CN1744266A - 彩色显像管装置 - Google Patents

Abstract

一对彗差校正线圈(12)和一对YH校正线圈(13)被设置在铁氧体磁芯(9)的电子枪侧的上部和下部，以及，在与垂直偏转磁场的方向相同的方向上产生磁场的一对垂直辅助线圈(14)被设置在铁氧体磁芯(9)的电子枪侧的右部和左部。水平偏转线圈(6)具有第一线圈(61)和位于第一线圈(61)内周侧的第二线圈(62)。第二线圈(62)的有效部分(62b)被设置在从垂直轴相对于管轴±45°的范围内，以及，第二线圈(62)的弯折部分(62a)被设置在从铁氧体磁芯(9)的屏幕侧端点向屏幕侧位移10mm的位置处的电子枪侧。由此，利用简单的结构，在不增加成本和功耗的情况下，可以抑制PQH失会聚。

Description

彩色显像管装置

技术领域

本发明涉及一种应用在电视机、计算机显示器等中的彩色显像管装置。

背景技术

在一个具有直列式电子枪的彩色显像管装置中，作为在屏幕的整个区域内对从电子枪发射的三个电子束进行会聚的装置，一种自会聚系统通常被使用，该系统使得偏转磁场具有一种分布。具体地，该自会聚系统使得水平偏转磁场具有枕形磁场分布，其中，磁场强度随着水平方向偏转量的增大而增大，而且该系统使得垂直方向磁场具有桶形磁场分布，其中，磁场强度随着垂直方向偏转量的增大而减小。在这种自会聚系统中，由于事实上水平偏转磁场大体上是枕形，电子束亮点的形状在屏幕的四周发生失真，这降低了分辨率。

与之相比，JP 2003-297261A公开了一种彩色显像管装置，其中，利用一种相对简单的结构抑制了电子束亮点的形状失真，从而提高了分辨率。以下说明该发明的内容。

在上述彩色显像管装置中，将水平偏转磁场设置成大体上均匀的磁场；在管轴方向上，在偏转磁轭的铁氧体磁芯的电子枪侧端点位置处，将三个电子束轨迹分别设置成大体上平行于管轴；从铁氧体磁芯的电子枪侧端点到荧光屏之间的区域内设置线圈，该线圈产生了具有水平聚焦作用的四极磁场，在水平方向上对三个电子束进行聚焦。

根据这种结构，通过基本上均匀的水平偏转磁场可以抑制射束点的形状失真。另外，由该线圈产生的四极磁场的垂直分量的磁通密度By具有如图16所示的水平分布，其中，在水平方向上从中心部分到两外侧，磁通密度By逐渐减弱，从而，在荧光屏的整个区域内三个电子束都可以得到会聚。JP 2001-43815A中描述了一种动态会聚技术，该动态会聚技术利用辅助线圈产生一个磁场，该磁场的强度与均匀水平偏转磁场下的水平偏转周期同步地变化，与动态会聚技术比较，上述结构没有使用高频率的水平偏转电流波形，使得可以利用简单的电路结构实现会聚。

如上所述，在JP 2003-297261A的彩色显像管装置中，通过大体上均匀的水平偏转磁场可以抑制射束点的形状失真，并可以提高水平方向的分辨率。另外，上述四极磁场具有磁场透镜的功能，在更接近荧光屏的位置设置磁场透镜对于分辨率是有益的，因为可以降低磁场透镜的放大率。

然而，如JP 2003-297261A中所述，在设计将四极磁场加到大体上均匀的水平偏转磁场上的系统的情况下，当仅仅通过增大四极磁场的强度来试图优化光栅上部和下部中的枕形失真时，作为四极磁场关于会聚的边界效应，出现了称为PQH的失会聚，如图17所示，在光栅的角部分，失会聚显示出一种模式，R(红色)垂直线偏移到B(蓝色)垂直线的右侧。

仅仅通过改变水平偏转线圈和垂直偏转线圈的绕组分布很难优化PQH失会聚，为了解决该问题，已经提出了多种校正手段。例如，已经提出的方法有，提供利用饱和扼流圈的校正电路的一种方法(JP2001-23541A)，利用辅助线圈的一种方法(JP 7(1995)-31989B)，以及利用磁铁校正电子束轨迹的方法(JP 10(1998)-241602A)。

然而，当通过JP 2001-23541A和JP 7(1995)-31989B中描述的方法校正PQH时，需要提供校正电路和校正线圈。因此，产生了一些问题，例如，成本增加，校正电路的功耗增加，以及电路结构的复杂性增加。另外，当通过JP 10(1998)-241602A中描述的方法校正PQH时，需要提供校正磁铁。因此，产生了一些问题，同样是成本增加，以及在水平轴上新出现了垂直线失会聚XH。

发明内容

因此，考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种廉价的彩色显像管装置，该装置通过利用一种简单的结构在不增大成本和功耗的情况下抑制PQH失会聚，具有良好的聚焦性能和会聚性能，当利用JP2003-297261A中描述的一种简单结构将抑制电子束亮点形状失真的技术付诸实践时产生PHQ失会聚问题。

本发明的彩色显像管装置包括彩色显像管，该彩色显像管包括：外壳，该外壳由其中荧光屏形成在内表面上的前面板和玻锥组成；电子枪，配备在玻锥的管颈中；以及偏转磁轭，安装在玻锥的外周表面上，用于向从电子枪以直列形状发射的三个电子束施加水平偏转磁场和垂直偏转磁场，以在水平和垂直方向上偏转三个电子束。

偏转磁轭包括：铁氧体磁芯；水平偏转线圈，用于产生水平偏转磁场；垂直偏转线圈，用于产生垂直偏转磁场；以及绝缘框架，用于使水平偏转线圈与垂直偏转线圈绝缘。水平偏转磁场具有大体上均匀的磁场分布。

三个电子束的轨迹在铁氧体磁芯的管轴方向上的电子枪侧端点位置处大体上平行于管轴。

在铁氧体磁芯的电子枪侧端点附近到荧光屏之间的区域内，配备用于产生作用于三个电子束的四极磁场的四极磁场发生器。四极磁场具有水平聚焦作用，甚至在三个电子束到达荧光屏的任何位置的情况下，在水平方向上对这三个电子束进行聚焦，以及，该四极磁场具有一种磁场分布，其中，随着在水平方向上从荧光屏的中心到外围端点将三个电子束进行偏转，水平聚焦作用逐渐减弱。

用于校正彗差的一对彗差校正线圈、用于校正YH的一对YH校正绕组、以及彗差校正绕组和YH校正绕组卷绕在其上的一对磁性物质磁芯，被设置在管轴方向上从铁氧体磁芯起始的电子枪侧的位置上，并在垂直方向上将管颈夹在中间。

用于在与垂直偏转磁场的方向相同的方向上产生磁场的一对垂直辅助线圈被设置在管轴方向上从铁氧体磁芯起始的电子枪侧的位置上，并在水平方向上将管颈夹在中间。

水平偏转线圈包括第一线圈和第二线圈，第二线圈由设置在从第一线圈的绕组起始的内周侧的绕组组成，并具有在从垂直轴相对于管轴±45°的范围内对偏转起作用的有效部分。

第二线圈的大直径侧弯折部分横穿垂直轴，在管轴方向上从铁氧体磁芯的荧光屏侧端点向荧光屏侧移动10mm的位置处的电子枪侧设置该第二线圈的大直径侧弯折部分。

第一线圈和第二线圈互相串联连接，并且，沿管轴方向观看在相同方向上的水平偏转电流在第一线圈的弯折部分和第二线圈的弯折部分内流动。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的彩色显像管装置的外观图；

图2是安装在根据本发明一个实施例的彩色显像管装置上的偏转磁轭的示意性透视图；

图3是安装在根据本发明一个实施例的彩色显像管装置上的偏转磁轭的后视图；

图4是沿着经过安装在根据本发明一个实例的彩色显像管装置上的偏转磁轭的管轴的垂直平面得到的部分横截面图；

图5是沿着图4中Z＝-35mm位置处的线V-V得到的偏转磁轭的横截面图；

图6是沿着图4中Z＝+5mm位置处的线VI-VI得到的偏转磁轭的横截面图；

图7是根据本发明一个实施例的彩色显像管装置中的垂直偏转线圈、彗差校正线圈、YH校正线圈和垂直辅助线圈的电路图；

图8示出了VCR失会聚模式(垂直方向上的彗差)；

图9示出了YH失会聚模式；

图10示出了光栅上部和下部中的枕形失真；

图11说明了通过垂直初步偏转磁场对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的原理；

图12A是示出了安装在根据本发明一个实施例的彩色显像管装置上的偏转磁轭的水平偏转线圈的绕组设置的顶视图，以及，图12B是其前视图；

图13说明了在根据本发明一个实施例的彩色显像管装置中，水平偏转线圈的第二线圈的有效部分对PQH失会聚进行校正的原理；

图14是安装在根据本发明一个实施例的彩色显像管装置上的偏转磁轭的铁氧体磁芯的XY横截面图；

图15是角形磁芯的XY横截面图；

图16示出了由安装在常规彩色显像管装置上的线圈产生的四极磁场的垂直分量的磁通密度的水平分布；

图17示出了PQH失会聚模式(红色偏移到右侧)。

发明详述

根据本发明，在将四极磁场加到大体上均匀的水平偏转磁场上的彩色显像管装置中，在不增加成本和功耗、不增大与PQH失会聚具有互补关系的光栅上部和下部中的枕形失真的情况下，可以校正PQH失会聚。因此，可以利用相对简单的结构实现具有良好聚焦和会聚性能的高分辨率彩色显像管装置。

以下详细说明本发明，作为一个实例，举例说明一种具有平屏幕的彩色显像管装置，该屏幕具有86cm的对角线屏幕尺寸、16∶9的长宽比、以及102°的偏转角。

图1是根据本发明一个实施例的彩色显像管装置的外观图。

该彩色显像管装置包括一个彩色显像管，该彩色显像管包括：外壳，该外壳由其中荧光屏(未示出)形成在内表面上的前面板1和玻锥2组成；电子枪3，配备在玻锥2的管颈2a中；偏转磁轭4，其安装在玻锥2的外周表面上；以及，会聚磁轭5。电子枪3包括在水平方向上以直列式结构设置的三个阴极，并发射三个电子束，分别对应三个颜色：红(R)、绿(G)、蓝(B)。

为了便于以下描述，设置了XYZ直角坐标系，其中，管轴是Z-轴，与Z-轴垂直的水平轴是X-轴，与X-轴和Z-轴垂直的垂直轴是Y-轴。假定，彩色显像管装置的参考线(RL)的位置是Z-轴的原点(Z＝0的位置)，荧光屏侧是Z-轴的正侧。这里，参考线是与Z-轴垂直的虚参考线，其在Z-轴上的位置与彩色显像管装置的几何偏转中心位置一致。另外，当从荧光屏侧观看彩色显像管装置时，假定右侧是X-轴的正侧，假定上侧是Y-轴的正侧。

图2是示出了偏转磁轭4的外观的示意性透视图，图3是示出了从小直径侧观看到的偏转磁轭4的后视图。图4是沿着经过根据上例的偏转磁轭4的Z-轴的垂直平面(YZ-平面)得到的部分横截面图。偏转磁轭4在YZ-平面上的横截面形状相对于Z-轴大体上对称，所以图4中仅示出了Z-轴的上侧。图5是沿着图4中Z＝-35mm位置处的线V-V得到的偏转磁轭4的横截面图。图6是沿着图4中Z＝+5mm位置处的线VI-VI得到的偏转磁轭4的横截面图。在图4、5和6中，省略了除偏转磁轭4之外的部件(例如，玻锥2)。

偏转磁轭4包括：鞍式水平偏转线圈6，用于向三个电子束施加水平偏转磁场，以在水平方向上偏转三个电子束；垂直偏转线圈7，用于向三个电子束施加垂直偏转磁场，以在垂直方向上偏转三个电子束；绝缘框架8，用于使水平偏转线圈6与垂直偏转线圈7绝缘；以及铁氧体磁芯9。另外，偏转磁轭4包括电子枪侧的四极磁铁15，屏幕侧的四极磁铁16，彗差校正线圈12、YH校正线圈13、以及垂直辅助线圈14。

根据本发明，进一步研究JP 2003-297261A所公开的将四极磁场加到大体上均匀的水平偏转磁场上的系统，从而改进各种构成部件的设置和形状。以下，利用上述实例对其进行详细说明。

在本发明的彩色显像管装置中，以JP 2003-297261A所公开的彩色显像管装置中相同的方式，由水平偏转线圈6形成了大体上均匀的水平偏转磁场分布，在铁氧体磁芯9的Z-轴方向上的电子枪侧端点位置(Z＝-30mm)处，将三个电子束轨迹设置成大体上平行于Z-轴，利用电子枪侧的四极磁铁15和屏幕侧的四极磁铁16实现在X-轴上的会聚。

对大体上均匀的水平偏转磁场分布进行描述。假定，在Z-轴上一点处，X-轴坐标值和Y-轴坐标值分别是0，水平偏转磁场的Y-轴方向分量的磁通密度Bh(x，y)由以下表达式(1)表示，其中，从Z-轴到起沿X-轴方向的位移x以及Z-轴坐标z为变量。

Bh(x，z)＝Bh₀(z)+Bh₂(z)·x²            (1)

在表达式(1)中，Bh₀(z)表示在Z-轴上水平偏转磁场的Y-轴方向分量的磁通密度，其为z的方程。Bh₂(z)称为次级失真系数，它也是z的方程，并是x²的系数。

在不管z为何值而Bh₂(z)＝0的情况下，Bh(x，y)由z值决定，而与x值无关。这种水平偏转磁场分布被认为是完全均匀的。

通过设计线圈不容易实现这种完全均匀的磁场，即使试图实现完全均匀的磁场，实际上，总有一些Bh₂(z)分量，即使很少量。根据本发明，在将Z-轴上磁通密度分布Bh₀(z)的最大值设置为1、并且x的单位是“mm”的情况下，在水平偏转线圈6的Z-轴方向长度的至少75％的区域内满足以下表达式(2)的磁场分布被假定为是大体上均匀的。

-1×10^-4≤Bh₂(z)≤1×10^-4(1/mm²)     (2)

如图4所示，在Z-轴方向上，水平偏转线圈6是鞍式线圈，其占据了Z＝-55mm到+36mm的范围，垂直偏转线圈7是鞍式线圈，其占据了Z＝-50mm到+16mm的范围。铁氧体磁芯9占据了Z＝-30mm到+4mm的范围。

如图4所示，电子枪侧的四极磁铁15设置在铁氧体磁芯9的Z-轴方向上电子枪侧端点的附近。具体地，电子枪侧的四极磁铁15占据Z＝-40mm到-30mm的范围，该范围位于从铁氧体磁芯9的电子枪侧端点位置(Z＝-30mm)起的电子枪3侧。如图5所示，将一对电子枪侧的四极磁铁15设置在垂直偏转线圈7和绝缘框架8之间，以从上侧和下侧将玻锥2的管颈2a夹在中间，并穿过YZ-平面。电子枪侧的四极磁铁15是片状的铁-钐磁铁，其厚度(Y-轴方向尺寸)为1.5mm，X-轴方向尺寸为15mm，Z-轴方向尺寸为10mm。如图5所示，电子枪侧的一对四极磁铁15的X-轴方向上的两端被极化，并在玻锥2内向三个电子束施加四极磁场。

以下是通过各种实验所发现的：在Z-轴方向上，假定，铁氧体磁芯9的电子枪侧端点附近是基点(具体地，从铁氧体磁芯9的电子枪侧端点向电子枪侧移动10mm的位置(Z＝-40mm)为基点)，用于产生四极磁场的四极磁场发生器可以设置在从基点到荧光屏之间的区域内。

如图4所示，屏幕侧的四极磁铁16设置在Z-轴方向上的铁氧体磁芯9和荧光屏之间。具体地，屏幕侧的四极磁铁16占据Z＝+4mm至+11mm的范围，该范围位于从铁氧体磁芯9的荧光屏侧端点位置(Z＝+4mm)起始的荧光屏侧。如图6所示，屏幕侧的四极磁铁16是矩形立体形状的烧结铁氧体磁铁，其X-轴方向尺寸为52mm，Y-轴方向尺寸为8.5mm，Z-轴方向尺寸为7mm。屏幕侧的四极磁铁16被设置为一对，以从上侧和下侧将绝缘框架8夹在中间，并与YZ-平面相交。如图6所示，屏幕侧的一对四极磁铁16的X-轴方向上的两端被极化，并在玻锥2内向三个电子束施加四极磁场。

由电子枪侧的四极磁铁15和屏幕侧的四极磁铁16产生的四极磁场分别具有的水平分布为，以图16所示的JP 2003-297261中的四极磁场相同的方式，在水平方向上从中心部分到两个外侧，其垂直分量的磁通密度By逐渐减弱。因此，这些四极磁场具有水平聚焦作用，即使当三个电子束到达荧光屏的任何部分时，也在水平方向上对这三个电子束进行聚焦，并且，在水平方向上从荧光屏的中心到外围端点，水平聚焦作用逐渐减弱。这使得能够在水平轴上进行会聚。

另外，由于上述设置，除了在水平轴上进行会聚以外，屏幕侧的四极磁铁16还具有对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的功能。

用于产生四极磁场的四极磁场发生器的数量不必须与该实施例一样为两个，其可以是一个、三个或更多。另外，可以用线圈代替磁铁作为四极磁场发生器。优选的是，四极磁场发生器为磁铁，因为不需要供应能量，从而可以减少功耗。

接下来对彗差校正线圈12、YH校正线圈13和垂直辅助线圈14进行描述。图7是垂直偏转线圈7、彗差校正线圈12、YH校正线圈13和垂直辅助线圈14的电路图。YZ-平面的每一侧各设置一个垂直偏转线圈7，各垂直偏转线圈7具有用于阻尼衰减的1KΩ的并联电阻，垂直偏转线圈7之间相互串联连接，一对彗差校正线圈12与垂直偏转线圈7串联连接。另外，一对YH校正线圈13分别连接到极性相反的二极管，该对YH校正线圈13相互并联连接，构成一个YH校正电路，以及，一对垂直辅助线圈14与YH校正电路串联连接。

如图3所示，彗差校正线圈12和YH校正线圈13卷绕在由磁性材料制成的U-形磁芯21上，并且在XZ-平面的每一侧设置一套该结构，玻锥2的管颈2a在垂直方向上插入其中。如图4所示，该U-形磁芯21设置在Z-轴方向上铁氧体磁芯9的电子枪侧的Z＝-67mm到-65mm的范围内。

彗差校正线圈12产生一个磁场，该磁场方向与垂直偏转线圈7产生的垂直偏转磁场的方向相同，从而对图8中所示的VCR(垂直彗差)失会聚进行校正。

YH校正线圈13利用二极管的整流功能产生一个四极磁场，该四极磁场具有与偏转方向无关的预定极性，该磁场与垂直偏转磁场同步，且强度变化，从而校正图9中所示的YH失会聚。

如图3所示，垂直辅助线圈14卷绕在由磁性材料制成的柱形(外直径5mm×长度20mm)的I-形磁芯22上，并且在YZ-平面的每一侧设置一个辅助线圈14，玻锥2的管颈2a在水平方向上插入其中。如图4所示，该I-形磁芯22设置在Z-轴方向上铁氧体磁芯9的电子枪侧的Z＝-61mm到-59mm的范围内。该垂直辅助线圈14产生一个垂直辅助磁场，该磁场的方向与垂直偏转线圈7产生的垂直偏转磁场的方向相同。该垂直辅助线圈14卷绕在由磁性材料制成I-形磁芯22上，从而垂直偏转功率可以降低。

在Z-轴方向上，假定，在从电子枪发射的电子束到达垂直偏转线圈7所占区域之前，在垂直方向上对该电子束进行偏转，被称为垂直初步偏转，彗差校正线圈12和垂直辅助线圈14对这些电子束进行垂直初步偏转。

接下来详细描述本发明如何解决将四极磁场加到大体上均匀的水平偏转磁场上这样的系统存在的问题。

在实现包括大体上均匀的水平偏转磁场和四极磁场的组合的系统的情况下，出现了PQH失会聚，其中，红色(R)偏移到蓝色(B)的右侧，如图17所示。以下描述出现这种情况的原因。

随着三个电子束在垂直方向上的偏转量增大，由于电子枪侧的四极磁铁15和屏幕侧的四极磁铁16的每个四极磁场导致，两个外侧的电子束在彼此接近的方向上发生偏转。更具体地，电子枪侧的四极磁铁15和屏幕侧的四极磁铁16增大了图9中所示的YH失会聚。

YH校正线圈13产生一个与垂直偏转磁场同步的四极磁场，以抵消上述四极磁铁15、16所产生的四极磁场，从而YH失会聚得到校正。然而，电子束到达屏幕的对角轴方向端点部分的轨迹长度大于电子束到达屏幕的Y-轴方向端点部分的轨迹长度。因此，当在Y-轴上对图9中所示的YH失会聚进行适当校正时，在对角轴方向端点部分发生过度校正，结果是，出现图17中所示的PQH失会聚，其中，红色(R)偏移到蓝色(B)的右侧。

为了抑制PQH失会聚，仅需要通过增大垂直偏转磁场的桶形磁场，在没有由YH校正线圈13进行校正的条件下来减小YH失会聚。这样可以减小YH校正线圈13的校正量，从而可以抑制PQH失会聚。然而，根据该方法，垂直偏转磁场的桶形磁场增大，这增大了图10中所示的光栅上部和下部的枕形失真。

根据本发明，作为用于在不增大YH校正线圈13的校正量的情况下对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的手段之一，由垂直辅助线圈14产生垂直初步偏转磁场。以下参考图11描述通过垂直初步偏转磁场对光栅上部和下部的枕形失真进行校正的原理。

图11中，P表示，当施加垂直初步偏移磁场时，到达屏幕对角轴端点的电子束轨迹，N表示，在没有垂直初步偏转磁场的情况下，到达屏幕对角轴端点的电子束轨迹。图11中，虽然示出了投射到YZ-平面上的电子束轨迹P、N，但是沿着电子束轨迹P、N运行的电子束实际上还具有从图纸正面向背面的方向上(X-轴的正方向)的速度分量。

BH表示水平偏转磁通，BZP表示与电子束轨迹P相交的水平偏转磁通BH的Z-轴方向分量，BZN表示与电子束轨迹N相交的水平偏转磁通BH的Z-轴方向分量。

当施加垂直初步偏转磁场时，垂直方向上的偏转中心相对于水平方向上的偏转中心向电子枪侧移动。因此，穿过偏转磁轭的电子束轨迹的垂直方向上的位移量增大，并且电子束轨迹从N变为P。分别沿着电子束轨迹P、N运行的电子束在Y-轴方向的反方向上受到来自于水平偏转磁通BH的Z-轴方向分量BZP、BZN的洛伦兹力FP、FN。这里，对于水平偏转磁通BH的Z-轴方向分量，满足BZP＞BZN，所以对于洛伦兹力，满足FP＞FN。

因此，由于水平偏转磁场导致，朝向X-轴的方向上的洛伦兹力作用于投射到屏幕对角轴端点的电子束上，以及，该洛伦兹力对图10中所示的光栅上部和下部中的枕形失真进行校正。于是，该洛伦兹力更大时，对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的效果增加。从而，垂直初步偏转有利于对光栅上部和下部中的枕形失真的校正。

如上所述，虽然彗差校正线圈12产生一个垂直初步偏转磁场，基本上，该彗差校正线圈12主要校正VCR。在已经对VCR进行最优校正的情况下，在还需要对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的情况下，应该通过垂直辅助线圈14产生一个垂直初步偏转磁场。

根据本发明，作为用于在不增大YH校正线圈13的校正量的情况下对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正的另一种手段，如图4所示，与常规例相比，优选的是，增大Z-轴方向上水平偏转线圈6的屏幕侧端点和垂直偏转线圈7的屏幕侧端点之间的距离d。由此，水平方向上的偏转中心向屏幕侧移动。因此，获得这样的状态，其中，垂直方向上的偏转中心相对于水平方向上的偏转中心向电子枪侧移动，由于与施加垂直初步偏转磁场的情况下相同的原理，在光栅上部和下部中的枕形失真可以得到校正。

通常，就鞍形线圈的结构而言，需要在距离水平偏转线圈6的大直径侧(屏幕侧)弯折部分61a必要的绝缘距离处配置垂直偏转线圈7。因此，需要上述距离d为8mm或更大，该距离对应于水平偏转线圈6的大直径侧弯折部分61a的Z-轴方向的7mm厚度与绝缘框架8的1mm厚度之和。通常，该距离d为8到10mm。

与之相比，根据本发明，优选的是，该距离d是15mm或更大，尤其，20mm或更大。在该例中，d被设置为20mm。由此，按照与施加垂直初步偏转磁场相同的原理，在不增大YH校正线圈13的校正量的情况下，可以对光栅上部和下部中的枕形失真进行校正。

虽然距离d的上限没有具体限制，但是优选30mm或以下。当距离d太大时，会出现以下问题。水平偏转线圈6的绕组长度变得非常大，大大增加了线圈的重量，导致成本升高。或者，垂直偏转线圈7的绕组长度变得非常小，这使得很难调节垂直偏转磁场的磁场分布，以获得所需的垂直偏转特性。

如上所述，为了抑制PQH失会聚，将增强垂直偏转磁场的桶形磁场与在不增大YH校正线圈13的校正量的情况下对光栅上部和下部中的枕形失真的校正结合起来是有效的。然而，即使是这样，也不能充分的去除PQH失会聚。为此目的，根据本发明，设计了水平偏转线圈6的绕组设置。

图12A是示出了水平偏转线圈6的绕组设置的顶视图，以及，图12B是其前视图。由于水平偏转线圈6的绕组设置关于XZ-平面对称，因此图12B中仅示出了相对于XZ-平面的Y-轴正侧的绕组。

本发明中的水平偏转线圈6具有第一线圈61和第二线圈62。图12A中，第二线圈62的绕组设置在从第一线圈61的绕组起始的内周侧。

第一和第二线圈61、62分别具有：大直径侧弯折部分61a、62a，如图12B所示，当沿Z-轴观看时，弯折部分61a、62a横穿Y-轴，并且对于偏转基本上不起作用；以及有效部分61b、62b，它们与大直径侧弯折部分61a、62a的两端连接，并对偏转起作用。在Z-轴方向上，第一线圈61的大直径侧弯折部分61a相对于第二线圈62的大直径侧弯折部分62a被设置在荧光屏侧。第一线圈61和第二线圈62互相串联连接，水平偏转线圈6的绕组被卷绕成，使得，当沿Z-轴观看时在相同方向上的水平偏转电流，在第一线圈61的大直径侧弯折部分61a和第二线圈62的大直径侧弯折部分62a内流动。

如图12B所示，当沿Z-轴观看时，第二线圈62的有效部分62b设置在从Y-轴相对于Z-轴±45°范围内。由此，PQH失会聚得到校正。利用图13对此进行说明。图13示出了，当三个电子束被偏转到屏幕的右上角部分时，由第二线圈62的有效部分62b产生的磁通BE对于与两个外侧的蓝色和红色对应的电子束B、R的作用。如图13所示，由于磁通BE导致，电子束B、R在所指示的方向上受到洛伦兹力FB和FR。从洛伦兹力FB和FR之间的箭头方向的差别可知，与电子束R相比，靠近Y-轴的电子束B受到较大的向右的力。因此，红色偏移到右侧的PQH失会聚可以得到校正。

因此，通过在从Y-轴相对于Z-轴±45°的范围内设置第二线圈62的有效部分62b，可以对PQH失会聚进行校正。

当从Y-轴相对于Z-轴±45°的范围内所设置的绕组延伸到与第一线圈61的大直径侧弯折部分61a在Z-轴方向上的屏幕侧端点位置相同的位置时，光栅上部和下部中的枕形失真增大。以下是通过各种实验确定的。当从铁氧体磁芯9的荧光屏侧端点(该例中Z＝+4mm)向荧光屏侧移动10mm的位置(该例中Z＝+14mm)起，在荧光屏侧进一步设置从Y-轴相对于Z-轴±45°的范围内所设置的绕组时，光栅上部和下部中的枕形失真显著增大。因此，优选的是，从铁氧体磁芯9的荧光屏侧端点向荧光屏侧移动10mm的位置起，在电子枪侧设置第二线圈62的大直径侧弯折部分62a，因为，这样可以抑制光栅上部和下部中的枕形失真的增大。

在该例中，通过将一根线从内周侧到外周侧卷绕53匝制成水平偏转线圈6。绕组起始侧上的第一匝绕组的屏幕侧端点在Z＝+4mm位置处穿过YZ-平面，从而对大直径侧弯折部分62a进行配置。第二线圈62由绕组起始侧的5匝绕组构成，以及，大直径侧弯折部分62a设置在Z-轴方向上Z＝+4mm至+7mm的范围内。由5匝绕组构成的第二线圈62的有效部分62b设置在从Y-轴相对于Z-轴±45°的范围内。第一线圈61由接下来的48匝绕组构成，以及，大直径侧弯折部分61a设置在Z-轴方向上Z＝+29mm至+36mm的范围内。由48匝绕组构成的第一线圈61的有效部分61b设置在从Y-轴相对于Z-轴±45°的范围之外。

玻锥2的外周表面的垂直于Z-轴的横截面形状从电子枪3侧到面板1侧逐渐从大体上圆形形状变化成大体上矩形形状。当允许铁氧体磁芯9的垂直于Z-轴的横截面形状符合玻锥2的外周表面的横截面形状的变化时，可以使包括铁氧体磁芯9的偏转磁轭4的构成部件进一步接近玻锥2，从而减小偏转功率。因此，通常，将铁氧体磁芯9的垂直于Z-轴的横截面形状设置成与玻锥2的横截面形状大体上相似。更具体地，通常，使用所谓的“角形磁芯(angular core)”作为铁氧体磁芯，其中，小直径侧(电子枪侧)的横截面形状是圆形，而大直径侧(屏幕侧)的横截面形状是大体上矩形形状，如图15所示。与之相比，根据本发明，如图14所示，优选地使用所谓的“圆形磁芯(roundcore)”，其中，在XY-横截面上，内表面和外表面具有相对于Z-轴的大体上圆形形状，并与Z-轴方向上的位置无关。这有利于节省成本，因为铁氧体磁芯的生产率提高了。在该例中，也使用了该圆形磁芯。

本发明的彩色显像管装置的应用领域不受具体限制，其可以在很宽的范围内应用于电视机、计算机显示器，等等。

可以在不偏离本发明的精神和实质特征的情况下，以其它形式来实施本发明。在所有方面都应该认为该申请中公开的实施例是说明性的，而不是限制性的。本发明的范围由附加的权利要求确定，而不是由前述说明确定，并且，权利要求旨在包括在该权利要求的等价的意义和范围之内的所有更改。

Claims (6)

1、一种彩色显像管装置，包括：

彩色显像管，其包括：外壳，该外壳由其中荧光屏形成在内表面上的前面板和玻锥组成；电子枪，配备在所述玻锥的管颈中；以及

偏转磁轭，安装在所述玻锥的外周表面上，用于向从所述电子枪以直列形状发射的三个电子束施加水平偏转磁场和垂直偏转磁场，以在水平和垂直方向上偏转所述三个电子束，

其中，所述偏转磁轭包括：铁氧体磁芯；水平偏转线圈，用于产生所述水平偏转磁场；垂直偏转线圈，用于产生所述垂直偏转磁场；以及绝缘框架，用于使所述水平偏转线圈与所述垂直偏转线圈绝缘，

所述水平偏转磁场具有大体上均匀的磁场分布，

所述三个电子束的轨迹在所述铁氧体磁芯的管轴方向上的电子枪侧端点位置处大体上平行于管轴，

在所述铁氧体磁芯的所述电子枪侧端点附近到所述荧光屏之间的区域内，配备用于产生作用于所述三个电子束的四极磁场的四极磁场发生器，

所述四极磁场具有水平聚焦作用，甚至在所述三个电子束到达所述荧光屏的任何位置的情况下，在水平方向上对所述三个电子束进行聚焦，以及，所述四极磁场具有一种磁场分布，其中，随着在水平方向上从所述荧光屏的中心到外围端点对所述三个电子束进行偏转，所述水平聚焦作用逐渐减弱，

用于校正彗差的一对彗差校正线圈、用于校正YH的一对YH校正线圈、以及所述彗差校正线圈和所述YH校正线圈卷绕在其上的一对磁性物质磁芯，被设置在所述管轴方向上从所述铁氧体磁芯起始的所述电子枪侧的位置上，并在所述垂直方向上将所述管颈夹在中间，

用于在与所述垂直偏转磁场的方向相同的方向上产生磁场的一对垂直辅助线圈被设置在所述管轴方向上从所述铁氧体磁芯起始的所述电子枪侧的位置上，并在所述水平方向上将所述管颈夹在中间，

所述水平偏转线圈包括第一线圈和第二线圈，所述第二线圈由设置在从所述第一线圈的绕组起始的内周侧的绕组组成，并具有从垂直轴相对于所述管轴±45°的范围内对偏转起作用的有效部分，

所述第二线圈的大直径侧弯折部分横穿所述垂直轴，在管轴方向上从所述铁氧体磁芯的所述荧光屏侧端点向所述荧光屏侧移动10mm的位置处的所述电子枪侧设置该第二线圈的大直径侧弯折部分，以及

所述第一线圈和所述第二线圈互相串联连接，以及，沿所述管轴观看在相同方向上的水平偏转电流在所述第一线圈的弯折部分和所述第二线圈的弯折部分内流动。

2、根据权利要求1所述的彩色显像管装置，其中，绕着一个磁性物质磁芯卷绕所述垂直辅助线圈。

3、根据权利要求1所述的彩色显像管装置，其中，所述水平偏转线圈的所述屏幕侧端点和所述垂直偏转线圈的所述屏幕侧端点在所述管轴方向上彼此分开15mm或以上。

4、根据权利要求1所述的彩色显像管装置，包括多个所述四极磁场发生器，其中，所述四极磁场发生器中的至少一个被设置在所述铁氧体磁芯的所述电子枪侧端点附近，以及，所述四极磁场发生器中的至少另一个被设置在所述铁氧体磁芯和所述荧光屏之间。

5、根据权利要求1所述的彩色显像管装置，其中，在所述铁氧体磁芯的垂直于所述管轴的横截面上，所述铁氧体磁芯的内表面和外表面具有相对于所述管轴的大体上圆形形状，并与所述管轴方向上的位置无关。

6、根据权利要求1所述的彩色显像管装置，其中，所述四极磁场发生器由磁铁构成。

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