CN1813373A - 具有非耦合段的耦合器 - Google Patents
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Abstract
一种对称或非对称的耦合器,包括第一和第二导线,其至少形成第一和第二耦合段以及在第一和第二耦合段之间的延迟段。该耦合器可包括多个交替的延迟段和耦合段。延迟段可包括在两个导线中形成的延迟弯曲部分。一个导线可为另一个导线的镜像。
Description
背景技术
本发明涉及耦合器,特别涉及具有由延迟段分隔的耦合段的耦合器。
一对导线在这种情况下是耦合的,即它们隔开,但是相互相隔得足够接近,使得在一个导线中流动的能量能够在另一个中感应。在导线之间流动的能量的数量与导体位于其中的电介质以及导线之间的间隔相关。虽然导线周围的电磁场理论上是无限的,但是根据耦合的相对数量,导线通常被称作接近或紧密耦合、松散耦合、或者非耦合。
耦合器是形成为利用耦合线的电磁器件,可具有四个端口,两个耦合线的两端各对应一个端口。干线具有直接或间接连接至输入端口的输入。另一端连接至直接输出端口(direct port)。另一个线或辅助线在耦合端口和隔离端口之间延伸。耦合器可倒转,这时,隔离端口成为输入端口,而输入端口成为隔离端口。同样地,耦合端口和直接输出端口可倒转指定。
定向耦合器是四端口的网络,可在所有端口处同时阻抗匹配。能量可从一个或另一个输入端口流向一对输出端口,如果输出端口适当地终止,那么输入端口对是隔离的。混合耦合器(hybrid)通常假定为在两个输出之间平等地划分其输出功率,而作为更一般术语的定向耦合器可具有不相等的输出。通常,耦合器到耦合输出具有非常微弱的耦合,这使得从输入到干线输出的插入损耗最小化。对定向耦合器的品质的一种度量是其定向性(directivity)、期望的耦合输出与隔离端口输出的比率。
相邻的并行传输线电耦合而且磁耦合。这种耦合固有地与频率成比例,如果磁耦合和电耦合相等,则定向性可能较高。较长的耦合区域增加了导线之间的耦合,直到递增的耦合的矢量和不再增加,而耦合将以正弦方式随着增加的电长度减小。在许多应用中,在较大波段上具有恒定的耦合是理想的。对称耦合器在耦合输出端口之间固有地表现出90度的相位差,而非对称耦合器具有接近于0度或180度的相位差。
除非使用铁氧体或其它高磁导率材料,否则在较高频率时通常通过级联耦合器得到大于倍频程的带宽。在一致的长耦合器中,当长度超过波长的四分之一时,耦合将衰减,对于+/-0.3dB耦合纹波来说只有倍频程带宽是实用的。如果三个相等长度的耦合器连接成为一个长耦合器,并且两个外部段的耦合相等且大大弱于中心耦合,则形成了宽带设计。在低频时,三个耦合相加。在较高频率时,三个段可组合,以在中心频率处得到减小的耦合,这里,每个耦合器为波长的四分之一。这一设计可扩展到许多段,以得到非常大的带宽。
级联耦合器方法产生了两个问题。其一是耦合器变得非常长而且有损耗,这是因为在最低带缘处,其组合长度大于波长的四分之一的长度。另外,中心段的耦合变得非常紧密,尤其对于3dB的多倍频耦合器来说。X∶1带宽的级联耦合器在其范围的高端具有波长的四分之X的长度。作为一种选择,已经提出使用集总的但是通常损耗较高的元件。
在耦合区域的端部突然终止的具有连续增加耦合的非对称耦合器与对称耦合器具有不同运行方式。在输出端口之间可得到接近于0或180度的相位差,而不是恒定的90度相位差。如果只有耦合的量很重要,则这种耦合器对于给定的带宽可能比对称耦合器短(在长度上也许为三分之二或四分之三)。
这些耦合器(除了集总元件方案外)使用分级阻抗耦合器和变压器之间的相似性来设计。因此,耦合器在分级部分中制造,并通常具有几个段的长度,每个分级部分具有中心设计频率处的波长的四分之一的长度。耦合器部分可组合为平稳变化的耦合器。这一设计理论上提高了高频截止,但不会减小耦合器的长度。
发明内容
本发明提供一种具有减小的长度、并且根据这一设计具有较低损耗的耦合器。可通过这样的耦合器来实现本发明,该耦合器包括第一和第二导线,其至少形成第一和第二耦合段和在第一和第二耦合段之间的延迟段。这一结构的其它实施方案可包括附加的交替的延迟段和耦合段,或者具有不等长度的耦合段。延迟段可由一个或两个导线中的延迟弯曲部分形成。一个导线可为另一个导线的镜像。另外,该耦合器可设计为对称的或非对称的。
包括耦合段和相邻延迟段的耦合器单元具有这样的有效电长度,该有效电长度等于两个导线在耦合段中的电长度与导线在延迟段中的长度之和。电长度定义为导线长度除以工作频率处的波长。在耦合器中只有一个导线具有延迟弯曲部分的情况下,延迟段具有的长度等于耦合段之间区域的长度加上延迟弯曲部分的长度。
每个耦合器单元等价于传统的四分之一波长耦合器,其中,补偿耦合器单元的导线长度之和等于工作频率(例如工作频率的波段的中心频率)处波长的一半。可以看到,这一新颖的耦合器可具有非常短的电长度,这是因为耦合段可以非常短,但却紧密耦合,而延迟段相对较长,但却比波长的一半短很多。
还应该理解,特别地,当本发明的耦合器仅在辅助线或第二导线中配置有延迟弯曲部分时,干线具有非常低的损耗。由于存在延迟弯曲部分而使得辅助线中的损耗较大。
附图的简要说明
图1是根据本发明制造的简单非对称定向耦合器的一个实施方案的顶视图;
图2是根据本发明制造的正交混合对称定向耦合器的顶视图;
图3是根据本发明制造的非对称定向耦合器的一个实施方案的顶部放大图;
图4是沿图3的线4-4得到的剖面图。
详细描述
本发明一般性地提供一种耦合器,其具有大于耦合线组合长度的有效电长度。已经发现,当两个非常短的耦合器串联时,所产生的耦合是两个单独耦合的矢量和。当两个耦合器由线路长度分隔时,该线路的电长度增加到耦合器长度中,并且其频率响应与长耦合器的频率响应相对应。图1中示出了根据本发明制造的这种耦合器的一个实施例。一般性地表示为10的耦合器包括第一和第二导线12和14,它们形成第一和第二分隔的耦合段16和18以及延迟段20。导线12和14可形成为在电介质基底22的表面22a上的共面导体。在传统的微带结构中,接地平面24形成于基底的背面。也可使用其它的结构,例如侧面耦合线、共面波导、槽线以及同轴线。
在这一实施例中,第一传导干线12是直线形的,从输入端或端口12a向输出端或直接输出端口12b延伸。第二传导辅助线14具有起到耦合端口作用的端部14a以及起到隔离端口作用的另一端部14b。应该理解,这些导线的形状可改变,只要第一和第二导线之间在第一和第二耦合段中具有耦合即可。
延迟段20包括形成在导线14中的开放式延迟弯曲部分(loop)26以及导线12中的跨越耦合段之间的空间的直线部分28。在延迟弯曲部分26的底部的突起(例如突起29)是补偿耦合段和延迟弯曲部分之间的转换处所产生的电感的电容器。延迟段的主要功能是在与导线12没有明显耦合的情况下增加耦合器的电长度,从而使得耦合器的总长比传统的耦合器短。如果导线分隔的距离小于导线和接地平面之间的距离,则它们可被视为耦合。耦合器10的电长度是耦合段16的长度L1的两倍、加上与延迟弯曲部分26相对的非耦合部分28的长度L2,再加上延迟弯曲部分26的长度L3。这与输入信号在耦合段18的输入端反射时,反射回到耦合端口14a的输入信号的路径相对应。当两个非常短的耦合段16和18由约为四分之一波长(实际上,50电角度)的长度(由长度L2加L3表示)的延迟段分隔时,耦合器的耦合为最大值。当延迟段为波长的一半的长度时,耦合降低直到为零。理想地,为了产生较高耦合,长度L2可以非常短,延迟弯曲部分的长度可为约四分之一波长的长度,而耦合段16可为约八分之一波长的长度。
耦合器10是非对称定向耦合器,这是因为耦合段16和18具有不同长度。在这一实施例中,耦合段18具有比耦合段16的长度L1长的长度L4。这一耦合器具有较高的定向性,频率响应非常接近于单个的长耦合器,但是在干线侧具有非常短的总线长,而在耦合或辅助线侧具有大得多的线长。在干线侧通过耦合器的损耗对于该耦合水平来说接近于理论最小值,而在耦合侧的损耗大于理论值,这是因为在短耦合段之间的附加延迟弯曲部分中具有损耗。在许多应用中,这是非常理想的折衷。因为在这一实施方案中的干线12非常短,所以它基本具有比辅助线14小的消耗损耗。
耦合器10也可形成为由耦合段分隔的多个延迟段。一个实施例是根据本发明的第二实施方案制造的耦合器,在图2中一般性地表示为30。耦合器30表示正交混合的对称定向耦合器,在干线32和辅助线34之间具有相等的功率分配。干线32具有分别形成输入端口和直接输出端口的相应端部32a和32b。辅助线34具有形成耦合端口和隔离端口的端部34a和34b。
耦合器30包括N个耦合器单元,每个耦合器单元包括耦合段和延迟段,其中N为整数。第一耦合器单元36包括第一耦合段38和延迟段40。第二耦合器单元42包括第二耦合段44和延迟段46。第N耦合器单元48包括第N耦合段50和延迟段52。各个耦合器单元可被认为是耦合器,而耦合器30是这些耦合器的组合。
每个延迟段分别包括与每个导线有关的非耦合部分,例如延迟段40的导线32和34的弯曲部分54和56。在这一实施方案中,第一和第二导线平等地共享延迟段的长度。应该理解,除了最后一个之外的每个耦合器单元包括随后的耦合段的上升缘,以供在该点的信号反射。因此,具有与最后的耦合器单元48相关的第N+1个耦合段58。另一种表述方式是,如果有N个耦合段,则有N-1个延迟段。
耦合器30是耦合器的一个实施例,其中,耦合器单元是相同的,耦合段在长度上相等,并且延迟弯曲部分在长度上相等。因此,耦合器30是正交混合的对称定向耦合器,在直接输出端口和耦合端口之间具有相等的功率分配。由此这一耦合器等价于整体建立为具有一致耦合段的耦合器。因此所有的耦合段可具有大约相同的耦合值。对于耦合器的各个等价部分来说,耦合段的长度可调节到期望的耦合水平,而且可以调节延迟弯曲部分的长度,以得到每个耦合器段期望的电长度。
可选地,耦合器可具有耦合段、延迟段、延迟跨越部分以及不同长度的延迟部分。当两个不相同的短耦合器与延迟线结合时,耦合器之间的耦合在二分之一波长处不为零,但是基本上为最小值。因此,耦合器的频率响应为三阶,即使只使用两个耦合段。可通过这种简单方法得到接近两个倍频程带宽,并且具有非常低的干线损耗。
为了增加传统的定向耦合器中的带宽,可增加更多的级联或串联的段。在这些耦合器中,干线和耦合线优选为相同的。本发明可用于提供多段的非对称级联耦合器,其可以在较低的干线损耗下覆盖十倍程带宽。这一耦合器由多个在干线侧串联在一起的短的紧密耦合段组成,延迟线在耦合侧具有最佳的长度。
这种非对称定向耦合器的一个实施例在图3和4中一般性地表示为60。耦合器60包括干线62,具有分别形成输入端口和直接输出端口的相应端部62a和62b。辅助线64具有端部64a和64b,它们分别形成耦合端口和隔离端口。如图所示,干线具有直线形路径,辅助线在干线的一侧具有各种螺旋形路径。
更具体地,耦合器60包括耦合器单元66、67、68、69和70,它们具有各自的耦合段76、77、78、79和80以及延迟段86、87、88、89和90。最后的耦合段92为所述五个耦合器单元形成第六个耦合段,从而为耦合器单元70提供第二耦合段。延迟段86、87、88、89和90包括相关的延迟弯曲部分96、97、98、99和100。
如图4中的剖面图所示,耦合器60形成为侧面耦合结构。导线62和64夹在介电层102、104和106之间,而介电层夹在相对的接地板108和110之间。导线62从导线64100%偏移,使得两个导线在接地板之间只有一边对准。接地板以距离D1分隔。已经发现,当延迟弯曲部分的相对部分以大于或等于距离D1的距离D2分隔开时,相对部分之间的耦合并不显著。
可以看到,延迟弯曲部分和耦合段的长度对于不同的耦合器单元来说是不同的。优化程序用于对于特定的设计标准来确定耦合器单元的数目以及耦合和延迟段的长度。通过改变耦合段的长度来改变累积耦合,而不是通过改变线路之间的间隔。在耦合器60的一个实施方案中,对于约2GHz的工作频率(这一频率也与200MHz到2GHz的工作波段的上限频率相对应),长度L2等于0.25英寸。在这一工作波段上,耦合器具有至少20dB的定向性以及介于-18dB到-20dB之间的耦合。
耦合器60的总长约为五英寸。2GHz的高位频率时的一个波长约为8英寸。传统的10∶1耦合器具有约十个四分之一波长段,其与约20英寸的总等价长度相对应。因此可以看出,本发明使得总长显著减小。
很明显,干线中的消耗损耗也降低。在刚刚提到的实施例中,在整个频带上,损耗小于0.2dB。这一损耗约为传统设计的损耗的三分之一。与具有约为2个波长的干线长度的传统耦合器相比,对于耦合水平非常低(比如-40dB)的大功率耦合器来说,这种方法节省的功率是显著的,特别是对于在最高使用频率时干线电长度可小于四分之一波长的宽频带耦合器来说,而与之相比,传统的耦合器具有约两个波长的干线长度。
可进行许多的设计变化。如前所述,耦合器单元的数量可改变,并且耦合段和延迟段的长度也可改变。另外,如果需要,每个耦合段中的耦合紧密程度可改变。与传统耦合器一样,信号传输的方向也可倒转。作为一种实际情况,整个耦合器的输入和输出端口之间的长度可通过使得导线在耦合段中紧密耦合而减小。然后,由耦合器提供的耦合量通过耦合段的长度而确定,所有耦合段在干线和辅助线之间可具有相同的间隔。这样就简化了耦合器的结构。同样地,延迟弯曲部分的设计可改变,并可包括集总元件。
虽然已经参照上面的优选实施方案对本发明进行了详细表示和描述,但是本领域技术人员应该理解,在不背离由随后的权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可对其进行多种修改。应该理解,本发明的说明书可包括在此所描述元件的所有新颖的和非显而易见的组合,并且可包括在本申请或随后的申请中出现的对这些元件的任何新颖的和非显而易见的组合的保护。以上的实施方案是示例性的,单独的特征或元件对于可在本申请或随后的申请中请求保护的所有可能的组合并非必要。如果权利要求描述了“一(a)”或“第一(a first)”元件或其等价物,应该理解为,这些权利要求包括一个或多个这种元件,而并非排除两个或多个这种元件的情况。
Claims (30)
1.一种耦合器,包括:
第一导线和第二导线,至少具有长度不等的第一耦合段和第二耦合段以及在所述第一耦合段和所述第二耦合段之间的延迟段。
2.如权利要求1所述的耦合器,其中,所述延迟段具有小于工作频率处波长的一半的长度。
3.如权利要求2所述的耦合器,其中,所述延迟段具有在所述工作频率处波长的一半和四分之一之间的长度。
4.如权利要求2所述的耦合器,其中,所述延迟段具有约为所述工作频率处波长的四分之一的长度。
5.如权利要求1所述的耦合器,其中,所述延迟段具有约等于工作频率处波长的一半减去所述第一段的电长度的两倍的长度。
6.如权利要求1所述的耦合器,其中,所述导线具有N个耦合段和N-1个延迟段,其中,N是大于2的整数,所述N-1个延迟段中的每个位于两个耦合段之间。
7.如权利要求6所述的耦合器,其中,至少两个所述延迟段具有不相等的长度。
8.如权利要求1所述的耦合器,其中,所述延迟段包括形成于两个导线中并具有相等长度的延迟弯曲部分。
9.一种耦合器,包括:
第一导线,在第一端口和第二端口之间延伸;以及
第二导线,在第三端口和第四端口之间延伸;所述第一导线和第二导线形成N个耦合段和N-1个非耦合段,其中,N是大于2的整数,每个非耦合段位于两个耦合段之间。
10.如权利要求9所述的耦合器,其中,非耦合段包括形成于所述第一导线和第二导线的每一个中的非耦合弯曲部分。
11.如权利要求10所述的耦合器,其中,所述第一导线的一部分是所述第二导线的相应部分的镜像。
12.如权利要求9所述的耦合器,其中,每个所述非耦合段包括形成于所述第一导线和第二导线的每一个中的非耦合弯曲部分。
13.如权利要求12所述的耦合器,其中,所述第一导线是第二导线的镜像。
14.如权利要求13所述的耦合器,其中,所述耦合器是对称耦合器。
15.如权利要求9所述的耦合器,其中,相邻的耦合段分隔开,并且非耦合段跨越所述相邻的耦合段之间的区域,至少一个所述非耦合段的长度约等于工作频率处波长的一半减去相邻耦合段长度的两倍之和。
16.如权利要求9所述的耦合器,其中,所述第一导线和第二导线在至少一个非耦合段中具有不相等的长度。
17.如权利要求16所述的耦合器,其中,所述第一导线在所述至少一个非耦合段中包括非耦合弯曲部分。
18.如权利要求17所述的耦合器,其中,所述第二导线在所述至少一个非耦合段中、在所述相邻的耦合段之间径直延伸。
19.如权利要求18所述的耦合器,其中,所述第二导线在各个所述N个耦合段之间径直延伸。
20.如权利要求19所述的耦合器,其中,所述N个耦合段成一行地在第一耦合段和第N耦合段之间延伸,所述第二导线以直线方式在所述第一耦合段和第N耦合段之间延伸。
21.如权利要求9所述的耦合器,其中,各个所述耦合段小于工作频率处波长的四分之一。
22.一种非对称定向耦合器,包括:
第一和第二分隔的接地平面;
由电介质材料制成的基底,设置在所述第一和第二接地平面之间;
第一导线,设置在介于所述第一和第二接地平面之间的所述基底中,并在第一和第二端口之间延伸;以及
第二导线,设置在介于所述第一和第二接地平面之间的所述基底中,并与所述第一导线分隔开,所述第二导线在第三和第四端口之间延伸;所述第一和第二导线形成N个耦合段和N-1个非耦合段,其中,N是大于1的整数,每个非耦合段位于两个耦合段之间,其中,所述耦合段并非都具有相等长度,所述非耦合段并非都具有相等长度。
23.如权利要求22所述的耦合器,其中,所述接地平面隔开一定距离,每个非耦合段形成开放式弯曲部分,所述开放式弯曲部分在相对部分之间具有间隔,所述间隔至少为所述接地平面之间的距离。
24.如权利要求22所述的耦合器,其中,所述第一和第二导线在至少一个非耦合段中具有不相等的长度。
25.如权利要求24所述的耦合器,其中,所述第一导线在所述至少一个非耦合段中包括非耦合弯曲部分。
26.如权利要求25所述的耦合器,其中,所述第二导线在所述至少一个非耦合段中、在相邻的耦合段之间径直延伸。
27.如权利要求26所述的耦合器,其中,所述第二导线在各个所述N个耦合段之间延伸。
28.如权利要求27所述的耦合器,其中,所述N个耦合段成一行地在第一耦合段和第N耦合段之间延伸,所述第二导线以直线方式在所述第一耦合段和第N耦合段之间延伸。
29.一种正交混合耦合器,包括:
第一和第二导线,对称地形成分隔的耦合段;以及非耦合段,跨越相邻耦合段之间的区域,每个非耦合段在所述第一和第二导线中由相等的非耦合弯曲部分形成。
30.如权利要求29所述的耦合器,其中,所述耦合段具有相等的长度,每个所述非耦合段的长度基本等于工作频率处波长的一半减去相邻耦合段的长度的两倍。
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20060802 |