CN102007431B - 辐射检测器装置 - Google Patents
辐射检测器装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102007431B CN102007431B CN2009801129888A CN200980112988A CN102007431B CN 102007431 B CN102007431 B CN 102007431B CN 2009801129888 A CN2009801129888 A CN 2009801129888A CN 200980112988 A CN200980112988 A CN 200980112988A CN 102007431 B CN102007431 B CN 102007431B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- scintillator
- radiation detector
- detector device
- reflecting body
- fabric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
在此披露了一种辐射检测器装置,它包括一个光传感器以及一个被连接到该光传感器上的闪烁体。该闪烁体包括一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体具有至该光传感器的一个第一近端、远离该光传感器的一个第二远端、以及在该近端与该远端之间的延伸的一个长度。该闪烁体还包括至少沿着该闪烁体晶体的长度基本上将其包围了的一个反射体。这个反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,每一根纤维均包括一种无机材料。
Description
技术领域
本披露是针对辐射检测器装置,具体是用于工业应用的强固化处理的闪烁体装置。
背景技术
辐射检测器装置被用于各种工业应用中。例如,闪烁检测器被用于石油和天然气工业的测井。典型地,闪烁检测器具有闪烁体晶体,这些闪烁体晶体由对检测γ射线有效的一种活化了的碘化钠或其他材料制成。总体上,这些闪烁体晶体是被封闭在壳体或套管中,这些壳体或套管包括允许辐射诱导的闪烁光从该晶体包装件中穿过的一个窗口。光穿过一个光敏装置如一个光电倍增管,并且该光电倍增管将从该晶体发射的光子转换为电脉冲。这些电脉冲被相关联的电子装置整形并且将其数字化,并且可以作为传输至分析设备上的计数进行记录。
闪烁检测器对于测井是有用的,因为辐射(如γ射线和中子)的测量允许用户分析围绕一个钻孔的岩层。闪烁检测器可以用在钻探装置本身中,从而引起了随钻探的测量(MWD)(或随钻探测井)的通常做法。尽管如此,MWD应用通常发生在以大量的热、振动、以及冲击为特征的恶劣环境中,这影响了检测器的耐久性和精确度。
因此,工业界继续需要对辐射检测器装置,具体地是耐用的、强固化处理的闪烁检测器的改进,这些闪烁检测器可以经受工业应用的严酷环境。
发明内容
在此披露了一种辐射检测器装置,它包括一个光传感器以及一个被连接到该光传感器上的闪烁体。该闪烁体包括一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体具有至该光传感器的一个第一近端、远离该光传感器的一个第二远端、以及在该近端与该远端之间延伸的一个长度。该闪烁体还包括至少沿着该闪烁体晶体的长度基本上将其包围了的一个反射体。该反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,每一根纤维均包括一种无机材料。
在另一个实施方案中,披露了一种辐射检测器装置,它包括被连接至一个闪烁体上的一个光传感器。该辐射检测器装置还包括至少一个与该光传感器连通的电子装置。该至少一个电子装置被适配为接收来自该光传感器的电脉冲并且基于从该光传感器接收的各个电脉冲的一个脉冲高度来对由该闪烁体发出的光子进行计数。该辐射检测器装置特征为在200℃下的小于或等于约百分之十(10%)的一个热降解因子。(i)在该辐射检测器装置暴露于大于50℃的温度之前,与在室温下由该闪烁体所发出的光子的数目相关的一个第一电脉冲的一个第一脉冲高度,以及(ii)在该辐射检测器装置暴露于200℃的温度持续二十四小时之后,与在室温下由该闪烁体所发出的光子数目相关的一个第二电脉冲的一个第二脉冲高度。
在另一个实施方案中,披露了包括一个闪烁体晶体的一个闪烁体。该闪烁体晶体具有在一个第一端与一个第二端之间延伸的一个长度。该闪烁体还包括至少沿着该闪烁体晶体的长度基本上将其包围了的一个反射体。该反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,每一根纤维均包括一种无机材料。
附图说明
通过参见附图可以更好地理解本披露,并且使其许多特征和优点对于本领域技术人员变得清楚。
图1是辐射检测器装置的一个具体的实施方案的图;
图2是纺织的反射体织物层的一个具体实施方案的总图;
图3是非纺织的反射体织物层的一个具体实施方案的总图;
图4A是反射PTFE薄膜在放大倍率为14,000倍下的一个部分的照片;
图4B是在图4A中示出的PTFE薄膜反射体材料在加热至大于200℃之后的照片;
图5A是反射PTFE薄膜在放大倍率为14,000倍下的一个第二部分的照片;并且
图5B是在图5A中示出的第二PTFE薄膜反射体材料在加热至大于200℃的温度之后的照片。
在不同的图中使用相同的参考符号表示相似的或相同的事项。
具体实施方式
本申请的众多革新的传授内容将具体参照多个示例性实施方案进行说明。然而,应该理解的是这类的实施方案在此仅提供了这些革新的传授内容的许多有利的使用的少数几个实例。总体上,在本申请的说明书中做的陈述不对任何这些不同的权利要求的物品、系统或方法进行必要地限制。此外,某些陈述可能适用于本发明的某些特征但不适用于其他的特征。
图1示出了辐射检测器装置的一个具体的实施方案。该辐射检测器装置100包括一个光传感器101、一个光管103、以及一个闪烁体105。尽管光传感器101、光管103、以及闪烁体105是彼此分开示出的,但是应理解的是光传感器101和闪烁体105被适配为通过光管103相互连接。在一个实施方案中,闪烁体105和光传感器101可以使用偏置构件117连接至光管103上。偏置构件117可以提供协助吸收对检测器100的冲击的弹性。这些偏置构件117可以与其他已知的连接方法结合使用,如使用光学凝胶或粘合剂。此外,光传感器101与电子装置130连通,该电子装置被适配为基于由光传感器101输出的电脉冲来对在光传感器101处所接收的光子进行计数。电子装置130可以包括一个或多个电子装置,如一个放大器、一个前置放大器、一个鉴别器、一个模数信号转换器、一个光子计数器、另一个电子装置、或它们的任一组合。
在一个实施方案中,光传感器101包括一个能够进行光谱检测和分辨的装置。例如,光传感器101可以包括一个常规的光电倍增管(PMT)或一个混合的光传感器。光传感器101被适配为接收由闪烁装置105、其他的多个源、或它们的一个组合发射的光子,并且光传感器101从它接收的光子产生了电脉冲。这些电脉冲可以被所连接的电子装置130整形并且将其数字化以提供在光传感器101处接收的光子的计数。光传感器101可以被收容在由一种能够保护与光传感器101相连的电子装置的材料制成的一个管或一个壳体之内,如一种金属、金属合金、其他材料、或它们的任一组合。
如图示的,光管103被布置在光传感器101与闪烁体105之间并且协助该光传感器101与闪烁体105之间的光学连接。在一个实施方案中,光管103可以包括一种石英光管、塑料光管、或另外的光管。在另一个实施方案中,光管103包括一个硅橡胶界面,该硅橡胶界面将闪烁体105的一个输出窗口115与光传感器101的一个输出窗口光学地连接。在某些实施方案中,可以将多个光管布置在光传感器101与闪烁体105之间。
闪烁体105包括被收容在一个壳体113内的一个闪烁体晶体107。闪烁体晶体107具有从至光传感器101的近端的一个第一端和远离光传感器101的一个第二端延伸的一个长度。壳体113包括一个输出窗口115,该窗口与闪烁体晶体107的第一端是界面接触的。输出窗口115可以包括玻璃或另外的透明的或半透明的材料,它们适合于允许由闪烁体晶体107发射的光子穿过闪烁体105并且朝向光传感器101。光学界面116被布置在闪烁体晶体107与输出窗口115之间。光学界面116可以包括透明的硅橡胶。在一个实施方案中,该光学界面是极化的以便通过将闪烁体晶体107和输出窗口115的反射指数调准以将闪烁体晶体107光学地连接至输出窗口115上。
闪烁体105还包括一个反射体109。在一个实施方案中,壳体113可以包括被布置在壳体113与反射体109之间沿着闪烁体晶体107的长度的一个减震构件111。壳体113还可以包括一个弹簧119、或其他的稳定化机构,它与远离光传感器101的闪烁体晶体107的第二端是界面连接的。
反射体109包括一个单层或多层的织物。反射体109基本上包围了闪烁体晶体107,至少沿着其长度。在一个具体实施方案中,反射体109还可以基本上包围闪烁体晶体107的第二端,该第二端是远离光传感器101的。在一个具体实施方案中,反射体109可以形成包封闪烁体晶体107的一个连续的套管或套袋。在另一个实施方案中,闪烁体晶体107可以被包裹在织物中。
包括在反射体109中的各层织物具有多根纤维。这些纤维各自包括一种无机材料,如一种陶瓷材料。例如,这些纤维各自可以包括一种耐火材料,如一种氧化物耐火材料、一种非氧化物耐火材料(例如,一种氮化物或碳化物耐火材料)、或者一种复合耐火材料。在一个实施方案中,这些纤维包括多根氧化铝纤维、多根硅石纤维、多根硼硅酸盐纤维、或它们的任一组合。在一个说明性实施方案中,氧化铝纤维可以包括蓝宝石纤维,并且硅石纤维可以包括石英纤维。
包括在反射体109中的织物包括至少一个纺织物层、至少一个非纺织物层(例如,毡)、或它们的任一组合。例如,一种石英或蓝宝石毡可以包括包围纺织的石英或蓝宝石布的一种基础织物的多根压制的纤维。包括在反射体109中的织物的一个或多个层的总厚度是优选从约0.1mm至约10mm,或者更优选从约0.2mm至约5mm,如约1mm至约4mm。
包括在反射体109中的织物可以包括一种材料的多个颗粒,该材料具有比包括在这些纤维中的材料更大的反射性。例如,一种聚合的材料的颗粒可以被布置在该织物的这些纤维之间。在一个实施方案中,一种氟聚合物的颗粒,如聚四氟乙烯(PTFE)颗粒,可以被布置在一种纺织物中的纤维之间的多个缝隙中。在另一个实例中,更加反射性的材料的颗粒可以被布置在一块毡或其他的非纺织物中的纤维之间的孔中。
这些颗粒可以通过不同的方法而包含在一种织物中,包括(并非限制)干燥粉法(例如,静电施加一种PTFE粉末随后在加热下固化);粉末浆料法(例如,将这些颗粒混合在水中并且挤滤通过织物);软研磨(例如,通过手工将这些颗粒揉擦到织物中);真空喷丸法;一种或多种其他方法;或它们的任一组合。更反射性的材料的这些颗粒优选地特征为从约0.1μm至约20μm的粒径、或者更优选地,从约1μm至约10μm的粒径。最优选地,这些颗粒特征为从约1μm至约5μm的粒径。
在一个实施方案中,电子装置130被适配为接收来自该光传感器101的电脉冲并且基于从该光传感器101接收的各个电脉冲的一个脉冲高度来对由该闪烁体105发出的光子进行计数。某些温度可以促使常规的辐射检测器装置发出对于相同数目的光子具有不同的脉冲高度的电脉冲。这些变化可以表达为一个热降解因子(TDF),它以某一个温度为基准。例如,在200℃下的一个热降解因子可以被定义为以下两项之间的一个差异:(i)在该辐射检测器装置暴露于大于50℃的温度之前,与在室温下由该闪烁体所发出的光子的数目相关的一个第一电脉冲的一个第一脉冲高度,以及(ii)在该辐射检测器装置暴露于200℃的温度持续二十四小时之后,与在室温下由该闪烁体所发出的光子数目相关的一个第二电脉冲的一个第二脉冲高度。
在另一个实例中,在250℃下的一个热降解因子可以被定义为以下两项之间的一个差异:(i)在该辐射检测器装置暴露于大于50℃的温度之前,与在室温下由该闪烁体所发出的光子的数目相关的一个第一电脉冲的一个第一脉冲高度,以及(ii)在该辐射检测器装置暴露于250℃的温度持续二十四小时之后,与在室温下由该闪烁体所发出的光子数目相关的一个第二电脉冲的一个第二脉冲高度。
在图1中展示的辐射检测器装置100特征为在200℃下小于或等于约百分之十(10%)的一个热降解因子。例如,基于反射体109的构成,在200℃下的热降解因子可以是小于或等于约百分之八(8%);小于或等于约百分之五(5%);小于或等于约百分之三(3%);或者小于或等于约百分之一(1%)。如在此讨论的,辐射检测器装置100可以特征为在250℃下的一个热降解因子,该热降解因子是小于或等于约百分之十(10%);如小于或等于约百分之八(8%);小于或等于约百分之三(3%);或小于或等于约百分之一(1%)。
图2展示了纺织的反射体织物200的层的一个部分的俯视图。织物200包括多根经纤维202以及至少一根纬纤维204经纤维202实质上是相互平行的,并且基本上是与该一根或多根纬纤维204相互垂直的。在某些实施方案中,织物200可以包括一个单一纬纤维204,该纬纤维在多根经纤维202的下面或上面进行纺织。在其他的实施方案中,多根纬纤维可以在多根经纤维202的下面或上面进行纺织。
这些经纤维202和该一根或多根纬纤维204各自包括一种无机材料,如一种陶瓷材料。例如,这些纤维各自可以包括一种耐火材料,如一种氧化物耐火材料、非氧化物耐火材料、或复合耐火材料。在一个实施方案中,每一根纤维均包括氧化铝、硅石、硼硅酸盐、或它们的任一组合。例如,某些氧化铝纤维可以包含少量的硅石(例如,小于5%)。氧化铝纤维可以包括蓝宝石纤维,并且硅石纤维可以包括石英纤维。
在图2示出的实施方案中,织物200包括被布置在其纤维202,204之间的多个颗粒。这些颗粒206各自包括一种比这些纤维202,204更加反射性的材料。这些颗粒206可以包括一种反射的聚合物的材料。例如,这些颗粒206可以包括一种氟聚合物材料,如聚四氟乙烯(PTFE)。颗粒206各自均可以被布置在两根经纤维202与一根或多根纬纤维204之间的一个缝隙中。在织物200的一个边缘或一个拐角处,一个颗粒206可以被布置在少于两根经纤维、少于两根纬纤维、或它们的一个组合之间。如果织物200包括多个层,一个颗粒206可以被布置在多于两根经纤维、多于两根纬纤维、或它们的一个组合之间。
这些经纤维202和该一根或多根纬纤维204以平均纤维直径为小于约30μm,优选从约0.5μm至约20μm为特征。最优选地,这些纤维202,204特征为约1μm至约15μm(如从约5μm至约10μm)的平均纤维直径。这些颗粒206优选地特征为从约0.1μm至约20μm的粒径、或者更优选地,从约1μm至约10μm的粒径。最优选地,这些颗粒特征为从约1μm至约5μm的粒径。尽管图2展示了纺织的反射体织物的一个单一的层、但是一个反射体,如在图1中展示的反射体109,可以包括多个纺织物的层。织物的一个或多个层的总厚度的范围可以从0.1mm至10mm,并且优选地是从约0.2mm至约5mm。更优选地,总厚度是从约1mm至约4mm。
图3展示了非纺织的反射体织物300的层的一个部分的俯视图。织物300包括多根纤维302,这些纤维是被压制的或以另外的方式粘合在一起的以形成一块毡。这些纤维302各自包括一种无机材料,如一种陶瓷材料。例如,这些纤维可以各自包括一种氧化物、氮化物、或碳化物耐火材料。在一个实施方案中,这些纤维包括多根氧化铝纤维、多根硅石纤维、多根硼硅酸盐纤维、或它们的任一组合。在一个说明性实施方案中,多根氧化铝纤维可以包括蓝宝石纤维,并且该多根硅石纤维可以包括石英纤维。
在图3中示出的实施方案中,织物300包括被布置在其纤维302之间的多个孔中的多个颗粒304。这些颗粒304各自包括一种比这些纤维302更加反射性的材料。这些颗粒304可以包括一种反射的聚合物的材料。例如,这些颗粒304可以包括一种氟聚合物材料,如聚四氟乙烯(PTFE)。
这些纤维302特征为小于约30μm,优选从约0.5μm至约20μm的平均纤维直径。最优选地,这些纤维202,204特征为约1μm至约15μm(如从约5μm至约10μm)的平均纤维直径。这些颗粒304是优选地特征为从约0.1μm至约20μm的粒径、或者更优选地,从约1μm至约10μm的粒径。最优选地,这些颗粒304特征为从约1μm至约5μm的粒径。
尽管图3展示了非纺织的反射体织物的一个单一的层、但是一个反射体,如在图1中展示的反射体109,可以包括多个非纺织物的层。织物的一个或多个层的总厚度的范围可以从0.1mm至10mm,并且优选地是从约0.2mm至约5mm。更优选地,总厚度是从约1mm至约4mm。
与这些上述的实施方案相关的概念对于具有包括主要由PTFE组成的反射体的闪烁体的辐射检测器装置是特别可适合的。具体地讲,诸位发明人基于多个经验研究已经发现PTFE的反射特性在超过200℃的温度下发生退化。例如,此类温度在测井过程中会遇到。图4A是示出了在加热之前,反射PTFE薄膜的一个部分在14,000x的放大倍率下的照片。图4B是示出了在加热超过200℃之后,该PTFE薄膜的相同部分的照片。类似地,图5A是示出了在加热之前,反射PTFE薄膜的一个第二部分在14,000x的放大倍率下的照片。图5B是示出了在加热超过200℃之后,该PTFE薄膜的第二部分的照片。
图4A-5B展示了在PTFE薄膜中的孔在加热至大于200℃的温度时显著扩张。因为在该PTFE薄膜中的缝隙允许一些光穿过,加热的PTFE的这些更大的孔隙以及更低的附着力减小了该PTFE反射光的能力。在本披露中说明的这些实施方案提供了氧化铝、硅石、或它们的多种组合的反射的织物,它们在大于200℃的温度下维持了它们的反射特性。例如,蓝宝石纤维、石英纤维、或它们的多种组合,可以被结合在用作闪烁体反射体的纺织的或非纺织的布中。在某些实施方案中,此类织物的反射的特性可以通过将PTFE颗粒沉积在纤维之间来提高。
表1A在以下示出了在反射体加热之前与由一个光传感器输出的电脉冲相关的平均光峰脉冲高度,这些电脉冲响应于从具有不同的材料的反射体的LYSO闪烁体晶体(铈活化了的Lu1.8Y0.2SiO5)处接收的光子。这些LYSO闪烁体晶体是1x1x1cm3尺寸的立方体,用反射体包裹了五个面。测试用PMT后约6.4的增益在800伏特下进行。更大的平均脉冲高度表明由一个闪烁体晶体发出的较少的光子在到达该光传感器之前丢失了。将被包裹在各个材料中的闪烁体晶体的平均脉冲高度与一个LYSO标准闪烁体晶体的平均脉冲高度进行比较,该标准闪烁体晶体被用来基于电脉冲高度来对计数所发出的光子的设备进行校准。从用于测试的LYSO标准闪烁体发出的标准脉冲高度是1029个通道(对应于从一个662keV伽玛射线源发出的光峰)。下表示出了用每种反射材料达到的标准脉冲高度的百分比。
表1A在加热之前多种反射体类型的脉冲高度
表1B在以下示出了在反射体加热至250℃经24小时之后与由一个光传感器输出的电脉冲相关的平均光峰脉冲高度,这些电脉冲响应于从具有不同的材料的反射体接收的光子。将包裹在每种材料中的闪烁体晶体的平均脉冲高度与LYSO标准闪烁体晶体的标准脉冲高度进行比较。
表1B在加热至250℃持续24小时之后多种反射体类型的脉冲高度
表1A和表1B展示了上述的氧化铝织物的不同实施方案的优点。在加热至250℃持续24小时之后,与PTFE反射薄膜相关的平均脉冲高度降低了约12.5%。然而,在加热至250℃持续24小时之后,与不同的氧化铝织物相关的平均脉冲高度改变小于约1.0%。
在此的说明这些实施方案的这些图旨在提供对这些不同的实施方案的结构的一个总体上的理解。这些图示并非旨在作为在此描述的所有的元件和结构的特征或方法的一个完全的说明。对于本领域的普通技术人员许多的其他实施方案在阅读该披露时应该是清楚的。可以使用其他的多个实施方案并且从该披露中产生,这样使得在不背离本披露的范围的情况下可以做出多个结构的和逻辑的替换以及多种变化。此外,这些图示仅是代表性的并不是按比例绘制的。在这些图示内的某些比例可能是扩大的,而其他的比例可能是缩到最小的。因此,该披露内容和这些附图被认为是说明性的而不是限制性的。
披露的摘要是遵循37C.F.R.§1.72(b)而提供的,并且按以下理解而提交,即它将不被用于解释或者限制权利要求的范围或含义。另外,在以上附图的详细说明中,为了使披露精简而可能将不同的特征集合在一起或者在一个单独的实施方案中描述。本披露不得被解释为反映了一种意图,即提出权利要求的实施方案要求的特征多于在每一项权利要求中清楚引述的特征。相反,如以下的权利要求反映出,发明主题可以是针对少于任何披露的实施方案的全部特征。因此,以下的权利要求被结合在附图的详细说明之中,而每一项权利要求自身独立地限定了分别提出权利要求的主题。
以上披露的主题应被认为是解说性的、而非限制性的,并且所附权利要求是旨在覆盖落在本披露的主题的真实精神和范围内的所有此类变体、改进以及其他实施方案。因此,在法律所允许的最大程度上,本披露的主题的范围应由对以下权利要求和它们的等效物可容许的最宽解释来确定,并且不应受以上的详细的说明的约束或限制。
Claims (36)
1.一种闪烁体,包括:
一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体具有在一个近端与一个远端之间延伸的一个长度;以及
一个反射体,该反射体至少沿着该闪烁体晶体的长度将其基本上包围,其中该反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,每一根纤维包括一种无机材料。
2.如权利要求1所述的闪烁体,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种陶瓷材料。
3.如权利要求2所述的闪烁体,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种耐火材料。
4.如权利要求3所述的闪烁体,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种氧化物耐火材料、一种非氧化物耐火材料、或一种耐火复合材料。
5.如权利要求1所述的闪烁体,其中,该织物包括一种材料的多个颗粒,该材料具有的反射率大于该反射体。
6.如权利要求5所述的闪烁体,其中,该材料包括一种聚合物。
7.如权利要求6所述的闪烁体,其中,该材料包括聚四氟乙烯(PTFE)。
8.如权利要求6所述的闪烁体,其中,该多个颗粒中的每一个的特征为直径为从0.1μm至20μm。
9.如权利要求1所述的闪烁体,其中,该反射体基本上包围了该闪烁体晶体的远端。
10.如权利要求1所述的闪烁体,其中,该反射体包括至少一层纺织物、至少一层非纺织物、或它们的一个组合。
11.如权利要求10所述的闪烁体,其中,该反射体包括毡。
12.如权利要求10所述的闪烁体,其中,该反射体包括包围至少一层基础织物的多根压制的纤维,该基础织物包括纺织物。
13.一种辐射检测器装置,包括:
一个光传感器;以及
一个被连接至该光传感器上的闪烁体,该闪烁体包括:
一个闪烁体晶体,该闪烁体晶体具有至该光传感器的一个第一近端、远离该光传感器的一个第二端、以及在该近端与该远端之间延伸的一个长度;以及
一个反射体,该反射体至少沿着该闪烁体晶体的长度将其基本上包围,其中,该反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,每一根纤维包括一种无机材料。
14.如权利要求13所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种陶瓷材料。
15.如权利要求14所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种耐火材料。
16.如权利要求15所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种氧化物耐火材料、一种非氧化物耐火材料、或一种耐火复合材料。
17.如权利要求13所述的辐射检测器装置,其中,该织物包括一种材料的多个颗粒,该材料具有的反射率大于该反射体。
18.如权利要求17所述的辐射检测器装置,其中,该材料包括一种聚合物。
19.如权利要求18所述的辐射检测器装置,其中,该材料包括聚四氟乙烯(PTFE)。
20.如权利要求18所述的辐射检测器装置,其中,该多个颗粒中的每一个的特征为直径为从0.1μm至20μm。
21.如权利要求13所述的辐射检测器装置,其中,该反射体基本上包围了该闪烁体晶体的远端。
22.如权利要求13所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括至少一层纺织物、至少一层非纺织物、或它们的一个组合。
23.如权利要求22所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括毡。
24.如权利要求22所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括包围至少一层基础织物的多根压制的纤维,该基础织物包括纺织物。
25.一种辐射检测器装置,包括:
连接至一个闪烁体上的一个光传感器;
一个反射体,该反射体至少沿着该闪烁体晶体的长度将其基本上包围,其中,该反射体包括一种织物,该织物包括多根纤维,该多根纤维中的每一根均包括一种无机材料;以及
至少一个与该光传感器连通的电子装置,该至少一个电子装置被适配为接收来自该光传感器的电脉冲并且基于从该光传感器接收的每个电脉冲的脉冲高度来对由该闪烁体发出的光子进行计数;
其中该辐射检测器装置的特征在于在200℃时的小于或等于百分之十(10%)的热降解因子,在200℃时该热降解因子被定义为以下各项之间的一个差异:(i)在该辐射检测器装置暴露于大于50℃的温度之前,与在室温下由该闪烁体所发出的光子的数目相关的一个第一电脉冲的一个第一脉冲高度,以及(ii)在该辐射检测器装置暴露于200℃的温度持续二十四小时之后,与在室温下由该闪烁体所发出的光子数目相关的一个第二电脉冲的一个第二脉冲高度。
26.如权利要求25所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种陶瓷材料。
27.如权利要求26所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种耐火材料。
28.如权利要求27所述的辐射检测器装置,其中,该多根纤维中的每一根均包括一种氧化物耐火材料、一种非氧化物耐火材料、或一种耐火复合材料。
29.如权利要求25所述的辐射检测器装置,其中,该织物包括一种材料的多个颗粒,该材料具有的反射率大于该反射体。
30.如权利要求29所述的辐射检测器装置,其中,该材料包括一种聚合物。
31.如权利要求30所述的闪烁体、或辐射检测器装置,其中,该材料包括聚四氟乙烯(PTFE)。
32.如权利要求30所述的闪烁体、或辐射检测器装置,其中,该多个颗粒中的每一个的特征为直径为从0.1μm至20μm。
33.如权利要求25所述的辐射检测器装置,其中,该反射体基本上包围了该闪烁体晶体的远端。
34.如权利要求25所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括至少一层纺织物、至少一层非纺织物、或它们的一个组合。
35.如权利要求34所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括毡。
36.如权利要求34所述的辐射检测器装置,其中,该反射体包括包围至少一层基础织物的多根压制的纤维,该基础织物包括纺织物。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/104,794 US7829857B2 (en) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | Radiation detector device |
US12/104794 | 2008-04-17 | ||
US12/104,794 | 2008-04-17 | ||
PCT/US2009/040666 WO2009129308A2 (en) | 2008-04-17 | 2009-04-15 | Radiation detector device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102007431A CN102007431A (zh) | 2011-04-06 |
CN102007431B true CN102007431B (zh) | 2013-06-19 |
Family
ID=41199706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801129888A Expired - Fee Related CN102007431B (zh) | 2008-04-17 | 2009-04-15 | 辐射检测器装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7829857B2 (zh) |
CN (1) | CN102007431B (zh) |
WO (1) | WO2009129308A2 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8803097B2 (en) * | 2009-01-30 | 2014-08-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Radiation detector device having a plurality of boot sections |
CN102451017B (zh) * | 2010-10-19 | 2017-10-31 | 东芝医疗系统株式会社 | Pet检测器模块、pet扫描仪系统、核医学图像摄影检测器模块 |
WO2012058569A2 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Schlumberger Canada Limited | Integrated coupling of scintillation crystal with photomultiplier in a detector apparatus |
US8785841B1 (en) * | 2013-05-15 | 2014-07-22 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive window therein |
US9395464B2 (en) | 2013-05-15 | 2016-07-19 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive reflective material therein |
US9715022B2 (en) * | 2013-05-15 | 2017-07-25 | Schlumberger Technology Corporation | Scintillation detector package having radioactive support apparatus |
US9482763B2 (en) * | 2014-05-08 | 2016-11-01 | Baker Hughes Incorporated | Neutron and gamma sensitive fiber scintillators |
US10539687B2 (en) * | 2014-10-16 | 2020-01-21 | Analogic Corporation | Indirect conversion detector array |
US11255982B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-02-22 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Radiation detection apparatus having a reflector |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5742057A (en) * | 1996-05-03 | 1998-04-21 | Frederick Energy Products | Unitized scintillation detector assembly with axial and radial suspension systems |
US6149748A (en) * | 1997-06-02 | 2000-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing large crystal bodies |
US7054408B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | CT detector array having non pixelated scintillator array |
CN1790054A (zh) * | 2004-12-17 | 2006-06-21 | 西门子公司 | 尤其用于X线或γ线的辐射探测器及其制造方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1547341A (en) * | 1976-06-28 | 1979-06-13 | Bicron Corp | Shock-resistant gamma ray detector tube |
US4360733A (en) * | 1980-09-08 | 1982-11-23 | Bicron Corporation | Window assembly for a deep well scintillation detector |
US4383175A (en) * | 1980-09-30 | 1983-05-10 | Bicron Corporation | Encapsulated scintillation detector |
FR2575597B1 (fr) * | 1984-12-28 | 1987-03-20 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Appareil pour la micro-analyse ionique a tres haute resolution d'un echantillon solide |
US4764677A (en) * | 1986-11-21 | 1988-08-16 | Bicron Corporation | Well logging detector |
US4994673A (en) * | 1989-06-06 | 1991-02-19 | Solon Technologies, Inc. | Ruggedized scintillation detector |
US5087818A (en) * | 1991-05-06 | 1992-02-11 | Bicron Corporation | Beta scintillation probe |
FR2686424B1 (fr) * | 1992-01-17 | 1994-03-18 | Quartz Silice | Scintillateur tres resistant et son procede de fabrication. |
US5434408A (en) * | 1992-05-28 | 1995-07-18 | Halliburton Logging Services, Inc. | Induced gamma ray spectroscopy well logging system |
US5753918A (en) * | 1995-10-19 | 1998-05-19 | Optoscint, Inc. | Superior performance subassembly for scintillation detection and detectors employing the subassembly |
US5869836A (en) * | 1996-09-20 | 1999-02-09 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Scintillation detector with sleeved crystal boot |
RU2199136C2 (ru) * | 1998-01-23 | 2003-02-20 | Циньхуа Юниверсити | Генератор нейтронов в герметичной трубке, содержащий встроенный детектор связанных альфа-частиц для скважинного каротажа |
US6222192B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-04-24 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Scintillation detector without optical window |
AU731139B2 (en) * | 1998-08-24 | 2001-03-22 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Modular radiation detector assembly |
US6624420B1 (en) * | 1999-02-18 | 2003-09-23 | University Of Central Florida | Lutetium yttrium orthosilicate single crystal scintillator detector |
CA2313021A1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-02-06 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Improved low energy radiation detector |
US6373066B1 (en) * | 1999-08-20 | 2002-04-16 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Thermal neutron detector using a scintillator with background gamma ray shielding |
US6451142B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-09-17 | Agilent Technologies, Inc | Mounting process for outgassing-sensitive optics |
US6657201B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-12-02 | General Electric Company | Cover plate having spacer lip with hermetic barrier for radiation imager and method of manufacturing same |
US6781134B1 (en) * | 2001-08-14 | 2004-08-24 | The Regents Of The University Of California | Handheld CZT radiation detector |
CA2789987C (en) * | 2002-03-22 | 2016-02-02 | General Electric Company | Instrumentation package and integrated radiation detector |
US7138629B2 (en) * | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US7019284B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-03-28 | General Electric Company | Ultraviolet emitting scintillators for oil detection |
US7151261B2 (en) * | 2004-01-09 | 2006-12-19 | Crystal Photonics, Incorporated | Method of enhancing performance of cerium doped lutetium orthosilicate crystals and crystals produced thereby |
US7154098B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-12-26 | General Electric Company | Ruggedized scintillation detector for portal monitors and light pipe incorporated therein |
FR2874021B1 (fr) * | 2004-08-09 | 2006-09-29 | Saint Gobain Cristaux Detecteu | Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee |
EP1645891A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-12 | Services Petroliers Schlumberger | Covering of a scintillation detector with a reflective coating |
US7151254B2 (en) * | 2004-11-16 | 2006-12-19 | Precision Drilling Technology Services Group, Inc. | Logging tool with response invariant to changes in borehole pressure |
US7550729B2 (en) * | 2005-07-06 | 2009-06-23 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Scintillator-based detectors |
US7615501B2 (en) * | 2005-08-11 | 2009-11-10 | 3M Innovative Properties Company | Method for making a thin film layer |
DE102007018381A1 (de) * | 2007-04-17 | 2008-10-23 | Tesa Ag | Hitzereflektierendes Klebeband |
US20090102733A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Motorola, Inc. | Antenna system and method for controlling an antenna pattern of a communication device |
-
2008
- 2008-04-17 US US12/104,794 patent/US7829857B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-15 CN CN2009801129888A patent/CN102007431B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-15 WO PCT/US2009/040666 patent/WO2009129308A2/en active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5742057A (en) * | 1996-05-03 | 1998-04-21 | Frederick Energy Products | Unitized scintillation detector assembly with axial and radial suspension systems |
US6149748A (en) * | 1997-06-02 | 2000-11-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of manufacturing large crystal bodies |
US7054408B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | CT detector array having non pixelated scintillator array |
CN1790054A (zh) * | 2004-12-17 | 2006-06-21 | 西门子公司 | 尤其用于X线或γ线的辐射探测器及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090261257A1 (en) | 2009-10-22 |
US7829857B2 (en) | 2010-11-09 |
WO2009129308A3 (en) | 2010-03-18 |
WO2009129308A2 (en) | 2009-10-22 |
CN102007431A (zh) | 2011-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102007431B (zh) | 辐射检测器装置 | |
CN101542635B (zh) | 闪烁器板和射线检测器 | |
US9645257B2 (en) | Radiation sensor to detect different targeted radiation and radiation detection system including the radiation sensor | |
CN101710182A (zh) | 形成闪烁设备的方法 | |
US8039806B2 (en) | Radiation detector device having an electrically conductive optical interface | |
US7791046B2 (en) | High efficiency fiber-optic scintillator radiation detector | |
NO20130462A1 (no) | Hoytemperaturkompatibel stralingsdetektor gjort ufolsom mot hard behandling | |
JP2014013230A5 (zh) | ||
NO346014B1 (no) | Apparat og fremgangsmåte for deteksjon av stråling omfattende nøytroner og gammastråler | |
US20170363768A1 (en) | Compact scintillation detector | |
WO2018223917A1 (zh) | 检测器和具有该检测器的发射成像设备 | |
WO2018233456A1 (zh) | 背散射探测模块 | |
JPS60155991A (ja) | 中性子又はガンマ線又はその双方の検出系 | |
US8803097B2 (en) | Radiation detector device having a plurality of boot sections | |
JP2004205512A (ja) | ガドリニウム光学インタフェースを有する検層装置 | |
US8269184B2 (en) | Radiation detector device having an electrically conductive optical interface | |
GB2224353A (en) | Radiation detector | |
CN106199824A (zh) | 光纤 | |
JP2019513237A (ja) | 一体型核センサ | |
WO2007106333A2 (en) | Scintillator with improved light collection | |
JP5428837B2 (ja) | 放射線検出器 | |
JP5043540B2 (ja) | 放射線検出器 | |
CN105068107A (zh) | 用于高灵敏检测辐射的闪烁性光纤传感器 | |
KR101941592B1 (ko) | 신틸레이터 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 방사선 검출기 | |
KR20130039177A (ko) | 신틸레이터 패널 및 이를 포함하는 방사선 검출기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20130619 Termination date: 20210415 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |