0	6.8	8.2	8.3	9.9
								实施例24	0.28	0.23	1.2	7.1	8.4	9.9	11.8
实施例25	0.09	0.23	0.4	6.9	8.1	8.6	9.8
								实施例26	0.05	0.23	0.2	7.2	8.3	10.0	11.2
比较例9	0.32	0.23	1.4	7.3	8.5	11.1	13.5
								比较例10	0.02	0.23	0.1	7.5	8.6	10.8	12.3

清除起始脉冲Tet在实施例22中为Tet＝0.16T(Tet/Tmp＝0.7)；在实施例23中为Tet＝0.23T(Tet/Tmp＝1.4)；在实施例24中为Tet＝0.28T(Tet/Tmp＝1.2)；在实施例25中为Tet＝0.09T(Tet/Tmp＝0.4)；在实施例26中为Tet＝0.05T(Tet/Tmp＝0.2)。

和实施例1同样，对该实施例22～26进行了评价，其结果如表9所示从DOW0到DOW999跳动均为12％以下，和实施例1一样是良好的记录和改写特性。

<比较例9、10>

比较例9、10除变更了清除起始脉冲Tet外，在与实施例22～26相同的条件下进行了测量。如表9所示，在比较例9中Tet1＝0.32T(Tet/Tmp＝1.4)；在比较例10中Tet＝0.02T(Tet/Tmp＝0.1)。

和实施例22～26同样，对该比较例9、10进行了评价。其结果如表9所示，在DOW999中均为跳动12％以上，未能获得比实施例1和实施例22～26良好的改写特性。

<实施例27～31>

在实施例27～31中继续研究了透射率Tr对脉冲宽度比Tet/Tmp的影响。将高透射层D0的第1记录膜103的膜厚变更为2nm，第1反射膜105的膜厚变更为2nm，此外的膜厚和层构成与实施例1中用的光记录介质D相同。这时的高透射层D0的透射率Tr为70％。并且，随着透射率Tr的变更，最佳记录功率也不一样，所以，记录功率Pw＝32.0mW，清除功率Pe＝6.5mW，最低功率Pb＝0.5mW。

并且，各实施例22～31，分别变更清除起始脉冲宽度Tet，其余的记录参数，全部在和上述相同条件下进行测量。各实施例27～31和后述比较例11、12中的记录条件和DOW跳动值汇总表示在表9中。

表10

	Tet	Tmp	Tet/Tmp	DOW0	DOW1	DOW9	DOW999
								实施例27	0.21	0.23	0.9	7.8	8.9	8.6	9.3
实施例28	0.28	0.23	1.2	8.2	9.5	9.1	9.8
								实施例29	0.35	0.23	1.5	9.3	9.8	10.6	11.8
实施例30	0.14	0.23	0.6	8.4	9.3	9.3	9.9
								实施例31	0.09	0.23	0.4	9.1	9.7	10.5	11.6
比较例11	0.39	0.23	1.7	9.6	12.3	12.8	13.6
								比较例12	0.05	0.23	0.2	10.1	15.2	14.0	13.6

清除起始脉冲宽度Tet在实施例27中为Tet＝0.21T(Tet/Tmp＝0.9)；在实施例28中为Tet＝0.28T(Tet/Tmp＝1.2)；在实施例29中为Tet＝0.35T(Tet/Tmp＝1.5)；在实施例30中为Tet＝0.14T(Tet/Tmp＝0.6)；在实施例31中为Tet＝0.09T(Tet/Tmp＝0.4)。

和实施例1同样，对该实施例27～31进行了评价，其结果如表10所示，从DOW0到DOW999跳动均为12％以下，和实施例1一样是良好的记录和改写特性。

<比较例11、12>

比较例11、12除变更了清除起始脉冲Tet外，在与实施例27～31相同的条件下进行了测量。如表10所示，在比较例11中Tet＝0.39T(Tet/Tmp＝1.7)；在比较例12中Tet＝0.05T(Tet/Tmp＝0.2)。

和实施例27～31同样，对该比较例11、12进行了评价。其结果如表10所示，DOW1到DOW999时，跳动均为12％以上，与实施例1和实施例27～31相比，未能获得良好记录特性和改写特性。

在以上的实施例17～31和比较例7～12中，研究了在高透射层D0的透射率Tr为30％和50％及70％时，清除起始脉冲Tet、多脉冲宽度Tmp的脉冲宽度比Tet/Tmp的最佳范围。根据表8～10所示的值，各透射率Tr的高透射层D0上施加的记录脉冲串2的脉冲宽度比Tet/Tmp与DOW999跳动的关系分别示于图14～16中。

在图14所示的透射率Tr＝50％的情况下，DOW999对误差率影响小的跳动不超过12％的脉冲宽度比Tet/Tmp的范围是0.3～1.3。透射率Tr＝30％时，如图15所示，是0.2～1.2；透射率Tr＝70％时，如图16所示，是0.6～1.5。

也就是说

透射率＝30％时：0.2≤Tet/Tmp≤1.2；

透射率＝50％时：0.3≤Tet/Tmp≤1.3；

透射率＝70％时：0.4≤Tet/Tmp≤1.5。

由此可以看出，无论在具有哪种透射率Tr的高透射层中，也都是脉冲宽度比Tet/Tmp的最佳范围是0.4≤Tet/Tmp≤1.2。

并且，若考虑市场上销售的记录机的误差所造成的重放互换的恶化，则更好的跳动上限值为10％。在此情况下，根据图14～16，满足跳动10％以下的条件的脉冲宽度比Tet/Tmp的范围如下：

透射率＝30％时：0.4≤Tet/Tmp≤1.2；

透射率＝50％时：0.5≤Tet/Tmp≤1.0；

透射率＝70％时：0.6≤Tet/Tmp≤1.2。

从上述情况可知，脉冲宽度比Tet/Tmp的更好的范围是0.6≤Tet/Tmp≤1.0。

根据以上情况叙述了本发明的清除起始脉冲Tet的最佳实施方式。根据本发明，虽然利用清除起始脉冲Tet使记录膜的温度急剧上升到结晶化温度，但即使超过记录膜的一般熔化温度约660度也施加清除起始功率Pet，通过继续施加清除功率Pe，记录膜不急剧冷却，因此，不会降低到结晶化温度以下，记录膜不进行非晶化。所以，从温度上升而超过结晶化温度的时刻起，记录膜开始结晶化。

这样，在记录脉冲串2中，在施加清除功率Pe之前照射的清除起始功率Pet，只要大于清除功率Pe即可，其范围不受大的限制。但是，太大的清除起始功率Pet也有破坏记录膜的危险，所以，已经查明，设记录功率为Pw，清除功率为Pe，清除起始功率为Pet时，功率比Pet/Pw的最佳范围是0.4≤(Pet/Pw)≤1.5。

而且，清除起始脉冲Tet是为了使记录膜急剧升温到结晶化温度而设置的，所以，并不限于清除起始脉冲Tet之前施加的记录脉冲串的形状。在本发明人的研究中，记录脉冲串不仅是在图3所示的多脉冲图形上设置了清除起始脉冲Tet，而且确认了即使在图6所示的多脉冲图形上加上了清除起始脉冲Tet的脉冲串也能够产生本发明所要达到的效果。所以，已查明，构成高透射层D0的记录膜的急剧的温度上升，不取决于在清除起始脉冲Tet之前构成的脉冲图形。

再者，记录脉冲串是多脉冲图形的情况下，越是高速记录，起始脉冲Ttop或冷却脉冲Tcl的频率越高，起始脉冲Ttop或冷却脉冲Tcl的施加时间比通用激光器的上升、下降响应速度的2毫秒短。在此情况下，也可以采用以下记录脉冲串，即根据激光能力来变更1脉冲施加时间的、图4所示的2T类多脉冲图形上加上了清除起始脉冲Tet的记录脉冲串、或者图5所示的3T类多脉冲图形上加上了清除起始脉冲Tet的记录脉冲串。

另外，采用上述多脉冲图形的情况下，在施加清除功率Pe的紧前面设置的清除起始脉冲Tet，若适应上述目的，则不是限定其脉冲长度，但若脉冲长度过短，则清除起始脉冲Tet的效果减半；并且，若脉冲过长，则影响接着清除起始脉冲Tet之后的下一脉冲串的温度，所以，最好设置在不产生该影响的范围内。若设定为记录脉冲串中的多脉冲Tmp的一个脉冲的施加时间——多脉冲宽度、和清除起始脉冲Tet的一个脉冲的施加时间——清除起始脉冲宽度，则最佳脉冲宽度比Tet/Tmp在以下关系式的范围内。

0.4≤Tet/Tmp≤1.2

并且，如上所述，清除起始脉冲Tet的目的是急剧升高记录膜的清除温度的上升边，而不是提高清除温度整体，所以如图17所，在清除起始脉冲Tet之后施加比清除功率Pe小的清除功率Peb，并施加清除功率Pe的消脉冲Teb也可以作为继清除起始脉冲Tet之后的记录脉冲串。在此情况下，必须注意防止功率Peb过低，造成记录膜温度在结晶化温度以下。

清除起始功率Pet的施加定时如图3所示，最好是在冷却脉冲Tcl的紧后面。但如果在能够发挥效果的范围内，那么也不可以如图17所示加上延迟dTet。

并且，清除起始脉冲Tet的形状也可以是图18所示的三角波形，最好使波状符合脉冲发生器。

再者，以上是改写型DVD的多层型相变光记录介质的例子。但即使利用使记录激光波长为短波长的超高密度的记录介质也具有同样的效果。

而且，本实施例利用二层型相变记录介质进行了说明，但不言而喻，利用三层以上的多层型记录介质也能够获得同样的效果。

Claims (7)

1.一种光记录方法，在将具有相变记录膜的单位记录层多层层压了的光记录介质上记录记录信息，其特征在于，包括：

调制步骤，对上述记录信息进行调制，生成调制数据；

标记长度生成步骤，根据上述调制数据来生成所需的标记长度；以及

记录步骤，根据上述标记长度，对上述记录膜照射记录光，并记录表示上述记录信息的记录标记，

上述记录步骤如下：

在离入射上述记录光的上述光记录介质的入射面最深处的第1单位记录层上记录记录标记时，生成第1记录脉冲串，并照射与上述第1记录脉冲串对应的记录光，所述第1记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少部分记录功率比上述清除功率大；以及冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率；

在上述第1单位记录层以外的第2单位记录层上记录记录标记时，生成第2记录脉冲串，并照射与上述第2记录脉冲串对应的记录光，该第2记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少部分记录功率比上述清除功率大；冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率；以及清除起始脉冲，上升到比上述清除功率大的清除起始功率，又下降到上述清除功率。

2.如权利要求1所述的光记录方法，其特征在于：上述第2记录脉冲串，当上述记录功率为Pw，上述清除起始功率为Pet时，满足0.4≤Pet/Pw≤1.5的关系。

3.如权利要求2所述的光记录方法，其特征在于：上述第2记录脉冲串的上述记录脉冲包括从上述清除功率起向上述记录功率Pw上升的起始脉冲Ttop、以及在上述记录功率Pw和上述最低功率之间形成的多脉冲Tmp，当上述多脉冲Tmp的1个脉冲的施加时间即多脉冲宽度、以及上述第2记录脉冲串的上述清除起始脉冲Tet的1个脉冲的施加时间即清除起始脉冲宽度之比为Tet/Tmp时，满足0.4≤Tet/Tmp≤1.2的关系。

4.一种光记录装置，在将具有相变记录膜的多个单位记录层多层层压了的光记录介质上，利用光来记录记录信息，其特征在于，：

编码器，对上述记录信息进行调制，生成调制数据；

标记长度生成部，根据上述调制数据来生成所需的标记长度；

指示部，把写入上述记录信息的单位记录层指示为离上述光入射的上述光记录介质的入射面最深处的第1单位记录层、或上述第1单位记录层以外的第2单位记录层；

聚焦、跟踪控制部，控制向上述第1单位记录层或上述第2单位记录层的聚焦和跟踪；以及

记录部，在上述第1单位记录层上记录基于上述标记长度的记录标记时，生成第1记录脉冲串，并照射与上述第1记录脉冲串对应的光，该第1记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少局部记录功率比上述清除功率大；以及冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率，

在上述第2单位记录层上记录基于上述标记长度的记录标记时，生成第2记录脉冲串，并照射与第2记录脉冲串对应的光，该第2记录脉冲串包括：记录脉冲，记录功率从清除功率起上升，至少局部记录功率比上述清除功率大；冷却脉冲，从比上述清除功率小的最低功率上升到上述清除功率；以及清除起始脉冲，上升到比上述清除功率大的清除起始功率，又下降到上述清除功率。

5.如权利要求4所述的光记录装置，其特征在于：上述第2记录脉冲串中，当设上述记录功率为Pw，上述清除起始功率为Pet时，满足0.4≤Pet/Pw≤1.5的关系。

6.如权利要求5所述的光记录装置，其特征在于：上述第2记录脉冲串的上述记录脉冲包括从上述清除功率起向上述记录功率Pw上升的起始脉冲Ttop、以及在上述记录功率Pw和上述最低功率之间形成的多脉冲Tmp，当设上述多脉冲Tmp的1个脉冲的施加时间即多脉冲宽度、和上述第2记录脉冲串的上述清除起始脉冲Tet的一个脉冲的施加时间即清除起始脉冲宽度之比为Tet/Tmp时，满足0.4≤Tet/Tmp≤1.2的关系。

7.如权利要求4所述的光记录装置，其特征在于，具有：

重放部，对记录在上述光记录介质上的记录信息进行重放；

测量部，测量利用上述第2记录脉冲串记录的记录信息的错误率；以及

控制部，将上述第2记录脉冲串的上述清除起始功率和上述清除起始脉冲的脉冲宽度设定成使得上述错误率成为最小，并对上述记录部进行控制。

Images