CN1760977A

CN1760977A - 磁头和具有该磁头的磁盘存储器

Info

Publication number: CN1760977A
Application number: CNA2005100924829A
Authority: CN
Inventors: 望月正文; 福井宏; 丸山洋治; 冈田智弘
Original assignee: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV
Priority date: 2004-10-15
Filing date: 2005-08-23
Publication date: 2006-04-19
Anticipated expiration: 2025-08-23
Also published as: US7542244B2; JP2006114159A; US20060082930A1; JP4390677B2; CN100377214C; EP1647974A2; EP1647974A3

Abstract

提供一种即使在施加杂散磁场时也不会删除记录介质上的数据的磁头(磁盘存储器)。磁头具有满足d1≤t1和d2≤t2的结构，其中，d1表示辅助磁极和上屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，d2表示上屏蔽和下屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，t1表示辅助磁极或上屏蔽中在横磁道宽度上较大的那一个的膜厚，而t2表示上屏蔽或下屏蔽中在横磁道宽度上较大的那一个的膜厚。

Description

磁头和具有该磁头的磁盘存储器

技术领域

本发明涉及垂直记录磁头和含有所述磁头的磁盘存储器。

背景技术

在磁盘存储器中，磁头读取或写入记录介质上的数据。为了增加磁盘的每单元面积的记录容量，需要更高的面密度。然而，当前的纵向记录方法具有这样的问题：当写入位长度减少时，由于介质磁化中的热起伏，变得难以增加面密度。这个问题的解决办法是垂直记录方法，其中，在垂直于介质表面的方向上记录磁化信号。

垂直记录方法有两种类型：一种类型使用具有软底层的双层垂直介质，而另一种类型使用不具有软底层的单层垂直介质。当双层垂直介质用作记录介质时，能够通过使用“单磁极磁头”向介质施加更强的磁场，其中，所述“单磁极磁头”具有用于记录的主磁极和辅助磁极。

图8显示了垂直记录磁头14和磁盘11之间的关系，并示意性地图解说明了垂直记录是如何发生的。传统的磁头由下读取屏蔽8、读取元件7、上读取屏蔽9、辅助磁极3、薄膜线圈2和主磁极1组成，它们按提到的顺序在磁头移动方向上(从引导边)层叠。下读取屏蔽8、读取元件7和上读取屏蔽9组成读取磁头24，同时辅助磁极3、薄膜线圈2和主磁极1组成写入磁头(单磁极磁头)25。考虑到磁头可以具有斜交角，主磁极的空气承载表面是梯形的，其引导边宽度小于其尾随边宽度。来自写入磁头25的主磁极1的磁场经过磁盘11的记录层19和软底层20，并进入辅助磁极3以形成磁路，以便在记录层19上记录磁化模式。在记录层19和软底层20之间可以有中间层。读取磁头24的读取元件7可以是巨磁阻元件(GMR)或隧道磁阻元件(TMR)。

【专利文献1】JP-A No.45008/2003

发明内容

由于如图8所示的结构在读取元件和主磁极之间具有辅助磁极和薄膜线圈，所以写入一读取元件距离大而格式效率低。已提议如图9所示的结构以避免这个问题，其中，辅助磁极3位于主磁极1的尾随边上。这种结构减少了写入一读取元件距离。写入磁头的磁场强度和确定写入位的磁性转换的磁场梯度对于达到高记录密度都是重要的因素。为了达到更高的记录密度，必须增加写入磁场梯度。增加写入磁场梯度的方法是实现这样的结构，其中，磁性层32位于主磁极1的尾随边上。甚至在这种结构中，辅助磁极3也可以位于主磁极1的尾随边上，如图9所示，以便形成闭合磁通路径。

图4是显示磁头结构的例子的平面图。在图4中显示的磁头中，辅助磁极3、下读取屏蔽(下文中简称为下屏蔽)8和上读取屏蔽(下文中简称为上屏蔽)9在横磁道(cross-track)宽度上是不同的。未特别关注辅助磁极3、下屏蔽8和上屏蔽9的边缘之间在横磁道方向上的位置差异d。该差异被认为取决于制造过程。

本发明涉及垂直记录系统，其使用具有主磁极和辅助磁极的垂直记录磁头和具有底层的双层垂直记录介质。在这种具有底层的垂直记录系统中，会出现这样的现象：由于杂散(外部)磁场的影响，删除了介质上写入的数据。图5是显示当通过线圈向硬盘驱动器(HDD)施加3.98×10³A/m的杂散磁场时磁盘上的数据删除的位置的曲线图。向磁盘表面平行地施加杂散磁场。水平轴中的“0”表示磁道中心。数据删除的位置彼此离开30μm，其对应于本试验中使用的辅助磁极和读出器屏蔽(上屏蔽和下屏蔽)的宽度。

图6显示了当向介质表面平行地施加杂散磁场时面对辅助磁极的磁性记录层的中心的磁场(通过三维磁场计算方法计算)。由此可知，在辅助磁极的边缘磁场很大。在本试验中使用的磁头中，辅助磁极、上屏蔽和下屏蔽在空气承载表面上的横磁道宽度上是不同的，如图4所示。辅助磁极3和上屏蔽9的边缘之间在横磁道方向上的差异d，大于在横磁道宽度上较大的上屏蔽9的膜厚t。在这种计算方法中，主磁极1的记录磁道宽度为150nm，而主磁极的膜厚为200nm。用于主磁极1的材料假设为CoNiFe。辅助磁极3假设由具有1.0T的饱和磁通密度的材料制成。其在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm长和2μm的膜厚。上屏蔽9和下屏蔽8假设由具有1.0T的饱和磁通密度的80at％Ni-20at％Fe的材料制成。它们在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm和1.5μm的膜厚。用于磁性记录介质的底层20的材料假设为CoTaZr，且从磁头空气承载表面到底层20的表面的距离为40nm，而底层20的膜厚为300nm。

从上述可以认为，在辅助磁极和读出器屏蔽的边缘，杂散磁场造成了数据删除。当向介质表面平行地施加杂散磁场时，必须考虑到底层吸收的磁通量可能流入辅助磁极和读出器屏蔽中。这个问题必须解决，以便实现使用垂直记录方法的HDD。

因此，本发明具有这样的目的：提供一种磁头，其中，即使当向HDD的介质表面平行地施加杂散磁场时，也不会发生数据删除，并从而提供一种高密度磁盘存储器。

根据本发明，磁头包含：写入磁头，其具有主磁极和辅助磁极；以及读取磁头，其具有下读出器屏蔽、上读出器屏蔽和位于下读出器屏蔽和上读出器屏蔽之间的读取元件，其中，满足b＞＝a，其中，a表示辅助磁极的横磁道长度，b表示上读出器屏蔽的横磁道宽度，而c表示下读出器屏蔽的横磁道长度。进而，彼此相互堆迭的多个软磁层的两个相邻的磁性层的边缘之间的位置差异小于这两个磁性层中在横磁道宽度上较大的那一层的膜厚。

根据本发明，磁头结构具有这样的功能：削弱磁通量在辅助磁极、下屏蔽和上屏蔽的边缘的集中，并减少来自辅助磁极、下屏蔽和上屏蔽的边缘的泄漏磁场，以及减少向磁性记录层施加的磁场。这里，“磁头空气承载表面”是指面对介质的磁性层的表面，其中，磁性层是除了例如碳的非磁性材料的保护膜之外的磁头的成分。

根据本发明，当向HDD施加杂散磁场时，具体地，当向HDD的介质平行地施加杂散磁场时，能够减少来自辅助磁极、下屏蔽和上屏蔽的泄漏磁场，并且能够提供不会在磁性记录层中造成写入位降级和删除的写入磁头以及含有所述磁头的HDD。

附图说明

图1是示意性地显示根据本发明的实施例的当从介质来看时磁头的平面图；

图2是示意性地显示根据本发明的磁头的截面图；

图3显示了来自磁头的磁场在横磁道方向上的分布；

图4显示了磁头的结构；

图5显示了横磁道位移和输出减少之间的关系；

图6显示了施加给传统磁头的杂散磁场从上屏蔽生成的磁场；

图7示意性地显示了磁盘存储器；

图8示意性地显示了在用于垂直记录的传统磁头中垂直记录是如何进行的；

图9显示了用于垂直记录的另一个磁头的结构；

图10是示意性地显示根据本发明的另一个磁头的平面图；

图11显示了磁性层的边缘之间的差异和当向根据本发明的磁头施加杂散磁场时的磁场强度之间的关系；

图12示意性地显示了根据本发明的最大磁场强度点的变化结果；

图13示意性地显示了根据本发明的磁头的另一个例子；

图14示意性地显示了根据本发明的磁头的另一个例子；

图15示意性地显示了根据本发明的磁头的另一个例子；

图16显示了制造根据本发明的磁头的过程

图17显示了制造根据本发明的磁头的过程。

具体实施方式

下面，将参考附图来说明本发明的优选实施例。为了便于理解，用同样的参考数字指示具有同样功能的元件。

图7是显示根据本发明的磁盘存储器的示意图。在这个磁盘存储器中，固定到悬架臂12的尖端的浮动块13上安装的磁头在由电机28旋转的磁盘(磁性记录介质)11上的给定位置处写入并读取磁化信号。驱动旋转致动器15以在磁盘径向上选择磁头位置(磁道)。信号处理电路35a和35b处理向磁头写入的信号和从其读取的信号。

图1是示意性地显示根据本发明的实施例的磁头中的磁头空气承载表面的平面图。图2示意性地显示了图1中显示的磁头的截面。

这个磁头是写入/读取复合磁头，其具有包含主磁极1和辅助磁极3的写入磁头以及包含读取元件7的读取磁头。通过支柱17在远离空气承载表面的位置磁连接主磁极1和辅助磁极3，并且薄膜线圈2和由主磁极1、辅助磁极3和支柱17组成的磁路互连。读取元件7，其为巨磁阻元件(GMR)或隧道磁阻元件(TMR)，位于一对磁屏蔽(读出器屏蔽)：下屏蔽8(引导边)和上屏蔽9(尾随边)之间。主磁极1位于辅助磁极3的尾随边上。在磁头空气承载表面上，布置成分以便满足d1≤t1和d2≤t2的关系，其中，d1表示辅助磁极3和上屏蔽9的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，d2表示上屏蔽9和下屏蔽8的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，t1表示辅助磁极3或上屏蔽9中无论哪一个磁性层在横磁道宽度上较大的那一个磁性层的膜厚，而t2表示上屏蔽9或下屏蔽8中无论哪一个磁性层在横磁道宽度上较大的那一个磁性层的膜厚。同样，磁盘存储器具有记录介质11，其由板上的底层20和位于其上的记录层19组成。在图1中显示的例子中，上屏蔽9在横磁道宽度上比辅助磁极3和下屏蔽8长，因此t1和t2都对应于上屏蔽9的膜厚。

如图4所示，在磁性层的边缘之间的位置差异很大的传统磁头结构中，当向HDD施加杂散磁场时，存在这样的问题：磁场可能从辅助磁极3、下屏蔽8和上屏蔽9泄漏，并可能删除磁性记录层19上的数据。这个问题是使用由板上的底层和位于其上的记录层组成的记录介质的双层垂直记录系统所特有的。本发明的目的是减少从辅助磁极3、下屏蔽8和上屏蔽9的边缘生成的磁场。当使用如图1和2所示的结构时，从辅助磁极3泄漏的磁场减少，其防止了删除磁性记录层19上写入的数据。

对于图4中显示的传统磁头，通过三维磁场计算方法来计算从辅助磁极、上屏蔽和下屏蔽的边缘向磁性记录层19施加的磁场。在这个计算方法中，主磁极1的记录磁道宽度为150nm，且主磁极的膜厚为200nm。用于主磁极1的材料假设为CoNiFe。辅助磁极3假设由具有1.0T的饱和磁通密度的材料制成。其在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm长，以及2μm的膜厚。上屏蔽9和下屏蔽8假设由具有1.0T的饱和磁通密度的80at％Ni-20at％Fe的材料制成。它们在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm长，以及1.5μm的膜厚。用于磁性记录介质的底层20的材料假设为CoTaZr，且从磁头空气承载表面到底层20的表面的距离为40nm，而底层20的膜厚为300nm。如图4所示的长度d为3μm。施加的杂散磁场为3.98×10³A/m。根据三维磁场计算方法，对于如图4所示的传统磁头，在上屏蔽(最宽的)的边缘向磁性记录层19施加的磁场的最大强度为4.06×10⁵A/m。如果向记录层位置施加如此大的磁场，则可能发生写入位的降级或删除。

类似地，对于如图1所示的本发明中的磁头，通过三维磁场计算方法来计算从辅助磁极、上屏蔽和下屏蔽的边缘向磁性记录层19施加的磁场。除了辅助磁极3的横磁道长度a、上屏蔽的横磁道长度b和下屏蔽的横磁道长度c均为30μm以及d1＝d2＝0之外，在和上述同样的条件下进行计算。在辅助磁极的边缘向磁性记录层19施加的磁场的最大强度为3.08×10⁵A/m。

图3显示了横磁道方向上的磁场轮廓。水平轴的原点是磁道中心。曲线图显示，在根据本发明的结构中磁场减少。实际上，当通过稍后说明的制造方法来制造并使用根据本发明的磁头时，减少了记录层上的数据的删除。这是因为磁性层在宽度上几乎相等，并且没有发生磁通量在较宽的磁性层上的集中。

图10显示了根据本发明的磁头的另一个例子。其为显示当从磁头的尾随边来看时辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8的平面图。本发明所定义的宽度是磁头空气承载表面上的宽度，并且如图10所示的在元件高度方向上的磁性层水平差或倾斜是可接受的。对于从磁头空气承载表面凹进的辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8的点，希望沿横磁道方向上的边缘(用虚线包围)处于在横磁道方向上从磁头空气承载表面(用实线指出)相隔同样距离的相同平面上。

如果辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8在元件高度方向上很长并且向磁盘垂直施加杂散磁场，则来自辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8的泄漏磁场会增加。因此，希望它们在元件高度方向上的长度小于它们的横磁道长度。原因如下：如果辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8在元件高度方向上很长，则退磁因子很小。另一方面，当它们的横磁道长度大于它们在元件高度方向上的长度时，退磁因子较大。因为这个原因，根据本发明的磁头被应用到这样的结构。在本发明的实施例中，当横磁道宽度(横磁道方向上的长度)为30μm时，元件高度方向上的长度为16μm。

为了获得本发明的效果，通过消除或减少辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8之中的宽度差异来防止磁通量集中是很重要的。图11是显示作为横磁道方向上的两个相邻磁性层的边缘之间的位置差异的dw，和来自在横磁道方向上突出的磁性层的边缘的泄漏磁场的最大强度之间的关系的曲线图。磁性层宽度为30μm，而厚度为1μm。磁性层假设由具有1.0T的饱和磁通密度和1500的相对导磁率的80at％Ni-20at％Fe的材料制成。

从图11可知，通过减少横磁道方向上的边缘之间的位置差异，能够减少来自磁性层边缘的泄漏磁场。具体地，希望dw小于膜厚t。在显示的例子中，使其在1μm(膜厚t)以下是有效的。这是因为在横磁道方向上边缘突出部分长大于宽的结果。已发现当dw≤t时，磁场强度的增加减少到当dw＝0时的磁场强度的大约10％。

为了解决数据删除的问题，希望考虑到写入电流造成的泄漏磁场的影响。某些写入电流集中在靠近线圈的辅助磁极边缘上。当辅助磁极3、上屏蔽和下屏蔽在宽度上相等时，写入电流造成的泄漏磁场最大的点和杂散磁场造成的泄漏磁场最大的点是一致的，因而磁场强度增加。因此，已发现希望将上屏蔽的宽度做得比辅助磁极3的宽度略大，以便写入电流造成的泄漏磁场最大的点不和杂散磁场造成的泄漏磁场最大的点一致。当磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小于在横磁道长度上较大的磁性层的膜厚时，写入电流造成的泄漏磁场和杂散磁场造成的泄漏磁场之和，小于当磁性层在宽度上相等的时候，这样一来就抑制了数据删除。

在图12中显示了三维磁场计算的结果。在这种计算中，主磁极1的记录磁道宽度为150nm，而其膜厚为200nm。用于主磁极的材料假设为CoNiFe。辅助磁极3假设由具有1.0T的饱和磁通密度的材料制成。其在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm长，以及2μm的膜厚。上屏蔽9和下屏蔽8假设由具有1.0T的饱和磁通密度的80at％Ni-20at％Fe的材料制成。它们在横磁道宽度上为30μm，在元件高度方向上为16μm长，以及1.5μm的膜厚。用于磁性记录介质的底层20的材料假设为CoTaZr，且从磁头空气承载表面到底层20的表面的距离为40nm，而底层20的膜厚为300nm。施加的外部磁场为500e。

图12(a)显示了一个例子，其中，辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8都具有30μm的宽度，且它们的边缘成一直线。当磁性层边缘之间在横磁道方向上不存在位置差异时，在辅助磁极3的边缘，杂散磁场造成的磁场的最大强度为3.08×10⁵A/m，同时在辅助磁极3的边缘，写入电流造成的磁场的最大强度为9.04×10⁴A/m。总和为4.02×10⁵A/m。

图12(b)显示了计算的结果，其中，辅助磁极3的宽度为30μm，上屏蔽9的宽度为32μm，而下屏蔽8的宽度为30μm，且上屏蔽的膜厚tb为1.5μm，而d1(辅助磁极3和上屏蔽9的边缘之间在横磁道方向上的位置差异)和d2(下屏蔽8和上屏蔽9的边缘之间在横磁道方向上的位置差异)均为1μm。

当辅助磁极3和上屏蔽9的边缘在横磁道方向上的位置差异d1小于上屏蔽(横磁道长度上的较大者)的膜厚tb，并且上屏蔽9和下屏蔽8的边缘在横磁道方向上的位置差异d2小于上屏蔽(横磁道长度上的较大者)的膜厚tb时，在上屏蔽的边缘，杂散磁场造成的磁场的最大强度为3.18×10⁵A/m，其大于当在边缘之间不存在位置差异的时候。在辅助磁极3的边缘，写入电流造成的磁场的最大强度为9.19×10⁴A/m。杂散磁场和写入电流造成的磁场之和为3.82×10⁵A/m，其小于图12(a)的情况。因此，根据本发明，更希望都满足b＞a和b＞c的关系，其中，a表示辅助磁极的横磁道长度，b表示上屏蔽的横磁道长度，而c表示下屏蔽的横磁道长度。

图12(c)显示了下屏蔽的横磁道长度最大的计算的结果。在以下条件下进行计算：辅助磁极的宽度为30μm，上屏蔽的宽度为31μm，而下屏蔽的宽度为32μm，并且d1＜tb，而d2小于下屏蔽的膜厚tc。即使在这种条件下，杂散磁场和写入电流造成的磁场之和为3.85×10⁵A/m，其小于图12(a)的情况。因此，当c＞b时，在下屏蔽的边缘，杂散磁场造成的磁通量集中还是允许的，而且从图11中显示的结果，希望边缘之间在横磁道方向上的位置差异不要多于1μm。

进而，根据本发明，考虑到向磁盘垂直地施加杂散磁场的情形，希望辅助磁极3、上屏蔽9和下屏蔽8在高度上相等，如图2所示。同样希望主磁极在高度上相等。这种布置防止在单磁性层上的磁通量集中。希望满足绝对值|l-m|≤tl或|l-m|≤tm和|m-n|≤tm，其中，1、m和n分别表示辅助磁极、上屏蔽和下屏蔽在元件高度方向上的长度，而tl、tm和tn分别表示辅助磁极、上屏蔽和下屏蔽的膜厚。

另外，根据本发明，为了减少由写入电流造成的来自辅助磁极的磁场，即使当增加空气承载表面上的辅助磁极的膜厚时，也希望减少附加的磁性层3’的宽度差异。图13(a)是根据本发明的磁头的截面图，其中，增加了空气承载表面上的辅助磁极的膜厚；图13(b)是空气承载表面的平面图。因为如上所述同样的原因，希望作为辅助磁极3的一部分的磁性层3’的边缘和辅助磁极3自己的边缘之间的位置差异d3的绝对值，小于辅助磁极3的膜厚。

希望本发明的原理类似地应用到磁头中使用的如磁性层32那样的其他磁性层以增加磁场梯度。图14(a)是根据本发明的另一个磁头的截面图，而图14(b)是空气承载表面的平面图。用于增加磁场梯度的磁性层(尾随边屏蔽)32位于主磁极1的尾随边。磁性层32连接到辅助磁极。为了防止磁通量集中在磁性层的边缘，希望磁性层32和辅助磁极3的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小，优选地小于辅助磁极的膜厚或1μm。希望图中如虚线所指示的另一个磁性层的连接的位移(在横磁道方向上)不多于1μm。

图15示意性地显示了根据本发明的具有位于辅助磁极3的引导边上的主磁极的磁头。图15(a)是截面图，而图15(b)是空气承载表面的平面图。再一次在这种结构中，希望用于增加磁场梯度的磁性层32和辅助磁极3的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小，优选地小于辅助磁极的膜厚或1μm。为了增加磁场梯度，45at％Ni-55at％Fe、80at％Ni-20at％Fe等等用作用于磁性层32的材料。

下面来说明根据本发明的制造磁头的方法。传统地，当为了获取读取磁头的磁道宽度的较高准确性而采取了用于下屏蔽的平面化步骤时，不再采取用于上屏蔽的平面化步骤。

图16显示了根据本发明的上屏蔽制造方法的例子。图16(a)显示了形成用于上屏蔽9的磁性膜。此时的用于上屏蔽的磁性层的膜厚应当比完成的厚度更厚，因为其在后续步骤中会减少。额外的厚度应当为0.5-1μm。图16(b)显示了形成用于上屏蔽的无机绝缘层。无机绝缘层可以是Al₂O₃、SiO₂、Ta₂O₅、TiO₂等等的单一层或这些材料的两种或多种的复合。图16(c)显示了作为平面化无机绝缘层和用于上屏蔽的磁性层的结果的完成的上屏蔽。作为平面化技术，可以使用化学机械抛光(CMP)。当用这种方法平面化上屏蔽时，在其上形成的辅助磁极的精确性能够很高，并且辅助磁极和上屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异能够很小(在tl之下)。因为采取了如上所述的平面化步骤，上屏蔽和下屏蔽的边缘之间的位置差异能够足够小(在tl之下)。在这之后，形成无机绝缘层，然后形成辅助磁极3，并形成线圈，如图16(d)所示。然后，形成主磁极1，如图16(e)所示，由此就获得了根据本发明的磁头。

图17显示了制造上屏蔽和辅助磁极的方法的另一个例子。图17(a)显示了形成下屏蔽8、读取元件7和读出间隙层。图17(b)显示了在形成用于电镀的底层(未显示)之后形成用于电镀的抗蚀构架。图17(c)显示了在电镀了用于上屏蔽9的磁性层之后，电镀非磁性层，然后电镀用于辅助磁极3的磁性层。上屏蔽可以由45at％Ni-55at％Fe、80at％Ni-20at％Fe等等制成；非磁性层可以由NiP、NiPd、Pd、Ru、Au、Cu等等制成。辅助磁极可以由45at％Ni-55at％Fe、80at％Ni-20at％Fe等等制成。图17(d)显示了去除用于电镀的抗蚀构架和底层，并形成上屏蔽、非磁性层和辅助磁极。根据这种方法，由于同时制造上屏蔽9和辅助磁极3，所以缩短了过程，而且能够最小化由于模板未对准和模板宽度变化造成的上屏蔽9的边缘和辅助磁极3的边缘之间在空气承载表面上的位移并使得其明显地在tl之下。然后，在形成线圈等等之后形成主磁极1，如图17(e)所示，由此就获得了根据本发明的磁头。

Claims

1.一种磁头，包括：

写入磁头，其具有主磁极和辅助磁极；以及

读取磁头，其具有下读出器屏蔽、上读出器屏蔽和位于所述下读出器屏蔽和所述上读出器屏蔽之间的读取元件，其特征在于：

满足b＞a，其中，在空气承载表面上，a表示所述辅助磁极的横磁道宽度，b表示所述上读出器屏蔽的横磁道宽度，而c表示所述下读出器屏蔽的横磁道宽度。

2.如权利要求1所述的磁头，其中满足b＞c。

3.如权利要求1所述的磁头，其中满足b＜c。

4.如权利要求1所述的磁头，其中，对于组成所述辅助磁极的磁性层、组成所述下读出器屏蔽的磁性层和组成所述上读出器屏蔽的磁性层，在其中两个相邻磁性层的边缘之间的位置差异小于这两个磁性层中在横磁道宽度上较大的那一个磁性层的膜厚。

5.如权利要求1所述的磁头，其中满足d1≤t1和d2≤t2，其中，d1表示空气承载表面上的所述辅助磁极和上读出器屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，d2表示空气承载表面上的所述上读出器屏蔽和下读出器屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，t1表示所述辅助磁极或上读出器屏蔽中无论哪一个磁性层在横磁道宽度上较大的那一个磁性层的膜厚，而t2表示所述上读出器屏蔽或下读出器屏蔽中在横磁道宽度上较大的那一个的膜厚。

6.如权利要求5所述的磁头，其中d1和d2不大于1μm。

7.如权利要求4所述的磁头，其中，提供在空气承载表面上和所述辅助磁极磁连接的磁性层，并且空气承载表面上的所述辅助磁极和所述磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异d3小于所述辅助磁极或所述磁性层中在横磁道宽度上较大的那一个的膜厚。

8.如权利要求1所述的磁头，其中，在横磁道方向上在主磁极的尾随边上提供由磁性层组成的尾随边屏蔽，而且空气承载表面上的所述辅助磁极和所述磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小于所述辅助磁极或所述磁性层中在横磁道长度上较大的那一个的膜厚。

9.如权利要求1所述的磁头，其中满足|1-m|≤t5和|m-n|≤t6，其中，1、m和n分别表示所述辅助磁极、所述上读出器屏蔽和所述下读出器屏蔽在元件高度方向上的长度，并且t5表示所述辅助磁极或所述上读出器屏蔽中在元件高度方向上较长的那一个的膜厚，而t6表示所述上读出器屏蔽或所述下读出器屏蔽中在元件高度方向上较长的那一个的膜厚。

10.一种具有相互堆迭的多个软磁性层的用于垂直记录的磁头，其特征在于：

空气承载表面上的两个相邻磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小于这两个磁性层中在横磁道长度上较大的那一个磁性层的膜厚。

11.如权利要求10所述的磁头，其中所述位置差异不大于1μm。

12.如权利要求10所述的磁头，其中，两个相邻磁性层之间在元件高度方向上的高度差异小于这两个磁性层中在横磁道宽度上较大的那一个磁性层的膜厚。

13.一种磁头，包括：

写入磁头，其具有主磁极和辅助磁极；以及

满足d1≤t1和d2≤t2，其中，d1表示空气承载表面上的所述辅助磁极和上读出器屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，d2表示空气承载表面上的所述上读出器屏蔽和下读出器屏蔽的边缘之间在横磁道方向上的位置差异，t1表示所述辅助磁极或上读出器屏蔽中在横磁道长度上较大的那一个的膜厚，而t2表示所述上读出器屏蔽或下读出器屏蔽中在横磁道宽度上较大的那一个的膜厚。

14.如权利要求13所述的磁头，其中d1和d2不大于1μm。

15.如权利要求13所述的磁头，其中，提供在空气承载表面上和所述辅助磁极磁连接的磁性层，并且空气承载表面上的所述辅助磁极和所述磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异d3小于所述辅助磁极的膜厚。

16.如权利要求13所述的磁头，其中，在横磁道方向上在主磁极的尾随边上提供由磁性层组成的尾随边屏蔽，而且空气承载表面上的所述辅助磁极和所述磁性层的边缘之间在横磁道方向上的位置差异小于所述辅助磁极的膜厚。

17.如权利要求13所述的磁头，其中满足|1-m|≤t5和|m-n|≤t6，其中，l、m和n分别表示所述辅助磁极、所述上读出器屏蔽和所述下读出器屏蔽在元件高度方向上的长度，并且t5表示所述辅助磁极或所述上读出器屏蔽中在元件高度方向上较长的那一个的膜厚，而t6表示所述上读出器屏蔽或所述下读出器屏蔽中在元件高度方向上较长的那一个的膜厚。

18.一种磁盘存储器，包括：

磁性记录介质，其具有磁性记录层和软底层；

介质驱动器，其驱动所述磁性记录介质；

磁头，其向所述磁性记录介质写入和从所述磁性记录介质读取；以及

磁头驱动器，其相对于所述磁性记录介质驱动所述磁头，其特征在于：

所述磁头是如权利要求1、10或13所述的磁头。

19.一种制造磁头的方法，其中所述磁头包含：写入磁头，其具有主磁极和辅助磁极；以及读取磁头，其具有下读出器屏蔽、上读出器屏蔽和位于所述下读出器屏蔽和所述上读出器屏蔽之间的读取元件，

所述方法包括：

制造用于所述上读出器屏蔽的磁性层；

在所述磁性层的侧面以及其上制造无机绝缘层；以及

平面化所述磁性层和所述无机绝缘层。

20.如权利要求19所述的磁头制造方法，其中通过化学机械抛光来执行所述平面化步骤。

21.一种制造磁头的方法，其中所述磁头包含：写入磁头，其具有主磁极和辅助磁极；以及读取磁头，其具有下读出器屏蔽、上读出器屏蔽和位于所述下读出器屏蔽和所述上读出器屏蔽之间的读取元件，

所述方法包括：

在下读出器屏蔽上制造间隙层，并使得在它们之间具有读取元件；

制造用于电镀的抗蚀构架；

电镀用于上读出器屏蔽的磁性层；

电镀非磁性层；

电镀用于辅助磁极的磁性层；以及

去除抗蚀构架。