CN1802050A - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents
有机发光显示器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1802050A CN1802050A CNA2005101155867A CN200510115586A CN1802050A CN 1802050 A CN1802050 A CN 1802050A CN A2005101155867 A CNA2005101155867 A CN A2005101155867A CN 200510115586 A CN200510115586 A CN 200510115586A CN 1802050 A CN1802050 A CN 1802050A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting display
- electrode
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机发光显示器及其制造方法。该有机发光显示器包括像素电极，至少包括发光层的有机层，以及相对电极。设置在发光层和相对层之间的电子注入层可以由最佳厚度的NaF层形成，以减少该电子注入层的厚度。
Description
相关申请的交叉参考
本申请要求2004年11月5日提交的韩国专利申请No.2004-90054的优先权和利益，在此将其全部内容引入作为参考。
技术领域
本发明涉及有机发光显示器及其制造方法，更具体地说，涉及能通过在有机发光显示器的发光层(emission layer)和相对电极之间形成最佳厚度的NaF层来降低有机层总厚度的有机发光显示器，及其制造方法。
背景技术
一般来说，有机发光显示器(OLED)是电激发有机化合物来发光的自发光显示器。OLED根据驱动设置成矩阵式的N×M像素的方法分成无源矩阵(passive matrix，亦称被动式矩阵)OLED和有源矩阵(active matrix，亦称主动式矩阵)OLED。由于有源矩阵OLED与无源矩阵OLED相比具有较低的功耗，所以有源矩阵OLED具有能易于实现高分辨率和大尺寸显示器的优点。此外，OLED根据从有机化合物发射出来的光的发射方向，分成顶部发光OLED、底部发光OLED和具有顶部和底部发射方向的双面发光OLED。由于顶部发光OLED不同于底部发光OLED，是沿着基板的反方向发光的，所以顶部发光OLED具有开口率大的优点。
随着显示设备已经小型化并且由此需要低功耗，包括形成在一个表面上的顶部发光OLED的主显示窗以及形成在另一个表面上的底部发光OLED的副显示窗的OLED被广泛使用。上述OLED主要用在移动电话中，其包括形成在外部的副显示窗和形成在内部的主显示窗。在移动电话处于呼叫等待状态的情况下，用户可以透过消耗相对较低功率的辅助显示窗观察到接收敏感性、电池剩余电量、时间等等。
图1是常规有机发光显示器的横截面图。
首先，预定厚度的缓冲层110形成在透明的绝缘基板100上，并且包括多晶硅图案(pattern)122、栅极132以及源极150和漏极152的薄膜晶体管形成在缓冲层110上。在这个工艺中，其中注入杂质的源极和漏极区120设置在多晶硅图案122的两侧，并且栅极绝缘层130设置在包括多晶硅图案122的整个表面上。
接下来，预定厚度的钝化层160形成在合成结构的整个表面上，并且钝化层160用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露源极150和漏极152之一，例如漏极152的第一通路接触孔(未示出)。钝化层160可以由氧化硅层、氮化硅层或其叠层形成。
第一绝缘层170形成在合成结构的整个表面上。第一绝缘层170可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、旋涂玻璃(SOG)和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成，并且起平坦化发光区域的作用。
接着，第一绝缘层170用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露第一通路接触孔的第二通路接触孔(未示出)。
接下来，像素电极180被形成为通过第二通路接触孔连接到源极150和漏极152之一上，例如，漏极152上。在这个工艺中，当OLED是顶部发光OLED时，像素电极180由发射电极形成，而当OLED是底部发光OLED时，像素电极180由透明电极形成。当像素电极是反射电极时，该像素电极形成为反射电极和透明电极的层叠结构。
接下来，第二绝缘层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。第二绝缘层可以由从由聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、苯酚树脂和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成。接着，用于限定发光区域的第二绝缘层图案190由光刻工艺形成。
接着，至少包括发光层的有机层182通过低分子沉积法或激光转写法形成在第二绝缘层图案190限定的区域处。有机层182可以进一步包括从电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴注入层和空穴传输层组成的组中选择的至少一层。
接下来，预定厚度的LiF层184形成在有机层182上。同时，LiF层184是有机层182和相对电极186之间的接口层，并且具有约3～10的厚度。LiF层184改善电子注入特性，以降低相对电极186的功函数，提高发光效率并降低驱动电压。
接下来，相对电极186形成在LiF层184上。相对电极186由例如Mg-Ag或Ca层的透明金属电极形成。
接着，钝化层(未示出)形成在相对电极186上。钝化层由例如氮化硅层的无机绝缘层形成。
然而，在常规的OLED中，很难在像素电极和相对电极之间采取最佳的有机层厚度，来提高发光效率并降低驱动电压。
发明内容
因此，本发明提供一种能通过在发射层和相对电极之间设置最佳厚度的NaF层来提高发光效率的有机发光显示器，及其制造方法。
在本发明的示例性实施例中，一种有机发光显示器包括：设置在基板上的像素电极；设置在该像素电极上并至少包括发光层的有机层；设置在该有机层上并具有3～5厚度的NaF层；和设置在该NaF层上的相对电极，其中，优选所述NaF层具有4的厚度。
根据本发明的另一个示例性实施例，一种制造有机发光显示器的方法包括：在基板上形成像素电极；在该像素电极上形成至少包括发光层的有机层；在该有机层上形成具有3～5厚度的NaF层；和在该NaF层上形成相对电极，其中优选，所述NaF层形成为4的厚度。
附图说明
将参照附图结合一些示例性实施例，描述本发明的以上和其它特征，其中：
图1是常规有机发光显示器的横截面图；
图2是根据本发明的有机发光显示器的横截面图；
图3是当在根据本发明的有机发光显示器中使用LiF层和NaF层时，示出每个R、G和B像素的亮度和效率的图；和
图4是示出根据本发明实施例的比较每个NaF层厚度的亮度和效率的图。
具体实施方式
下面，参照附图更加全面地描述本发明，其中示出本发明的较佳实施例。然而，本发明可以具体化成不同的形式，并且不应该解释为局限于这里提出的实施例。
图2是根据本发明的有机发光显示器的横截面图。
预定厚度的缓冲层210形成在透明基板200上，并且包括多晶硅图案222、栅极232以及源极250和漏极252的薄膜晶体管形成在缓冲层210上。在这个工艺中，其中注入杂质的源极和漏极区220设置在多晶硅图案222的两侧，并且栅极绝缘层230设置在包括多晶硅图案222的整个表面上。
接下来，预定厚度的钝化层260形成在该合成结构的整个表面上，并且钝化层260用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露源极250和漏极252之一，例如漏极252的第一通路接触孔(未示出)。钝化层260可以由氧化硅层、氮化硅层或其叠层形成。
第一绝缘层270形成在合成结构的整个表面上。第一绝缘层270可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、旋涂玻璃(SOG)和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成，并且起平坦化发光区域的作用。
接着，第一绝缘层270用光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成用于暴露第一通路接触孔的第二通路接触孔(未示出)。
接下来，反射层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。在这个工艺中，反射层由具有高反射率的从由Al、Al合金、Mo、Ti、Au、Ag和Pd组成的组中选择的一种金属制成。
接下来，反射层经历光刻工艺，以在发光区域形成反射层图案(未示出)。
接下来，用于像素电极的薄层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。用于像素电极的薄层由诸如氧化铟锡(ITO)的透明金属材料制成。
接下来，用于像素电极的薄层由光刻法和蚀刻工艺蚀刻，以形成像素电极280。像素电极280连接到通过第二通路接触孔暴露的源极250和漏极252之一上，例如漏极252上。在这个工艺中，像素电极280是包括设置在其下的反射层图案的反射电极。
接下来，第二绝缘层(未示出)形成在合成结构的整个表面上。第二绝缘层可以由从聚酰亚胺、苯并环丁烯系列树脂、苯酚树脂和丙烯酸酯组成的组中选择的一种制成。接着，用于限定像素电极280的发光区域的第二绝缘层图案290由光刻工艺形成。
接下来，至少包括发光层的有机层282形成在像素电极280的发光区域。有机层282由低分子沉积法或激光转写法形成。有机层282可以进一步包括从电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层和空穴阻挡层组成的组中选择的至少一层。
接下来，NaF层284形成在合成结构的整个表面上。NaF层284形成为提高电子注入特性，以降低相对电极286的功函数，提高发光效率并降低驱动电压。NaF层284形成3～5的厚度，最佳地，是4。
接下来，相对电极286形成在NaF层284上。相对电极286由诸如MgAg层、CaAg层、Ca层、BaAg层之类的能透射光的金属层形成。
接下来，钝化层(未示出)形成在相对电极286上。钝化层可以由诸如氮化硅层的无机绝缘层形成。
接着，透明的封装基板被密封在相对电极上，以完成OLED。
图3是当在根据本发明的有机发光显示器中使用LiF层和NaF层时，示出每个R、G和B像素的亮度和效率的图。如图3所示，尽管NaF层设置在发光层和相对电极之间，但是可以理解每个像素的效率没有下降。特别是，当亮度大于200cd/m2时，红光具有更优良的效率。
图4是示出根据本发明实施例的比较NaF层每个厚度的亮度和效率的图。比较当在OLED中使用3的LiF层，3、5和7的NaF层时每个发光效率，可以理解，3和5的NaF层具有好于LiF层的效率。同时，当使用7的NaF层时，器件的特性不存在。
从上述可以看到，可以通过在发光层和相对电极之间形成具有约3～5厚度的NaF层来替代常规的LiF层，而不改变OLED的光学特性。
因此，降低发光层和相对电极之间的有机层的厚度，同时保持器件特性是有利的。
尽管已经参照一些示例性实施例描述了本发明，但是不脱离本发明的范围可以对描述的实施例作改变。
Claims (14)
1、一种有机发光显示器，包括：
设置在基板上的像素电极；
设置在该像素电极上并至少包括发光层的有机层；
设置在该有机层上并具有3～5厚度的NaF层；和
设置在该NaF层上的相对电极。
2、根据权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括在所述基板和像素电极之间的至少一个薄膜晶体管。
3、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述像素电极是反射电极。
4、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述有机层包括从由空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一个薄层。
5、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述NaF层具有4的厚度。
6、根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中所述相对电极是透射式的金属电极。
7、根据权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括形成在所述相对电极上的钝化层。
8、一种制造有机发光显示器的方法，包括：
在基板上形成像素电极；
在该像素电极上形成至少包括发光层的有机层；
在该有机层上形成具有3～5厚度的NaF层；和
在该NaF层上形成相对电极。
9、根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述基板和像素电极之间形成至少一个薄膜晶体管。
10、根据权利要求8所述的方法，其中所述像素电极是反射电极。
11、根据权利要求8所述的方法，其中所述有机层包括从由空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一个薄层。
12、根据权利要求8所述的方法，其中所述NaF层形成为4的厚度。
13、根据权利要求8所述的方法，其中所述相对电极是透射式的金属电极。
14、根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述相对电极上形成钝化层。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040090054A KR100685414B1 (ko) | 2004-11-05 | 2004-11-05 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그의 제조방법 |
| KR1020040090054 | 2004-11-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1802050A true CN1802050A (zh) | 2006-07-12 |
Family
ID=36315631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101155867A Pending CN1802050A (zh) | 2004-11-05 | 2005-11-07 | 有机发光显示器及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7514862B2 (zh) |
| JP (1) | JP2006135337A (zh) |
| KR (1) | KR100685414B1 (zh) |
| CN (1) | CN1802050A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103582961A (zh) * | 2012-06-04 | 2014-02-12 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件和其制造方法、有机el面板、有机el发光装置、以及有机el显示装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101084198B1 (ko) | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101097337B1 (ko) | 2010-03-05 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101954981B1 (ko) | 2010-09-24 | 2019-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2013033872A (ja) * | 2011-08-03 | 2013-02-14 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US10181582B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-15 | Joled Inc. | Organic EL element comprising first and second interlayers of specified materials and thicknesses, and method for manufacturing thereof |
| JP6519910B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2019-05-29 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP6510223B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2019-05-08 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP6561281B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2019-08-21 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289784A (ja) | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子 |
| JPH11339968A (ja) | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2001052870A (ja) | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6515428B1 (en) * | 2000-11-24 | 2003-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method |
| JP2002164178A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US20030129447A1 (en) | 2001-09-19 | 2003-07-10 | Eastman Kodak Company | Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide-in an organic light-emitting device structure |
| JP3698138B2 (ja) | 2001-12-26 | 2005-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 撥水化処理の方法、薄膜形成方法及びこの方法を用いた有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| JP3995476B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-10-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| US7161291B2 (en) * | 2002-09-24 | 2007-01-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Display element and method for producing the same |
| JP4527935B2 (ja) | 2002-10-01 | 2010-08-18 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| KR20040093608A (ko) * | 2003-04-30 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 계면쌍극자 조절을 통한 효율적인 유기발광소자 |
| JP3979395B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電子機器 |
-
2004
- 2004-11-05 KR KR1020040090054A patent/KR100685414B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-11-01 US US11/265,398 patent/US7514862B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-04 JP JP2005321569A patent/JP2006135337A/ja active Pending
- 2005-11-07 CN CNA2005101155867A patent/CN1802050A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103582961A (zh) * | 2012-06-04 | 2014-02-12 | 松下电器产业株式会社 | 有机el元件和其制造方法、有机el面板、有机el发光装置、以及有机el显示装置 |
| CN103582961B (zh) * | 2012-06-04 | 2016-08-31 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件和其制造方法、有机el面板、有机el发光装置、以及有机el显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060040453A (ko) | 2006-05-10 |
| US7514862B2 (en) | 2009-04-07 |
| US20060097632A1 (en) | 2006-05-11 |
| KR100685414B1 (ko) | 2007-02-22 |
| JP2006135337A (ja) | 2006-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1802050A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| US8076837B2 (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
| CN1708198A (zh) | 有机发光装置及其制造方法 | |
| CN101369634B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN1510974A (zh) | 提高亮度的有机电致发光器件 | |
| CN1703126A (zh) | 有机发光显示器件及其制造方法 | |
| CN1213461C (zh) | 有源矩阵电致发光显示板及制作这种显示板的方法 | |
| US8084941B2 (en) | Organic light emitting diode display having improved mechanical strength | |
| CN1655655A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN1780023A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN1444426A (zh) | 电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN1430455A (zh) | 带有有浓度梯度的防反射层的平板显示装置及其制造方法 | |
| CN1790733A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| CN1708197A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US20070262299A1 (en) | Organic light emitting device and method of fabricating the same | |
| CN1658725A (zh) | 有源矩阵有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN100420066C (zh) | 有机电激发光元件及包括其的显示装置 | |
| US8378569B2 (en) | Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant | |
| CN101075634A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| US8008851B2 (en) | Organic light emitting display | |
| CN1950949A (zh) | 具有附加源/漏绝缘层的共面薄膜晶体管 | |
| CN1259807C (zh) | 光发射器以及其制造方法 | |
| CN1874024A (zh) | 有机发光二极管 | |
| CN100521285C (zh) | 有机电致发光装置及其制造方法、空穴注入装置 | |
| CN1832192A (zh) | 双面发光有机电激发光装置及电子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090109 |
|
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20060712 |