CN1787234A - 一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法 - Google Patents

一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法 Download PDF

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Abstract

一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法，制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的籿底，选择刻蚀蚀去剩余的籿底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。

Description

一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法
                         技术领域
本发明涉及一种量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法。确切说，涉及一种QWIP直接与硅基读出集成电路(ROIC)低温异质键合制备QWIP-FPA的方法。属光电子集成技术领域。
                         背景技术
由于量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)技术在气象、天文、地球观察、夜视、导航、飞机控制、早期预警系统等商业、工业和军事领域的应用，对大规模QWIP-FPA的需求正在不断增长。然而，大规模QWIP-FPA是由大规模的QWIP光敏元阵列与硅基读出信号集成电路，通过各自生长的铟柱，直接或间接倒扣互连方法，形成一个完整的FPA器件，其倒扣互连质量直接影响FPA的最终性能和可靠性。为了降低焊点-铟柱所承受的应力，提高FPA可靠性，发展了衬底减薄、去除，增加铟柱高度，填充环氧材料等手段，但上述方法都不可避免增加工艺的复杂程度，焊点处还是存在相当的应力，导致FPA光敏元失效的几率增大。
当前QWIP-ROIC的倒扣互连制备方法存在以下问题：
1、QWIP-ROIC通过直接倒扣互连或间接倒扣互连方法，在300～30K周期反复的热循环载荷作用下，铟柱、QWIP阵列的GaAs衬底和硅基ROIC三种材料的热膨胀系数(CTE)失配，较大的应力变化使铟柱产生粘塑性变形，引起铟柱焊点脱落、开裂等，导致QWIP FPA性能降低甚至失效。
2、异质外延单片集成或局部异质外延单片集成存在两大难点：1)硅与GaAs等III-V材料具有4％的晶格失配而导致高的断层密度。2)由于GaAs的热膨胀系数是硅的两倍，在外延生长结束后，在GaAs平面将产生二维应力。
为了克服QWIP的GaAs衬底与硅基ROIC混合封装和采用异质外延(局部异质外延)所带来的弊病，必须发展能与标准CMOS(BiMOS)工艺兼容的QWIP-FPA制造技术。
                           发明内容
本发明要解决的技术问题是提出量子阱红外探测器(QWIP)焦平面(FPA)的制备方法。该方法具有制造成本低、产品机械强度高和可靠性好等优点。
本发明解决上述技术问题的技术方案是：制备从两异质晶片，硅晶片和GaAs晶片开始，硅晶片和GaAs晶片上分别制有硅基读出集成电路和终止层、下电极层、量子阱层、上电极层、二维光栅，首先用化学机械平坦化工艺，使制有硅基读出集成电路的硅晶片的表面光滑、平整、清洁，接着在把同样光滑、平整、清洁的GaAs晶片的上电极与硅晶片上的对应的金属电极对位，用低温异质晶片键合方法对两晶片进行预键合、低温热处理，直至两晶片键合在一起，然后减薄GaAs晶片的村底，选择刻蚀蚀去剩余的村底，用腐蚀液蚀去终止层，最后完成量子阱红外探测器与硅基读出集成电路对应电极的连接，得产品，量子阱红外探测器焦平面。
现结合附图详细说明本发明的技术方案。一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法，制备从两异质晶片开始，两异质晶片分别是硅晶片1和GaAs晶片10，硅晶片1上制有硅基读出集成电路2，GaAs晶片10上制有终止层9、下电极层8、量子阱层7、上电极层6和二维光栅5，其特征在于，操作步骤：
第一步金属电极处理
采用电子束蒸发或者溅射方法在硅基读出集成电路2上蒸发CrAu或TiAu薄膜3，在量子阱层7上的上电极6和二维光栅5上蒸发AuGeNi/Au薄膜11，所述两薄膜的Au的厚度为200～600nm，然后采用光刻、剥离或者刻蚀以及合金化的方法获得所需图形；
第二步化学机械平坦化
按照0.25μm ULSI中双层大马士革结构的铜布线的工艺流程，在硅晶片1的硅基读出集成电路2的键合面上淀积生长第一氮化硅或氧化硅薄膜4，第一氮化硅或氧化硅薄膜4的厚度为200～1500nm，再对所述的键合面进行化学机械平坦化处理，使其光滑、清洁、平整可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度，并把上述处理好的硅晶片1放入真空室，用ICP或反应离子刻蚀对其进行氧等离子体活化，等待键合；
第三步GaAs晶片10的表面处理
用IC标准工艺，对GaAs晶片10上已经蒸发有AuGeNi/Au薄膜11的量子阱红外探测器进行光刻、干法刻蚀，形成光敏元区域12，暴露出下电极层8，用等离子体增强化学气相淀积工艺形成第二氮化硅或氧化硅薄膜13，第二氮化硅或氧化硅薄膜13的厚度是2～7μm，完成量子阱侧壁区域的钝化和表面平坦化，并按照标准的GaAs化学机械抛光工艺，使该键合面光滑、清洁、平整可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度；
第四步低温直接异质-电极键合
在超净室，在超真空状态、室温下，将硅晶片1的电极区域与GaAs晶片10对应的电极区域对位，硅晶片1与GaAs晶片10相距0.5～1mm，通入25～55℃氮气和去离子水0.2～1小时，用红外灯升温至65～100℃，预键合0.2～1小时，接着把键合晶片对，硅晶片1与GaAs晶片10贴紧，在3～10秒内将键合晶片对从室温升温至380～420℃，保持25～40秒，硅晶片1与GaAs晶片10保持贴紧1～5分钟，自然降温，硅晶片1与GaAs晶片10继续贴紧2～20小时；
第五步GaAs晶片10的村底的减薄
用常规GaAs减薄工艺，对第四步得到的键合晶片对进行GaAs晶片10的村底的化学机械减薄处理，直至该村底的厚度减薄至20～30μm，然后在GaAs/AlGaAs刻蚀比例≥1000的选择刻蚀条件下，用ICP高密度反应离子刻蚀该村底的剩余部分，至终止层9，即AlGaAs层；
第六步去终止层9
用腐蚀液蚀去第五步处理后暴露在键合晶片对表面的终止层9，即AlGaAs层，暴露出下电极层8，用去离子水清洗，至洗涤水的pH值呈中性，氮气吹干，得到GaAs晶片10减薄后的键合晶片对；
第七步制作电极、引线
按照标准IC工艺，生长氮化硅或氧化硅薄膜钝化层15，开电极孔，蒸发AuGeNi/Au，形成欧姆接触14，完成引线制作，得到产品，量子阱红外探测器焦平面。
本发明的突出优点是：
(1)采用本发明的方法制备的量子阱红外探测器焦平面，由于硅晶片1和GaAs晶片10的电极直接键合，取消了直接互连的铟柱、间接互连的第三种材料作基片，使得信号和电源/接地路径变短，获得了较低的电阻，降低了电感、减少了信号延迟。
(2)Si/GaAs异质晶片键合的条件不受被键合两个材料的晶体性质影响，是解决晶格失配的一种很有价值的途径，而且通过低温键合，可以改善热应力。
(3)硅具有超级机械强度，重量轻、高热导率，是GaAs和其他III-V族化合物材料的理想支撑物，QWIP与硅基ROIC直接结合，提高大面积衬底的有用性，可以获得低价的红外FPA。
(4)与当今最成熟的IC标准技术兼容，无交叉污染问题。
                         附图说明
图1是表面制有读出集成电路(ROIC)的硅晶片1的剖面示意图，其中1是硅衬底，2是硅基读出集成电路，3是金属电极，金属电极3是从硅基读出集成电路2引出的。
图2是对硅晶片1的键合面进行化学机械平坦化处理后的剖面示意图，其中4是第一氮化硅或氧化硅薄膜。
图3是衬底上含量子阱薄膜的QWIP的GaAs晶片10的剖面示意图，其中5是二维光栅，6是上电极层，7是量子阱层，8是下电极层，9是终止层。
图4是已经完成CrAu或TiAu薄膜11和光敏元区域12的和暴露出下电极层8的GaAs晶片10的剖面示意图。
图5是对图4所示的QWIP键合面进行化学机械平坦化处理后的GaAs晶片10的剖面示意图。
图6是两片相对放置的待低温异质直接键合的晶片的剖面示意图，位于上面和下面的晶片分别是图5和图2所示的晶片。
图7是键合晶片对，即QWIP-ROIC晶片对的剖面示意图。
图8是去除GaAs 10的衬底后的QWIP-ROIC晶片对的剖面示意图。
图9是图8所示的QWIP-ROIC晶片对去除终止层9后的剖面示意图。
图10是图9所示的QWIP-ROIC晶片对制作电极引线14和氮化硅或氧化硅薄膜钝化层15后的剖面示意图。
                         具体实施方式
现结合附图和实施例详细说明本发明的技术方案。实施例完全按照上述操作步骤进行操作。
实施例制备量子阱红外探测器焦平面
制备从两片异质晶片开始，两片异质晶片的直径是1～8英寸，两片异质晶片分别是硅晶片1和GaAs晶片10，硅晶片1上制有硅基读出集成电路2，GaAs晶片10制有终止层9、下电极层8、量子阱层7、上电极层6和二维光栅5，操作步骤：
第一步硅基读出集成电路2的金属电极处理
采用电子束蒸发或者溅射方法在硅基读出集成电路2蒸发CrAu或TiAu薄膜3，在量子阱层7上的上电极6和二维光栅5上蒸发AuGeNi/Au薄膜11，所述两薄膜的Au的厚度为500nm，然后采用光刻、剥离或者刻蚀以及合金化的方法获得所需图形；
第二步化学机械平坦化
硅晶片1的键合面，即制备有硅基读出集成电路2和CrAu或TiAu薄膜3的一面的光洁度未达到键合的要求，先把硅晶片1放入PECVD真空室，见图1，按照0.25μm ULSI中双层大马士革结构的铜布线的工艺流程，对硅晶片1的硅基读出集成电路2的键合面，采用等离子体增强化学气相淀积生长第一氮化硅或氧化硅薄膜4，第一氮化硅或氧化硅薄膜4的厚度为1000nm，再将其固定在专用的化学机械平坦化设备中，对其键合面进行化学机械平坦化处理，磨料采用SOG(80％溶剂和20％氧化硅)，磨料的颗粒的尺寸为0.03～0.14μm，然后用去离子水超声清洗15～25分钟，使硅晶片1的键合面达到镜面、清洁、平整和可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度，见图2，并把上述处理好的硅晶片1放入真空室，用ICP或反应离子刻蚀对其进行氧等离子体活化，等待键合；
第三步GaAs晶片10的表面处理
用IC标准工艺，对GaAs晶片10上已经蒸发有AuGeNi/Au薄膜11的量子阱红外探测器进行光刻、干法刻蚀，形成光敏元区域12，暴露出下电极层8，见图4，按照0.25μm ULSI中双层大马士革结构铜布线的工艺条件，用等离子体增强化学气相淀积工艺形成第二氮化硅或氧化硅薄膜13，第二氮化硅或氧化硅薄膜13的厚度是5μm，完成量子阱侧壁区域的钝化和和表面平坦化，然后将其固定在专用的化学机械平坦化设备中，对其键合面并按照标准的GaAs化学机械抛光工艺，进行化学机械平坦化处理，使该键合面达到镜面、清洁、平整和可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度，然后常规清洗，氮气吹干，见图5；
第四步低温直接异质-电极键合
在超净室，在超真空状态、室温下，用显微镜将硅晶片1和GaAs晶片10对位，见图6，二维光栅5与硅基读出集成电路2对应的Au电极对位，硅晶片1与GaAs晶片10相距0.6mm，通入40℃氮气和去离子水0.5小时，用红外灯升温至80℃，预键合0.5小时，接着把键合晶片对，硅晶片1与GaAs晶片10贴紧，在5秒内将键合晶片对从室温升温至400℃，保持30秒，硅晶片1与GaAs晶片10保持贴紧3分钟，自然降温，硅晶片1与GaAs晶片10继续贴紧5小时，见图7；
第五步GaAs晶片10的村底的减薄
用常规GaAs减薄工艺，把第四步得到的键合晶片对固定在专用的减薄设备中，进行GaAs晶片10的村底的化学机械减薄处理，需要减薄的GaAs 10的衬底的一面朝下，磨料采用SOG(80％溶剂和20％氧化硅)，磨料的颗粒的尺寸为0.5～1.5μm，将该衬底减薄至25μm，然后把经上述处理的键合晶片对以GaAs 10的衬底的底面朝上的方式放入ICP反应器，在GaAs/AlGaAs刻蚀比例≥1000的选择刻蚀条件下，用ICP高密度反应离子刻蚀该村底的剩余部分，至终止层9，即AlGaAs层，见图8；
第六步去终止层9
从ICP反应器中取出所述的键合晶片对，将其放入10％HF溶液中，漂去终止层9，即AlGaAs层，暴露出下电极层8，用去离子水漂洗15分钟，至洗涤水的pH值呈中性，氮气吹干，见图9，得到GaAs晶片10减薄后的键合晶片对；
第七步制作电极、引线
按照标准IC工艺，生长氮化硅或氧化硅薄膜钝化层15，开电极孔，蒸发AuGeNi/Au合金，形成欧姆接触14，完成引线制作，得到产品，量子阱红外探测器焦平面，见图10。

Claims (5)

1、一种量子阱红外探测器焦平面的制备方法，制备从两异质晶片开始，两异质晶片分别是硅晶片(1)和GaAs晶片(10)，硅晶片(1)上制有硅基读出集成电路(2)，GaAs晶片(10)上制有终止层(9)、下电极层(8)、量子阱层(7)、上电极层(6)和二维光栅(5)，其特征在于，操作步骤：
第一步金属电极处理
采用电子束蒸发或者溅射方法在硅基读出集成电路(2)上蒸发CrAu或TiAu薄膜(3)，在量子阱层(7)上的上电极(6)和二维光栅(5)上蒸发AuGeNi/Au薄膜(11)，所述两薄膜的Au的厚度为200～600nm，然后采用光刻、剥离或者刻蚀以及合金化的方法获得所需图形；
第二步化学机械平坦化
按照0.2 5μmULSI中双层大马士革结构的铜布线的工艺流程，在硅晶片(1)的硅基读出集成电路(2)的键合面上淀积生长第一氮化硅或氧化硅薄膜(4)，第一氮化硅或氧化硅薄膜(4)的厚度为200～1500nm，再对所述的键合面进行化学机械平坦化处理，使其光滑、清洁、平整可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度，并把上述处理好的硅晶片(1)放入真空室，用ICP或反应离子刻蚀对其进行氧等离子体活化，等待键合；
第三步GaAs晶片(10)的表面处理
用IC标准工艺，对GaAs晶片(10)上已经蒸发有AuGeNi/Au薄膜(11)的量子阱红外探测器进行光刻、干法刻蚀，形成光敏元区域(12)，暴露出下电极层(8)，用等离子体增强化学气相淀积工艺形成第二氮化硅或氧化硅薄膜(13)，第二氮化硅或氧化硅薄膜(13)的厚度是2～7μm，完成量子阱侧壁区域的钝化和表面平坦化，并按照标准的GaAs化学机械抛光工艺，使该键合面光滑、清洁、平整可键合，即光洁度达到亚纳米级的程度；
第四步低温直接异质-电极键合
在超净室，在超真空状态、室温下，将硅晶片(1)的电极区域与GaAs晶片(10)对应的电极区域对位，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)相距0.5～1mm，通入25～55℃氮气和去离子水0.2～1小时，用红外灯升温至65～100℃，预键合0.2～1小时，接着把键合晶片对，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)贴紧，在3～10秒内将键合晶片对从室温升温至380～420℃，保持25～40秒，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)保持贴紧1～5分钟，自然降温，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)继续贴紧2～20小时；
第五步GaAs晶片(10)的籿底的减薄
用常规GaAs减薄工艺，对第四步得到的键合晶片对进行GaAs晶片(10)的籿底的化学机械减薄处理，直至该籿底的厚度减薄至20～30μm，然后在GaAs/AlGaAs刻蚀比例≥1000的选择刻蚀条件下，用ICP高密度反应离子刻蚀该籿底的剩余部分，至终止层(9)，即AlGaAs层；
第六步去终止层(9)
用腐蚀液蚀去第五步处理后暴露在键合晶片对表面的终止层(9)，即AlGaAs层，暴露出下电极层(8)，用去离子水清洗，至洗涤水的pH值呈中性，氮气吹干，得到GaAs晶片(10)减薄后的键合晶片对；
第七步制作电极、引线
按照标准IC工艺，生长氮化硅或氧化硅薄膜钝化层(15)，开电极孔，蒸发AuGeNi/Au，形成欧姆接触(14)，完成引线制作，得到产品，量子阱红外探测器焦平面。
2、根据权利要求1所述的量子阱红外探测器焦平面的制备方法，其特征在于，两片异质晶片的直径是1～8英寸。
3、根据权利要求1或2所述的量子阱红外探测器焦平面的制备方法，其特征在于，第二步中，所采用的磨料是溶剂与氧化硅的重量比为4∶1的SOG磨料，磨料的颗粒的尺寸为0.03～0.14μm。
4、根据权利要求1或2所述的量子阱红外探测器焦平面的制备方法，其特征在于，第五步中，所采用的磨料是溶剂与氧化硅的重量比为4∶1的SOG磨料，磨料的颗粒的尺寸为0.5～1.5μm。
5、根据权利要求1、2、3或4所述的量子阱红外探测器焦平面的制备方法，其特征在于，第一步中，所述两薄膜的Au的厚度为500nm，第二步中，第一氮化硅或氧化硅薄膜(4)的厚度为1000nm，用去离子水超声清洗15～25分钟，第三步中，第二氮化硅或氧化硅薄膜(13)的厚度是5μm，第四步中，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)相距0.6mm，通入40℃氮气和去离子水0.5小时，用红外灯升温至80℃，预键合0.5小时，接着把键合晶片对，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)贴紧，在5秒内将键合晶片对从室温升温至400℃，保持30秒，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)保持贴紧3分钟，自然降温，硅晶片(1)与GaAs晶片(10)继续贴紧5小时，第五步中，将GaAs晶片(10)的籿底减薄至25μm，第六步中，腐蚀液是10％HF溶液，用去离子水漂洗15分钟。
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