CN1802048A - 发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种在具有以各种不同的颜色进行发光的多种发光元件的发光装置中，能够不降低发光效率，改善发光强度偏差以及颜色偏差的发光装置。在具有以各种不同的颜色进行发光的多种发光元件(2)的发光装置中，设从第2电极(8)(半透明电极)的上面到保护层(3)的上面之间为第1区间，从有机层(4)的上面到保护层(3)的上面之间为第2区间，从第1电极(7)的上面到保护层(3)的上面之间为第3区间的情况下，设定各区间的光学距离，让在第1～第3区间的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

Description

发光装置

技术领域

本发明涉及一种发光装置，特别是一种具有以各种不同颜色进行发光的多种发光元件的发光装置。

背景技术

近年来，上述场致发光元件(以下称作“发光元件”)引起了很多研究人员的关注，特别是将该发光元件适用于图像显示装置以及照明装置的研究非常活泼。

一般来说，构成发光元件的材料，具有耐环境性较差的特性，必需进行隔离外部空气的适当的保护(密封)。以前，将发光元件与外气隔离并密封的方法，有通过密封树脂粘合密封基板的方法、通过保护层覆盖发光元件的方法，或并用两者的方法等。

这些方法中，后一种也即通过保护层覆盖发光元件的方法的特征是，由于能够使用水分与空气的隔离性高的无机类材料，因此能够实现发光元件的长寿化。

但是，在覆盖发光元件的保护层的膜厚较薄的情况下，水或氧气的隔离便会不充分，另外，在保护膜的膜厚较厚的情况下，由于需要成膜时间，因此有可能会产生制造节拍降低这一问题。另外，在保护膜的膜厚较厚的情况下，有可能会产生因膜应力所引起的剥离。因此，为了让水或氧气的隔离较充分，且制造节拍不会降低，或为了防止因膜应力所引起的剥离，保护层的膜厚，一般在全面中以给定的范围(例如300nm～3μm)的同一膜厚来形成。

另外，通过保护层来进行发光元件的密封的以往技术，例如有以下所示的专利文献1、2等。例如，专利文献1中，通过折射率是大气以上3.5以下的材料的保护层来进行密封。另外，专利文献2中，在密封膜的表面与大气相接触的状态下具有反射防止膜。

专利文献1：特开2002-231443号公报；

专利文献2：特开2002-252082号公报。

如果将构成发光元件的材料按照其光学特性来分成两类，则有构成发光层、电荷输送层、电荷注入层、透明电极、保护层等的在可见区域的波长带中折射率呈献较高的值的透明材料，以及构成电极与电子注入层等的在可见区域中的波长带中其多个折射率呈现出实部比虚部小的值的金属材料(不透明材料)。前者(透明材料)与后者(不透明材料)之间的界面中具有较大的折射率差，因此产生了较大的光反射。也即，后者与前者之间起到了反射层的作用。另外，与元件外部相接触的保护层的表面也产生了较大的光反射。因此，在多个反射面之间产生光干涉，将发光层所产生的光取出到元件外部的效率(以下称作“光取出效率”)因各层的膜厚的差异而变化。

在彩色图像显示装置，由从基板的相反侧取出光的顶端发射型发光元件构成的情况下，从基板侧顺次以不透明阳极、有机层(包括电荷(空穴/电子)注入层，电荷(空穴/电子)输送层等功能层)、透明或半透明阴极、保护层的顺序构成。另外，半透明阴极使用金属材料的情况较多，另外，在使用透明阴极的情况下，在电子注入层中使用金属材料的情况很多。另外，有时从基板顺次以不透明阴极、有机层、透明或半透明阳极、保护层的顺序来构成。

最近，由从基板侧和基板的相反侧的两侧取出光的双发射型的发光元件的情况下，此时，从基板侧，依次按照透明或半透明阳极、有机层、透明或半透明阴极、保护层的顺序构成，另外，从基板侧依次由透明或半透明、有机层、透明或半透明阳极、保护层的顺序构成。

如上所构成的发光元件中，尤其存在光反射较大的界面。例如，在顶端发射型中使用透明阴极的类型的情况下，以下均成为光反射较大的界面：

(a)与元件外部相接触的保护层表面(保护层的上面)

(b)保护层侧电子注入层界面(电子注入层的上面)

(c)发光层侧电子注入层界面(电子注入层的下面)

(d)发光层侧的阳极界面(阳极的上面)。

另外，例如在顶端发射型中使用半透明阴极的类型的情况下，以下均成为光反射较大的界面：

(a)与元件外部相接触的保护层表面(保护层的上面)

(b)保护层侧阴极界面(阴极的上面)

(c)发光层侧阴极界面(阴极的下面)

(d)发光层侧的阳极界面(阳极的上面)。

另外，例如在顶端发射型中使用透明阳极与透明阴极的类型，且电子注入层由金属材料形成的情况下，以下均成为光反射较大的界面：

(a)与元件外部相接触的保护层表面(保护层的上面)

(b)保护层侧电子注入层界面(电子注入层的上面)

(c)发光层侧电子注入层界面(电子注入层的下面)

(d)基板侧的阳极界面(阳极的上面)。

另外，例如在顶端发射型中使用透明阳极与半透明阴极的情况下，以下均成为光反射较大的界面：

(a)与元件外部相接触的保护层表面(保护层的上面)

(b)保护层侧阴极界面(阴极的上面)

(c)发光层侧阴极界面(阴极的下面)

(d)基板侧的阳极界面(阳极的上面)。

以上所述的各个界面中，4者的情况下相同，通过将发光层的膜厚，对应于发光波长调整成不同的膜厚，能够让(b)～(c)间、(c)～(d)以及(b)～(d)间所产生的各个发光元件的光干涉的程度增大。

但是，保护层的膜厚由于上述理由，在各个发光元件中为一定，因此无法在4者的情况下共通，对应于(a)～(b)间、(a)～(c)以及(a)～(d)间的光干涉程度，对各个发光元件分别调整保护层的膜厚。因此，以前的发光元件中，光取出效率极大的波长与在发光层中所产生的光的峰值波长大大不同，其结果是，存在不但发光强度降低，还有颜色纯度以及颜色再现性降低的问题点。

另外，以前的发光元件中，保护层的膜厚中存在面内偏差，如果保护层的平均膜厚值偏离光取出效率极大的膜厚值，则即使是相同的膜厚偏差，也存在会产生大发光强度偏差以及大颜色偏差这种问题。

发明内容

本发明为了解决上述以前的问题，目的在于提供一种能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善了发光强度偏差以及颜色偏差的发光装置。

本发明的一实施方式的相关发光装置，其特征在于，具有：多种发光元件，其具有第1电极、透射光的第2电极、设置在上述第1电极的上面与上述第2电极的下面之间的发光层，以各种不同的颜色进行发光；保护层，其将多种上述发光元件共同覆盖起来，覆盖在上述第2电极的上面侧；以及调整层，其覆盖在上述多种发光元件中，至少1种发光元件的第2电极的上面侧的调整层；在设覆盖在上述第2电极的上面侧的层的最上层的上面，与上述第2电极的上面之间的区间为第1区间，上述第2电极的下面与上述最上层的上面之间的区间为第2区间，上述第1电极的上面与上述最上层的上面之间的区间为第3区间时，对各个上述多种发光元件，设定上述区间的光学距离，让在第1～第3区间的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

另外，本发明的另一实施方式的相关发光装置，其特征在于，具有：多种发光元件，其具有第1电极、透射光的第2电极、设置在上述第1电极与上述第2电极之间的发光层、以及设置在上述第1电极与第2电极之间的反射层，以各种不同的颜色进行发光；保护层，其将多种上述发光元件共同覆盖起来，覆盖在上述第2电极的上面侧；以及调整层，其覆盖在上述多种发光元件中，至少1种发光元件的第2电极的上面侧的调整层；在设覆盖在上述第2电极的上面侧的层的最上层的上面，与上述反射层的上面之间的区间为第1区间，上述反射层的下面与上述最上层的上面之间的区间为第2区间，上述第1电极的上面与上述最上层的上面之间的区间为第3区间时，对各个上述多种发光元件，设定上述区间的光学距离，让在第1～第3区间的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

发明效果

通过本发明，能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。

附图说明

图1为说明本发明的实施方式1的相关发光装置的构造的模式图。

图2为说明入射到折射率不同的界面中的入射光的反射现象的图。

图3为说明本发明的实施方式2的相关发光装置的构造的模式图。

图4为说明本发明的实施方式3的相关发光装置的构造的模式图。

图5为说明本发明的实施方式4的相关发光装置的构造的模式图。

图6为说明本发明的实施方式5的相关发光装置的构造的模式图。

图7为说明相对图1中所示发光装置的保护层膜厚的光输出特性的曲线图。

图8为说明相对图4中所示发光装置的保护层膜厚的光输出特性的曲线图。

图9为说明以前技术的相关发光装置的构造的模式图。

图10为说明以前技术的相关发光装置的构造的模式图。

图11为说明相对红色、绿色以及蓝色的各个发光元件均没有调整层的情况下的保护层膜厚的光输出特性的图。

图中：1-调整层，2、102-发光元件，3、105-保护层，4-有机层，5--对电极，6-第1保护层，7-第1电极，8-第2电极，9-空穴注入层，10-空穴输送层，11-电子注入层，12-电子输送层，16-发光层，18、101、104-基板，19-第2保护层，103-树脂。

具体实施方式

下面对照附图，对本发明的相关发光装置的实施方式进行详细说明。另外，并不能够通过该实施方式来限定本发明。

(实施方式1)

图1为说明本发明的实施方式1的相关发光装置的构造的模式图，图9以及图10为说明以前技术的相关发光装置的构造的模式图。另外，图1、图9以及图10中所示的发光装置，分别是从基板的相反侧取出光的顶端发射型构造。例如，图9中所示的以往技术的相关发光装置中，采用通过树脂103将密封(保护)基板104粘合在形成于基板101上的多个发光元件102上，将多个发光元件102(蓝色发光用发光元件、红色发光用发光元件、绿色发光用发光元件)与外气隔离的构成。另外，图10中所示的以往技术的相关发光装置中，采用基板10l上所形成的多种发光元件102被保护层105所覆盖的构成。另外，图l0中所示的构成中，从充分隔离给发光元件的特性以及寿命带来影响的水以及氧气，不降低制造节拍，防止膜应力所引起的剥离的观点出发，一般通过300nm～3μm范围内的膜厚来形成保护层的膜厚。

另外，本发明的实施方式1的相关发光装置，如图1所示，在基板上形成有多种(红色发光用、绿色发光用、蓝色发光用)发光元件2，该发光元件2由在一对电极5之间包括发光层的多层构造的有机层4层积而成。一对电极5，有将光的至少一部分反射向有机层4侧的第1电极7，与让光的至少一部分透过的第2电极8构成。作为第l电极7，如果是反射光的材料，是透明、半透明或不透明中的任一种导电材料均可以，但为了提高光的反射率，第1电极7最好是半透明电极或不透明电极。另外，第2电极8只要是透射光的导电材料就可以，但为了提高光的透射率，第2电极8最好是半透明电极、透明电极。

在第2电极8上形成调整层1，在调整层1上形成覆盖调整层1以及发光元件2全体的保护层3。这样，本实施方式1的发光装置，与后述的实施方式2不同，调整层1形成在第2电极8与作为最上层的保护层3之间。另外，形成在一对电极5之间的各层，可以通过有机材料之外的材料(例如无机材料)来形成。

图1中显示了有机层4从下向上例如为电荷(空穴/电子)注入层9，电荷(空穴/电子)输送层10、发光层16、电荷(空穴/电子)输送层12以及电荷(空穴/电子)注入层11所构成的5层结构之一例，但有机层4的构造并不仅限于该5层构造，还可以对应于各种条件，采用2层构造、3层构造、4层构造以及只有发光层的1层构造等其他构造。

这里，各种条件例如相当于第1电极以及第2电极的反射特性(不透明、半透明或透明)、极性(阳极或阴极)、发光色的种类(红色、绿色、蓝色)等。如果这些条件不同，各层中所使用的材料便不同。作为一例，Alq3(铝喹啉络合物)等材料，发绿色的光，同时电子输送性优异。因此，发绿色光的发光元件中，发光层以及电子输送层，很多情况下由Alq3等单一材料构成。另外，在使用透明电极的情况下，很多时候使用金属的电子注入层。

接下来，对图1中所示的构成发光材料的各层的制造方法，及其组成等进行说明。图1中，使用硅氮化膜等对水以及氧气的透过系数低的物质。保护层3的膜厚在300nm～3μm程度，与膜厚合计为100～200nm程度的一对电极5以及有机层4相比，相当的厚。因此，保护层3的成膜中，为了不降低制造节拍，必需进行高速成膜。另外，从确保膜的致密性、良好的阶梯覆盖性的观点出发，成膜方法使用CVD(Chemical Vapor Deposition)法等化学方法。

另外，除了CVD法以外，例如还可以使用蒸镀法，使用金属掩模对多种发光元件分别进行分开涂布。但是，用于保护层的材料一般熔点、沸点较高，蒸镀法中热对有机层的损害很大，并且，由于没有伴随化学反应，因此很难形成致密的膜，因此CVD法是较为理想的。另外，CVD法中也考虑使用金属掩模，但由于金属掩模边缘的成膜蔓延较大，另外为了加载给定的磁场，由于在固定金属掩模时很难使用磁铁，所以最好不使用金属掩模。

接下来，对透明电极、不透明电极以及半透明电极之间的差异进行说明。透明电极由使可见光较多通过的光特性较大的兼具导电性的材料形成。另外，不透明电极通过将可见光几乎都隔断的光特性较大的兼具导电性的材料形成。半透明电极具有处于透明电极与不透明电极中间的特性，但需要具有让可见光通过的光特性，为了得到这样的光特性，可以通过让膜厚较薄来实现。

透明电极的理想材料，例如以ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)等为代表。另外，其膜厚理想的是50nm以上，最理想的膜厚是在100nm～300nm范围内。另外，不透明电极的理想材料，例如以Al等为代表，其膜厚理想的是50nm以上，更为理想的膜厚是在100nm～300nm范围内。另外，半透明电极的理想材料，例如以Li等碱金属、Mg、Ca、Sr、Ba等碱土金属，或Al、Si、Ag等为代表，其膜厚理想的是100nm以下，更为理想的膜厚是在5nm～50nm范围内。

调整层1，在各个发光元件的发光波长中，设置在保护层3之下，起到将向元件外部的光取出效率调整得较大的作用。因此，调整层1根据各个发光元件的种类(发光波长)来进行分别涂布。另外，调整层1的成膜方法，例如有使用金属掩模的蒸镀法。

另外，调整层1的材料，苯乙烯基芳烯、聚硅烷等透明有机材料或氧化钛、硫化锌等透明无机材料。这些材料中，由于有机材料能够降低蒸镀温度，因此具有能够将温度的上升所引起的对发光元件的损耗控制得很小，从而容易抑制金属掩模的温度上升使得金属掩模变形所导致的图形模糊这一优点。

另外，本实施方式的发光装置，形成有与第2电极8相接触的调整层1，因此，可以通过与有机层4或第2电极8的制造装置同一室或相同真空度的装置，来成膜调整层1，因此还具有压缩了制造装置的规模，且能够让制造工序高节拍化的优点。

图2为用来说明入射到折射率不同的界面中的入射光的反射现象的图。图中，从折射率为n₁的介质中以入射角θ_i入射到折射率为n₂的介质中的光，在界面中以反射角θ_r(＝θ_i)进行反射时，上述n₁、n₂、θ_i、以及界面中的反射系数r之间，满足下式所示的关系。

r＝[n₁·cos(θ_i)-[n₂ ²-n₁ ²·sin²(θ_i)]^1/2]/[n₁·cos(θ_i)+[n₂ ²-n₁ ²·sin²(θ_i)]^1/2]...(1)

特别是，在入射光垂直入射到界面中的情况下，在式(1)中，可以认为θ_i＝0°，从而能够简化为下式。

r＝(n₁-n₂)/(n₁+n₂)

＝[1-(n₂/n₁)]/[1+(n₂/n₁)]...(2)

从式(2)可以得知，界面中的折射率越大，反射系数就越大。另外，根据界面中的折射率的大小关系，界面中的反射波的相位也相应变化。例如，在n₁＜n₂的情况下，r为负的实数，在区间界面中的相位变化量为：

＝arg(r)＝π

另外，在n₁＞n₂的情况下，r为正的实数，在区间界面中的相位变化量为：

＝arg(r)＝0

另外，像从第2电极8的上面到保护层3上面之间的区间，以及从有机层4的上面到保护层3的上面之间的区间那样，在区间外存在其他光反射较大的界面的情况下，反射系数r并不像(1)式或(2)式那样单调，而是通过区间外的材料的折射率与膜厚的函数式来定义，但区间界面中的相位变化量决定于反射系数r的偏角，这一点是共通的。

接下来，对在图1中所示的发光装置中，在各个发光器件的每一个种类(发光波长)中分别进行调整的调整层1的理想膜厚进行说明。在图1中，第1电极7是不透明阳极，第2电极8是半透明阴极的情况下，光反射较大的界面可列举如下。

(a)与元件外部相接触的保护层3的表面(保护层3的上面)

(b)第2电极8的保护层3侧的界面(第2电极8的上面)

(c)第2电极8的有机层4侧的界面(第2电极8的下面)

(d)第1电极7的有机层4侧的界面(第1电极7的上面)

上述的各个界面中，如图1所示，设从第2电极8的上面到保护层3的上面的区间为第1区间，从有机层4的上面到保护层3的上面之间的区间为第2区间，从第1电极7的上面到保护层3的上面之间的区间为第3区间，在各个区间中定义光学距离L₁、L₂、L₃。另外，设发光元件的发光波长为λ。进而，各个区间的光学距离L_i，可以使用区间内的各层的折射率n_i与膜厚d_i，通过下式来表示。

L_i＝∑n_i·d_i...(3)

现在，在设从调整层1侧向调整层1与第2电极8之间的界面中入射光，被调整层1侧所反射的光的相位变化为₁时，控制调整层1的膜厚，设定光学距离L₁，让上述第1区间内的光的行波与反射波互相加强。具体的说，例如对红色用、蓝色用、绿色用发光元件的每一个，最好将调整层1的膜厚设定为满足下式的膜厚。

|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8...(4)

(-π＜₁≤π，m＝0，1，2，...)

式(4)中，₁为被界面所反射时的相位变化，m为任意正整数，只要有满足式(4)的m就可以。另外，|a|表示a的绝对值。

另外，光的行波是将从发光层向保护膜侧出射的光作为波时的表现，光的反射波是将在区间内被反射并出射向保护膜侧的光作为波时的表现。另外，右边的“λ/8”指标，是用来判断调整层1的膜厚是否被设为所期望的膜厚的阈值。如果式(4)的左边大于λ/8，则在区间内传输的行波与反射波之间的干涉就减弱。

同样，在设从第2电极8侧向第2电极8与有机层4之间的界面中入射光，被第2电极8侧所反射的光的相位变化为₂时，控制调整层1的膜厚，设定光学距离L₂，让上述第2区间内的光的行波与反射波互相加强。具体的说，例如对红色用、蓝色用、绿色用发光元件的每一个，最好将调整层1的膜厚设定为满足下式的膜厚。

|L₂+(₂/π-2m)λ/4|＜λ/8...(5)

(-π＜₂≤π，m＝0，1，2，...)

另外，在设从有机层4侧向有机层4与第1电极7之间的界面中入射光，被有机层4侧所反射的光的相位变化为₃时，控制调整层1的膜厚，设定光学距离L₃，让上述第3区间内的光的行波与反射波互相加强。具体的说，例如对红色用、蓝色用、绿色用发光元件的每一个，最好将调整层1的膜厚设定为满足下式的膜厚。

|L₃+(₃/π-2m)λ/4|＜λ/8...(6)

(-π＜₃≤π，m＝0，1，2，...)

另外，n通过以往公知的偏振光分析的测定法测定。另外，λ由分光光度计来测定。另外通过下面的方法来决定。也即，测定作为对应区间外(例如在计算₁的情况下为第1区间外、₂的情况下为第2区间外、₃的情况下为第3区间外、后述的₄的情况下为第4区间外)的、存在于光通过的区域中的层、部件的n与d，使用该数值，通过光学薄膜中的特性矩阵法计算出反射系数r，通过取相关反射系数r的偏角来求出。

另外，如果设定调整层1的膜厚，使其满足通过上述式(4)～(6)所示的所有条件，则更加理想。但是，如果满足上述式(4)～(6)所示的任一个条件，与以前的发光装置相比，也能够改善发光强度偏差以及颜色偏差。

另外，在设调整层1的折射率为n₁，与调整层1相接触的两侧的层中，作为一侧层的保护层3的折射率为n₂，作为另一侧层的第2电极8的折射率为n₃时，通过选择满足n₃＜n₁＜n₂，或n₂＜n₁＜n₃的材料，来降低第2电极层8与调整层1的界面中的光反射率，其结果是，由于保护层3中的光干涉减弱，因此能够抑制因保护层3的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。参照表一可以发现，在第2电极8通过镁形成，保护层3通过硅氮化膜形成的情况下，如果调整层1通过硅氮化膜、氧化铝、硅氧化膜、氟化铝、氟化钡、氟化钙、氟化镁等形成，则满足n₃＜n₁＜n₂。另外，折射率的大小通过多个折射率的实部大小来判断。

表一

对象物	材料	折射率
			保护层	硅氮化膜	1.83
调整层	硅氮化膜	1.5～1.7
			调整层	氧化铝	1.64
调整层	硅氧化膜	1.46
			调整层	氟化铝	1.4
调整层	氟化钡	1.3
			调整层	氟化钙	1.4
调整层	氟化镁	1.38
			第2电极或电子注入层	镁	0.569

另外，在调整层1的折射率n₁和作为与调整层1相接触的一方侧的保护层3的折射率n₂之间，通过选择满足0.6≤n₁/n₂≤1.9的关系的材料，来降低调整层1与保护层3的界面中的光反射率，其结果是，由于保护层3中的光干涉减弱，因此能够抑制因保护层3的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。

另外，上述事项，是对在图1中，第2电极8由半透明电极所构成的情况下的调整层1的理想膜厚的条件所进行的说明，但在第2电极8由透明电极构成的情况下，也能够适用上述构思。这种情况下，例如式(4)中的相位变化₂，可以是从第2电极8侧向电荷(电子)注入层11的下面侧的界面中入射光，被第2电极8侧所反射的光的相位变化，另外，式(4)中的光学距离L₂，可以是从电荷(电子)注入层11的下面到保护层3的上面之间的区间的光学距离。

另外，在第2电极8由半透明阳极构成的情况下，以及由透明阳极构成的情况下，也能够适用上述构思。例如，如果在第2电极8由半透明电极构成的情况下，只通过交换阴极与阳极，便和第2电极8由半透明阴极构成的情况下的条件相同。另外，在第2电极8由透明阳极构成的情况下，与第2电极8为透明阴极的情况下的条件相同。

另外，在双发射型发光元件中，例如在第1电极7是透明阳极，第2电极8是半透明阴极的情况下，光反射较大的界面可列举如下。

(a)与元件外部相接触的保护层3的表面(保护层3的上面)

(b)第2电极8的保护层3侧的界面(第2电极8的上面)

(c)第2电极8的有机层4侧的界面(第2电极8的下面)

(d)第1电极7的基板18侧的界面(第1电极7的下面)

上述的各个界面中，(a)～(c)的界面，与第1电极7由不透明阳极，第2电极8由半透明阴极构成的情况下的光反射较大的界面相同，只有(d)的界面不同。这里，将从第1电极7的下面到保护层3的上面之间的区间，重新定义为第4区间(光学距离L₄)。另外，该第4区间的光学距离L4，可以根据该区间内的各层的折射率以及膜厚，使用上述式(3)计算出来。

此时，在设从有机层4侧向第1电极7与基板18之间的界面中入射光，被有机层4侧所反射的光的相位变化为₄时，最好控制调整层1的膜厚，设定光学距离L₄，让第4区间内的光的行波与反射波互相加强。例如对红色用、蓝色用、绿色用发光元件的每一个，最好将调整层1的膜厚设定为满足下式的膜厚。

|L₄+(₄/π-2m)λ/4|＜λ/8...(4)

(-π＜₄≤π，m＝0，1，2，...)

如果设定调整层1的膜厚，使其满足通过上述式(4)～(7)所示的所有条件，则更加理想。但是，如果满足上述式(4)～(7)所示的任一个条件，与以前的发光装置相比，也能够改善发光强度偏差以及颜色偏差。

如上所述，本实施方式的发光装置，将从第2电极的上面到保护层的上面设为第1区间，将从第2电极的下面到最上层的上面为第2区间，从第1电极的上面到最上层的上面为第3区间的情况下，由于设定各个区间的光学距离，让在第1～第3区间中的任一个区间内传输的光的行波与反射波互相加强，因此能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。

另外，由于设从第1电极的下面到最上层的上面为第4区间，设定区间的光学距离，让在第1～第4区间中的任一个区间内传输的光的行波与反射波互相加强，因此能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。最好让所有的发光元件满足上式。

另外，调整层1的膜厚最好比保护层3的膜厚薄。其理由是，如果调整层1的膜厚较大，则很难形成均一的膜，因此，设在调整层1中的多种发光元件全体，很难满足上式，有可能会导致生产性降低。另外，最好将调整层1的膜厚设为保护层3的膜厚的50％以下。

另外，本实施方式中，对3种发光元件均设置了调整层，但不一定要对所有种类的发光元件均设置调整层，可以代替该方法，对1种或2种发光元件设置调整层。

(实施方式2)

图3为说明本发明的实施方式2的相关发光装置的构造的模式图。图中所示的发光装置，所显示的是调整层1介在元件外部与保护层3之间的情况下的构造。因此，本实施方式的发光装置中，与实施方式1不同，由调整层1构成最上层。另外，其他构造与实施方式1的构造相同或等同，给这些部分标注相同的符号。

本实施方式的发光装置，如上所述，除了由调整层1构成最上层这一点以外，基本具有与实施方式1的发光装置相同的构造，能够得到与实施方式1等同的作用以及效果。

本实施方式的发光装置中，在形成保护层3之后再形成调整层1，因此，例如可以使用氧气辅助蒸镀法等方法。氧气辅助蒸镀法，具有容易损害发光元件的缺点，但本实施方式的发光装置中，在通过保护层3给发光元件全体覆膜之后，再使用该氧气辅助蒸镀法，因此能够大幅降低对发光元件的损害。所以，本实施方式的发光装置中，能够成膜出致密且透明度高，并且耐环境性优异的调整层。

另外，在调整层1的折射率n₁，与调整层1相接触的两侧的层中，作为一侧层的保护层3的折射率n₂，作为另一侧层的元件外部(外气)的折射率n₃之间，通过选择满足n₃＜n₁＜n₂的材料，来降低调整层1与元件外部的界面中的光反射，其结果是，由于保护层3中的光干涉减弱，因此能够抑制因保护层3的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。这种情况下，参照表1可以发现，如果保护层3通过硅氮化膜形成，调整层1通过硅氮化膜、氧化铝等形成，则满足n₃＜n₁＜n₂。

(实施方式3)

图4为说明本发明的实施方式3的相关发光装置的构造的模式图。图中所示的发光装置，所显示的是在实施方式1的构造中，保护层3由第1保护层6与第2保护层19这两层构成的情况下的构造。另外，其他构造与实施方式1的构造相同或等同，给这些部分标注相同的符号。

本实施方式的发光装置，如上所述，除了保护层3由第1保护层6与第2保护层19两层构成这一点以外，基本具有与实施方式1的发光装置相同的构造，因此能够得到与实施方式1等同的作用以及效果。

图4中，如果第2保护层19通过低折射率材料，第1保护层6通过高折射率材料形成，则能够由第2保护层19缓和第1保护层6与元件外部之间的折射率差，减弱第1保护层6内的光干涉，其结果是，能够起到抑制第1保护膜6的膜厚变动所引起的光取出效率的变动的作用。

另外，第2保护层19，除了能够缓和元件外部与第1保护层6之间的折射率差，减弱第1保护层6的光干扰的作用以外，还能够用作防止从外部向元件的外部光的反射的反射防止膜。

另外，本实施方式的发光装置中，例示了保护层3由第1保护层6与第2保护层19这两层构成的情况下的例子，但并不仅限于两层，也可以是具有3层以上的多层构造。特别是，随着变为多层构造，能够减小元件外部与发光元件之间的折射率差的梯度，降低保护层内的光干扰，因此能够有效地抑制因保护层的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。

如上所述，本实施方式的发光装置，由于隔离外气的保护层由多层构成，因此能够有效地降低因保护层的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。

(实施方式4)

图5为说明本发明的实施方式4的相关发光装置的构造的模式图。图中所示的发光装置，在图3中所示的实施方式2的构造中，还具有用来进一步作为保护发光元件2的第1保护膜的保护层3，以及构成在保护层3上的调整层1的第2保护层19。另外，其他构造与实施方式2的构造相同或等同，给这些部分标注相同的符号。

本实施方式的发光装置，如上所述，除了还具有覆盖相当于图2的保护层3的第1保护层6以及调整层1双方全体的第2保护层19这一点以外，具有与实施方式2的发光装置相同的构造，能够得到与实施方式2等同的作用以及效果。

另外，本实施方式的发光装置中，所显示的是第1保护层6与第2保护层19之间介有调整层1的构成的情况下的例子，但并不仅限于本构成，第2保护层19也可以具有两层以上的多层结构。这种情况下，随着变为多层结构，能够减小元件外部与发光元件之间的折射率差的梯度，降低保护层内的光干扰，因此能够有效地抑制因第1保护层6的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。

如上所述，本实施方式的发光装置，由于调整层介在第1保护层与第2保护层之间，因此能够有效地降低因第1保护层的膜厚变动所引起的光取出效率的变动。

另外图5中，第2保护层19，除了能够缓和元件外部与第1保护层6之间的折射率差，减弱第1保护层6的光干扰的作用以外，还能够用作防止从外部向元件的外部光的反射的反射防止膜。

(实施方式5)

图6为说明本发明的实施方式5的相关发光装置的构造的模式图。图中所示的发光装置，在实施方式1的构造中，第2电极8由透明电极构成。这种情况下，与第2电极8相接触的电荷注入层11用作反射层。另外，其他构造与实施方式1的构造相同或等同，给这些部分标注相同的符号。

与作为透明电极的第2电极相接触的电荷注入层11的材料，适用与半透明电极相同的材料，电荷注入层11的理想膜厚为50nm以下，更为理想的膜厚为1nm～30mm。

另外，与透明电极的折射率为1.7～2.3程度相对应，由金属材料所形成的电荷注入材料的折射率(多个折射率)，其实部为0.01～1程度，虚部为1～10程度，与透明电极相比，实部较小，虚部较大。一般来说，为了让电荷注入层11起到反射层的作用，需要通过多个折射率的实部比第2电极8小的材料，或多个折射率的虚部较大的材料来形成。

接下来，对在图6中所示的发光装置中，在各个发光器件的每一个发光波长中分别进行调整的调整层1的理想膜厚进行说明。图中，光反射较大的界面可列举如下。

(a)与元件外部相接触的保护层3的表面(保护层3的上面)

(b)电荷注入层11的保护层3侧的界面(电荷注入层11的上面)

(c)电荷注入层11的有机层4侧的界面(电荷注入层11的下面)

(d)第1电极7的有机层4侧的界面(第1电极7的上面)

上述的各个界面中，如图6所示，在根据式(3)分别定义从电荷注入层11的上面到保护层3的上面的第1区间(光学距离L₁)、从电荷注入层11的下面到保护层3的上面之间的第2区间(光学距离L₂)、从第1电极7的上面到保护层3的上面之间的第3区间(光学距离L₃)时，可以控制调整层1的膜厚，设定各个第1～第3区间的光学距离，让各个区间内的光的行波与反射波互相加强。

另外，调整层1，最好对各个发光元件，设定调整层1的膜厚，使其满足通过上述式(4)～(6)所示的条件，但是，如果满足上述式(4)～(6)所示的任一个条件，与其他实施方式一样，与以前的发光装置相比，也能够改善发光强度偏差以及颜色偏差。

另外，不需要在所有种类的发光元件中设置调整层1，可以对1种或2种发光元件设置调整层1，这一点与其他实施方式一样。

另外，在发光元件为双发射型发光元件中，例如在第1电极7是由透明阳极构成的情况下，光反射较大的界面可列举如下。

(a)与元件外部相接触的保护层3的表面(保护层3的上面)

(b)电荷注入层11的保护层3侧的界面(电荷注入层11的上面)

(c)电荷注入层11的有机层4侧的界面(电荷注入层11的下面)

(d)第1电极7的基板18侧的界面(第1电极7的下面)

因此，在发光元件是双发射型的情况下，可以控制调整层1的膜厚，对加上根据式(3)所定义的从第1电极7的下面到保护层3的上面之间的第4区间(光学距离L₄)的各个区间的光学距离进行设定，让各个区间内的光的行波与反射波互相加强。

另外，第1～第4区间的光学距离L₁～L₄，例如被设定为让调整层1的膜厚，满足通过上述式(4)～(7)所示的厚度，但是，如果满足上述膜厚条件中的任一个条件，与其他实施方式一样，与以前的发光装置相比，也能够改善发光强度偏差以及颜色偏差。

另外，与其他实施方式一样，不需要在所有种类的发光元件中设置调整层1，可以对1种或2种发光元件设置调整层1。

如上所述，通过该实施方式的发光装置，设从电荷注入层的上面到保护层的上面为第1区间，从电荷注入层的下面到最上层的上面为第2区间，从第1电极的上面到最上层的上面为第3区间的情况下，设定各个区间的光学距离，让在第1～第3区间中的任一个区间内传输的光的行波与反射波互相加强，因此，能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。

另外，根据本实施方式的发光装置，在设从第1电极的下面到最上层的上面为第4区间的情况下，设定各个区间的光学距离，让在第1～第4区间的任一个区间内传输的光的行波与反射波互相加强，因此能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。

(实施例1)

接下来，对本发明的实施例1进行说明。本实施例中，形成调整层1，让红色用发光元件中，保护层3的膜厚为440nm，从而即使没有调整层1，也能够让光输出最大，绿色用发光元件以及蓝色用发光元件中，光输出最大的保护层膜厚，与红色用发光元件一样也为440nm。图7中为说明相对图1中所示发光装置的保护层膜厚的光输出特性的曲线图。图7中，通过“三角形”所构成的曲线表示红色发光元件的特性，通过“四边形”所构成的曲线表示绿色发光元件的特性，通过“菱形”所构成的曲线表示蓝色发光元件的特性。另外，各层的材料以及膜厚，如下所示。

(a)空穴注入层9：无

(b)空穴输送层10

材料：NPB

膜厚：60nm(红)、40nm(绿、蓝)

(c)发光层16

主材料：Alq3(红、绿)、SDPVBi(蓝)

主膜厚：60nm(红、绿)、30nm(蓝)

掺杂材料：DCJTB(红)、香豆素(绿)、苯乙烯胺(蓝色)

(d)电子输送层12：无

(e)电子注入层11

材料：镁

膜厚：10nm

(f)阴极8

材料：ITO

膜厚：200nm

(g)调整层1

材料：苯乙烯基芳烯

膜厚：无(红)、20nm(绿)、60nm(蓝)

(h)保护层3

材料：硅氮化膜

膜厚：400nm

另外，图11为说明相对红色、绿色以及蓝色的各个发光元件均没有调整层的情况下的保护层膜厚的光输出特性的图。对图7以及图11中所示的光输出进行归一化，让图5中所示红、绿、蓝的最大光输出分别为“1”。另外，形成在图11中所示发光装置的各个发光元件中的各个保护层的膜厚为440nm(红)、470nm(绿)、510nm(蓝)时的各色的光输出最大。

将图7与图11的曲线图进行比较，图7的曲线图中的光输出的最大值Pmax，为Pmax＝1.00[红：基准值]，Pmax＝0.99[绿]，Pmax＝0.98[蓝]，通过具有调整层，能够维持最大值附近的值。另外，图7中，满足0.9×Pmax＜P＜Pmax的保护层的膜厚范围W，为WR＝72nm(±8.1％)，WG＝49nm(±5.4％)，WB＝59nm(±6.6％)，且在红绿蓝所有颜色中重叠。另外，图11中，保护层的膜厚范围W，红与蓝完全不重叠。这表示在发光装置中，通过具有对各个发光元件的发光波长进行调整的调整层，得到了能够允许保护层的膜厚分布在±5.4％内波动的改善。

另外，表二中显示了本实施例的电子注入层11、阴极8、调整层1、保护层3的折射率，与光学距离L₁。另外，光学距离L₁通过从电子注入层11的上面到保护层3的上面之间的区间来定义。构成电子注入层11的材料镁，与构成阴极8的ITO相比折射率较小，因此在ITO与镁的界面中产生了较大的反射。另外，对照表二可以得知，本实施例中，在红色用发光元件为m＝4，绿色用发光元件为m＝5，蓝色用发光元件为m＝6时，满足|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₁≤π)。另外，在没有调整层1时，蓝色以及绿色用发光元件中，不存在满足上式的m。因此，图7的例子中，对所有的发光元件设定让行波与反射波互相加强的光学距离L1，其结果是，能够确保良好的颜色纯度以及颜色再现性，改善发光强度偏差以及颜色偏差。另外，在图11的例子中，在一部分发光元件中，没有形成行波与反射波互相加强的关系，发光强度的偏差较大。

表二

		红	绿	兰
					波长λ(nm)		610	520	450
折射率n	硅氮化膜	1.82	1.83	1.85
					苯乙烯基芳烯	-	1.86	1.92
	ITO	2.01	2.07	2.13
					L1(nm)	存在调整层	-	1256	1355
不存在调整层	1203	1219	1240
				φ1		0	0	0

(实施例2)

接下来，对本发明的实施例2进行说明。图8为说明相对图4中所示发光装置的保护层膜厚的光输出特性的曲线图。图8中，通过“三角形”所构成的曲线表示红色发光元件的特性，通过“四边形”所构成的曲线表示绿色发光元件的特性，通过“菱形”所构成的曲线表示蓝色发光元件的特性。另外，只显示出各层的材料以及膜厚中，与图7中所示特性的发光装置不同的参数，如下所示。

(a)保护层3(第1保护层)

材料：硅氮化膜

膜厚：480～600nm(图8的横轴)

(b)调整层1

材料：苯乙烯基芳烯

膜厚：10nm(红)、无(绿)、5nm(蓝)

(c)第2保护层19

材料：硅氮化膜

膜厚：90nm

图8中的纵轴(光输出)的最大值，也与图7中所示的曲线图一样，被归一化为让图5中所示红、绿、蓝的最大光输出分别为“1”。将图8与图7的曲线图进行比较可以发现，图8的曲线图中的光输出的最大值Pmax，为Pmax＝0.88[红：基准值]，Pmax＝0.88[绿]，Pmax＝0.96[蓝]，与图7的曲线图中的各色的最大值相比稍稍降低。但是，图8中，满足0.9×Pmax＜P＜Pmax的保护层的膜厚范围W，为WR＝102nm(±9.4％)，WG＝95nm(±8.8％)，WB＝88nm(±8.1％)，且在红绿蓝所有颜色中重叠。这表示通过具有调整层1与第2保护层19，能够将实施例1中所示的保护层3的膜厚分布，进一步改善到允许±8.1％内波动。

另外，上述式(4)～(7)中，考虑了在界面中产生反射时的相位变化量，但在包括上述实施例，重视发光装置的正面亮度来进行设计的情况下，该相位变化量经常接近0。这种情况下，上述式(4)～(7)，不需要考虑相位变化量，能够修正为下式。

|L-mλ/2|＜λ/8   ...(8)

(L＝L₁、L₂、L₃或L₄，m＝0，1，2，...)

另外，并不仅限于相位变化量接近0，例如在满足-π/4＜＜π/4的情况下，其影响度较小。因此，这种情况下，也能够使用上述式(8)，设定调整层1的膜厚。

另外，在重视控制对发光装置的视野角度的依赖并进行设计的情况下，该相位变化量经常接近π。这种情况下，将π带入到上述式(4)～(7)中的相位变化量中，能够得到下式。

|L-(2m-1)λ/4|＜λ/8   ...(9)

(L＝L₁、L₂、L₃或L₄，m＝0，1，2，...)

另外，并不仅限于相位变化量接近π，例如在满足-π＜＜-3π/4或3π/4＜＜π的情况下，其影响度较小。因此，这种情况下，也能够使用上述式(9)，设定调整层1的膜厚。

产业应用

如上所述，本发明的相关发光装置，作为图像显示装置用光源特别又用，特别是，在希望改善该图像显示装置的发光强度偏差或颜色偏差等的情况下，非常理想。

Claims (20)

1.一种发光装置，其特征在于，具有：

多种发光元件，其具有第1电极、透射光的第2电极、设置在上述第1电极的上面与上述第2电极的下面之间的发光层，以各种不同的颜色进行发光；

保护层，其将多种上述发光元件共同覆盖起来，覆盖在上述第2电极的上面侧；以及

调整层，其覆盖在上述多种发光元件中至少1种发光元件的第2电极的上面侧；

当设覆盖在上述第2电极的上面侧的层的最上层的上面与上述第2电极的上面之间的区间为第1区间，上述第2电极的下面与上述最上层的上面之间的区间为第2区间，上述第1电极的上面与上述最上层的上面之间的区间为第3区间时，

关于上述多种发光元件的每一个，设定上述区间的光学距离，以使在第1～第3区间中的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

2.一种发光装置，其特征在于，具有：

多种发光元件，其具有第1电极、透射光的第2电极、设置在上述第1电极与上述第2电极之间的发光层、以及设置在上述第1电极与上述第2电极之间的反射层，以各种不同的颜色进行发光；

保护层，其将多种上述发光元件共同覆盖起来，覆盖在上述发光元件的上述第2电极侧；以及

调整层，其覆盖在上述多种发光元件中至少1种发光元件的第2电极的上面侧；

当设覆盖在上述第2电极的上面侧的层的最上层的上面与上述反射层的上面之间的区间为第1区间，上述反射层的下面与上述最上层的上面之间的区间为第2区间，上述第1电极的上面与上述最上层的上面之间的区间为第3区间时，

关于上述多种发光元件的每一个，设定上述区间的光学距离，以使在上述第1～第3区间中的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

当上述第1电极由透射光的材料形成，且设上述第1电极的下面与上述最上层的上面之间的区间为第4区间时，

关于上述多种发光元件的每一个，设定上述区间的光学距离，以使上述第1～第4区间中的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

4.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

当上述第1电极由透射光的材料形成，且设上述第1电极的下面与上述最上层的上面之间的区间为第4区间时，

关于上述多种发光元件的每一个，设定上述区间的光学距离，以使上述第1～第4区间中的任一个区间内传播的光的行波与反射波互相加强。

5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

在设上述发光元件的发光波长为λ，从上述最上层侧入射到上述第2电极的上面的光在上述第2电极的上面反射到上述最上层侧时的相位变化为₁，上述第1区间的光学距离为L₁，从上述第2电极的上面侧入射到上述第2电极的下面的光在上述第2电极的下面反射到上述第2电极的上面侧时的相位变化为₂，上述第2区间的光学距离为L₂，从上述发光层侧入射到上述第1电极的上面的光在上述第1电极的上面反射到上述发光层侧时的相位变化为₃，上述第3区间的光学距离为L₃时，存在满足下式中至少一式的、0以上的整数m：

|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₁≤π)

|L₂+(₂/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₂≤π)

|L₃+(₃/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₃≤π)。

6.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

在设上述发光元件的发光波长为λ，从上述最上层侧入射到上述反射层的上面的光在上述反射层的上面反射到最上层侧时的相位变化为₁，上述第1区间的光学距离为L₁，从上述第2电极侧入射到上述反射层的下面的光在上述反射层的下面反射到上述第2电极侧时的相位变化为₂，上述第2区间的光学距离为L₂，从上述发光层侧入射到上述第1电极的上面的光在上述第1电极的上面反射到上述发光层侧时的相位变化为₃，上述第3区间的光学距离为L₃时，存在满足下式中的至少一式的、0以上的整数m：

|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₁≤π)

|L₂+(₂/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₂≤π)

|L₃+(₃/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₃≤π)。

7.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于：

在设上述发光元件的发光波长为λ，从上述最上层侧入射到上述第2电极的上面的光在上述第2电极的上面反射到上述最上层侧时的相位变化为₁，上述第1区间的光学距离为L₁，从上述第2电极的上面侧入射到该第2电极的下面的光在上述第2电极的下面反射到上述第2电极的上面侧时的相位变化为₂，上述第2区间的光学距离为L₂，从上述发光层侧入射到上述第1电极的上面的光在上述第1电极的上面反射到上述发光层侧时的相位变化为₃，上述第3区间的光学距离为L₃，从上述发光层侧入射到上述第1电极的下面的光在上述第1电极的下面反射到上述发光层侧时的相位变化为₄，上述第4区间的光学距离为L₄时，存在满足下式中的至少一式的、0以上的整数m：

|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₁≤π)

|L₂+(₂/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₂≤π)

|L₃+(₃/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₃≤π)

|L₄+(₄/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₄≤π)。

8.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于：

当设上述发光元件的发光波长为λ，从上述最上层侧入射到上述反射层的上面的光在上述反射层的上面反射到上述最上层侧时的相位变化为₁，上述第1区间的光学距离为L₁，从上述第2电极侧入射到上述反射层的下面的光在上述反射层的下面反射到上述第2电极侧时的相位变化为₂，上述第2区间的光学距离为L₂，从上述发光层侧入射到上述第1电极的上面的光在上述第1电极的上面反射到上述发光层侧时的相位变化为₃，上述第3区间的光学距离为L₃，从上述发光层侧入射到上述第1电极的下面的光在上述第1电极的下面反射到上述发光层侧时的相位变化为₄，上述第4区间的光学距离为L₄时，存在满足下式中的至少一式的、0以上的整数m：

|L₁+(₁/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₁≤π)

|L₂+(₂/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₂≤π)

|L₃+(₃/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₃≤π)

|L₄+(₄/π-2m)λ/4|＜λ/8(-π＜₄≤π)。

9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层比上述保护层的厚度小。

10.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层比上述保护层的厚度小。

11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层位于比上述保护层更靠近上述第2电极侧。

12.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层位于比上述保护层更靠近上述第2电极侧。

13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述保护层位于比上述调整层更靠近上述第2电极侧。

14.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述保护层位于比上述调整层更靠近上述第2电极侧。

15.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层的折射率n₁与位于该调整层两侧的层的各个折射率n₂、n₃之间，满足n₃＜n₁＜n₂，或n₂＜n₁＜n₃的关系。

16.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层的折射率n₁与位于该调整层两侧的层的各个折射率n₂、n₃之间，满足n₃＜n₁＜n₂，或n₂＜n₁＜n₃的关系。

17.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层的折射率n₁和与该调整层相接触的层的折射率n₂之间，满足0.6≤(n₁/n₂)≤1.9的关系。

18.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述调整层的折射率n₁和与该调整层相接触的层的折射率n₂之间，满足0.6≤(n₁/n₂)≤1.9的关系。

19.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于：

上述多种发光元件，至少具有蓝色发光用发光元件、红色发光用发光元件、以及绿色发光用发光元件这3种。

20.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于：

上述多种发光元件，至少具有蓝色发光用发光元件、红色发光用发光元件、以及绿色发光用发光元件这3种。

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