CN1812039A - 印刷电路基板及其制造方法,以及制造等离子显示板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及印刷电路基板及其制造方法，以及制造等离子显示板的方法。根据本发明，通过一次层压薄膜形成黑矩阵层和电极层，在该薄膜上形成黑矩阵层和电极层。根据本发明的制造等离子显示板的方法，能降低层压过程的数量，能降低基薄膜和覆盖膜的消耗，以及能降低在层压过程期间产生故障的概率。

Description

印刷电路基板及其制造方法，以及制造等离子显示板的方法
技术领域
本发明涉及印刷电路基板(green sheet)及其制造方法，以及制造等离子显示板的方法。
背景技术
现有技术中的等离子显示板是一种发光设备，使用两个玻璃衬底板间的电极间气体放电现象，显示图像。通用等离子显示板不需要用于驱动每个单元的有源元件。因此，等离子显示板具有简单的制造工艺以及快速响应速度以及还具有大尺寸屏幕。
现有技术的等离子显示板包括前衬底和后衬底。在前衬底中，形成扫描电极和用于维持放电的维持电极。在后衬底中，形成用于地址放电的地址电极。在现有技术的等离子显示板的制造工艺中，非常多地采用丝网印刷方法来在前衬底或后衬底中形成电极。然而，目前已经提出了使用干膜来形成电极的方法，代替丝网印刷方法。
在使用干膜形成电极的方法中，能使电极的厚度均匀，便于大尺寸屏幕和不要求干燥过程。使用干膜形成电极的方法有利之处在于由于使用层合机(laminator)，过程费用和设备维护费用低。
图1表示制造现有技术的等离子显示板的方法。如图1所示，在制造现有技术的等离子显示板的方法中，使用光敏光致抗蚀剂，在淀积在衬底100上的透明电极材料中，形成预定图形。沿该图形蚀刻透明电极材料以便形成透明电极101。
通过层压或丝网印刷黑矩阵膜或光敏黑糊(black paste)，在透明电极101上形成黑矩阵(黑矩阵)层102。此时，在黑矩阵膜是印刷电路基板的一部分的情况下，去除印刷电路基板的覆盖膜和基薄膜，以便层压黑矩阵膜。
在使用黑矩阵掩膜20，沿预定图形曝光黑矩阵层102后，通过层压或丝网印刷电极膜或光敏电极糊，电极层103形成在曝光的黑矩阵层102上。在这种情况下，在电极膜是印刷电路基板的一部分的情况下，去除印刷电路基板的覆盖膜和基薄膜，以便层压电极膜。
在使用电极掩膜30，沿电极图形曝光电极层103后，通过相同的显影剂，同时显影电极层103和黑矩阵层102，从而形成电极103’和黑矩阵102’。在烧结炉中，用高温烧结电极103’和黑矩阵102’。
即，通过层压或丝网印刷，将黑矩阵膜或光敏黑糊涂在透明电极上，然后，沿期望图形，曝光黑矩阵膜或光敏黑糊。通过层压或丝网印刷，沿期望图形，在黑矩阵膜或光敏黑糊上曝光电极膜或光敏电极糊。此后，同时显影黑矩阵膜或光敏黑糊，或电极膜或光敏电极糊，形成黑矩阵102’和电极103’。
在使用干膜，诸如现有技术中的电极膜或黑矩阵膜形成电极或黑矩阵的情况下，然而，必须执行两次层压过程，以便层压黑矩阵膜和电极膜。这增加了制造工艺的数量。
此外，由于执行两次层压过程，在层压过程期间发生故障的可能性增加。
此外，由于层压过程必须执行两次，增加去除的基薄膜和覆盖膜的数量，导致增加制造成本。
发明内容
因此，本发明的目的是至少解决现有技术的问题和缺点。
本发明提供一种印刷电路基板及其制造方法，以及制造等离子显示板的方法，其中，能降低层压过程的数量。
本发明提供一种印刷电路基板及其制造方法，以及制造等离子显示面板的方法，其中，在层压过程期间，能减少故障。
发明提供一种印刷电路基板及其制造方法，以及制造等离子显示面板的方法，其中，能减少在层压过程中，消耗的基薄膜和覆盖膜的数量。
根据本发明的一个方面，制造等离子显示板的方法包括步骤：在衬底上，层压包括黑矩阵层和层叠在黑矩阵上的电极层的薄膜；通过使用第一显影剂，沿第一图形，显影电极层，形成电极；沿第二图形曝光黑矩阵层；以及通过使用第二显影剂，沿第二图形显影黑矩阵层，从而形成黑矩阵。
根据本发明的一个方面，一种印刷电路基板包括第一薄膜；曝光、层压在第一薄膜上的第一层；层压在第一层上的第二层，以及层压在第二层上的第二薄膜。
根据本发明的一个方面，一种制造印刷电路基板的方法包括步骤：修补第一薄膜；在第一薄膜上层叠第一层；曝光第一层；在第一层上层叠第二层；以及在第二层上层叠第二薄膜。
根据本发明，制造等离子显示板的方法能降低层压过程的数量。
根据本发明，制造等离子显示板的方法由于降低层压过程的数量，能降低基薄膜和覆盖膜的消耗。
根据本发明，制造等离子显示板的方法由于降低层压过程的数量，能降低在层压过程期间产生故障的概率。
附图说明
将参考附图，详细地描述本发明，其中，相同的标记表示相同的元件。
图1表示现有技术中，制造等离子显示板的方法；
图2表示根据本发明的实施例，制造等离子显示板的方法；以及
图3表示根据本发明的实施例，制造印刷电路基板的方法。
具体实施方式
将参考附图，更详细地描述本发明的优选实施例。
根据本发明的一个方面，制造等离子显示板的方法包括在衬底上层压包括黑矩阵层和层叠在黑矩阵上的电极层的薄膜，通过使用第一显影剂，沿第一图形，显影电极层，形成电极，沿第二图形曝光黑矩阵层，以及使用第二显影剂，沿第二图形，显影黑矩阵层，从而形成黑矩阵。
可以曝光薄膜的黑矩阵层。
薄膜的黑矩阵层可以预先曝光的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，以及沿第二图形，可以曝光黑矩阵层的光量为大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2。
曝光薄膜的黑矩阵层的光量可以大于整个曝光量的20％至小于40％，以及沿第二图形，可以曝光黑矩阵层的光量为大于整个曝光量的60％至小于80％。
第一显影剂和第二显影剂可以是碳酸钠，以及第一显影剂的浓度可以大于第二显影剂的浓度的二倍至小于三倍。
包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，第一显影剂和第二显影剂可以是碳酸钠，以及第一显影剂的浓度可以大于0.3％至小于1％，以及第二显影剂的浓度可以大于0.6％至小于3％。
该方法可以进一步包括去除用于保护薄膜的覆盖膜和基薄膜的步骤。
根据本发明的一个方面的印刷电路基板包括第一薄膜，曝光、层压在第一薄膜上的第一层，层压在第一层上的第二层，以及层压在第二层上的第二薄膜。
第一层可以是黑矩阵层。
第二层可以是电极层。
曝光第一层的光量可以大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
曝光第一层的光量可以是整个曝光量的大于20％至小于40％。
包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
制造根据本发明的一个方面的印刷电路基板的方法包括修补第一薄膜，在第一薄膜上层叠第一层，曝光第一层，在第一层上层叠第二层，以及在第二层上层叠第二薄膜。
第一层可以是黑矩阵层。
第二层可以是电极层。
曝光第一层的光量可以大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
曝光第一层的光量可以是整个曝光量的大于20％至小于40％。
包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量可以大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
将参考附图，描述本发明的详细实施例。
图2表示根据本发明的实施例，制造等离子显示板的方法。
在第一步骤(ST1)中，将透明电极材料涂在衬底10上。然后，使用光敏抗蚀剂，沿透明电极图形，曝光透明电极材料，然后显影，从而形成透明电极1。
在第二步骤(ST2)中，通过一次层压过程，将包括光敏黑矩阵层2和层叠在光敏黑矩阵层2上的光敏总线电极层3的干膜4层压在透明电极1上。在该过程中，去除用于保护干膜4的覆盖膜和基薄膜。光敏黑矩阵层2与透明电极1接触，以及光敏总线电极层3位于光敏黑矩阵层2上。即，在制造等离子显示板的传统方法中，由于必须单独地层压电极膜和黑矩阵膜，必须执行二次层压过程。在根据本发明，制造等离子显示板的方法中，然而，由于使用具有其中集成光敏总线电极层3和光敏黑矩阵层2的干膜4，仅需要执行一次层压过程。因此，能降低等离子显示板的制造工艺的数量。
在第三步骤(ST3)中，沿电极掩膜30的电极图形，曝光光敏总线电极层3。
在第四步骤(ST4)中，在光敏总线电极层3上，执行使用显影剂的显影过程。通过显影过程，在光敏黑矩阵层2上形成具有电极图形的总线电极3’。
在第五步骤(ST5)中，沿黑矩阵掩膜20的黑矩阵图形，使光敏黑矩阵层2暴露到光，诸如紫外光下。
在第六步骤(ST6)中，在光敏黑矩阵层2中执行使用显影剂的显影过程。通过在光敏黑矩阵层2上的显影过程，在衬底10上形成具有黑矩阵图形的黑矩阵2’。
在第七步骤(ST7)中，将形成黑矩阵2’和总线电极3’的衬底10插入烧结炉，然后烧结。
同时，提出了两种方法以便防止在第四步骤(ST4)中，同时形成光敏电极层3和光敏黑矩阵层2。
第一方法是使在第四步骤(ST4)中使用的电极显影剂和在第六步骤(ST6)中使用的黑矩阵显影剂的浓度彼此不同。即，电极显影剂和黑矩阵显影剂的大部分是溶液，其中，用纯水溶解3％或更低的碳酸钠(NaCO3)。通常使用具有从0.3％至1％的浓度范围的碳酸钠溶液。因此，用作电极显影剂的碳酸钠的浓度大于0.3至小于1％，以及用作黑矩阵显影剂的碳酸钠的浓度大于0.6％至小于3％，其是从用作电极显影剂的碳酸钠的浓度的二倍至三倍。
此时，包含在传统的黑矩阵层中的粘合剂的分子量为大于10,000g/mol至小于30,000g/mol。用在本发明中的光敏黑矩阵层2的粘合剂的分子量为大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。如果粘合剂的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，通过具有大于0.3至小于1％的浓度的碳酸钠，不显影粘合剂。因此，在第四步骤(ST4)中，通过其浓度大于0.3至小于1％的碳酸钠，不显影包括分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol的粘合剂的光敏黑矩阵层2，而仅显影光敏总线电极层3。
因此，通过控制构成干膜4的光敏总线电极层3和光敏黑矩阵层2的显影强度，解决该问题。
第二种方法是使用通过按一定程度曝光的光敏黑矩阵层。
图3表示根据本发明的实施例，制造印刷电路基板的方法。
如图3(a)所示，在基薄膜上形成光敏黑矩阵层2。
如图3(b)所示，在光敏黑矩阵层2上形成光敏总线电极层3之前，在光敏黑矩阵层2上执行一定程度的曝光。因此，光敏黑矩阵层2内的一些材料对用在曝光过程中的紫外线起作用。
如图3(c)所示，在已经执行一定程度的曝光的光敏黑矩阵层2上形成光敏总线电极层3。在光敏总线电极层3上形成覆盖膜，以便形成由光敏黑矩阵层2和光敏总线电极层3组成的干膜4。
因此，当在图2的第四步骤(ST4)中，用显影剂显影光敏总线电极层3时，先前已经曝光的光敏黑矩阵层2能抗显影剂。
例如，在显示光敏黑矩阵层2所需的整个曝光量为500毫焦耳/cm2的情况下，如果在干膜的制造过程中，将对应于大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，其为总曝光量的大于20％至小于40％的紫外线照射在整个光敏黑矩阵层2上，在图2的第四步骤中，光敏黑矩阵层2能抗显影剂达预定时间，因为先前曝光过光敏黑矩阵层2的顶表面。此后，如果在光敏黑矩阵层2的曝光步骤(ST5)中，将对应于大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2，其为总曝光量的大于60％至小于80％的紫外线照射在整个光敏黑矩阵层2上，在黑矩阵显影步骤(ST6)中，显影由于黑矩阵掩膜20，未曝光的一些光敏黑矩阵层2，以及已经照射整个曝光量的光敏黑矩阵层2的其他部分仍然保持原样。
在现有技术中，制造等离子显示板的方法中，执行用于执行电极层和黑矩阵层的层压过程二次。在根据本发明，制造等离子显示板的方法中，然而，由于使用集成光敏总线电极层3和光敏黑矩阵层2的干膜4，仅执行一次层压过程。
因此，由于如上所述，使在层压过程中消耗的基薄膜和覆盖膜的数量减半，能节省制造成本。
此外，由于降低层压数量，能相当大地降低在层压过程期间产生故障的概率。
由此描述了本发明，很显然，可以用许多方式改变。这些改变不视为脱离本发明的精神和范围，以及对本领域的技术人员来说显而易见的所有这些改进均包括在下述权利要求书的范围中。

Claims (19)

1.一种制造等离子显示板的方法，包括步骤：
在衬底上，层压包括黑矩阵层和层叠在黑矩阵上的电极层的薄膜；
通过使用第一显影剂，沿第一图形显影电极层，形成电极；
沿第二图形曝光黑矩阵层；以及
通过使用第二显影剂，沿第二图形显影黑矩阵层，从而形成黑矩阵。
2.如权利要求1所述的方法，其中，曝光该薄膜的黑矩阵层。
3.如权利要求2所述的方法，其中，先前曝光该薄膜的黑矩阵层的光量为大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2，以及
沿第二图形，曝光黑矩阵层的光量为大于300毫焦耳/cm2至小于400毫焦耳/cm2。
4.如权利要求2所述的方法，其中，曝光薄膜的黑矩阵层的光量大于整个曝光量的20％至小于40％，以及
沿第二图形，曝光黑矩阵层的光量为大于整个曝光量的60％至小于80％。
5.如权利要求1所述的方法，其中，第一显影剂和第二显影剂是碳酸钠，以及
第一显影剂的浓度是大于第二显影剂的浓度的二倍至小于三倍。
6.如权利要求1所述的方法，其中，包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol，
第一显影剂和第二显影剂是碳酸钠，以及
第一显影剂的浓度大于0.3％至小于1％，以及第二显影剂的浓度大于0.6％至小于3％。
7.如权利要求1所述的方法，进一步包括去除用于保护该薄膜的覆盖膜和基薄膜的步骤。
8.一种印刷电路基板，包括
第一薄膜；
曝光、层压在第一薄膜上的第一层；
层压在第一层上的第二层；以及
层压在第二层上的第二薄膜。
9.如权利要求8所述的印刷电路基板，其中，第一层是黑矩阵层。
10.如权利要求8所述的印刷电路基板，其中，第二层是电极层。
11.如权利要求8所述的印刷电路基板，其中，曝光第一层的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
12.如权利要求8所述的印刷电路基板，其中，曝光第一层的光量大于整个曝光量的20％至小于40％。
13.如权利要求9所述的印刷电路基板，其中，包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
14.一种制造印刷电路基板的方法，包括步骤：
定制第一薄膜；
在第一薄膜上层叠第一层；
曝光第一层；
在第一层上层叠第二层；以及
在第二层上层叠第二薄膜。
15.如权利要求14所述的方法，其中，第一层是黑矩阵层。
16.如权利要求14所述的方法，其中，第二层是电极层。
17.如权利要求14所述的方法，其中，曝光第一层的光量大于100毫焦耳/cm2至小于200毫焦耳/cm2。
18.如权利要求14所述的方法，其中，曝光第一层的光量大于整个曝光量的20％至小于40％。
19.如权利要求15所述的方法，其中，包含在黑矩阵层中的粘合剂的分子量大于50,000g/mol至小于200,000g/mol。
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