CN1773634A - 电磁波吸收薄片及其制造方法和粉体的筛选方法 - Google Patents

Abstract

本发明旨在提供能够使电磁波吸收薄片的特性得到进一步提高的电磁波吸收薄片的制造方法等。在该制造方法中，将经过粉碎工序而进行过粉碎扁平化处理的处理粉(P0)投入离心风力式筛选装置(50)中，利用在容器(51)内旋转的气流中所作用的离心力与阻力之差，筛选出扁平状软磁性金属粉(P1)和未扁平粉(P2)。然后，去除未扁平粉(P2)，使用扁平状软磁性金属粉(P1)形成电磁波吸收薄片，由此使其性能得以提高。另外，筛选出的未扁平粉(P2)优选作为粉碎工序的原料粉加以再利用。

Description

电磁波吸收薄片及其制造方法和粉体的筛选方法

技术领域

本发明涉及在应对电磁噪音的零部件等中使用的电磁波吸收薄片的制造方法等。

背景技术

以个人电脑、游戏机或者便携式信息终端所代表的数字电子设备为主的电子设备，伴随电路的高频化和高性能化而向着高密度的方向发展，以致无源元件容易受到半导体元件等产生噪音的有源元件的影响。在现有技术中，作为它的应对措施，适应铁氧体磁心和准微波带的电磁波吸收体得以使用，而伴随着电子设备的小型化，要求应对噪音的零部件向小型、薄型以及高性能的方向发展。

另一方面，为了满足EMC标准，满足100MHz附近的较低频率的噪音标准则成为重要的课题，从而扩大了适应该频带的电磁波吸收体和小型、应对EMI的零部件的需求。

与此相对应，已经提出了一种复合磁体薄片的制造方法(例如参照特开2000-4097号公报)，该方法是将扁平状磁性粉末进行退火处理以降低残余应力，然后使其在面内方向取向，继而在有机粘合剂的玻璃化转变温度Tg或以上的温度下，在垂直于薄片面的方向上加压，藉此谋求共振频率的低频化，从而能够在小于等于100MHz的频率下获得较高的导磁率。但是，这样的有机粘合剂和扁平状磁性粉的复合磁体薄片的导磁率在100MHz下至多为30左右，不易获得较高的导磁率。

另外，还提出了一种压粉磁心的制造方法(例如，参照特开平11-74140号公报)，其特征在于：使用扁平状的软磁性粉末，通过挤压成形而将其成形为板状。该方法因为扁平状软磁性粉末在挤压方向取向，因此具有可以提高导磁率的优点。当想制造厚度比0.4mm更薄的薄片时，在从狭窄的喷嘴挤出来的同时，还有必要施加张力取下并减薄，从而使提高导磁率变得困难。也就是说，在从狭窄的喷嘴挤出时，为了赋予可以取下这种程度的柔软性，有必要增加树脂量，并降低挤压温度下的粘性，因此，导致磁性粉末的填充量减少，以致不能得到较高的导磁率。

另外，还提出了一种不用挤压而采用印刷叠层法和刮刀法(doctorblade)进行减薄的方法(例如参照特开平11-176680号公报、特开平11-176680号公报)。

特开平11-176680号公报公开了一种如下的方法，其使用纵横尺寸比为5～40的扁平状的软磁性金属粉和粘合剂，采用印刷叠层法制作出厚度为500μm或以下的薄片，然后重叠该薄片使其厚度为10mm或以下，继而进行加压成形和冲裁，这样便制作出磁芯。但是，即使使用该方法，也因为除了溶剂以外，还使用大量的有机粘合剂，因而难以使软磁性金属粉的填充系数高于75％，另外，伴随着成形将不可避免地产生应力退化，而且也不能进行可以有效地消除残余应力的热处理，因而其结果是在100MHz附近的高频下，不能得到较高的导磁率。

另外，特开平11-176680号公报公开了一种复合磁体的制造方法，其使用由扁平状软磁性粉末、粘合剂和溶剂构成的料浆状的混合物进行成膜。该方法的特征在于：对于已经消除了应力变形的扁平状软磁性粉末不再施加应力变形而制造复合磁体。但对于像这样不给扁平粉末本身施加变形应力的方法，所存在的缺点包括：难以提高材料的填充系数，而且从原理上说，因树脂的固化收缩而产生应力将是不可避免的，因此，不能指望在100MHz附近的高频下获得较高的导磁率。

以前的技术都是基于这样一种技术思想，即重点考虑在减少扁平状软磁性金属粉的残余应力之后，于下面的成形工序中，不对该扁平状软磁性金属粉施加过大的应力。这种技术思想实质上具有双重的缺点：既不能增大金属粉的填充系数，也不会减少成形体的残余应力，从而在频带达数十MHz～数GHz的高频下，复数导磁率的提高是有限的。

与此相对照，本发明者已经在特开2002-289414号公报中提出了一种具有下述构成的复合磁体，其是将表面形成有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉压接接合在一起，以致在扁平状软磁性金属粉所构成的软磁性金属相之间，隔着一层绝缘膜所构成的绝缘相。根据这样的复合磁体，可以将软磁性金属相相对于复合磁体的填充系数设定为50％或以上，另外，还可以将复合磁体设定成厚度为5μm～0.4mm的薄片状。

对于这样的复合磁体，其特性的提高通常是可以期待的。

发明内容

本发明是基于这样的技术课题而完成的，其目的在于：提供能够使电磁波吸收薄片的特性进一步提高的电磁波吸收薄片的制造方法等。

本发明者以特性的进一步提高为目标，就上述电磁波吸收薄片的制造过程的各个环节反复地进行了潜心的研究。

在该研究过程中，于制作扁平状软磁性金属粉时发现：该扁平状软磁性金属粉中混有扁平化不充分的粉末(以下称之为“未扁平粉”)，该未扁平粉对特性的退化产生很大的影响。

在此完成的本发明的电磁波吸收薄片之制造方法的特征在于，其具有下列工序：对原料粉进行粉碎和扁平化处理而得到处理粉的工序；将处理粉筛选为具有预定值或以上的纵横尺寸比的软磁性金属粉(a)和低于预定值的纵横尺寸比的软磁性金属粉(b)的工序；在软磁性金属粉(a)的表面形成绝缘膜的工序；将形成有绝缘膜的软磁性金属粉(a)堆积起来，通过施加压力使软磁性金属粉(a)彼此之间接合在一起而生成薄片状生成物的工序；以及将薄片状生成物进行热处理的工序。

这样一来，从处理粉中去除低于预定值的纵横尺寸比的软磁性金属粉(b)，而只使用软磁性金属粉(a)获得电磁波吸收薄片，藉此能够使其特性得以提高。

可是，以前在扁平状软磁性金属粉的制作工序中，为了使扁平状软磁性金属粉的粒度一致，使用筛网等对扁平状软磁性金属粉进行分级。然而，通过筛网进行的分级不仅使扁平状软磁性金属粉通过筛网，而且也使未扁平粉通过筛网，从而未扁平粉难以去除。

于是，筛选处理粉的工序优选将处理粉投入到在容器内旋转的气流中来进行。如果将处理粉投入到在容器内旋转的气流中，则由于纵横尺寸比不同，引起对离心力的阻力也不同，因而纵横尺寸比较小的处理粉与承受更大阻力的纵横尺寸比较大的处理粉相比，更容易在容器内向外周侧移动。由此，可以从容器内的内周部回收软磁性金属粉(a)，而从容器内的外周部回收软磁性金属粉(b)。

可是，人们已经知道，从处理粉中回收软磁性金属粉(a)而残留下来的软磁性金属粉(b)，与原料粉几乎保持相同的形状。于是，可以将该软磁性金属粉(b)作为获得处理粉的工序中的原料粉而加以再利用。由此，可以谋求不废弃软磁性金属粉(b)而进行有效的利用。

另外，上述那样的将处理粉投入到在容器内旋转的气流中、利用离心力进行筛选的技术思想，不限于软磁性金属粉(a)和(b)，也能够适用于各种粉体的筛选。

也就是说，本发明也可以设计为一种粉体的筛选方法，其特征在于：将形状互不相同的第1粉体和第2粉体的混合物投入到在容器内旋转的气流中，从容器内的内周部回收第1粉体，从容器内的外周部回收第2粉体，藉此筛选出第1粉体和第2粉体。

在这种情况下，形状互不相同的第1粉体和第2粉体利用在气流中作用于第1粉体和第2粉体的离心力和阻力之差，能够对第1粉体和第2粉体进行筛选。

只要因形状的不同而引起在气流中受作用的阻力不同，第1粉体和第2粉体便可以是任何粉体，在第1粉体比第2粉体具有更大的纵横尺寸比大的情况下，本发明是特别有效的。当将这样的、纵横尺寸比不同的第1粉体和第2粉体投入到在容器内旋转的气流中时，正如上面所叙述的那样，由于对离心力的阻力的不同，纵横尺寸比较小的第2粉体在离心力的作用下，容易在容器内向外周部移动，而纵横尺寸比比第2粉体为大的第1粉体能够从容器内的内周部进行回收。

此外，第1粉体和第2粉体优选具有大致相同的质量。也就是说，当使大致相同粒径和相同材质的原料粉体扁平化时，在筛选方面可以有效地适用本方法。当然，不只是对于从混合物中回收纵横尺寸比较大的第1粉体的情况，而且对于以回收纵横尺寸比较小的第2粉体为目的的情况，本发明都是有效的。

当然，本方法的混合物是软磁性金属粉，其在电磁波吸收薄片中成为具有电磁波吸收性能的磁性层的原料，当从扁平化不够充分的粉体中筛选扁平状金属粉时，本方法特别有效，这些都是不言而喻的。

此外，在本发明中，使用气流进行筛选这一在性质上完全的筛选并不一定能办得到，在筛选后或多或少容许软磁性金属粉(a)和软磁性金属粉(b)的混存、以及第1粉体和第2粉体的混存。

另外，通过使用上述的本发明的手法，能够获得一种电磁波吸收薄片，其特征在于，表面具有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉包括：通过在其厚度方向层叠为层状而形成的磁性层，以及由绝缘材料形成的绝缘层；另外，扁平状软磁性金属粉含有93wt％或以上的纵横尺寸比为160～1250的粉体。这样，通过大量含有纵横尺寸较高的扁平状软磁性金属粉，与混有扁平化不充分的未扁平粉而形成磁性层的情况相比，其特性得以提高。

根据本发明的电磁波吸收薄片的制造方法，从粉碎和扁平化处理后的处理粉中去除纵横尺寸比较小的软磁性金属粉(b)，大量含有纵横尺寸比较大的软磁性金属粉(a)而形成电磁波吸收薄片，藉此便可以获得性能比以前更高的电磁波吸收薄片。

另外，该筛选由于是将处理粉投入到旋转的气流中，因而能够容易地进行。

再者，经筛选去除的软磁性金属粉(b)将作为原料粉而获得再利用，因而可以谋求原料粉的有效利用，可以获得诸如价格受到抑制、废弃物量得以降低之类的效果。

另外，根据本发明的粉体的筛选方法，形状互不相同的第1粉体和第2粉体在旋转的气流中可以容易地进行筛选。

附图说明

图1表示本实施方案的电磁波吸收薄片的构成。

图2是表示构成电磁波吸收薄片的磁性层的图，是表示在扁平状软磁性金属粉(软磁性金属相)的表面形成有绝缘膜(绝缘相)这一状态的示意图。

图3是本实施方案的制造工序图。

图4表示扁平状软磁性金属粉与未扁平粉在筛选时使用的筛选装置的构成，(a)为装置的主视剖面图，(b)为俯视剖面图。

图5(a)表示作用于扁平状软磁性金属粉的离心力与阻力之间的关系，(b)表示作用于未扁平粉的离心力与阻力之间的关系。

图6是粉碎和扁平化处理后的处理粉的SEM像。

图7表示因筛选处理有无的不同而不同的频率-导磁率特性。

图8(a)是筛选后、在筛选装置的内周侧回收的处理粉的SEM像，(b)是筛选后、在筛选装置的外周侧回收的处理粉的SEM像。

图9是表示实施例1筛选的处理粉在每一种纵横尺寸比下的含量的表。

图10是表示实施例2得到的磁性薄片的热处理温度与导磁率之间的关系的表。

图11是表示实施例2得到的磁性薄片的热处理温度与导磁率之间的关系的表。

图12是表示实施例2得到的磁性薄片的热处理升温速度与导磁率之间的关系的表。

图13是表示实施例2得到的磁性薄片的热处理降温速度与导磁率之间的关系的表。

图14在实施例中，表示成形密度与导磁率之间的关系。

图15是表示实施例3所使用的软磁性金属粉的粒度分布的表。

图16是表示实施例3中软磁性金属粉在热处理后的顽磁力(Hc)的测定结果的表。

图17表示实施例3得到的电磁波吸收薄片的、粒径为45～125μm范围的扁平状粉的重量比与μ’(10MHz)之间的关系。

图18表示实施例3得到的电磁波吸收薄片的、粒径为45～125μm范围的扁平状粉的重量比与μ’(100MHz)之间的关系。

图19为显微镜照片，(a)表示No.1的扁平状粉的外观，(b)表示No.5的扁平状粉的外观。

图20表示实施例3得到的电磁波吸收薄片的、粒径分别为0～32μm、32～38μm以及38～45μm范围的扁平状粉的重量比与(10MHz)之间的关系。

图21表示实施例3得到的电磁波吸收薄片的、粒径分别为0～32μm、32～38μm以及38～45μm范围的扁平状粉的重量比与μ’(100MHz)之间的关系。

符号说明：

1电磁波吸收薄片              10磁性层

11磁性粉末                   12软磁性金属相

13绝缘相                     20绝缘层

30导体层                     50筛选装置

51容器                       52转子

53工作台                     58内周侧排出流道

59外周侧排出流道             60、61回收容器

P0处理粉(混合物)

P1扁平状软磁性金属粉(软磁性金属粉(a)，第1粉体)

P2未扁平粉(软磁性金属粉(b)，第2粉体)

具体实施方式

下面就本发明的实施方案进行说明。

如图1(a)所示，本实施方案的电磁波吸收薄片1为磁性层10的两面具有绝缘层20的构成。在此，磁性层10优选整体上具有5～100μm的厚度。另外，绝缘层20更优选整体上为50μm或以下，进一步优选为15μm或以下。

另外，如图1(b)所示，电磁波吸收薄片1也可能在磁性层10两侧的绝缘层20的其中一方设置导体层30，从而使导体层30连接在该绝缘层20与磁性层10相接一侧的反向侧的面上。该导体层30由铜和碳等导电性材料形成，用于电磁波吸收薄片1的接地。此时，导体层30进一步由其它作为绝缘层的绝缘层20所覆盖。

图2示意表示了构成电磁波吸收薄片1的磁性层10。磁性层10是由许多的磁性粉末经塑性变形并相互紧密地缠绕在一起而形成的。

各个磁性粉末11是由软磁性金属相12和绝缘相13形成的复合磁体，其中，软磁性金属相12由扁平状软磁性金属粉构成，绝缘相13由软磁性金属相12的表面所形成的绝缘膜构成。由此，绝缘相13介于相互接触的软磁性金属相12之间。因此，磁性层10的在表面具有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉，通过在其厚度方向层叠为层状而形成为具有预定厚度的薄片状的构成。

首先，就构成软磁性金属相12的扁平状软磁性金属粉进行说明。在此，所谓扁平状是指纵横尺寸比(粉体的长轴直径与最小厚度之比)大于1的粉体形状。

扁平状软磁性金属粉为坡莫合金(Fe-Ni合金)、超坡莫合金(Fe-Ni-Mo合金)、铁硅铝磁合金(Sendust：Fe-Si-Al合金)、Fe-Si合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Si合金等，其纵横尺寸比优选的范围是160～1250，更优选的范围是450～1250。

扁平状软磁性金属粉的厚度(轧制前的厚度)优选的范围是0.1～1.0μm，更优选的范围是0.2～0.5μm。将扁平状软磁性金属粉的厚度设定为低于0.1μm在制造方面是比较困难的，同时也难以进行操作。另外，当扁平状软磁性金属粉的厚度超过1.0μm时，导致高频下的磁特性的下降，因而是不优选的。另外，即使压接接合扁平状软磁性金属粉，其厚度也几乎不变。因此，扁平状软磁性金属粉在压接接合后的厚度也处于0.1～1.0μm的范围。

另外，扁平状软磁性金属粉的长轴直径优选的范围是16～125μm，更优选的范围是45～125μm。特别优选使用长轴直径在45～125μm范围的扁平状软磁性金属粉占40wt％或以上的扁平状软磁性金属粉。这是因为：正如后述的实施例所述的那样，在获得较高的导磁率特性方面，优选的长轴直径为45～125μm范围。但是，所使用的扁平状软磁性金属粉并不要求其所有的长轴直径都在45～125μm的范围，这也正如后述的实施例所述的那样，只要占全部的40wt％或以上，就能够得到所要求的导磁率特性。长轴直径为45～125μm范围的扁平状软磁性金属粉所占的比例，优选设定为50wt％或以上，进一步优选设定为70wt％或以上。是否为40wt％或以上，可以由长轴直径处于45～125μm范围的扁平状软磁性金属粉在全部扁平状软磁性金属粉中所占的重量比进行判断。该扁平状软磁性金属粉只要是最终处于45～125μm范围的粉体占40wt％或以上即可。例如，在后述的筛选工序中即使没有满足这一条件，也可以通过以后的筛分来满足这一条件。

其次，就构成绝缘相13的绝缘膜进行说明。

如图2所示，理想的情况是在扁平状软磁性金属粉的整个表面形成均匀的绝缘膜，但即使在扁平状软磁性金属粉的表面存在没有形成绝缘膜的部分，经压接接合后也可以形成能够作为绝缘相13发挥作用的程度的绝缘膜。

将扁平状软磁性金属粉与绝缘材料混合，然后施以预定的处理，由此可以在扁平状软磁性金属粉的表面形成绝缘膜。作为绝缘材料，能够使用有机绝缘材料以及无机绝缘材料。更详细地说，优选的是无机聚合物系的全氢化聚硅氨烷等聚硅氨烷系的材料，也能够将硅烷系和钛酸酯系的偶联剂、作为无机绝缘体的硅溶胶、钛溶胶、镁溶胶、铝溶胶、粉末玻璃、氮化硼等作为绝缘材料加以使用，也可以将它们与全氢化聚硅氨烷组合使用。

另外，图1所示的绝缘层20是由绝缘材料形成的层，例如将树脂薄片贴附在磁性层10上、或者将绝缘材料涂敷于磁性层10的表面而形成。

作为用于赋予电磁波吸收薄片1的表面以电绝缘性的绝缘材料，树脂是合适的，其中优选强度和绝缘性进而阻燃性优良的材料。作为形成绝缘层20的材料的具体例子，有酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、特氟隆(注册商标)、聚酰亚胺、聚氯乙烯、阻燃聚乙烯、阻燃聚丙烯、阻燃聚苯乙烯、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、阻燃PET、阻燃PBT、阻燃聚烯烃、硅树脂、环氧树脂等树脂，为了提高阻燃性，可添加阻燃剂，此时，优选使用非卤素系的阻燃剂。

图3是表示本实施方案的电磁波吸收薄片1的制造工序的图。

首先，在粉碎工序中，将作为原料粉的平均粒径为10～100μm的软磁性金属的喷雾粉在甲苯等有机溶剂中例如用搅拌研磨机进行粉碎，便得到厚度为0.1～1.0μm、纵横尺寸比为160～1250的扁平状软磁性金属粉。

在这样得到的扁平状软磁性金属粉中，含有没被充分粉碎和扁平化的未扁平粉。于是，将粉碎工序后的处理粉(扁平状软磁性金属粉与未扁平粉混存的粉体)筛选为扁平状软磁性金属粉与未扁平粉(筛选工序)。

在此，优选使用图4所示的离心风力式的筛选装置50。该筛选装置50在从俯视图上看大致呈圆形的容器51内，具有由图中未示出的马达等驱动的转子52。在该转子52上，一体设置着圆盘状的工作台53。在容器51上部的中心部位设置着供料管56，其供料的原理是：从送料斗54由螺旋送料机55使经过粉碎和扁平化处理的处理粉(混合粉)P0下落到工作台53的中心部位。

在工作台53的上面，于中心部位设置着圆锥形的凸部53a，在该凸部53a的外周侧，设置着多个呈放射状外延的翼板53b。由此，当借助于转子52的旋转驱动而使工作台53按照预定的方向旋转时，从供料管56落下而供给的处理粉P0在离心力的作用下，从工作台53向外周侧飞散出去。

另外，在容器51内形成有：将气体送入容器的51内的吸气口57，位于工作台53的下方、在容器51的内周部具有开口部58a的内周侧排出流道58，以及在容器51的外周部具有开口部59a的外周侧排出流道59。在容器51内，当用图中未示出的泵等从吸气口57将空气等气体送入容器51内时，该气体借助于具有翼板53b的工作台53的旋转，在容器51内产生呈螺旋状旋转的气流。然后，气体从内周侧排出流道58、以及外周侧排出流道59排放到外部。

由此，从工作台53飞向外周侧的处理粉P0借助于气体的流动而从内周侧排出流道58、以及外周侧排出流道59排放到外部。在这些内周侧排出流道58、以及外周侧排出流道59上分别安装回收容器60和61，这样排出的处理粉P0便在回收容器60和61中得以回收。

在筛选装置50中，对于从工作台53飞向外周侧的处理粉P0，其中纵横尺寸比(处理粉P0的长轴直径与最小厚度之比＝长轴直径/最小厚度)较大的扁平状软磁性金属粉(软磁性金属粉(a)，第1粉体)P1被吸入到内周侧排出流道58，而纵横尺寸比较小而没有充分扁平化的未扁平粉(软磁性金属粉(b)，第2粉体)P2则从外周侧排出流道59排出，由此，可以筛选为扁平状软磁性金属粉P1和未扁平粉P2。

这里，成为筛选基准的纵横尺寸比可以大约设定为160。也就是说，可以将纵横尺寸比为160或以上的处理粉P0作为扁平状软磁性金属粉P1、将纵横尺寸比不足160的处理粉P0作为未扁平粉P2加以筛选。

下面就此进行考察。在这样构成的筛选装置50中，对于从工作台53飞向外周侧的处理粉P0，受到朝向容器51的外周侧的离心力、以及与此相反方向的阻力的作用。

离心力F1可以用

F1＝mrω²表示。此时，容器51内的处理粉P0都是由直径大致相同的原料粉形成的，因此质量m大体均匀，另外，工作台53的半径r、角速度ω也是一定的，所以正如图5(a)和(b)所示的那样，无论是扁平状软磁性金属粉P1还是未扁平粉P2，受到作用的离心力F1基本上是相等的。

另一方面，阻力F2可以由

F2∝SU²表示。在容器51内的气体的流速U，无论是对扁平状软磁性金属粉P1还是对未扁平粉P2，都是一定的。另一方面，处理粉P0的粒子的投影面积S，则对于扁平状软磁性金属粉P1和未扁平粉P2存在很大的差异。扁平状软磁性金属粉P1在气流中，其形态有各种各样的变化(像树叶一样飞舞)，因此，与未扁平粉P2相比，根据其形态的不同，对气流的投影面积S有机会产生很大的差异，从而使阻力F2增大。

由此，从工作台53向外周侧飞出的处理粉P0，其中阻力F2较小的未扁平粉P2受离心力F1的影响很大，容易到达容器51的外周侧而从外周侧排出流道59排出。与此相对照，扁平状软磁性金属粉P1，一边象树叶那样飞舞，一边较大地受到阻力F2的影响，因而不像未扁平粉P2那样移动到容器51的外周侧，而是在工作台53的外周部，乘着朝向内周侧排出流道58的气流而被吸入进内周侧排出流道58。

这样一来，在筛选装置50中，可以筛选出扁平状软磁性金属粉P1以及未扁平粉P2。

另外，内周侧排出流道58吸入的扁平状软磁性金属粉P1被回收容器60回收以供给后工序，而从外周侧排出流道59排出的扁平状软磁性金属粉P2被回收容器61回收。

在此，由回收容器61回收的未扁平粉P2优选作为粉碎工序的原料粉而进行再利用。

另外，筛选后的扁平状软磁性金属粉P1于粉碎工序后移至热处理工序。在该热处理工序中，于不活泼气体(例如氮气)或氢气中，对扁平状软磁性金属粉P1例如在600℃进行60min的热处理。由此，使软磁性金属粉干燥；进而除去由粉碎工序产生的应力，其中粉碎工序用于软磁性金属粉的扁平化；同时将混入软磁性金属粉中的氧以及氮除去。该热处理并不是必须的，但优选的扁平状软磁性金属粉P1以变形(磁致伸缩)较小为宜，因此在后述的绝缘处理工序之前，优选对扁平状软磁性金属粉P1施以热处理，以便消除扁平状软磁性金属粉P1的变形。

接着移至混合工序和绝缘膜合成工序。在这些工序中，将扁平状软磁性金属粉P1与绝缘材料(液态或微细粉)相混合，用预定的方法合成绝缘膜，便制作出绝缘处理粉即在扁平状软磁性金属粉P1表面形成有绝缘膜的磁性粉末11。该绝缘膜合成工序根据绝缘材料种类的不同，其处理方法也不同。下面就绝缘材料为(1)全氢化聚硅氨烷的情况、(2)偶联剂(硅烷系、钛酸酯系等)的情况、(3)其它氧化物溶胶、BN(氮化硼)的情况，叙述各自的处理方法。

(1)在绝缘材料为全氢化聚硅氨烷的情况下，使用混砂机和台式捏合机等混合装置，将扁平状软磁性金属粉P1与全氢化聚硅氨烷混合。混合后例如在大气中或氮气中于300℃进行保持60min的热处理。全氢化聚硅氨烷在大气中进行热处理时转化为SiO₂，在氮气中进行热处理时转化为Si₃N₄。

(2)在绝缘材料为偶联剂(硅烷系、钛酸酯系等)的情况下，采用湿式处理法覆盖金属粉表面。湿式处理是在用溶剂稀释50～100倍的偶联剂中搅拌混合扁平状软磁性金属粉P1、同时使溶剂飞溅而进行表面处理的方法。

(3)在绝缘材料为其它氧化物溶胶、BN(氮化硼)的情况下，使用混合装置直接混合扁平状软磁性金属粉P1和绝缘材料(干式混合)。

接着移至扁平粉堆积工序。首先，在扁平粉堆积工序中，将磁性粉末11一边用筛子筛分一边使其下落而大致均等地堆积在基板上。此时，磁性粉末11向筛子的供给也可以由送料机等自动地进行。而且在此时，也可以不使用筛子，而是用喷涂的方法将磁性粉末11喷涂在基板上，从而使磁性粉末11堆积在基板上。

在该扁平粉堆积工序中，通过适当选择筛子的网格大小而变更绝缘处理粉的粒度，便可以将最终得到的复合磁体的磁特性设定在任意的范围内。在此，优选使绝缘处理粉的粒度(长轴直径)为45～125μm的粉体达40wt％或以上。

接着移至轧制工序。在该轧制工序中，用轧制辊在大体均匀地堆积着磁性粉末11的基板上进行轧制，使磁性粉末11获得与基板平行的取向。此时，形成有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉P1(磁性粉末11)彼此之间压接接合在一起。由此，能够得到厚度为5～100μm、用于形成磁性层10的磁性薄片(薄片状生成物)。

在此，优选轧制堆积在基板上的磁性粉末11，以便使轧制后的磁性薄片的成形密度(每单位体积的磁性粉末11的重量)为5.2g/cm³或以上、进而为5.5g/cm³或以上。对此，可以在轧制时调整施加在轧制辊上的载荷(压力)。

将用于形成磁性层10的磁性薄片的厚度设定为5～100μm是基于以下的理由。也就是说，当薄片的厚度比5μm还薄时，通过烧结便可以得到充分高的在高频下的导磁率，因而减小了复合磁体的必要性。另一方面，当薄片的厚度超过100μm时，其制约条件是在电器设备壳体内部的狭窄空间内，难以收纳具有磁性层10的电磁波吸收薄片。

在这些扁平粉堆积工序、轧制工序中，筛子等保持容器位于距基板表面3mm或以上的上方，从所述保持容器中使磁性粉末11自由落下，从而使磁性粉末11在面内取向，之后进行轧制，藉此便能够改善轧制后的取向度。

此外，以轧制为例说明轧制工序，但是，该工序并不限于轧制。对扁平状软磁性金属粉P1，只要施加能够产生塑性变形这种程度的压力，则也可以使用压力加工等其它加压成形的方法，但从加压的角度考虑，轧制是最为优选的。

然后，对该磁性薄片，也可以根据需要施以冲裁加工(冲裁加工工序)。

接着移至热处理工序。在热处理工序中，将磁性薄片装入热处理炉中施以热处理，以缓和扁平状软磁性金属粉P1在塑性变形后的残余应力。为了避免扁平状软磁性金属粉P1的明显氧化，其热处理气氛优选设定为Ar等不活泼气体的气氛和氮或氢的气氛。

另外，热处理温度(稳定温度)的优选范围是500～800℃，更优选的范围是500～620℃，进一步优选的范围是520～590℃。当热处理温度低于500℃时，残余应力的缓和效果较小；另一方面，当热处理温度超过800℃时，则在扁平状软磁性金属粉表面形成的绝缘膜的绝缘功能受到损害。通过将热处理温度设定为500～620℃、进而设定为520～590℃的范围，于10MHz、100MHz的频带下，能够获得较高的导磁率。

热处理时间(稳定时间)优选设定为40min或以上，进一步优选设定为60min或以上。从提高生产效率的角度考虑，优选在尽可能的范围内缩短热处理时间。因此，热处理时间以设定为60min左右为宜。

另外，到达热处理温度的平均升温速度优选设定为18℃/min或以下，更优选设定为15℃/min或以下，进一步优选设定为10℃/min或以下。也就是说，通过尽可能缓慢地进行升温，则在10MHz、100MHz的频带下能够获得较高的导磁率。但是，在这种情况下，从提高生产效率的角度考虑，优选在尽可能的范围内提高平均升温速度。

热处理后的降温时间优选的是，使从上述热处理温度开始的平均降温速度为3℃/min或以下，更优选的是将其设定为2℃/min或以下。由此，至打开热处理炉取出磁性薄片时，到达预定温度(例如60℃左右)的降温时间能够设定为约160min或以上(3℃/min时)、以及约240min或以上(4℃/min时)。这样，通过尽量缓慢地进行降温，于10MHz、100MHz的频带下，能够获得较高的导磁率。另一方面，从提高生产效率的角度考虑，优选在尽可能的范围内提高降温速度。

经过以上的工序，可以获得本实施方案的厚度为5～100μm的薄片状磁性层10。

接着移向绝缘层形成工序。该工序在磁性层10的两面形成有绝缘层20。

在此，通过将事先形成为预定厚度的薄片状的绝缘薄片贴附在磁性层10上，便可以将其作成绝缘层20。此时，形成绝缘层20的绝缘薄片可以用上述的材料来形成。

为了将用于形成绝缘层20的绝缘薄片贴附在磁性层10上，简单地使用粘合剂将其涂敷在薄片状的磁性层10的表面、或者用于形成绝缘层20的绝缘薄片上即可。作为粘合剂，优选的是具有绝缘性和耐热性的环氧系和有机硅系。再者，正如所谓的层状薄膜那样，也可以在用于形成绝缘层20的绝缘薄片的表面事先形成粘合剂层，然后将其压接在薄片状的磁性层10上。在这种情况下，将薄片状磁性层10压接在绝缘层20上时，也可以采用通过加热使绝缘层20的粘合剂层熔融的所谓的热压接方式。

除此以外，为了形成绝缘层20，将上述材料直接涂敷于磁性层10的表面并使其固化也是可能的。也就是说，借助于绝缘材料的涂覆形成绝缘层20。

作为此时使用的涂层剂，优选的是有机硅树脂系、硅橡胶系、环氧系、环氧与有机硅的复合系、缩丁醛系、丙烯酸系、乙基纤维素系、聚丙烯系、苯乙烯-丁二烯系、聚丁烯系等树脂。另外，也可以使用上述的偶联剂以及粘合剂。

在用于形成磁性层10的磁性薄片表面形成作为绝缘层20的树脂层时，能够适宜采用的方法包括：使用于形成磁性层10的磁性薄片含浸树脂，或者在用于形成磁性层10的磁性薄片上以喷涂的方式喷涂树脂等。当使用于形成磁性层10的磁性薄片含浸树脂时，可以将树脂用甲苯、二甲苯、乙醇、丙酮等溶液稀释，这样对树脂溶液进行调整后，将用于形成磁性层10的磁性薄片在该树脂溶液中含浸3～20min左右。

通过在磁性层10的两面依次形成这样的绝缘层20，便可以得到图1所示的电磁波吸收薄片1。

正如以上所说明的那样，使用离心风力式的筛选装置50，能够将经过粉碎工序而被粉碎扁平化的处理粉P0筛选为扁平状软磁性金属粉P1和未扁平粉P2，因此，去除未扁平粉P2，使用扁平状软磁性金属粉P1形成电磁波吸收薄片1，由此便能够使其特性得以提高。

另外，被筛选的未扁平粉P2可以作为粉碎工序的原料粉进行再利用。由此，在再度粉碎工序中使再利用的未扁平粉P2得以粉碎和扁平化，便能够提高从当初投入的原料粉中得到的扁平状软磁性金属粉P1的比例即成品率。因此，能够有效地利用原料，在平抑成本、降低废弃物量等方面是比较优良的。

本发明的实施方案的形成软磁性层10的磁性薄片可以使软磁性金属相12即扁平状软磁性金属粉的填充系数设定为75％或以上。这样，便能够获得良好的磁特性。

另外，观察本发明得到的形成软磁性层10的磁性薄片的断面可以确认：厚度为0.1～1.0μm的扁平状软磁性金属粉发生了塑性变形，同时扁平状软磁性金属粉呈层状层叠。另外，各个扁平状软磁性金属粉成为用氧化物或氮化物绝缘的构造。也就是已经确认：本实施方案的形成软磁性层10的磁性薄片为绝缘相13介于层状的软磁性金属相12之间的构造。另外，本实施方案的形成软磁性层10的磁性薄片是能够同时实现小的退磁磁场(Demagnetizing field)和小的涡流的构造。

实施例1

在这里，按上述的工序制作了磁性薄片(电磁波吸收薄片1)、并确认了其特性，从而表示出了其结果。

正如图3的工序图所说明的那样，作为软磁性金属粉，将采用水雾化生产的、平均粒径约为30μm的2Mo坡莫合金粉(80Ni-2Mo-余量Fe(mol％))在将甲苯用作溶剂的介质搅拌研磨机中，搅拌研磨35分钟使之粉碎扁平化，从而得到处理粉。

使得到的处理粉干燥后，用扫描电子显微镜(SEM)观察粉末，其观察照片如图6所示。

正如该图6所示的那样，在处理粉中混合存在着扁平状的粉与大致照原样保持原料粉的形状(球状)的粉(称之为未扁平粉)。

接着作为形成绝缘相13的绝缘材料，使用全氢化聚硅氨烷(クラリアントジャパン公司制造，聚硅氨烷NL110A-20)对处理粉进行绝缘膜合成处理。此时，将全氢化聚硅氨烷相对于扁平状Mo坡莫合金粉的添加量设定为4.5重量％。然后，使用混合机并于室温下，将扁平状Mo坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷混合大约60min。此后，在大气于300℃下保持60min，使全氢化聚硅氨烷转化为SiO₂，于是便在扁平状Mo坡莫合金粉的表面形成了绝缘膜。

其次，使用位于不锈钢基板上方10～20mm的筛子(网孔：125μm)，对进行过绝缘处理的上述扁平状粉进行筛分，同时使其大致均等地堆积在不锈钢基板上。然后使该不锈钢基板通过辊径为50mm的二辊冷轧机进行轧制，从而使各扁平状粉沿平行于上述基板的方向取向，于是便形成为厚度约50μm的薄片状。

接着将该薄片在氮气中进行热处理，借以缓和使金属粉扁平化时因粉碎产生的变形、以及轧制时的应变。

就这样得到的磁性薄片进行了导磁率的测定。

其结果如图7所示，在100MHz下，其μ’(μ’为复数导磁率的实数部分)为80或以下(在图7中表示为“处理粉(混存粉)”。

其次，与上述同样，使用构成与图4所示的筛选装置50同样的离心式风力分级机(日清工程株式会社制造，TC-25N)，对扁平化得到的处理粉进行筛选处理。此时，转子的转数设定为1200rpm，送入容器内的气体的流量设定为7m³/min，使转子旋转60～180分钟。其中，处理时间随处理粉投入量的变化而变化。

转子停止后，对于通过内周侧排出流道回收的粉体(以下称“内周粉”)、以及通过外周侧排出流道回收的粉体(以下称“外周粉”)分别进行SEM观察。

图8表示其观察照片。

从观察照片中可以确认：如图8(a)所示，内周粉几乎都是由呈扁平状的粉体构成；如图8(b)所示，外周粉几乎都是由基本上照原样保持原料粉的形状(球状)的粉体构成。由此可以确认：通过使用构成如图4所示的筛选装置50，能够筛选为扁平状软磁性金属粉(内周粉)和未扁平粉(外周粉)。

另外，检测了内周粉与外周粉之比(重量比)，比值大约为7∶3。

进而通过筛分分级机，就内周粉测定了其每一种纵横尺寸比下的含量。其结果如图9所示。

如该图9所示，可以确认内周粉中，纵横尺寸比为160～1250的粉体占93％或以上，并且几乎不含纵横尺寸比低于160的未扁平粉。

接着仅使用上述的外周粉，与上述同样，经过绝缘膜合成处理、堆积处理、轧制处理、以及热处理，制作出了磁性薄片。

对该磁性薄片进行了导磁率的测定。

其结果如图7所示，在100MHz下，μ’为50左右，已经证实未扁平粉导致了导磁率的降低(在图7中表示为“外周粉(未扁平粉)”)。

另外，只使用上述的内周粉，与上述同样，经过绝缘膜合成处理、堆积处理、轧制处理、以及热处理，制作出了磁性薄片。

对该磁性薄片进行了导磁率的测定。

其结果如图7所示，在100MHz下，μ’显示为100或以上，在实用上具有充分的特性。由此可以确认，去除未扁平粉而制作大量含有扁平状软磁性金属粉的磁性薄片，藉此使其特性得以提高(在图7中表示为“内周粉(扁平状软磁性金属粉)”)。

再者，关于外周粉(未扁平粉)，将其作为再生材，再次经过与上述同样的工序使之粉碎和扁平化后，使用风力分级机在上述同样的条件下进行筛选处理。

筛选处理后的内周粉和外周粉的重量比约为7∶3。

然后，使用筛选处理后回收的内周粉，与上述一样制作出磁性薄片，并就其特性进行了确认，结果在100MHz下，μ’显示为100或以上，在实用上具有充分的特性，确认能够作为再生材加以充分利用。

由此可以确认：当初投入的原料的90wt％或以上能够作为扁平状软磁性金属粉加以利用，能够制作出磁性薄片。

实施例2

作为软磁性金属粉，将采用水雾化生产的、平均粒径约为30μm的2Mo坡莫合金粉(80Ni-2Mo-余量Fe(mol％))在将甲苯用作溶剂的介质搅拌研磨机中使之粉碎扁平化，从而得到平均粒径(D50)约为110μm、厚度为0.2～0.6μm、纵横尺寸比为50～600的扁平状软磁性金属粉(以下适宜地称之为“扁平状粉”)。

然后，作为形成绝缘相13的绝缘材料，使用全氢化聚硅氨烷(クラリアントジャパン公司制造，聚硅氨烷NL110A-20)对干燥的扁平粉进行绝缘膜合成处理。此时，将全氢化聚硅氨烷相对于扁平状Mo坡莫合金粉的添加量设定为4.5重量％。然后，使用混合机并于室温下，将扁平状Mo坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷混合大约60min。此后，在大气于300℃下保持60min，使全氢化聚硅氨烷转化为SiO₂，于是便在扁平状Mo坡莫合金粉的表面形成了绝缘膜。

其次，使用位于不锈钢基板上方10～20mm的筛子(网孔：125μm)，对进行过绝缘处理的上述扁平状粉进行筛分，同时使其大致均等地堆积在不锈钢基板上。然后使该不锈钢基板通过辊径为50mm的二辊冷轧机进行轧制，从而使各扁平状粉沿平行于上述基板的方向取向，于是便形成为厚度约50μm的薄片状。

接着将该薄片在氮气中于图10～图13所示的条件下进行热处理，借以缓和使金属粉扁平化时因粉碎产生的变形、以及轧制时的应变。

对于这样得到的磁性薄片，分别测定了10MHz、100MHz下的导磁率，其结果如图10～图13所示。

如图10所示的结果可以确认：通过将热处理温度设定为550～600℃，使10MHz频率下的导磁率μ达200或以上；进而通过将热处理温度设定为550～570℃的范围内，使10MHz频率下的导磁率μ达200或以上、100MHz频率下的导磁率μ也达100或以上。

另外，如图11所示的结果可以确认：通过将热处理时间设定为45min或以上，10MHz频率下的导磁率μ达200或以上；进而通过将热处理时间设定为60min或以上，10MHz频率下的导磁率μ达200或以上，100MHz频率下的导磁率μ也达100或以上。

如图12所示的结果可以确认：通过将达到热处理温度为止的平均升温速度设定为15℃/min或以下，100MHz频率下的导磁率μ达100或以上；进而通过将其设定为10℃/min或以下，10MHz频率下的导磁率μ达200或以上，100MHz频率下的导磁率μ也达100或以上。

如图13所示的结果可以确认：通过将热处理后的平均降温速度设定为2℃/min或以下，10MHz频率下的导磁率μ达200或以上，100MHz频率下的导磁率μ也达100或以上。

实施例3

接着与实施例2一样制作扁平状粉，经绝缘处理后，进行轧制和热处理，从而得到磁性薄片。此时，在轧制工序中，使成形密度在4.5～6.3g/cm³的范围内变化。

此外，关于热处理条件，设定热处理温度为550℃、580℃2种温度，热处理时间为60min，平均升温速度为5℃/min，到60℃为止的降温速度为480min。

对于这样制作的各磁性薄片，分别测定了10MHz和100MHz下的导磁率，其结果如图14所示。

如图14所示的结果可以确认：通过将轧制工序的成形密度设定为5.2g/cm³或以上，10MHz频率下的导磁率μ达200或以上，100MHz频率下的导磁率μ也达100或以上。

实施例4

作为软磁性金属粉，将采用水雾化生产的、平均粒径约为30μm的2Mo坡莫合金粉(80Ni-2Mo-余量Fe(mol％))在将甲苯用作溶剂的介质搅拌研磨机中使之粉碎扁平化。通过改变粉碎时间，便得到图15所示的5种(长轴直径)的扁平状软磁性金属粉(以下适宜地称之为“扁平状粉”)。此外，图15表示各粒径范围的扁平状软磁性金属粉的重量比(wt％)。

将得到的各扁平状软磁性金属粉于560℃进行60分钟的热处理后，测定顽磁力(Hc，以下简称Hc)，其结果如图16所示。

对粉碎和扁平化的扁平状粉进行干燥，然后使用全氢化聚硅氨烷(クラリアントジャパン公司制造，聚硅氨烷NL110A-20)作为形成绝缘相13的绝缘材料，对扁平粉进行绝缘膜合成处理。此时，将全氢化聚硅氨烷相对于扁平状Mo坡莫合金粉的添加量设定为4.5重量％。然后，使用混合机并于室温下，将扁平状Mo坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷混合大约60min。此后，在大气于300℃下保持60min，使全氢化聚硅氨烷转化为SiO₂，于是便在扁平状Mo坡莫合金粉的表面形成了绝缘膜。

其次，使进行过绝缘处理的上述扁平状粉以大致均匀的厚度堆积在不锈钢基板上。然后使该不锈钢基板通过辊径为50mm的二辊冷轧机进行轧制，从而使各扁平状粉沿平行于上述基板的方向取向，于是便形成为厚度约50μm的薄片状。

接着在氮气中于560℃进行60分钟的热处理，借以缓和轧制时的应变。

对于这样得到的薄片，分别测定了10MHz、100MHz下的复数导磁率的实数部分(μ’，以下简称μ’)，其结果如图16所示。另外，将粒径在45～125μm范围的扁平状粉的重量比(wt％)与μ’之间的关系曲线如图图17以及图18所示。

然后，为了补强薄片并追加绝缘性，使薄片在室温固化型硅树脂的二甲苯溶液(20％)中含浸20分钟，然后使其干燥，便得到形成电磁波吸收薄片1的薄片状物品。

如图16～图18所示的结果可知，长轴直径为45～125μm范围的扁平状粉的比例提高时，μ’随之提高。μ’较高的扁平状粉，其Hc较低；反之，μ’较高的扁平状粉，其Hc较高而μ’退化。于是，本发明将粒径在45～125μm范围的扁平状粉的比例设定为40％或以上。长轴直径为45～125μm范围的扁平状粉的优选比例为50wt％或以上，进一步优选的比例为70wt％或以上。

各扁平状粉的Hc之所以有这样的差异，可以解释为是由于粉碎引起的内部应变的不同所致。也就是说，如上所述，各扁平状粉的粉碎时间是不同的。在本实施例中，以消除应变为目的而进行热处理，但仅仅进行该项热处理还不能充分消除内部的应变，因此粉碎时间越长，Hc就越大。图19(a)和图19(b)是分别表示图15的No.1和No.5的扁平状粉的外观的显微镜照片。与No.1的扁平状粉相比，No.5的扁平状粉在各粒子的周围出现破碎或者裂边的不同形状。这可以解释为：图15的No.1已经进行适宜的扁平化，与此相对照，No.5在适宜地扁平化后，各扁平状粉被进一步粉碎，因此出现以上的不同形状。

长轴直径在0～32μm、32～38μm、以及38～45μm范围的扁平状粉的重量比与μ’之间的关系如图20和图21所示。伴随着各粒度的扁平状粉的比例的减小，μ’提高。在μ’最高的No.1(图15、图16)的情况下，长轴直径在0～32μm的扁平状粉为30wt％或以下、长轴直径在32～45μm的扁平状粉为25wt％或以下的值。

Claims (19)

1.一种电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于，具有下列工序：对原料粉进行粉碎和扁平化处理而得到处理粉的工序；将所述处理粉筛选为具有预定值或以上的纵横尺寸比的软磁性金属粉(a)和低于预定值的纵横尺寸比的软磁性金属粉(b)的工序；在所述软磁性金属粉(a)的表面形成绝缘膜的工序；将形成有所述绝缘膜的所述软磁性金属粉(a)堆积起来，通过施加压力使所述软磁性金属粉(a)彼此之间接合在一起而生成薄片状生成物的工序；以及将所述薄片状生成物进行热处理的工序。

2.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：筛选所述处理粉的工序是将所述处理粉投入到在容器内旋转的气流中来进行。

3.根据权利要求2所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：在筛选所述处理粉的工序中，从所述容器内的内周部回收所述软磁性金属粉(a)，从所述容器内的外周部回收所述软磁性金属粉(b)。

4.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：将所述软磁性金属粉(b)作为获得所述处理粉的工序中使用的所述原料粉加以再利用。

5.根据权利要求1所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：所述热处理工序是将所述薄片状生成物装入热处理炉，以15℃/min或以下的平均升温速度使所述热处理炉升温，且在400～800℃的热处理温度下进行热处理。

6.根据权利要求5所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：在进行所述热处理的工序中，将升温到所述热处理温度的平均升温速度设定为10℃/min或以下。

7.根据权利要求5所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：在进行所述热处理的工序中，将所述热处理温度设定为520～590℃。

8.根据权利要求5所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：在进行所述热处理的工序中，将所述热处理温度维持60min或以上。

9.根据权利要求5所述的电磁波吸收薄片的制造方法，其特征在于：在进行所述热处理的工序中，将所述热处理温度维持预定时间后，以3℃/min或以下的平均降温速度使所述热处理炉降温。

10.一种粉体的筛选方法，其特征在于：将形状互不相同的第1粉体和第2粉体的混合物投入到在容器内旋转的气流中，从所述容器内的内周部回收所述第1粉体，从所述容器内的外周部回收所述第2粉体，藉此筛选出所述第1粉体和所述第2粉体。

11.根据权利要求10所述的粉体的筛选方法，其特征在于：利用在所述气流中作用于所述第1粉体和所述第2粉体的离心力和阻力之差，对所述第1粉体和所述第2粉体进行筛选。

12.根据权利要求10所述的粉体的筛选方法，其特征在于：所述第1粉体比所述第2粉体具有更大的纵横尺寸比。

13.根据权利要求10所述的粉体的筛选方法，其特征在于：所述混合物是软磁性金属粉，其在电磁波吸收薄片中成为具有电磁波吸收性能的磁性层的原料。

14.一种电磁波吸收薄片，其特征在于：表面具有绝缘膜的扁平状软磁性金属粉包括：通过在其厚度方向层叠为层状而形成的磁性层，以及由绝缘材料形成的绝缘层；所述扁平状软磁性金属粉含有93wt％或以上的纵横尺寸比为160～1250的粉体。

15.根据权利要求14所述的电磁波吸收薄片，其特征在于：所述扁平状软磁性金属粉的40wt％或以上具有45～125μm的粒径。

16.根据权利要求15所述的电磁波吸收薄片，其特征在于：具有32μm或以下的粒径的所述扁平状软磁性金属粉为30wt％或以下。

17.根据权利要求15所述的电磁波吸收薄片，其特征在于：具有32～45μm的粒径的所述扁平状软磁性金属粉为25wt％或以下。

18.根据权利要求15所述的电磁波吸收薄片，其特征在于：所述扁平状软磁性金属粉的厚度为0.1～1.0μm。

19.根据权利要求15所述的电磁波吸收薄片，其特征在于：所述扁平状软磁性金属粉的顽磁力Hc为6.5Oe或以下。

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