CN1664975A - 用于投射式显像管的偏转器件及投射式显像管装置 - Google Patents
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Abstract
一种用于投射式显像管的偏转器件(24)包括用于产生光栅的主偏转器件(25)和用于校正会聚的辅偏转器件(29)。辅偏转器件(29)包括螺旋形辅水平线圈(30),鞍形辅垂直线圈(31),和铁氧体磁芯(32)。根据这种结构,在减少束斑形状变化的同时,提高偏转效率,有效校正上部和下部的枕形失真。
Description
发明领域
本发明涉及用于投射式显像管的偏转器件,以及配置有该偏转器件的投射式显像管装置。
技术背景
近来,为满足增大屏幕和降低价格的市场需求,一种投射式电视被广泛使用。图1为示出该投射式电视结构的示意图。该投射式电视包括投射式显像管装置1至3,分别对应红、绿、蓝三种颜色,同时投射式显像管装置1至3分别配置有一个偏转器件4。各个颜色的投射式显像管装置1至3产生的光栅投射到屏幕5上,由此形成彩色图像。
图2为用于投射式电视的每一个投射式显像管装置1至3上配置的偏转器件4的侧视图。产生光栅的主偏转器件6包括主水平线圈43,主垂直线圈7,和主磁芯8。在主偏转器件6的颈部一侧,配有辅偏转器件9用于校正投射式电视的屏幕5发生的光栅偏移(失聚),由于在分别为红、绿、蓝三色的投射式显像管装置(图1中投射式显像管装置1至3)并入投射式电视时的误差,而产生该光栅偏移。
图3为辅偏转器件9的前视图。在这里,定义一个XYZ直角坐标系,其中带有主偏转器件6的投射式显像管装置(图1中投射式显像管装置1至3)的显像管轴为Z轴,与Z轴正交的水平轴为X轴,与Z轴和X轴正交的垂直轴为Y轴。辅偏转器件9包括辅磁芯10,辅水平线圈11,和辅垂直线圈12组成。辅水平线圈11在辅磁芯10上与X轴相交的位置附近缠绕成螺旋形,辅垂直线圈12在辅磁芯10上与Y轴相交的位置附近缠绕成螺旋形。向具有这种结构的辅偏转器件9提供一个适当的电流,由此校正会聚,以使在投射式电视的屏幕(图1中的屏幕5)上获得没有任何色偏(color-displacement)的合适的彩色图像。
如图4A所示,在螺旋形辅偏转线圈的情况下,例如,主偏转器件6的主水平线圈43的偏转磁场13和辅水平线圈11相连结,由此在辅水平线圈11的末端之间产生的感生电压Vt的脉冲形状为周期与水平周期相同,如图4B所示。因而,为了适当地校正会聚,要求具有一个消除感生电压Vt的高压作为辅偏转器件的驱动电压,而该高压增大了功耗。
另外,如图5所示,辅水平线圈11和辅垂直线圈12缠绕成螺旋形。因此,辅磁芯10外侧存在的绕组产生的磁场成为了对偏转没有贡献的漏磁场14,导致偏转效率较低。
JP 2002-330446A公开了一种解决上述问题的偏转器件。图6A为JP 2002-330446A的辅偏转器件19的前视图,图6B为其侧视图。辅偏转器件19包括鞍形辅水平线圈15,鞍形辅垂直线圈16,和辅磁芯17。辅水平线圈15和辅垂直线圈16分别产生辅水平磁场18和辅垂直磁场20。该辅水平线圈15是鞍形的。因此,例如,主偏转器件6的主水平线圈43的偏转磁场13的磁通量较小,该磁通量与辅水平线圈15互连。因此,在辅水平线圈15的末端之间产生的感生电压Vs小于感生电压Vt,以使得可以降低功耗。
图7为沿图6B中VII-VII线得到的横截面图。辅偏转器件19相对XZ平面和YZ平面对称。因此,图7只示出了第一象限。辅水平线圈15和辅垂直线圈16皆为鞍形,且它们的绕组缠绕在辅磁芯17的内部,以使其偏转效率高于螺旋形线圈的偏转效率。
在上述JP 2002-330446A的偏转器件中,辅水平线圈15和辅垂直线圈16皆为鞍形,尽管可以通过降低主偏转线圈产生的主偏转磁场引起的感生电压来降低功耗,但对比辅水平线圈11和辅垂直线圈12皆为螺旋形的偏转器件,仍存在一个问题:降低功耗的效果不够充分。以下,将要参考图7和图8描述这一原因。
图8为示出沿X轴度量辅水平线圈15产生的辅水平磁场18的Y轴方向分量By得到的结果的曲线图。如图8所示,当X=0时Y轴方向分量By为最大值,并从X=0(也就是Y轴)处随距离而减小。磁场21具有通常被称为桶形的强度分布。如图7所示,当辅水平线圈15的绕组角θH大于30°且小于90°时,辅水平磁场成为桶形磁场。这里,绕组角θH定义为XY平面上,由X轴和一条穿过Z轴的直线和辅水平线圈15在相对Z轴的圆周方向上的中点形成的角,其存在于由XZ平面和YZ平面分割的每个象限中。辅水平线圈15的偏转效率最大时的绕组角θH为0°。随着绕组角θH的增大,偏转效率降低,当θH=90°时为最小。
上面已经描述了辅水平线圈15。上述描述同样适用于辅垂直线圈16。辅垂直线圈16的绕组角θV定义为XY平面上,由Y轴和一条穿过Z轴的直线和辅垂直线圈16在相对Z轴的圆周方向上的中点形成的角,其存在于由XZ平面和YZ平面分割的每个象限中。
正如从图7了解到的,在JP 2002-330446A的偏转器件中,辅水平线圈15和辅垂直线圈16各自的内径DH和DV相同,为防止辅水平线圈15和辅垂直线圈16互相干扰,其各自的绕组角θH和θV不得不设定为大于30°。因此,辅水平线圈15和辅垂直线圈16产生的磁场均成为桶形磁场。因而,在JP 2002-330446A的偏转器件中,偏转效率较低,且尽管可以通过使辅水平线圈15和辅垂直线圈16成为鞍形,来减小主水平线圈43的偏转磁场13产生的感生电压Vs,但总体上功耗也不能充分降低。
另外,如图9所示,通过使鞍形辅水平线圈15的内径DH不同于鞍形辅垂直线圈16的内径DV,绕组角θH和θV可以适当地被设定为某一确定值。然而,在此情况下,需要将辅水平线圈15,辅垂直线圈16,和辅磁芯17从Z轴向外依次设置,这增大了辅垂直线圈16和辅磁芯17的内径,并增加了辅垂直线圈16和辅磁芯17与电子束间的距离,也导致偏转效率降低。
另外,通常,在使用投射式电视的情况下,辅偏转器件具有较正在屏幕上部和下部的枕形失真的功能,同时具有校正会聚的功能。校正在屏幕上部和下部的枕形失真所要求的功率要显著大于校正会聚过程中的功耗。因而,为有效降低投射式电视的功耗,提高用于偏转的辅垂直线圈的偏转效率是很重要的,尤其是在辅偏转器件的垂直方向上。
另外,在JP 2002-330446A的偏转器件中,如上所述,辅水平磁场和辅垂直磁场皆为桶形磁场。因此,在辅偏转器件工作时,电子束在屏幕圆周区域的斑点形状会发生变化。图10示出屏幕第一象限的斑点。首先,将要描述X轴上的电子束22。辅水平磁场为桶形,所以作用于接近Y轴的电子束22的电子22a上的洛伦兹力Fa,大于作用于远离Y轴的电子束22的电子22b上的洛伦兹力Fb。因此,电子束22具有虚线23表示的垂直朝向的形状,使得图像质量降低。由于上述的同样原因,因为桶形辅垂直磁场,Y轴上的电子束22’具有虚线23’表示的水平朝向的形状。因此,电子束的横截面形状依赖辅偏转器件的工作程度而变,在大量生产的偏转器件中存在很大的变化。
发明内容
因此,根据上述思路,本发明的一个目标是提供一种能够提高偏转效率的偏转器件,并且在减小斑点形状变化的同时,能够有效校正在上部和下部的枕形失真,并提供一种配置有该偏转器件的投射式显像管装置。
用于本发明中投射式显像管的偏转器件包括一个用于产生光栅的主偏转器件和一个用于校正会聚的辅偏转器件。辅偏转器件包括辅水平线圈,辅垂直线圈和铁氧体磁芯。用于投射式显像管的第一偏转器件中,辅水平线圈是螺旋形线圈,辅垂直线圈是鞍形线圈。用于投射式显像管的第二偏转器件中,辅水平线圈是鞍形线圈,而辅垂直线圈是螺旋形线圈。
本发明的投射式显像管装置包括上述用于本发明投射式显像管的第一或第二偏转器件。
对于本领域技术人员来说,在参考附图参阅和理解如下详细描述的基础上,本发明的这些优点和其他优点将变得很明显
附图简述
图1为示出常规投射式电视结构的示意图;
图2为用于常规投射式电视的偏转器件的侧视图;
图3为常规辅偏转器件的前视图;
图4A为示出主水平磁场作用于常规辅偏转器件的状态的示意图,图4B为示出由于主水平磁场而产生于辅水平线圈末端间的电压的波形图;
图5为示出常规辅偏转器件工作过程中产生的磁场的示图;
图6A为另一常规辅偏转器件的前视图,图6B为其侧视图;
图7为沿图6B中VII-VII线得到的横截面图;
图8为示出沿X轴度量鞍形辅水平线圈产生的辅水平磁场的Y轴方向分量By得到的结果的曲线图;
图9为示出常规辅偏转器件修正例子的横截面图;
图10为示出常规偏转器件中,桶形辅水平磁场和桶形辅垂直磁场对束斑形状的影响的示意图;
图11为根据本发明一个实施例的投射式显像管装置的侧视图;
图12为根据本发明一个实施例的偏转器件的侧视图;
图13为根据本发明偏转器件的一个实施例的辅偏转器件的透视图;
图14为根据本发明偏转器件的一个实施例的辅偏转器件的横截面图;
图15为示出根据本发明一个实施例的辅偏转器件的辅垂直线圈的跨接部分(cross-over portion)以及从其中产生的磁场的示意图。
发明详述
根据用于本发明的投射式显像管的偏转器件,辅水平线圈和辅垂直线圈之一为螺旋形线圈,其中另一个为鞍形线圈。因此,对比常规例子,它可以提高偏转效率,以及可以校正在上部和下部的枕形失真,而在辅偏转器件的工作过程中,可以减小斑点形状的变化。
另外,本发明的投射式显像管装置具有用于本发明的投射式显像管的偏转器件,使得可以获得具有较低功耗和较少的图像质量变化的投射式显像管装置。
根据本发明,定义一个XYZ直角坐标系,带有主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与Z轴正交的水平轴为X轴,与Z轴和X轴正交的垂直轴为Y轴。
在用于本发明的投射式显像管的第一偏转器件中,优选的是,在包括X轴和Y轴的XY平面中,辅水平线圈位于穿过Z轴并与X轴成30°角的直线上或其附近,与Z轴平行的辅垂直线圈的对偏转有贡献的部分位于穿过Z轴并与Y轴成30°角的直线上或其附近。在用于本发明的投射式显像管的第二偏转器件中,优选的是,在包括X轴和Y轴的XY平面中,与Z轴平行的辅水平线圈的对偏转有贡献的部分位于穿过Z轴并与X轴成30°角的直线上或其附近,且辅垂直线圈位于穿过Z轴并与Y轴成30°角的直线上或其附近。根据这些优选结构,在辅偏转器件的工作过程中,束斑形状的变形可以进一步减小。在本发明中,上述“形成30°角的直线附近”是指优选范围为30°±7.5°,更优选地范围为30°±5°。
在用于本发明的投射式显像管的第一偏转器件中,优选的是,基本平行于XY平面的辅垂直线圈的跨接部分在Z轴方向相对铁氧体磁芯突出,而跨接部分和平行于Z轴的辅垂直线圈对偏转有贡献的部分位于相对于Z轴共同的一个虚拟圆柱形表面上。根据这种优选结构,可以在不减少辅垂直线圈的绕组数的情况下降低辅垂直线圈的自感应。另外,在用于本发明的投射式显像管的第二偏转器件中,优选的是,基本平行于XY平面的辅水平线圈的跨接部分在Z轴方向相对铁氧体磁芯突出,而跨接部分和平行于Z轴的辅水平线圈对偏转有贡献的部分位于相对于Z轴共同的虚拟圆柱形表面上。根据这种优选结构,可以在不减少辅水平线圈的绕组数的情况下降低辅水平线圈的自感应。因而,在任一结构中,可以进一步减小投射式显像管装置的功耗。
在用于本发明的投射式显像管的第一偏转器件中,优选的是,突出部分形成于铁氧体磁芯的内圆周表面上,在突出部分顶部的铁氧体磁芯的内径小于辅垂直线圈的外径。根据这种优选结构,可以减小辅水平线圈的有效内径。另外,在用于本发明的投射式显像管的第二偏转器件中,优选的是,突出部分形成于铁氧体磁芯的内圆周表面上,在突出部分顶部的铁氧体磁芯的内径小于辅水平线圈的外径。根据这种优选结构,可以减小辅垂直线圈的有效内径。因而,在任一结构中,可以进一步提高偏转效率。
在用于本发明的投射式显像管的第一偏转器件中,优选的是,辅水平线圈包括多个螺旋形绕组,其位于关于XZ平面和YZ平面对称的多个部分中,其中XZ平面包括X轴和Z轴、YZ平面包括Y轴和Z轴,且该辅垂直线圈包括一对位于YZ平面两侧的鞍形绕组。在此情况下,优选的是,在铁氧体磁芯的内圆周表面,突出部分形成于一个区域中,该区域不包括多个螺旋形绕组所处的部分,以及一对鞍形绕组中平行于Z轴的两对对偏转有贡献的部分所处的部分。另外,假设用于辅水平线圈的、螺旋形绕组所处的铁氧体磁芯的凹陷部分内径为DH1,用于辅垂直线圈的、对偏转起贡献的部分所处的铁氧体磁芯的凹陷部分内径为DV1,在突出部分顶部的铁氧体磁芯内径为DP,优选为满足关系式:DH1>DV1>DP。另外,假设,在XZ平面的一侧,由穿过Z轴的两条直线形成的角为θS,这两条直线的末端位于辅水平线圈的一对凹陷部分在Y轴的一侧,这一对凹陷部分位于关于YZ平面的两侧,内径DP的单位为mm,角度θS的单位为°,优选为满足关系式:2.6<θS/DP<3.35。在这种优选结构中,提高了辅水平线圈的偏转效率,并且可以降低功耗。
另外,在用于本发明的投射式显像管的第二偏转器件中,优选的是,辅垂直线圈包括多个螺旋形绕组,其位于关于XZ平面和YZ平面对称的多个部分中,其中XZ平面包括X轴和Z轴、YZ平面包括Y轴和Z轴,而辅水平线圈包括一对位于XZ平面两侧的鞍形绕组。在此情况下,优选的是,在铁氧体磁芯的内圆周表面,突出部分形成于一个区域中,该区域不包括多个螺旋形绕组所处的部分,以及一对鞍形绕组之中平行于Z轴的两对对偏转有贡献的部分所处的部分。另外,假设用于辅垂直线圈的、螺旋形绕组所处的铁氧体磁芯的凹陷部分内径为DV1,用于辅水平线圈的、对偏转有贡献的部分所处的铁氧体磁芯的凹陷部分内径为DH1,在突出部分顶部的铁氧体磁芯内径为DP,优选为满足关系式:DV1>DH1>DP。另外,假设,在YZ平面的一侧,由穿过Z轴的两条直线形成的角为θS,这两条直线的末端位于辅垂直线圈的一对凹陷部分在X轴的一侧,这一对凹陷部分位于XZ平面的两边,内径DP的单位为mm,角度θS的单位为°,优选为满足关系式:2.6<θS/DP<3.35。在这种优选结构中,提高了辅水平线圈的偏转效率,并且可以降低功耗。
以下,将要参考附图通过说明性的实施例描述本发明。
第一实施例
首先,将要参考图11描述本发明的投射式显像管装置的一个实施例。如图11所示,本实施例的投射式显像管装置51包括一个真空外壳,包括带有基本上为矩形屏幕显示部分42的玻璃面板44,和面板44相连的斗状玻璃玻锥45,由玻璃制作、和玻锥45相连的圆柱形颈部46。在外壳的外圆周表面从颈部46延伸到玻锥45,装有偏转器件24。玻锥45具有一个较小直径部分(所谓轭部47),从相对颈部46的连接位置延伸到装有偏转器件24的区域。在颈部46中,具有电子枪49用于发射电子束48。利用偏转器件24产生的水平和垂直偏转磁场,使电子束48在水平和垂直方向偏转,并在水平和垂直方向扫描屏幕50,由此在屏幕50上显示图像。
图12为根据本发明一个实施例的偏转器件24的侧视图。偏转器件24由主偏转器件25和设置在主偏转器件25颈部一侧的辅偏转器件29构成,在主偏转器件25中,主水平线圈26、主垂直线圈27、和主磁芯28从显像管轴向外依次排放。
图13为辅偏转器件29的透视图。辅偏转器件29包括辅水平线圈30、辅垂直线圈31、和辅磁芯32。辅水平线圈30的绕组绕辅磁芯32以螺旋形缠绕,而辅垂直线圈31的绕组以鞍形缠绕。尽管图13中,辅垂直线圈31以薄片的简化形式显示,但辅垂直线圈31实际是大约20圈的鞍形线圈。
螺旋形辅水平线圈30在四个部分缠绕,以使其能够关于XZ平面和YZ平面对称。在XY平面,辅水平线圈30的绕组角θH,定义为由X轴和一条穿过Z轴的直线和每个辅水平线圈30在相对Z轴的圆周方向上存在区域的中点所形成的角,约为30°。
在相对辅磁芯32的Z轴一侧,放置一对鞍形辅垂直线圈31以使其关于YZ平面对称,并位于YZ平面的两侧。辅垂直线圈31包括一对绕组基本平行于Z轴的对偏转有贡献的部分33,以及具有平行于XY平面的绕组的跨接部分34a和34b,该部分相对于Z轴以弧形放置。在XY平面上,辅垂直线圈31的绕组角θV由Y轴和一条穿过Z轴的直线和对偏转有贡献的部分33在相对Z轴的圆周方向上存在区域的中点所形成的角,约为30°。
利用上述结构,可以降低辅偏转器件的功耗。将参考图13和14描述这一点。
根据本发明,将辅垂直线圈31设定为鞍形。因此,如图13所示,具有没有绕组存在的开口39,该开口被一对基本上平行于Z轴、对偏转有贡献的部分33包围,跨接部分34a位于面板一侧,而跨接部分34b位于颈部一侧,该跨接部分对偏转没有贡献。
图14为在平行于XY平面的平面上,辅偏转器件29的横截面图。如图14所示,辅水平线圈30插入开口39中。另外,在辅磁芯32的内圆周表面,不与辅垂直线圈31的对偏转有贡献的部分33和辅水平线圈30相对的区域沿Z轴突出,由此形成辅磁芯突出部分40。辅磁芯突出部分40也插入开口39中。假设辅垂直线圈31的对偏转有贡献的部分33的内径和外径分别为DV0和DV1,辅水平线圈30的内径为DH0,辅磁芯突出部分40顶部的辅磁芯32的内径为DP,DV0、DH0和DP基本上相等。因而,DP<DV1且DH0<DV1。这使辅垂直线圈31的对偏转有贡献的部分33和辅水平线圈30与电子束尽可能地接近。因此,可以提高辅垂直线圈31和辅水平线圈30的偏转效率。另外,通过在辅磁芯32的内圆周表面上提供辅磁芯突出部分40,使得辅磁芯32与电子束尽可能地接近,以使得进一步提高辅垂直线圈31和辅水平线圈30的偏转效率,其中辅磁芯突出部分40不与辅垂直线圈31和辅水平线圈30相互干扰。另外,辅垂直线圈31被设定为鞍形,并相对辅磁芯32位于Z轴一侧。因此,辅垂直线圈31的辅偏转磁场并未漏出辅磁芯32之外。因而,可以降低辅偏转器件29的总功耗。
根据辅偏转器件29,可以降低辅水平线圈30的功耗。以下将要描述这一点。
在辅磁芯32的内圆周表面,假设用于辅水平线圈的辅磁芯32的凹陷部分60的内径为DH1,辅水平线圈30的螺旋形绕组位于该凹陷部分内,并假设用于辅垂直线圈的辅磁芯32的凹陷部分61的内径(与上述对偏转有贡献的部分33的外径DV1相匹配)为DV1,辅垂直线圈31对偏转有贡献的部分33位于该凹陷部分内,这些直径和辅磁芯突出部分40顶部的辅磁芯32的内径DP满足关系式:DH1>DV1>DP。更具体地说,对比用于辅水平线圈的凹陷部分60的底面,用于辅垂直线圈的凹陷部分61的底面比用于辅水平线圈的凹陷部分60更接近于Y轴,且辅磁芯突出部分40的顶部更接近于Z轴。因此,总体上,辅磁芯32的内圆周表面在Y轴及其附近与电子束接近,从而加强了基本上沿Y轴的辅水平偏转磁场的作用。因此,提高了辅水平线圈30的偏转效率,使得可以降低功耗。
另外,在相对XZ平面的一侧,角度θS定义为,由两条穿过Z轴的直线L1和L2形成,并且所述直线的末端60a位于一对凹陷部分60的Y轴一侧,凹陷部分60用于辅水平线圈并位于相对YZ平面的两侧。这里,角度θS是指在包括Y轴的区域内的两条交叉直线L1和L2形成的的角。假设角度θS的单位为°,在辅磁芯突出部分40顶部的辅磁芯32的内径DP的单位为mm,它们满足关系式:2.6<θS/DP<3.35。当θS/DP≥3.35时,也就是,θS相对较大,降低了辅水平线圈30的功耗;然而,在相对Z轴的圆周方向,可以放置辅水平线圈30的区域变窄。这使得在辅水平线圈30的绕组中,难以包括所需要的绕数。当θS/DP≤2.6时,也就是,θS相对较小,而且在相对Z轴的圆周方向,基本沿Y轴的辅水平偏转磁场从辅磁芯32的内圆周表面向Z轴一侧空间发射的区域变窄。这削弱了增强辅水平偏转磁场作用的效果,并减弱了降低功耗的效果。也就是说,在θS/DP的比率满足上述数值范围的情况下,可以提高辅水平线圈30的偏转效率,并降低功耗。
另外,根据辅偏转器件29,在工作过程中可以减少束斑形状的变化。将参考图14描述产生这一点的原因。当使得辅偏转电流流过辅垂直线圈31时,其中将相对Y轴的绕组角θV设定为大约30°,磁场产生于辅垂直线圈31的外围。磁场由穿过相对辅磁芯32的Z轴一侧空间的磁场35a和穿过辅磁芯32内部的磁场35b组成。穿过辅磁芯32内部的磁场35b向相对辅磁芯33远离辅垂直线圈31的位置的Z轴一侧空间发射。产生在辅垂直线圈31附近的磁场35a和辅磁芯32发出的磁场相结合,因而相对辅磁芯32在Z轴一侧的空间形成辅垂直偏转磁场36。磁场36基本上平行于X轴,其在Y轴方向的强度分布也基本上均匀。因此,磁场36施加在构成电子束37的电子上的洛伦兹力是相同的,与XY截面中电子的位置无关。因而,与辅垂直线圈31的作用无关,电子束37的斑点形状一直基本为圆形。上面已经描述了辅垂直线圈31。关于辅水平线圈30,相对X轴的绕组角θH设定为大约30°,以使电子束37的斑点形状一直基本为圆形,与辅水平线圈30的作用无关。因而,根据辅偏转器件29,与工作程度(degree of operation)无关,斑点形状几乎不变化。
接着,将要参考图13和15描述辅垂直线圈31的跨接部分34a和34b与投射式电视机的功耗之间的关系。如图13所示,辅垂直线圈31的跨接部分34a和34b相对于辅磁芯32的端面32a在Z轴方向上突出,且跨接部分34a、34b和对偏转有贡献的部分33基本位于相对Z轴共同的虚拟圆柱形表面上。除了图13所示的配置之外,还可以弯曲跨接部分34a和34b使其远离Z轴。在此情况下,跨接部分34a和34b沿端面32a接近辅磁芯32的端面32a。然而,图13所示的配置为优选,因为这可以降低投射式电视机的功耗。这一点的原因如下。
如图13所示,在跨接部分34a、34b被允许相对端面32a在Z轴方向上突出的情况下,与跨接部分34a、34b沿端面32a弯曲的情况相比,跨接部分34a、34b被设置为远离辅磁芯32。因而,如图15所示,在从跨接部分34a和34b产生的磁场41中,被辅磁芯32吸收的磁通量的数目减少,并且与辅垂直线圈31相结合的磁通量减少。因而,可以减小辅垂直线圈31的自感应值。因为即使允许跨接部分34a和34b相对于端面32a在Z轴方向上突出,辅垂直线圈31的绕组数也不会改变,相对于电子束的磁动势也不变。施加给辅偏转器件29的辅偏转电流的频率很高(即数百KHz),而比起线圈的D.C.阻抗,功耗更依赖于自感应。通过如图13和15所示的方式配置跨接部分34a和34b,可以在不改变关于电子束的磁通势的情况下,减小自感应值,以使有效减小电视机的功耗指数LI2。
如上述实施例所示,沿Z轴观察,形成于辅磁芯32的内圆周表面的辅磁芯突出部分40,被设定为矩形(梯形)。然而,本发明不限于此,辅磁芯突出部分40的形状也可以为半球形。另外,也可以不形成辅磁芯突出部分40。在未形成辅磁芯突出部分40的情况下,尽管与形成有辅磁芯突出部分40的情况相比,降低功耗的效果减弱,然而辅磁芯32也可以具有简单的圆桶形状,以使得其成本降低。
在上述实施例的结构中,本发明的发明人通过制造一个对角线尺寸为7英寸的投射式显像管装置进行实验,其中螺旋形辅水平线圈30的绕组角θH和鞍形辅垂直线圈31的绕组角θV均设定为大约30°,辅磁芯32的最小内径DP设定为31mm。因此,发明人确定,对比常规例子,在几乎不影响束斑形状的情况下,可以降低大约25%的功耗。另外,当如图14所示的角θS设定为103°时,对比常规例子,关于辅水平线圈30的功耗指数LI2降低20.5%。
在以上实施例中,辅水平线圈30设定为螺旋形,而辅垂直线圈31设定为鞍形。然而,例如,在降低主水平磁场产生的感生电压优于提高辅垂直线圈的偏转效率的情况下,与投射式电视机厂商的要求相符,辅水平线圈可能设定为鞍形,而辅垂直线圈设定为螺旋形。通过参阅以上描述,可以很容易地理解这种情况下的结构和效果,紧记辅水平线圈设定为鞍形,而辅垂直线圈设定为螺旋形。因此,这里将省略其详细描述。在此情况下,尽管提高辅垂直线圈的偏转效率的效果减弱了,但可以降低辅水平线圈产生的感生电压。
本发明的应用领域不受特别限制。例如,本发明可以用于投射式电视的图像投影部分。
在不背离本发明的精神和必要特性的情况下,本发明可以其它形式实施。在所有方面,本申请公开的实施例可以被认为是说明性且非限制性的。通过附加的权利要求而不是上述描述来说明本发明的范围,并且意欲包括在等价于权利要求的内涵和范围内的所有改变。
Claims (12)
1.一种用于投射式显像管的偏转器件,包括一个用于产生光栅的主偏转器件和一个用于校正会聚的辅偏转器件,
其中该辅偏转器件包括辅水平线圈、辅垂直线圈、和铁氧体磁芯,以及
该辅水平线圈为螺旋形线圈,且该辅垂直线圈为鞍形线圈。
2.根据权利要求1所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,在包括该X轴和该Y轴的XY平面上,所述辅水平线圈位于穿过该Z轴且与该X轴形成30°角的直线上或在其附近,所述辅垂直线圈中平行于该Z轴的对偏转有贡献的部分位于穿过该Z轴且与该Y轴形成30°角的直线上或在其附近。
3.根据权利要求1所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,所述辅垂直线圈的基本上平行于XY平面的跨接部分相对所述铁氧体磁芯在该Z轴方向上突出,该辅垂直线圈跨接部分和平行于该Z轴的对偏转有贡献的部分位于相对Z轴的共同虚拟圆柱形表面上。
4.根据权利要求1所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中在所述铁氧体磁芯的内圆周表面形成一个突出部分,且该铁氧体磁芯的突出部分顶部的内径小于所述辅垂直线圈的外径。
5.根据权利要求1所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,
所述辅水平线圈包括多个螺旋形绕组,所述多个螺旋形绕组位于多个部分中,而所述多个部分相对于包括该X轴和该Z轴的XZ平面和包括该Y轴和该Z轴的YZ平面对称,
所述辅垂直线圈包括一对位于该YZ平面两侧的鞍形绕组,
在所述铁氧体磁芯的内圆周表面,突出部分形成在一个区域中,该区域不包括所述多个螺旋形绕组所处的部分、以及该对鞍形绕组中平行于Z轴的两对对偏转有贡献的部分所处的部分,
假设该螺旋形绕组所处的、用于辅水平线圈的铁氧体磁芯凹陷部分的内径为DH1,对偏转起贡献的部分所处的、用于该辅垂直线圈的该铁氧体磁芯凹陷部分的内径为DV1,且该铁氧体磁芯突出部分顶部的内径为DP,满足关系式:DH1>DV1>DP,以及
假设,在XZ平面的一侧,由两条穿过Z轴且各末端位于一对凹陷部分Y轴一侧的直线形成的角度为θS,而YZ平面两侧存在的该凹陷部分用于辅水平线圈,内径DP的单位为mm,角度θS的单位为°,其满足关系式:2.6<θS/DP<3.35。
6.一种投射式显像管装置,配置有权利要求1中所述的用于投射式显像管的偏转器件。
7.一种用于投射式显像管的偏转器件,包括一个用于产生光栅的主偏转器件和一个用于校正会聚的辅偏转器件,
其中该辅偏转器件包括辅水平线圈,辅垂直线圈,和铁氧体磁芯,以及
该辅水平线圈为鞍形线圈,且该辅垂直线圈为螺旋形线圈。
8.根据权利要求7所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,在包括该X轴和该Y轴的XY平面上,所述辅水平线圈中平行于该Z轴的对偏转有贡献的部分位于穿过该Z轴且与该X轴形成30°角的直线上或在其附近,且所述辅垂直线圈位于穿过该Z轴且与该Y轴形成30°角的直线上或在其附近。
9.根据权利要求7所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,该辅水平线圈的基本平行于XY平面的跨接部分相对所述铁氧体磁芯在该Z轴方向上突出,该辅水平线圈的跨接部分和平行于该Z轴的对偏转有贡献的部分位于相对Z轴共同的虚拟圆柱形表面上。
10.根据权利要求7所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中在所述铁氧体磁芯的内圆周表面形成突出部分,且该铁氧体磁芯突出部分顶部的内径小于所述辅水平线圈的外径。
11.根据权利要求7所述的用于投射式显像管的偏转器件,其中,假设将XYZ直角坐标系定义为:配置有所述主偏转器件的投射式显像管装置的显像管轴为Z轴,与该Z轴正交的水平方向上的轴为X轴,与该X轴和该Z轴正交的垂直方向上的轴为Y轴,
所述辅垂直线圈包括多个螺旋形绕组,所述多个螺旋形绕组位于多个部分中,而所述多个部分相对于包括该X轴和该Z轴的XZ平面和包括该Y轴和该Z轴的YZ平面对称,
该辅水平线圈包括一对位于该XZ平面两侧的鞍形绕组,
在该铁氧体磁芯的内圆周表面,突出部分形成在一个区域中,该区域不包括所述多个螺旋形绕组所处的部分、以及该对鞍形绕组中平行于Z轴的两对对偏转有贡献的部分所处的部分,
假设该螺旋形绕组所处的、用于辅垂直线圈的该铁氧体磁芯凹陷部分的内径为DV1,对偏转有贡献的部分所处的、用于辅水平线圈的该铁氧体磁芯凹陷部分的内径为DH1,该铁氧体磁芯突出部分顶部的内径为DP,满足关系式:DV1>DH1>DP,以及
假设,在YZ平面的一侧,由两条穿过Z轴且各末端位于一对凹陷部分X轴一侧的直线形成的角度为θS,而XZ平面两侧存在的该凹陷部分用于辅垂直线圈,内径DP的单位为mm,角度θS的单位为°,其满足关系式:2.6<θS/DP<3.35。
12.一种投射式显像管装置,配置有权利要求7中所述的用于投射式显像管的偏转器件。
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