CN1790054A - 尤其用于X线或γ线的辐射探测器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种辐射探测器，尤其是X线或γ线探测器，其包括多个并列布置的构成一个探测面的光电探测器元件(1)，以及一个位于它们上方的转换器层(3)，它将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线，其中，光电探测器元件对于第二波长区的射线是敏感的。按本发明的辐射探测器，转换器层(3)设计为至少二维的光子晶体，它对于沿所有平行于探测面(8)的方向的第二波长区的射线有一能带隙或至少降低的透射度。按照本发明的辐射探测器在其探测器层内不需要间隔可以防止各通道之间串扰。

Description

尤其用于X线或γ线的辐射探测器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种辐射探测器，包括多个并列布置的构成一探测面的光电探测器元件，以及一个位于它们上方的将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的转换器层，其中，光电探测器元件对于第二波长区的射线是敏感的。本发明还涉及一种制造这种辐射探测器的方法。
背景技术
尤其在对剂量敏感的应用中，例如在医学领域，为了有位置分辨率地指示X射线或γ射线采用辐射探测器，它由多个并列布置的探测器元件和一个位于它们上方用一种X射线高吸收率的闪烁材料制的转换器层构成。X射线被吸收在此转换器层内并释出发光射线，它由光电探测器元件证实。通过这种将入射的X射线转换为光射线，传统的光电二极管可以用作证实X射线的光电探测器元件。
在Χ线透视法传统的使用领域中，例如在X线检查或医学的X线诊断中，在X线透视时能达到的分辨率起重要的作用。采用具有互相紧邻的小面积探测器元件的探测器阵列并结合用于限制入射的X射线空间角的散射光栅，可达到高的分辨率。发光的光线在转换器层内各向同性的辐射，当然导致射线损失和在相邻探测器通道内的串扰，这对于达到足够的位置分辨率是不能允许的。
为了避免这种串扰，闪烁器层通常通过小沟，所谓间隔(Trennsepten)彼此分开，它们理想地沿光电探测器元件之间的空隙延伸。在图1中示意表示了X射线辐射探测器的这种结构。此图在剖面图中表示硅光电二极管1在一个硅基体2内的布局以及位于它们上方的闪烁层3。各光电二极管1与分别位于它上面的转换器层的体积部分一起构成辐射探测器的像素。在闪烁层3内的间隔4处于光电二极管1的空隙上方。以此方式，在像素的闪烁层内可通过X线量子5触发的可见的光量子6不会在相邻的通道或像素内串扰，因为它在间隔4处反射回在那里触发它的那个像素内。在闪烁层3内制造这种间隔4通常通过锯切过程进行。为了增强在各自像素边界上的反射，这些锯切缝附加地用氧化钛充填。
当然，闪烁层通过锯切的分隔是一个既费时又费钱的工艺步骤。此外，机械地分割转换器层出自于机械稳定性的原因转换器层的厚度受到限制，从而也限制了此层的量子吸收率并因而量子的效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于提供一种辐射探测器，它包括多个并列布置的光电探测器元件和一个处于它们上方的转换器层，以及提供一种制造方法，此辐射探测器能经济地制造以及能够实现转换器层高的量子效率。
上述技术问题首先通过一种辐射探测器来解决，该探测器包括多个并列布置的构成一个探测面的光电探测器元件、以及一个位于它们上方的转换器层，后者将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线，其中，所述光电探测器元件对于第二波长区的射线是敏感的，以及，所述转换器层设计为至少二维的光子晶体，它对于沿所有平行于探测面的方向的第二波长区的射线有至少降低的透射度。
上述技术问题另外还通过一种制造所述辐射探测器的方法来解决，按照该方法，先制备一个带有多个并列布置的构成一个探测面的光电探测器元件的基体，以及把一个将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的转换器层安置在所述光电探测器元件上，其中，所述转换器层制成至少二维的光子晶体，它对于第二波长区的射线沿所有平行于探测面的方向有一光子带隙或至少降低的透射度。
在这里，转换器层优选地包括X线转换发光物质或闪烁体，它将入射的X射线转换为光线，尤其转换为红外线光或可见的波长区的光线。
在本发明辐射探测器中，所述转换器层设计为二维或三维的光子晶体，它对于平行于探测面而不与之垂直的传播方向有一个光子能带隙或对于第二波长区有至少一种明显降低的透射度。在这里，探测面通常也平行于转换器层的层面或表面。光子晶体有一种不同折射率的材料的周期性排列。折射率的差异和周期性可以按这样的方式选择，即，使此光子晶体对于某个波长区的光和一个或多个传播方向类似于电子半导体有一光子带隙，所以沿此方向的射线不能传播。本发明的转换器层由这样一种下面也称为PBG材料(PBG：Photonic Bandgap光子(能)带隙)的晶体构成，这种晶体抵制或至少明显地减少第二波长区的射线沿两个维度，亦即在所有平行于探测面的材料平面内的传播。
在以下的段落内借助一种X线辐射探测器详细说明本发明，其中，X射线在转换器层内转换为发光的光线。当然，本发明辐射探测器通过适当选择转换器层和光电探测器元件还可以用于指示其他波长区内的射线。在这里可例如涉及γ射线，它可以按与X射线相同的方式用一种闪烁材料转换为发光的光线。此外还可以实施一个波长区的光射线转化为另一个波长区的光射线，尤其如果所使用的光电探测器元件在此另一个波长区有更好的特性。除此之外当然不需要将二次射线制成发光的光线。确切地说，射线的转换过程也可以通过其他的物理过程造成。
在理想的情况下转换器层设计为，它有一个完全二维的能带隙用于通过X射线产生的发光的光线。在转换器层的体积内通过吸收X线量子产生的发光的光线，因而只能沿垂直于探测面的方向无阻碍地传播。沿平行于探测面的方向，在转换器层的发光波长中存在光学能带隙，它阻止发光的光线沿此方向传播。
优选地，转换器层的PBG材料有一种非X线发光的和非光学吸收的材料的立方形面心布局(蛋白石结构，金刚石结构)，下面也称第二相，其中，空隙用X线发光的材料充填。第二相的材料优选地是一种气体，尤其空气。结构参量，亦即两种材料总是按此周期性重复的距离，基本上遵守传统的抗反射层的设计规则：
λ＝2*n*D*f，式中λ相应于要抑制的射线的波长，n相应于所述复合材料的有效折射率，以及D相应于周期性重复的单位晶胞的尺寸。系数f是一个数量级为1的修正系数，它取决于两种材料类型各自存在的三维结构而改变。
对于已知的可以在本发明辐射探测器中使用的X射线闪烁材料，例如Gd2O2S：Pr，CsI：Tl，(Y，Gd)2O3：Eu，CdWO4或LaCl：Ce，折射率n在2与4之间，以及发光的发射波长在370nm与780nm之间。因此，第二相的结构参量D在50nm与200nm之间变动。不是在所有的情况下都能产生一个完全的光学能带隙(透射度＝0)。然而对于本应用即使在所产生的发光的波长区内部分限制透射度，也足以显著地减小预期的串扰。
通过在本发明辐射探测器中转换器层由一种具有已列举的特征的PBG材料构成，可以取消通过小沟或间隔分割转换器层。此外，单轴的光传播可以无需垂直的沟实现这种可能性，即，将转换器层设计为比迄今的厚得多，从而可以在不减小辐射探测器位置分辨率的情况下达到更高的量子吸收率并因而更高的量子效率。因此，这两个通常彼此矛盾和不得不相互妥协的设计参量亦即量子效率和点像函数(Punktbildfunktion)彼此脱钩。
按辐射探测器的一项有利的进一步发展，它在转换器层上有一个附加的用于二次射线的反射层。通过此反射层，沿着与入射的X射线相反的方向传播的二次射线被朝着光电探测器元件的方向反射回去。因此，此反射层导致进一步减小射线损失。
一种光子晶体是一种由至少两种材料构成的物体。它由第一种材料的晶体点阵结构亦即晶格结构形成，这一结构有在光波长区域内的周期性。在此第一种材料的晶体点阵结构内的周期性空腔用第二种材料例如空气充填。光子晶体或PBG材料工作的一个重要的前提条件是在使用的这两种材料之间明显的折射率差异。光子晶体根据调制的方向细分为一维、二维和三维光子晶体。一维光子晶体只沿一个方向调制折射率。二维光子晶体表示沿两个空间方向调制，以及三维光子晶体沿所有的三个空间方向调制。二维光子晶体可以例如在一种有高折射率的材料中通过周期性排列圆柱形气孔构成。构成光子晶体的第二种材料例如是空气。气孔可以从起点出发蚀刻到此材料内。
对于本发明辐射探测器，转换器层优选地设计为二维光子晶体。尺寸的确定可以采用如由微波应用中光子晶体领域已知的计算方法。这同样适用于制造转换器层，对于转换器层可以同样使用例如由下列作者的论文中已知的制造技术，如E.Yablonovitch的“Photonic Bandgap Based Design forNano-Photonic Integrated Circuits”(Intemational Electron Devices Meeting，Technical Digest IEEE：Piscataway，USA，2002，第17-20页)，或S.Kirihara等人“Control of Microwave Emission from Electromagnetic Crystals by LatticeModifications”(Solid State Communications 124(2002)，第135-139页)。在一种设计为三维光子晶体的转换器层中，必须通过恰当地选择晶体参数保证晶体对于二次射线沿第三个维度，亦即垂直于探测面的那个维度没有能带隙。
按本发明的制造辐射探测器的方法，制备一个带有多个并列布置的构成一个探测面的光电探测器元件的基体。该具有光电探测器元件的基体可以通过传统的半导体工艺尤其硅工艺方法制成。在具有光电探测器元件的基体上安置一个转换器层，它将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线。在本方法中，转换器层制成至少二维的光子晶体，它对于第二波长区的射线沿所有平行于探测面的方向有一光子带隙或至少降低的透射度。
转换器层的制造可通过不同的技术进行。按照一个优选的方法，首先，通过用一种有机材料构建出一种光子晶体结构、尤其是一种至少近似六方或面心立方结构，然后用一种将第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的陶瓷材料充填所述结构的空隙以及接着进行热处理来制出所述转换器层，其中，在热处理时所述有机材料被烧尽以及所述陶瓷材料被烧结。
更加优选的是，为了构建所述光子晶体结构，使用聚合材料制的纤维或球体。
按照本发明方法的另一有利设计，可通过用纤维或纳米管构建一种光子晶体结构、尤其是一种至少近似六方或面心立方结构来制造所述转换层，其中，所述纤维或纳米管对于第二波长区的射线是透明的并添加有一种将第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的材料或涂覆有这样的材料层。
按照另一优选方案，为了制造所述转换器层，可首先构建一种三维光子晶体结构，它对于第二波长区的射线沿所有的空间方向有一能带隙或至少降低的透射度，以及，接着将该晶体结构沿一个垂直于探测面的空间方向机械伸展或压缩，以便取消对于第二波长区的射线沿此空间方向的能带隙或降低的透射度。
附图说明
下面借助附图所示实施方式详细说明按照本发明的辐射探测器以及优选的制造此类探测器的转换器层的方法。其中：
图1示意表示按先有技术的辐射探测器结构的一个实施方式；
图2示意表示按本发明的辐射探测器结构的一个实施方式；
图3表示在制造本发明辐射探测器的转换器层时纤维布局的一个实施方式；以及
图4极简略示意性地表示制造本发明辐射探测器转换器层的另一个实施方式。
具体实施方式
按照先有技术已知的辐射探测器的结构，在说明书前言部分已经结合图1说明。制造间隔4将闪烁层3再分成一个个像素是一种费时和高成本的工艺步骤。
在本发明辐射探测器中可以取消分隔闪烁层3的这种步骤，如图2用剖视图表示的那样。在这些例子中，本发明辐射探测器同样有一个硅基体2，在硅基体内按行和列排列硅光电二极管1构成一个探测器阵列。在这里，硅光电二极管1确定一个探测面8，对它在此图中作了暗示。转换器层3安置在光电二极管1或探测面8上，它设计为二维光子晶体并因而有二维的PBG结构。通过这种在层面内，亦即平行于探测面8有周期性改变的折射率的结构，抑制了通过入射的X射线触发的发光射线沿所有平行于探测面8方向的传播。然而，发光射线可以几乎平阻碍地垂直于探测面8传播并因而命中光电二极管1。为此，图2作为范例表示一个X线量子5的入射，它在转换层3内产生一个可见的光量子6。此可见的光量子6基于转换器材料光子带隙仅沿处于其下方的光电二极管1的方向或沿反方向传播。以此方式仅基于转换器层的内部结构就避免了相邻通道内的串扰。在本实施例中，在转换器层3的表面上附加了一个薄的金属层7，它作为反射镜用于将近似垂直于表面射出的发光射线反射回来。在这里应这样选择金属层的材料，例如铝，即，使入射的X射线能无阻碍地通过。
制造本发明辐射探测器的转换器层3可以使用不同的技术。转换器层光子晶格的单位晶胞有与发光射线的光波长相应的尺寸，例如在500nm范围内。下面展示四个制造此类转换器层的例子。
在图4极简略示意性地表示的第一个例子中，面心立方结构由恰当大小的，例如在200与400nm之间的例如聚苯乙烯制的聚合物球体10通过自组织构成。这例如可以借助这些球体的一种胶体溶液实现。球体从溶液中沉积出利用所述自组织的原理。在悬浮液中的球体在缓慢沉积时基于系统自由能最小化的推进力优选地构成一种立方形面心或六方形最紧密的排列。球体的沉积或通过悬浮液溶剂的沉积、蒸发或通过电泳沉积实现。在制成面心立方的层结构后，空腔用一种细粒的必要时纳米级的陶瓷X线发光物质11充填，它优选地还含有粘结剂。接着，将制成的层或制成的物质沿一个方向(垂直于要制造的转换器层表面)压缩，例如通过压力机，或拉扯，使得沿此方向的结构参数对于在所使用的X线发光物质发光光线的波长区内的能带隙是不够的。然后，将此预制体在一加热的步骤(约至600℃)中处理，使得热解地去除有机成分，尤其聚合物球体，以及遗留下空腔12。接着，在随后的第二个加热步骤中，陶瓷的骨架结构烧结为一个含有按规则排列的空腔12的固体。以此方式在X线发光物质的陶瓷骨架13与用空气充填的空腔12之间形成期望的折射率调制，它在层面内沿期望的方向造成期望的能带隙。这种层的厚度可以达2mm。
在第二个例子中，转换器层的制造可以通过构建一种如由属于光子晶体的先有技术已知的所谓“木料堆(Woodpile)”结构实现。在为本发明的转换器层制造这种结构时，采用薄层技术构成堆置的柱状结构，使闪烁材料和惰性材料，亦即非X线发光的和光学透明的材料，系统地按需要的PBG维度分离。以此方式首先形成三维光子晶体。应沿此空间方向对于一种/多种发光波长不存在能带隙的那个空间方向，可以通过简单的材料或尺寸变化实现。在此制造技术中同样取决于使用的材料可以包括热解地去除有机成分或烧结过程。
按第三种例子，构建一种类似于所谓Yablonovitch结构的结构。此结构在提及的A.Yablonovitch的公开文献中已列举。在本方法中，取代在此结构内存在的孔，首先将0.2-0.3μm粗细的纤维相互交织成一种三维的金刚石结构。所需要的发光可以通过添加纤维本身、通过纤维例如用陶瓷涂层、或通过将发光材料置入织物空隙内达到。然后，这种复合材料可以通过压或拉进行单轴变形，构成对于光线传播的优先方向。在此方案的设计中，纤维也可以用有机材料以及发光介质用湿陶瓷组成。在燃烧此复合材料时，烧尽有机成分以及保持形成陶瓷的骨架。
按第四种实施例采用类似的纤维9，但不相互交织，而是相互平行地聚束成一个二维的六方形格栅，如图3中所示。要求的发光在这里也可以通过添加纤维本身、通过纤维例如用陶瓷涂层、或通过将发光材料置入织物空隙内达到。在这里可以取消纤维的交织，因为六方形结构通过自组织形成。最后，纤维束垂直于纤维轴线锯切成片，所以纤维9在转换器层3内垂直于探测面8竖立着。按另一种方案，取代长的纤维，可以使用已经切短的纤维段或添加的纳米管，从而可以取消纤维片的锯切。
当然，上述这些用于制造转换器层的例子不应理解为仅有的列举。确切地说，也可以使用其他制造转换器层的方法，通过它们可以造成转换器层所需要的光子晶体结构。

Claims (15)

1.一种辐射探测器，其包括多个并列布置的确定一个探测面(8)的光电探测器元件(1)，以及一个位于它们上方的转换器层(3)，它将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线，其中，所述光电探测器元件(1)对于第二波长区的射线是敏感的，以及，所述转换器层(3)设计为至少二维的光子晶体，它对于第二波长区的射线沿所有平行于探测面(8)的方向有至少降低的透射度。
2.按照权利要求1所述的辐射探测器，其特征为：所述转换器层(3)对于第二波长区的射线沿所有平行于探测面(8)的方向有一光子带隙。
3.按照权利要求1或2所述的辐射探测器，其特征为：所述转换器层(3)由第一种将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的材料和第二种对于第二波长区的射线透明的材料组成。
4.按照权利要求3所述的辐射探测器，其特征为：所述第二种材料按面心立方结构存在于转换器层(3)内。
5.按照权利要求3至5之一所述的辐射探测器，其特征为：所述第二种材料是一种气体，尤其是空气。
6.按照权利要求1至5之一所述的辐射探测器，其特征为：在所述转换器层(3)上安置一个反射层(7)，用于将射出的第二波长区的射线反射回所述转换器层(3)内。
7.按照权利要求1至6之一所述的辐射探测器，其特征为：所述转换器层(3)中含有X线转换发光物质或闪烁材料。
8.按照权利要求1至7之一所述的辐射探测器，其特征为：所述转换器层(3)将X射线和/或γ射线转换为光的射线。
9.按照权利要求1至8之一所述的辐射探测器，其特征为：所述光电探测器元件(1)是光电二极管。
10.按照权利要求1至8之一所述的辐射探测器，其特征为：所述光电探测器元件(1)按行和列的方式并列地排列。
11.一种制造一种按照上述任一项权利要求所述的辐射探测器的方法，其特征为：制备一个带有多个并列布置的确定一个探测面(8)的光电探测器元件(1)的基体(2)，以及把一个将入射的第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的转换器层(3)安置在所述光电探测器元件(1)上，其中，所述转换器层(3)制成至少二维的光子晶体，它对于第二波长区的射线沿所有平行于探测面(8)的方向有一光子带隙或至少降低的透射度。
12.按照权利要求11所述的方法，其特征为：首先，通过用一种有机材料构建出一种光子晶体结构、尤其是一种至少近似六方或面心立方结构，然后用一种将第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的陶瓷材料(11)充填所述结构的空隙以及接着进行热处理来制出所述转换器层(3)，其中，在热处理时所述有机材料被烧尽以及所述陶瓷材料(11)烧结。
13.按照权利要求12所述的方法，其特征为：为了构建所述光子晶体结构，使用聚合材料制的纤维或球体(10)。
14.按照权利要求11所述的方法，其特征为：通过用纤维(9)或纳米管构建一种光子晶体结构、尤其是一种至少近似六方或面心立方结构来制造所述转换层(3)，其中，所述纤维(9)或纳米管对于第二波长区的射线是透明的并添加有一种将第一波长区的射线转换为第二波长区的射线的材料或涂覆有这样的材料层。
15.按照权利要求11至14之一所述的方法，其特征为：为了制造所述转换器层(3)，首先构建一种三维光子晶体结构，它对于第二波长区的射线沿所有的空间方向有一能带隙或至少降低的透射度，以及，接着将该晶体结构沿一个垂直于探测面(8)的空间方向机械伸展或压缩，以便取消对于第二波长区的射线沿此空间方向的能带隙或降低的透射度。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102628805A (zh) * 2012-04-26 2012-08-08 大连理工大学 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统
CN102007431B (zh) * 2008-04-17 2013-06-19 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 辐射检测器装置
CN103176200A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 佳能株式会社 闪烁体面板、放射线检测设备以及放射线检测系统
CN103855172A (zh) * 2012-12-03 2014-06-11 群康科技(深圳)有限公司 X光侦测装置
CN104124254A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 佳能株式会社 放射线摄像装置及其制造方法以及放射线检查装置
CN106662660A (zh) * 2014-07-03 2017-05-10 皇家飞利浦有限公司 辐射探测器和用于生产辐射探测器的方法
CN108387923A (zh) * 2018-03-15 2018-08-10 西北核技术研究所 带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器
CN109686811A (zh) * 2018-06-12 2019-04-26 南京迪钛飞光电科技有限公司 一种光电平板探测器及其基板结构
WO2021016746A1 (en) * 2019-07-26 2021-02-04 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Radiation detector with quantum dot scintillators

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007022518B4 (de) * 2007-05-14 2009-09-10 Siemens Ag Strahlungswandler, Strahlungsdetektor und Verfahren zu deren Herstellung
CN102033241A (zh) * 2009-09-28 2011-04-27 西门子（中国）有限公司 用于x射线成像的转换装置及其制造方法和x射线探测器
DE102010008904A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Halbleiterbauelement mit photonischer Strukturierung sowie Verwendungsmöglichkeiten
JP2013019796A (ja) * 2011-07-12 2013-01-31 Canon Inc 放射線検出器
JP2013024731A (ja) 2011-07-21 2013-02-04 Canon Inc 放射線検出装置
US10620323B1 (en) * 2011-10-21 2020-04-14 Radiation Monitoring Devices, Inc. Photonic band gap scintillator structures
US9164181B2 (en) 2011-12-30 2015-10-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Scintillation crystals having features on a side, radiation detection apparatuses including such scintillation crystals, and processes of forming the same
JP2015170638A (ja) * 2014-03-05 2015-09-28 株式会社リコー 撮像素子パッケージ及び撮像装置
US9482762B2 (en) 2014-08-28 2016-11-01 Infineon Technologies Ag Gamma ray detector and method of detecting gamma rays
US9559139B2 (en) * 2014-09-24 2017-01-31 Terapede Systems Inc. Integrated scintillator grid with photodiodes
US9419046B2 (en) * 2015-01-21 2016-08-16 Terapede Systems Inc. Integrated scintillator grid with photodiodes
CN108139488A (zh) * 2015-10-14 2018-06-08 深圳帧观德芯科技有限公司 能够限制载流子扩散的x射线检测器
WO2017187854A1 (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 東レ株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3936645A (en) * 1974-03-25 1976-02-03 Radiologic Sciences, Inc. Cellularized Luminescent structures
FR2774175B1 (fr) * 1998-01-27 2000-04-07 Thomson Csf Capteur electronique matriciel photosensible
US6139626A (en) * 1998-09-04 2000-10-31 Nec Research Institute, Inc. Three-dimensionally patterned materials and methods for manufacturing same using nanocrystals
US6470127B2 (en) * 2001-01-31 2002-10-22 Intelligent Optical Systems, Inc. Photonic band-gap light-emitting fibers
US6768256B1 (en) * 2001-08-27 2004-07-27 Sandia Corporation Photonic crystal light source
DE10244176A1 (de) * 2002-09-23 2004-04-08 Siemens Ag Bilddetektor für Röntgenstrahlung
US7136560B2 (en) * 2002-10-01 2006-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of controlling optical characteristic of optical element and optical device
JP4191459B2 (ja) * 2002-11-26 2008-12-03 浜松ホトニクス株式会社 放射線撮像装置
US7054408B2 (en) * 2003-04-30 2006-05-30 General Electric Company CT detector array having non pixelated scintillator array
US8936683B2 (en) * 2004-02-03 2015-01-20 Robert A. Marshall Synthetic opal and photonic crystal
US7333705B2 (en) * 2004-12-03 2008-02-19 Searete Llc Photonic crystal energy converter

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102007431B (zh) * 2008-04-17 2013-06-19 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 辐射检测器装置
CN103176200A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 佳能株式会社 闪烁体面板、放射线检测设备以及放射线检测系统
CN102628805A (zh) * 2012-04-26 2012-08-08 大连理工大学 基于光子晶体滤波片的微流控芯片荧光检测系统
CN103855172A (zh) * 2012-12-03 2014-06-11 群康科技(深圳)有限公司 X光侦测装置
CN103855172B (zh) * 2012-12-03 2016-11-23 群康科技(深圳)有限公司 X光侦测装置
CN104124254A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 佳能株式会社 放射线摄像装置及其制造方法以及放射线检查装置
CN106662660A (zh) * 2014-07-03 2017-05-10 皇家飞利浦有限公司 辐射探测器和用于生产辐射探测器的方法
CN108387923A (zh) * 2018-03-15 2018-08-10 西北核技术研究所 带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器
CN108387923B (zh) * 2018-03-15 2023-10-20 西北核技术研究所 带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器
CN109686811A (zh) * 2018-06-12 2019-04-26 南京迪钛飞光电科技有限公司 一种光电平板探测器及其基板结构
WO2021016746A1 (en) * 2019-07-26 2021-02-04 Shenzhen Xpectvision Technology Co., Ltd. Radiation detector with quantum dot scintillators

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