CN100351906C - 垂直磁记录介质 - Google Patents
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Abstract
提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。
Description
技术领域
本发明涉及一种垂直磁记录介质，更具体地，涉及用于提高信噪比(SNR)的垂直磁记录介质。
背景技术
硬盘驱动器(HDDs)是典型的磁信息存储介质并且带来了记录密度的快速提高，该驱动器目前采用纵向磁记录方法，包括环形磁头和纵向磁记录介质。然而，传统的纵向磁记录方法因为记录介质的热不稳定性在提高记录密度上遇到了限制，而新的磁记录方法，垂直磁记录方法，目前正在被积极地发展。
现在的纵向磁记录类型HDD产品的记录密度大约为90-100Gb/in2。希望垂直磁记录类型HDD的记录密度能够高于200Gb/in2而达到500Gb/in2。
垂直磁记录方法通过将记录在介质上的单位二进制数字的磁方向安排在垂直方向来提高记录密度。当应用该垂直磁记录方法时，尽管二进制数字的大小降低，而数据的稳定性提高。
垂直磁记录方法使用双磁层结构的垂直磁记录介质。换句话说，为了执行垂直磁记录将软下层加入到垂直磁记录介质中记录层的下面。
参照图1，传统的垂直磁记录介质10包括基底11，通过写磁头将磁数据记录到其上的垂直磁记录层17，以及垂直取向下层15，该垂直取向下层在沉积垂直磁记录层17之前被形成以便提高垂直磁记录层17的晶体排列和磁性。此外，为了根据磁记录模式增强磁极类型的写磁头产生的磁场的强度和空间变化率，垂直磁记录介质10包括在垂直取向下层15下面形成的软下层(underlayer)13。通过在基底11上顺序地堆积软下层13，垂直取向下层15，垂直磁记录层17和保护层19而形成传统的垂直磁记录介质10。
这里，可以认为垂直取向下层15是一个中间层。
在双磁层结构的垂直磁记录介质10中，软下层13是用于执行高密度记录的重要部分。
图2说明了使用传统的垂直磁记录介质10的垂直磁记录系统的截面图。用于在垂直磁记录介质10上写信息和从垂直磁记录介质10上读信息的磁头30包括具有写磁极33和返回磁极35的写磁头31，用于在记录层17上写磁信息，以及读磁头37，换句话说，用于读取记录在记录层17上的磁信息的磁阻头。垂直磁记录介质10的磁头的结构是公知的，因此将省略对它的进一步详细描述。
当在记录层17下面形成软下层13时，在软下层13中形成与写磁头31的磁极结构相对应的虚像磁头。因此，与不存在软下层13的情况相比获得了强大和明显的记录磁场。通过形成软下层13，磁场强度提高到大约两倍并且磁场梯度提高了三到四倍。
由于软下层13的使用，即使在形成具有高各向异性磁场和矫顽力材料的记录层17时也可以执行记录操作。因此，记录密度被大大地提高。
如上所述，软下层13是用于实现垂直磁记录方法的优点的不可避免的部分。
然而，软下层13由磁性材料形成，例如，铁磁性物质。因此，由读磁头37检测的磁场从软下层13的表面泄漏，因此磁场作为噪声源并降低信噪比。
此外，当软下层13中存在不稳定畴壁时，该畴壁与记录在记录层17上的位转移区域相互作用，导致作为记录层17产生的噪声之一的传输噪声的增强。
发明内容
本发明提供了一种用于通过改变软下层的组成来获得信噪比(SNR)提高的垂直磁记录介质。
根据本发明的一个方面，提供了一种包括基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质，其中的软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，和至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。
该软下层可以包括第一软下层和距离垂直磁记录层比第一软下层近而且饱和磁化强度比第一软下层大的第二软下层。
该软下层可以包括第一软下层和距离垂直磁记录层比第一软下层近而且饱和磁化强度比第一软下层大的第二软下层。
第二软下层的厚度可以比第一软下层的厚度小。
第二软下层的厚度可以大于等于1nm而小于等于50nm。
软下层整体的厚度可以小于等于200nm，并且距离垂直磁记录层较近的第二软下层的厚度可以小于等于50nm。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质，其中的软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，并且软下层的整体厚度小于等于200nm，而且距离垂直磁记录层较近的软下层的厚度小于等于50nm。
至少一个软下层在径向上可以具有易磁化轴。
该软下层可以由铁磁性物质，或非铁磁性物质与铁磁性物质的化合物形成。
该软下层可以包括从NiFe基合金，Fe基合金，以及Co基合金形成的组中选择的至少任意一个。
该软下层可以包括从NiFe，NiFeNb，NiFeCr，以及它们的三元或四元合金，FeAISi，FeTaC，FeTaN，以及它们的四元合金，和CoFe，CoZrNb，CoZrTa，以及它们的三元或四元合金形成的组中选择的任意一个。
垂直磁记录介质可以进一步包括软下层与垂直磁记录层之间的垂直取向下层(perpendicular alignment underlayer)以便提高垂直磁记录层的晶体取向。
附图说明
通过结合附图对它们的典型实施例的详细描述，本发明上述以及其他的特征和优点将变得更加明显，其中：
图1说明了传统垂直磁记录介质的结构的截面图；
图2说明了使用垂直磁记录介质的垂直磁记录系统的截面图；
图3说明了根据本发明的第一实施例垂直磁记录介质的结构的截面图；
图4说明了图3的垂直磁记录介质软下层的易磁化轴的平面图；
图5说明了在模拟中使用的软下层和垂直磁记录层的透视图；
图6A说明了由小饱和磁化强度600emu/cm3的单一层形成的软下层的第一个例子的截面图；
图6B说明了软下层的第二个例子的截面图，该软下层由饱和磁化强度为1000emu/cm3的第一软下层和饱和磁化强度为600emu/cm3的第二软下层形成，换句话说，距离垂直磁记录层较近的第二软下层的饱和磁化强度比第一软下层的饱和磁化强度小；
图6C说明了由大饱和磁化强度1000emu/cm3的单一层形成的软下层的第三个例子的截面图；
图6D说明了由饱和磁化强度为600emu/cm3的第一软下层和饱和磁化强度为1000emu/cm3的第二软下层形成的软下层的第四个例子的截面图，换句话说，距离垂直磁记录层较近的第二软下层的饱和磁化强度比第一软下层的饱和磁化强度大；
图7说明了通过微磁性模拟预测的图6A到6D的第一到第四个例子的信噪比(SNR)的图表；
图8A到8D分别说明了在图6A到6D的第一到第四个例子中只有垂直磁记录层(RL)，只有最上面的下层(Top SUL)，有第一和第二软下层(SUL(sum))，以及有垂直磁记录层和第一第二软下层(Total)的信噪比变化的图表。
具体实施方式
现在将参照附图更加全面地描述本发明，其中示出了本发明的典型实施例。
图3说明了根据本发明的第一实施例垂直磁记录介质50的结构的截面图。
参照图3，垂直磁记录介质50包括在基底51上形成的垂直磁记录层57，以及在基底51和垂直磁记录层57之间形成的软下层53。此外，根据本发明的第一实施例，垂直磁记录介质50可以进一步包括软下层53与垂直磁记录层57之间的垂直取向下层55。可以在垂直磁记录层57上形成用于从外面保护垂直磁记录层57的保护层59。此外，可以在保护层59上进一步形成用于减小图2的磁头30磨损的润滑层(未示出)以及通过与图2的磁头30连接而产生的保护层59。
通过安排单位二进制数字的磁化方向将信息记录到垂直磁记录层57上，该单位二进制数字通过图2的磁头30的写磁头的操作被记录在垂直方向上。这里，垂直磁记录层57是由具有优良垂直磁性异向的Co基和/或Fe基合金铁磁性物质形成的，例如，CoCrPtX(X＝Nb，B，Ta，SiOx，O)或顺序L10类型FePt合金。
形成垂直取向下层55，换句话说，中间层，用于提高垂直磁记录层57的晶体排列和磁性。垂直取向下层55用软下层53提供磁性隔离。形成的垂直取向下层55尽可能的薄。
软下层53包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，例如，第一和第二软下层53a和53b。
如图4中所示，至少形成第一和第二软下层53a和53b之一，以便在径向上具有易磁化轴A。此外，可以形成距离垂直磁记录层57比第一软下层53a近的第二软下层53b，具有比第一软下层53a小的厚度。包括第一和第二软下层53a和53b的软下层53可以由铁磁性物质形成。另一方面，软下层53可以由反铁磁性物质与铁磁性物质的组合物形成。换句话说，第一和第二软下层53a和53b可以由反铁磁性物质上的铁磁性物质形成，诸如FeMn，IrMn，或PtMn。
当在径向上产生磁场的状态下形成第一和第二软下层53a和53b时，获得在径向上具有易磁化轴的第一和第二软下层53a和53b。由于垂直磁记录介质53被制造成圆形并用在HDD中，在图4中以圆形示出垂直磁记录介质50的软下层53。这里，径向表示磁盘形状的垂直磁记录介质50的中心轴方向或外径方向。
当形成第一和第二软下层53a和53b，用以在具有足够各向异性磁场Hk的径向上定位易磁化轴A时，在第一和第二软下层53a和53b中缺少畴壁，因此不会发生畴壁的传输噪声问题。
软下层53的厚度小于等于200nm，而距离垂直磁记录层57较近的软下层的厚度，换句话说，第二软下层53b的厚度小于等于50nm。第二软下层53b的厚度大于等于1nm而小于等于50nm，例如，大于等于10nm而小于等于50nm，而且必须比第一软下层53a的厚度小。
软下层53可以包括从NiFe基合金，Fe基合金，以及Co基合金形成的组中所选择的至少任意一个。更具体地，软下层53可以包括从NiFe，NiFeNb，NiFeCr，以及它们的三元或四元合金，FeAlSi，FeTaC，FeTaN，以及它们的四元合金，CoFe，CoZrNb，CoZrTa，以及它们的三元或四元合金形成的组中所选择的任意一个。
另一方面，第二软下层53b可以具有比第一软下层53a大的饱和磁化强度(saturation magnetization)。
如下面的例子中将要描述的，当第二软下层53b的饱和磁化强度比第一软下层53a的大时，信噪比(SNR)被提高。因此，根据本发明的垂直磁记录介质50可以包括饱和磁化强度比第一软下层53a大的第二软下层53b。
即使当第二软下层53b的饱和磁化强度比第一软下层53a的小时，信噪比也优于图1中单一软下层13的传统垂直磁记录介质的情况。因此，根据本发明的垂直磁记录介质50可以包括饱和磁化强度比第一软下层53a小的第二软下层53b。
根据本发明的具有多个不同饱和磁化强度的软下层53a和53b的垂直磁记录介质50可以获得比传统垂直磁记录介质高的信噪比。
图5说明了用于模拟的软下层153和垂直磁记录层157的透视图。该模拟被执行用以检测软下层153对信噪比的影响。这里，忽略垂直取向下层的存在。
在该模拟中，垂直磁记录层157由厚度为10nm的CoCrPtX材料形成，而形成的软下层153的厚度为90nm，以便具有600和/或1000emu/cm3的饱和磁化强度Ms。此外，在垂直磁记录层157上形成宽度为100nm而长度为30nm的位组合模式B。当位的长度为30nm时，位的线性记录密度为800kfci(每英寸千磁通翻转，kilo flux reversal per inch)。
垂直磁记录层157的形成条件是饱和磁化强度Ms为550emu/cm3，轴的磁各向异性Ku为3.5×106emu/cm3，交换耦合A*为0erg/cm，Δθ为10°，α为0.05。
这里，交换耦合A*是表示垂直磁记录层157中颗粒之间相互作用的常数，并且交换耦合值越小越好。
Δθ表示颗粒排列方向的倾斜数量，并且Δθ的值越小越好。
α表示磁阻尼常数。当应用磁场时，通过旋进执行旋转加快或旋转减慢。由于α的值被减小，以高速执行旋转加快或旋转减慢。
软下层153的形成条件是饱和磁化强度Ms为600和/或1000emu/cm3，Hk为10Oe，Hex为0，图5中Y-轴的易磁化轴，并且α为0.05。
这里，Y-轴作为与径向相应的易磁化轴操作。在这种情况下，X-轴与轨道方向相应。如上所述，当形成软下层153，而在径向上应用磁场时，在径向上形成易磁化轴。
Hk表示为了在难磁化轴中排列旋转从外部应用的磁场。由于Hk的值增加，从易磁化轴到难磁化轴排列旋转要求更大的磁场。
Hex表示交换磁场，而0Hex的意思是不使用非铁磁性物质形成软下层153。可以通过在非铁磁性物质上安排铁磁性物质来形成软下层153。在这种情况下，非铁磁性物质导致铁磁性物质在预定方向上旋转。
用图6A到6D中所示的四种情况来执行该模拟。
参照图6A的第一个例子，由小饱和磁化强度Ms为600emu/cm3的单一层形成软下层253。
参照图6B的第二个例子，由饱和磁化强度Ms为1000emu/cm3的第一软下层353a和饱和磁化强度Ms为600emu/cm3的第二软下层353b形成软下层353。换句话说，距离垂直磁记录层157较近的第二软下层353b的饱和磁化强度比第一软下层353a的饱和磁化强度小。
参照图6C的第三个例子，由大饱和磁化强度Ms为1000emu/cm3的单一层形成软下层453。
参照图6D的第四个例子，由饱和磁化强度Ms为600emu/cm3的第一软下层553a和饱和磁化强度Ms为1000emu/cm3的第二软下层553b形成软下层553。换句话说，距离垂直磁记录层157较近的第二软下层553b的饱和磁化强度比第一软下层553a的饱和磁化强度大。
图7说明了图6A到6D的第一到第四个例子的信噪比的图表。在图7的图表中，示出了只有垂直磁记录层的信噪比，以及垂直磁记录层和软下层两者的信噪比。
图8A到8D分别说明了图6A到6D的第一到第四个例子中只有垂直磁记录层RL，有第一和第二软下层(SUL(sum))，以及垂直磁记录层与第一和第二软下层两者全有(Total)的信噪比变化的图表。图8A到8D中的X-轴与图5中的X-轴相同，它表示记录磁信息的轨道方向。图8A到8D中的Y-轴表示根据位产生的信号，通过将读磁头移动到图5的X-轴来记录它。更具体地，读磁头具有固定的位置，而记录介质是旋转的。
如图7以及图8A到8D的图表中所示，第一到第四个例子中的垂直磁记录层的信噪比是相同的。然而，第一到第四个例子中的垂直磁记录层和软下层的信噪比不同。
当形成的软下层为单一层时，与只有垂直磁记录层的信噪比相比，信噪比可能恶化，如第一和第三个例子的情况。然而，当形成的软下层为具有不同饱和磁化强度的双层时，与只有垂直磁记录层的信噪比相比，信噪比被提高，如第二和第三个例子的情况。更具体地，如第四个例子的情况，当与垂直磁记录层较近的第二软下层的饱和磁化强度比第一软下层的饱和磁化强度大时，信噪比被显著地提高。
因此，由于根据本发明的垂直磁记录层包括由不同饱和磁化强度的第一和第二软下层形成的软下层，信噪比被提高。
此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被显著地提高。
虽然参照典型的实施例详细地表示和描述了本发明，本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明所附权利要求定义的精神和范围的情况下，形式和细节可以作出不同的变化。
Claims (15)
1.一种垂直磁记录介质，包括：
基底上的垂直磁记录层；以及
在基底和垂直磁记录层之间形成的软下层，其中
软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个所述软下层在径向上具有易磁化轴。
2.如权利要求1的垂直磁记录介质，其中软下层包括：
第一软下层；以及
距离垂直磁记录层比第一软下层近，而且饱和磁化强度比第一软下层大的第二软下层。
3.如权利要求2的垂直磁记录介质，其中第二软下层的厚度比第一软下层的厚度小。
4.如权利要求1的垂直磁记录介质，其中软下层包括：
第一软下层；以及
距离垂直磁记录层比第一软下层近，而且饱和磁化强度比第一软下层小的第二软下层。
5.如权利要求4的垂直磁记录介质，其中第二软下层的厚度比第一软下层的厚度小。
6.如权利要求3或5的垂直磁记录介质，其中第二软下层的厚度大于等于1nm而小于等于50nm。
7.如权利要求3或5的垂直磁记录介质，其中软下层的整体厚度小于等于200nm，而距离垂直磁记录层较近的第二软下层的厚度小于等于50nm。
8.一种垂直磁记录介质，包括：
基底上的垂直磁记录层；以及
在基底和垂直磁记录层之间形成的软下层，其中
软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，并且软下层的整体厚度小于等于200nm，而且距离垂直磁记录层较近的软下层的厚度小于等于50nm。
9.如权利要求8的垂直磁记录介质，其中至少一个软下层在径向上具有易磁化轴。
10.如权利要求1到5，8和9的任意一项的垂直磁记录介质，其中软下层由铁磁性物质，或反铁磁性物质与铁磁性物质的组合物形成。
11.如权利要求10的垂直磁记录介质，其中软下层包括从NiFe基合金，Fe基合金，以及Co基合金形成的组中所选择的任意一个。
12.如权利要求11的垂直磁记录介质，其中的软下层包括从NiFe，NiFeNb，NiFeCr，以及它们的三元或四元合金，FeAlSi，FeTaC，FeTaN，以及它们的四元合金，和CoFe，CoZrNb，CoZrTa，以及它们的三元或四元合金形成的组中所选择的任意一个。
13.如权利要求1到5，8和9的任意一项的垂直磁记录介质，其中垂直磁记录层包括由Co基和/或Fe基合金形成的铁磁性物质。
14.如权利要求13的垂直磁记录介质，其中的Co基和/或Fe基合金包括CoCrPtX类型的合金，以及顺序L10类型FePt合金，其中X＝Nb，B，Ta，SiOx，O。
15.如权利要求1到5，8和9的任意一项的垂直磁记录介质，进一步包括软下层和垂直磁记录层之间的垂直取向下层，用以提高垂直磁记录层的晶体取向。
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| US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
| JP2008016102A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| JP4761224B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2011-08-31 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体 |
| US20090011283A1 (en) * | 2007-03-01 | 2009-01-08 | Seagate Technology Llc | Hcp soft underlayer |
| JP2009026353A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体 |
| US8597723B1 (en) * | 2008-03-14 | 2013-12-03 | WD Media, LLC | Perpendicular magnetic recording medium with single domain exchange-coupled soft magnetic underlayer and device incorporating same |
| JP2011248969A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | 垂直磁気ディスク |
| US8658292B1 (en) * | 2011-06-10 | 2014-02-25 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for controlling damping of magnetic media for assisted magnetic recording |
| JP6120261B2 (ja) * | 2012-10-11 | 2017-04-26 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法および磁気記録再生装置 |
| US9034492B1 (en) | 2013-01-11 | 2015-05-19 | WD Media, LLC | Systems and methods for controlling damping of magnetic media for heat assisted magnetic recording |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020025452A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-28 | Chung-Hee Chang | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by magnetron field |
| US20020048693A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-04-25 | Kiwamu Tanahashi | Perpendicular magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US20020058159A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Yukiko Kubota | Soft magnetic underlayer (SUL) for perpendicular recording medium |
| US20030108776A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-12 | Seagate Technology Llc | Pseudo-laminated soft underlayers for perpendicular magnetic recording media |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792564A (en) * | 1993-03-10 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular recording medium and magnetic recording apparatus |
| US5830590A (en) * | 1996-06-28 | 1998-11-03 | Ampex Corporation | Magnetic storage and reproducing system with a low permeability keeper and a self-biased magnetoresistive reproduce head |
| US6403203B2 (en) * | 1997-05-29 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same |
| US6248416B1 (en) * | 1997-11-10 | 2001-06-19 | Carnegie Mellon University | Highly oriented magnetic thin films, recording media, transducers, devices made therefrom and methods of making |
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|---|---|---|---|---|
| US20020025452A1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-02-28 | Chung-Hee Chang | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by magnetron field |
| US20020048693A1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-04-25 | Kiwamu Tanahashi | Perpendicular magnetic recording media and magnetic storage apparatus using the same |
| US20020058159A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-16 | Yukiko Kubota | Soft magnetic underlayer (SUL) for perpendicular recording medium |
| US20030108776A1 (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-12 | Seagate Technology Llc | Pseudo-laminated soft underlayers for perpendicular magnetic recording media |
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