CN1226769C - 阴极射线管 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种含有能够明显减少泄漏磁场的偏转轭的阴极射线管。在该偏转轭中，铁氧体磁心靠近屏幕侧之末端直径是水平偏转线圈靠近屏幕侧之末端直径的50%到85%，水平偏转线圈靠近屏幕侧的末端和铁氧体磁芯靠近屏幕侧的末端之间的间隔是管轴方向上水平偏转线圈长度的27%到50%。因此，该阴极射线管可以克服普通消磁线圈的问题，且即使在高偏转角时也能够减少泄漏磁场。

Description

阴极射线管

技术领域

本发明涉及一种阴极射线管，尤其涉及一种具有能够减少泄漏磁场的偏转轭的阴极射线管。

背景技术

一般而言，电视机或其它利用阴极射线管的图像显示设备都包含用于偏转由电子枪产生的电子束的偏转轭。

这里，黑白阴极射线管中有一个电子枪，而彩色阴极射线管包含三个在水平面上排列成一行的电子枪，其目的在于通过混合红色R、绿色G和蓝色B而再生彩色图像。

彩色阴极射线管采用了利用不规则磁场的自会聚偏转轭。其目的在于把从电子枪发射的三束R，G和B电子束在荧光屏上会聚成一点。

这里，偏转轭的枕形水平偏转磁场或筒形垂直偏转磁场在水平或垂直方向上偏转电子枪发射的三束电子束。

由偏转轭所偏转的电子束穿过荫罩落在荧光屏上。

图1是结构图，显示了普通阴极射线管。如图1所示，该阴极射线管包含：面板单元1、连接到面板单元1的玻壳单元2，以及与玻壳单元2合为一体的管颈3。

荧光屏5涂有发射R、G和B光的三点状或条纹状的彩色磷光体层，其被安装在面板单元1的面板4内表面上。此外，荫罩6是有大量小孔或缝隙的颜色分拣电极，它排列在朝向荧光屏5的内侧部分。荫罩6与框架7相连，它由弹性元件8弹性支承，也由面板通过柱螺栓销9来支承。内屏蔽10被固定在框架7上，其目的在于防止改变电子束的路径而屏蔽由偏转轭13所偏转的电子束的外部磁场。

用于接受电压和发射R、G和B电子束的电子枪14被固定在管颈3上。电子枪14更适宜是彩色阴极射线管内在同一平面上排成一行的一排电子枪。此外，聚焦纯度校正磁铁(CPM)位于电子枪14的前端，其使电子枪14发出的电子束12会聚成一点。

偏转轭13用于在水平和垂直方向上偏转来自电子枪14的电子束，其被安装在玻壳单元2后端的外表面上，即管颈3的前端。

如图2所示，该偏转轭13包含圆形座35，该座是用于形成包含屏幕侧21和管颈侧23的第一凸缘25和第二凸缘，用于把水平偏转线圈29a和29b、垂直偏转线圈31和铁氧体磁芯33固定在预定位置上，并使垂直偏转线圈31和水平偏转线圈29a与29b绝缘，该水平偏转线圈29a和29b缠绕在座35内侧部分的第一凸缘25和第二凸缘27之间，该线圈用于在水平方向上偏转电子枪发出的电子束；垂直偏转线圈31缠绕在座35内侧部分的第一凸缘25和第二凸缘27之间，该线圈用于在垂直方向上偏转电子束；圆锥形铁氧体磁芯33通过减少由水平偏转线圈29a和29b和垂直偏转线圈31所产生的水平/垂直偏转磁场的损失来提高磁效率。

一般而言，偏转轭13在屏幕侧21和管颈侧23处产生泄漏磁场。磁场的漏磁对人类有害。

为防止磁场泄漏，消磁线圈37a和37b被安装在偏转轭13的第一凸缘25的上部及下部。这里，经由消磁线圈37a和37b，从接线板39引出的引出线41与水平偏转线圈29a和29b相连。

如图4所示，上水平偏转线圈29a与一对消磁线圈37a和37b串联，下水平偏转线圈29b与电阻器R和电容器C串联，该上水平偏转线圈和下水平偏转线圈并联。在两端H+和H-加上锯齿波水平偏转电流，从而产生了水平偏转磁场。因此，由于该水平偏转磁场的作用，电子枪发出的电子束被水平偏转。

一般而言，现有偏转轭对水平偏转线圈29a和29b的两端H+和H-施加至少15.76kHz频率的电流，并使用这样产生的枕形水平偏转磁场在水平方向上偏转玻壳单元2的电子束。另一方面，偏转轭对垂直偏转线圈31施加大约60Hz频率的电流，使用这样产生的筒形垂直偏转磁场在垂直方向上偏转该电子束。

此外，自会聚型偏转轭已经可以使用由水平偏转线圈29a和29b和垂直偏转线圈31产生的不规则磁场在屏幕上会聚三束电子束，而不需要专用附加线路或装置。

也就是说，自会聚型偏转轭调整了垂直偏转线圈31和水平偏转线圈29a和29b的导线分布，为每部分(例如屏幕侧21，中间侧22和管颈侧23)产生了筒形或枕形磁场，根据三电子束位置，它们适宜有不同的偏转力，以及尽管电子束出发点和终点(即，荧光屏)之间的距离不同，仍会聚到相同点。因此，电子束能精确击中相应磷光体。

向水平偏转线圈29a与29b和垂直偏转线圈31传输电流，产生水平偏转磁场和垂直偏转磁场，由于水平/垂直偏转线圈产生了水平/垂直偏转磁场，这种情况下，很难向面板的整个表面偏转电子束。因此，高磁导率的铁氧体磁芯33被用来减少磁场反馈路径上的损耗，因此，增加了磁效率和磁力。

另一方面，如上所述，除用于在水平方向或垂直方向上偏转电子束的主偏转磁场之外，偏转轭在屏幕侧21和管颈侧23不必要地产生了泄漏磁场。泄漏磁场对人类可能有害。尤其是，范围在5Hz到2kHz的极低频率(ELF)或范围在2kHz到400kHz的超低频(VLF)的泄漏磁场对人类是非常有害的。因此，需要解决该问题的方法。

其中一个研究领域提倡减少电场长度，其中，偏转轭内靠近屏幕侧之末端的直径和倾斜角被增大以获得高偏转角，从而明显产生了泄漏磁场。

同样，为减少泄漏磁场，已经使用了利用位于座35的第一凸缘25上、下部分的消磁线圈37a和37b的方法，或增加靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端与靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端之间间隔的方法。

图2显示了用消磁线圈减少泄漏磁场的方法，图3是示意剖视图，显示了采用消磁线圈的偏转轭。如图3所示，因为除了用于在水平方向或垂直方向偏转电子束的主偏转磁场43之外，还在偏转轭屏幕侧(s)和管颈侧(n)内产生不必要的泄漏磁场45，因此，一对消磁线圈37a和37b被安装在座35的第一凸缘25的上、下部分上，从消磁线圈37a和37b所产生的消磁磁场47能抵销泄漏磁场45。如图4所示，消磁线圈37a和37b安装在水平偏转电路中。在水平偏转线圈29a与29b的屏幕侧上产生了泄漏磁场45，由于消磁电流流经消磁线圈37a和37b而产生了反方向的消磁磁场，从而抵销了泄漏磁场。

然而，现有偏转轭有以下缺点：

第一，如图4中的电路图所示，消磁线圈37a和37b的电感值被串联增加到水平偏转线圈29a和29b的电感值中，因此，水平偏转线圈29a与29b的电感值必须被减少以保持恒定的电感值。当该水平偏转线圈29a与29b的电感值减少时，水平偏转灵敏度会降低。此外，水平偏转灵敏度的降低导致了屏幕尺寸的减少。为使屏幕尺寸与灵敏度降低前的屏幕尺寸一致，则必须增加水平偏转线圈的水平偏转电流。然而，增加水平偏转电流会使偏转轭内发热性能恶化，因此，降低了偏转轭的品质。

第二，如图5所示，当消磁线圈被用来减少泄漏磁场时，在屏幕48上产生了颤动(ringing)49。也就是说，由于缠绕在一对消磁线圈37a和37b上的线圈之间存在杂散电容，充电电流在水平偏转电流反馈时间内被放电，所以在该屏幕48的左边产生了颤动49。如图4所示，电阻器R、电容器C和水平偏转线圈连在一起，其目的在于消除颤动。然而，上述方法增加了偏转轭的价格，并使印刷电路板上诸如电阻器和电容器等元件的安装工作复杂化。

第三，当消磁线圈37a和37b的引出线41与水平偏转线圈29a和29b相连接时，实现了引出线41。因此，必须提供绝缘管以防止引出线41和水平偏转线圈29a和29b之间出现火花，必须把用于连接附加引出线的接线端插入到用于连接水平偏转线圈29a和29b的接线板39中。因此，增加了需要运行的元件的数目，从而降低了其效率和生产率。

第四，必须预备和安装消磁线圈37a和37b。也就是说，使用由注射材料形成的芯轴缠绕和安装消磁线圈37a和37b。因此，必须单独生产注入型消磁线圈架。既然单独生产该消磁线圈架，所以需要生产模具(因此产生出额外费用)。此外，需要根据图像显示设备的改进或样式的变化而改变消磁线圈的规格，因此，必须使用新模具生产、缠绕和安装消磁线圈架。

另一方面，当采用增加靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端和靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端之间的间隔的方法来减少泄漏磁场时，其间隔的应用范围非常有限。此外，当高偏转角超过100°时，明显增加了泄漏磁场。因此，该间隔不能完全抵销泄漏磁场。

最近，已对含有减少的电场的阴极射线管积极地进行了研究。已经确认，要减少阴极射线管的电场，偏转轭就要有较高的偏转角(监视器内大于110°)。然而，增加偏转角就会降低偏转轭的偏转灵敏度，这会明显增加水平偏转线圈的泄漏磁场。为解决上述问题，已提出正交锥形偏转轭(RAC)。该RAC偏转轭获得了在高偏转角的稳定的偏转灵敏度，但是没能改善如下所述的泄漏磁场的性能：

水平偏转线圈内产生的水平偏转磁场由并合磁场组成，该并合磁场包含水平偏转线圈本身产生的磁场和由于水平偏转线圈产生磁场而引起铁氧体磁芯的磁化而产生的磁场。尤其是，在铁氧体磁芯的内表面上易发生由铁氧体磁芯产生的磁场，并经铁氧体磁芯体传递，对铁氧体磁芯的内表面垂直释放。因此，所产生经由水平偏转线圈的屏幕侧的泄漏磁场根据铁氧体磁芯内表面的倾斜角或直径的变化而灵敏地增加或减少。然而，当偏转轭内偏转角被增大到能获得高偏转角时，用在偏转轭内铁氧体磁芯的内表面的直径被明显增大以致产生泄漏磁场。因此，在高偏转角时很难减少泄漏磁场。

一般而言，测量装置被单独安装在距阴极射线管面板500mm的地方，其目的在于测量泄漏磁场。根据国际标准，当传输频率为15.75khz的电流时，产生的泄漏磁场低于25nT。

然而，由于减少了电场，所以减少了偏转轭和测量装置之间的距离。泄漏磁场与该距离成反比，因此，这更加增加了泄漏磁场。例如：就该偏转轭有大于110。的偏转角而言，该泄漏磁场在80到100nT范围内变化。

如上所述，很难在通常的偏转轭和用于得到高偏转角的偏转轭内减少泄漏磁场。

发明内容

本发明目的在于至少解决上述问题和/或缺点，并至少提供以下描述的优点。

因此，本发明的一个目的在于提供一种带有偏转轭的阴极射线管，该偏转轭可以不使用专用辅助工具，例如消磁线圈，而有效减少泄漏磁场。

本发明的另一个目的在于提供一种带有偏转轭的阴极射线管，该线圈可以防止水平偏转灵敏度的降低，也可克服由于消磁线圈引起的偏转轭的发热性能的劣化。

本发明的另一个目的在于提供一种带有偏转轭的阴极射线管，该偏转轭可以减少在高偏转角时的铁氧体磁芯产生的泄漏磁场。

通过提供一种阴极射线管而实现本发明的这些和其他目的以及优点，其中，在偏转轭中，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端直径是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端直径的50％到85％；在靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔是在管轴方向水平偏转线圈长度的27％到50％。

阴极射线管有大于110°的偏转角。

根据本发明的另一个方面，提供了一种TPS类型的阴极射线管，在偏转轭中，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端直径是靠近屏幕侧的行偏转轭末端直径的50％到85％；在靠近屏幕侧的行偏转轭的末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔是在管轴方向的行偏转轭长度的27％到50％。

本发明的另外的优点，目的和特征将在下文中得到部分阐明，且很显然本领域的技术人员通过阅读下文或实践本发明可部分理解本发明。如所附权利要求中所特别指出地那样，可以实现和获得本发明的目的和优点。

附图说明

下文将参考附图来详细描述本发明，其中，相同标号指代相同部件：

图1是结构视图，显示了一种普通阴极射线管；

图2是结构视图，显示了一种现有偏转轭；

图3是视图，显示了在现有偏转轭中产生的磁场图样。

图4是电路视图，显示了安装在现有偏转轭中的水平偏转线圈和消磁线圈；

图5显示了由于消磁线圈导致产生的颤动；

图6是示意结构视图，显示了根据本发明的偏转轭；

图7显示了根据本发明的优选实施例，偏转轭内的铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间位置关系；

图8显示了根据本发明的优选实施例的直径和间隔；

图9显示了根据本发明的优选实施例在偏转轭内产生的磁场图样；以及

图10是视图，显示了根据本发明的另一优选实施例在偏转轭内使用了交叉扫描方法的铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间位置关系。

优选实施例说明

根据附图将如下详细说明本发明的优选实施例。

[实施例1]

图6是示意结构视图，显示了根据本发明的偏转轭。如图6所示，偏转轭包含在屏幕侧的水平偏转线圈51，和在屏幕侧(s)和管颈侧(n)之间的铁氧体磁芯57。这里，座55是为使水平偏转线圈51和铁氧体磁芯57绝缘而被安装在两者之间的，垂直偏转线圈53被安装在座55和铁氧体磁芯57之间。因此，在偏转轭内部的元件排列的顺序是水平偏转线圈51、座55、垂直偏转线圈53和铁氧体磁芯57。偏转轭更适宜减少靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径和减少铁氧体磁芯在管轴方向的长度。

当铁氧体磁芯57固定在座55外表面上时，铁氧体磁芯管颈侧的末端的安装位置类似现有技术。因为在管轴方向减少了铁氧体磁芯的长度，所以增加了靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端与靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔。

如图6所示，偏转轭没有采用使屏幕侧内的泄漏磁场减少的专用辅助工具(例如，现有技术中的消磁线圈)。也就是说，所产生的磁场垂直于铁氧体磁芯的内表面，且该泄漏磁场对铁氧体磁芯的内表面的直径或倾斜角敏感。因此，本发明不使用消磁线圈，而通过减少直径和增加在屏幕的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔来减少泄漏磁场。

图7A和图7B是视图，显示了根据本发明的优选实施例偏转轭内铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间的位置关系。也就是说，图7A显示了根据本发明偏转轭内铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间的位置关系，以及图7B显示了在现有偏转轭内铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间的位置关系。

如图7A所示，在偏转轭内，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’的直径Rc是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端63’的直径Rh的50％到85％；在靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’之间的间隔Ld是水平偏转线圈在管轴方向Z长度Lh的27％到50％。

这里，同现有技术相比，可以认为靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’的直径Rh没有变化。也就是说，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’的直径Rc是可调的。更适宜减少靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’的直径Rc。

此外，同现有技术相比，可以认为水平偏转线圈在管轴方向Z的长度Lh没有变化。也就是说，在靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔是可调的。更适宜增加靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’之间的间隔。

如图7A和图7B所示，本发明的靠近偏转轭的屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’的直径Rc小于普通靠近偏转轭的屏幕侧的铁氧体磁芯末端63’直径Rc；以及在靠近本发明的偏转轭的屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近其屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’之间的间隔Ld大于靠近普通偏转轭的屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近它的屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’之间的间隔Ld’。

如上所述，不使用消磁线圈，确定适当的比值Rc/Rh和/或比值Ld/Lh即可显著减少靠近屏幕侧的泄漏磁场，其中，比值Rc/Rh是靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’的直径Rc与靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’的直径Rh的比值；比值Ld/Lh是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端61’和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端63’之间的间隔Ld与水平偏转线圈在管轴方向正的长度Lh的比值。

图8A和图8B显示了本发明偏转轭和现有偏转轭内的铁氧体磁芯和水平偏转线圈的位置。图8A显示了靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc。图8B显示了靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld。

如图8A所示，在现有偏转轭中，对于15、17和19英寸的监视器，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc与靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径Rh的比值Rc/Rh是0.886(RAC)，0.9(Normal)和0.09931(RTC)。然而，本发明的偏转轭占用了从0.5到0.85的范围。如图8A所示，本发明偏转轭的比值Rc/Rh比现有偏转轭的小，该比值Rc/Rh是靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc与靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径Rh的比值。这意味着靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc比现有铁氧体磁芯之末端的直径小。

如图8B所示，本发明偏转轭增大了大于现有偏转轭的比值Ld/Lh，该比值Ld/Lh是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld与水平偏转线圈在管轴方向Z上的长度Lh之间的比值。这意味着本发明偏转轭增加了靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯末端之间的间隔Ld。

如上所述，本发明的偏转轭减少了靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径，同时增加了靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔。

图9A和图9B分别显示了本发明偏转轭内泄漏磁场图样和现有偏转轭内泄漏磁场图样。图9A显示了本发明泄漏磁场图样，以及图9B显示了现有泄漏磁场图样。

如上所述，偏转轭内产生的泄漏磁场69对铁氧体磁芯之末端的直径Rc和倾斜角敏感。因此，在本发明偏转轭中，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径Rh的50％到85％；靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld是水平偏转线圈在管轴线方向Z上的长度Lh的27％到50％。

因此，本发明的偏转轭的泄漏磁场(图9A)远少于现有偏转轭的磁场漏磁(图9B)。

如图9A和图9B所示，偏转轭内产生的泄漏磁场包含屏幕侧产生的主偏转磁场的泄漏磁场和管颈侧产生的主偏转领域的泄漏磁场。这里，一般固定在阴极射线管内的屏蔽壳抵销管颈侧产生的泄漏磁场。也就是说，偏转轭内产生的泄漏磁场被传给了屏蔽壳，并且屏蔽壳通过产生相反磁场来抵销泄漏磁场。然而，在现有技术中，屏幕侧内产生的泄漏磁场必须在偏转轭内减少，或通过使用用于抵销泄漏磁场的专用辅助工具即消磁线圈来抵消该泄漏磁场。

本发明减少了靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc，增加了靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld，从而抵销了屏幕侧产生的泄漏磁场。

一般而言，所产生的磁场垂直于铁氧体磁芯的内表面。因此，象本发明这样，当减少铁氧体磁芯之末端的直径和使铁氧体磁芯远离水平偏转线圈时，不使用消磁线圈就可充分地抵销泄漏磁场。

根据实验结果而设计铁氧体磁芯，这样靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc可以是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端直径的50％到85％。当靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc低于靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径的50％时，电子束冲击颈(BSN)的性能恶化。反之，在现有技术中当靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc大于靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端直径的85％时，很难减少泄漏磁场。

此外，铁氧体磁芯被固定在偏转轭上，因此，靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld可以是水平偏转线圈在管轴方向Z的长度Lh的27％到50％。

在现有技术中，当靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld低于水平偏转线圈在管轴方向Z的长度Lh的27％时，很难减少泄漏磁场。在相反的情况中，BSN性能恶化。

本发明偏转轭可以应用于交叉扫描(TPS)类型，下面将用实施例2解释。

[实施例2]

在本发明(图10A)和现有技术(图10B)中显示了已采用TPS的偏转轭内的铁氧体磁芯和水平偏转线圈之间的位置关系。使用TPS的偏转轭与图7A和图7B的偏转轭有相同的概念和原理。

根据用于普通CRT的扫描法，如果从屏幕上观看，电子枪发出的电子束从左向右扫描以配置屏幕。然而，根据用于TPS型CRT的扫描法，如果从屏幕观看，电子枪发出的电子束自上而下或自下而上扫描以配置屏幕。简而言之，用于TPS型CRT的扫描法，与常规扫描法不同，是靠旋转90度的电子束扫描。因此，与普通CRT的电子枪的电子束阵列相比，TPS型CRT的电子枪的电子束阵列平行位于电视屏幕的垂直方向上，被旋转了90度。因此，偏转轭也同样被旋转90度。也就是说，图7A的水平偏转线圈位于玻壳单元的上边和下边，垂直偏转线圈位于玻壳单元的右边和左边。为防止与用于TPS的偏转轭的术语混淆，图7A的水平偏转线圈和垂直偏转线圈分别被称作行偏转轭和帧偏转轭。

如上所述，如图10A所示，确定了靠近采用TPS的偏转轭的屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc和靠近屏幕侧的行偏转轭之末端与靠近屏幕侧铁氧体磁芯之末端之间的间隔Ld的最佳容许范围。

也就是说，靠近屏幕侧(s)的铁氧体磁芯57之末端75的直径Rc是靠近屏幕侧(s)的行偏转轭71之末端73的直径Rh的50％到85％，靠近屏幕侧(s)的行偏转轭71之末端73和靠近屏幕侧(s)的铁氧体磁芯57之末端75之间的间隔Ld是行偏转轭71在管轴方向Z的长度Lh的27％到50％。

本发明还可以应用于大于110°高偏转角的偏转轭中，现在将用

实施例3来解释。

[实施例3]

实施例3大于110°高偏转角的偏转轭与图7A和图7B的偏转轭有相同的原理。

如图7A和图7B所示，也就是说，在大于110°高偏转角的偏转轭中，靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔是水平偏转线圈在管轴方向的长度Lh的27％到50％。

此外，在大于110°高偏转角的偏转轭中，靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径Rc是靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径的50％到85％。

通过使用如表1所示的条件范围来测量泄漏磁场，该泄漏磁场低于20nT。

表1

项目	120°偏转角
		Lh	60mm
Rh	46mm
		Lc	32mm
Rc	35mm
		Ld	21mm
Ld/Lh	0.34
		Rc/Rh	0.77

这里，Lh表示水平偏转线圈在管轴方向的长度，Rh表示靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端的直径，Lc表示铁氧体磁芯在管轴方向的长度，Rc表示靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端的直径，以及Ld表示靠近屏幕侧的水平偏转线圈之末端和靠近屏幕侧的铁氧体磁芯之末端之间的间隔。

如上所述，根据本发明，阴极射线管可以不使用普通消磁线圈而有效地减少泄漏磁场。因此，本发明防止水平偏转灵敏度的降低，防止发热性能的恶化，防止由于采用普通消磁线圈而造成的元件单位价格的增加。

此外，该阴极射线管可明显减少泄漏磁场，使大于110°高偏转角的偏转轭内泄漏磁场低于20nT。阴极射线管也被应用到TPS方法，相应增加其应用范围。

上述的实施例和优点仅仅是示例性的，并不对本发明构成限制。本发明可以容易地应用于其它类型的装置。本发明的说明书是用于进行说明，不限制权利要求的范围。对于本领域的技术人员，很显然可以有很多的替换、改进和变化。

Claims (3)

1.一种阴极射线管，其包括：具有荧光屏的面板、连接到面板后表面的玻壳、从玻壳后部发射电子束的电子枪、用于在水平和垂直方向偏转电子枪所发出的电子束的水平偏转线圈和垂直偏转线圈，以及包含铁氧体磁芯的偏转轭，所述铁氧体磁芯通过减少水平偏转线圈和垂直偏转线圈所产生的水平和垂直偏转磁场的磁力损失而提高磁效率，

其中，在偏转轭中，铁氧体磁芯靠近屏幕侧之末端的直径是水平偏转线圈靠近屏幕侧之末端的直径的50％到85％，水平偏转线圈靠近屏幕侧之末端和铁氧体磁芯靠近屏幕侧之末端之间的间隔是水平偏转线圈在管轴方向上长度的27％到50％。

2.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中，该阴极射线管的偏转角大于110°。

3.根据权利要求1所述的阴极射线管，其中所述阴极射线管为TPS型阴极射线管，所述水平偏转线圈和所述垂直偏转线圈分别为行偏转轭和帧偏转轭。

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