CN1779974A - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机发光显示器(OLED)及其制造方法。该方法包括：形成具有相互发出不同颜色的光的上基板和下基板的OLED，以及将该上基板和下基板连接在一起。

Description

有机发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器(OLED)及其制造方法，更具体地说，涉及一种包括相互附着并且各自发出不同颜色的光的第一基板和第二基板的OLED。
背景技术
一般来说，阴极射线管(CRT)经常用于TV监视器、测量设备或信息终端。然而，由于其重量和尺寸，CRT不用于小而轻的电子产品。
薄且轻的平板显示器(FPD)正成为CRT的替代品。这种平板显示器通常包括液晶显示器(LCD)和OLED等。
根据其驱动方法，FPD可以是无源矩阵FPD或有源矩阵FPD。
有源矩阵FPD包括具有在其中形成的TFT的薄膜晶体管(TFT)基板，以及红、绿和蓝发光二极管。
有源矩阵FPD在每个像素中通常包括：诸如开关TFT和驱动TFT等至少两个TFT、电容器和发光二极管(LED)。
然而，对于顶部和底部发射有源矩阵FPD来说，由于TFT和电容器占据相对大的区域，因此只有较小的空间可用于形成LED，结果降低了开口率。
另外，为了增加TFT有源层的迁移率，可以增加TFT的尺寸，这意味着它在像素中占据更大的区域。
图1为常规OLED的横截面图。
参见图1，在具有红(A)、绿(B)和蓝(C)像素区域的透明绝缘基板100上形成具有预定厚度的缓冲层110。缓冲层110防止来自透明绝缘基板100的杂质被引入随后形成的TFT中。
接着，在缓冲层110上形成多晶硅层图案120，并在多晶硅层图案120的两侧注入杂质，从而在每个像素区域A、B和C形成源区122和漏区124，以及在源区和漏区之间的沟道区126。
接着，在所合成结构的整个表面上形成栅极绝缘层130，然后形成栅极132，以对应于多晶硅层图案120的沟道区126。
接着，在所合成结构的整个表面上形成夹层绝缘层140，并且夹层绝缘层140和栅极绝缘层130被蚀刻，以形成暴露源区122和漏区124的接触孔142。然后形成源极150和漏极152，以分别通过接触孔142与源区122和漏区124相连接。
接着，在所合成结构的整个表面上形成钝化层160和平面化层170。
然后，钝化层160和平面化层170被蚀刻，以形成暴露漏极152的通孔172。
接着，在每个像素区域A、B和C中形成像素电极180，使其通过通孔172与漏极152相连接。该像素电极180可以为反射电极。
然后，在所合成结构的整个表面上暴露部分像素电极180，从而形成用于限定发射区域的像素限定层图案182。
接着，在所合成结构的整个表面上形成至少包括发射层的有机层190以及相对电极192。有机层190可以包括发蓝光或白光的发射层。
然后在相对电极192上形成透明的钝化层(未示出)。
对应于透明绝缘基板100粘附密封基板200，从而完成该OLED。还可以在密封基板200上形成水分吸收剂。
如上所述，由于常规OLED包括在一个绝缘基板中形成的多个像素区域，因此当要求更高的分辨率和亮度时，就使得难以形成像素图案。另外，对于有源矩阵OLED来说，由于在每个像素中都形成TFT和电容器，可能降低开口率和OLED的使用寿命。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示器(OLED)及其制造方法，其可以通过形成发出不同颜色的光的第一基板和第二基板以及将该第一基板和第二基板相互粘附在一起，而增加开口率并且便于制造大尺寸的OLED。
本发明的其它特征将在以下描述中进行说明，且其中的部分特征可从这些描述中清楚地显现，或者通过实施本发明来获悉。
本发明公开一种OLED，包括：相互连接的第一基板和第二基板。第一基板包括第一像素电极、至少具有发射层的第一有机层和第一相对电极；并且第二基板包括第二像素电极、至少具有发射层的第二有机层和第二相对电极。第一基板和第二基板一起包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。
本发明还公开一种制造有机发光显示器的方法，包括：在具有至少两个像素区域的第一基板上形成第一像素电极；在第一像素电极上形成至少具有发射层的第一有机层；以及在第一有机层上形成第一相对电极。在具有至少一个像素区域的第二基板上形成第二像素电极；在第二像素电极上形成至少具有发射层的第二有机层；以及在第二有机层上形成第二相对电极。并且将第一基板和第二基板相互连接。
可以理解，上面的概要描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，目的在于进一步解释权利要求所保护的本发明。
附图说明
以下附图用于进一步帮助理解本发明，它们被并入到说明书中作为该说明书的一部分，这些附图和描述一起用于说明本发明的实施例，并用于解释本发明的原理。
图1为常规有机发光显示器的横截面图。
图2为根据本发明示例性实施例的有机发光显示器的横截面图。
图3A、图3B和图3C为根据本发明示例性实施例的有机发光显示器的布局图。
图4为根据本发明示例性实施例的有机发光显示器的示意性横截面图。
具体实施方式
下面将参照示出本发明实施例的附图，更全面地描述本发明。然而，本发明可以多种不同的形式实施，并且不应被认为局限于这里描述的实施例。相反，提供这些实施例是为了公开充分，以及向本领域的技术人员全面传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，层及各区域的尺寸和相关尺寸可能被夸大。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一个元件之“上”时，它可能是直接在另一个元件的上面，也可能是出现介于其间的元件。作为对比，当一个元件被称为“直接”在另一个元件“上面”时，这里不出现介于其间的元件。
图2是根据本发明示例性实施例的有机发光显示器(OLED)的横截面图，而图4是根据本发明示例性实施例的OLED的示意性横截面图，它们将被相互结合起来进行描述。
参见图2，第一基板300和第二基板400彼此相向。第一基板300包括：具有栅极332、源极350和漏极352的薄膜晶体管(TFT)、像素电极380、至少具有发射层的有机层390以及相对电极392。第二基板400包括：TFT、像素电极、至少具有发射层的有机层以及相对电极。第一基板300包括两个像素区域，而第二基板400包括一个像素区域。
下面，将参照图2描述制造OLED的方法。
在具有至少两个像素区域的第一基板300上形成具有预定厚度的缓冲层310。缓冲层310防止从第一基板泄漏的杂质被引入随后形成的TFT中。
然后，可在缓冲层310上形成多晶硅层图案320。在多晶硅层图案320的两侧注入杂质，从而在每个像素区域形成源区322、漏区324以及在该源区和漏区之间的沟道区326。
然后，可在所合成结构的整个表面上形成栅极绝缘层330，并且可以形成栅极332，使其与多晶硅层图案320的沟道区326相对应。
然后，可在所合成结构的整个表面上形成夹层绝缘层340，而该夹层绝缘层340和栅极绝缘层330然后被蚀刻，以形成暴露源区322和漏区324的接触孔342。然后可以形成源极350和漏极352，从而通过接触孔342分别与源区322和漏区324电连接。
然后在所合成结构的整个表面上形成钝化层360和平面化层370。
然后，钝化层360和平面化层370可以被蚀刻，以形成暴露漏极352的通孔372。
接着，可以形成像素电极380，使其通过通孔372与每个像素区域中的漏极352电连接。像素电极380可以是反射电极。
在所合成结构的整个表面上暴露部分像素电极380，从而形成限定发射区域的像素限定层图案382。
接着，可以在所合成结构的整个表面上形成至少具有发射层的有机层390。在此，可以对每种颜色使用精细金属掩膜(FMM)而在第一基板300的两个像素区域中形成发射层，或者可以使用FMM形成红发射层或绿发射层之后，再在所合成结构的整个表面上形成蓝发射层。
接着，可以在有机层390上形成相对电极392。相对电极392可以是透明电极。
同样地，可以利用上述方法形成包括一个像素区域的第二基板400。与在第一基板300上形成的像素电极390不同的是，在该第二基板400上形成的像素电极可以是透明电极，并且相对电极492也可以是透明电极。这是因为在第一基板300上形成的像素穿过第二基板400发光。另外，在第二基板400上形成的有机层可以不使用FMM而在该基板的整个表面上形成。此时，尽管能够在第一基板300的每个发射区域中形成红发射层和绿发射层，然而当蓝发射层被用作共用层时，由于红发射层和绿发射层可与蓝发射层交叠，从而可以减少布置的数目。在此情形中，使用FMM的次数可以减少一次。如上所述，通过在第一基板300和第二基板400中分别形成像素区域，就第一基板300来说，至少能够将开口率提高三倍，就第二基板400来说，至少能够将开口率提高九倍。
如图4所示，可以使用粘结剂500将第一基板300和第二基板400相互连接，并在第一基板300和第二基板400之间形成隔离物700。此时，可以在第一基板300和第二基板400之间布置有机绝缘层。另外，可以在第一基板300和第二基板400其中一个的外围附着驱动器集成电路(IC)600。例如，图4示出附着于第一基板300的驱动器IC600。还可以在第一基板300和第二基板400之间使用具有导电颗粒的各向异性导电膜，将第一基板300和第二基板400相互电连接。例如，图4还示出包括红(A)像素区域的第二基板400以及包括绿(B)像素区域和蓝(C)像素区域的第一基板300。
图3A、图3B和图3C是根据本发明示例性实施例的OLED的布局图，代表将在第一基板和第二基板上形成的发射层的颜色。
首先，图3A和图3B示出以分开的方式在第一基板和第二基板中布置的红R、绿G和蓝B像素区域。在此过程中，第一基板可以被布置在靠下的位置，而第二基板可以被布置在靠上的位置。
参见图3A，第一基板包括蓝像素区域B和绿像素区域G，而第二基板包括红像素区域R。
参见图3B，第一基板包括蓝像素区域B和红像素区域R，而第二基板包括绿像素区域G。
图3C说明第一基板和第二基板包括红R、绿G、蓝B、青C、品红M和黄Y像素区域时的情形。在此，青像素C包含绿像素G和蓝像素B，品红像素M包含红像素R和蓝像素B，而黄像素则包含红像素R和绿像素G。因此，如图3C所示，第一基板顺序地包括绿G、蓝B、蓝B、红R、红R、蓝B、蓝B和绿G像素，而第二基板顺序地包括红R、绿G、绿G和红R像素。每个像素可以被单独驱动，而青、品红和黄像素可以通过驱动与各颜色对应的像素来实现。
如上所述，本发明的示例性实施例可通过使用FMM而减少有机层的沉积数目，并可通过按照每种颜色在两个基板上分别形成像素来提高开口率，进而延长OLED的寿命。另外，由于通过减少布置的数目而减少处理时间，因此可以便于制造大尺寸的OLED。
熟悉本领域的技术人员应能理解，只要不背离本发明的精神或范围，可对本发明进行各种修改或变化。因此，本发明意在覆盖所附权利要求及其等同替换范围之内的对本发明的修改和变化。

Claims (23)

1、一种有机发光显示器，包括：
第一基板；以及
与第一基板相连接的第二基板，
其中第一基板包括：第一像素电极、包括发射层的第一有机层、和第一相对电极，
第二基板包括：第二像素电极、包括发射层的第二有机层、和第二相对电极，并且
第一基板和第二基板一起包括：第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域。
2、如权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括：
在第一基板和第一像素电极之间的至少一个薄膜晶体管；以及
在第二基板和第二像素电极之间的至少一个薄膜晶体管。
3、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域分别为红像素区域、蓝像素区域和绿像素区域。
4、如权利要求3所述的有机发光显示器，其中第一基板包括第一像素区域和第二像素区域，且第二基板包括第三像素区域。
5、如权利要求4所述的有机发光显示器，其中第一像素区域与部分第二像素区域交叠。
6、如权利要求3所述的有机发光显示器，其中第一基板包括第二像素区域和第三像素区域，且第二基板包括第一像素区域。
7、如权利要求6所述的有机发光显示器，其中第三像素区域与部分第二像素区域交叠。
8、如权利要求3所述的有机发光显示器，其中第一基板包括第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域，且第二基板包括第一像素区域和第三像素区域。
9、如权利要求8所述的有机发光显示器，其中第二基板包括顺序布置的第一像素区域、第三像素区域、第三像素区域和第一像素区域，并且第一基板包括顺序布置的第三像素区域、第二像素区域、第二像素区域、第一像素区域、第一像素区域、第二像素区域、第二像素区域和第三像素区域。
10、如权利要求9所述的有机发光显示器，其中第二基板发红光、绿光和黄光，并且第一基板发红光、绿光、蓝光、青光和品红光。
11、如权利要求10所述的有机发光显示器，其中黄光包括红光和绿光，青光包括绿光和蓝光，以及品红光包括蓝光和红光。
12、如权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括布置在第一基板和第二基板其中之一上的驱动器集成电路。
13、如权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括布置在第一基板和第二基板之间的各向异性导电层。
14、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中第一基板包括顶部发射有机发光显示器，并且第二基板包括双重发射有机发光显示器。
15、如权利要求1所述的有机发光显示器，进一步包括布置在第一基板和第二基板之间的有机绝缘层。
16、一种制造有机发光显示器的方法，包括：
在第一基板上形成第一像素电极，该第一基板包括至少两个像素区域；
在第一像素电极上形成至少具有发射层的第一有机层；
在第一有机层上形成第一相对电极；
在第二基板上形成第二像素电极，该第二基板包括至少一个像素区域；
在第二像素电极上形成至少具有发射层的第二有机层；
在第二有机层上形成第二相对电极；并且
将第一基板和第二基板相互连接。
17、如权利要求16所述的方法，进一步包括：
在第一基板和第一像素电极之间形成至少一个薄膜晶体管；并且
在第二基板和第二像素电极之间形成至少一个薄膜晶体管。
18、如权利要求16所述的方法，其中第一像素电极由反射电极形成。
19、如权利要求16所述的方法，其中第一相对电极、第二像素电极和第二相对电极由透明电极形成。
20、如权利要求16所述的方法，其中，利用精细金属掩膜在所述的至少两个像素区域中形成第一有机层。
21、如权利要求16所述的方法，其中第一有机层包括作为与至少两个像素区域相对应的共用层的蓝发射层。
22、如权利要求16所述的方法，进一步包括：在第一基板和第二基板之间布置各向异性导电膜，从而将第一基板和第二基板电连接。
23、如权利要求16所述的方法，进一步包括：在第一基板和第二基板之间形成有机绝缘层。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359679B (zh) * 2007-08-03 2010-09-29 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器
CN102237392A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
CN107331693A (zh) * 2017-08-31 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN108511508A (zh) * 2018-06-14 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示器
CN110068968A (zh) * 2019-04-23 2019-07-30 昆山龙腾光电有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100741968B1 (ko) * 2004-11-23 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
JP4619186B2 (ja) 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100647325B1 (ko) * 2005-04-21 2006-11-23 삼성전자주식회사 저면발광형 유기발광소자
KR101279596B1 (ko) * 2006-09-18 2013-06-28 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치
JP4254856B2 (ja) * 2006-12-22 2009-04-15 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
US8930034B1 (en) * 2007-03-21 2015-01-06 Sandia Corporation Computing an operating parameter of a unified power flow controller
JP5522991B2 (ja) * 2008-07-11 2014-06-18 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR101416718B1 (ko) 2008-07-17 2014-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
US8569744B2 (en) * 2009-03-30 2013-10-29 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20110163663A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device and Method of Making the Same
KR101108164B1 (ko) * 2010-02-03 2012-02-06 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8334545B2 (en) * 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
JP5058317B2 (ja) * 2010-09-07 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6157804B2 (ja) * 2011-04-29 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
CN102569345B (zh) * 2011-12-30 2016-04-20 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled彩色显示屏及其制造方法
CN103927945B (zh) * 2013-12-27 2016-06-08 上海中航光电子有限公司 一种有机发光显示面板和显示器
CN105023935A (zh) * 2014-04-25 2015-11-04 群创光电股份有限公司 有机发光二极管显示面板
KR102303241B1 (ko) * 2014-07-24 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10520782B2 (en) 2017-02-02 2019-12-31 James David Busch Display devices, systems and methods capable of single-sided, dual-sided, and transparent mixed reality applications
CN110265456B (zh) * 2019-06-27 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
KR20210076624A (ko) 2019-12-16 2021-06-24 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광소자 및 그를 포함하는 전계 발광 표시장치
JPWO2023032002A1 (zh) * 2021-08-30 2023-03-09

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3143362B2 (ja) 1995-05-16 2001-03-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1012378A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JPH1012379A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JPH1012380A (ja) 1996-06-25 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JPH10112389A (ja) * 1996-10-08 1998-04-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置
JPH10321368A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JP2000243555A (ja) 1999-02-17 2000-09-08 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ表示装置
JP4073107B2 (ja) * 1999-03-18 2008-04-09 三洋電機株式会社 アクティブ型ｅｌ表示装置
JP2002215063A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2002260859A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP2003036973A (ja) * 2001-07-19 2003-02-07 Pioneer Electronic Corp カラーディスプレイパネル
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP2003298006A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Seiko Epson Corp 半導体装置および電気光学装置
US6916717B2 (en) 2002-05-03 2005-07-12 Motorola, Inc. Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate
KR100465883B1 (ko) 2002-05-03 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP4371650B2 (ja) 2002-10-30 2009-11-25 東芝モバイルディスプレイ株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置及びこれを用いた携帯型端末
JP4089544B2 (ja) 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100500147B1 (ko) 2002-12-31 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
TW586096B (en) * 2003-04-25 2004-05-01 Ind Tech Res Inst Dual-screen organic electroluminescent display
KR101058093B1 (ko) * 2004-07-09 2011-08-24 삼성전자주식회사 유기전계발광 표시장치
KR100741968B1 (ko) * 2004-11-23 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
JP4619186B2 (ja) * 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100647325B1 (ko) * 2005-04-21 2006-11-23 삼성전자주식회사 저면발광형 유기발광소자
KR101279596B1 (ko) * 2006-09-18 2013-06-28 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101359679B (zh) * 2007-08-03 2010-09-29 三星移动显示器株式会社 有机发光显示器
CN102237392A (zh) * 2010-04-26 2011-11-09 三星移动显示器株式会社 有机发光显示设备
CN102237392B (zh) * 2010-04-26 2015-04-01 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN107331693A (zh) * 2017-08-31 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
CN108511508A (zh) * 2018-06-14 2018-09-07 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示器
WO2019238038A1 (zh) * 2018-06-14 2019-12-19 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板、其制造方法、以及显示装置
CN108511508B (zh) * 2018-06-14 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及显示器
US11335733B2 (en) 2018-06-14 2022-05-17 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co.. Ltd. Organic light emitting diode display panel, method for manufacturing the same and display device
CN110068968A (zh) * 2019-04-23 2019-07-30 昆山龙腾光电有限公司 显示面板及显示装置

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JP2010219054A (ja) 2010-09-30
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JP5153825B2 (ja) 2013-02-27

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