CN1755527A - 曝光掩模的对位方法，以及薄膜元件基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种既能保持同一曝光掩模中对准标记之间的最小容许间距，又能缩小对象体的对准标记所需要的区域，还能再利用对象体的同一掩模的曝光掩模的对位方法，及薄膜元件基板的制造方法。本发明提供使用形成对准标记的多个全息照相掩模，对成为形成对准标记的曝光对象体进行图案曝光时，使用两个对准标记，使全息照相掩模与对象体的对位，进行多次，使曝光掩模对位的方法，将对象体上为图案曝光的一个区域和与该区域曝光用掩模进行对位用标识连接的直线，将与对象体上一区域邻接的为图案曝光的其他区域，和与该其他区域曝光用掩模进行对位用标识连接的直线，以交叉方式设置各个对准标记进行对位的方法。

Description

曝光掩模的对位方法，以及薄膜元件基板的制造方法
技术领域
本发明是关于使用全息照相等曝光技术的精细加工，更详细讲，是关于使曝光掩模与成为曝光对象的对象体进行对位的方法，以及使用该方法的薄膜元件基板的制造方法。
背景技术
近年来，在半导体装置的图案形成工序中，TIR(Total InternalReflection：全内部反射)型全息照相曝光技术广受观注，该曝光技术使用全息照相曝光装置，采用：由对全息照相掩模记录所要求图案的记录工序、和对该全息照相掩模照相再生光，对半导体图案用的光致抗蚀剂层进行感光的曝光工序构成的方法。
在记录工序中，首先，向与半导体装置的图案相对应的掩模图案(原十字线)照射激光的记录光束后产生衍射光，射到全息照相掩模的记录面上。另一方面，对于全息照相掩模的记录面，以一定的角度从全息照相掩模的背侧照射参照光，与来自原十字线的衍射光干涉。由此，在全息照相掩模的记录面上产生干涉图案，并将它记录在全息照相记录面上。
在曝光工序中，将全息照相掩模置于和原十字线(reticule)同等的位置上，由与记录时相反的方向照射再生光的曝光光束，使再现原图案的衍射光在光致抗蚀剂上成像，并对光致抗蚀剂进行曝光。通常，在该曝光工序中，通过使全息照相掩模与在成为曝光对象体的基板侧上形成的对准标记和全息照相层侧上形成的对准标记相对合(重合)，而使基板和全息照相掩模对位。
以往，使用多个全息照相掩模形成图案时，在与该多个全息照相掩模上分别形成的各对准标记相对应的位置上，使用形成各个对准标记的基板，进行全息照相掩模和基板的对位(参照非特许文献1)。
因此，在基板侧上需要多个与全息照相掩模相对应的对准标记，使用的全息照相掩模数越多，基板侧的对准标记数也越多，所以存在的问题是为形成对准标记，基板上需要宽阔的面积。
在这种全息照相曝光装置用的全息照相掩模中编入的对准标记，虽然与器件区域分别制作，但是，对制作装置的精度上，器件区域及其他全息照相掩模(其他层)用的对准标记，需要设置5mm的间距(参照图11和图12)来制作。
在此，图11(a)和(b)分别是表示制作全息照相用掩模的原Cr制掩模(原十字线)的第1层掩模和第2层掩模的简要平面图。如图11(a)所示，第1层掩模1设有位于中央部分的第1层器件区域D1、和位于四角处的第1层对准标记A1。如图11(b)所示，第2层掩模2设有位于中央部分第2层器件区域D2、和位于四角处的第2层对准标记A2。A1和A2的标识模样不同。
图12(a)和(b)是表示全息照相用掩模(第2层掩模)中的器件区域记录时和对准标记记录时，各自的工序的简要构成图。如图12(a)所示，在器件区域记录时，用遮光板将原Cr掩模2的4个对准标记A2为封闭状态，通过经由器件区域D2的目标光束和经由棱镜的参照光束，在全息照相掩模上进行记录。另一方面，如图12(b)所示，在对准标记记录时，用遮光板将器件区域D2为封闭形态，通过经由原Cr掩模2的4个对准标记A2的目标光束，在全息照相掩模上进行记录。其中，制成的全息照相用掩模中，在对准标记和器件区域之间分别设置5mm的间距而制作。另外，尽管未图示，对于在同一掩模上设置该对准标记和其他层用对准标记时，在两个对准标记之间分别设置5mm的间距而制作。
另外，对合曝光时，上层的对准标记与下层的对准标记重叠而形成图案，所以以后曝光时不再使用基准。
[非专利文献1]SID 03 Digest，p-40，pp.350-353。
发明内容
本发明所要解决的问题是上述现有技术中存在的问题。
为此，本发明的目的是提供一种既保持在同一曝光掩模中的对准标记间的最小允许间距，又能缩小对象体的对准标记所需要的区域，而且，又能再利用对象体的对准标记的，曝光掩模的对位方法，以及利用该方法的薄膜元件基板的制造方法。
本发明通过提供下述1中所示的曝光掩模的对位方法，即可达到上述目的。
1.一种曝光掩模的对位方法，其中，使用形成了对准标记的多个全息照相掩模，对成为形成了对准标记的曝光对象的对象体进行图案曝光时，使用两者的对准标记，进行多次上述全息照相掩模与上述对象体之间的对位，其特征在于：
将上述对象体上的用于图案曝光的一个区域，和与该一个区域的曝光用的全息照相掩模进行对位用的对准标记连接的直线，将上述对象体上的与上述一个区域邻接的用于图案曝光的其他区域，和对于与该其他区域曝光用的全息照相掩模进行对位用的对准标记连接的直线，交叉地设置上述各个对准标记，进行对位。
根据本发明，既能在同一曝光掩模中对准标记之间保持最小容许间距，又能缩小对象体的对准标记所需要的区域。而且在对合曝光时，将上层的对准标记重叠在下层的对准标记上，进行形成图案，成为以后曝光时可使用的基准。即，对象体上的对准标记可再利用。因此，将一个区域或其他区域与对准标记连接成直线，只要将这些区域上的任意一点和对准标记上的任意一点连接成直线就可以，但最好是将形成一个区域或其他区域的图形中心(重心)与形成对准标记的图形中心连成直线。
本发明还分别提供下述2.～5.中所示的发明。
2.上述1所述的曝光掩模的对位方法，其中上述一个区域之曝光中用的全息照相掩模，由至少对上述其他区域可遮光的形状而成。
根据这样的方法，可更有效地缩小对象体的对准标记所需要的区域。
3.一种薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用已形成对准标记的多个全息照相掩模，进行图案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括：
使用上述1或2所述的曝光掩模的对位方法，进行对位的第1工序；和
通过从上述全息照相掩模上照射曝光光束，对上述对象体进行曝光形成图案的第2工序。
根据这种方法，由于能扩展在形成半导体装置等器件中所用的薄膜元件基板的电路图案时可利用的区域，所以可提供更高密度集成化的器件。
4.一种薄膜元件基板的制造方法，其中利用了使用已形成对准标记的多个全息照相掩模进行图案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括：
在上述全息照相掩模上记录含有对准标记的所要图案的第1工序；
使用上述1或2所述的曝光掩模的对位方法，进行对位的第2工序；和
通过从上述全息照相掩模上照射曝光光束，对上述对象体进行曝光，形成图案的第3工序。
根据这样的方法，由于能够扩展在形成半导体装置等器件中所用的薄膜元件基板的电路图案时可利用的区域，所以可提供更高密度集成化的器件。
5.上述3或4所述的薄膜元件基板制造方法，上述对象体的对准标记，是在该对象体上曝光最初图案时形成。
根据这样的方法，由于不需要另外在对象体上形成对准标记，所以可减少作业工序，并能提高生产效率。
根据本发明，提供一种曝光掩模的对位方法，既能在同一曝光掩模中对准标记之间保持最小容许间距，又能缩小对象体的对准标记所需要的区域，而且还能再利用对象体的对准标记。另外，根据本发明，还提供了一种能够形成以高密度集成化的器件的薄膜元件基板的制造方法。
附图说明
图1是表示用于实施本实施方式曝光掩模的对位方法的全息照相曝光装置总体构成的图。
图2是表示用于说明本实施方式曝光掩模的对位方法的图(对象体上的下层曝光图案平面示图)。
图3(a)是表示下层用全息照相掩模的一例平面图，图3(b)是表示上层用全息照相掩模的一例平面图。
图4是表示用于说明本实施方式曝光掩模的对位方法的图(对上层进行曝光时曝光图案的平面图)。
图5(a)是曝光时、5(b)是显影后、5(c)是蚀刻后，分别表示被曝光基板中的对准标记部分的截面图。
图6是表示相当于图5(b)显影后的被曝光基板的平面图。
图7是表示用于说明本实施方式薄膜元件基板制造方法的图。
图8是表示用于说明本实施方式薄膜元件基板制造方法的图。
图9是表示用于说明本实施方式薄膜元件基板制造方法的图。
图10是表示用于说明本实施方式薄膜元件基板制造方法的图。
图11(a)和(b)是表示用于制作全息照相用掩模的原Cr制掩模(原十字线)的简要平面图。
图12(a)和(b)是表示全息照相用掩模(第2层掩模)中的器件区域记录时和对准标记记录时，各个工序的简要构成的图。
图中：
200、200a、200b…全息照相掩模、201…棱镜、202…全息照相记录面、210…被曝光基板、212…感光性材料膜、212a…第1感光性材料膜、212b…第2感光性材料膜、214…感光性材料膜表面、220…台面、222…台面装置、230…第1信息处理装置、240…距离测定光学系统、250…膜厚测定光学系统、260…光源、270…第2信息处理装置、280…曝光光源、282…曝光光源驱动装置、A111～A114，A121～A124，A131～A134，A141～A144…对准标记，D11～D16…下层区域，D21～D23…上层区域、200L…下层用全息照相掩模、200U…上层用全息照相掩模、S…遮光区域、501…被曝光基板、502…薄膜层(SiO2等)、503…图案形成层、504…光致抗蚀剂层、A…对准标记、300…第1原版掩模、302…第2原版掩模、310…第1干涉条纹图案、312…干涉条纹图案、316…第1电路图案、320…第2干涉条纹图案、322…干涉条纹图案、A1～A8…对准标记、B1～B4…区域、HM…全息照相掩模、L…曝光光源、L1…记录光束、L2…参照光、L3…曝光光束、P…棱镜、P11、P21、P31、P41…干涉条纹图案、P12、P22、P32、P42…对准标记、P1-P4…对准标记。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施方式。本发明并不仅限定于下述实施方式。
图1是为实施本实施方式的曝光掩模的对位方法，而使用的全息照相曝光装置的总体构成的图。
如图1所示，该曝光装置，主要由包括棱镜201、具有台面220的台面装置222、第1信息处理装置230、距离测定光学系统240、膜厚测定光学系统250、光源260、第2信息处理装置270、曝光光源280、曝光光源驱动装置282、和基准系统290构成。
台面装置222构成为：将作为形成了感光性材料膜212的曝光对象体被曝光基板210，用真空卡盘等保持在台面220上，台面220的位置可在上下方向(Z方向)和水平方向(XY平面)上调节。
光源260构成为：可射出距离测定光学系统240和膜厚测定光学系统250测定用的光束。距离测定光学系统240的构成为：具有射束分裂器、圆柱型透镜、光传感器、误差信号检测器等，调整全息照相记录面202与被曝光基板上涂布的感光性材料膜表面214的距离，可控制曝光时的焦点。
第1信息处理装置230的构成为：根据由距离侧定光学系统240测定的全息照相记录面与被曝光基板上形成的感光性材料膜表面的距离，设定台面220的位置，以形成适宜的焦点。膜厚测定光学系统250构成为：具备光束分裂器、光探测器、增幅器、A/D转换器等，具备用于测定被曝光基板210上形成的感光性材料膜212厚度的构成。
第2信息处理装置270构成为：移动曝光光源280，使曝光光源280照射的曝光光束在适当的曝光区域内扫描，同时，根据由膜厚测定光学系统250输出的感光性材料膜212厚度的相对值，控制曝光的光量。
曝光光源280构成为：可向全息照相掩模200的全息照相记录面202上照射曝光光束。曝光光源驱动装置282构成为：移动该曝光光源280，在被曝光基板210上所要求的曝光区域内扫描，进行曝光。而且该曝光装置备有在与被曝光基板210相对的面上安装了记录与规定十字线图案相对应干涉图案的全息照相掩模200的棱镜201。
基准系统290具备观察对准标记的观察机构、根据由观察机构获得的信息，检测全息照相掩模200的对准标记与被曝光基板210的对准标记位置偏移的位置偏移检测机构。
本实施方式中，作为观察机构的显微镜292是通过全息照相掩模200，观察在被曝光基板210上形成对准标记的。显微镜292具有例如CCD照相机等图像摄取装置，以摄取观察到的对准标记图像，由显微镜292观察，由图像摄取装置摄取的全息照相掩模200的对准标记和被曝光基板210的对准标记图像，转换成图像信号，输送给作为位置偏移检测机构的位置偏移检测装置294。
位置偏移检测装置294，从图像信号中提取全息照相掩模200侧的对准标记和被曝光基板210侧的对准标记特征点，并计算出特征点之间的距离。例如，在被曝光基板210上形成十字状的对准标记，在全息照相掩模200侧上形成X字状的对准标记，在这种情况下，作为特征点，例如，分别提取十字状的交点和X字状的交点，计算出该交点间的距离。将计算出的距离信息传送给第1信息处理装置230。
第1信息处理装置230构成为：还能在XY方向上移动台面装置222，设定被曝光基板210的位置，以减小该基准之间的距离(基准偏移量)，由此，可使全息照相掩模200与被曝光基板210变成对位。
这样，在全息照相掩模200与被曝光基板210进行对位时，该被曝光基板210上的下层曝光图案，可形成图2中所示的图案。在此，图2是使用多个全息照相掩模200，为在被曝光基板210上形成器件等，进行二层(下层和上层)图案形成时，表示下层曝光图案的平面图。
如图2所示，本实施方式中，首先，在被曝光基板210上规定的部位，通过下层用的全息照相掩模200进行曝光，设置图案化的矩形状的一个下层区域D11，同时在该下层区域D11的对角延长线上，以规定的间距，设置与上层用的全息照相掩模200对位用的4个十字状对准标记A111、A112、A113、A114。接着，通过下层用的全息照相掩模200进行曝光，设置与上述下层区域D11邻接的，图案化的矩形状的另一个下层区域D12，同时在该下层区域D12的对角延长线上，以规定的间距，设置与上层用的全息照相掩模200进行对位用的4个十字状对准标记A121、A122、A123、A124。接着，通过下层用的全息照相掩模200进行曝光，设置与上述下层区域D12邻接的图案化的矩形状的另一个下层区域D13，同时在该下层区域D13的对角延长线上，以规定的间距，设置与上层用的全息照相掩模200进行对位用的4个十字状对准标记A131、A132、A133、A134。
作为此处所用的下层用全息照相掩模200，例如图3(a)所示，可使用具有规定遮光区域S掩蔽图案的全息照相掩模200L。该全息照相掩模200L，为在被曝光基板210上形成规定的对准标记，具备对准标记A1、A2、A3、A4，同时，在对一个下层区域曝光时，至少对其他的下层区域形成可遮光的形状。具体讲，全息照相掩模200L，例如，对下层区域D11进行曝光时，虽然对该下层区域D11进行曝光，但对与其邻接的下层区域D12利用遮光区域S形成遮光的形状。全息照相掩模200L，例如，对下层区域D12进行曝光时，虽然对该下层区域D12进行曝光，但对与其邻接的下层区域D11和下层区域D13，两者都由遮光区域S形成遮光的形状。
进而，和上述一样，依次设置被曝光基板210上的图案化的矩形状下层区域D14与上层用全息照相掩模200对位用的对准标记A141、A142、A143、A144、下层区域D15和对准标记A151、A152、A153、A154、及下层区域D16和对准标记A161、A162、A163、A164。如此制作，可得到具有图2所示下层曝光图案的被曝光基板210。
接着，对于这种被曝光基板210，为对上层形成图案，使用上层用的全息照相掩模200进行对合。作为此处使用的上层用全息照相掩模200，例如，如图3(b)所示，可使用具有规定遮光区域S掩模图案的全息照相掩模200U。该全息照相掩模200U，其形状与下层用全息照相掩模200L大致一样，使用被曝光基板210上规定的十字状对准标记，具备为与该被曝光基板210进行对位的X字状对准标记A5、A6、A7、A8，同时，对一个上层区域进行曝光时，至少对其他上层区域形成可遮光的形状。具体讲，如图4所示，全息照相掩模200U，例如，对上层区域D22进行曝光时，虽然对该上层区域D22进行曝光，但对与其邻接的上层区域D21和上层区域D23，两者都由遮光区域S形成遮光的形状。图4是表示在图2所示的被曝光基板210的下层曝光图案上，通过上层用的全息照相掩模200U，对上层进行曝光时的曝光图案平面图。
如上述，在本实施方式中，将被曝光基板210上进行图案曝光的一个下层区域(例如，D11)、和与该下层区域对应的上层区域(例如，D21)曝光用的一个上层用全息照相掩模200U进行对位用的对准标记(例如，A112)连接成直线，将对被曝光基板210上与上述一个下层区域(D11)邻接图案进行曝光的其他下层区域(例如，D12)，和与该其他下层区域相对应的上层区域(例如，D22)的曝光中用的上层用全息照相掩模200U进行对位用的对准标记(例如，A121)连接的直线，以交叉方式设置各个对准标记(A112和A121)，进行对位。由此，在同一全息照相掩模200中的对准标记之间，既保持最小的容许间距，又能缩小对象体被曝光基板210的对准标记所需要的区域。本发明中，至少一个对准标记存在这种关系，就能设置具有这种关系的多个对准标记。
采用本实施方式的方法时，形成图案时的对准标记部分，例如可如图5所示地进行变化。在此，图5(a)是、曝光时、图5(b)是显影后、和图5(c)是蚀刻后，各自的被曝光基板中的对准标记部分的截面图。如图5(a)所示，曝光时，是对位于在下层被曝光基板501上设置的对准标记A上，依次层叠了薄膜层(SiO2等)502、图案形成层503、和光致抗蚀剂504的层叠体的表面上的光致抗蚀剂504，利用曝光光束进行曝光。由此，显影后，如图5(b)所示，除去光致抗蚀剂504、形成具有表面显现相当于下层对准标记A的十字状模样图案形成层503的层叠体。此时显影后的图案，如图6所示。进而蚀刻后，如图5(c)所示，除去图案形成层503，形成具有表面显现相当于下层对准标记A的十字状模样绝缘层502的层叠体。这样，该对准标记部分(相当于下层对准标记A的十字状模样)，在其标识部分区域上，由于上层用全息照相掩模的X字状对准标记没有形成图案，所以也可用作以后对合曝光时的对准标记。
以下参照图7～图10，对本实施方式的薄膜元件基板制造方法进行说明。
首先，形成第1个图案(形成最初的图案)。
如图7(A)所示，在贴合在棱镜201上的全息照相掩模200a的全息照相记录面202上，例如，使用Cr制的第1个原版掩模300(也叫原十字线)，记录与第1十字线图案相对应的干涉条纹。在第1个十字线图案中，至少含有与含有目的薄膜元件基板中的薄膜元件的薄膜电路相对应的图案。
具体讲，是将记录光束L1(物体光)照射到第1原版掩模300上，并使经第1原版掩模300衍射的光照射到全息照相掩模200a的全息照相记录面202上。使通过该第1原版掩模300的记录光束L1与从全息照相记录面202的其他面侧，透过棱镜201照射的参照光L2形成干涉。由此，所要的图案干涉条纹记录在全息照相记录面202上。
图7(B)是形成第1干涉条纹图案310的全息照相掩模200a之一例的图。如图7(B)所示，第1干涉条纹图案310中，含有与构成薄膜电路的第1电路图案相对应的干涉条纹图案312及形成对准标记的干涉条纹图案P11、P21、P31、P41。另外，在全息照相掩模200a中设有规定的遮光区域S。
接着，如图8所示，在配置原版掩模300的位置上，取代原版掩模300，配置形成第1感光性材料膜212a的被曝光基板210。随后，从与图7(A)中参照光L2射入侧相反方向(参照光L2射出侧)，使再生光的曝光光束L3，通过棱镜201照射全息照相记录面202，对被曝光基板210上形成的第1感光性材料膜212a进行曝光。这时，改变棱镜201的方向，将全息照相掩模200a改移成棱镜201，使棱镜201的斜面朝向曝光光束L3的射入侧。由此，将与全息照相记录面202上记录的第1干涉条纹图案310相对应的图案形成在被曝光基板210上。
利用第1干涉条纹图案310形成的图案一例是和图2所示图案一样的图案。即，如图2所示，在区域D11、D12、…上形成与全息照相掩模200a的干涉条纹图案P11、P21、P31、P41相对应的对准标记A111、A112、…及与干涉条纹图案312相对应的第1电路图案。随后，进行必要的显影和蚀刻处理，第1图案形成结束。
接着进行第2图案形成。
如图9(A)所示，在贴合在棱镜201上的全息照相掩模200b的全息照相记录面202上，例如使用Cr制的第2原版掩模302，记录与第2十字线图案相对应的干涉条纹。在第2十字线图案中，至少含有与含有薄膜元件基板中的薄膜元件的薄膜电路相对应的图案。利用和图7(A)的工序一样的方法进行记录干涉条纹的工序。与该记录干涉条纹工序不同，通过只照射物体光L1，在全息照相掩模200b的全息照相记录面202上，形成对准标记P12、P22、P32、P42。
图9(B)是形成第2干涉条纹图案和第2对准标记的全息照相掩模200b之一例的图。如图9(B)所示，第2干涉条纹图案中，含有与构成薄膜电路的第2电路图案相对应的干涉条纹图案320。在全息照相掩模200b的四角处，为使该全息照相掩模200b与被曝光基板210进行对位，而形成的对准标记P12、P22、P32、P42。在全息照相掩模200b中设有规定的遮光区域S。
接着，如图10所示，在配置原版掩模302的位置上，配置在第1电路图案上形成第2感光性材料膜212b的被曝光基板210。取代原版掩模302。随后，从与图9(A)中参照光L2相反的方向(参照光L3射出侧)，通过棱镜201使曝光光束L3照射在全息照相记录面202上，对第2感光性材料膜212b进行曝光。这时，同样改变棱镜201的方向，将全息照相掩模200b改移成棱镜201，使棱镜201的斜面朝向曝光光束L3的射入侧。
对本工序进行更具体地说明。
首先，通过使被曝光基板210上形成的对准标记A111、112、113、114，…(图2)与全息照相掩模200b上形成的对准标记P12、P22、P32、P42(图9(B))进行重合，使形成了第2感光性材料膜212b的被曝光基板210与全息照相掩模200b进行对位。具体讲，如图1所示，将全息照相掩模200b和被曝光基板210设置在规定的位置上后，利用设置在观察各对准标记的位置上的显微镜292，通过棱镜201的垂直面，摄取全息照相掩模200b和被曝光基板210的对准标记的重叠的图像。将显微镜292中摄取的图像作为图像信号，传送给位置偏移检测装置294，从对准标记的重叠图像中提取特征点。例如，提取对准标记A111的十字交点和对准标记P12的X字交点位置，并计算出该交点之间的距离。将该距离信息传送给第1信息处理装置230，驱动台面装置222，以减小该距离，使全息照相掩模200b与被曝光基板210进行对位。这时，采用上述的对位方法(参照图2、图4)进行对位。
随后，向全息照相记录面202照射曝光光束L3。在感光性材料膜212b上，与全息照相掩模200b的对准标记P12、P22、P32、P42相对应的对准际记和记录在全息照相记录面202上的干涉条纹图案320相对应的第2电路图案同时形成。此时的对准标记和第2电路图案的一例是与图4所示图案一样的实例。之后进行必要的显影和蚀刻处理，形成第2图案结束。
另外，使用上述遮挡机构等，在全息照相掩模200b的X字状对准标记部分上进行图案曝光时，对合曝光时，在被曝光基板210上的十字状(下层)对准标记区域上，对第2电路图案(上层)用全息照相掩模200b的X字状对准标记不进行图案形成，在以后的曝光中也能成为基准。使用这种办法，重复图9和图10中所述的工序，还能继续进行第3图案形成、第4图案形成、…。
本发明的薄膜元件基板制造方法，例如，可适用于形成EL显示装置和液晶显示装置等电光学装置中的构成各像素的像素电路和控制该像素电路的驱动器(集成电路)。除了这种电光装置的制造外，还能适用于各种器件的制造。例如，可制造FeRAM(ferroelectric RAM)、SRAM、DRAM、NOR型RAM、NAND型RAM、漂移门型不挥发存储器、磁性RAM(MRAM)等各种存储器。除此之外，使用薄膜晶体管(TFT)，还可用于集成化的传感器、搭载CPU的银行卡等。进而，在使用微波的非接触型通讯系统中，制造搭载微小电路片(IC芯片)的廉价附属物时，也可适用。
本发明既能保持同一曝光掩模中对准标记之间的最小容许间距，又能缩小对象体的对准标记所需要的区域。而且，可再利用对象体的对准标记，从而提供了一种曝光掩模的对位方法，作为可形成高密度集成化器件的薄膜元件基板制造方法，具有工业可利用性。

Claims (5)

1.一种曝光掩模的对位方法，是使用形成了对准标记的多个全息照相掩模，对成为形成了对准标记的曝光对象的对象体进行图案曝光时，使用两者的对准标记，进行多次上述全息照相掩模与上述对象体之间的对位，其特征在于：
将上述对象体上的用于图案曝光的一个区域，和与该一个区域的曝光用的全息照相掩模进行对位用的对准标记连接的直线，将上述对象体上的与上述一个区域邻接的用于图案曝光的其他区域，和对于与该其他区域曝光用的全息照相掩模进行对位用的对准标记连接的直线，交叉地设置上述各个对准标记，进行对位。
2.根据权利要求1所述的曝光掩模的对位方法，其特征在于：
上述一个区域之曝光用的全息照相掩模，由至少对上述其他区域，可遮光的形状而成。
3.一种薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用已形成对准标记的多个全息照相掩模，进行图案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括：
使用权利要求1或2所述的曝光掩模的对位方法，进行对位的第1工序；和
通过从上述全息照相掩模上照射曝光光束，对上述对象体进行曝光形成图案的第2工序。
4.一种薄膜元件基板的制造方法，是利用了使用形成对准标记的多个全息照相掩模进行图案曝光的全息照相曝光，其特征在于，包括：
在上述全息照相掩模上记录含有对准标记的所要图案的第1工序；
利用权利要求1或2所述的曝光掩模的对位方法，进行对位的第2工序；和
通过从上述全息照相掩模上照射曝光光束，对上述对象体进行曝光，形成图案的第3工序。
5.根据权利要求3或4所述的薄膜元件基板制造方法，其特征在于：
上述对象体的对准标记是在该对象体上曝光最初图案时形成。
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